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CN104217677A - 触控显示电路及显示装置 - Google Patents

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CN104217677A
CN104217677A CN201410371059.1A CN201410371059A CN104217677A CN 104217677 A CN104217677 A CN 104217677A CN 201410371059 A CN201410371059 A CN 201410371059A CN 104217677 A CN104217677 A CN 104217677A
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董学
王海生
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Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd
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BOE Technology Group Co Ltd
Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd
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Abstract

本发明的实施例公开一种触控显示电路及显示装置，涉及显示器制造领域，能够将光感In cell touch技术高效整合于AMOLED显示器中。该触控显示电路，包括光感触控单元、驱动单元、阈值补偿单元和显示单元。本发明的实施例应用于显示器制造。

Description

触控显示电路及显示装置
技术领域
本发明涉及显示器制造领域，尤其涉及一种触控显示电路及显示装置。 
背景技术
有源矩阵有机发光二极管显示器(Active Matrix/Organic Light-Emitting Diode，AMOLED)是当今平板显示器研究领域的热点之一，与液晶显示器相比，OLED具有低能耗、生产成本低、自发光、宽视角及响应速度快等优点。目前，在手机、PDA(Personal Digital Assistant，掌上电脑)、数码相机等显示领域OLED已经开始取代传统的液晶显示屏(Liquid Crystal Display，LCD)。像素驱动电路设计是OLED显示器核心技术内容，具有重要的研究意义。与TFT(Thin Film Transistor，薄膜场效应晶体管)-LCD利用稳定的电压控制亮度不同，OLED属于电流驱动，需要稳定的电流来控制发光。 
目前部分光感In cell touch(像素触控)技术已经成功应用的LCD显示器上，业内一线生产商都已经成功量产，光感触控不仅具有与电容式触控方式同样的触控灵敏度和功能，其另外一个最大的优点就是光感触控不受屏幕尺寸的限制，在大尺寸触控方面占有一席之地。另外其不光可以通过手指直接触控，同时还可以使用激光笔直接远距离触控。而如何将光感In cell touch技术应用于AMOLED显示器成为新一代显示器的发展方向。 
发明内容
本发明的实施例提供一种触控显示电路及显示装置，能够将光感In cell touch技术高效整合于AMOLED显示器中。 
为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案： 
一方面，本发明的实施例提供一种触控显示电路，包括光感触控单元、驱动单元、阈值补偿单元和显示单元； 
其中所述光感触控单元连接第一扫描信号端、第二扫描信号端、 信号检测线及数据线；用于在第一扫描信号端输入第一检测信号时，在第二扫描信号端的控制下，根据触控位置的光强和所述数据线的数据信号生成第二检测信号，并在所述信号检测线输出所述第二检测信号； 
所述阈值补偿单元连接第三扫描线信号端、第四扫描线信号端、所述数据线及所述驱动单元的控制端和输入端，用于在所述第三扫描线信号端、第四扫描线信号端和数据线的控制下向所述驱动单元的控制端输出控制电压、向所述驱动单元的输入端输出工作电压，并在所述控制电压中补偿所述驱动单元的阈值电压； 
所述驱动单元的控制端和输入端连接所述阈值补偿单元，用于在所述控制电压和工作电压的控制下通过输出端向所述显示单元输出驱动电流； 
所述显示单元连接第五扫描信号端和所述驱动单元的输出端，用于在所述第五扫描信号端的控制下，通过所述驱动电流驱动发光。 
可选的，所述光感触控单元包括：第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第一电容； 
其中，所述第一晶体管的栅极连接所述第一扫描信号端、所述第一晶体管的第一极连接所述数据线； 
所述第二晶体管的栅极连接所述第二晶体管的第一极，所述第二晶体管的第一极连接所述第一晶体管的第二极； 
所述第一电容的第一极连接所述第二晶体管的栅极，所述第一电容的第二极连接所述第二晶体管的第二极； 
所述第三晶体管的第一极连接所述第二晶体管的第二极，所述第三晶体管的栅极连接所述第二扫描信号端，所述第三晶体管的第二极连接所述信号检测线； 
其中所述第二晶体管为感光晶体管。 
可选的，所述阈值补偿单元包括：第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管和第二电容； 
所述第四晶体管的栅极连接第四扫描信号端，所述第四晶体管的第一极连接第一电平端，所述第四晶体管的第二极连接所述第二电容的第二极； 
所述第五晶体管的栅极连接所述第四扫描信号端，所述第五晶体管的第一极连接所述第一电平端，所述第五晶体管的第二极连接所述 驱动单元的输入端； 
所述第六晶体管的栅极连接所述第三扫描信号端，所述第六晶体管的第一极连接所述第二电容的第一极，所述第六晶体管的第二极连接所述驱动单元的输入端； 
所述第七晶体管的栅极连接所述第三扫描信号端，所述第七晶体管的第一极连接所述数据线，所述第七晶体管的第二极连接所述第二电容的第二极 
所述第二电容的第一极连接所述驱动单元的控制端。 
可选的，所述显示单元包括：串联的第九晶体管和发光二极管； 
所述第九晶体管的栅极连接所述第五扫描信号端，所述第九晶体管的第一极连接所述驱动单元的输出端，所述第九晶体管的第二极连接所述发光二极管的第一极，所述发光二极管的第二极连接第二电平端； 
或者， 
所述显示单元包括：并联的第九晶体管和发光二极管； 
所述第九晶体管的栅极连接所述第五扫描信号端，所述第九晶体管的第一极连接所述驱动单元的输出端，所述第九晶体管的第二极连接第二电平端； 
所述发光二极管的第一极连接所述驱动单元的输出端，所述发光二极管的第二极连接第二电平端。 
可选的，当所述第九晶体管和发光二极管并联时； 
可选的，所述第一扫描信号端、第三扫描信号端和第五扫描信号端连接第一扫描线； 
所述第二扫描信号端、第四扫描信号端连接第二扫描线。 
可选的，当所述第九晶体管和发光二极管串联时； 
可选的，所述第一扫描信号端和第三扫描信号端连接第一扫描线； 
所述第二扫描信号端、第四扫描信号端连接第二扫描线； 
所述第五扫描信号端连接第三扫描线。 
可选的，所述阈值补偿单元还连接所述驱动单元的输出端和第六扫描信号端；具体用于在所述第三扫描线信号端、第四扫描线信号端、第六扫描信号端和数据线的控制下向所述驱动单元的控制端输出控 制电压、向所述驱动单元的输入端输出工作电压，并在所述控制电压中补偿所述驱动单元的阈值电压； 
