Nothing Special   »   [go: up one dir, main page]

CN104009122B - 一种丝网印刷返工硅片的处理方法 - Google Patents

一种丝网印刷返工硅片的处理方法 Download PDF

Info

Publication number
CN104009122B
CN104009122B CN201410224668.4A CN201410224668A CN104009122B CN 104009122 B CN104009122 B CN 104009122B CN 201410224668 A CN201410224668 A CN 201410224668A CN 104009122 B CN104009122 B CN 104009122B
Authority
CN
China
Prior art keywords
silicon chip
over again
processing method
serigraphy
doing over
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN201410224668.4A
Other languages
English (en)
Other versions
CN104009122A (zh
Inventor
陈同银
刘仁中
张斌
邢国强
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Altusvia Energy Taicang Co Ltd
Original Assignee
Altusvia Energy Taicang Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Altusvia Energy Taicang Co Ltd filed Critical Altusvia Energy Taicang Co Ltd
Priority to CN201410224668.4A priority Critical patent/CN104009122B/zh
Publication of CN104009122A publication Critical patent/CN104009122A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN104009122B publication Critical patent/CN104009122B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H01L31/1804
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02002Preparing wafers
    • H01L21/02005Preparing bulk and homogeneous wafers
    • H01L21/02032Preparing bulk and homogeneous wafers by reclaiming or re-processing
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02EREDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/547Monocrystalline silicon PV cells
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)

Abstract

本发明公开了一种丝网印刷返工硅片的处理方法,本发明能够有效去除硅片表面粘附的金属银浆或铝浆浆料,确保硅片表面的洁净度,防止金属浆料使电池片漏电严重,本发明将丝网印刷工序中返工硅片的失效片比例由25%降低到了2%,提高返工片处理的成品率,提高了产品良率。

Description

一种丝网印刷返工硅片的处理方法
技术领域
本发明涉及一种硅片处理方法,具体涉及一种光伏电池丝网印刷返工硅片的处理方法。
背景技术
现有技术中,太阳能电池的一般制作流程为制绒、扩散、边缘刻蚀、去磷硅玻璃、PECVD镀膜、丝网印刷、烧结、测试,该制作流程中的丝网印刷工序为在硅片上下表面分别刷上银浆和铝浆,形成电极起到收集电流的作用,在光伏电池的丝网印刷过程中,由于机械、浆料以及人为因素等原因容易造成印刷不良率过高,印刷不良品如果不进行处理而直接进行太阳能电池片制作,会导致制成的太阳能电池外观或者电性能参数异常,甚至导致太阳能电池片失效,从而影响最终产片的合格率以及其工作效率。
目前,针对丝网印刷工序常用的返工方法为:采用有机溶剂手工擦拭异常硅片表面的金属浆料,之后再对硅片表面进行重新印刷。这种方法是利用有机溶剂具有溶解有机物的能力,达到溶解硅片表面印刷的金属浆料的目的,但由于硅片表面和侧面凹凸不平,采用手工擦拭,极易导致硅片表面和侧面细小凹坑内的金属浆料不能够被完全去除,效果不佳,且需要大量人力,工作效率不高。
故,需要一种新的技术方案以解决上述问题。
发明内容
发明目的:针对上述现有技术存在的问题和不足,本发明的目的是提供一种光伏电池丝网印刷返工硅片的处理方法,应用于清洗丝网印刷返工硅片表面残留的金属浆料,有效提高太阳能电池片良率。
技术方案:为实现上述发明目的,本发明采用的技术方案为一种丝网印刷返工硅片的处理方法,包括以下步骤:
a.用有机溶剂对硅片表面印刷的金属浆料进行均匀的擦拭;
b.将步骤a中擦拭后的硅片放入混酸溶液中清洗;
c.将步骤b中清洗过的硅片放入超纯水中进行冲洗;
d.将步骤c中冲洗后的硅片进行超纯水中进行喷淋水洗;
e.将喷淋水洗后的硅片烘干;
f.烘干后的硅片重新进行丝网印刷;
其中步骤c,步骤d可重复多次进行。
作为本发明进一步的优化,所述步骤a中的有机溶剂包括酒精、松油醇或异丙酮。
作为本发明的进一步优化,所述步骤a中的金属浆料包括银铝浆、银浆或铝浆。
作为本发明的进一步优化,所述步骤b中的混酸溶液由盐酸、硝酸和水混合而成,混酸中盐酸的质量百分浓度为3-20%,硝酸的质量百分浓度为15-55%,盐酸和硝酸的质量百分浓度之和不大于65%。
作为本发明的进一步优化,所述步骤b中将硅片放入混酸溶液中清洗3-20min,混酸溶液的温度为8-45℃。
作为本发明的进一步优化,所述步骤c中硅片放入超纯水冲洗2-7min。
作为本发明的进一步优化,所述步骤d中硅片放入超纯水喷淋水洗2-5min。
作为本发明的进一步优化,所述步骤e中将喷淋水洗后的硅片放入烤箱中烘干8-25min,烤箱温度控制在80-110℃。
有益效果:本发明与现有技术相比,其优点为:本发明能够有效去除硅片表面粘附的金属银浆或铝浆浆料,确保硅片表面的洁净度,防止金属浆料使电池片漏电严重,本发明将丝网印刷工序中返工硅片的失效片比例由25%降低到了2%,提高返工片处理的成品率,提高了产品良率,本处理方法步骤简单,操作方便,成本小。
具体实施方式
下面结合具体实施例,进一步阐明本发明,应理解这些实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围,在阅读了本发明之后,本领域技术人员对本发明的各种等价形式的修改均落于本申请所附权利要求所限定的范围。
实施例1:
用酒精对返工硅片表面的金属浆料进行均匀地适度擦拭,将质量百分浓度为37%的HCl、质量百分浓度为69%的HNO3和水按照质量比为8:80:12均匀混合得到混酸溶液,得到的混酸溶液中盐酸质量百分浓度为3%,硝酸质量百分浓度为55%,将擦拭后的硅片放入混酸溶液中进行清洗,清洗时间为3分钟,溶液温度控制为45℃,将被混酸溶液清洗过的硅片放入超纯水(≥18MΩ)中进行第一次冲洗,时间为2分钟,将第一次冲洗后的硅片放入超纯水(≥18MΩ)中进行第二次喷淋水洗,时间为5分钟,将水洗后的硅片放入烘箱烘干8分钟,烘箱温度控制在110摄氏度,对烘干后的硅片重新进行丝网印刷制做电池片。
经过上述步骤加工处理后的硅片失效率在1%上下。
实施例2:
用松油醇对硅片表面的的金属浆料进行均匀适度擦拭,将质量百分浓度为37%的HCl、质量百分浓度为69%的HNO3和水按照质量比为68:22:10均匀混合得到混酸溶液,得到的混酸溶液中盐酸质量百分浓度为25%,硝酸质量百分浓度为15%,将擦拭后的硅片放入混酸溶液中进行清洗,清洗时间控制在20分钟,溶液温度为8℃,将被混酸溶液清洗过的硅片放入超纯水(≥18MΩ)中进行冲洗,时间为7分钟,将冲洗后的硅片放入超纯水(≥18MΩ)中进行第二次喷淋水洗,时间为2分钟,将水洗后的硅片放入烘箱烘干25分钟,烘箱温度为80℃,对烘干后的硅片重新进行丝网印刷制做电池片。
经过上述步骤加工处理后的硅片失效率在2%上下。
实施例3:
用异丙醇对硅片表面的金属浆料进行均匀适度擦拭,将质量百分浓度为37%的HCl、质量百分浓度为69%的HNO3和水按照质量比为38:51:11均匀混合得到混酸溶液,得到的混酸溶液中盐酸质量百分浓度为14%的HCl和硝酸质量百分浓度为35%,将擦拭后的硅片放入混酸溶液中进行清洗,清洗时间为12分钟,溶液温度为26度,将被混酸溶液清洗过的硅片放入超纯水(≥18MΩ)中进行冲洗,时间为4分钟,将第一次冲洗后的硅片放入超纯水(≥18MΩ)中进行第二次喷淋水洗,时间为3分钟,将水洗后的硅片放入烘箱烘干15分钟,烘箱温度为95度,对烘干后的硅片重新进行丝网印刷制做电池片。
经过上述步骤加工处理后的硅片失效率在1.5%上下。

Claims (7)

1.一种丝网印刷返工硅片的处理方法,其特征在于:采用如下步骤:
a.用有机溶剂对硅片表面印刷的金属浆料进行均匀的擦拭;
b.将步骤a中擦拭后的硅片放入混酸溶液中清洗;
c.将步骤b中清洗过的硅片放入超纯水中进行冲洗;
d.将步骤c中冲洗后的硅片放入超纯水中进行喷淋水洗;
e.将喷淋水洗后的硅片烘干;
f.烘干后的硅片重新进行丝网印刷;
其中步骤c,步骤d可重复多次进行;所述步骤b中的混酸溶液由由盐酸、硝酸和水混合而成,混酸溶液中盐酸的质量百分比浓度为3-20%,硝酸的质量百分比浓度为15-55%,盐酸和硝酸的质量百分比浓度之和不大于超过65%,,混酸溶液的温度为8-45℃。
2.根据权利要求1所述的一种丝网印刷返工硅片的处理方法,其特征在于:所述步骤a中的有机溶剂包括酒精、松油醇或异丙酮。
3.根据权利要求1所述的一种丝网印刷返工硅片的处理方法,其特征在于:所述步骤a中的金属浆料包括银铝浆、银浆或铝浆。
4.根据权利要求1所述的一种丝网印刷返工硅片的处理方法,其特征在于:所述步骤b中将硅片放入混酸溶液中清洗3-20min。
5.根据权利要求1所述的一种丝网印刷返工硅片的处理方法,其特征在于:所述步骤c中硅片放入超纯水冲洗2-7min。
6.根据权利要求1所述的一种丝网印刷返工硅片的处理方法,其特征在于:所述步骤d中硅片放入超纯水喷淋水洗2-5min。
7.根据权利要求1所述的一种丝网印刷返工硅片的处理方法,其特征在于:所述步骤e中将喷淋水洗后的硅片放入烤箱中烘干8-25min,烤箱温度控制在80-110℃。
CN201410224668.4A 2014-05-26 2014-05-26 一种丝网印刷返工硅片的处理方法 Expired - Fee Related CN104009122B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410224668.4A CN104009122B (zh) 2014-05-26 2014-05-26 一种丝网印刷返工硅片的处理方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410224668.4A CN104009122B (zh) 2014-05-26 2014-05-26 一种丝网印刷返工硅片的处理方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104009122A CN104009122A (zh) 2014-08-27
CN104009122B true CN104009122B (zh) 2016-05-18

Family

ID=51369703

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410224668.4A Expired - Fee Related CN104009122B (zh) 2014-05-26 2014-05-26 一种丝网印刷返工硅片的处理方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN104009122B (zh)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104465865B (zh) * 2014-11-10 2017-08-01 海南英利新能源有限公司 电池片生产过程中印刷不良品表面处理方法及电池片的生产方法
CN104752166A (zh) * 2015-02-26 2015-07-01 南昌大学 一种用于多晶硅片扩散前清洗的方法
CN106992226A (zh) * 2017-04-11 2017-07-28 东方日升新能源股份有限公司 一种丝网印刷不良电池片的返工方法
CN107731962B (zh) * 2017-10-23 2019-05-14 英利能源(中国)有限公司 一种太阳能电池印刷返工品处理方法
CN109449253A (zh) * 2018-12-03 2019-03-08 江苏中宇光伏科技有限公司 一种太阳能电池片栅线硫化处理工艺
CN109616531A (zh) * 2018-12-03 2019-04-12 江苏中宇光伏科技有限公司 一种太阳能电池片生产中硅片的印刷工艺
CN109755352A (zh) * 2019-01-24 2019-05-14 浙江正泰太阳能科技有限公司 一种丝网印刷不良片的表面处理方法及返工方法
CN112768553B (zh) * 2020-12-30 2023-05-02 横店集团东磁股份有限公司 一种丝网印刷返工片的清洗方法
CN115360269A (zh) * 2022-09-06 2022-11-18 滁州捷泰新能源科技有限公司 一种丝网印刷异常硅片的处理方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102306683A (zh) * 2011-09-09 2012-01-04 浙江嘉毅能源科技有限公司 一种经丝网印刷后返工硅片的处理方法
CN102544241A (zh) * 2012-03-19 2012-07-04 泰州德通电气有限公司 一种硅太阳能电池片还原成硅片的方法
CN103779444A (zh) * 2014-01-23 2014-05-07 海南英利新能源有限公司 不合格电池片的栅线脱落原因分析方法及再利用方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102306683A (zh) * 2011-09-09 2012-01-04 浙江嘉毅能源科技有限公司 一种经丝网印刷后返工硅片的处理方法
CN102544241A (zh) * 2012-03-19 2012-07-04 泰州德通电气有限公司 一种硅太阳能电池片还原成硅片的方法
CN103779444A (zh) * 2014-01-23 2014-05-07 海南英利新能源有限公司 不合格电池片的栅线脱落原因分析方法及再利用方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN104009122A (zh) 2014-08-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104009122B (zh) 一种丝网印刷返工硅片的处理方法
CN102074617B (zh) 一种丝网印刷返工硅片的处理方法
CN104393118B (zh) 将制绒与清洗分步进行的晶硅太阳能电池湿化学处理方法
CN102154711A (zh) 一种单晶硅清洗液及预清洗工艺
CN103464415B (zh) 太阳能单晶硅片清洗液及清洗方法
CN103400890A (zh) 一种晶硅太阳电池pecvd色差片去膜重镀的返工工艺
CN102634800A (zh) 一种晶体硅太阳能电池较难清洗返工片的清洗方法
CN104485388A (zh) 一种晶硅太阳能电池pecvd镀膜后不良片的返工方法
CN103449731A (zh) 一种提升熔石英光学元件损伤阈值的方法
CN102842652A (zh) 硅片的制绒酸洗的方法
CN110416064B (zh) 一种去除硅片油污的方法
CN102437234A (zh) 一种太阳能电池片印刷返工次品的处理方法
CN103480598A (zh) 一种用于制备高效太阳电池的硅片清洗方法及清洗设备
CN106409977B (zh) 一种太阳能电池硅片的清洗方法、太阳能电池的制备方法
CN103606595B (zh) 烧结后不合格单晶硅电池片的再利用及其栅线回收方法
CN103887369A (zh) 一种硅片镀膜色差片的返工方法
CN102151669A (zh) 太阳能硅电池镀膜片碎料的处理方法
CN109686651A (zh) 太阳能电池的臭氧清洗方法
CN104201244B (zh) 一种晶体硅太阳能电池片丝网印刷后次品返工方法
CN105449036B (zh) 一种用于丝网印刷不良片的返工处理方法
CN115472714B (zh) 不良太阳电池返工方法
CN102806217A (zh) 用有机溶剂进行硅片清洗的方法
CN102560498A (zh) 一种晶体硅太阳电池去磷硅清洗液及清洗方法
CN103779256B (zh) 一种硅基衬底扩散片的清洗方法
CN102231404A (zh) 一种太阳能单晶硅片的清洗工艺

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20160518

Termination date: 20180526

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee