Nothing Special   »   [go: up one dir, main page]

CN104012185A - 用于极度边缘可调性的延伸和独立的射频驱动阴极基板 - Google Patents

用于极度边缘可调性的延伸和独立的射频驱动阴极基板 Download PDF

Info

Publication number
CN104012185A
CN104012185A CN201280062489.4A CN201280062489A CN104012185A CN 104012185 A CN104012185 A CN 104012185A CN 201280062489 A CN201280062489 A CN 201280062489A CN 104012185 A CN104012185 A CN 104012185A
Authority
CN
China
Prior art keywords
electrode
substrate
substrate bearing
periphery
ring
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201280062489.4A
Other languages
English (en)
Other versions
CN104012185B (zh
Inventor
V·托多罗
S·巴纳
I·优素福
A·王
G·勒雷
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Applied Materials Inc
Original Assignee
Applied Materials Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Applied Materials Inc filed Critical Applied Materials Inc
Publication of CN104012185A publication Critical patent/CN104012185A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN104012185B publication Critical patent/CN104012185B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • H01L21/6833—Details of electrostatic chucks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32623—Mechanical discharge control means
    • H01J37/32642—Focus rings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715—Workpiece holder
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02N—ELECTRIC MACHINES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H02N13/00—Clutches or holding devices using electrostatic attraction, e.g. using Johnson-Rahbek effect
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6831—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using electrostatic chucks
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T279/00—Chucks or sockets
    • Y10T279/23—Chucks or sockets with magnetic or electrostatic means

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)

Abstract

本发明中提供一种处理基板的装置。在一些实施例中，一种处理基板的装置可包括：基板支座，该基板支座包含设置于该基板支座内并具有周缘及第一表面的第一电极；设置于该第一电极的该第一表面上方的基板支座表面；以及第二电极，该第二电极设置于该基板支座内并径向延伸越过该第一电极的该周缘，其中该第二电极具有第二表面，该第二表面设置于该第一电极的该第一表面周围与上方。