所述阈值补偿单元包括：第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管和第二电容； 
所述第四晶体管的栅极连接所述第六扫描信号端，所述第四晶体管的第一极连接第一电平端，所述第四晶体管的第二极连接所述驱动单元的输入端； 
所述第二电容的第一极连接所述第一电平端，所述第二电容的第二极连接所述驱动单元的控制端； 
所述第五晶体管的栅极连接所述第四扫描信号端，所述第五晶体管的第一极连接所述第二电容的第二极，所述第五晶体管的第二极连接所述驱动单元的输入端； 
所述第六晶体管的栅极连接所述第三扫描信号端，所述第六晶体管的第一极连接第三电平端，所述第六晶体管的第二极连接所述第二电容的第二极； 
所述第七晶体管的栅极连接所述第四扫描信号端，所述第七晶体管的第一极连接所述数据线，所述第七晶体管的第二极连接所述驱动单元的输出端。 
可选的，所述第一扫描信号端和第三扫描信号端连接第一扫描线； 
所述第二扫描信号端和所述第四扫描信号端连接第二扫描线； 
所述第五扫描信号端和所述第六扫描信号端连接第三扫描线。 
可选的，所述光感触控单元还连接第六扫描信号端； 
所述光感触控单元包括：第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管和第一电容； 
其中，所述第一晶体管的栅极连接所述第一扫描信号端、所述第一晶体管的第一极连接所述数据线； 
所述第二晶体管的栅极连接所述第二晶体管的第一极，所述第二晶体管的第一极连接所述第一晶体管的第二极； 
所述第一电容的第一极连接所述第二晶体管的栅极，所述第一电容的第二极连接所述第二晶体管的第二极； 
所述第三晶体管的第一极连接所述第二晶体管的第二极，所述第三晶体管的栅极连接所述第二扫描信号端，所述第三晶体管的第二极 连接所述信号检测线； 
所述第四晶体管的栅极连接第六扫描信号端，所述第四晶体管的第一极连接所述第一晶体管的第二极，所述第四晶体管的第二极连接第三电平端； 
其中所述第二晶体管为感光晶体管。 
可选的，所述阈值补偿单元还连接所述驱动单元的输出端和第七扫描信号端；具体用于在所述第三扫描线信号端、第四扫描线信号端、第七扫描信号端和数据线的控制下向所述驱动单元的控制端输出控制电压、向所述驱动单元的输入端输出工作电压，并在所述控制电压中补偿所述驱动单元的阈值电压； 
所述阈值补偿单元包括：第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管、第八晶体管和第二电容； 
所述第五晶体管的栅极连接所述第四扫描信号端，所述第五晶体管的第一极连接第一电平端，第五晶体管的第二极连接所述驱动单元的输入端； 
所述第六晶体管的栅极连接第三扫描信号端，所述第六晶体管的第一极连接所述数据线，所述第六晶体管的第二极连接所述驱动单元的输入端； 
所述第七晶体管的栅极连接第七扫描信号端，所述第七晶体管的第一极连接所述第三电平端，所述第七晶体管的第二极连接所述驱动单元的控制端； 
所述第八晶体管的栅极连接所述第三扫描信号端，所述第八晶体管的第一极连接所述驱动单元的输出端，所述第八晶体管的第二极连接所述驱动单元的控制端； 
所述第二电容的第一极连接所述驱动单元的控制端，所述第二电容的第二极连接所述第三电平端。 
可选的，所述第一扫描信号端和第三扫描信号端连接第一扫描线； 
第二扫描信号端、第四扫描信号端和第五扫描信号端连接第二扫描线； 
第六扫描信号端和第七扫描信号端连接第三扫描线。 
可选的，所述阈值补偿单元包括：第五晶体管、第六晶体管、第 一驱动晶体管和第二电容； 
所述第五晶体管的栅极连接所述第三扫描信号端，所述第五晶体管的第一极连接所述数据线； 
所述第六晶体管的栅极连接所述第四扫描信号端，所述第六晶体管的第一极连接所述驱动单元的控制端，所述第六晶体管的第二极连接第三电平端； 
所述第一驱动晶体管的控制端连接所述驱动单元的控制端，所述第一驱动晶体管的输入端连接所述第五晶体管的第二极，所述第一驱动晶体管的输出端连接所述驱动单元的控制端； 
所述第二电容的第一极连接所述驱动单元的控制端，所述第二电容的第二极连接第一电平端和所述驱动单元的输入端。 
可选的，所述第一扫描信号端和第三扫描信号端连接第一扫描线； 
第二扫描信号端和第五扫描信号端连接第二扫描线； 
第四扫描信号端和第六扫描信号端连接第三扫描线。 
可选的，所述显示单元包括：串联的第九晶体管和发光二极管； 
所述第九晶体管的栅极连接所述第五扫描信号端，所述第九晶体管的第一极连接所述驱动单元的输出端，所述第九晶体管的第二极连接所述发光二极管的第一极，所述发光二极管的第二极连接第二电平端。 
可选的，所述驱动单元为薄膜场效应晶体管，所述驱动单元的输入端为薄膜场效应晶体管的源极，所述驱动单元的控制端为薄膜场效应晶体管的栅极，所述驱动单元的输出端为薄膜场效应晶体管的漏极。 
可选的，各个晶体管的第一极为源极，各个晶体管的第二极为漏极。 
一方面，提供一种显示装置，包括上述的任一触控显示电路。 
上述的触控显示电路及显示装置，包括光感触控单元、驱动单元、阈值补偿单元和显示单元，将光感In cell touch技术高效整合于AMOLED显示器中。 
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对 实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。 
图1为本发明的实施例提供的一种触控显示电路的结构示意图； 
图2为本发明的实施例1提供的一种触控显示电路的结构示意图； 
图3为本发明的实施例1提供的另一种触控显示电路的结构示意图； 
图4为本发明的实施例1提供的图2所示触控显示电路的输入信号的时序状态示意图； 
图5为本发明的实施例1提供的图3所示触控显示电路的输入信号的时序状态示意图； 
图6为本发明的实施例2提供的一种触控显示电路的结构示意图； 
图7为本发明的实施例2提供的图5所示触控显示电路的输入信号的时序状态示意图； 
图8为本发明的实施例3提供的一种触控显示电路的结构示意图； 
图9为本发明的实施例3提供的图8所示触控显示电路的输入信号的时序状态示意图； 
图10为本发明的实施例4提供的一种触控显示电路的结构示意图； 
图11为本发明的实施例4提供的图10所示触控显示电路的输入信号的时序状态示意图； 
图12为本发明的实施例提供的一种显示装置的像素分布示意图。 
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方 案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。 
本发明所有实施例中采用的晶体管均可以为薄膜晶体管或场效应管或其他特性相同的器件，根据在电路中的作用本发明的实施例所采用的晶体管主要包括开关晶体管、驱动晶体管。由于这里采用的开关晶体管的源极、漏极是对称的，所以其源极、漏极是可以互换的。在本发明实施例中，为区分晶体管除栅极之外的两极，将其中一极称为源极，另一极称为漏极。按附图中的形态规定晶体管的中间端为栅极、信号输入端为源极、信号输出端为漏极。此外本发明实施例所采用的开关晶体管包括P型开关晶体管和N型开关晶体管两种，其中，P型开关晶体管在栅极为低电平时导通，在栅极为高电平时截止，N型开关晶体管为在栅极为高电平时导通，在栅极为低电平时截止；驱动晶体管包括P型和N型，其中P型驱动晶体管在栅极电压为低电平(栅极电压小于源极电压)，且栅极源极的压差的绝对值大于阈值电压时处于放大状态或饱和状态；其中N型驱动晶体管的栅极电压为高电平(栅极电压大于源极电压)，且栅极源极的压差的绝对值大于阈值电压时处于放大状态或饱和状态。 
参照图1所示，为本发明的实施例提供的一种触控显示电路，包括：包括光感触控单元11、驱动单元12、阈值补偿单元13和显示单元14； 
其中所述光感触控单元11连接第一扫描信号端S1、第二扫描信号端S2、信号检测线RL及数据线Data；用于在第一扫描信号端S1输入第一检测信号时，在第二扫描信号端S2的控制下，根据触控位置的光强和所述数据线Data的数据信号生成第二检测信号，并在所述信号检测线RL输出所述第二检测信号； 
所述阈值补偿单元13连接第三扫描线信号端S3、第四扫描线信号端S4、所述数据线Data及所述驱动单元12的控制端D2和输入端d2，用于在所述第三扫描线信号端S3、第四扫描线信号端S4和数据线Data的控制下向所述驱动单元12的控制端D2输出控制电压、向 所述驱动单元12的输入端d2输出工作电压，并在所述控制电压中补偿所述驱动单元12的阈值电压； 
所述驱动单元12的控制端D2和输入端d2连接所述阈值补偿单元13，用于在所述控制电压和工作电压的控制下通过输出端d3向所述显示单元14输出驱动电流； 
所述显示单元14连接第五扫描信号端S5和所述驱动单元12的输出端d3，用于在所述第五扫描信号端S5的控制下，通过所述驱动电流驱动发光。 
上述的触控显示电路，包括光感触控单元、驱动单元、阈值补偿单元和显示单元，将光感In cell touch技术高效整合于AMOLED显示器中，同时流经发光单元的工作电流不受对应的驱动单元的阈值电压的影响，彻底解决了由于驱动单元的阈值电压漂移导致显示亮度不均的问题。 
实施例1： 
参照图2、3所示，所述光感触控单元11包括：第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3和第一电容C1； 
其中，所述第一晶体管T1的栅极连接所述第一扫描信号端S1、所述第一晶体管T1的第一极连接所述数据线；其中S1的信号用于控制T1导通或截止，当T1导通时能够将数据线的信号输出至T1的第二极； 
所述第二晶体管T2的栅极连接所述第二晶体管T2的第一极，所述第二晶体管T2的第一极连接所述第一晶体管T1的第二极；其中T2用于在栅极信号的控制下将第一极输入的数据线的信号输出至第二极； 
所述第一电容C1的第一极连接所述第二晶体管T2的栅极，所述第一电容C1的第二极连接所述第二晶体管T2的第二极；其中C1用于存储T2的第二极和栅极之间的电势差； 
所述第三晶体管T3的第一极连接所述第二晶体管T2的第二极，所述第三晶体管T3的栅极连接所述第二扫描信号端S2，所述第三晶体管T3的第二极连接所述信号检测线RL；其中T3用于在S2的控 制下导通或截止，当T3导通时能够将第一极接收的信号通过第二极输出至RL； 
其中所述第二晶体管T2为感光晶体管，当T2的接收光强发生变化时，T2可以将光强的变化转换为第二极和栅极之间的电势差的改变量，并存储于C1。 
所述驱动单元12为薄膜场效应晶体管，所述驱动单元的输入端为薄膜场效应晶体管的源极，所述驱动单元的控制端为薄膜场效应晶体管的栅极，所述驱动单元的输出端为薄膜场效应晶体管的漏极，驱动单元12在图2和3中标记为D2；驱动单元12用于在控制端和输入端的控制下在输出端输出驱动电流。 
所述阈值补偿单元13包括：第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6、第七晶体管T7和第二电容C2； 
所述第四晶体管T4的栅极连接第四扫描信号端S4，所述第四晶体管S4的第一极连接第一电平端V1，所述第四晶体管T4的第二极连接所述第二电容C2的第二极b；用于在S4的信号控制下导通或截止，并当T4导通时，将V1的电平写入C2的第二极b； 
所述第五晶体管T5的栅极连接所述第四扫描信号端S4，所述第五晶体管T5的第一极连接所述第一电平端V1，所述第五晶体管T5的第二极连接所述驱动单元12的输入端d2；用于在S4的信号控制下导通或截止，并当T5导通时，将V1的电平输入驱动单元12的输入端d2； 
所述第六晶体管T6的栅极连接所述第三扫描信号端S3，所述第六晶体管T6的第一极连接所述第二电容C2的第一极a，所述第六晶体管T6的第二极连接所述驱动单元12的输入端d2；用于在S3的信号控制下导通或截止，并当T6导通时，将T5第二极的电平写入C2的第一极a； 
所述第七晶体管T7的栅极连接所述第三扫描信号端S3，所述第七晶体管T7的第一极连接所述数据线Data，所述第七晶体管T7的第二极连接所述第二电容C2的第二极b；用于在S3的信号控制下导通或截止，并当T7导通时通过数据线Data的信号重置C2的第二极b电势。 
所述第二电容C2的第一极a连接所述驱动单元12的控制端d1。 
参照图3所示，所述显示单元14包括：串联的第九晶体管T9和发光二极管OLED；所述第九晶体管T9的栅极连接所述第五扫描信号端S5，所述第九晶体管T9的第一极连接所述驱动单元12的输出端d3，所述第九晶体管T9的第二极连接所述发光二极管OLED的第一极，所述发光二极管OLED的第二极连接第二电平端V2；其中T9在S5的控制下导通或截止，并当T9导通时驱动单元12的输出端d3输出电流至发光二极管OLED； 
或者， 
参照图2所示，所述显示单元14包括：并联的第九晶体管T9和发光二极管OLED；所述第九晶体管T9的栅极连接所述第五扫描信号端S5，所述第九晶体管T9的第一极连接所述驱动单元12的输出端d3，所述第九晶体管T9的第二极连接第二电平端V2；所述发光二极管OLED的第一极连接所述驱动单元12的输出端d3，所述发光二极管OLED的第二极连接第二电平端V2。其中T9在S5的控制下导通或截止，并当T9导通时将发光二极管OLED的两极短路并将驱动单元12的输出端d3接第二信号端V2的信号；并当T9截止时，驱动单元12的输出端d3输出电流至发光二极管OLED。 
参照图4所示的信号时序状态示意图，以下对图2对应的触控电路的工作原理进行说明，其中在图2中以所有开关晶体管均为高电平导通的N型晶体管为例进行说明，当然在图2和图3中由于T9的连接方式不相同，因此T9的晶体管类型也不相同，可选的，所述第一扫描信号端S1、第三扫描信号端S3和第五扫描信号端S5连接第一扫描线Scan1，以输入相同的时序信号；所述第二扫描信号端S2、第四扫描信号端S4连接第二扫描线Scan2，以输入相同的时序信号，以上将不同的扫描信号端连接同一条扫描线能够进一步提高开口率降低成本；其中图4中包含第一扫描线Scan1和第二扫描线Scan2及数据线Data上的信号时序状态，其中第一电平端V1提供高电平Vdd，第二电平端V2接地提供Vss；如图4所示提供四个时序阶段，包括：w1、w2、w3、w4； 
在w1阶段，Scan1和Scan2及Data均为高电平，T1与T3导 通，将存储电容C1与T2重置恢复初始状态，这里T2用作光感传感器，在w1阶段为下一阶段光感传感器工作做准备。此外此时T4～T7及T9打开，此过程C2两端将a、b点进行重置，电势都为Vdd。 
在w2阶段，Scan1提供高电平，Scan2和Data提供低电平，T1导通、T3截止，T1输出数据线耦合电压Vdata至T2的栅极，T2经过自身电势转换在漏极和栅极间形成电位差储存于C1，当有光照射至T2时，对C1的充电电流增加。同时，时序图过程w2中，此时T6、T7、T9导通，T4和T5截止，电容C1的第一极a点放电，通过线路T5→D2→T9对a点进行放电，一直将a点放电到Vth为止(Vth为D2的阈值电压)，该过程中，由于b点接数据线Data因此电压为Vdata，所以当充电完毕以后，a点和b点的电位压差会一直维持在Vth–Vdata，另外由于T9的导通使得电流不会通过OLED，间接降低了OLED的损耗。 
在w3阶段，Scan1和Scan2提供低电平，Data提供高电平，所有晶体管均截止，为下一阶段作准备。C1两端a与b两点电势差维持Vth–Vdata，为下一发光阶段作准备。 
在w4阶段，Scan1提供低电平，Scan2提供高电平，此时T1截止，T3导通，将之前储存在C1的电流释放出来，将此信号传送到T3连接的信号检测线RL，通过放大器将RL上的信号放大后给处理器进行数据计算分析；如此期间发生触控动作，将触控前后光电信号强度变化差值与无触控阈值进行比较，依此判断是否有触摸(光照射强度变化)，至此，X方向坐标是由此时Scan1输出点确定，Y方向坐标就由RL确定。此外，时序w4阶段为像素正式发光阶段，此时T4、T5导通。b点电势从Vdata变为Vdd，由于a端浮接，Va和Vb实现电压等量跳变(保持原来的压差，原来的压差为Vth–Vdata)，所以a点的电势Va＝Vdd+Vth-Vdata，此过程为瞬态过程，等压跳变瞬间进行完毕，与此同时进入发光阶段。 
由TFT饱和电流公式可以得到流入OLED的电流IOLED： 
IOLED＝K(VGS-Vth)2
＝K[(Vdd+Vth-Vdata)-Voled-Vth]2
＝K[Vdd-Vdata-Voled]2
其中，Voled为OLED的阳极电势，Vth为D2的阈值电压，VGS为D2栅极和源极之间的电压，μ、Cox为工艺常数，W为TFT沟道宽度，L为薄膜晶体管的沟道长度，W、L都为可选择性设计的常数。 
由上式中可以看到工作电流IOLED已经不受Vth的影响，只与Vdata有关。彻底解决了驱动TFT由于工艺制程及长时间的操作造成阈值电压(Vth)漂移的问题，消除其对IOLED的影响，保证OLED的正常工作。 
当然在采用图3所示的电路时，与图2所示的电路区别为在图2和图3中由于T9的连接方式不相同，因此T9的晶体管类型也不相同，图5提供了图3所示电路的时序信号状态图，此时第五扫描信号端S5连接第三扫描线Scan3，其中由于Scan1、Scan2与Data的时序信号与图4相同，因此除T9之外其他器件在各个时序的状态与上述论述的功能及状态均相同；而T9在w1-w4四个阶段均处于导通状态，其中由于w1-w3阶段D2不输出驱动电流，因此T9在w1-w3阶段仅仅为D2的阈值补偿提供通路，OLED在w1-w3不显示灰阶，在w4阶段D2向OLED输出驱动电流时OLED显示灰阶，图3对应电路的其他器件的功能这里不再赘述。 
本发明的实施例提供的触控显示电路，包括光感触控单元、驱动单元、阈值补偿单元和显示单元，将光感In cell touch技术高效整合于AMOLED显示器中，同时流经发光单元的工作电流不受对应的驱动单元的阈值电压的影响，彻底解决了由于驱动单元的阈值电压漂移导致显示亮度不均的问题。 
实施例2： 
参照图6所示，所述光感触控单元11包括：第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3和第一电容C1； 
其中，所述第一晶体管T1的栅极连接所述第一扫描信号端S1、所述第一晶体管T1的第一极连接所述数据线；其中S1的信号用于控制T1导通或截止，当T1导通时能够将数据线的信号输出至T1的第二极； 
所述第二晶体管T2的栅极连接所述第二晶体管T2的第一极，所述第二晶体管T2的第一极连接所述第一晶体管T1的第二极；其中T2用于在栅极信号的控制下将第一极输入的数据线的信号输出至第二极； 
所述第一电容C1的第一极连接所述第二晶体管T2的栅极，所述第一电容C1的第二极连接所述第二晶体管T2的第二极；其中C1用于存储T2的第二极和栅极之间的电势差； 
所述第三晶体管T3的第一极连接所述第二晶体管T2的第二极，所述第三晶体管T3的栅极连接所述第二扫描信号端S2，所述第三晶体管T3的第二极连接所述信号检测线RL；其中T3用于在S2的控制下导通或截止，当T3导通时能够将T3第一极接收的信号通过第二极输出至RL； 
其中所述第二晶体管T2为感光晶体管，当T2的接收光强发生变化时，T2可以将光强的变化转换为第二极和栅极之间的电势差的改变量，并存储于C1。 
所述驱动单元12为薄膜场效应晶体管，所述驱动单元的输入端为薄膜场效应晶体管的源极，所述驱动单元的控制端为薄膜场效应晶体管的栅极，所述驱动单元的输出端为薄膜场效应晶体管的漏极；驱动单元12用于在控制端和输入端的控制下在输出端输出驱动电流，所述驱动单元12在图6中标记为D2。 
所述阈值补偿单元13还连接所述驱动单元12的输出端d3和第六扫描信号端S6；具体用于在所述第三扫描线信号端S3、第四扫描线信号端S4、第六扫描信号端S6和数据线Data的信号控制下向所述驱动单元12的控制端D2输出控制电压、向所述驱动单元12的输入端d2输出工作电压，并在所述控制电压中补偿所述驱动单元的阈值电压； 
所述阈值补偿单元13包括：第四晶体管T4、第五晶体管T5、第六晶体管T6、第七晶体管T7和第二电容； 
所述第四晶体管T4的栅极连接所述第六扫描信号端S6，所述第四晶体管T4的第一极连接第一电平端V1，所述第四晶体管T4的第二极连接所述驱动单元12的输入端d2；用于在S6的信号控制下导 通或截止，并当T4导通时，将V1的电平写入驱动单元12的输入端d2； 
所述第二电容C2的第一极a连接所述第一电平端V1，所述第二电容C2的第二极b连接所述驱动单元12的控制端D2，用于存储V1端和驱动单元12的控制端D2间的电势差； 
所述第五晶体管T5的栅极连接所述第四扫描信号端S4，所述第五晶体管T5的第一极连接所述第二电容C2的第二极b，所述第五晶体管T5的第二极连接所述驱动单元12的输入端d2；用于在S4的控制下导通或截止，并当T5导通时将驱动单元12的输入端d2的电势写入第二电容C2的第二极b； 
所述第六晶体管T6的栅极连接所述第三扫描信号端S3，所述第六晶体管T6的第一极连接第三电平端V3，所述第六晶体管T6的第二极连接所述第二电容C2的第二极b；用于在S3的控制下导通或截止，并当T6导通时通过第三电平端V3的信号重置第二电容C2的第二极b的电势； 
所述第七晶体管T7的栅极连接所述第四扫描信号端S4，所述第七晶体管T7的第一极连接所述数据线Data，所述第七晶体管T7的第二极连接所述驱动单元12的输出端d3；用于在S4的控制下导通或截止，并当T7导通时将数据线Data的信号输入驱动单元12的输出端d3。 
所述显示单元14包括：串联的第九晶体管T9和发光二极管OLED； 
参照图6所示，所述第九晶体管T9的栅极连接所述第五扫描信号端S5，所述第九晶体管T9的第一极连接所述驱动单元12的输出端d3，所述第九晶体管T9的第二极连接所述发光二极管OLED的第一极，所述发光二极管OLED的第二极连接第二电平端V2；其中T9在S5的控制下导通或截止，并当T9导通时驱动单元12的输出端d3输出电流至发光二极管OLED。 
参照图7所示的信号时序状态示意图，以下对图6对应的触控电路的工作原理进行说明，其中在图6中以开关晶体管T1、T3、T4-T7及T9均为P型晶体管、T2为N型晶体管为例进行说明。可选的， 所述第一扫描信号端S1和第三扫描信号端S3连接第一扫描线Scan1，以输入相同的时序信号；所述第二扫描信号端S2和所述第四扫描信号端S4连接第二扫描线Scan2，以输入相同的时序信号；所述第五扫描信号端S5和所述第六扫描信号端S6连接第三扫描线Scan3，以输入相同的时序信号，以上将不同的扫描信号端连接同一条扫描线能够进一步提高开口率降低成本；其中图7中包含第一扫描线Scan1、第二扫描线Scan2、第三扫描线Scan3及数据线Data上的信号时序状态，其中第一电平端V1提供高电平Vdd，第二电平端V2接地提供Vss；第三电平端V3为一个低电平Vint，其中第三电平端V3可以采用接地的方式，如图7所示提供三个时序阶段，包括：w1、w2、w3； 
在W1阶段，Scan1、Data提供低电平，Scan2和Scan3提供高电平，T1导通，将存储电容C1与T2重置恢复初始状态，这里T2用作光感传感器，在w1阶段为下一阶段光感传感器工作做准备，T3截止。T6导通，T4、T5、T7、T9截止，此过程将b点重置接第三电平端的低电平，电势为Vint，这里也可以接地，将之前的电压信号进行重置。 
在W2阶段，Scan1、Scan3和Data提供高电平，Scan2提供低电平，T1截止、T3导通，当有光照射至T2时，对C1的充电电流增加。同时，由于T3导通将此信号传送到信号检测线RL，放大后的信号给处理器进行数据计算分析；如此期间发生触控动作，T3将触控前后光电信号强度变化差值与无触控阈值进行比较，依此判断是否有触摸(光照射强度变化)，至此，X方向坐标是由此时Scan1输出点确定，Y方向坐标就由RL确定。同时在时序图过程w2中，此时T5、T7导通，T4、T6、T9截止，由于之前b点接低电位Vint，所以D2打开，Data上的数据信号Vdata通过传输路径T7→D2→T5开始对b点进行充电，一直将b点充电到Vdata–Vth为止(满足D2栅源两极之间的压差为Vth，其中Vth为D2的阈值电压)，该过程中，由于a点接地电位始终为Vdd，所以当充电完毕以后，b点的电位会一直维持在Vdata–Vth，另外由于T9的关闭使得电流不会通过OLED，间接降低了OLED的寿命损耗。 
在W3阶段，Scan1、Scan2和Data提供低电平，Scan3提供高 电平，此阶段T1、T3都截止；同时W3阶段为像素正式发光阶段，此时的发光阶段D2的输入端d2(源极)的电势接入Vdd，电流通过T4→D2→T9使得OLED开始发光。 
由TFT饱和电流公式可以得到流入OLED的电流IOLED： 
IOLED＝K(VGS-Vth)2
＝K[Vdd-(Vdata-Vth)-Vth]2
＝K[Vdd-Vdata]2
其中，Vth为D2的阈值电压，VGS为D2栅极和源极之间的电压，μ、Cox为工艺常数，W为TFT沟道宽度，L为薄膜晶体管的沟道长度，W、L都为可选择性设计的常数。 
由上式中可以看到工作电流IOLED已经不受Vth的影响，只与Vdata有关。彻底解决了驱动TFT由于工艺制程及长时间的操作造成阈值电压(Vth)漂移的问题，消除其对IOLED的影响，保证OLED的正常工作。 
本发明的实施例提供的触控显示电路，包括光感触控单元、驱动单元、阈值补偿单元和显示单元，将光感In cell touch技术高效整合于AMOLED显示器中，同时流经发光单元的工作电流不受对应的驱动单元的阈值电压的影响，彻底解决了由于驱动单元的阈值电压漂移导致显示亮度不均的问题。 
实施例3： 
参照图8所示，所述光感触控单元11还连接第六扫描信号端S6； 
所述光感触控单元11包括：第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4和第一电容C1； 
其中，所述第一晶体管T1的栅极连接所述第一扫描信号端S1、所述第一晶体管T1的第一极连接所述数据线Data；其中S1的信号用于控制T1导通或截止，当T1导通时能够将数据线的信号输出至T1的第二极； 
所述第二晶体管T2的栅极连接所述第二晶体管T2的第一极，所述第二晶体管T2的第一极连接所述第一晶体管T1的第二极；其 中T2用于在栅极信号的控制下将第一极输入的数据线的信号输出至第二极； 
所述第一电容C1的第一极连接所述第二晶体管T2的栅极，所述第一电容C1的第二极连接所述第二晶体管T2的第二极；其中C1用于存储T2的第二极和栅极之间的电势差； 
所述第三晶体管T3的第一极连接所述第二晶体管T2的第二极，所述第三晶体管T3的栅极连接所述第二扫描信号端S2，所述第三晶体管T3的第二极连接所述信号检测线RL；其中T3用于在S2的控制下导通或截止，当T3导通时能够将第一极接收的信号通过第二极输出至RL； 
所述第四晶体管T4的栅极连接第六扫描信号端S6，所述第四晶体管T4的第一极连接所述第一晶体管T1的第二极，所述第四晶体管T4的第二极连接第三电平端V3；其中T4用于在S6的控制下导通或截止，当T4导通时能够通过第三电平端V3的信号重置第一晶体管T1的第二极的电势； 
其中所述第二晶体管T2为感光晶体管，当T2的接收光强发生变化时，T2可以将光强的变化转换为第二极和栅极之间的电势差的改变量，并存储于C1。 
所述驱动单元12为薄膜场效应晶体管，所述驱动单元12的输入端d2为薄膜场效应晶体管的源极，所述驱动单元12的控制端d1为薄膜场效应晶体管的栅极，所述驱动单元12的输出端d3为薄膜场效应晶体管的漏极，驱动单元12在图8中标记为D2；驱动单元12用于在控制端和输入端的控制下在输出端输出驱动电流。 
所述阈值补偿单元13还连接所述驱动单元12的输出端d3和第七扫描信号端S7；具体用于在所述第三扫描线信号端S3、第四扫描线信号端S4、第七扫描信号端S7和数据线Data的信号控制下向所述驱动单元12的控制端d1输出控制电压、向所述驱动单元12的输入端d2输出工作电压，并在所述控制电压中补偿所述驱动单元的阈值电压； 
所述阈值补偿单元13包括：第五晶体管T5、第六晶体管T6、第七晶体管T7、第八晶体管T8和第二电容C2； 
所述第五晶体管T5的栅极连接所述第四扫描信号端S4，所述第五晶体管T5的第一极连接第一电平端V1，第五晶体管V5的第二极连接所述驱动单元12的输入端d2；用于在S4的信号控制下导通或截止，并当T5导通时，将V1的电平写入驱动单元12的输入端d2； 
所述第六晶体管T6的栅极连接第三扫描信号端S3，所述第六晶体管T6的第一极连接所述数据线Data，所述第六晶体管S6的第二极连接所述驱动单元12的输入端d2；用于在S3的信号控制下导通或截止，并当T6导通时，将数据线Data的信号写入驱动单元12的输入端d2； 
所述第七晶体管T7的栅极连接第七扫描信号端S7，所述第七晶体管T7的第一极连接所述第三电平端V3，所述第七晶体管T7的第二极连接所述驱动单元12的控制端d1；用于在S7的信号控制下导通或截止，并当T7导通时，通过第三电平端V3的电平重置电容C2的第一极a的电势； 
所述第八晶体管T8的栅极连接所述第三扫描信号端S3，所述第八晶体管T8的第一极连接所述驱动单元12的输出端d3，所述第八晶体管T8的第二极连接所述驱动单元12的控制端d1；用于在S3的信号控制下导通或截止，并当T8导通时，将驱动单元12的输出端d3的信号写入电容C2的第一极a； 
所述第二电容C2的第一极a连接所述驱动单元12的控制端d1，所述第二电容C2的第二极b连接所述第三电平端V3；用于存储所述驱动单元12的控制端d1和所述第三电平端V3之间的电势差。 
所述显示单元14包括：串联的第九晶体管T9和发光二极管OLED；参照图8所示，所述第九晶体管T9的栅极连接所述第五扫描信号端S5，所述第九晶体管T9的第一极连接所述驱动单元12的输出端d3，所述第九晶体管T9的第二极连接所述发光二极管OLED的第一极，所述发光二极管OLED的第二极连接第二电平端V2；所述发光二极管OLED的第一极连接所述驱动单元12的输出端d3，所述发光二极管OLED的第二极连接第二电平端V2。其中T9在S5的控制下导通或截止，并当T9导通时驱动单元12的输出端d3输出电流至发光二极管OLED。 
参照图9所示的信号时序状态示意图，以下对图8对应的触控电路的工作原理进行说明，其中在图8中以开关晶体管T1、T3-T9均为P型晶体管、T2为N型晶体管为例进行说明。可选的，所述第一扫描信号端S1和第三扫描信号端S3连接第一扫描线Scan1，以输入相同的时序信号；第二扫描信号端S2、第四扫描信号端S4和第五扫描信号端S5连接第二扫描线Scan2，以输入相同的时序信号；第六扫描信号端S6和第七扫描信号端S7连接第三扫描线Scan3，以输入相同的时序信号，以上将不同的扫描信号端连接同一条扫描线能够进一步提高开口率降低成本；其中图9中包含第一扫描线Scan1、第二扫描线Scan2、第三扫描线Scan3及数据线Data上的信号时序状态，其中第一电平端V1提供高电平Vdd，第二电平端V2接地提供Vss；第三电平端V3为一个低电平Vint，其中第三电平端V3可以采用接地的方式，如图9所示提供三个时序阶段，包括：w1、w2、w3； 
在W1阶段，Scan3、Data提供低电平，Scan1、Scan2提供高电平，T4导通接入第三电平端V3的低电平Vint，将存储电容C1与T2重置恢复初始状态，这里T2用作光感传感器，在w1阶段为下一阶段光感传感器工作做准备，T1、T3截止。此外T7导通，T4、T5、T6、T8、T9截止，此过程将a、b点重置接第三电平端的低电平，电势为Vint，这里也可以接地，将之前的电压信号进行重置。 
在W2阶段，Scan2、Scan3和Data提供高电平，Scan1提供低电平，T1导通、T3、T4截止，T1输出数据线耦合电压Vdata至T2的栅极，T2经过自身电势转换在漏极和栅极间形成电位差储存于C1，当有光照射至T2时，对C1的充电电流增加。同时在时序图过程w2中，此时T6、T8导通，T5、T7、T9截止，Data上的数据信号Vdata通过传输路径T6→D2→T8开始对a点进行充电，一直将a点充电到Vdata–Vth为止(满足D2栅源两极之间的压差为Vth，其中Vth为D2的阈值电压)，该过程中，由于b点接地电位始终为0，所以当充电完毕以后，a点的电位会一直维持在Vdata–Vth，另外由于T9的关闭使得电流不会通过OLED，间接降低了OLED的寿命损耗。 
在W3阶段，Scan1、Scan3提供高电平，Scan2和Data提供低电平，此阶段T1、T4都截止，T3导通；由于T3导通将前一个阶段C1存储的信号传送到信号检测线RL，通过放大器将RL上的信号放 大后给处理器进行数据计算分析；如此期间发生触控动作，将触控前后光电信号强度变化差值与无触控阈值进行比较，依此判断是否有触摸(光照射强度变化)，至此，X方向坐标是由此时Scan1输出点确定，Y方向坐标就由RL确定。 
同时W3阶段为像素正式发光阶段，此时T5、T9导通，T6、T7、T8截止，a点电势保持在Vdata–Vth，D2的输入端d2(源极)的电势接入Vdd，电流通过T5→D2→T9使得OLED开始发光。 
由TFT饱和电流公式可以得到流入OLED的电流IOLED： 
IOLED＝K(VGS-Vth)2
＝K[Vdd-(Vdata-Vth)-Vth]2
＝K[Vdd-Vdata]2
其中，Vth为D2的阈值电压，VGS为D2栅极和源极之间的电压，μ、Cox为工艺常数，W为TFT沟道宽度，L为薄膜晶体管的沟道长度，W、L都为可选择性设计的常数。 
由上式中可以看到工作电流IOLED已经不受Vth的影响，只与Vdata有关。彻底解决了驱动TFT由于工艺制程及长时间的操作造成阈值电压(Vth)漂移的问题，消除其对IOLED的影响，保证OLED的正常工作。 
本发明的实施例提供的触控显示电路，包括光感触控单元、驱动单元、阈值补偿单元和显示单元，将光感In cell touch技术高效整合于AMOLED显示器中，同时流经发光单元的工作电流不受对应的驱动单元的阈值电压的影响，彻底解决了由于驱动单元的阈值电压漂移导致显示亮度不均的问题。 
实施例4： 
参照图10所示，所述光感触控单元11还连接第六扫描信号端S6。 
所述光感触控单元11包括：第一晶体管T1、第二晶体管T2、第三晶体管T3、第四晶体管T4和第一电容C1； 
其中，所述第一晶体管T1的栅极连接所述第一扫描信号端S1、 所述第一晶体管T1的第一极连接所述数据线Data；其中S1的信号用于控制T1导通或截止，当T1导通时能够将数据线的信号输出至T1的第二极； 
所述第二晶体管T2的栅极连接所述第二晶体管T2的第一极，所述第二晶体管T2的第一极连接所述第一晶体管T1的第二极；其中T2用于在栅极信号的控制下将第一极输入的数据线的信号输出至第二极； 
所述第一电容C1的第一极连接所述第二晶体管T2的栅极，所述第一电容C1的第二极连接所述第二晶体管T2的第二极；其中C1用于存储T2的第二极和栅极之间的电势差； 
所述第三晶体管T3的第一极连接所述第二晶体管T2的第二极，所述第三晶体管T3的栅极连接所述第二扫描信号端S2，所述第三晶体管T3的第二极连接所述信号检测线RL；其中T3用于在S2的控制下导通或截止，当T3导通时能够将第一极接收的信号通过第二极输出至RL； 
所述第四晶体管T4的栅极连接第六扫描信号端S6，所述第四晶体管T4的第一极连接所述第一晶体管T1的第二极，所述第四晶体管T4的第二极连接第三电平端V3；其中T4用于在S6的控制下导通或截止，当T4导通时能够通过第三电平端V3的信号重置第一晶体管T1的第二极的电势； 
其中所述第二晶体管T2为感光晶体管，当T2的接收光强发生变化时，T2可以将光强的变化转换为第二极和栅极之间的电势差的改变量，并存储于C1。 
所述驱动单元12为薄膜场效应晶体管，所述驱动单元12的输入端d2为薄膜场效应晶体管的源极，所述驱动单元12的控制端d1为薄膜场效应晶体管的栅极，所述驱动单元12的输出端d3为薄膜场效应晶体管的漏极，驱动单元12在图10中标记为D2；驱动单元12用于在控制端和输入端的控制下在输出端输出驱动电流。 
所述阈值补偿单元13包括：第五晶体管T5、第六晶体管T6、第一驱动晶体管D1和第二电容C2； 
所述第五晶体管T5的栅极连接所述第三扫描信号端S3，所述第五晶体管T5的第一极连接所述数据线Data；用于在S3的信号控制下导通或截止，并当T5导通时，将数据线Data的信号输出至T5的第二极； 
所述第六晶体管T6的栅极连接所述第四扫描信号端S4，所述第六晶体管T6的第一极连接所述驱动单元12的控制端d1，所述第六晶体管T6的第二极连接第三电平端V3；用于在S4的信号控制下导通或截止，并当T6导通时，通过第三电平端V3的电平重置第二电容C2的第一极a的电势； 
所述第一驱动晶体管D1的控制端连接所述驱动单元12的控制端d1，所述第一驱动晶体管D1的输入端连接所述第五晶体管T5的第二极，所述第一驱动晶体管D1的输出端连接所述驱动单元12的控制端d1；D1用于在所述驱动单元12的控制端d1和第五晶体管T5的第二极的信号控制下将D1的输出端信号写入第二电容C2的第一极a。 
所述第二电容C2的第一极a连接所述驱动单元12的控制端a1，所述第二电容C2的第二极b连接第一电平端V1和所述驱动单元12的输入端d2，C2用于存储第一电平端V1和驱动单元12的输入端d2间的电势差。 
所述显示单元14包括：第九晶体管T9和发光二极管OLED； 
参照图10所示，所述第九晶体管T9的栅极连接所述第五扫描信号端S5，所述第九晶体管T9的第一极连接所述驱动单元12的输出端d3，所述第九晶体管T9的第二极连接所述发光二极管OLED的第一极，所述发光二极管OLED的第二极连接第二电平端V2；所述发光二极管OLED的第一极连接所述驱动单元12的输出端d3，所述发光二极管OLED的第二极连接第二电平端V2；其中T9在S5的控制下导通或截止，并当T9导通时驱动单元12的输出端d3输出电流至发光二极管OLED。 
参照图11所示的信号时序状态示意图，以下对图10对应的触控电路的工作原理进行说明，其中在图10中以开关晶体管T1、T3-T6均为P型晶体管、T2为N型晶体管为例进行说明。可选的，所述第 一扫描信号端S1和第三扫描信号端S3连接第一扫描线Scan1，以输入相同的时序信号；第二扫描信号端S2和第五扫描信号端S5连接第二扫描线Scan2，以输入相同的时序信号；第四扫描信号端S4和第六扫描信号端S6连接第三扫描线Scan3，以输入相同的时序信号，以上将不同的扫描信号端连接同一条扫描线能够进一步提高开口率降低成本；其中图11中包含第一扫描线Scan1、第二扫描线Scan2、第三扫描线Scan3及数据线Data上的信号时序状态，其中第一电平端V1提供高电平Vdd，第二电平端V2接地提供Vss；第三电平端V3为一个低电平Vint，其中第三电平端V3可以采用接地的方式，提供三个时序阶段，包括：w1、w2、w3； 
在W1阶段，Scan1、Scan2和Data提供高电平，Scan3提供低电平，T4导通接入第三电平端V3的低电平Vint，将存储电容C1与T2重置恢复初始状态，这里T2用作光感传感器，在w1阶段为下一阶段光感传感器工作做准备，T1、T3截止。此外T6导通，T5、T9截止，此过程将a点重置接第三电平端的低电平，电势为Vint，这里也可以接地，将之前的电压信号进行重置。 
在W2阶段，Scan2、Scan3和Data提供高电平，Scan1提供低电平，T1导通、T3、T4截止，T1输出数据线耦合电压Vdata至T2的栅极，T2经过自身电势转换在漏极和栅极间形成电位差储存于C1，当有光照射至T2时，对C1的充电电流增加。同时在时序图过程w2中，此时T5、D1(栅极电势为低电压Vint,满足驱动TFT导通条件)导通，T6、T9截止，Data上的数据信号Vdata通过传输路径T5→D1→C1开始对a点进行充电，一直将a点充电到Vdata–Vth1为止(满足D1栅源两极之间的压差为Vth1，其中Vth1为D1的阈值电压)，另外由于T9的关闭使得电流不会通过OLED，间接降低了OLED的寿命损耗。 
在W3阶段，Scan1、Scan3提供高电平，Scan2和Data提供低电平，此阶段T1、T4都截止，T3导通；由于T3导通将前一个阶段C1存储的信号传送到信号检测线RL，通过放大器将RL上的信号放大后给处理器进行数据计算分析；如此期间发生触控动作，将触控前后光电信号强度变化差值与无触控阈值进行比较，依此判断是否有触摸(光照射强度变化)，至此，X方向坐标是由此时Scan1输出点确 定，Y方向坐标就由RL确定。 
同时W3阶段为像素正式发光阶段，此时T9导通，T5、T6截止，a点电势保持在Vdata–Vth，D2的输入端d2(源极)的电势接入Vdd，电流通过D2→T9使得OLED开始发光。 
由TFT饱和电流公式可以得到流入OLED的电流IOLED： 
IOLED＝K(VGS-Vth)2
＝K[Vdd-(Vdata-Vth1)-Vth2]2
＝K[Vdd-Vdata]2
其中，公式中Vth1与Vth2分别是D1与D2的阈值电压，根据镜像电路原理，认为Vth1与Vth2近似相等，即Vth1＝Vth2。VGS为D2栅极和源极之间的电压，μ、Cox为工艺常数，W为TFT沟道宽度，L为薄膜晶体管的沟道长度，W、L都为可选择性设计的常数。 
由上式中可以看到工作电流IOLED已经不受Vth的影响，只与Vdata有关。彻底解决了驱动TFT由于工艺制程及长时间的操作造成阈值电压(Vth)漂移的问题，消除其对IOLED的影响，保证OLED的正常工作。 
本发明的实施例提供的触控显示电路，包括光感触控单元、驱动单元、阈值补偿单元和显示单元，将光感In cell touch技术高效整合于AMOLED显示器中，同时流经发光单元的工作电流不受对应的驱动单元的阈值电压的影响，彻底解决了由于驱动单元的阈值电压漂移导致显示亮度不均的问题。 
本发明的实施例提供一种显示装置，该显示装置包括上述的触控显示电路。 
其中，包含本发明实施例提供的触控显示电路的像素单元在显示装置上的分布密度根据该阵列基板能够提供的像素大小、对触控精度的要求可以任意设置，当对触控精度要求高时相应的增加设置的密度，当然这样会对影响到面板的整体透过率，如图12所示，本发明的实施例提供显示装置的像素分布，包含本发明的实施例提供的触控显示电路的像素单元为3×3分布，即在显示装置上按横向或纵向每三个像素单元中有一个包含有本发明的实施例所提供的触控显示电路， 如图12中，P1、P2、P3和P4为包含本发明的实施例提供的触控显示电路的像素单元。 
另外，显示装置可以为：电子纸、手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框、导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。 
本发明实施例提供的显示装置，其采用的触控显示电路包括光感触控单元、驱动单元、阈值补偿单元和显示单元，将光感In cell touch技术高效整合于AMOLED显示器中，同时流经发光单元的工作电流不受对应的驱动单元的阈值电压的影响，彻底解决了由于驱动单元的阈值电压漂移导致显示亮度不均的问题。 
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。 

Claims (16)

1.一种触控显示电路，其特征在于，包括光感触控单元、驱动单元、阈值补偿单元和显示单元；
其中所述光感触控单元连接第一扫描信号端、第二扫描信号端、信号检测线及数据线；用于在第一扫描信号端输入第一检测信号时，在第二扫描信号端的控制下，根据触控位置的光强和所述数据线的数据信号生成第二检测信号，并在所述信号检测线输出所述第二检测信号；
所述阈值补偿单元连接第三扫描线信号端、第四扫描线信号端、所述数据线及所述驱动单元的控制端和输入端，用于在所述第三扫描线信号端、第四扫描线信号端和数据线的控制下向所述驱动单元的控制端输出控制电压、向所述驱动单元的输入端输出工作电压，并在所述控制电压中补偿所述驱动单元的阈值电压；
所述驱动单元的控制端和输入端连接所述阈值补偿单元，用于在所述控制电压和工作电压的控制下通过输出端向所述显示单元输出驱动电流；
所述显示单元连接第五扫描信号端和所述驱动单元的输出端，用于在所述第五扫描信号端的控制下，通过所述驱动电流驱动发光。
2.根据权利要求1所述的触控显示电路，其特征在于，所述光感触控单元包括：第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管和第一电容；
其中，所述第一晶体管的栅极连接所述第一扫描信号端、所述第一晶体管的第一极连接所述数据线；
所述第二晶体管的栅极连接所述第二晶体管的第一极，所述第二晶体管的第一极连接所述第一晶体管的第二极；
所述第一电容的第一极连接所述第二晶体管的栅极，所述第一电容的第二极连接所述第二晶体管的第二极；
所述第三晶体管的第一极连接所述第二晶体管的第二极，所述第三晶体管的栅极连接所述第二扫描信号端，所述第三晶体管的第二极连接所述信号检测线；
其中所述第二晶体管为感光晶体管。
3.根据权利要求2所述的触控显示电路，其特征在于，所述阈值补偿单元包括：第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管和第二电容；
