Nothing Special   »   [go: up one dir, main page]

CH634605A5 - Process for the preparation of coarsely crystalline and monocrystalline metal layers - Google Patents

Process for the preparation of coarsely crystalline and monocrystalline metal layers Download PDF

Info

Publication number
CH634605A5
CH634605A5 CH449578A CH449578A CH634605A5 CH 634605 A5 CH634605 A5 CH 634605A5 CH 449578 A CH449578 A CH 449578A CH 449578 A CH449578 A CH 449578A CH 634605 A5 CH634605 A5 CH 634605A5
Authority
CH
Switzerland
Prior art keywords
metal
metal layers
substrate
crystalline
preparation
Prior art date
Application number
CH449578A
Other languages
German (de)
Inventor
Guenter Menzel
Original Assignee
Siemens Ag
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Siemens Ag filed Critical Siemens Ag
Publication of CH634605A5 publication Critical patent/CH634605A5/en

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B23/00Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
    • C30B23/02Epitaxial-layer growth
    • C30B23/06Heating of the deposition chamber, the substrate or the materials to be evaporated
    • C30B23/063Heating of the substrate
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/54Controlling or regulating the coating process
    • C23C14/541Heating or cooling of the substrates
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B23/00Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
    • C30B23/02Epitaxial-layer growth
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/02Elements
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C30CRYSTAL GROWTH
    • C30BSINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/52Alloys

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Apparatuses And Processes For Manufacturing Resistors (AREA)

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung grobkristalliner oder einkristalliner Metallschichten, wie es im Oberbegriff des Patentanspruches 1 näher angegeben ist. The invention relates to a method for producing coarsely crystalline or single-crystalline metal layers, as specified in the preamble of claim 1.

In der Elektrotechnik und insbesondere in der Halbleitertechnologie werden dünne Metallschichten beispielsweise für Leiterbahnen, elektrische Widerstände oder als Kondensatorelektroden verwendet. Diese Bauteile müssen auch bei wechselnder thermischer Belastung eine sehr lange Lebensdauer und eine gute Stabilität ihrer elektrischen Eigenschaften aufweisen. So müssen derartige Metallschichten beispielsweise kurzzeitige Temperaturbelastungen bis etwa 400°C sowie dauernde Erwärmungen bis etwa 150°C ohne Eigenschaftsveränderungen überstehen. In electrical engineering and in particular in semiconductor technology, thin metal layers are used, for example, for conductor tracks, electrical resistors or as capacitor electrodes. Even with changing thermal loads, these components must have a very long service life and good stability of their electrical properties. For example, metal layers of this type must withstand short-term temperature loads of up to approximately 400 ° C. and continuous heating up to approximately 150 ° C. without changes in properties.

Derartige Metallschichten werden meist durch Aufdampfen oder Aufsputtern auf Substrate wie Glas, Silizium oder Keramikmaterial hergestellt. Diese Metallschichten sind im allgemeinen feinkristallin. So weist beispielsweise Tantal, das bei einer Substrattemperatur von 150°C aufgedampft oder aufgesputtert wird, eine Korngrösse von etwa 10 nm auf. Die Eigenschaft der Schichten, feinkristallin zu sein, kann je nach ihrer Verwendung verschiedene Nachteile zur Folge haben. Werden mit solchen Metallschichten versehene Bauelemente beispielsweise bei höheren Temperaturen betrieben, so kann in diesen feinkristallinen Metallschichten ein Kornwachstum eintreten, das die Eigenschaften dieser Schichten, beispielsweise den elektrischen Widerstand sowie den Temperaturkoeffizienten des elektrischen Widerstandes, stark verändert. Werden solche feinkristallinen Metallschichten als Leiterbahnen verwendet, so kann es bei den in hochintegrierten Schaltungen erforderten Stromdichten in solchen Leiterbahnen zu einer starken Elektromigration kommen (vgl. «Proc. ofthe IEEE», Bd. 59, Nr. 10 (Okt. 1971), Seiten 1409-1418). Die Elektromigration hat als wesentliche Ursache Strukturinhomogenitäten im Material der Leiterbahn, wie beispielsweise Korngrenzen. Um stabile Eigenschaften solcher Metallschichten in einem grösseren Temperaturbereich zu erzielen, wurden bisher die Metallschichten einer langdauernden Wärmebehandlung unterzogen, die in der Regel zu einer Kornvergrösserung innerhalb der Schichten führt. Ein solcher Temperaturvorgang ist jedoch insbesondere bei Halbleiterschaltungen problematisch, da durch die zur Wärmebehandlung erforderlichen hohen Temperaturen andere, bereits ausgebildete Bauelemente zerstört werden können. Weiterhin kann durch einen solchen Tem-perprozess insbesondere bei schmalen Leiterbahnen ein Wachstum der Korngrenzflächen quer durch die ganze Leiterbahn verursacht werden. Dies wiederum führt bei einer Strombelastung der Leiterbahn zu einer verstärkten Elektromigration an diesen Stellen, die wiederum zum Ausfall der Leiterbahn und damit des Bauteiles führt. Wünschenswert ist, für die Leiterbahnen ein Material zu finden, das eine solche Elektromigration nicht aufweist. Dies liesse sich durch sehr grobkristalline bzw. einkristalline Metallschichten erreichen. Metal layers of this type are usually produced by vapor deposition or sputtering onto substrates such as glass, silicon or ceramic material. These metal layers are generally fine crystalline. For example, tantalum, which is evaporated or sputtered at a substrate temperature of 150 ° C., has a grain size of approximately 10 nm. The property of the layers to be finely crystalline can have various disadvantages depending on their use. If components provided with such metal layers are operated, for example, at higher temperatures, grain growth can occur in these fine-crystalline metal layers, which greatly changes the properties of these layers, for example the electrical resistance and the temperature coefficient of the electrical resistance. If such fine-crystalline metal layers are used as conductor tracks, the current densities required in highly integrated circuits in such conductor tracks can lead to strong electromigration (cf. “Proc. Ofthe IEEE”, Vol. 59, No. 10 (Oct. 1971), pages 1409-1418). The main cause of electromigration is structural inhomogeneities in the material of the conductor track, such as grain boundaries. In order to achieve stable properties of such metal layers over a wide temperature range, the metal layers have hitherto been subjected to a long-term heat treatment, which generally leads to an increase in grain size within the layers. However, such a temperature process is problematic in particular in the case of semiconductor circuits, since other, already formed components can be destroyed by the high temperatures required for the heat treatment. Furthermore, such a tempering process, particularly in the case of narrow conductor tracks, can cause grain boundary surfaces to grow across the entire conductor track. This in turn leads to an increased electromigration at these points when the conductor track is under current, which in turn leads to failure of the conductor track and thus of the component. It is desirable to find a material for the conductor tracks that does not have such electromigration. This could be achieved through very coarse-crystalline or single-crystalline metal layers.

Aufgabe der Erfindung ist es, für ein wie im Oberbegriff des Patentanspruches 1 angegebenes Verfahren zur Herstellung grobkristalliner oder einkristalliner Metallschichten Massnahmen anzugeben, durch die gewährleistet wird, dass auch bei niedrigen Temperaturen diese Metallschichten in grobkristalliner oder einkristalliner Form ausgebildet werden können, und mit dem die einzelnen Kristallkörper dieser Metallschichten im Durchmesser grösser als etwa 50 um sind. The object of the invention is to provide measures for a method for producing coarsely crystalline or single-crystalline metal layers as specified in the preamble of claim 1, by which it is ensured that these metal layers can be formed in coarse-crystalline or single-crystalline form even at low temperatures, and with which individual crystal bodies of these metal layers are larger than about 50 μm in diameter.

Diese Aufgabe wird für ein wie im Oberbegriff des Patentanspruches 1 angegebenes Verfahren erfindungsgemäss nach der im kennzeichnenden Teil des Patentanspruches 1 angegebenen Weise gelöst. This object is achieved according to the invention for a method as specified in the preamble of patent claim 1 in the manner specified in the characterizing part of patent claim 1.

Bevorzugte Ausgestaltungen der Erfindung ergeben sich aus den Ansprüchen 2 und 3. Preferred embodiments of the invention result from claims 2 and 3.

Die nach dem erfindungsgemässen Verfahren hergestellten Metallschichten weisen gegenüber den bisher hergestellten Metallschichten wesentliche Vorteile auf. So weisen diese Schichten auch bei höheren Temperaturen keine Variation ihrer Schichteigenschaften, beispielsweise ihres elektrischen Widerstandes, auf. Aus diesem Grunde brauchen diese Schichten keinen Temperaturprozessen mehr unterworfen werden, wodurch weiter die schädlichen Einflüsse der Temperprozesse auf bereits vorhandene Bauelemente einer integrierten Schaltung vermieden werden. Weiterhin haben die nach dem erfindungsgemässen Verfahren hergestellten Metallschichten einen Korndurchmesser, der so gross ist, The metal layers produced by the process according to the invention have significant advantages over the metal layers produced hitherto. Thus, even at higher temperatures, these layers have no variation in their layer properties, for example their electrical resistance. For this reason, these layers no longer need to be subjected to temperature processes, which further avoids the harmful effects of the tempering processes on existing components of an integrated circuit. Furthermore, the metal layers produced by the method according to the invention have a grain diameter which is so large

dass bei einer integrierten Schaltung einzelne Bauelemente durch einen Einkristall miteinander verbunden sind. Die grosse Homogenität eines Einkristalles lässt höhere Stromdichten zu, ohne dass durch Elektromigration Ausfälle zu erwarten sind. that in an integrated circuit, individual components are connected to one another by a single crystal. The great homogeneity of a single crystal allows higher current densities without failures to be expected due to electromigration.

Werden die nach dem erfindungsgemässen Verfahren hergestellten Metallschichten für Dünnschicht-Kondensatoren eingesetzt, so besitzen solche Dünnschicht-Kondensatoren aufgrund des sehr homogenen Materials eine sehr hohe Durchschlagsspannungsfestigkeit und damit auch eine sehr hohe Lebensdauer. If the metal layers produced by the process according to the invention are used for thin-film capacitors, such thin-film capacitors have a very high dielectric strength due to the very homogeneous material and thus also a very long service life.

Im folgenden wird die Erfindung anhand eines Ausführungsbeispieles beschrieben und anhand der Figur näher erläutert. The invention is described below using an exemplary embodiment and explained in more detail using the figure.

In der Figur ist schematisch die zur Durchführung des erfindungsgemässen Verfahrens verwendete Apparatur dargestellt. The figure schematically shows the apparatus used to carry out the method according to the invention.

In einem Rezipienten 1, der auf Ultrahochvakuum evakuiert werden kann, befindet sich ein Verdampfungstiegel 2, der das niederzuschlagende Metall 3 enthält. Im Verdampfungstiegel gegenüberliegend ist ein Substrathalter 8 angebracht, durch den eine Kühlflüssigkeit 12 gepumpt werden kann. Auf dem Substrathalter 8 ist das Substrat 9 befestigt, auf dem die herzustellende Metallschicht 10 niedergeschlagen wird. Zum Verdampfen des in dem Tiegel befindlichen Metalles 3 kann der Tiegel beispielsweise durch eine Stromquelle 4 elektrisch beheizt werden. Soll das Material der Schicht 10 nicht durch Verdampfen, sondern durch Zerstäubung niedergeschlagen werden, so wird über ein Ventil 7 Argon in den Rezipienten 1 eingelassen. Der Argon-Partialdruck beträgt beispielsweise 1 Pa (MO"2 Torr). Die zur Zerstäubung notwendigen Ionen In a recipient 1, which can be evacuated to ultra high vacuum, there is an evaporation crucible 2, which contains the metal 3 to be deposited. A substrate holder 8 is mounted opposite in the evaporation crucible, through which a cooling liquid 12 can be pumped. The substrate 9, on which the metal layer 10 to be produced is deposited, is fastened on the substrate holder 8. To evaporate the metal 3 located in the crucible, the crucible can be electrically heated, for example, by a current source 4. If the material of the layer 10 is to be deposited not by evaporation but by atomization, argon is admitted into the recipient 1 via a valve 7. The argon partial pressure is, for example, 1 Pa (MO "2 torr). The ions required for atomization

5 5

10 10th

15 15

20 20th

25 25th

30 30th

35 35

40 40

45 45

50 50

55 55

60 60

65 65

werden beispielsweise mit Hilfe einer Hochfrequenzspule 5, die mit einer Hochfrequenzspannungsquelle erregt wird, erzeugt. Als Ausführungsbeispiel diene die Herstellung einer grobkristallinen Tantalschicht. Dazu wird aus dem Verdampfungstiegel 2 Tantal verdampft. Das Substrat 9 wird mit Hilfe der Kühlflüssigkeit 12, beispielsweise mit Hilfe von flüssigem Stickstoff oder flüssigem Helium, auf eine Temperatur unterhalb von -90°C abgekühlt. Auf das so gekühlte Substrat wird Tantal als Schicht 10 niedergeschlagen, bis eine Schichtdicke von beispielsweise 1 jim erreicht ist. Die Kühlung des Substrates 9 bewirkt, dass die niedergeschlagene Tantalschicht 10 in amorpher Phase vorliegt. Wird nun die Kühlung des Substrates abgebrochen und das Substrat beispielsweise auf Zimmertemperatur oder höher, bis maximal etwa 300°C, are generated, for example, with the aid of a high-frequency coil 5, which is excited with a high-frequency voltage source. The production of a coarsely crystalline tantalum layer serves as an exemplary embodiment. For this purpose, 2 tantalum is evaporated from the evaporation crucible. The substrate 9 is cooled to a temperature below -90 ° C. using the cooling liquid 12, for example using liquid nitrogen or liquid helium. Tantalum is deposited as layer 10 on the substrate cooled in this way until a layer thickness of, for example, 1 μm is reached. The cooling of the substrate 9 causes the deposited tantalum layer 10 to be in the amorphous phase. If the cooling of the substrate is now stopped and the substrate is, for example, at room temperature or higher, up to a maximum of about 300 ° C.

erwärmt, so geht die amorphe Tantalschicht 10 durch Kristallisation in a-Tantal über. Diese Kristallisation führt zu Kri- heated, the amorphous tantalum layer 10 changes into a-tantalum by crystallization. This crystallization leads to

3 634605 3 634605

stallen, deren Durchmesser oberhalb von 70 |j.m liegt. Die Kristallisation des Tantals erfolgt damit bei so hergestellten Tantalschichten bei wesentlich niedrigeren Temperaturen als bei den bisher bekannten Verfahren, bei denen die zur Rekri-5 stallisation notwendige Temperatur Tr etwa die Hälfte der Schmelztiegeltemperatur Ts beträgt. Nach den im Zusammenhang mit der Erfindung vorgenommenen Untersuchungen sind ausser Tantal auch die Metalle Wolfram, Kupfer, stables whose diameter is above 70 | j.m. The crystallization of the tantalum thus takes place in the tantalum layers produced in this way at substantially lower temperatures than in the previously known processes, in which the temperature Tr necessary for recrystallization is approximately half the melting crucible temperature Ts. According to the investigations carried out in connection with the invention, in addition to tantalum, the metals tungsten, copper,

Kobalt, Aluminium und Aluminium-Legierungen sowie die io Legierung Titan/Vanadium mit einem Vanadiumanteil von mehr als 70 Atom% zur Herstellung von derartigen grobkristallinen Metallschichten geeignet. Das Aufdampfen des Materials auf das Substrat 9 erfolgt bevorzugt im Ultrahochvakuum oder in einer inerten Atmosphäre, z.B. einer Edelgas-15 atmosphäre, da in diesem Falle keine Störungen durch die Restgasatmosphäre möglich sind. Cobalt, aluminum and aluminum alloys as well as the io alloy titanium / vanadium with a vanadium content of more than 70 atomic% are suitable for the production of such coarsely crystalline metal layers. The material is preferably evaporated onto the substrate 9 in an ultra-high vacuum or in an inert atmosphere, e.g. an inert gas atmosphere, since in this case no interference from the residual gas atmosphere is possible.

B B

1 Blatt Zeichnungen 1 sheet of drawings

Claims (3)

634 605 634 605 2 2nd PATENTANSPRÜCHE PATENT CLAIMS 1. Verfahren zur Herstellung grobkristalliner oder einkristalliner Metallschichten, bei dem auf einem Substrat ein Metall durch Aufdampfen oder Zerstäubung niedergeschlagen wird, dadurch gekennzeichnet, dass für das Material der Schicht (10) ein Metall der Gruppe Ta, W, Cu, Co, AI oder AI-Legierungen oder eine Ti-V-Legierung mit einem V-Anteil oberhalb von 70 Atom% verwendet wird, dass bei dem Niederschlagen des Metalles die Substrattemperatur unterhalb von -90°C gehalten wird und dass sodann das Substrat mit der darauf befindlichen Metallschicht bis auf Zimmertemperatur erwärmt wird. 1. A method for producing coarsely crystalline or single-crystalline metal layers, in which a metal is deposited on a substrate by vapor deposition or sputtering, characterized in that for the material of the layer (10) is a metal from the group Ta, W, Cu, Co, Al or Al alloys or a Ti-V alloy with a V content above 70 atom% is used, that when the metal is deposited, the substrate temperature is kept below -90 ° C and then the substrate with the metal layer thereon is warmed to room temperature. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Niederschlagen des Metalles in einem Hochvakuum bei einem Restgasdruck von weniger als 10~6 Pa ausgeführt wird. 2. The method according to claim 1, characterized in that the deposition of the metal is carried out in a high vacuum at a residual gas pressure of less than 10 ~ 6 Pa. 3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass das Niederschlagen des Metalles in einer inerten Atmosphäre bei einem Partialdruck der gegenüber dem jeweiligen Metall und/oder dem Substrat reaktiven Gase von kleiner 3. The method according to claim 1, characterized in that the deposition of the metal in an inert atmosphere at a partial pressure of the gases reactive towards the respective metal and / or the substrate of smaller 10~6 Pa ausgeführt wird. 10 ~ 6 Pa is running.
CH449578A 1977-06-20 1978-04-26 Process for the preparation of coarsely crystalline and monocrystalline metal layers CH634605A5 (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE2727659A DE2727659B2 (en) 1977-06-20 1977-06-20 Process for the production of coarsely crystalline or monocrystalline metal layers

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CH634605A5 true CH634605A5 (en) 1983-02-15

Family

ID=6011893

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CH449578A CH634605A5 (en) 1977-06-20 1978-04-26 Process for the preparation of coarsely crystalline and monocrystalline metal layers

Country Status (5)

Country Link
JP (1) JPS548129A (en)
CH (1) CH634605A5 (en)
DE (1) DE2727659B2 (en)
FR (1) FR2395326A1 (en)
GB (1) GB1576707A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0241155A1 (en) * 1986-03-31 1987-10-14 Unisys Corporation Depositing vanadium underlayer for magnetic films

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2924920A1 (en) * 1979-06-20 1981-01-22 Siemens Ag METHOD FOR PRODUCING COARSE CRYSTAL OR SINGLE CRYSTAL METAL OR ALLOY LAYERS
DE3003136A1 (en) * 1980-01-29 1981-07-30 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München METHOD FOR PRODUCING THERMALLY STABLE, METAL LAYERS
DE3003285A1 (en) * 1980-01-30 1981-08-06 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München METHOD FOR PRODUCING LOW-RESISTANT, SINGLE-CRYSTAL METAL OR ALLOY LAYERS ON SUBSTRATES
AU563891B2 (en) * 1983-08-25 1987-07-23 Vsesojuzny Nauchno-Issledovatelsky Instrumentalny Institut Cutting tool and method of manufacture thereof
JPS63166966A (en) * 1986-12-27 1988-07-11 Tokuda Seisakusho Ltd Sputtering device
JP2000068230A (en) 1998-08-25 2000-03-03 Mitsubishi Electric Corp Semiconductor device, and apparatus for manufacture of the device and manufacture of the device
DE19851167B4 (en) * 1998-11-06 2005-10-20 Herbert Kliem Electric capacitor
CN116770242A (en) * 2023-05-19 2023-09-19 暨南大学 Amorphous copper-tungsten alloy for producing hydrogen by water electrolysis and preparation method thereof

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1285827B (en) * 1963-03-26 1968-12-19 Ibm Process for the production of thin layers with high purity and uniformity, by vacuum vapor deposition
FR1459038A (en) * 1964-09-11 1966-04-29 Ibm Amorphous alloys

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0241155A1 (en) * 1986-03-31 1987-10-14 Unisys Corporation Depositing vanadium underlayer for magnetic films

Also Published As

Publication number Publication date
GB1576707A (en) 1980-10-15
DE2727659A1 (en) 1979-01-04
FR2395326B1 (en) 1984-05-25
FR2395326A1 (en) 1979-01-19
JPS548129A (en) 1979-01-22
DE2727659B2 (en) 1980-01-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
EP0021087B1 (en) Method of preparing macrocrystalline or monocrystalline films of metals or alloys and application of the method to the manufacture of semiconductor circuits and contact electrodes
EP0033506B1 (en) Method of manufacturing low impedance monocrystal metal or alloy layers on insulating chips
DE2601656C2 (en) Process for producing a high-ohmic cermet sheet resistor and a cermet sheet resistor
DE1931412A1 (en) Thin-film resistors and processes for their manufacture
EP0002703B1 (en) Method of production of thin conducting metal strips on semiconductor substrates and strips produced by this method
CH626468A5 (en)
DE3933713C2 (en)
DE2719988C2 (en) Amorphous metal layer containing tantalum, temperature-stable at least up to 300 degrees C, and process for its production
DE2300813A1 (en) PROCESS FOR DEPOSITING NITROGEN-DOPED BETA-TANTALUM AND AN ARTICLE HAVING A BETA-TANTALUM THIN-LAYER
DE1950126A1 (en) Process for applying insulating films and electronic components
CH634605A5 (en) Process for the preparation of coarsely crystalline and monocrystalline metal layers
EP0033155B1 (en) Method of producing thermally and electrically stable metallic layers
DE3018510C2 (en) Josephson transition element
DE4120258A1 (en) Epitaxial prodn. of high temp. superconducting layer on substrate - by sputtering intermediate metal oxide layer on substrate, and then depositing superconducting layer
DE1615030A1 (en) Tantalum film on a firm base
DE2262022C2 (en) Process for the production of sputtered resistance layers from tantalum-aluminum alloys
DE4143405C2 (en) Ceramic electronic components
EP0423178A1 (en) Josephson element with oxide ceramic superconducting material and process for manufacturing the element
DE3822905A1 (en) JOSEPHSON TUNNEL ELEMENT WITH METAL-OXIDIC SUPER LADDER MATERIAL AND METHOD FOR PRODUCING THE ELEMENT
DE3720298A1 (en) Metal layer arrangement for thin-film hybrid circuits
DE2015457A1 (en) Method for the production of a multilayer, electrically conductive thin-film structure
DE4139908A1 (en) SEMICONDUCTOR ARRANGEMENT WITH METAL LAYER SYSTEM AND METHOD FOR PRODUCTION
DE2015457C (en) Process for the production of a multilayer, electrically conductive thin-film structure by vacuum vapor deposition
DD296583A5 (en) METHOD FOR MANUFACTURING ALUMINUM CONDUCTORS FOR SEMICONDUCTOR ELEMENTS
DE1521263A1 (en) Process for the production of metallic superconducting layers

Legal Events

Date Code Title Description
PL Patent ceased