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CN104157608A - Tft基板的制作方法及其结构 - Google Patents

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CN104157608A CN201410415799.0A CN201410415799A CN104157608A CN 104157608 A CN104157608 A CN 104157608A CN 201410415799 A CN201410415799 A CN 201410415799A CN 104157608 A CN104157608 A CN 104157608A
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Abstract

本发明提供一种TFT基板的制作方法及其结构。该方法包括如下步骤：1、在基板(1)上沉积第一金属层(2)；2、涂布第一光阻层(3)，进行灰阶曝光；3、移除部分第一金属层(2)，形成栅极(21)与源/漏极(23)；4、对第一光阻层(3)进行灰化处理；5、沉积绝缘层(4)；6、移除部分第一光阻层(3)及部分绝缘层(4)；7、形成氧化物半导体层(5)；8、沉积保护层(6)；9、涂布第二光阻层(7)，进行灰阶曝光；10、移除部分保护层(6)；11、对第二光阻层(7)进行灰化处理；12、沉积透明导电薄膜(8)；13、移除部分第二光阻层(7)与部分透明导电薄膜(8)；14、形成像素定义层(9)；15、形成光阻间隔物(10)。

Description

TFT基板的制作方法及其结构
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种TFT基板的制作方法及其结构。
背景技术
平板显示器件具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛的应用。现有的平板显示器件主要包括液晶显示器件(Liquid Crystal Display，LCD)及有机电致发光显示器件(Organic Light Emitting Display，OLED)。
基于有机发光二极管的OLED显示技术同成熟的TFT-LCD相比，OLED是主动发光的显示器，具有自发光、高对比度、宽视角(达170°)、快速响应、高发光效率、低操作电压(3～10V)、超轻薄(厚度小于2mm)等优势。利用OLED技术制作的显示器件，可具有更轻薄迷人的外观、更优异的彩色显示画质、更宽广的观看范围和更大的设计灵活性，更重要的是OLED的环境适应性要远远优越于液晶显示，可耐受的温度区间达到-40～85℃温度范围，并且OLED不含铅，不会对环境造成污染。因此基于OLED的显示器已经成为下一代显示技术的必然选择。
OLED按照驱动类型可分为PM-OLED(无源OLED)和AM-OLED(有源OLED)。
在AM-OLED显示器件生产中，制作二极管的驱动器件是其关键技术之一。氧化物半导体由于具有较高的电子迁移率，而且相比低温多晶硅(LTPS)，氧化物半导体制程简单，与非晶硅制程相容性较高，且与高世代生产线兼容而得到了广泛的应用。
现有的AM-OLED的TFT基板结构，一般包括基板、栅极、栅极绝缘层、氧化物半导体层、蚀刻阻挡层、源/漏极、保护层、平坦层、像素电极、像素定义层、光阻间隔物等。在其制作过程中，除基板外，每一层结构的形成均需要通过一道光刻制程，而每一道光刻制程包括成膜、黄光、蚀刻、剥离等制程工序，其中黄光制程又包括涂布光阻、曝光、显影，且每一道黄光制程需要制作一光罩，造成工序流程较长，制作工艺复杂，生产效率较低；所需的光罩数量较多，生产成本较高；同时工序越多，累积的良率问题也越凸显。
发明内容
本发明的目的在于提供一种TFT基板的制作方法，能够简化、缩短工艺流程，提高生产效率，减少光罩数量，降低生产成本，提升产品良率。
本发明的目的还在于提供一种TFT基板结构，其工艺流程较短，生产效率较高，生产成本较低。
为实现上述目的，本发明首先提供一种TFT基板的制作方法，包括如下步骤：
步骤1、提供一基板，在该基板上沉积第一金属层；
