NO337426B1 - Fremgangsmåte og anordning for produksjon av bladmetall - Google Patents
Fremgangsmåte og anordning for produksjon av bladmetall Download PDFInfo
- Publication number
- NO337426B1 NO337426B1 NO20064912A NO20064912A NO337426B1 NO 337426 B1 NO337426 B1 NO 337426B1 NO 20064912 A NO20064912 A NO 20064912A NO 20064912 A NO20064912 A NO 20064912A NO 337426 B1 NO337426 B1 NO 337426B1
- Authority
- NO
- Norway
- Prior art keywords
- substrate
- liquid metal
- casting vessel
- metal
- casting
- Prior art date
Links
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims description 66
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims description 66
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 67
- 238000005266 casting Methods 0.000 claims description 55
- 229910001338 liquidmetal Inorganic materials 0.000 claims description 54
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 11
- 238000009736 wetting Methods 0.000 claims description 8
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 claims description 5
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 4
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 3
- 230000008859 change Effects 0.000 claims description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 7
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 4
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000004044 response Effects 0.000 description 2
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 2
- 238000005303 weighing Methods 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000010301 surface-oxidation reaction Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
- C30B15/007—Pulling on a substrate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B15/00—Single-crystal growth by pulling from a melt, e.g. Czochralski method
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Continuous Casting (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
Description
Oppfinnelsen vedrører en fremgangsmåte for å produsere bladmetall ved bladstøpeprinsippet, omfattende trinnene med å fylle et støpekar med flytende metall, bevegelse av et substrat gjennom bunnen av støpekaret, hvor substratet er ved en lavere temperatur enn smeltepunktet til det flytende metallet, slik at et bunnlag til det flytende metallet krystalliseres på substratet og et bladmetall frembringes på substratet på en side av støpekaret. Oppfinnelsen vedrører også en bladstøpeanordning for produksjon av bladmetall ved bruk av bladstøpeprinsippet, omfattende et støpekar og et substrat som, i det minste under bruk, beveges gjennom bunnen av støpekaret og som under dette er ved en lavere temperatur enn smeltepunktet til det flytende metallet i bunnen av støpekaret, slik at et bunnlag til det flytende metallet blir krystallisert på substratet og et bladmetall blir dannet på substratet på en side av støpekaret.
En fremgangsmåte av denne type er kjent, inter alia, fra DE 100 47 929 A1, som beskriver en fremgangsmåte hvori nivået av flytende metall i støpekaret måles ved hjelp av en flottør. Dersom nivået er for høyt kan trykket i bunnen av støpekaret bli så høyt at det flytende metallet slipper ut under veggene til støpekaret. Som et resultat kan klumper dannes i toppoverflaten på bladmetallet, som har en betydelig uheldig effekt på kvaliteten til bladmetallet. I DE 100 47 929 A1 løses dette problemet ved å kontrollere nivået av metall i støpekaret under produksjonsprosessen til å være under en maksimal verdi. En ønsket tykkelse på bladmetallet oppnås ved optimalt å sette lengden av støpekaret, hastigheten av et substratbelte og temperaturforskjellen i overgangen mellom metall og substratbeltet. I denne fremgangsmåten er der kun en begrenset mulighet for å justere tykkelsen på bladmetallet under produksjonsprosessen.
Videre vises til US 4670096 A og som omhandler produksjon av halvlederblad ved størkning av en væskehalvleder på en horisontal støtte. Forbedringen omfatter plassering av en smelte på den horisontale støtten, tilførsel av væskehalvlederen på smeiten og påføring av relative bevegelse mellom smeiten og støtten i en retning parallell til støtten. Dermed kan feilfrie silisiumblad enkelt produseres.
Det er et formål med foreliggende oppfinnelse å muliggjøre at tykkelsen til bladmetallet kan kontrolleres mer vellykket under produksjonsprosessen enn det som har vært mulig med kjente fremgangsmåter.
Dette formål oppnås ved en fremgangsmåte som beskrevet i innledningen, og som erkarakterisert vedtrinnene:
- å måle minst én ut av tykkelse og vekt til bladmetallet, og
- å justere kontaktoverflatearealet mellom det flytende metallet og substratet som en funksjon av en målt verdi for den minste ene av tykkelse og vekt.
Alternative utførelser er angitt i respektive uselvstendige fremgangsmåtekrav.
Oppfinnelsen omfatter respons på den målte tykkelsen eller den målte vekten til bladmetallet. Hittil har respons av denne karakter ikke vært ansett egnet, siden det er blitt antatt at prosessen ikke reagerer tilstrekkelig til en endring i prosess-parametrene som benyttes, så som temperatur til substratet.
Som kjent blir vekstraten til bladmetallet bestemt ved nivået av varmestrømtetthet ved overgangen mellom substratet til metallet. Hittil har det imidlertid blitt antatt at varmestrømtettheten bestemmes av temperaturforskjellen mellom det flytende metallet og substratet og ved varmeledning og varmekapasitet til det flytende metallet og substratbeltet. Imidlertid har undersøkelser vist at den termiske motstanden ved grenseflaten mellom substratet og metallet er av avgjørende viktighet for vekstraten til bladmetallet. Denne termiske motstanden er hovedsakelig bestemt av kontaktpunkter mellom metallet og substratet. Utenfor disse kontaktpunktene blir varmeoverføring supplert ved termisk stråling, som er lavere ved størrelsesorden enn varmestrømstettheten gjennom kontaktpunktene. Antallet og størrelse av kontaktpunktene kan påvirkes ved å endre trykket i det flytende metallet i bunnen av støpekaret og/eller vætingen av substratet ved dets grenseflate med metallet.
I en utførelse av fremgangsmåten i samsvar med oppfinnelsen blir trykket ved bunnen av støpekaret justert ved å justere nivået av det flytende metallet i støpe-karet. Det er allerede kjent å justere nivået av det flytende metallet i støpekaret fra DE 100 47 929 A1, men i oppfinnelsen er dette gjort som en funksjon av den målte tykkelsen og/eller vekten av bladmetallet som produseres.
I en annen utførelse blir kontaktoverflatearealet justert ved å variere et omliggende trykk mellom metallet og substratet. En reduksjon i det omliggende trykket forårsaker at mindre gass inkluderes, som til gjengjeld fører til et større kontaktoverflateareal.
Oppfinnelsen vedrører også en anordning for å produsere bladmetall som beskrevet
i krav 11, og er kjennetegnet ved at bladstøpeanordningen omfatter en måleanordning innrettet til å måle minst én av tykkelse og vekt til bladmetallet, og en kontrollmodul innrettet til å motta måledata fra måleanordningen for å justere et kontaktoverflateareal mellom det flytende metallet og substratet som en funksjon av en målt verdi for den minst ene av tykkelse og vekt.
Videre fordeler og karakteristikker i foreliggende oppfinnelse vil bli tydelig på basis av beskrivelsen av et antall utførelser, hvor en referanse gjøres til de vedlagte tegninger, hvori: Fig. 1 viser skjematisk sett fra siden en bladstøpeanordning i samsvar med en utførelse av oppfinnelsen. Fig. 2 viser et mikroskopisk tverrsnitt gjennom kontaktoverflaten mellom metallet og substratbeltet. Fig. 3 viser en del av bladstøpeanordningen i samsvar med en annen utførelse av oppfinnelsen. Fig. 1 viser skjematisk fra siden en bladstøpeanordning i samsvar med en utførelse av foreliggende oppfinnelse. Anordningen for å produsere bladmetall omfatter et
støpekar 2, inn i hvor et flytende metall kan helles. Det flytende metallet 4 helles inn i støpekaret 2 ved hjelp av en matanordning 6. Under støpekaret 2 er der et substratbelte 8 som er konstruert for å beveges gjennom bunnen av støpekaret 2 ved en satt hastighet. Drivanordningen nødvendig for dette formålet er ikke vist i fig. 1. Videre omfatter bladstøpeanordningen en kontrollmodul 10 og en nivåmåler 12 konstruert til å bestemme nivået av det flytende metallet 4 i støpekaret 2. Temperaturen til substratbeltet 8 er satt til å være slik at det flytende metallet 4 krystalliseres ved
overflaten av substratbeltet 8. Siden substratbeltet 8 beveges, til høyre i fig. 1, vil et bladmetall 16 bli dannet på en nedstrømsside av støpekaret 2. Dette bladmetallet 16 presser støpekaret 2 oppover på nedstrømssiden, med det resultat at støpekaret skråstilles noe. Kontrollmodulen 10 mottar informasjon om nivået til det flytende metallet 4 i støpekaret 2 fra nivåmåleren 12. Under produksjonsprosessen vil nivået av flytende metall 4 uten kontroll reduseres. Imidlertid blir en reduksjon i nivået målt av nivåmåleren 12 og sendt til kontrollmodulen 10. Kontrollmodulen 10 er konstruert til å aktivere matanordningen 6 ved hjelp av nivåinformasjonen. Matanordningen 6 er konstruert til å muliggjøre at en definert mengde flytende metall strømmer inn i støpekaret 2. Nivå av flytende metall 4 kan kontrolleres på denne måten, som er kjent fra den kjente teknikken. I DE 100 47 929 A1 blir denne kontrollen benyttet til å motvirke at trykket i bunnen av støpekaret 2 blir for høyt, slik at flytende metall kan strømme ut ved nedstrømssiden av støpekaret 2.
I en utførelse omfatter bladstøpeanordningen et tykkelsesmåleapparat 14 som er konstruert til å måle tykkelsen av bladmetallet 16 som produseres. Et eksempel på et tykkelsesmåleapparat er en avstandsføler 14, som benytter en laserstråle til å måle avstanden mellom en toppoverflate til bladmetallet 16 og avstandsføleren 14. Siden avstanden mellom substratbeltet 8 og avstandsføleren 14 er kjent kan tykkelsen på bladmetallet 16 bestemmes fra den målte avstanden. Tykkelsesmåleapparatet 14 er konstruert til å sende tykkelsesinformasjon til kontrollmodulen 10. Dersom bladmetallet 16 er for tykt vil kontrollmodulen 10 senke trykket i støpekaret ved å tilføre mindre flytende metall ved hjelp av mateanordningen 6. Som et resultat vil over tid trykket i bunnen av støpekaret 2 reduseres, som derved reduserer et kontaktoverflateareal mellom metallet og substratbeltet 8. Som et resultat vil der blir mindre varmeoverføring mellom metallet og substratbeltet 8, med det resultat at vekstraten til bladmetallet 16 reduseres. Som et resultat vil tykkelsen til bladmetallet 16 også reduseres. Ideen bak denne kontrollen er utledet fra den forståelsen at kontaktoverflatearealet mellom metallet og substratbeltet 8 kan varieres ved å variere trykket i bunnen av støpekaret 2. Denne forståelsen skal nå forklares mer detaljert ved hjelp av fig. 2.
Fig. 2 viser et mikroskopisk tverrsnitt gjennom kontaktoverflaten mellom metallet og substratbeltet 8. Skalaen av retningen perpendikulær til substratbeltet 8 har blitt utstrukket for klarhetsskyld. Det flytende metallet 4 vil krystalliseres som et resultat av kjøling, for således å danne et krystallisert lag 5. På grunn av at substratbeltet 8 beveges har en kontaktoverflate 7 mellom det flytende metallet 4 og det krystalliserte metallet 5 en stigning, ref. fig. 2. Substratbeltet 8 har en definert ruhet ved overflaten. Dette er indikert i en forstørret skala i fig. 2 ved et antall dumper. Undersøkelser har vist at hulrom 10 dannes under krystalliseringsprosessen. Der er ikke noe metall i disse hulrommene 9. Hulrommene 9 kan for eksempel bli fylt med en gass som er tilstedeværende over substratbeltet 8 nært til støpekaret 2. I fig. 2 er kontaktpunkter mellom det krystalliserte metallet 5 og substratbeltet 8 indikert ved henvisnings-tallene 11. Den kombinerte størrelsen avdisse kontaktpunktene 11 er den dominer-ende faktor ved bestemmelse av varmeoverføringen mellom det flytende metallet 4 og substratbeltet 8. Kun en begrenset mengde varme forsvinner via hulrommene 9. Størrelsen på kontaktpunktene 11 kan påvirkes ved å variere trykket som er rådende i bunnen av støpekaret 2. Et større trykk vil frembringe mer og/eller større kontaktpunkter. Denne forståelsen er utnyttet i oppfinnelsen for å benytte nivået av flytende metall 4 i støpekaret 2 som et kontrollparameter under produksjonsprosessen for å kontrollere tykkelsen til bladmetallet.
Trykket i bunnen av støpekaret 2 kan også justeres ved å kontrollere en trykk-differanse mellom et lufttrykk i støpekaret 2 og et lufttrykk på utsiden av støpekaret 2. I denne alternative utførelsen er støpekaret 2 konstruert på en slik måte at det er lukket av fra omgivelsen, for eksempel av et lokk. Flytende metall kan mates inn i støpekaret 2 ved å konstruere matanordningen 6 på en slik måte at den tilfører flytende metall ved et trykk som er høyere enn trykket som dannes i støpekaret 2. Selvfølgelig må ikke trykket som dannes være så høyt at det flytende metallet strømmer ut under støpekaret 2. En valgfri trykkmåler i støpekaret 2 kan benyttes til å overvåke et definert trykk, slik at dette trykket hensiktsmessig kan kontrolleres, for eksempel via kontrollmodulen 10.
Fig. 3 viser en del av en bladstøpeanordning i samsvar med en annen utførelse. Anordningen omfatter et substratbelte 8 som avbøyes nedover, slik at bladmetallet 16 kommer av substratbeltet 8. Det er foretrukket for substratbeltet 8 å være konstruert på en slik måte at hakk 17, som fungerer som bruddlinjer, dannes i bladmetallet 16. En mulig måte å konstruere substratbeltet 8 for dette formål er å anordne riller på toppsiden av substratbeltet 8, som beskrevet i patentdokument EP 0 497 148. Fig. 3 viser et bladmetall 16' som er løsgjort under påvirkning av gravitasjonskraft. Til side for substratbeltet 8 er der et bevegelig belte 22, hvorunder der er en vektanordning 20 konstruert til å veie et bladmetall 16". Dersom vekt-anordningen 20 registrerer bladmetallet 16" vil måleanordningen 20 veie bladmetallet 16" og overføre informasjon om vekten av bladmetallet 16" til kontroll modulen 10. Dimensjonene til bladmetallene 16, 16' og 16" bestemmes av dimensjonene til substratbeltet 8 og avstanden mellom rillene (ikke vist) som er frembrakt på substratbeltet 8. Disse rillene forårsaker de ovennevnte bruddlinjene i bladmetallet 16.
Trykket i bunnen av støpekaret 2 kan også justeres ved å påføre en strømning i det flytende metallet 4. En strømning av denne type kan oppnås for eksempel ved å la substratbeltet 8 beveges ved en betydelig høy hastighet. Det flytende metallet bæres sammen med det i bevegelsesretningen og stiger deretter ved utløpssiden av støpe-karet 4, dvs. den siden hvor substratbeltet 8 forlater støpekaret 4. Det flytende metallet strømmer deretter tilbake inn i støpekaret 4 via overflaten og synker deretter ved innløpssiden til støpekaret 4, dvs. den siden hvor substratbeltet 8 ankommer støpekaret 4. Som et resultat av dette fallet blir trykket ved bunnen av støpekaret 4 ved innløpssiden økt. Økningen i trykket kan kontrolleres ved å sette en definert hastighet på substratbeltet 8.
I en utførelse av fremgangsmåten i samsvar med oppfinnelsen blir kontaktoverflatearealet mellom det flytende metallet og substratet justert ved å justere trykket i bunnen av støpekaret. Det er på denne måten mulig å oppnå en ønsket tykkelse og/eller vekt av bladmetallet. Kontaktoverflatearealet kan også justeres ved for eksempel å kontrollere væting av substratbeltet 8 med det flytende metallet 4. I en utførelse blir denne vætingen kontrollert ved å tilpasse én eller flere av de følgende parametrer:
- gasskomposisjonen av omgivende gass,
- omgivende gasstrykk,
- temperaturen til det flytende metallet,
- temperaturen til substratet.
Valg av materiale benyttet for substratet og det flytende metallet bestemmer også vætingen. Alle disse parametrene kan varieres for å oppnå en ønsket tykkelse og/eller vekt av bladmetallet 16 som produseres. Trykket og sammensetningen av gass som omgir kontaktoverflaten mellom det flytende metallet 4 og substratbeltet 8 påvirker vætingen.
Vætingen kan også tilpasses ved å variere tilførsel av oksygen til det flytende metallet. Tilførsel av oksygen forårsaker overflateoksidasjon av både metall og substratmateriale, med det resultat at overflatespenninger bestemmes av den oksiderte formen av materialene.
Overflateruheten til substratet 8 er foretrukket i området fra 1-10 um. Overflateruheten har en betydelig påvirkning på antall og størrelse av kontaktpunktene. Imidlertid kan overflateruheten være satt på forhånd og kan ikke varieres under produksjonsprosessen.
I en annen utførelse blir kontaktoverflatearealet justert ved å variere et omgivende trykk mellom volumet i støpekaret og omgivelsene. Dette kan oppnås ved å lukke støpekaret og fylleenheten på en gasstett måte med hensyn til omgivelsene til støpe-karet. En reduksjon i omgivende trykk resulterer i at mindre gass blir inkludert, som igjen fører til et større kontaktoverflateareal. Et større kontaktoverflateareal resulterer i større varmeoverføring, som igjen er grunnlag for en hurtigere vekstrate. Som allerede forklart ovenfor fører dette til et tykkere bladmetall.
En utførelse av oppfinnelsen er en fremgangsmåte for å produsere silisium-bladmetall. Dette bladmetallet kan benyttes, inter alia, til å lage solceller. En fremgangsmåte av denne type produserer relativt rimelige solceller. Videre er dette bladmetallet rektangulært i form, som tillater solcellene maksimalt å utnytte overflatearealet hvorpå de er plassert.
Det må forstås at varianter vil oppstå for en fagmann ved å lese teksten ovenfor. Som et alternativ til det flytende støpekaret er det også mulig for et støpekar å være fast uttrykt ved dens høyde, eller volumet av smeltemetall kan være fast ved hjelp av valser eller en luftskovel. Varianter av denne type er ansett å ligge innen for rammen av oppfinnelsen som beskrevet i de vedlagte kravene.
Claims (11)
1. Fremgangsmåte for å produsere bladmetall ved bladstøpeprinsipp, omfattende trinnene; - å fylle et støpekar (2) med flytende metall (4), - å bevege et substrat (8) gjennom bunnen av støpekaret (2), hvor substratet (8) er ved en lavere temperatur enn smeltepunktet til det flytende metallet (4) i bunnen av støpekaret (2), slik at et bunnlag til det flytende metallet (4) krystalliseres på substratet (8), og et bladmetall (16) dannes på substratet (8) på en side av støpe-karet (2),karakterisert vedtrinnene: - å måle minst én av tykkelse og vekt til bladmetallet (16), og - å juster kontaktoverflatearealet mellom det flytende metallet (4) og substratet (8) som en funksjon av en målt verdi for den minste ene av tykkelse og vekt.
2. Fremgangsmåte i samsvar med krav 1,karakterisert vedat kontaktoverflatearealet justeres ved å sette trykket i det flytende metallet (4) i bunnen av støpekaret (2).
3. Fremgangsmåte i samsvar med krav 2,karakterisert vedat trykket i bunnen av støpekaret (2) justeres ved å justere nivået av flytende metall (4) i støpekaret (2).
4. Fremgangsmåte i samsvar med krav 2,karakterisert vedat trykket i bunnen av støpekaret (2) justeres ved å kontrollere en trykkforskjell mellom et lufttrykk i støpekaret (2) og et lufttrykk på utsiden av støpekaret (2).
5. Fremgangsmåte i samsvar med krav 2,karakterisert vedat ved at trykket i bunnen av støpekaret (2) justeres ved å frembringe en strømning i det flytende metallet (4).
6. Fremgangsmåte i samsvar med et av de foregående krav,karakterisert vedat overflateruheten til substratet (8) er i området fra 1 -10 um.
7. Fremgangsmåte i samsvar med et av de foregående krav,karakterisert vedat det flytende metallet (4) er silisium.
8. Fremgangsmåte i samsvar med et av de foregående krav,karakterisert vedat nivået av det flytende metallet (4) i støpekaret (2) måles.
9. Fremgangsmåte i samsvar med krav 1,karakterisert vedat kontaktoverflatearealet justeres ved å variere et omgivende trykk mellom det flytende metallet (4) og substratet (8).
10. Fremgangsmåte i samsvar med et av de foregående krav,karakterisert vedat kontaktoverflatearealet justeres ved å endre vætingen mellom det flytende metallet (4) og substratet (8), hvor endringen i vætingen oppnås ved å endre minst én ut av substrattemperatur, metalltemperatur, omgivende gasstrykk og gassammensetning.
11. Bladstøpeanordning for produksjon av bladmetall ved bruk av bladstøpe-prinsipp, omfattende et støpekar (2) og et substrat (8) som, i det minste under bruk, blir beveget gjennom bunnen av støpekaret og som under dette er ved en lavere temperatur enn smeltepunktet til det flytende metallet i bunnen av støpekaret, slik at et bunnlag til det flytende metallet blir krystallisert på substratet (8) og et bladmetall blir dannet på substratet på en side av støpekaret,karakterisert vedat bladstøpeanordningen omfatteren måleanordning (14; 20) innrettet til å måle minst én av tykkelse og vekt til bladmetallet, og en kontrollmodul (10) innrettet til å motta måledata fra måleanordningen (14; 20) for å justere et kontaktoverflateareal mellom det flytende metallet og substratet som en funksjon av en målt verdi for den minst ene av tykkelse og vekt.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| NL1026043A NL1026043C2 (nl) | 2004-04-26 | 2004-04-26 | Werkwijze en inrichting voor het fabriceren van metalen folies. |
| PCT/NL2005/000310 WO2005104244A1 (en) | 2004-04-26 | 2005-04-26 | Method and device for producing metal foils |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| NO20064912L NO20064912L (no) | 2007-01-23 |
| NO337426B1 true NO337426B1 (no) | 2016-04-11 |
Family
ID=34966604
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| NO20064912A NO337426B1 (no) | 2004-04-26 | 2006-10-26 | Fremgangsmåte og anordning for produksjon av bladmetall |
Country Status (11)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8246745B2 (no) |
| EP (1) | EP1743385B1 (no) |
| JP (1) | JP4885845B2 (no) |
| KR (1) | KR101192870B1 (no) |
| AU (1) | AU2005236766B2 (no) |
| BR (1) | BRPI0510265A (no) |
| DE (1) | DE602005010998D1 (no) |
| ES (1) | ES2317229T3 (no) |
| NL (1) | NL1026043C2 (no) |
| NO (1) | NO337426B1 (no) |
| WO (1) | WO2005104244A1 (no) |
Families Citing this family (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2248152A1 (en) | 2008-02-29 | 2010-11-10 | Corning Incorporated | Methods of making an unsupported article of pure or doped semiconducting material |
| US7771643B1 (en) | 2009-02-27 | 2010-08-10 | Corning Incorporated | Methods of making an unsupported article of semiconducting material by controlled undercooling |
| US8540920B2 (en) * | 2009-05-14 | 2013-09-24 | Corning Incorporated | Methods of making an article of semiconducting material on a mold comprising particles of a semiconducting material |
| US8480803B2 (en) | 2009-10-30 | 2013-07-09 | Corning Incorporated | Method of making an article of semiconducting material |
| US8591795B2 (en) * | 2009-12-04 | 2013-11-26 | Corning Incorporated | Method of exocasting an article of semiconducting material |
| US8242033B2 (en) | 2009-12-08 | 2012-08-14 | Corning Incorporated | High throughput recrystallization of semiconducting materials |
| NL2004209C2 (en) * | 2010-02-08 | 2011-08-09 | Rgs Dev B V | Apparatus and method for the production of semiconductor material foils. |
| WO2011156648A1 (en) | 2010-06-09 | 2011-12-15 | President And Fellows Of Harvard College | Method for producing films |
| US20110305891A1 (en) * | 2010-06-14 | 2011-12-15 | Korea Institute Of Energy Research | Method and apparatus for manufacturing silicon substrate with excellent productivity and surface quality using continuous casting |
| US20110303290A1 (en) * | 2010-06-14 | 2011-12-15 | Korea Institute Of Energy Research | Method and apparatus for manufacturing silicon substrate with excellent surface quality using inert gas blowing |
| US9057146B2 (en) | 2010-08-24 | 2015-06-16 | Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. | Eddy current thickness measurement apparatus |
| WO2014001886A1 (en) | 2012-06-27 | 2014-01-03 | Rgs Development B.V. | Film of polycrystalline semiconductor material, method of making same and orienting/undercooling molds therefor, and electronic device |
| WO2014001888A1 (en) | 2012-06-27 | 2014-01-03 | Rgs Development B.V. | Film of polycrystalline semiconductor material, method of making same and undercooling molds therefor, and electronic device |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4670096A (en) * | 1984-05-23 | 1987-06-02 | Bayer Aktiengesellschaft | Process and apparatus for producing semi-conductor foils |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4110133A (en) * | 1976-04-29 | 1978-08-29 | The Post Office | Growth of semiconductor compounds by liquid phase epitaxy |
| FR2551233B1 (fr) * | 1983-08-29 | 1985-10-25 | Comp Generale Electricite | Dispositif pour deposer en regime continu une couche de silicium polycristallin sur un ruban de carbone |
| FR2556109B2 (fr) * | 1983-08-29 | 1986-09-12 | Comp Generale Electricite | Dispositif pour deposer en regime continu une couche de silicium polycristallin sur un ruban de carbone |
| DE4102484A1 (de) * | 1991-01-29 | 1992-07-30 | Bayer Ag | Verfahren zur herstellung von metallscheiben sowie die verwendung von siliciumscheiben |
| DE10047929B4 (de) * | 2000-09-27 | 2013-04-11 | Rgs Development B.V. | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Halbleiter- und Metallscheiben oder -folien |
-
2004
- 2004-04-26 NL NL1026043A patent/NL1026043C2/nl not_active IP Right Cessation
-
2005
- 2005-04-26 ES ES05739573T patent/ES2317229T3/es active Active
- 2005-04-26 JP JP2007510637A patent/JP4885845B2/ja active Active
- 2005-04-26 US US11/587,548 patent/US8246745B2/en active Active
- 2005-04-26 KR KR1020067024578A patent/KR101192870B1/ko active IP Right Grant
- 2005-04-26 BR BRPI0510265-0A patent/BRPI0510265A/pt active IP Right Grant
- 2005-04-26 WO PCT/NL2005/000310 patent/WO2005104244A1/en active Application Filing
- 2005-04-26 EP EP05739573A patent/EP1743385B1/en active Active
- 2005-04-26 AU AU2005236766A patent/AU2005236766B2/en active Active
- 2005-04-26 DE DE602005010998T patent/DE602005010998D1/de active Active
-
2006
- 2006-10-26 NO NO20064912A patent/NO337426B1/no unknown
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4670096A (en) * | 1984-05-23 | 1987-06-02 | Bayer Aktiengesellschaft | Process and apparatus for producing semi-conductor foils |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE602005010998D1 (de) | 2008-12-24 |
| ES2317229T3 (es) | 2009-04-16 |
| WO2005104244A1 (en) | 2005-11-03 |
| NL1026043C2 (nl) | 2005-10-27 |
| US8246745B2 (en) | 2012-08-21 |
| US20090044925A1 (en) | 2009-02-19 |
| EP1743385A1 (en) | 2007-01-17 |
| KR101192870B1 (ko) | 2012-10-18 |
| JP4885845B2 (ja) | 2012-02-29 |
| JP2007534600A (ja) | 2007-11-29 |
| KR20070004994A (ko) | 2007-01-09 |
| BRPI0510265A (pt) | 2007-10-30 |
| EP1743385B1 (en) | 2008-11-12 |
| AU2005236766B2 (en) | 2010-01-21 |
| AU2005236766A1 (en) | 2005-11-03 |
| NO20064912L (no) | 2007-01-23 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| NO337426B1 (no) | Fremgangsmåte og anordning for produksjon av bladmetall | |
| US8101019B2 (en) | Method for producing a monocrystalline or polycrystalline semiconductor material | |
| BRPI0710449A2 (pt) | método para controlar o despejamento automático de metal funfido por intermédio de um cadinho e meios para gravar programas para controlar a inclinação de um cadinho | |
| JP4527538B2 (ja) | 結晶成長のための方法および装置 | |
| US4084631A (en) | Method and device for controlling a casting machine | |
| KR102271455B1 (ko) | 주 도가니로 공급되는 실리콘을 예비 용융시키기 위한 예비 용융 장치 및 그 제어방법 | |
| US9931692B2 (en) | Hoisting type continuous casting device, hoisting type continuous casting method, and solidification interface detection device | |
| EP4084918A1 (en) | Method and device for directional crystallization of castings with oriented or monocrystalline structure | |
| CN112689544B (zh) | 铸造设备 | |
| BRPI0510265B1 (pt) | Method for producing metal sheets by the foundation principle of sheet, and, sheet foundation device | |
| WO2024053095A1 (ja) | 制御装置及び製造システム | |
| JP6050173B2 (ja) | プラズマ加熱制御装置とプラズマ加熱制御方法 | |
| EP4446459A1 (en) | Evaporation crucible and evaporation unit | |
| EP4257264A1 (en) | Method and device for directional crystalisation of castings with oriented or monocrystalline structure | |
| JPH02220751A (ja) | 連続鋳造機の鋳込み制御装置および制御方法 | |
| RU2800935C2 (ru) | Литейное оборудование | |
| EP4446458A1 (en) | Evaporation unit | |
| NO180110B (no) | Fremgangsmåte og anordning for å styre mengdeströmmen av smeltet material som stöpes fra et basseng for mottak og oppbevaring av et smeltet material | |
| JP7018405B2 (ja) | エレクトロスラグ再溶解法及び溶解容器 | |
| JP6007027B2 (ja) | 溶湯温度測定システム | |
| JPH03268847A (ja) | 溶融金属の注湯制御装置 | |
| JP2012055942A (ja) | 連続あるいは半連続鋳造装置の湯面レベル制御装置及び湯面高さ制御方法 | |
| JP2007182331A (ja) | 高周波誘導加熱装置および高周波誘導溶解方法 | |
| KR20020054693A (ko) | 일방향응고용 시편제조장치 |