CN104460068B - 像素、包括该像素的显示装置及其断线修复方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了像素、包括该像素的阵列基板断线修复方法，该像素结构包括：由第一金属层构成的扫描线，由第二金属层构成的数据线、公共电极线。发生公共电极线断线时，利用激光打点熔接和激光切割技术，截取公共电极线附近的数据线，通过所截取的数据线线段，把公共电极线的电压信号从断点A的一侧传输到断点A的另一侧。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种像素、包括该像素的显示装置及其断线修复方法。
背景技术
采用液晶垂直配向(Vertical Alignment，VA)的液晶面板是现在高端液晶显示产品中应用较多的面板类型，属于广视角面板。传统VA液晶面板的正面(正视)对比度高，但是液晶的响应速度比较慢。
针对传统VA液晶面板存在的不足，日本夏普公司、瑞士Rolic公司开发了采用紫外光配向的UV2A(UV Vertical Alignment)技术。与原有的MVA(Multi-domain VerticalAlignment)、PVA(Patterned Vertical Alignment)、PSVA(Polymer Susfained VerticalAlignment)等传统VA显示技术相比，UV2A技术具有更高的透过率、更高的对比度以及更快的响应速度。例如，白态下，MVA需要设置有凸起和沟槽结构，用于形成多畴，因此不可避免地被沟槽和突起占掉一些开口率；而UV2A是由不同方向的紫外光照射使液晶在配向膜上形成多畴配向，无需沟槽和突起，因此开口率比MVA的面板提高20％以上。黑态下，MVA在相对于凸起结构的位置上有漏光，其原因是因为液晶分子在凸起结构的位置为倾斜站立，形成双折射效应造成漏光；而UV2A因为不需要凸起结构来控制液晶的倒向，故不会有漏光，实现了“深黑”显示。所以UV2A的对比度可较MVA由原本的3000：1提升至6000：1以上；另外UV2A技术实现了所有液晶分子全面均一的限制力，实现了高速反应，响应时间仅为MVA的一半。综上所述，UV2A较之MVA更进一步地提升了液晶电视等显示终端的影像品质。
随着液晶面板的解析度越来越高，在现有的UV2A技术上，如何再进一步提高液晶面板的透过率，成为面板设计者不断努力的课题。为此，现有技术中先后提出了一些改进技术，有效提升了UV2A液晶面板的透过率。在实际生产制造过程中，基于改进技术的UV2A液晶面板需要尽可能地提升合格率。在基于改进技术的UV2A液晶面板中，扫描线的断线概率非常低，数据线的断线设计有专用的修复线，公共电极线的断线修复能力相对薄弱。
发明内容
有鉴于此，为了解决上述问题，本发明主要目的在于提供一种像素、包括该像素的显示装置及其断线修复方法，利用本发明提供的像素结构及修复方法，可以有效提升公共电极线的断线修复概率，提升液晶面板的合格率。
为实现上述的目的，本发明一方面提出了一种像素结构，包括：两扫描线；两公共电极线，与所述两扫描线交叠形成像素区域；至少两条数据线，平行于所述公共电极线设置在所述像素区域内；像素电极，覆盖所述像素区域；至少一开关，形成在一所述扫描线与一所述数据线重叠区域，具有扫描线的部分形成的栅极，数据线的部分形成的源极，以及一漏极图案，其通过第三接触孔与所述像素电极电连接；其中，在所述扫描线上，与所述公共电极线、所述数据线的每一交叠区域，布置有多个开口图案。
进一步地，还包括第一存储电极和第二存储电极，所述第一、二存储电极与所述两公共电极线分别重叠；所述像素电极通过第一接触孔与所述第一存储电极电连接，通过第二接触孔与所述第二存储电极电连接；所述第一存储电极具有连续的第一图案和第二图案，所述第一图案与一所述公共电极线重叠形成第一存储电容，所述第二图案在所述像素区域内，其上形成所述第一接触孔；所述第二存储电极具有连续的第三图案和第四图案，所述第三图案与另一所述公共电极线重叠部分形成第二存储电容，所述第四图案在所述像素区域内，其上形成所述第二接触孔。
进一步地，与同一所述公共电极线重叠的第一图案与第三图案呈非连续分布。
进一步地，一所述扫描线上的开口图案为多个，多个所述开口图案连续分布或非连续重复分布。
为实现上述的目的，本发明另一方面提出了一种显示装置，其包括：一基板；一对置基板；以及夹设于所述基板与所述对置基板之间的显示介质；其中，在所述基板上形成呈阵列排布的复数个如上述像素结构。
为实现上述的目的，本发明又一方面提出了一种显示装置的断线修复方法，对公共电极线上出现断点A进行修复，包括以下步骤：确认一断点A所在的公共电极线对应相邻的左像素和右像素；将在所述左像素内，且与所述公共电极线相邻的一第一数据线作为修复线，通过切断该第一数据线的信号，用于传递所述公共电极线的信号；或者将在所述右像素内，且与所述公共电极线相邻的一第二数据线作为修复线，通过切断该第二数据线的数据信号，用于传递所述公共电极线信号。
可选择地，一所述扫描线上的开口图案为多个，多个所述开口图案非连续重复分布，所述修复方法具体包括以下步骤：在所述第一数据线与两所述扫描线交叠对应的两第一开口图案内，将所述第一数据线各切断一次形成第一数据线段；所述公共电极线与两所述扫描线交叠对应的两第二开口图案，将所述两第一开口图案与两第二开口图案之间的扫描线部分切断；将所述公共电极线信号向所述第一数据线传输方向上，在所述第一数据线以外的两扫描线部分切断；将所述公共电极线信号向所述第一数据线传输相反方向上，在所述公共电极线以外的两扫描线部分切断；在所述左像素内，将一所述公共电极线与对应交叠的两扫描线区域熔融连接；将一所述第一数据线端与所述对应交叠的两扫描线区域熔融连接。
进一步地，一所述扫描线上的开口图案为多个，多个所述开口图案连续重复分布，所述修复方法具体包括以下步骤：在所述第一数据线与两所述扫描线交叠对应的两第一开口图案内，将所述第一数据线各切断一次形成第一数据线段；将所述公共电极线信号向所述第一数据线传输方向上，在所述第一数据线以外的两扫描线部分切断；将所述公共电极线信号向所述第一数据线传输相反方向上，在所述公共电极线以外的两扫描线部分切断；在所述左像素内，将一所述公共电极线与对应交叠的两扫描线区域熔融连接；将一所述第一数据线端与所述对应交叠的两扫描线区域熔融连接。
可选择地，一所述扫描线上的开口图案为多个，多个所述开口图案非连续重复分布，所述修复方法具体包括以下步骤：在所述第二数据线与两所述扫描线交叠对应的两第三开口图案内，将所述第二数据线各切断一次形成第二数据线段；所述公共电极线与两所述扫描线交叠对应的两第四开口图案，将所述两第三开口图案与两第四开口图案之间的扫描线部分切断；将所述公共电极线信号向所述第二数据线传输方向上，在所述第二数据线以外的两扫描线部分切断；将所述公共电极线信号向所述第二数据线传输相反方向上，在所述公共电极线以外的两扫描线部分切断；在所述右像素内，将一所述公共电极线与对应交叠的两扫描线区域熔融连接；将一所述第二数据线端与所述对应交叠的两扫描线区域熔融连接。
进一步地，一所述扫描线上的开口图案为多个，多个所述开口图案连续重复分布，所述修复方法具体包括以下步骤：在所述第二数据线与两所述扫描线交叠对应的两第三开口图案内，将所述第二数据线各切断一次形成第二数据线段；将所述公共电极线信号向所述第二数据线传输方向上，在所述第二数据线以外的两扫描线部分切断；将所述公共电极线信号向所述第二数据线传输相反方向上，在所述公共电极线以外的两扫描线部分切断；在所述右像素内，将一所述公共电极线与对应交叠的两扫描线区域熔融连接；将一所述第二数据线端与所述对应交叠的两扫描线区域熔融连接。
本发明与现有技术相比，其优点在于：本发明提供的像素结构无需增设修复线，利用公共电极线相邻的任一数据线即可实现显示装置的公共电极线断线的修复，不仅节省修复成本，本发明提供的修复方法灵活，增加了显示装置断线修复的可能性，提升显示装置的良品率。
附图说明
图1为示意性示出本发明像素结构的平面示意图；
图2为示意性示出本发明一实施例像素结构修复方法示意图；
图3为示意性示出本发明另一实施例像素结构修复方法示意图。
具体实施方式
为让本发明的上述和其它目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合附图作详细说明如下。
在以下描述中，为了解释说明，提出许多具体的细节以提供对本发明的全面理解。但是显然，本发明能够实现为不具有这些具体细节。在其他情况中，已知结构和设备以框图形式示出，以避免不必要的对本发明的误解。
图1为示意性示出本发明像素结构的平面示意图。如图1所示，本发明提供一种像素结构，包括：两扫描线11a、11b；两公共电极线32a、32b，与所述两扫描线11a、11b交叠形成像素区域；至少两条数据线31a，31b，平行于所述公共电极线32a、32b设置在所述像素区域内；像素电极51，覆盖所述像素区域；至少一开关21，优选地为一薄膜晶体管，形成在一所述扫描线11b与一所述数据线31a重叠区域，具有扫描线11b的部分形成的栅极，数据线的部分形成的源极，以及一漏极图案33，其通过第三接触孔41与所述像素电极51电连接；如图1所示，在两所述扫描线11a，11b上，与两所述公共电极线32a、32b、两所述数据线31a、31b的每一交叠区域，布置有8个开口图案。
可选择地，本发明的像素结构还包括第一存储电极12a和第二存储电极12b，所述第一、二存储电极12a、12b与所述两公共电极线32a、32b分别重叠；且通过第一接触孔42a与所述第一存储电极12a电连接，通过第二接触孔42b与所述第二存储电极12b电连接。图1种的像素结构仅作为一示意图，在实际的使用中，像素电极与公共电极线之间形成存储电容，像素结构各组件例如第一、二存储电极可根据实际情况去除或改变结构。
在像素结构设置第一、二存储电极12a、12b的情况下，所述第一存储电极具有连续的第一图案121a和第二图案122a，所述第一图案121a与一所述公共电极线32a重叠形成第一存储电容，所述第二图案122a在所述像素区域内，其上形成所述第一接触孔42a；所述第二存储电极12b具有连续的第三图案121b和第四图案122b，所述第三图案121b与另一所述公共电极线32b重叠部分形成第二存储电容，所述第四图案122b在所述像素区域内，其上形成所述第二接触孔42b。
参考图1，本发明提供的一所述扫描线上的开口图案13为多个，多个所述开口图案为非连续重复排布的多个规则图形，如四边形图案。但图1中的开口图案仅作为优选示例，可选择地一实施例，所述开口图案还可为连续分布线型开口图案，同一像素区域内的公共电极线32a、32b，数据线31a、31b在空间上与扫描线的一开口图案交叠。
结合参考图1和图2，在一像素区域内，同一所述公共电极线32b上，与该所述公共电极线32b重叠的第一图案121a与第三图案121b呈非连续分布。
本发明还提出了包括上述实施例像素结构的一种显示装置，其包括：一基板；一对置基板；以及夹设于所述基板与所述对置基板之间的显示介质；其中，在所述基板上形成呈阵列排布的复数个所述像素结构(图未示)。
作为本发明像素结构的制作方法，其包括：在衬底上依次分布着第一金属层、栅极绝缘层、半导体层、第二金属层、钝化层、接触孔、像素电极。由第一金属层形成扫描线11a和11b、存储电极12a和12b；由半导体层形成薄膜晶体管沟道21；由第二金属层形成数据线31a和31b、公共电极线32a和32b、漏极图案33；在漏极图案33上形成第三接触孔41，在第一、二存储电极上分别形成第一、二接触孔42a和42b；在钝化层上方覆盖像素电极51。
图2为示意性示出本发明一实施例像素结构修复方法示意图。如图2所示，本发明提出了一种显示装置的断线修复方法，用于修复具有上述实施例中像素结构的显示装置，包括以下步骤：确认一断点A(Open)所在的公共电极线32b对应相邻的左像素和右像素；将在所述左像素内，且与所述公共电极线32b相邻的一第一数据线31b作为修复线，通过切断该第一数据线31b的信号，用于传递所述公共电极线32b的信号。
作为本发明一可选实施例，如图2所示，一所述扫描线11上的开口图案为多个，多个所述开口图案非连续重复分布，所述修复方法具体包括以下步骤：在所述第一数据线31b与两所述扫描线11a和11b交叠对应的两第一开口图案内，将所述第一数据线31b各切断C2、C6一次形成第一数据线段；所述公共电极线32b与两所述扫描线11a和11b交叠对应的两第二开口图案，将所述两第一开口图案与两第二开口图案之间的扫描线部分切断C1、C5；将所述公共电极线信号向所述第一数据线31b传输方向上，在所述第一数据线31b以外的两扫描线11a和11b部分切断C4、C8；将所述公共电极线信号向所述第一数据线31b传输相反方向上，在所述公共电极线以外的两扫描线11a和11b部分切断C3、C7；在所述左像素内，将一所述公共电极线32b与对应交叠的两扫描线区域熔融S1、S4连接；将一所述第一数据线端与所述对应交叠的两扫描线区域熔融S2、S3连接。
作为本发明另一可选实施例，一所述扫描线上的开口图案为多个，多个所述开口图案连续重复分布(图未示)，所述修复方法具体包括以下步骤：在所述第一数据线31b与两所述扫描线11a和11b交叠对应的两第一开口图案内，将所述第一数据线31b各切断C2、C6一次形成第一数据线段；将所述公共电极线信号向所述第一数据线31b传输方向上，在所述第一数据线31b以外的两扫描线11a和11b部分切断C4、C8；将所述公共电极线信号向所述第一数据线31b传输相反方向上，在所述公共电极线32b以外的两扫描线11a和11b部分切断C3、C7；在所述左像素内，将一所述公共电极线32b与对应交叠的两扫描线11a和11b区域熔融S1、S4连接；将一所述第一数据线端与所述对应交叠的两扫描线区域熔融S2、S3连接。
图3为示意性示出本发明另一实施例像素结构修复方法示意图，本发明又提出了一种显示装置的断线修复方法，使用公共电极线上出现断点A(Open)的如权利要求1-4任一项所述的像素进行修复，包括以下步骤：确认一断点A(Open)所在的公共电极线32b对应相邻的左像素、右像素；将在所述右像素内，且与所述公共电极线32b相邻的一第二数据线31a作为修复线，通过切断该第二数据线31a的数据信号，用于传递所述公共电极线信号。
作为本发明又一可选实施例，如图3所示，一所述扫描线上的第三、第四开口图案如13a、13b为多个，多个所述开口图案如13a和13b、13a’和13b’非连续重复分布，所述修复方法具体包括以下步骤：在所述第二数据线31a与两所述扫描线11a和11b交叠对应的两第三开口图案13a、13a’内，将所述第二数据线31a各切断C2、C6一次形成第二数据线段；所述公共电极线32b与两所述扫描线11a和11b交叠对应的两第四开口图案13b，13b’，将所述两第三开口图案13a、13a’与两第四开口图案13b，13b’之间的扫描线部分切断C1、C5；将所述公共电极线信号向所述第二数据线31a传输方向上，在所述第二数据线31a以外的两扫描线11a和11b部分切断C4、C8；将所述公共电极线信号向所述第二数据线31a传输相反方向上，在所述公共电极线32b以外的两扫描线部分切断C3、C7；在所述右像素内，将一所述公共电极线与对应交叠的两扫描线11a和11b区域熔融S1、S4连接；将一所述第二数据线端与所述对应交叠的两扫描线区域熔融S2、S3连接。
作为本发明再一可选实施例，一所述扫描线上的开口图案为多个，多个所述开口图案连续重复分布(图未示)，所述修复方法具体包括以下步骤：在所述第二数据线31a与两所述扫描线11a和11b交叠对应的两第三开口图案内，将所述第二数据线31a各切断C2、C6一次形成第二数据线段；将所述公共电极线信号向所述第二数据线31a传输方向上，在所述第二数据线31a以外的两扫描线11a和11b部分切断C4、C8；将所述公共电极线信号向所述第二数据线31a传输相反方向上，在所述公共电极线32b以外的两扫描线11a和11b部分切断C3、C7；在所述右像素内，将一所述公共电极线32b与对应交叠的两扫描线11a和11b的区域熔融S1、S4连接；将一所述第二数据线端与所述对应交叠的两扫描线区域熔融S2、S3连接。
通过上述各实施例的修复方法，公共电极线32a的电位通过熔接点S1、从扫描线11a隔离出来的第一金属层修复线段、熔接点S2、从数据线31b独立出来的第二金属层修复线段、熔接点S3、从扫描线11b隔离出来的第一金属层修复线段、熔接点S4，与公共电极线32b断点A下方的部分实现等电位连接。
本领域的普通技术人员应当理解，上述各实施例的修复方法中的切断、熔融均采用激光等方式进行。上述各具体实施例中断线修复方法中的各熔融或切断步骤无先后顺序，在实际的操作过程中可以根据需要任意调整修复顺序。
本发明的所使用的材料和工艺没有进行详细的说明，因为这些没有被本发明所改变，并且这些实现的过程被本领域技术人员所熟知，本发明所公开的像素结构除了上述各实施例所述的结构以外，像素的形状以及数据线的条数的变化都可作相应地调整。
以上详细描述了本发明的优选实施方式，但是，本发明并不限于上述实施方式中的具体细节，在本发明的技术构思范围内，可以对本发明的技术方案进行多种等同变换，这些等同变换均属于本发明的保护范围。
Claims (9)
1.一种像素结构，包括：
两扫描线；
两公共电极线，与所述两扫描线交叠形成像素区域；
至少两条数据线，平行于所述公共电极线设置在所述像素区域内；
像素电极，覆盖所述像素区域；
至少一开关，形成在一所述扫描线与一所述数据线重叠区域，具有扫描线的部分形成的栅极，数据线的部分形成的源极，以及一漏极图案，其通过第三接触孔与所述像素电极电连接；
其中，在所述扫描线上与所述公共电极线的每一交叠区域，布置有多个开口图案，
以及在所述扫描线上与所述数据线的每一交叠区域，布置有多个开口图案；
还包括第一存储电极和第二存储电极，所述第一、二存储电极与所述两公共电极线分别重叠；
所述像素电极通过第一接触孔与所述第一存储电极电连接，通过第二接触孔与所述第二存储电极电连接；
所述第一存储电极具有连续的第一图案和第二图案，所述第一图案与一所述公共电极线重叠形成第一存储电容，所述第二图案在所述像素区域内，其上形成所述第一接触孔；
所述第二存储电极具有连续的第三图案和第四图案，所述第三图案与另一所述公共电极线重叠部分形成第二存储电容，所述第四图案在所述像素区域内，其上形成所述第二接触孔。
2.如权利1要求所述的像素结构，其特征在于：与同一所述公共电极线重叠的第一图案与第三图案呈非连续分布。
3.如权利1要求所述的像素结构，其特征在于：一所述扫描线上的开口图案为多个，多个所述开口图案连续分布或非连续重复分布。
4.一种显示装置，其包括：一基板；一对置基板；以及夹设于所述基板与所述对置基板之间的显示介质；其中，在所述基板上形成呈阵列排布的复数个如权利要求1-3任一项所述的像素结构。
5.一种显示装置的断线修复方法，对公共电极线上出现断点A的如权利要求1-3任一项所述的像素进行修复，包括以下步骤：
确认一断点A所在的公共电极线对应相邻的左像素和右像素；
将在所述左像素内，且与所述公共电极线相邻的一第一数据线作为修复线，通过切断该第一数据线的信号，用于传递所述公共电极线的信号；
或者将在所述右像素内，且与所述公共电极线相邻的一第二数据线作为修复线，通过切断该第二数据线的数据信号，用于传递所述公共电极线信号。
6.如权利5要求所述的修复方法，其特征在于：一所述扫描线上的开口图案为多个，
多个所述开口图案非连续重复分布，所述修复方法具体包括以下步骤：
在所述第一数据线与两所述扫描线交叠对应的两第一开口图案内，将所述第一数据线各切断一次形成第一数据线段；
所述公共电极线与两所述扫描线交叠对应的两第二开口图案，将所述两第一开口图案与两第二开口图案之间的扫描线部分切断；
将所述公共电极线信号向所述第一数据线传输方向上，在所述第一数据线以外的两扫描线部分切断；
将所述公共电极线信号向所述第一数据线传输相反方向上，在所述公共电极线以外的两扫描线部分切断；
在所述左像素内，将一所述公共电极线与对应交叠的两扫描线区域熔融连接；将一所述第一数据线端与所述对应交叠的两扫描线区域熔融连接。
7.如权利6要求所述的修复方法，其特征在于：一所述扫描线上的开口图案为多个，
多个所述开口图案连续重复分布，所述修复方法具体包括以下步骤：
在所述第一数据线与两所述扫描线交叠对应的两第一开口图案内，将所述第一数据线各切断一次形成第一数据线段；
将所述公共电极线信号向所述第一数据线传输方向上，在所述第一数据线以外的两扫描线部分切断；
将所述公共电极线信号向所述第一数据线传输相反方向上，在所述公共电极线以外的两扫描线部分切断；
在所述左像素内，将一所述公共电极线与对应交叠的两扫描线区域熔融连接；将一所述第一数据线端与所述对应交叠的两扫描线区域熔融连接。
8.如权利5要求所述的修复方法，其特征在于：一所述扫描线上的开口图案为多个，
多个所述开口图案非连续重复分布，所述修复方法具体包括以下步骤：
在所述第二数据线与两所述扫描线交叠对应的两第三开口图案内，将所述第二数据线各切断一次形成第二数据线段；
所述公共电极线与两所述扫描线交叠对应的两第四开口图案，将所述两第三开口图案与两第四开口图案之间的扫描线部分切断；
将所述公共电极线信号向所述第二数据线传输方向上，在所述第二数据线以外的两扫描线部分切断；
将所述公共电极线信号向所述第二数据线传输相反方向上，在所述公共电极线以外的两扫描线部分切断；
在所述右像素内，将一所述公共电极线与对应交叠的两扫描线区域熔融连接；将一所述第二数据线端与所述对应交叠的两扫描线区域熔融连接。
9.如权利8要求所述的修复方法，其特征在于：一所述扫描线上的开口图案为多个，
多个所述开口图案连续重复分布，所述修复方法具体包括以下步骤：
在所述第二数据线与两所述扫描线交叠对应的两第三开口图案内，将所述第二数据线各切断一次形成第二数据线段；
将所述公共电极线信号向所述第二数据线传输方向上，在所述第二数据线以外的两扫描线部分切断；
将所述公共电极线信号向所述第二数据线传输相反方向上，在所述公共电极线以外的两扫描线部分切断；
在所述右像素内，将一所述公共电极线与对应交叠的两扫描线区域熔融连接；将一
所述第二数据线端与所述对应交叠的两扫描线区域熔融连接。
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