步骤2、在所述第一金属层上涂布第一光阻层，通过第一道光罩制程对该第一光阻层进行灰阶曝光，使该第一光阻层图案化，形成相互间隔的第一光阻区域、第二光阻区域、及第三光阻区域；
步骤3、通过蚀刻制程移除未被所述第一、第二、第三光阻区域覆盖的第一金属层，形成栅极与源/漏极；
步骤4、对所述第一、第二、第三光阻区域进行灰化处理，保留部分第一光阻区域，保留部分第二光阻区域；去除所述第三光阻区域；
所述部分第一光阻区域、部分第二光阻区域分别对应欲形成于绝缘层的第一、第二、与第三过孔；
步骤5、在所述基板、栅极、源/漏极、部分第一光阻区域与部分第二光阻区域上沉积绝缘层；
步骤6、移除所述部分第一光阻区域、部分第二光阻区域及沉积于二者上的绝缘层，形成第一、第二、与第三过孔，以露出所述栅极与源/漏极；
步骤7、在所述绝缘层上沉积氧化物半导体薄膜，使用第二道光罩进行黄光制程，并对所述氧化物半导体薄膜进行蚀刻使其图案化，再进行退火处理，形成氧化物半导体层；
所述氧化物半导体层填充部分第一、第二过孔，与所述源/漏极接触，形成电性连接；
步骤8、在所述氧化物半导体层与绝缘层上沉积保护层；
步骤9、在所述保护层上涂布第二光阻层，通过第三道光罩制程对该第二光阻层进行灰阶曝光，使该第二光阻层图案化，形成相互间隔的第四光阻区域、第五光阻区域、第六光阻区域与第七光阻区域；
步骤10、通过蚀刻制程移除未被第四光阻区域、第五光阻区域、第六光阻区域与第七光阻区域覆盖的保护层，形成第一、第二与第三通孔，以露出所述栅极与源/漏极；
步骤11、对所述第二光阻层进行灰化处理，保留部分第四光阻区域；保留部分第五光阻区域；去除所述第六光阻区域与第七光阻区域；
步骤12、在所述部分第四光阻区域、第五光阻区域、保护层、栅极与源/漏极上沉积透明导电薄膜，部分透明导电薄膜作为搭接电极填充所述第二与第三通孔以连接所述栅极与源/漏极，部分透明导电薄膜作为像素电极填充所述第一通孔并连接于所述源/漏极；
步骤13、移除所述部分第四光阻区域、部分第五光阻区域及沉积于二者上的透明导电薄膜，并进行退火处理；
步骤14、在所述透明导电薄膜与保护层上涂布光阻，并使用第四道光罩进行曝光显影，定义发光显示位置，形成像素定义层；
步骤15、在所述像素定义层上涂布光阻，并使用第五道光罩进行曝光显影，形成光阻间隔物。
步骤2中，所述第一光阻区域包括中间部及位于该中间部两侧的侧部，所述中间部的厚度大于两侧部的厚度，所述第一光阻区域的宽度大于所述第二、第三光阻区域的宽度，所述中间部与第二光阻区域的厚度大于第三光阻区域的厚度；
所述步骤4中的灰化处理包括去除第一光阻区域的两侧部并减少中间部的厚度，保留部分第一光阻区域；减少所述第二光阻区域的厚度，保留部分第二光阻区域；去除所述第三光阻区域。
所述步骤6利用所述部分第一光阻区域、部分第二光阻区域与所述栅极、源/漏极之间的厚度差，通过剥离工艺移除所述部分第一光阻区域、部分第二光阻区域及沉积于二者上的绝缘层。
步骤7中所述氧化物半导体层为IGZO氧化物半导体层。
所述步骤9中，第四光阻区域包括主体部与凸出部，所述凸出部的厚度大于所述主体部的厚度，所述凸出部与第五光阻区域的厚度大于所述第六光阻区域与第七光阻区域的厚度；
所述步骤11中的灰化处理包括去除第四光阻区域的主体部，并减少所述凸出部的厚度，保留部分第四光阻区域；减少所述第五光阻区域的厚度，保留部分第五光阻区域；去除所述第六光阻区域与第七光阻区域。
步骤12中，所述透明导电薄膜为ITO透明导电薄膜或IZO透明导电薄膜。
所述步骤13利用所述部分第四光阻区域、部分第五光阻区域与所述保护层之间的厚度差，通过剥离工艺移除所述部分第四光阻区域、部分第五光阻区域及沉积于二者上的透明导电薄膜。
步骤14、步骤15中，所述像素定义层、光阻间隔物的材料为有机光刻胶。
本发明还提供一种由该TFT基板的制作方法制得的TFT基板结构，包括：基板、位于基板上的栅极、位于基板上的源/漏极、位于所述基板、栅极与源/漏极上的绝缘层、位于所述绝缘层上的氧化物半导体层、位于所述绝缘层与氧化物半导体层上的保护层、位于所述保护层上的透明导电薄膜、位于所述透明导电薄膜与保护层上的像素定义层、及位于所述像素定义层上的光阻间隔物；所述栅极与源/漏极间隔设置，所述绝缘层具有第一、第二及第三过孔，所述保护层相应具有第一、第二及第三通孔以露出所述栅极与源/漏极，所述氧化物半导体层填充部分第一、第二过孔，与所述源/漏极接触，形成电性连接；所述透明导电薄膜包括搭接电极与像素电极，所述搭接电极填充所述第二与第三通孔以连接所述栅极与源/漏极，所述像素电极填充所述第一通孔并连接于所述源/漏极。
