CN104571764A - 具有低蚀刻痕的电容式触摸屏结构及其制作方法 - Google Patents
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Abstract
本发明目的是提供一种具有低蚀刻痕的电容式触摸屏结构及其制作方法，产品合格率高，对设备的要求低且消影效果好。电容式触摸屏结构，包括：基板；遮蔽层，设置于基板第一面上方并对应于边框区；第一消影层，形成于遮蔽层和暴露的基板第一面上；第一导电层，形成于所述第一消影层上，包括多个平行于第一方向且间隔设置的能够与电路板连接的第一导电电极；绝缘层，形成于第一导电层上；第二导电层，形成于所述第二消影层上，包括多个平行于第二方向且间隔设置的能够与电路板连接的第二导电电极；和第二消影层，形成于第二导电层上。
Description
技术领域
本发明涉及触摸屏，具体涉及一种具有低蚀刻痕的电容式触摸屏结构及其制作方法。
背景技术
随着电子技术和信息技术的发展，电子装置在日常生活中的使用也在不断增加。触摸屏作为适合于便携式设备的输入方式而受到关注。
现有技术中，单层导电层结构的触摸屏一般是通过在单层导电层上同时蚀刻形成具有X线路和Y线路间隔排布的透明线路层，然后再利用桥接工艺，使透明线路层所有X线路、所有Y线路分别连接成一体结构，再与柔性电路板连接通电以实现触摸屏的基本功能。由于需要在同一层导电膜上印制两种电极，加上膜的体积较小，对设备以及加工工艺精度要求极高，设备成本高，加工效率低，且制得的产品次品率高。
目前双层导电膜的触摸屏具有产品合格率高，对设备的要求低等优势，但缺点在于蚀刻痕较为明显，影响显示的效果和外观，特别在手机，平板电脑及普通电脑上，会严重影响视觉效果。
发明内容
本发明目的是提供一种具有低蚀刻痕的电容式触摸屏结构及其制作方法，产品合格率高，对设备的要求低且消影效果好。
为了实现上述目的，本发明采用技术方案如下：、
一种具有低蚀刻痕的电容式触摸屏结构，其包括：
基板，具有可视区以及围绕在可视区周围的边框区，包括相对设置的第一面和第二面；
遮蔽层，设置于基板第一面上方并对应于边框区，用以遮蔽显示装置所发射出的光线；
第一消影层，形成于遮蔽层和暴露的基板第一面上；
第一导电层，形成于所述第一消影层上，包括多个平行于第一方向且间隔设置的能够与电路板连接的第一导电电极；
绝缘层，形成于第一导电层上；
第二导电层，形成于所述第二消影层上，包括多个平行于第二方向且间隔设置的能够与电路板连接的第二导电电极；和
第二消影层，形成于第二导电层上；
第一方向导电图案与第二方向导电图案均形成于基材的同一表面，且第一导电电极与第二导电电极通过绝缘层相互间隔形成感应结构。
上述电容式触摸屏结构优选地，基板为透明玻璃或者聚对苯二甲酸乙二醇酯。
上述电容式触摸屏结构优选地，第一消影层包括自下而上依次设置在基板第一面上的第一TiO2或Nb2O5层和第一SiO2层。
上述电容式触摸屏结构优选地，第一TiO2或Nb2O5层厚度为3-30nm，第一SiO2层的厚度为10-70nm。
上述电容式触摸屏结构优选地，第二消影层包括自下而上依次设置在绝缘层上方的第二SiO2层和第二TiO2或Nb2O5层。
上述电容式触摸屏结构优选地，第二SiO2层的厚度为10-70nm，第二TiO2或Nb2O5层厚度为3-30nm。
上述电容式触摸屏结构优选地，第一导电层及第二导电层均由透明导电氧化物或金属导电材料制成，导电氧化物为ITO（氧化铟锡）或AZO（氧化铝锌），金属导电材料为银纳米线。
上述电容式触摸屏结构优选地，绝缘层由高分子材料或无机非金属材料制成，高分子材料为聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）、聚醚砜（PES），聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）、聚碳酸酯（PC）或苯并环丁烯（BCB），无机非金属材料为二氧化硅（SiO2）。
上述电容式触摸屏结构优选地，遮蔽层具有遮蔽图案，用以暴露出相应于该遮蔽图案的基板，相应地，第一消影层亦经由所述遮蔽图案覆盖于基板上。
一种所述的电容式触摸屏结构的制作方法，包括以下步骤：
1）于基板的第一面上叠置遮蔽层用以遮蔽显示装置所发射出的光线；
2）于遮蔽层和暴露的基板第一面叠置第一消影层；
3）于第一消影层上叠置第一导电层，包括多个平行于第一方向且间隔设置的可与电路板连接的第一导电电极；
4）于第一导电层上叠置绝缘层；
5）于绝缘层上叠置第二导电层，包括多个平行于第二方向且间隔设置的可与电路板连接的第二导电电极；
6）于第二导电层上叠置第二消影层。
本发明的有益效果：
现有技术相比，本发明通过采用第一消影层和第二消影层，可以使第一导电层和第二导电层与蚀刻区色差减少，减轻了电容式触摸屏“蚀刻痕”现象，提高了触摸屏的可视性。
附图说明
图1为本发明电容式触摸屏剖视示意图。
图2为本发明电容式触摸屏俯视示意图。
图中101. 基板， 102. 遮蔽层，103. 第一消影层，104. 第一导电层，105. 绝缘层，106. 第二导电层,107. 第二消影层，a. 边框区，b. 可视区。
具体实施方式
以下配合说明书附图对本发明的实施方式做更详细的说明，以使本技术领域的人员在研读本说明后能据以实施。
一种具有低蚀刻痕的电容式触摸屏结构，包括基板101、遮蔽层102、第一消影层103、第一导电层104、绝缘层105、第二导电层106和第二消影层1 07。
基板101具有可视区b以及围绕在可视区b周围的边框区a，包括相对设置的第一面和第二面；遮蔽层102设置于基板101第一面上方并对应于边框区a，用以遮蔽显示装置所发射出的光线；第一消影层103形成于遮蔽层102和暴露的基板101第一面上；第一导电层104形成于所述第一消影层103上，包括多个平行于第一方向且间隔设置的能够与电路板连接的第一导电电极(未示出)；绝缘层105形成于第一导电层104上；第二导电层106形成于所述第二消影层107上，包括多个平行于第二方向且间隔设置的能够与电路板连接的第二导电电极(未示出)；第二消影层107，形成于第二导电层106上；第一方向导电图案与第二方向导电图案均形成于基材的同一表面，且第一导电电极与第二导电电极通过绝缘层105相互间隔形成感应结构。
本实施例中，基板101为透明玻璃或者聚对苯二甲酸乙二醇酯。
本实施例中，第一消影层103包括自下而上依次设置在基板101第一面上的第一TiO2或Nb2O5层和第一SiO2层，第一TiO2或Nb2O5层厚度为3-30nm，第一SiO2层的厚度为10-70nm。
本实施例中，第二消影层107包括自下而上依次设置在绝缘层105上方的第二SiO2层和第二TiO2或Nb2O5层，二SiO2层的厚度为10-70nm，第二TiO2或Nb2O5层厚度为3-30nm。
本实施例中，第一导电层104及第二导电层106均由透明导电氧化物或金属导电材料制成，导电氧化物为ITO（氧化铟锡）或AZO（氧化铝锌），金属导电材料为银纳米线。
本实施例中，绝缘层105由高分子材料或无机非金属材料制成，高分子材料为聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）、聚醚砜（PES），聚对苯二甲酸乙二醇酯（PET）、聚碳酸酯（PC）或苯并环丁烯（BCB），无机非金属材料为二氧化硅（SiO2）。
本实施例中，遮蔽层102具有遮蔽图案，用以暴露出相应于该遮蔽图案的基板101，相应地，第一消影层103亦经由所述遮蔽图案覆盖于基板101上。
一种所述的电容式触摸屏结构的制作方法，包括以下步骤：
1）于基板101的第一面上叠置遮蔽层102，以遮蔽显示装置所发射出的光线，遮蔽层102具有遮蔽图案，用以暴露出相应于该遮蔽图案的基板101；
2）于遮蔽层102和暴露的基板101第一面叠置第一消影层103，相应地，第一消影层103亦经由遮蔽图案覆盖于基板101上；
3）于第一消影层103上叠置第一导电层104，包括多个平行于第一方向且间隔设置的可与电路板连接的第一导电电极；
4）于第一导电层104上叠置绝缘层105；
5）于绝缘层105上叠置第二导电层106，包括多个平行于第二方向且间隔设置的可与电路板连接的第二导电电极；
6）于第二导电层106上叠置第二消影层107。
本发明在降低设备和工艺精度要求，有利于降低设备成本，制得产品合格率高的情况下，增加了对电容触摸屏双层电极的消影效果。
以上仅描述了本发明的基本原理和优选实施方式，本领域人员可以根据上述描述作出许多变化和改进，这些变化和改进应该属于本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种具有低蚀刻痕的电容式触摸屏结构，其特征在于，包括：
基板，具有可视区以及围绕在可视区周围的边框区，包括相对设置的第一面和第二面；
遮蔽层，设置于基板第一面上方并对应于边框区，用以遮蔽显示装置所发射出的光线；
第一消影层，形成于遮蔽层和暴露的基板第一面上；
第一导电层，形成于所述第一消影层上，包括多个平行于第一方向且间隔设置的能够与电路板连接的第一导电电极；
绝缘层，形成于第一导电层上；
第二导电层，形成于所述第二消影层上，包括多个平行于第二方向且间隔设置的能够与电路板连接的第二导电电极；和
第二消影层，形成于第二导电层上；
第一方向导电图案与第二方向导电图案均形成于基材的同一表面，且第一导电电极与第二导电电极通过绝缘层相互间隔形成感应结构。
2.根据权利要求1所述的电容式触摸屏结构，其特征在于：基板为透明玻璃或者聚对苯二甲酸乙二醇酯。
3.根据权利要求1所述的电容式触摸屏结构，其特征在于：第一消影层包括自下而上依次设置在基板第一面上的第一TiO2或Nb2O5层和第一SiO2层。
4.根据权利要求3所述的电容式触摸屏结构，其特征在于：第一TiO2或Nb2O5层厚度为3-30nm，第一SiO2层的厚度为10-70nm。
5.根据权利要求1所述的电容式触摸屏结构，其特征在于:第二消影层包括自下而上依次设置在绝缘层上方的第二SiO2层和第二TiO2或Nb2O5层。
6.根据权利要求5所述的电容式触摸屏结构，其特征在于：第二SiO2层的厚度为10-70nm，第二TiO2或Nb2O5层厚度为3-30nm。
7.根据权利要求1所述的电容式触摸屏结构，其特征在于：第一导电层及第二导电层均由透明导电氧化物或金属导电材料制成，导电氧化物为氧化铟锡或氧化铝锌，金属导电材料为银纳米线。
8.根据权利要求1所述的电容式触摸屏结构，其特征在于：绝缘层由高分子材料或无机非金属材料制成，高分子材料为聚甲基丙烯酸甲酯、聚醚砜，聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯或苯并环丁烯，无机非金属材料为二氧化硅。
9.根据权利要求1至8任一项所述的电容式触摸屏结构，其特征在于：遮蔽层具有遮蔽图案，用以暴露出相应于该遮蔽图案的基板，相应地，第一消影层亦经由所述遮蔽图案覆盖于基板上。
10.一种权利要求1至8任一项所述的电容式触摸屏结构的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
1）于基板的第一面上叠置遮蔽层用以遮蔽显示装置所发射出的光线；
2）于遮蔽层和暴露的基板第一面叠置第一消影层；
3）于第一消影层上叠置第一导电层，包括多个平行于第一方向且间隔设置的可与电路板连接的第一导电电极；
4）于第一导电层上叠置绝缘层；
5）于绝缘层上叠置第二导电层，包括多个平行于第二方向且间隔设置的可与电路板连接的第二导电电极；
6）于第二导电层上叠置第二消影层。
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