Description

用于极度边缘可调性的延伸和独立的射频驱动阴极基板
技术领域
本发明的实施例一般性关于基板处理设备。
背景技术
基板处理系统(如等离子体反应器)可用于在基板上沉积、蚀刻或形成层，或是以其他方式处理基板的表面。一个可用于控制这样的基板处理的各方面的技术是使用射频(RF)能量来控制基板附近的等离子体，例如通过将RF能量耦合到基板下方的电极，该基板位于基板支座上。
发明人在本文中提供了基板处理系统的实施例，这些基板处理系统可提供改良的基板处理系统的RF能量控制以及在晶圆边缘附近弹性的等离子体鞘层控制。
发明内容
本文中提供处理基板的方法及装置。在一些实施例中，一种处理基板的装置可以包括：基板支座，该基板支座包含位于该基板支座内并具有周缘及第一表面的第一电极；位于该第一电极的该第一表面上方的基板支座表面；以及第二电极，该第二电极位于该基板支座内并径向延伸越过该第一电极的该周缘，其中该第二电极具有第二表面，该第二表面位于该第一电极的该第一表面周围与上方。
在一些实施例中，一种基板支座包括：具有周缘的第一电极；位于该第一电极上方的基板支座表面；位于该第一电极周围并径向延伸越过该第一电极的该周缘的第二电极；位于该第一电极的该周缘的周围的第一介电层；以及RF接地层，该RF接地层位于该第一介电层周围，其中该第二电极至少部分位于该第一介电层上方。
在一些实施例中，一种基板支座可包括：支撑表面；第一电极，该第一电极位于该基板支座内并具有周缘，该第一电极的该周缘延伸越过该支撑表面的周缘；第二电极，该第二电极位于该基板支座内并具有周缘，该第二电极的该周缘延伸越过该第一电极的该周缘；位于该第一电极的该周缘的周围的介电层；以及位于该介电层周围的RF接地层。
以下描述本发明的其他与进一步的实施例。
附图说明
通过参照本发明绘示于随附图示中的说明性实施例，可以了解本发明于以上概述并于以下更加详细讨论的实施例。然而，应注意的是，附图仅说明本发明的典型实施例，因此不应将这些附图视为限制本发明的范围，因本发明可认可其他等同有效的实施例。
图1绘示依据本发明的一些实施例的等离子体反应器的示意图。
图2绘示依据本发明的一些实施例的基板支座的示意图。
图3绘示依据本发明的一些实施例的基板支座的部分示意图。
图4绘示依据本发明的一些实施例的基板支座的部分示意图。
图5A与图5B分别绘示依据本发明的一些实施例用于等离子体反应器的处理套组环的俯视图与侧剖视图。
图6A至6C分别绘示依据本发明的一些实施例用于等离子体反应器的处理套组环的俯视图、侧剖视图以及细部侧剖视图。
图7A至7E分别绘示依据本发明的一些实施例用于等离子体反应器的处理套组环的俯视图、侧剖视图、细部侧剖视图、细部俯视图以及顶部细部的侧剖视图。
为了便于理解，已在可能处使用相同的元件符号来指称对于附图为相同的元件。这些附图不按比例绘制，并且为了清楚起见可以被简化。亦考量到可以将一个实施例的元件与特征有益地整合于其他实施例中而无需进一步详述。
具体实施方式
本文中揭示处理基板的方法及装置。本发明的方法及装置与现有的等离子体处理装置相比可以有利地便于更均匀地等离子体处理基板。例如，本发明的实施例可以减少在基板边缘的边缘卷离或边缘卷起，从而提供更均匀的基板。本案发明人已经观察到边缘卷离或边缘卷起的原因除了其他的因素之外可能是由于基板边缘附近的RF功率耦合中有不连续。本发明的方法及装置针对在基板边缘的不连续，通过提供电极或提供一或多个另外的电极来改善基板边缘附近的RF功率耦合。
图1绘示依据本发明的一些实施例的感应耦合等离子体反应器(反应器100)的示意侧视图。可以单独使用反应器100，或反应器100可作为整合的半导体基板处理系统或群集工具的处理模块，该群集工具如整合式半导体晶圆处理系统，可购自美国加州圣大克劳拉市的应用材料公司(Applied Materials,Inc.ofSanta Clara,California)。可以有利地受益于依据本发明的实施例的合适修改的等离子体反应器的实例包括感应耦合等离子体蚀刻反应器，如半导体设备线，或其他感应耦合等离子体反应器，如MESATM或类似者，也可向应用材料公司取得。上述所列的半导体设备只是说明性的，而且其他的蚀刻反应器以及非蚀刻设备(如CVD反应器或其他半导体处理设备)也可以依据本教示而被适当地修改。例如，可用于本文中揭示的方法的合适的例示性等离子体反应器可在V.Todorow等人于2010年6月23日提出申请的美国专利申请案序号第12/821,609号、且标题为“感应耦合的等离子体装置(INDUCTIVELY COUPLED PLASMA APPARATUS)”或是S.Banna等人于2010年6月23日提出申请的美国专利申请案序号第12/821,636号、且标题为“具可调相位线圈组配件的双模式感应耦合等离子体反应器(DUAL MODE INDUCTIVELY COUPLED PLASMA REACTOR WITHADJUSTABLE PHASE COIL ASSEMBLY.)”中找到。
反应器100通常包括处理腔室104、基板支座116、感应耦合等离子体装置102以及控制器140。处理腔室104具有导电主体(壁)130与盖120(例如顶壁)，导电主体(壁)130与盖120一起界定了内部容积，基板支座116位于该内部容积内(图示为支撑基板115)。壁130通常耦接到电性接地134。在配置反应器100作为感应耦合等离子体反应器的实施例中，盖120可以包含面向反应器100的内部容积的介电材料。
基板支座116通常包括用于支撑基板115的支撑表面。支撑表面可以由介电材料形成。在一些实施例中，基板支座116可包括通过匹配网络124耦接到偏压电源122的阴极。说明性的偏压电源122可以是至多约1000W(但不限于约1000W)的RF能量且频率为例如约13.56MHz的来源，虽然视特定应用所需也可以提供其他的频率与功率。偏压电源122可为能够产生连续或脉冲功率中的任一者或两者。在一些实施例中，偏压电源122可以是DC或脉冲DC源。在一些实施例中，偏压电源122可为能够提供多个频率，或者可将一或多个第二偏压源(如图2中所图示)经由相同的匹配网络124或经由一或多个另外的匹配网络(如图2中所图示)耦接到基板支座116，以提供多个频率。
图2绘示依据本发明的一些实施例的基板支座116的进一步细节。如图2中所图示，基板支座116可包括位于基板支座116内的第一电极200。在一些实施例中，可以将第一电极200置中设置在基板支座116的支撑表面216下方。第一电极200可以由导电材料形成，该导电材料如铝(Al)、掺杂的碳化硅(SiC)或其他与工艺环境相容的适合导电材料中的一或多者。在一些实施例中，第一电极200可以设置于主体205中或者可以是主体205，主体205支撑基板支座116的介电质支撑表面。主体205可以具有周缘202与第一表面204。在一些实施例中，主体205可以包括数个通道207，通道207设置于穿过主体205，以使热传介质流经通道207。热传介质源209可与该数个通道207耦接，以提供热传介质至该数个通道207。例如，可以使用通过该数个通道207的热传介质流动来调节设置于基板支座116上的基板的温度。
第二电极206可以设置于基板支座116内。第二电极206可以具有第二表面208，第二表面208设置于第一电极200的第一表面204周围与上方。第二电极206可以从第一电极204径向延伸，例如越过如下面所讨论的第一电极200的周缘202。第二电极206可以由任何适合的导电材料形成，如Al、掺杂的SiC、掺杂的钻石或其他与工艺环境相容的适合导电材料中的一或多者。在一些实施例中，第二电极206可被电耦接到第一电极200，使得第一电极200与第二电极206可被耦接到共用的RF电源(例如偏压电源122)。在一些实施例中，第一电极200与第二电极206可以是单一整合电极，该整合电极被形成为适合提供本文中所教示的功能的形状。或者，在一些实施例中，第二电极206可以与第一电极200电隔离，使得该第一电极200与第二电极206可以被相同的或分开的RF电源个别控制。
例如，在一些实施例中，偏压电源122(例如第一RF电源)可被耦接到第一电极200与第二电极206的每一个，以提供射频(RF)能量至第一电极200与第二电极206。在这样的实施例中，该第一电极200与第二电极206可被电耦接(无论是作为单一整合电极或作为分开的电极)或者可以被电隔离。或者，偏压电源122可被耦接到第一电极200，以提供RF能量到第一电极200，而且第二电源210(以虚线图示)可以经由匹配网络211(以虚线图示)被耦接到第二电极206，以提供RF能量到第二电极206。例如，为了电隔离第一电极200与第二电极206，可以将介电层213(以虚线图示)设置于第一电极200与第二电极206之间，如图2中所图示。或者，可以使用基部212(下面讨论)的一些实施例来电隔离第一电极200与第二电极206。
在一些实施例中，基部212可以设置于第一电极200上。在第一电极200与第二电极206被电耦接的实施例中，基部212可以是设置于至少一部分的第一电极200周围的导电环或类似者，如图2中所图示。或者，基部212可以具有设置于第一电极200周围的导电通路。
基部212的全部或一部分可由介电材料制造，该介电材料适于防止第一电极200与第二电极206之间起弧。第二电极206包括径向延伸部分214，径向延伸部分214设置于基部212的顶部且延伸越过第一电极200的周缘202。基部212与径向延伸部分214可以是单一的整合组件或分开的组件，这些分开的组件可以被组装在一起形成第二电极206。可定位第二电极206的第二表面208的位置，以在处理过程中控制设置于基板支座116上的基板周围附近的RF能量耦合。此外，可以调整径向延伸部分214延伸越过第一电极200的周缘202的长度，以实现在设置于基板支座116上的基板周围附近所需的RF能量耦合。在一些实施例中，基部212的高度及/或径向延伸部分214的厚度可以一起界定第二表面208相对于该第一表面204的位置。
基板支座可以包括设置于第一电极200的第一表面204上方的基板支撑表面216。例如，基板支撑表面216可以是静电卡盘218的一部分。静电卡盘218可设置于第一电极200上方，而且基板支撑表面216可以是静电卡盘218的上表面。静电卡盘218可以包括介电质板材，如陶瓷圆盘220，如图2中所图示。陶瓷圆盘220可包括电极222，电极222设置于陶瓷圆盘220内，以提供将基板115卡到静电卡盘218的直流能量。电极222可以被耦接到直流电源226。
边缘环228可以设置于静电卡盘218的周围。例如，边缘环228可以是处理套组或类似者，边缘环228设以改善基板224周缘附近的处理及/或在处理过程中保护基板支座免于不需要的等离子体暴露。边缘环228可以是介电质或可具有外部介电层，该外部介电层例如包含石英、氧化钇(Y2O3)、氮化铝(AlN)、涂覆钻石的碳化硅(SiC)或类似者中的一或多者。在一些实施例中，如图2中所图示，当基板115设置在静电卡盘218上时，边缘环228的高度可与基板115的处理表面大约相同。或者，边缘环相对于静电卡盘218上的基板的处理表面的高度可以有所不同。例如，在一些实施例中，如图3中所图示，边缘环300可以具有比基板115的处理表面更高的高度。边缘环可以是由一种材料构成的单一片体，如边缘环300。或者，可以使用另外的环来将边缘环的高度延伸到基板115的处理表面上方，如可能置于及/或嵌合/堆迭于边缘环300上的环302。例如，边缘环300与环302可以包含相同的材料。或者，边缘环300与环302可以包含不同的材料，例如边缘环300可包含石英，而环302可以包含SiC。可以最佳化基板115的处理表面上方的边缘环高度(例如边缘环300或边缘环300与环302的组合)，以改善基板115的周缘附近的等离子体均匀度。
回到图2，边缘环228可以设置于第二电极206的径向延伸部分214上方与邻近处，使得边缘环228可设置于延伸部分214与接地层230(例如RF接地层)之间。例如，边缘环228可以由单一片体形成，使得边缘环228将延伸部分214与接地层230分离。或者，如图2中所图示，可将环232(如介电质间隔物或类似者)设置于边缘环228下方且在第二电极206的延伸部分214与接地层230之间。在任一实施例中，即有或无环232的实施例中，可能需要使延伸部分214与接地层230充分隔离，以限制及/或防止在延伸部分214与接地层230之间起弧。
环232可以是单一片体或包含堆迭或相互连接在一起的多个片体，如图2中的虚线所图示。在使用多个堆迭片体的实施例中，该片体可以包含相同的或不同的材料。在一些实施例中，可以使用其他的环或可以移除一或多个片体，以容纳第二电极206的更大的延伸部分。如图4中所图示，可以使用环400来容纳较大的延伸部分402(例如比延伸部分214更大)。如图所示，延伸部分402可以延伸越过第一介电层234(以下讨论)。与环232类似，可以使用环400来充分地将延伸部分402与接地层230隔离。延伸部分(例如214或402)的长度可以在范围内变化，以最佳化基板115的周缘附近的等离子体均匀度。在一些实施例中，延伸部分的长度与边缘环的高度可以皆被最佳化，以在基板115的周缘附近的等离子体中实现所需的均匀度。
图5A与图5B分别绘示依据本发明的一些实施例可以用于作为环232或环400的环502的俯视图与侧剖视图。以下描述的环502的尺寸可有利地允许环502适用于上述的基板支座116。在一些实施例中，环502是由碳化硅(SiC)所制成。通过使用碳化硅来制造环502，当暴露于处理腔室内的处理环境时，环502可以有利地耐降解。
在一些实施例中，环502通常可以包含具有外缘511、内缘513、顶表面515以及底表面517的环形主体504。在一些实施例中，主体504可以包含从顶表面515向上延伸的数个凸部506(图示三个凸部506)。
在一些实施例中，外缘511的直径可以为约12.473英寸至约12.479英寸。在一些实施例中，内缘513的直径可以为约11.726英寸至约11.728英寸。在一些实施例中，环502的内缘513包含平坦部509，平坦部509靠近该数个凸部506中的一个。平坦部509与一部分的基板支座接合，以当将环502安装于基板支座上时方便环502的适当定向。在一些实施例中，从平坦部509到环502的中心510的距离512可以为约5.826英寸至约5.831英寸。在一些实施例中，平坦部509可具有约1.310英寸至约1.320英寸的长度508。
当存在时，该数个凸部506(图示三个凸部506)将基板支座的组件(例如上述基板支座116的边缘环228)支撑于环502的顶部，并提供基板支座与环502之间的间隙。在其中存在三个凸部506的实施例中，可以将凸部506对称地配置于主体504周围。例如，可以约120度的角度519将三个凸部506中的每一个在主体504周围相互分开。此外，可以将每个凸部506设置在主体504周围，使得凸部506的外缘527与主体504的中心510之间的距离525为约6.995英寸至约6.105英寸。在一些实施例中，从凸部506的内缘529到主体504的中心510的距离523为约5.937英寸至约5.947英寸。
参照图5B，在一些实施例中，主体504可以具有约0.116英寸至约0.118英寸的高度H1。凸部506可以从主体504的表面515延伸至约0.049英寸至约0.059英寸的高度H2。在一些实施例中，凸部506可以具有倾斜面531，倾斜面531与垂直于主体504的表面515的轴线533成约9度至约11度的角度。
图6A-C分别绘示处理套组环602的俯视图、侧剖视图以及细部侧剖视图，处理套组环602可用来作为边缘环228或边缘环300，边缘环228或边缘环300用于依据本发明的一些实施例的等离子体反应器中。以下描述的处理套组环602的尺寸可有利地允许处理套组环602适合使用于上述的基板支座116。在一些实施例中，处理套组环602是由石英(SiO2)所制造。通过以石英制造处理套组环602，当暴露于处理腔室内的处理环境时，处理套组环602可以有利的为介电质并且耐降解的。
处理套组环602通常包含环形主体601，环形主体601具有外缘615、内缘616、顶表面604以及底部613。可在外缘615与内缘616之间形成第一步阶607及第二步阶608。
在一些实施例中，外缘615的直径可为约15.115英寸至约15.125英寸。在一些实施例中，内缘616的直径可为约11.752英寸至约11.757英寸。在一些实施例中，主体601的内缘616包含平坦部617，平坦部617设以与一部分的基板支座接合，以当将处理套组环602安装于基板支座上时方便处理套组环602的适当定向。在一些实施例中，平坦部617与处理套组环602的中心轴之间的距离605可为约5.825英寸至约5.830英寸。
参照图6B，当基板设置于处理套组环602上进行处理时，第一步阶607在基板周围的上方与附近提供开放区域634。开放区域634可允许处理及/或可减少从基板传到处理套组环602的热量。在一些实施例中，第一步阶607可以具有约12.077英寸至约12.087英寸的外径614并延伸到第二步阶608的外径612。在一些实施例中，从第一步阶607的表面609到处理套组环602的顶表面604的过渡611可具有约99度至约101度的角度629，如图6C中所图示。再回到参照图6B，在这样的实施例中，顶表面604的内直径610可为约12.132英寸至约12.142英寸。
当基板设置于处理套组环602上进行处理时，第二步阶608提供用于基板的支撑表面。第二步阶608可以具有约11.884英寸至约11.889英寸的外径612并延伸至处理套组环602的内缘616。
在一些实施例中，处理套组环602可以包含环632，环632从处理套组环602的底部613在处理套组环602的外缘630周围向下延伸。环632允许处理套组环602稳固地放置于基板支座顶部并且使基板支座的其他组件适配于处理套组环602下方(例如上述的环502)。在一些实施例中，环632可具有约14.905英寸至约14.915英寸的内直径633。参照图6C，在一些实施例中，处理套组环602的总厚度620可为约0.510英寸至约0.520英寸。
图7A-E分别绘示用于依据本发明的一些实施例的等离子体反应器中的处理套组环的俯视图、侧剖视图、细部侧剖视图、细部俯视图以及顶部细部的侧剖视图。以下描述的处理套组环702的尺寸可有利地允许处理套组环702适用于上述的基板支座116。在一些实施例中，处理套组环702是由石英(SiO2)所制造。通过以石英制造处理套组环702，当暴露于处理腔室内的处理环境时，处理套组环702可以有利的为介电质并且耐降解的。
处理套组环702通常包含环形主体704以及数个凸部(图示为三个凸部716)，环形主体704具有外缘705、内缘706、顶表面707以及底部709，这些凸部从内缘706朝向处理套组环702的中心711向内延伸。
在一些实施例中，外缘705的直径708可为约15.115英寸至约15.125英寸。在一些实施例中，内缘706的直径可为约12.245英寸至约12.250英寸。
当基板设置于处理套组环702上进行处理时，该数个凸部716提供用于基板的支撑表面。在一些实施例中，可以将该数个凸部716对称地配置于处理套组环702的内缘706周围，例如设置为彼此相距约120度。在一些实施例中，该数个凸部716中的每一个朝向处理套组环702的中心711延伸，使得从中心711到该数个凸部716中的每一个的末端719的距离710可为约5.937英寸至约5.947英寸。
参照图7D，在一些实施例中，该数个凸部716中的每一个可以具有约0.205英寸至约0.216英寸的宽度731。在一些实施例中，该数个凸部716中的每一个可以包含圆形末端741。
参照图7E，在一些实施例中，该数个凸部716中的每一个的基板支撑表面737可设置于处理套组环702的顶表面707下方。在一些实施例中，基板支撑表面737与处理套组环702的顶表面707之间的过渡735可以是弯曲的。
参照图7B，在一些实施例中，可以在内缘706的下方形成倒角726。当倒角726存在时，倒角726可以与基板支座的另一个组件接合，以便于在该组件上将处理套组环702置中。在一些实施例中，可以将倒角726形成于处理套组环702中具有约12.405英寸至约12.505英寸的直径720。在一些实施例中，处理套组环702可以包含从处理套组环702的底部709在处理套组环702的外缘726周围向下延伸的环724。环724允许处理套组环702稳固地放置于基板支座顶部并且使基板支座的其他组件适配于处理套组环702下方(例如上述的环502)。在一些实施例中，环724的内直径722可为约14.905英寸至约14.915英寸。在一些实施例中，内缘706可以包含锥形部739，锥形部739从内缘706延伸到顶表面707，从而在处理套组环702的顶表面707附近提供约12.295英寸至约12.305英寸的内径718。参照图7C，在这样的实施例中，锥形部735与该表面之间的角度743可为约99度至约101度。在一些实施例中，处理套组环702的总厚度729可为约0.520英寸至约0.530英寸。
回到图2，环232(或环400)可置于第一介电层234上。第一介电层234可以设置于第一电极200的周缘202周围。例如，第一介电层234可将第一电极200及/或至少一部分的第二电极206与接地层230电隔离。如图示，接地层230可以设置于第一介电层234周围。在一些实施例中，第二电极206的径向延伸部分214可以至少部分地设置于第一介电层234上方，如图2中所图示。第一介电层234可包含任何适当的介电材料，诸如石英、氧化钇(Y2O3)、碳化硅(SiC)、涂覆钻石的石英或类似者中的一或多个。接地层230可以包含任何适当的导电材料，如铝、掺杂的SiC、掺杂的钻石或其他与工艺环境相容的适当导电材料中的一或多个。如图1与图2中所图示，接地层230可耦接至等离子体屏蔽236，等离子体屏蔽236可以设置于基板支座116周围，例如在第一介电层234周围。
回到图1，在一些实施例中，盖120可以大体上为平的。腔室104的其他修改可以具有其他类型的盖，例如圆顶形的盖或其他的形状。感应耦合等离子体装置102通常设置于盖120的上方，并且设以将RF功率感应地耦合进入处理腔室104。感应耦合等离子体装置102包括设置于盖120上方的第一线圈110与第二线圈112。可以视需要调整每个线圈的相对位置、直径的比率及/或每个线圈的圈数，以控制例如经由控制每个线圈上的电感所形成的等离子体的分布或密度。第一线圈110与第二线圈112中的每一个经由RF馈电结构106通过匹配网络114被耦合到RF电源108。说明性地，RF电源108在50kHz至13.56MHz范围中的可调频率下能够产生高达约4000W(但不限于约4000W)，虽然对于特定的应用可以视需要提供其他的频率与功率。
在一些实施例中，可在RF馈电结构106与RF电源108之间提供功率分配器105，如分压电容器，以控制提供给个别的第一与第二线圈的RF功率的相对量。例如，如图1中所图示，功率分配器105可以设置于耦接RF馈电结构106与RF电源108的线中，用于控制提供给每个线圈的RF功率量(从而便于控制与第一及第二线圈对应的区域中的等离子体特性)。在一些实施例中，可将功率分配器105并入匹配网络114。在一些实施例中，在功率分配器105之后，RF电流流至RF馈电结构106，在RF馈电结构106处，RF电流被分配到第一RF线圈110与第二RF线圈112。或者，可以将分流的RF电流直接馈送到每个个别的第一与第二RF线圈。
加热器元件121可以设置于盖120的顶部上，以便加热处理腔室104的内部体积。加热器元件121可以设置于盖120及第一线圈110与第二线圈112之间。在一些实施例中，加热器元件121可包括电阻加热元件，并且可以耦接到电源123，如交流电源，交流电源设以提供足够的能量来将加热器元件121的温度控制在介于约50摄氏度至约100摄氏度之间。在一些实施例中，加热器元件121可以是开放的分断加热器。在一些实施例中，加热器元件121可以包含非分断加热器，如环形元件，从而便于在处理腔室104内形成均匀的等离子体。
在操作过程中，可将基板115(如适用于等离子体处理的半导体晶圆或其他基板)放置在基板支座116上，并且可以从气体面板138通过进入端口126供应处理气体，以在处理腔室104内形成气态混合物150。例如，在引入处理气体之前，可以控制腔室内的表面温度，例如，通过上面讨论的加热器121，而使内部容积面对的表面处于约100摄氏度至200摄氏度之间或约150摄氏度的温度。通过从等离子体源108施加功率至第一线圈110与第二线圈112，气态混合物150可以被点燃进入处理腔室104中的等离子体155。在一些实施例中，也可以将来自偏压电源122的功率提供给基板支座116。可以使用节流阀127与真空泵136控制腔室104的内部体积内的压力。可以使用通过壁130的含液体导管(未图示)来控制腔室壁130的温度。
控制器140包含中央处理单元(CPU)144、存储器142以及用于CPU144的支持电路146，而且控制器140便于控制反应器100的组件以及因而便于控制如本文中所讨论的形成等离子体的方法。控制器140可以是任何形式的通用计算机处理器中的一个，这些通用计算机处理器可以用于工业设定中，用于控制各种腔室与子处理器。CPU144的存储器142或计算机可读介质可以是一或多个容易买到的存储器，例如随机存取存储器(RAM)、只读存储器(ROM)、软盘、硬盘或任何其他形式的、位于本地或远端的数字储存器。支持电路146被耦合到CPU144，用于以现有的方式支持处理器。这些电路包括高速缓存、电源、时钟电路、输入/输出电路及子系统以及类似者。存储器142储存软件(源或目标编码)，可以执行或调用这些软件，而以本文中描述的方式控制反应器100的操作。也可以第二CPU(未图示)储存及/或执行软件例程，该第二CPU位于由CPU144控制的硬件的远端。
虽然前述是针对本发明的实施例，但在不偏离本发明的基本范围下仍可以设计本发明的其他与进一步的实施例。

Claims (15)

1.一种基板支座，包含：
第一电极，所述第一电极设置于所述基板支座内并具有周缘及第一表面；
基板支座表面，所述基板支座表面设置于所述第一电极的所述第一表面上方；以及
第二电极，所述第二电极设置于所述基板支座内并径向延伸越过所述第一电极的所述周缘，其中所述第二电极具有第二表面，所述第二表面设置于所述第一电极的所述第一表面周围与上方。
2.如权利要求1所述的基板支座，其特征在于，所述第一电极与第二电极为单一整合电极。
3.如权利要求1所述的基板支座，所述基板支座进一步包含：
介电层，所述介电层位于所述第一电极与所述第二电极之间。
4.如权利要求1所述的基板支座，所述基板支座进一步包含以下之一：
第一电源，所述第一电源与所述第一电极及第二电极耦接，以提供RF能量至所述第一电极与第二电极；或
第一电源以及第二电源，所述第一电源与所述第一电极耦接以提供RF能量至所述第一电极，所述第二电源与所述第二电极耦接以提供RF能量至所述第二电极。
5.如权利要求1所述的基板支座，其特征在于，所述第一电极具有延伸越过所述支座表面的所述周缘的周缘，其中，所述第二电极具有延伸越过所述第一电极的所述周缘的周缘，所述基板支座还包括：设置于所述第一电极的所述周缘周围的介电层、以及设置于所述介电层周围的RF接地层。
6.如权利要求1至5的任一项所述的基板支座，所述基板支座进一步包含：
静电卡盘，所述静电卡盘设置于所述第一电极上方，其中所述静电卡盘的上表面包含所述基板支座表面。
7.如权利要求1至2或4至5的任一项所述的基板支座，其特征在于，所述第二电极进一步包含：
基部，设置于所述第一电极上；以及
径向延伸部分，所述径向延伸部分设置于所述基部顶部并延伸越过所述第一电极的所述周缘。
8.如权利要求6所述的基板支座，其中所述基部与所述径向延伸部分为单一整合电极。
9.如权利要求6所述的基板支座，所述基板支座进一步包含：
第一介电层，所述第一介电层设置于所述第一RF电极的所述周缘的周围；以及
RF接地层，所述RF接地层设置于所述第一介电层周围，其中所述第二RF电极的所述径向延伸部分至少部分位于所述第一介电层上方。
10.如权利要求8所述的基板支座，所述基板支座进一步包含：
边缘环，所述边缘环设置于所述第二电极的所述径向延伸部分上方及邻近处，使得所述边缘环设置于所述第二电极的所述径向延伸部分与所述RF接地层之间。
11.如权利要求1至5的任一项所述的基板支座，其特征在于，所述第一电极进一步包含：
主体，所述主体由导电材料形成并具有数个通道，所述数个通道穿过所述主体设置。
12.如权利要求10所述的基板支座，所述基板支座进一步包含：
热传介质源，所述热传介质源与所述数个通道耦接，以提供热传介质至所述数个通道。
13.如权利要求1至4的任一项所述的基板支座，其特征在于，所述第一电极具有一周缘，且其中，所述第二电极设置于所述第一电极周围并且径向延伸越过所述第一电极的所述周缘，所述基板支座还包括：设置于所述第一电极的所述周缘周围的第一介电层、以及设置于所述第一介电层周围的RF接地层。
14.如权利要求13所述的基板支座，所述基板支座进一步包含：
边缘环，所述边缘环设置于所述第二电极上方及邻近处，使得所述边缘环设置于所述第二电极与所述RF接地层之间。
15.如权利要求13所述的基板支座，所述基板支座进一步包含：
静电卡盘，所述静电卡盘设置于所述第一电极上方，其中所述静电卡盘的上表面包含所述基板支座表面。
CN201280062489.4A 2011-12-15 2012-10-15 用于极度边缘可调性的延伸和独立的射频驱动阴极基板 Active CN104012185B (zh)

Applications Claiming Priority (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201161576324P 2011-12-15 2011-12-15
US61/576,324 2011-12-15
US201261691077P 2012-08-20 2012-08-20
US61/691,077 2012-08-20
US13/651,351 US8988848B2 (en) 2011-12-15 2012-10-12 Extended and independent RF powered cathode substrate for extreme edge tunability
US13/651,351 2012-10-12
PCT/US2012/060314 WO2013089910A1 (en) 2011-12-15 2012-10-15 Extended and independent rf powered cathode substrate for extreme edge tunability

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104012185A true CN104012185A (zh) 2014-08-27
CN104012185B CN104012185B (zh) 2016-08-24

Family

ID=48609328

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201290001108.7U Expired - Lifetime CN204206596U (zh) 2011-12-15 2012-10-15 用于处理腔室的基板支撑件的处理套组环
CN201280062489.4A Active CN104012185B (zh) 2011-12-15 2012-10-15 用于极度边缘可调性的延伸和独立的射频驱动阴极基板

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201290001108.7U Expired - Lifetime CN204206596U (zh) 2011-12-15 2012-10-15 用于处理腔室的基板支撑件的处理套组环

Country Status (5)

Country Link
US (3) US10825708B2 (zh)
KR (6) KR200484428Y1 (zh)
CN (2) CN204206596U (zh)
TW (2) TWM462941U (zh)
WO (2) WO2013089911A1 (zh)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106233450A (zh) * 2015-01-20 2016-12-14 日本碍子株式会社 晶片支承构造体
CN110506326A (zh) * 2017-07-24 2019-11-26 朗姆研究公司 可移动的边缘环设计
CN111108590A (zh) * 2017-09-29 2020-05-05 住友大阪水泥股份有限公司 静电卡盘装置
CN114514794A (zh) * 2019-09-27 2022-05-17 应用材料公司 具有集成温度控制的单片式模块化微波源
US12144090B2 (en) 2022-12-15 2024-11-12 Applied Materials, Inc. Monolithic modular microwave source with integrated temperature control

Families Citing this family (125)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10283321B2 (en) 2011-01-18 2019-05-07 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing system and methods using capacitively coupled plasma
US9947559B2 (en) 2011-10-28 2018-04-17 Applied Materials, Inc. Thermal management of edge ring in semiconductor processing
US10825708B2 (en) 2011-12-15 2020-11-03 Applied Materials, Inc. Process kit components for use with an extended and independent RF powered cathode substrate for extreme edge tunability
US9412579B2 (en) 2012-04-26 2016-08-09 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for controlling substrate uniformity
US9132436B2 (en) 2012-09-21 2015-09-15 Applied Materials, Inc. Chemical control features in wafer process equipment
US10256079B2 (en) 2013-02-08 2019-04-09 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing systems having multiple plasma configurations
US9362130B2 (en) 2013-03-01 2016-06-07 Applied Materials, Inc. Enhanced etching processes using remote plasma sources
US9768052B2 (en) * 2013-03-14 2017-09-19 Applied Materials, Inc. Minimal contact edge ring for rapid thermal processing
WO2014209492A1 (en) * 2013-06-26 2014-12-31 Applied Materials, Inc. Single ring design for high yield, substrate extreme edge defect reduction in icp plasma processing chamber
US9309598B2 (en) 2014-05-28 2016-04-12 Applied Materials, Inc. Oxide and metal removal
US9873180B2 (en) 2014-10-17 2018-01-23 Applied Materials, Inc. CMP pad construction with composite material properties using additive manufacturing processes
US9355922B2 (en) 2014-10-14 2016-05-31 Applied Materials, Inc. Systems and methods for internal surface conditioning in plasma processing equipment
US9966240B2 (en) 2014-10-14 2018-05-08 Applied Materials, Inc. Systems and methods for internal surface conditioning assessment in plasma processing equipment
WO2016060712A1 (en) 2014-10-17 2016-04-21 Applied Materials, Inc. Cmp pad construction with composite material properties using additive manufacturing processes
US10875153B2 (en) 2014-10-17 2020-12-29 Applied Materials, Inc. Advanced polishing pad materials and formulations
US9776361B2 (en) 2014-10-17 2017-10-03 Applied Materials, Inc. Polishing articles and integrated system and methods for manufacturing chemical mechanical polishing articles
US11745302B2 (en) 2014-10-17 2023-09-05 Applied Materials, Inc. Methods and precursor formulations for forming advanced polishing pads by use of an additive manufacturing process
US11637002B2 (en) * 2014-11-26 2023-04-25 Applied Materials, Inc. Methods and systems to enhance process uniformity
US10224210B2 (en) 2014-12-09 2019-03-05 Applied Materials, Inc. Plasma processing system with direct outlet toroidal plasma source
US10573496B2 (en) 2014-12-09 2020-02-25 Applied Materials, Inc. Direct outlet toroidal plasma source
US11257693B2 (en) 2015-01-09 2022-02-22 Applied Materials, Inc. Methods and systems to improve pedestal temperature control
US10658222B2 (en) 2015-01-16 2020-05-19 Lam Research Corporation Moveable edge coupling ring for edge process control during semiconductor wafer processing
US20160225652A1 (en) 2015-02-03 2016-08-04 Applied Materials, Inc. Low temperature chuck for plasma processing systems
KR102421346B1 (ko) * 2015-04-20 2022-07-15 삼성전자주식회사 플라즈마 장비
US10017857B2 (en) 2015-05-02 2018-07-10 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for controlling plasma near the edge of a substrate
US9691645B2 (en) 2015-08-06 2017-06-27 Applied Materials, Inc. Bolted wafer chuck thermal management systems and methods for wafer processing systems
US9741593B2 (en) 2015-08-06 2017-08-22 Applied Materials, Inc. Thermal management systems and methods for wafer processing systems
US9349605B1 (en) 2015-08-07 2016-05-24 Applied Materials, Inc. Oxide etch selectivity systems and methods
US10504700B2 (en) 2015-08-27 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Plasma etching systems and methods with secondary plasma injection
US10593574B2 (en) 2015-11-06 2020-03-17 Applied Materials, Inc. Techniques for combining CMP process tracking data with 3D printed CMP consumables
US10109464B2 (en) 2016-01-11 2018-10-23 Applied Materials, Inc. Minimization of ring erosion during plasma processes
US10391605B2 (en) 2016-01-19 2019-08-27 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for forming porous advanced polishing pads using an additive manufacturing process
US10685862B2 (en) * 2016-01-22 2020-06-16 Applied Materials, Inc. Controlling the RF amplitude of an edge ring of a capacitively coupled plasma process device
WO2017131927A1 (en) * 2016-01-26 2017-08-03 Applied Materials, Inc. Wafer edge ring lifting solution
CN116110846A (zh) 2016-01-26 2023-05-12 应用材料公司 晶片边缘环升降解决方案
JP3210105U (ja) 2016-03-04 2017-04-27 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ ユニバーサルプロセスキット
KR102073799B1 (ko) * 2016-05-09 2020-02-05 가부시키가이샤 알박 정전 척 및 플라즈마 처리 장치
US10504754B2 (en) 2016-05-19 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection
US10522371B2 (en) 2016-05-19 2019-12-31 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection
US9865484B1 (en) 2016-06-29 2018-01-09 Applied Materials, Inc. Selective etch using material modification and RF pulsing
US10283330B2 (en) * 2016-07-25 2019-05-07 Lam Research Corporation Systems and methods for achieving a pre-determined factor associated with an edge region within a plasma chamber by synchronizing main and edge RF generators
US10629473B2 (en) 2016-09-09 2020-04-21 Applied Materials, Inc. Footing removal for nitride spacer
US10546729B2 (en) 2016-10-04 2020-01-28 Applied Materials, Inc. Dual-channel showerhead with improved profile
US9934942B1 (en) 2016-10-04 2018-04-03 Applied Materials, Inc. Chamber with flow-through source
US10062579B2 (en) 2016-10-07 2018-08-28 Applied Materials, Inc. Selective SiN lateral recess
US10163696B2 (en) 2016-11-11 2018-12-25 Applied Materials, Inc. Selective cobalt removal for bottom up gapfill
US9768034B1 (en) 2016-11-11 2017-09-19 Applied Materials, Inc. Removal methods for high aspect ratio structures
US10242908B2 (en) 2016-11-14 2019-03-26 Applied Materials, Inc. Airgap formation with damage-free copper
US10026621B2 (en) 2016-11-14 2018-07-17 Applied Materials, Inc. SiN spacer profile patterning
US9947517B1 (en) 2016-12-16 2018-04-17 Applied Materials, Inc. Adjustable extended electrode for edge uniformity control
US10566206B2 (en) 2016-12-27 2020-02-18 Applied Materials, Inc. Systems and methods for anisotropic material breakthrough
US10553404B2 (en) 2017-02-01 2020-02-04 Applied Materials, Inc. Adjustable extended electrode for edge uniformity control
US10431429B2 (en) 2017-02-03 2019-10-01 Applied Materials, Inc. Systems and methods for radial and azimuthal control of plasma uniformity
US10403507B2 (en) 2017-02-03 2019-09-03 Applied Materials, Inc. Shaped etch profile with oxidation
US10319739B2 (en) 2017-02-08 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Accommodating imperfectly aligned memory holes
US11702748B2 (en) * 2017-03-03 2023-07-18 Lam Research Corporation Wafer level uniformity control in remote plasma film deposition
US10943834B2 (en) 2017-03-13 2021-03-09 Applied Materials, Inc. Replacement contact process
JP2020516770A (ja) 2017-04-07 2020-06-11 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 基板端部上のプラズマ密度制御
US10319649B2 (en) 2017-04-11 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Optical emission spectroscopy (OES) for remote plasma monitoring
US11276559B2 (en) 2017-05-17 2022-03-15 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber for multiple precursor flow
US11276590B2 (en) 2017-05-17 2022-03-15 Applied Materials, Inc. Multi-zone semiconductor substrate supports
US10497579B2 (en) 2017-05-31 2019-12-03 Applied Materials, Inc. Water-free etching methods
US10920320B2 (en) 2017-06-16 2021-02-16 Applied Materials, Inc. Plasma health determination in semiconductor substrate processing reactors
US10541246B2 (en) 2017-06-26 2020-01-21 Applied Materials, Inc. 3D flash memory cells which discourage cross-cell electrical tunneling
US10727080B2 (en) 2017-07-07 2020-07-28 Applied Materials, Inc. Tantalum-containing material removal
US10541184B2 (en) 2017-07-11 2020-01-21 Applied Materials, Inc. Optical emission spectroscopic techniques for monitoring etching
US10354889B2 (en) 2017-07-17 2019-07-16 Applied Materials, Inc. Non-halogen etching of silicon-containing materials
US11471999B2 (en) 2017-07-26 2022-10-18 Applied Materials, Inc. Integrated abrasive polishing pads and manufacturing methods
US10170336B1 (en) 2017-08-04 2019-01-01 Applied Materials, Inc. Methods for anisotropic control of selective silicon removal
US10043674B1 (en) 2017-08-04 2018-08-07 Applied Materials, Inc. Germanium etching systems and methods
US10297458B2 (en) 2017-08-07 2019-05-21 Applied Materials, Inc. Process window widening using coated parts in plasma etch processes
US11075105B2 (en) 2017-09-21 2021-07-27 Applied Materials, Inc. In-situ apparatus for semiconductor process module
US10128086B1 (en) 2017-10-24 2018-11-13 Applied Materials, Inc. Silicon pretreatment for nitride removal
US10283324B1 (en) 2017-10-24 2019-05-07 Applied Materials, Inc. Oxygen treatment for nitride etching
US10424487B2 (en) 2017-10-24 2019-09-24 Applied Materials, Inc. Atomic layer etching processes
US10256112B1 (en) 2017-12-08 2019-04-09 Applied Materials, Inc. Selective tungsten removal
US10903054B2 (en) 2017-12-19 2021-01-26 Applied Materials, Inc. Multi-zone gas distribution systems and methods
US11043400B2 (en) 2017-12-21 2021-06-22 Applied Materials, Inc. Movable and removable process kit
US11328909B2 (en) 2017-12-22 2022-05-10 Applied Materials, Inc. Chamber conditioning and removal processes
US10854426B2 (en) 2018-01-08 2020-12-01 Applied Materials, Inc. Metal recess for semiconductor structures
US11387134B2 (en) * 2018-01-19 2022-07-12 Applied Materials, Inc. Process kit for a substrate support
US20220344134A1 (en) * 2018-01-19 2022-10-27 Applied Materials, Inc. Process kit for a substrate support
US10964512B2 (en) 2018-02-15 2021-03-30 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus and methods
US10679870B2 (en) 2018-02-15 2020-06-09 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus
TWI766433B (zh) 2018-02-28 2022-06-01 美商應用材料股份有限公司 形成氣隙的系統及方法
US10593560B2 (en) 2018-03-01 2020-03-17 Applied Materials, Inc. Magnetic induction plasma source for semiconductor processes and equipment
US10319600B1 (en) 2018-03-12 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Thermal silicon etch
US10497573B2 (en) 2018-03-13 2019-12-03 Applied Materials, Inc. Selective atomic layer etching of semiconductor materials
JP7122551B2 (ja) * 2018-03-16 2022-08-22 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 プラズマ処理装置
US10573527B2 (en) 2018-04-06 2020-02-25 Applied Materials, Inc. Gas-phase selective etching systems and methods
US10490406B2 (en) 2018-04-10 2019-11-26 Appled Materials, Inc. Systems and methods for material breakthrough
US10699879B2 (en) 2018-04-17 2020-06-30 Applied Materials, Inc. Two piece electrode assembly with gap for plasma control
US10886137B2 (en) 2018-04-30 2021-01-05 Applied Materials, Inc. Selective nitride removal
US11201037B2 (en) 2018-05-28 2021-12-14 Applied Materials, Inc. Process kit with adjustable tuning ring for edge uniformity control
US11935773B2 (en) 2018-06-14 2024-03-19 Applied Materials, Inc. Calibration jig and calibration method
US10755941B2 (en) 2018-07-06 2020-08-25 Applied Materials, Inc. Self-limiting selective etching systems and methods
US10872778B2 (en) 2018-07-06 2020-12-22 Applied Materials, Inc. Systems and methods utilizing solid-phase etchants
US10672642B2 (en) 2018-07-24 2020-06-02 Applied Materials, Inc. Systems and methods for pedestal configuration
KR20210042171A (ko) 2018-09-04 2021-04-16 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 진보한 폴리싱 패드들을 위한 제형들
US11049755B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Applied Materials, Inc. Semiconductor substrate supports with embedded RF shield
US10892198B2 (en) 2018-09-14 2021-01-12 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved performance in semiconductor processing
US11062887B2 (en) 2018-09-17 2021-07-13 Applied Materials, Inc. High temperature RF heater pedestals
US11417534B2 (en) 2018-09-21 2022-08-16 Applied Materials, Inc. Selective material removal
US11682560B2 (en) 2018-10-11 2023-06-20 Applied Materials, Inc. Systems and methods for hafnium-containing film removal
US11121002B2 (en) 2018-10-24 2021-09-14 Applied Materials, Inc. Systems and methods for etching metals and metal derivatives
US11289310B2 (en) * 2018-11-21 2022-03-29 Applied Materials, Inc. Circuits for edge ring control in shaped DC pulsed plasma process device
US11437242B2 (en) 2018-11-27 2022-09-06 Applied Materials, Inc. Selective removal of silicon-containing materials
US11282729B2 (en) * 2018-12-27 2022-03-22 Areesys Technologies, Inc. Method and apparatus for poling polymer thin films
US11721527B2 (en) 2019-01-07 2023-08-08 Applied Materials, Inc. Processing chamber mixing systems
US11361947B2 (en) * 2019-01-09 2022-06-14 Tokyo Electron Limited Apparatus for plasma processing and method of etching
US10920319B2 (en) 2019-01-11 2021-02-16 Applied Materials, Inc. Ceramic showerheads with conductive electrodes
US10784089B2 (en) 2019-02-01 2020-09-22 Applied Materials, Inc. Temperature and bias control of edge ring
US11101115B2 (en) 2019-04-19 2021-08-24 Applied Materials, Inc. Ring removal from processing chamber
US12009236B2 (en) 2019-04-22 2024-06-11 Applied Materials, Inc. Sensors and system for in-situ edge ring erosion monitor
JP7333712B2 (ja) * 2019-06-05 2023-08-25 東京エレクトロン株式会社 静電チャック、支持台及びプラズマ処理装置
US11424096B2 (en) * 2019-11-05 2022-08-23 Applied Materials, Inc. Temperature controlled secondary electrode for ion control at substrate edge
JP7361588B2 (ja) * 2019-12-16 2023-10-16 東京エレクトロン株式会社 エッジリング及び基板処理装置
US11492697B2 (en) * 2020-06-22 2022-11-08 Applied Materials, Inc. Apparatus for improved anode-cathode ratio for rf chambers
CN112331607B (zh) * 2020-10-28 2024-03-26 北京北方华创微电子装备有限公司 静电卡盘及半导体工艺设备
US12112971B2 (en) 2021-03-12 2024-10-08 Applied Materials, Inc. Multi-zone semiconductor substrate supports
KR20230089098A (ko) 2021-12-13 2023-06-20 조윤정 드레싱 디스펜서
KR102706087B1 (ko) 2022-01-17 2024-09-12 조윤정 드레싱 디스펜서
KR20230121239A (ko) 2022-02-11 2023-08-18 나일수 양면 거치구
WO2024015187A1 (en) * 2022-07-11 2024-01-18 Applied Materials, Inc. Process kit for a substrate support
US20240064888A1 (en) * 2022-08-17 2024-02-22 Applied Materials, Inc. Resonator, linear accelerator, and ion implanter having dielectric-free resonator chamber