所述氧化物半导体层的材料为IGZO，所述透明导电薄膜的材料为ITO或IZO，所述像素定义层与光阻间隔物的材料为有机光刻胶。
本发明的有益效果：本发明的TFT基板的制作方法，栅极与源/漏极均由第一金属层形成，二者之间通过透明导电薄膜实现连接，简化了TFT基板的结构；采用灰阶曝光技术对光阻进行曝光，通过五道光罩制程实现TFT基板的制作，缩短了工艺流程，提高了生产效率，减少了光罩数量，降低了生产成本，并能够提升产品良率。本发明的TFT基板结构，将栅极与源/漏极均设置于基板上，并通过透明导电薄膜连接栅极与源/漏极，能够使得该TFT基板结构的工艺流程较短，生产效率较高，生产成本较低。
为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
附图说明
下面结合附图，通过对本发明的具体实施方式详细描述，将使本发明的技术方案及其它有益效果显而易见。
附图中，
图1为本发明TFT基板的制作方法的流程图；
图2为本发明TFT基板的制作方法的步骤1的示意图；
图3为本发明TFT基板的制作方法的步骤2的示意图；
图4为本发明TFT基板的制作方法的步骤3的示意图；
图5为本发明TFT基板的制作方法的步骤4的示意图；
图6为本发明TFT基板的制作方法的步骤5的示意图；
图7为本发明TFT基板的制作方法的步骤6的示意图；
图8为本发明TFT基板的制作方法的步骤7的示意图；
图9为本发明TFT基板的制作方法的步骤8的示意图；
图10为本发明TFT基板的制作方法的步骤9的示意图；
图11为本发明TFT基板的制作方法的步骤10的示意图；
图12为本发明TFT基板的制作方法的步骤11的示意图；
图13为本发明TFT基板的制作方法的步骤12的示意图；
图14为本发明TFT基板的制作方法的步骤13的示意图；
图15为本发明TFT基板的制作方法的步骤14的示意图；
图16为本发明TFT基板的制作方法的步骤15的示意图暨本发明TFT基板结构的示意图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
请参阅1，本发明首先提供一种TFT基板的制作方法，包括如下步骤：
步骤1、如图2所示，提供一基板1，在该基板1上沉积第一金属层2。
所述基板1为透明基板，优选的，所述基板1为玻璃基板。
步骤2、如图3所示，在所述第一金属层2上涂布第一光阻层3，通过第一道光罩制程对该第一光阻层3进行灰阶曝光，使该第一光阻层3图案化，形成相互间隔的第一光阻区域31、第二光阻区域33、及第三光阻区域35。
具体的，所述第一光阻区域31包括中间部311及位于该中间部311两侧的侧部313，所述中间部311的厚度大于两侧部313的厚度，所述第一光阻区域31的宽度大于所述第二、第三光阻区域33、35的宽度，所述中间部311与第二光阻区域33的厚度大于第三光阻区域35的厚度。
步骤3、如图4所示，通过蚀刻制程移除未被所述第一、第二、第三光阻区域31、33、35覆盖的第一金属层2，形成栅极21与源/漏极23。
至此，所述栅极21与源/漏极23均由所述第一金属层2形成，均位于所述基板1上，且二者间隔设置。
步骤4、如图5所示，对所述第一、第二、第三光阻区域31、33、35通入氧气进行灰化处理，去除所述第一光阻区域31的两侧部313并减少中间部311的厚度，保留部分第一光阻区域31’；减少所述第二光阻区域33的厚度，保留部分第二光阻区域33’；去除所述第三光阻区域35。
所述部分第一光阻区域31’、部分第二光阻区域33’分别对应欲形成于绝缘层4的第一、第二、与第三过孔41、43、45。
步骤5、如图6所示，在所述基板1、栅极21、源/漏极23、部分第一光阻区域31’与部分第二光阻区域33’上沉积绝缘层4。
步骤6、如图7所示，利用所述部分第一光阻区域31’、部分第二光阻区域33’与所述栅极21、源/漏极23之间的厚度差，通过剥离工艺移除所述部分第一光阻区域31’、部分第二光阻区域33’及沉积于二者上的绝缘层4，形成第一、第二、与第三过孔41、43、45，以露出所述栅极21与源/漏极23。
步骤7、如图8所示，在所述绝缘层4上沉积氧化物半导体薄膜，使用第二道光罩进行黄光制程，并对所述氧化物半导体薄膜进行蚀刻使其图案化，再进行退火处理，形成氧化物半导体层5。
具体的，所述氧化物半导体层5为铟镓锌氧化物(IGZO)半导体层。
所述氧化物半导体层5填充部分第一、第二过孔41、43，与所述源/漏极23接触，形成电性连接。
步骤8、如图9所示，在所述氧化物半导体层5与绝缘层4上沉积保护层6。
步骤9、如图10所示，在所述保护层6上涂布第二光阻层7，通过第三道光罩制程对该第二光阻层7进行灰阶曝光，使该第二光阻层7图案化，形成相互间隔的第四光阻区域71、第五光阻区域73、第六光阻区域75与第七光阻区域77。
具体的，所述第四光阻区域71包括主体部711与凸出部713，所述凸出部713的厚度大于所述主体部711的厚度，所述凸出部713与第五光阻区域73的厚度大于所述第六光阻区域75与第七光阻区域77的厚度。
步骤10、如图11所示，通过蚀刻制程移除未被第四光阻区域71、第五光阻区域73、第六光阻区域75与第七光阻区域77覆盖的保护层6，形成第一、第二与第三通孔61、63、65，以露出所述栅极21与源/漏极23。
步骤11、如图12所示，对所述第二光阻层7通入氧气进行灰化处理，去除所述第四光阻区域71的主体部711，并减少所述凸出部713的厚度，保留部分第四光阻区域71’；减少所述第五光阻区域73的厚度，保留部分第五光阻区域73’；去除所述第六光阻区域75与第七光阻区域77。
步骤12、如图13所示，在所述部分第四光阻区域71’、第五光阻区域73’、保护层6、栅极21与源/漏极23上沉积透明导电薄膜8。
部分透明导电薄膜8作为搭接电极81填充所述第二与第三通孔63、65以连接所述栅极21与源/漏极23；部分透明导电薄膜8作为像素电极83填充所述第一通孔61并连接于所述源/漏极23。
该步骤6省去了制作第二金属层，利用部分透明导电薄膜8作为搭接电极81连接所述栅极21与源/漏极23，简化了TFT基板的结构。
具体的，所述透明导电薄膜8为氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜或氧化铟锌(IZO)透明导电薄膜。
步骤13、如图14所示，利用所述部分第四光阻区域71’、部分第五光阻区域73’与所述保护层6之间的厚度差，通过剥离工艺移除所述部分第四光阻区域71’、部分第五光阻区域73’及沉积于二者上的透明导电薄膜8，并进行退火处理。
步骤14、如图15所示，在所述透明导电薄膜8与保护层6上涂布光阻，并使用第四道光罩进行曝光显影，定义发光显示位置，形成像素定义层9。
具体的，所述像素定义层的材料为有机光刻胶。
步骤15、如图16所示，在所述像素定义层9上涂布光阻，并使用第五道光罩进行曝光显影，形成光阻间隔物10。
具体的，所述光阻间隔物10的材料为有机光刻胶。
请参阅图16，在上述TFT基板的制作方法的基础上，本发明还提供一种由该TFT基板的制作方法制得的TFT基板结构，包括：基板1、位于基板1上的栅极21、位于基板1上的源/漏极23、位于所述基板1、栅极21与源/漏极23上的绝缘层4、位于所述绝缘层4上的氧化物半导体层5、位于所述绝缘层4与氧化物半导体层5上的保护层6、位于所述保护层6上的透明导电薄膜8、位于所述透明导电薄膜8与保护层6上的像素定义层9、及位于所述像素定义层9上的光阻间隔物10。
所述栅极21与源/漏极23间隔设置，所述绝缘层4具有第一、第二及第三过孔41、43、45，所述保护层6相应具有第一、第二及第三通孔61、63、65以露出所述栅极21与源/漏极23，所述氧化物半导体层5填充部分第一、第二过孔41、43，与所述源/漏极23接触，形成电性连接；所述透明导电薄膜8包括搭接电极81与像素电极83，所述搭接电极81填充所述第二与第三通孔63、65以连接所述栅极21与源/漏极23，所述像素电极83填充所述第一通孔61并连接于所述源/漏极23。
具体的，所述氧化物半导体层5为IGZO氧化物半导体层，所述透明导电薄膜8为ITO透明导电薄膜或IZO透明导电薄膜，所述像素定义层9与光阻间隔物10的材料为有机光刻胶。
综上所述，本发明的TFT基板的制作方法，栅极与源/漏极均由第一金属层形成，二者之间通过透明导电薄膜实现连接，简化了TFT基板的结构；采用灰阶曝光技术对光阻进行曝光，通过五道光罩制程实现TFT基板的制作，缩短了工艺流程，提高了生产效率，减少了光罩数量，降低了生产成本，并能够提升产品良率。本发明的TFT基板结构，将栅极与源/漏极均设置于基板上，并通过透明导电薄膜连接栅极与源/漏极，能够使得该TFT基板结构的工艺流程较短，生产效率较高，生产成本较低。
以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。

Claims (10)

1.一种TFT基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1、提供一基板(1)，在该基板(1)上沉积第一金属层(2)；
步骤2、在所述第一金属层(2)上涂布第一光阻层(3)，通过第一道光罩制程对该第一光阻层(3)进行灰阶曝光，使该第一光阻层(3)图案化，形成相互间隔的第一光阻区域(31)、第二光阻区域(33)、及第三光阻区域(35)；
步骤3、通过蚀刻制程移除未被所述第一、第二、第三光阻区域(31、33、35)覆盖的第一金属层(2)，形成栅极(21)与源/漏极(23)；
步骤4、对所述第一、第二、第三光阻区域(31、33、35)进行灰化处理，保留部分第一光阻区域(31’)，保留部分第二光阻区域(33’)；去除所述第三光阻区域(35)；所述部分第一光阻区域(31’)、部分第二光阻区域(33’)分别对应欲形成于绝缘层(4)的第一、第二、与第三过孔(41、43、45)；
步骤5、在所述基板(1)、栅极(21)、源/漏极(23)、部分第一光阻区域(31’)与部分第二光阻区域(33’)上沉积绝缘层(4)；
步骤6、移除所述部分第一光阻区域(31’)、部分第二光阻区域(33’)及沉积于二者上的绝缘层(4)，形成第一、第二、与第三过孔(41、43、45)，以露出所述栅极(21)与源/漏极(23)；
步骤7、在所述绝缘层(4)上沉积氧化物半导体薄膜，使用第二道光罩进行黄光制程，并对所述氧化物半导体薄膜进行蚀刻使其图案化，再进行退火处理，形成氧化物半导体层(5)；所述氧化物半导体层(5)填充部分第一、第二过孔(41、43)，与所述源/漏极(23)接触，形成电性连接；
步骤8、在所述氧化物半导体层(5)与绝缘层(4)上沉积保护层(6)；
步骤9、在所述保护层(6)上涂布第二光阻层(7)，通过第三道光罩制程对该第二光阻层(7)进行灰阶曝光，使该第二光阻层(7)图案化，形成相互间隔的第四光阻区域(71)、第五光阻区域(73)、第六光阻区域(75)与第七光阻区域(77)；
步骤10、通过蚀刻制程移除未被第四光阻区域(71)、第五光阻区域(73)、第六光阻区域(75)与第七光阻区域(77)覆盖的保护层(6)，形成第一、第二与第三通孔(61、63、65)，以露出所述栅极(21)与源/漏极(23)；
步骤11、对所述第二光阻层(7)进行灰化处理，保留部分第四光阻区域(71’)；保留部分第五光阻区域(73’)；去除所述第六光阻区域(75)与第七光阻区域(77)；
步骤12、在所述部分第四光阻区域(71’)、第五光阻区域(73’)、保护层(6)、栅极(21)与源/漏极(23)上沉积透明导电薄膜(8)，部分透明导电薄膜(8)作为搭接电极(81)填充所述第二与第三通孔(63、65)以连接所述栅极(21)与源/漏极(23)，部分透明导电薄膜(8)作为像素电极(83)填充所述第一通孔(61)并连接于所述源/漏极(23)；
步骤13、移除所述部分第四光阻区域(71’)、部分第五光阻区域(73’)及沉积于二者上的透明导电薄膜(8)，并进行退火处理；
步骤14、在所述透明导电薄膜(8)与保护层(6)上涂布光阻，并使用第四道光罩进行曝光显影，定义发光显示位置，形成像素定义层(9)；
步骤15、在所述像素定义层(9)上涂布光阻，并使用第五道光罩进行曝光显影，形成光阻间隔物(10)。
2.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，步骤2中，所述第一光阻区域(31)包括中间部(311)及位于该中间部(311)两侧的侧部(313)，所述中间部(311)的厚度大于两侧部(313)的厚度，所述第一光阻区域(31)的宽度大于所述第二、第三光阻区域(33、35)的宽度，所述中间部(311)与第二光阻区域(33)的厚度大于第三光阻区域(35)的厚度；
所述步骤4中的灰化处理包括去除第一光阻区域(31)的两侧部(313)并减少中间部(311)的厚度，保留部分第一光阻区域(31’)；减少所述第二光阻区域(33)的厚度，保留部分第二光阻区域(33’)；去除所述第三光阻区域(35)。
3.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤6利用所述部分第一光阻区域(31’)、部分第二光阻区域(33’)与所述栅极(21)、源/漏极(23)之间的厚度差，通过剥离工艺移除所述部分第一光阻区域(31’)、部分第二光阻区域(33’)及沉积于二者上的绝缘层(4)。
4.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，步骤7中所述氧化物半导体层(5)为IGZO氧化物半导体层。
5.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤9中，第四光阻区域(71)包括主体部(711)与凸出部(713)，所述凸出部(713)的厚度大于所述主体部(711)的厚度，所述凸出部(713)与第五光阻区域(73)的厚度大于所述第六光阻区域(75)与第七光阻区域(77)的厚度；
所述步骤11中的灰化处理包括去除第四光阻区域(71)的主体部(711)，并减少所述凸出部(713)的厚度，保留部分第四光阻区域(71’)；减少所述第五光阻区域(73)的厚度，保留部分第五光阻区域(73’)；去除所述第六光阻区域(75)与第七光阻区域(77)。
6.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，步骤12中，所述透明导电薄膜(8)为ITO透明导电薄膜或IZO透明导电薄膜。
7.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，所述步骤13利用所述部分第四光阻区域(71’)、部分第五光阻区域(73’)与所述保护层(6)之间的厚度差，通过剥离工艺移除所述部分第四光阻区域(71’)、部分第五光阻区域(73’)及沉积于二者上的透明导电薄膜(8)。
8.如权利要求1所述的TFT基板的制作方法，其特征在于，步骤14、步骤15中，所述像素定义层(9)、光阻间隔物(10)的材料为有机光刻胶。
9.一种TFT基板结构，其特征在于，包括：基板(1)、位于基板(1)上的栅极(21)、位于基板(1)上的源/漏极(23)、位于所述基板(1)、栅极(21)与源/漏极(23)上的绝缘层(4)、位于所述绝缘层(4)上的氧化物半导体层(5)、位于所述绝缘层(4)与氧化物半导体层(5)上的保护层(6)、位于所述保护层(6)上的透明导电薄膜(8)、位于所述透明导电薄膜(8)与保护层(6)上的像素定义层(9)、及位于所述像素定义层(9)上的光阻间隔物(10)；所述栅极(21)与源/漏极(23)间隔设置，所述绝缘层(4)具有第一、第二及第三过孔(41、43、45)，所述保护层(6)相应具有第一、第二及第三通孔(61、63、65)以露出所述栅极(21)与源/漏极(23)，所述氧化物半导体层(5)填充部分第一、第二过孔(41、43)，与所述源/漏极(23)接触，形成电性连接；所述透明导电薄膜(8)包括搭接电极(81)与像素电极(83)，所述搭接电极(81)填充所述第二与第三通孔(63、65)以连接所述栅极(21)与源/漏极(23)，所述像素电极(83)填充所述第一通孔(61)并连接于所述源/漏极(23)。
10.如权利要求9所述的TFT基板结构，其特征在于，所述氧化物半导体层(5)的材料为IGZO，所述透明导电薄膜(8)的材料为ITO或IZO，所述像素定义层(9)与光阻间隔物(10)的材料为有机光刻胶。
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