所述第四晶体管的栅极连接第四扫描信号端，所述第四晶体管的第一极连接第一电平端，所述第四晶体管的第二极连接所述第二电容的第二极；
所述第五晶体管的栅极连接所述第四扫描信号端，所述第五晶体管的第一极连接所述第一电平端，所述第五晶体管的第二极连接所述驱动单元的输入端；
所述第六晶体管的栅极连接所述第三扫描信号端，所述第六晶体管的第一极连接所述第二电容的第一极，所述第六晶体管的第二极连接所述驱动单元的输入端；
所述第七晶体管的栅极连接所述第三扫描信号端，所述第七晶体管的第一极连接所述数据线，所述第七晶体管的第二极连接所述第二电容的第二极；
所述第二电容的第一极连接所述驱动单元的控制端。
4.根据权利要求3所述的触控显示电路，其特征在于，
所述显示单元包括：串联的第九晶体管和发光二极管；
所述第九晶体管的栅极连接所述第五扫描信号端，所述第九晶体管的第一极连接所述驱动单元的输出端，所述第九晶体管的第二极连接所述发光二极管的第一极，所述发光二极管的第二极连接第二电平端；
或者，
所述显示单元包括：并联的第九晶体管和发光二极管；
所述第九晶体管的栅极连接所述第五扫描信号端，所述第九晶体管的第一极连接所述驱动单元的输出端，所述第九晶体管的第二极连接第二电平端；
所述发光二极管的第一极连接所述驱动单元的输出端，所述发光二极管的第二极连接第二电平端。
5.根据权利要求4所述的触控显示电路，其特征在于，当所述第九晶体管和发光二极管并联时；
所述第一扫描信号端、第三扫描信号端和第五扫描信号端连接第一扫描线；
所述第二扫描信号端、第四扫描信号端连接第二扫描线。
6.根据权利要求4所述的触控显示电路，其特征在于，当所述第九晶体管和发光二极管串联时；
所述第一扫描信号端和第三扫描信号端连接第一扫描线；
所述第二扫描信号端、第四扫描信号端连接第二扫描线；
所述第五扫描信号端连接第三扫描线。
7.根据权利要求2所述的触控显示电路，其特征在于，所述阈值补偿单元还连接所述驱动单元的输出端和第六扫描信号端；具体用于在所述第三扫描线信号端、第四扫描线信号端、第六扫描信号端和数据线的控制下向所述驱动单元的控制端输出控制电压、向所述驱动单元的输入端输出工作电压，并在所述控制电压中补偿所述驱动单元的阈值电压；
所述阈值补偿单元包括：第四晶体管、第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管和第二电容；
所述第四晶体管的栅极连接所述第六扫描信号端，所述第四晶体管的第一极连接第一电平端，所述第四晶体管的第二极连接所述驱动单元的输入端；
所述第二电容的第一极连接所述第一电平端，所述第二电容的第二极连接所述驱动单元的控制端；
所述第五晶体管的栅极连接所述第四扫描信号端，所述第五晶体管的第一极连接所述第二电容的第二极，所述第五晶体管的第二极连接所述驱动单元的输入端；
所述第六晶体管的栅极连接所述第三扫描信号端，所述第六晶体管的第一极连接第三电平端，所述第六晶体管的第二极连接所述第二电容的第二极；
所述第七晶体管的栅极连接所述第四扫描信号端，所述第七晶体管的第一极连接所述数据线，所述第七晶体管的第二极连接所述驱动单元的输出端。
8.根据权利要求7所述的触控显示电路，其特征在于，所述第一扫描信号端和第三扫描信号端连接第一扫描线；
所述第二扫描信号端和所述第四扫描信号端连接第二扫描线；
所述第五扫描信号端和所述第六扫描信号端连接第三扫描线。
9.根据权利要求1所述的触控显示电路，其特征在于，所述光感触控单元还连接第六扫描信号端；
所述光感触控单元包括：第一晶体管、第二晶体管、第三晶体管、第四晶体管和第一电容；
其中，所述第一晶体管的栅极连接所述第一扫描信号端、所述第一晶体管的第一极连接所述数据线；
所述第二晶体管的栅极连接所述第二晶体管的第一极，所述第二晶体管的第一极连接所述第一晶体管的第二极；
所述第一电容的第一极连接所述第二晶体管的栅极，所述第一电容的第二极连接所述第二晶体管的第二极；
所述第三晶体管的第一极连接所述第二晶体管的第二极，所述第三晶体管的栅极连接所述第二扫描信号端，所述第三晶体管的第二极连接所述信号检测线；
所述第四晶体管的栅极连接第六扫描信号端，所述第四晶体管的第一极连接所述第一晶体管的第二极，所述第四晶体管的第二极连接第三电平端；
其中所述第二晶体管为感光晶体管。
10.根据权利要求9所述的触控显示电路，其特征在于，所述阈值补偿单元还连接所述驱动单元的输出端和第七扫描信号端；具体用于在所述第三扫描线信号端、第四扫描线信号端、第七扫描信号端和数据线的控制下向所述驱动单元的控制端输出控制电压、向所述驱动单元的输入端输出工作电压，并在所述控制电压中补偿所述驱动单元的阈值电压；
所述阈值补偿单元包括：第五晶体管、第六晶体管、第七晶体管、第八晶体管和第二电容；
所述第五晶体管的栅极连接所述第四扫描信号端，所述第五晶体管的第一极连接第一电平端，第五晶体管的第二极连接所述驱动单元的输入端；
所述第六晶体管的栅极连接第三扫描信号端，所述第六晶体管的第一极连接所述数据线，所述第六晶体管的第二极连接所述驱动单元的输入端；
所述第七晶体管的栅极连接第七扫描信号端，所述第七晶体管的第一极连接所述第三电平端，所述第七晶体管的第二极连接所述驱动单元的控制端；
所述第八晶体管的栅极连接所述第三扫描信号端，所述第八晶体管的第一极连接所述驱动单元的输出端，所述第八晶体管的第二极连接所述驱动单元的控制端；
所述第二电容的第一极连接所述驱动单元的控制端，所述第二电容的第二极连接所述第三电平端。
11.根据权利要求10所述的触控显示电路，其特征在于，
所述第一扫描信号端和第三扫描信号端连接第一扫描线；
第二扫描信号端、第四扫描信号端和第五扫描信号端连接第二扫描线；
第六扫描信号端和第七扫描信号端连接第三扫描线。
12.根据权利要求9所述的触控显示电路，其特征在于，所述阈值补偿单元包括：第五晶体管、第六晶体管、第一驱动晶体管和第二电容；
所述第五晶体管的栅极连接所述第三扫描信号端，所述第五晶体管的第一极连接所述数据线；
所述第六晶体管的栅极连接所述第四扫描信号端，所述第六晶体管的第一极连接所述驱动单元的控制端，所述第六晶体管的第二极连接第三电平端；
所述第一驱动晶体管的控制端连接所述驱动单元的控制端，所述第一驱动晶体管的输入端连接所述第五晶体管的第二极，所述第一驱动晶体管的输出端连接所述驱动单元的控制端；
所述第二电容的第一极连接所述驱动单元的控制端，所述第二电容的第二极连接第一电平端和所述驱动单元的输入端。
13.根据权利要求12所述的触控显示电路，其特征在于，
所述第一扫描信号端和第三扫描信号端连接第一扫描线；
第二扫描信号端和第五扫描信号端连接第二扫描线；
第四扫描信号端和第六扫描信号端连接第三扫描线。
14.根据权利要求7-13任一项所述的触控显示电路，其特征在于，所述显示单元包括：串联的第九晶体管和发光二极管；
所述第九晶体管的栅极连接所述第五扫描信号端，所述第九晶体管的第一极连接所述驱动单元的输出端，所述第九晶体管的第二极连接所述发光二极管的第一极，所述发光二极管的第二极连接第二电平端。
15.根据权利要求1所述的触控显示电路，其特征在于，所述驱动单元为薄膜场效应晶体管，所述驱动单元的输入端为薄膜场效应晶体管的源极，所述驱动单元的控制端为薄膜场效应晶体管的栅极，所述驱动单元的输出端为薄膜场效应晶体管的漏极。
16.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求1-15任一项所述的触控显示电路。
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