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5103367A (en) * 1987-05-06 1992-04-07 Unisearch Limited Electrostatic chuck using A.C. field excitation
JPH05206072A (ja) * 1991-06-27 1993-08-13 Applied Materials Inc 誘導ｒｆ結合を用いたプラズマ加工装置とその方法
US6149730A (en) * 1997-10-08 2000-11-21 Nec Corporation Apparatus for forming films of a semiconductor device, a method of manufacturing a semiconductor device, and a method of forming thin films of a semiconductor
US20020139478A1 (en) * 2001-04-03 2002-10-03 Shawming Ma Conductive collar surrounding semiconductor workpiece in plasma chamber
US20030037880A1 (en) * 2000-11-01 2003-02-27 Applied Materials, Inc. Dielectric etch chamber with expanded process window
CN1745463A (zh) * 2003-02-03 2006-03-08 日本奥特克株式会社 等离子体处理装置和等离子体处理装置用的电极板和电极板制造方法
WO2007019049A2 (en) * 2005-08-08 2007-02-15 Lam Research Corporation Edge ring assembly with dielectric spacer ring
US20100326601A1 (en) * 1999-05-06 2010-12-30 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020004309A1 (en) 1990-07-31 2002-01-10 Kenneth S. Collins Processes used in an inductively coupled plasma reactor
TW304626U (en) * 1996-06-26 1997-05-01 United Microelectronics Corp Ceramic ring structure to guide the chip to slide down to the bottom electrode in a dry etcher
US6039836A (en) 1997-12-19 2000-03-21 Lam Research Corporation Focus rings
KR100292410B1 (ko) 1998-09-23 2001-06-01 윤종용 불순물 오염이 억제된 반도체 제조용 반응 챔버
US6232236B1 (en) 1999-08-03 2001-05-15 Applied Materials, Inc. Apparatus and method for controlling plasma uniformity in a semiconductor wafer processing system
JP4472372B2 (ja) 2003-02-03 2010-06-02 株式会社オクテック プラズマ処理装置及びプラズマ処理装置用の電極板
US20080289766A1 (en) * 2007-05-22 2008-11-27 Samsung Austin Semiconductor Lp Hot edge ring apparatus and method for increased etch rate uniformity and reduced polymer buildup
US7758764B2 (en) 2007-06-28 2010-07-20 Lam Research Corporation Methods and apparatus for substrate processing
US8198567B2 (en) 2008-01-15 2012-06-12 Applied Materials, Inc. High temperature vacuum chuck assembly
US20140034239A1 (en) 2008-07-23 2014-02-06 Applied Materials, Inc. Differential counter electrode tuning in a plasma reactor with an rf-driven workpiece support electrode
US8734664B2 (en) 2008-07-23 2014-05-27 Applied Materials, Inc. Method of differential counter electrode tuning in an RF plasma reactor
US20140069584A1 (en) 2008-07-23 2014-03-13 Applied Materials, Inc. Differential counter electrode tuning in a plasma reactor with an rf-driven ceiling electrode
US8287650B2 (en) * 2008-09-10 2012-10-16 Applied Materials, Inc. Low sloped edge ring for plasma processing chamber
US20110097901A1 (en) 2009-10-26 2011-04-28 Applied Materials, Inc. Dual mode inductively coupled plasma reactor with adjustable phase coil assembly
US20110094994A1 (en) 2009-10-26 2011-04-28 Applied Materials, Inc. Inductively coupled plasma apparatus
DE202010014805U1 (de) 2009-11-02 2011-02-17 Lam Research Corporation (Delaware Corporation) Heissrandring mit geneigter oberer Oberfläche
US20130107415A1 (en) 2011-10-28 2013-05-02 Applied Materials, Inc. Electrostatic chuck
US10825708B2 (en) 2011-12-15 2020-11-03 Applied Materials, Inc. Process kit components for use with an extended and independent RF powered cathode substrate for extreme edge tunability
US9412579B2 (en) 2012-04-26 2016-08-09 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for controlling substrate uniformity

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5103367A (en) * 1987-05-06 1992-04-07 Unisearch Limited Electrostatic chuck using A.C. field excitation
JPH05206072A (ja) * 1991-06-27 1993-08-13 Applied Materials Inc 誘導ｒｆ結合を用いたプラズマ加工装置とその方法
US6149730A (en) * 1997-10-08 2000-11-21 Nec Corporation Apparatus for forming films of a semiconductor device, a method of manufacturing a semiconductor device, and a method of forming thin films of a semiconductor
US20100326601A1 (en) * 1999-05-06 2010-12-30 Tokyo Electron Limited Plasma processing apparatus
US20030037880A1 (en) * 2000-11-01 2003-02-27 Applied Materials, Inc. Dielectric etch chamber with expanded process window
US20020139478A1 (en) * 2001-04-03 2002-10-03 Shawming Ma Conductive collar surrounding semiconductor workpiece in plasma chamber
CN1745463A (zh) * 2003-02-03 2006-03-08 日本奥特克株式会社 等离子体处理装置和等离子体处理装置用的电极板和电极板制造方法
WO2007019049A2 (en) * 2005-08-08 2007-02-15 Lam Research Corporation Edge ring assembly with dielectric spacer ring

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106233450A (zh) * 2015-01-20 2016-12-14 日本碍子株式会社 晶片支承构造体
CN106233450B (zh) * 2015-01-20 2018-12-28 日本碍子株式会社 晶片支承构造体
US10332774B2 (en) 2015-01-20 2019-06-25 Ngk Insulators, Ltd. Wafer support structure
CN110506326A (zh) * 2017-07-24 2019-11-26 朗姆研究公司 可移动的边缘环设计
CN110506326B (zh) * 2017-07-24 2024-03-19 朗姆研究公司 可移动的边缘环设计
CN111108590A (zh) * 2017-09-29 2020-05-05 住友大阪水泥股份有限公司 静电卡盘装置
CN111108590B (zh) * 2017-09-29 2023-11-24 住友大阪水泥股份有限公司 静电卡盘装置
CN114514794A (zh) * 2019-09-27 2022-05-17 应用材料公司 具有集成温度控制的单片式模块化微波源
CN114514794B (zh) * 2019-09-27 2024-05-10 应用材料公司 具有集成温度控制的单片式模块化微波源
US12144090B2 (en) 2022-12-15 2024-11-12 Applied Materials, Inc. Monolithic modular microwave source with integrated temperature control

Also Published As

Publication number Publication date
TWI553773B (zh) 2016-10-11
WO2013089911A1 (en) 2013-06-20
KR200491576Y1 (ko) 2020-04-29
KR200491575Y1 (ko) 2020-04-29
WO2013089910A1 (en) 2013-06-20
KR102023679B1 (ko) 2019-09-20
KR20180002631U (ko) 2018-09-04
KR20140101870A (ko) 2014-08-20
US20130155568A1 (en) 2013-06-20
KR200484428Y1 (ko) 2017-09-05
CN204206596U (zh) 2015-03-11
US20130154175A1 (en) 2013-06-20
KR200490164Y1 (ko) 2019-10-04
TWM462941U (zh) 2013-10-01
TW201324674A (zh) 2013-06-16
KR20190002504U (ko) 2019-10-08
KR20170003223U (ko) 2017-09-15
US10825708B2 (en) 2020-11-03
KR20190002689U (ko) 2019-10-28
US8988848B2 (en) 2015-03-24
KR200487340Y1 (ko) 2018-09-05
US20190221463A1 (en) 2019-07-18
CN104012185B (zh) 2016-08-24
KR20140004718U (ko) 2014-08-19

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104012185A (zh) 用于极度边缘可调性的延伸和独立的射频驱动阴极基板
CN206758401U (zh) 控制电容耦合等离子体工艺设备的边缘环的射频振幅
CN106449503B (zh) 陶瓷加热器和具有增强的晶片边缘性能的esc
CN102067737B (zh) 具有不同高度的内外电极的阴极
JP7382329B2 (ja) 基板支持体のためのプロセスキット
CN106463449A (zh) 具有凸起的顶板及冷却通道的静电夹盘
TWI831061B (zh) 高溫雙極靜電卡盤
TW202123378A (zh) 具有改善的高溫吸附的半導體基板支撐件
US20220130704A1 (en) Bipolar electrostatic chuck to limit dc discharge
US20240249924A1 (en) Bipolar electrostatic chuck electrode designs
TW202433663A (zh) 高溫雙極靜電卡盤
WO2024015187A1 (en) Process kit for a substrate support
JP2023546602A (ja) 電極の調整によるハードマスクの調節
TW202225451A (zh) 以介電陳化膜陳化靜電夾盤的系統與方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant