Nothing Special   »   [go: up one dir, main page]

NL8203318A - Inrichting voor processing van substraten. - Google Patents

Inrichting voor processing van substraten. Download PDF

Info

Publication number
NL8203318A
NL8203318A NL8203318A NL8203318A NL8203318A NL 8203318 A NL8203318 A NL 8203318A NL 8203318 A NL8203318 A NL 8203318A NL 8203318 A NL8203318 A NL 8203318A NL 8203318 A NL8203318 A NL 8203318A
Authority
NL
Netherlands
Prior art keywords
substrates
passage
module
medium
segment
Prior art date
Application number
NL8203318A
Other languages
English (en)
Original Assignee
Integrated Automation
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Integrated Automation filed Critical Integrated Automation
Priority to NL8203318A priority Critical patent/NL8203318A/nl
Priority to JP58502841A priority patent/JPS59501727A/ja
Priority to EP83902762A priority patent/EP0116612A1/en
Priority to US06/598,549 priority patent/US4575408A/en
Priority to PCT/NL1983/000031 priority patent/WO1984001084A1/en
Publication of NL8203318A publication Critical patent/NL8203318A/nl
Priority to US06/736,587 priority patent/US4587002A/en

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67784Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations using air tracks
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B65CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
    • B65GTRANSPORT OR STORAGE DEVICES, e.g. CONVEYORS FOR LOADING OR TIPPING, SHOP CONVEYOR SYSTEMS OR PNEUMATIC TUBE CONVEYORS
    • B65G51/00Conveying articles through pipes or tubes by fluid flow or pressure; Conveying articles over a flat surface, e.g. the base of a trough, by jets located in the surface
    • B65G51/02Directly conveying the articles, e.g. slips, sheets, stockings, containers or workpieces, by flowing gases
    • B65G51/03Directly conveying the articles, e.g. slips, sheets, stockings, containers or workpieces, by flowing gases over a flat surface or in troughs
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H01L21/67748Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber horizontal transfer of a single workpiece
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S438/00Semiconductor device manufacturing: process
    • Y10S438/907Continuous processing

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Fluid Mechanics (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)

Description

J % ♦* y *
Inrichting voor processing van substraten,
In da Nederlandse Octrooi-aanvragen No.3 8 103 979 en 8 200' 753 van de aanvrager is een transportsysteem voor substraten aangegevent waar· bij deze door een centraal gelegen passage van een cabine worden gevoerd en 5 opzij van de substraten tenminste plaatselijk stromen medium zorg dragen voor een drijvend verplaatsen van deze substraten met tenminste nagenoeg geen mechanisch contact ervan met cabine-delen· 0e inrichting volgens de uitvinding geeft hierbij nog enige verbe· teringen aan voor het transportsysteem ervan naar in het bijzonder modulesf 10 waarin gecompliceerde processing onder hoogvacuum plaats vindt en is deze in hoofdzaak daardoor gekenmerkt, dat daarin middelen zijn opgenomen voor een tenminste plaatselijk met behulp van langs de substraat bewegen van medium verkregen van een zelfstandig transport van deze substraten.
Daarbij is een volgend gunstig kenmerk, dat daarbij naar zulk een 1.5 substraat toegevoerd medium zich splitst in een hoofdstroom naar een af· voer in de bewegingsrichting van de substraten en een secundairs stroom met een geringe snelheid naar een afvoer, welke tegengesteld is aan deze bewegingsrichting en aldus een resulterende krachtwerking van deze stromen op de substraat wordt uitgeoefend, welke gericht is in de bewegingsrich· 20 ting van deze substraat·
Verder, dat het verschil in stuwsnslheid verkregen wordt door, gezien in de bewegingsrichting van de substraten, verschillende breedtes van de stapelsegmenten met de kleinste breedte in de bewegingsrichting.
De substraat kan ook een tape zijn, die tijdens de processing onaf· 25 gebroken door de inrichting wordt gevoerd· Het verder in da tekst vermeld wordende omvat dan ook tevens zulk een tape·
De substraten hebben toleranties in dikte, onvlakheid, ruwheid en doorbuiging. Daardoor zal bij constante breedte van de passage dB spleetwjjdte tussen de substraten en de segmentwanden van de passage variS· 30 ren en zal als gevolg van de daardoor bewerkstelligde variabele doorstroom· snelheid van de media een variabels krachtwerking ervan op de substraten optreden met aldus een variabele snelheid ervan· v De inrichting is nu verder daardoor gekenmerkt, dat, gezien in de t bewegingsrichting van de substraten, in de segmentpakketten vrije ruimtes 35 zijn opgenomen voor opname daarin van sensoren voor regeling van de druk van de media in de passage in afhankelijkheid van de hoedanigheid van deze substraten en de processing ervan.
8203318 ♦ V .
% » - 2 -
In de inrichting zijn modules opgenomen, waarin microgolf* ovandroging, metallisatie, plasma etsen, plasma strippen, plasma* ontwikkeling, ionen implantage, oxidatie, doping en andere gecompliceerde processing plaats vinden in vrije ruimtes tussen transportsecties, 5 met daarin veelal een vereist hoogvacuum. Daarbij kan de overdracht van substraten plaats vinden naar een een transport-inrichting, welke is op* genomen in zulk een module·
Een volgend zeer gunstig kenmerk is nu, dat, gezien in de bewegingsrichting van de substraten, de lengte van de vrije ruimtes tussen de op-10 volgende segmentpakketten zodanig kleiner is dan de lengte van de substra ten, dat de voor zulk een vrije ruimte gelegen passage voldoende rechtge* leiding biedt aan de substraten voor een correcte invoering ervan in de na deze ruimte gelegen passage·
Vooral "high current" ionen implantage en de microgolf-ovendroging 15 vereisen een relatief langdurige processing·
Een volgend zeer gunstig kenmerk is nu, dat, gezien in de bewegingsrichting van de substraten, een aantal opvolgende modules met dezelfde processing worden toegepast, met tussengelegen segmentpakketten met een daarin opgenomen passage voor de substraten· 20 Door het uiterst geringd gewicht van de substraten per oppervlakte* eenheid kan daarbij de druk in de passage tussen de opvolgende modules met dezelfde processing zeer gering zijn en zulks tot nabij het hoogvacuum voor deze processing en , kan in zulk een passage hetzelfde medium als voor deze processing worden toegepast· 25 Verder wordt tot nu toe bij hoogvacuum-modules de toe* en afvoer van de substraten bewerkstelligd met behulp van mechanische transportsystemen of warden cassettes substraten gelijktijdig in deze modulen gebracht· Daarbij treedt vooral tijdverlies op in verband met het vanaf at* mospherische druk en al dan niet via een luchtslot overgaan naar het 30 hoogvacuum·
Een volgend zeer gunstig kenmerk is nu, dat bij de toevoersectie van het transportsysteem van de nieuwe inrichting naar zulk een module de druk van de opvolgende stromen medium tenminste per groep van zulke stromen afneemt tot tenminste nabij het hoogvacuum· 35 Verder, dat bij de afvoersectie vanaf zulk een'module de druk ten* minste per groep van opvolgende stromen medium toeneemt vanaf tenminste nagenoeg dit hoogvacuum· De vele, elkaar opvolgende stroompjes medium in de bewegingsrichting van de substraten bewerkstelligen daarbij door de 8203318 ν' Λ ♦ν - 3 - * * talrijke mini-krachtuerkingen op zulk een substraat een verplaatsing ervan tegen de toenemende druk In·
Verder is het van belang, dat de snelheid van de processing en daarmede van de substraten gedurende deze processing zo gelijkmatig mogelijk 5 blijft.
Een volgend zeer gunstig kenmerk van de inrichting is nu9 dat daarbij voor en na een serie modules met dezelfde processing en tussengelegen trans-portsecties een transportsectie is opgenomen, waarin het transportsysteem dezelfde is als die in deze modules met tussengelegen transportsecties met 10 tenminste nagenoeg dezelfde hoedanigheden van het transportmedium·
Verder, dat daarbij de lengte van zulk een transportsectie groter is dan de halve lengte van de substraten·
Verdere gunstige kenmerken van de inrichting volgen uit de beschrijving van de hieronder aangegeven Figuren. Ze worden onder andere tussen de op-15 volgende modules met dezelfde processing segmentpakketten toegepast, waarin een zodanige hoeveelheid koeleedium wordt gebracht en wederom wordt afgevoerd, dat de temperatuur van de substraten tijdens de processing beneden de toelaatbare waarde blijft.
Figuur 1 toont in vereenvoudigde vorm do inrichting volgens de uit-20 vinding met daarin opgenomen verschillende procas-nodulas.
Figuur 2 toont de inrichting volgens Figuur 1 in meer gedetailleerde vorm.
Figuur 3 is een sterk vergroot detail van de inrichting volgens de Figuur 1 ter plaatse van da proces-module.
25 Figuur 4 is een dwarsdoorsnede van de inrichting volgens de Fi guur 1 ter plaatse van de daarin opgenomen segmentpakketten.
Figuur 5 is een zijaanzicht van een gedeelte van de in de segment-pakkatten gebruikt wordende segmenten·
Figuur 6 is een doorsnede over de lijn 6-6 van h et segment volgens de 30 Figuur 5·
Figuur 7 is een dwarsdoorsnede van de inrichting ter plaatse van aan proces-module· x
Figuur 8 is aan gedeeltelijke langsdoorsnade van de inrichting volgens 35 Figuur 1 ter plaatse van aan serie proces-modules·
Figuur 9 toont een langsdoorsnade van da inrichting ter plaatse van een opstelling van microgolfoven-modules·
Figuur 10 toont aen procesmodule voor plasma etsen·
Figuur 11 is een andere module voor zulk een plasma etsen· 8203318 ·; ♦; - 4 - * *
Figuur 12 is een langedoorsnede van de inrichting ter plaatse van een serie proces-modules ten behoeve van ionen implantage·
Figuur 13 is een dwarsdoorsnede over de lijn 13-13 van zulk een module·
In de Figuur 1 is de inrichting 10 voor processing van substraten 12 5 aangegeven· Oeze substraten kunnen daarbij ook een tape zijn*
In deze inrichting wordt onder andere gebruik gemaakt van de proces-modules 14 en 16, en waarbij vanuit cassette 18 met behulp van de meeneem-inrichting 20 de substraten 12 naar de passage 22 van de transportsectie 24 voor deze modules worden getransporteerd.
10 Verplaatsing van de substraten vindt daarbij vervolgens plaats met be- hulp van stromen medium, die vanuit segmentpakketten 26 in de passage 22 langs deze substraten 12 warden gestuwd, zie tevens Figuur 3«
In deze cabinesectie vindt tevens in de opvolgende stations 28, 30, 32 en 34 respectievelijk reinigen, drogen, spoelen en wederom drogen plaats· 15 Daarbij voor deze en andere eenvoudige continue processing de mogelijke toepassing van de in de Nederlandse Octrooi-aanvragen No's 8 103 979 en 8 200 753 omechreven proces systemen·
In de Figuur 3 is aangegeven, hoe ook in of nabij deze eenvoudige stations transport van de substraten met behulp van al dan niet proces medium 20 plaats vindt·
Via toevoerkanalen 36 wordt het medium 38 naar de passage-splatan 40 en 42 opzij van de substraten gestuwd en waarbij vervolgens via afvoerkanalen 44 afvoer van dit medium onder al dan niet hoogvacuum geschiedt· Het segment 46 heeft daarbij een grotere breedte dan het segment 48, waardoor de doorstroom-25 weerstand in de spleetwijdte 50 groter is dan die in de spleetsectie 52·
Als gevolg daarvan is in de spleetsectie 52 de doorstroomsnelheid van het medium en daarmede de op op de substraat uitgeoefende kracht groter dan die in de spleetsectie 50 met aldus een resulterende krachtwerking in de aangegeven verplaatsingsrichting op deze substraten· Door de talrijke mediumstromen 30 via opvolgende series kanalen vindt aldus een transport van de substraten plaats·
In de module 14 vindt processing onder hoog vacuum plaats· In de transportsectiss 54 vindt dan ook daartoe in opvolgende segmentpakketten 56, 58, 60 en 62 geleidelijk een drukverlaging van het transportmedium plaats 35 van nabij gtmospherische druk tot nabij dit hoogvacuum· Oaarbij wordt gebruik gemaakt van toe- en afvoerkanalen per pakket, waarin de druk per pakket verlaagd wordt. Tevens kan in zulk een pakket door geleidelijke vergroting van da doorstroomweerstand voor het medium in de daarin opgenomen kanalen per pakket de druk in de spleten opzij van de substraten geleidelijk afnemen· / 8203318 ♦ v s' *’v * i 5 »
De substraten worden continue door de module 14 geleid met het daarbij onderhouden van nagenoeg dezelfde snelheid·
Deze module 14 bestaat daarbij* uit een aantal opvolgende module-sectias 64 met tusssngelegen transportsecties 66· Deze tranaportsecties 66 bemerk-5 steliigen daarbij het verplaatsen van de substraten door de module, waarbij in de modulesecties procesmedium naar zulk een substraat wordt gestuwd·
De opbouw van deze transportsecties 66 is onder andere in de Figuren 3 en 9 aangegeven· Daarbij zijn tenminste de eerste segmenten van het segment-pakket afgeschuind voor het vergemakkelijken van de invoer van de substraten· 10 De vrije module-ruimtes tussen deze pakketten zijn daarbij zodanig ge ring van lengte gehouden, dat zulk een pakket voldoende rechtgeleiding biedt aan de substraat voor het nagenoeg zonder weerstand leiden ervan in het volgende pakket·
Voor een goede, gelijkmatige processing is in deze module 14 een con-15 stante snelheid van de substraten door deze module gewenst zonder beïnvloeding daarvan door de veelal ronde vorm van de substraten· Daartoe zijn dan ook in de inrichting vèèr en na deze module 14 de respectievelijke transportsecties 70 en 72 opgenomen, waarin de hoedanigheden van het transport van de substraten tenminste ongeveer g slijk zijn aan die in de module· Deze secties 20 hebben dan ook dezelfde segmentpakketten 66 en dezelfde tussenruimte 64·
In de proces-module 16 vindt nog wederom een andere processing plaats met een daaraan aangepaste procesdruk· In de cabine sectie 74 vindt daartoe het veranderen van de druk plaats, terwijl de secties 76 en 78 voor en na deze module mede zorg dragen voor een constante doorvoering van de substra-25 ten door deze module.
Na deze module kan dan nog vervolgens in de cabine-sectie 80 één of meerdere eenvoudige processen plaats vinden, waarna de substraten met behulp van de overneeminrichting 82 naar de cassette 84 worden getransporteerd· In de Figuren 4 tot en met 9 is de constructieve opbauw van de in-30 richting 10 aangegeven· Daarbij wordt gebruik genaakt van een tweetal draagstukken 86 en 88· Tussen deze draagstukken zijn de opvolgende segmentpakket-ten 66 geplaatst onder de vorming van de passage 22« De uitstekende aanslag- Λ lippen 90 van de segmenten 92, zie tevens Figuur 6, rusten in de daarmede corresponderende aanslaggroeven 94, die in de draagstukken 86 en 88 zijn op- 35 genomen, waardoor een nauwkeurige breedte van de passage 22 wordt verkregen· «
In de segmenten 92 is het hoofdkanaal 96 opgenomen, terwijl daarop een groot aantal aftakkanalen 98 zijn aangesloten, die met hun uitmondingen 100 in open verbinding zjjh met de passage 22·
In deze kanalen 98 als toevoerkanalen is de door3troomwserstand voor 8203318 ♦ * Λ - 6 - + %* * het medium daarbij aanmerkelijk groter dan de weerstand in de spiestsecties, waardoor ook bij het plaatselijk niet aanwezig zijn van een substraat de stroom medium in de vrije passagespleet zeer beperkt blijft·
Het behulp van de in deze segmenten opgenomen montagegaten 102, waar-5 doorheen montage-middelen kunnen worden gevoerd, wordt een op elkaar stapeling van de segmenten onder het verkrijgen van het pakket 66 verkregen·
De toe- en afvoerkanalen zijn daarbij nagenoeg gelijk· 0e ingangen 104 van de toevoerkanalen zijn daarbij aangesloten op de in het draagstuk 86 opgenomen groeven 106 en 108, terwijl deze groeven, al dan niet per pakket, 10 via het toevoerkannal 110 zijn aangesloten op sen niet aangegeven toevoer-leiding.
Oe uitgangen 112 van de afvoerkanalen zijn aangesloten op de in het draagstuk 88 opgenomen groeven 114 en 116, waarbij deze groeven, eveneens . . al dan niet per pakket, via afvoerkanaal 118 zijn aangesloten op een 15 niet aangegeven afvoerleiding· 0e al dan niet per segmentpakket gebruikt wordende brugstukken 120 en 122 verbinden de beide draagsukken met elkaar onder een gelijktijdige opsluiting van zulk een stapelpakket· Daartoe worden de bout-verbindingen 124 en 126 gebruikt· 20 In de Figuur 7 is de inrichting 10 in een dwarsdoorsnede ter plaatse van een proces-module aangegeven· De draagstukken zjjn daarbij ter plaatse van de module-secties 64 in geringe mate verwijd· Het bovenbrugstuk 128 heeft daarbij de wandsecties 130 en 132 aan de binnenzijde van de draagstukken, terwijl op het bovenvlak 134 ervan de module-cabine 136 is bevestigd· 25 Het anderbrugstuk 138 kan geheel gelijk zijn aan het bovenbrugstuk, in dien aan weerszijden van de substraat dezelfde processing plaats vindt· Indien echter slechts aan de bovenzijde processing plaats vindt, bevat het brugstuk 138 tevens de bodem 140· 0e beide brugstukken kunnen zijn vervaardigd van een voor de processing 30 geschikt materiaal, zoals voor een micragolf-oven microgolf dempend materiaal en voor bijvoorbeeld plasma processing een electrisch isolatie-mate-riaal. Tevens kan zulk een brugstuk 128 nog een tweetal binnenwanden 142 bevatten, waardoor de procesruimtss 64 geheel met behulp van deze brugstukken zijn geisoleerd· 35 In de Figuur 9 is nog wederom de proces-module 14 gedetailleerd aange— geven· Daarbij bevatten de brugstukken 120' en 122' van de segment-pakketten 66' tevens de zijwanden 142' voor de module-secties 64·
De in de Figuren 1 en 2 aangegeven proces-module 12 kan een microgolf- 8203318 ο « * ♦ * - 7 - oven zijn, waarbij in de secties 144 ervan de opwekking van de microgolven plaats vindt. Deze microgolven verplaatsen zich daarbij vanaf deze twee bronnen via de vrije ruimtes 64 als module-secties naar de substraat.
Voor deze oven wordt gebruik gemaakt van microgolf absorberend mate» 5 riaal om opwarming van de raodule-delen en vooral van de segmentpakketten zoveel mogelrjk tegen te gaan. In afhankelijkheid van de soort van oven en transportsnelheid van de substraten kunnen daarbij het aantal secties variëren tussen een enkele voor eenvoudige processing en een tiental voor gecompliceerde ovens ten behoeve van de-hydratie met een totale proces-10 duur van 10-20 seconden.
In deze opwekker-secties 144 kunnen ook elk ander soort van opwekking van proces medium plaats vinden.
In de Figuur 10 is in vereenvoudigde vorm een plasma-ets module 146 aangegeven, waarbij via doortocht 148 gas wordt toegevoerd, in sectie 150 15 plasma wordt opgewekt en met behulp van electrode-opstellingen 152 en 154 onder hoge snelheid naar de substraten 1 2 wordt gebracht. Via doortocht 156 vindt vervolgens afvoer van gassen plaats.
In de Figuur 11 is eveneens in vereenvoudigde vorm een andere plasma-ets module 146’ aangegeven, waarbij de opwekking van het plasma uitwendig 20 plaats vindt in kamer 158 en waarbij de plasma onder hoge snelheid naar de opvolgende module-secties wordt gebracht. Daarbij vindt via doortocht 160 afvoer van gassen plaats.
In deze uitvoeringen kunnen de modules elke soort van scanning ten behoeve van deze processing bevatten, zoals magnetische, electro-statische 25 en zelfs eventueel aanvullende mechanische. Verder kan de substraat 12 tijdens de processing contact maken met de electrode 154 en kan tezamen met deze electrode verbonden zijn met de massa van de module.
In de Figurar 12. is module 162 voor ionen implantage aangegeven, waarbij vanuit de opwekker 164 een ionenstraal-bundel via de verdeler 166 30 en gemeenschappelijke scanning-sectie 168 verder als een vijftal straal bundels naar een vijftal module-secties worden gebracht.
Ook hierbij is elke soort van scanning mogelijk voor de verdeler 166 en sectie"l68 en is ook een aanvullende scanning toepasbaar. Verder bevat deze module elke vereiste electrische isolatie.
35 Verder is een tweetal opwekkers 164 aangegeven en waarbij binnen het kader van de uitvinding dit aantal kan variëren tussen een enkels opwekker voor alle secties tezamen en één opwekker per module-sectie.
De module kan ook dienen voor het met behulp van deze ionen etsen van het substraat-oppervlak.
8203318 *' - a -
Tevens kunnen in de module electroden ten behoeve van de processing zijn opgenomen en kunnen de substraten electrisch geladen of geaard zjjn.
Bij een andere uitvoering van de proces-module kunnen ook metaal-deeltjes en andere stoffen naar het substraat-oppervlak gebracht worden.
5 Binnen het kader van de uitvinding zijn verder alle andere soorten van processing toepasbaar, zoals modules voor doping, oxidatie van het substraat-oppervlak, module voor het leiden van een ontwikkelingsmedium naar de substraat voor het ontwikkelen van de daarop aangebrachte photo-10 gevoelige laag en modules voor stripping van deze laag.
Verder wordt in de segmentpakketten van de modules de druk van het transportmedium nabij de procesdruk in deze module gehouden.
Ook kan met behulp van medium, stromend door deze pakketten, tussentijdse afkoeling van de substraten plaa'Ës1^* wel in zodanige mate, dat de 15 temperatuur tijdens de processing niet te hoog kan oplopen. Daarbij kan doeltreffend gebruik gemaakt worden van het transportmedium en waarbij, zoals in de Figuur 4 is aangegeven, elk van de toevoerkanalen 98 via een nauw verbindingskanaal 170 verbonden kan zijn met de afvoergroeven 114 en 116.
Verder zijn in de inrichting 10 sensoren 172 opgenomen ten behoeve 20 van de regeling van de transportsnelheid van de substraten met daarbij de gebruikmaking van de vrije ruimtes tussen de opvolgende segmentpakketten, zie de Figuren 8 en 12.
Verder kunnen in deze ruimtes of elders in de inrichting meetinstrumenten en sensoren zijn opgenomen voor het volgen en regelen van de proces-25 sing.
Aangegeven is, dat de substraten op enige afstand van elkaar door de inrichting worden gevoerd. Het is daarbij ook mageljjk, dat deze substraten plaatselijk aaneengesloten door deze inrichting worden geleid.
Verder kunnen de transportsecties aangesloten zijn op een proces- .
30 module, waarin een overneem-inrichting de toegevoerde substraten naar een ligplaats brengt in deze module voor processing, waarna een tweede overneem-inrichting deze substraten wederom afvoertnaar een transportsectie. Daarbij kunnen ook gedurende enige tijd een aantal substraten opvolgend naar hun diverse ligplaatsen worden gebracht en gelijktijdig de processing 35 van deze substraten plaats vinden.
De Figuren 13 en 14 tonen in detail een gedeelte van het transportsysteem van een proces-module ten behoeve van een één-zijdige processing van de er door heen gevoerd wordende substraten. In zulk een module vindt 8203318 % - 9 - processing onder een extreem hoog vacuum plaats, bij voorbeeld minder dan 1 X 10“ torr, waarbij gedurende bepaalde processen, zoals ionen implantage en ionen milling een zeer sterke warmte-ontwikkeling in de substraten optreedt· Door het gasvormig medium, stromend door de segmenten en met eventu-5 eel aanvullende koeling van deze segmenten, vindt echter voldoende tussentijdse afkoeling van deze substraten plaats·
In het masker 174 is de doorlaat 176 aangebracht, waardoorheen het proces medium en/of straal bundels naar de substraat 12" wordt gestuwd en gezogen· Het masker strekt zich uit tot in de onmiddellijke nabijheid van de substraten 10 en waarbij verder deze doorlaat-opening zodanig nauwer is dan die van de ruimte 178 onder de substraat-passage, dat ook bij geen plaatselijke aanwezigheid van de substraten toch een voldoende afscherming van de pakketten geschiedt. Zulks mede door de mogelijke gebruikmaking van electrodes 180 onder deze ruimte, waarop door deze ruimte geleide medium wordt aangetrokkén. Verder kan ook in de ruimte 178 opzij van de pakketten een beschermmantel zijn 15 aangebracht·
De toevoer van de transportgassen geschiedt via de toevoerkanalen 36" met een vacuum druk als stuwdruk, bijvoorbeeld 1 torr. Het drijven van de substraten in de passage-spleten 40" en 42" wordt daarbij verkregen door het onderhouden van een hogere stuwdruk in de onderspleet-sectie 42" dan die in de 20 bovenspleet-sectie 40"· Zulks kan mede warden bewerkstelligd door het toepassen van een lagere stuwdruk voor de bovenste kanalen 36" of het opnamen van een hogere doorstroomweerstand in deze bovenste kanalen·
Gasvormig transportmedium wordt vanuit de spleetsectie 40" afgevosrd via de afvoerkanalen 182 tussen masker 174 en de bovenste segmentpakketten 66" 25 door naar da cabine-doorvoeren 184 opzij van de substraten 12" en van daar uit via ruimte 178 naar de cabine-ruimts 186. Een hoogvacuum pomp is aangesloten op deze ruimte. Verder vindt vanuit de spleetsectie 42" rechtstreeks via de ruimte 178 afvoer van de transportgassen plaats. Eventueel kan ook hier een masker zijn toegepast met afvoerkanalen tussen dit masker en de pakketten· 30 De hoeveelheden transportgas, die tevens voor de processing worden toegepast, zijn zeer beperkt, zodat ook bij geen aanwezig zijn van een substraat in de proces-ruimte 188 toch deze gassen in voldoende mate worden afgezegen*
De pakketten en de tussenliggende procss-ruimtes hebben mogelijk slechts een lengte van circa 3 mm. Het aantal van deze pakketten kan aldus zeer 35 groot zijn per module en zulks in afhankelijkheid van de processing. Daarbij dus de ideale tussentijdse afkoelingsn van de substraten.
Binnen het kader van de uitvinding zijn verder andere constructies van de module mogelijk· Tevens daarbij elke anders soort van processing, zoals metal— 3 2 0 3 3 1 8 P^a8ma proces-syetemen, electron beam annealing systemen en doping·

Claims (78)

1· Inrichting met een daarin opgenomen passage voor doorvoer van substraten met aan weerszijden van deze passage segmentpakketten met daarin opgenomen kanalen voor het voeren van media naar en van deze passage voor processing 5 van deze substraten, met het kenmerk, dat daarin verder middelen zijn opgenomen voor een tenminste plaatselijk met behulp van via deze segmentpoakket-ten toe- en afgevoerd medium bewerkstelligen van een zelfstandig transport van deze substraten*
2· Werkwijze van de inrichting volgens Conclusie 1, met het kenmerk, dat 10 voor verplaatsing van de substraten gebruik wordt gemaakt van stromen medium langs tenminste één zijde van deze substraten·
3· Werkwijze volgens de Conclusie 2, met het kenmerk, dat daarbij in de trans-portrichting opvolgende stromen van medium van stuwkanalen naar afvoerkanalen op deze substraten werkzaam zijn· 15 4« Inrichting volgens Conclusie 1, met het kenmerk, dat deze zodanig is uitgevoerd, dat gezien in de bewegingsrichting van de substraten tussen segmenten elkaar opvolgende toe- en afvoerkanalen voor medium zijn opgenomen en vanuit tenminste een deel van deze toevoerkanalen de stroom medium Zich splitst in een stroom medium in de bewegingsrichting van de substra-20 ten en een stroom medium tegengesteld aan deze bewegingsrichting·
5· Werkwijze van de inrichting volgens Conclusie 4, met het kenmerk, dat daarbij de resulterende krachtwerking op de substraten van zulk een combinatie van stromen gericht is in de bewegingsrichting van deze substraten· 6« Inrichting volgens Conclusie 4, net het kenmerk, dat daarbij de segmen-25 ten aan weerszijden van zulk een stuwkanaal zodanig zjjn uitgevoerd, dat deze dezelfde passage-breedte geven en gezien in de bewegingsrichting van de substraten het segment vèèr dit kanaal een grotere breedte heeft dan het segment na dit kanaal·
7· Inrichting volgens Conclusie 1, met het kenmerk, dat daarin een module 30 is opgenomen voor processing van de substraten en in de passage middelen zijn opgenomen voor transport van de substraten naar en van deze module· 8* Werkwijze van de inrichting volgens Conclusie 7, met het kenmerk, dat zoals met behulp van medium transport van deze substraten plaats vindt, in de passage in de richting naar en van deze module de druk van dit medium 35 verandert·
9· Werkwijze volgens de Conclusie 8, met hst kenmerk, dat deze drukverandering van de stromen medium geleidelijk plaats vindt· 8203318 t v - 11 - ♦
10. Werkwijze volgens Conclusie 8, met het kenmerk, dat deze drukverandering in opvolgende groepen van stromen medium plaats vindt.
11. Inrichting met de werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat zoals in de opvolgende segmentpakketten toe- en 5 afvoerkanalen zijn opgenomen, ter plaatse van de proces-module dit afvoerkanaal het dichst bij deze module is gelegen.
12. Werkwijze volgens de Conclusie 8, met het kenmerk, dat daarbij in de toevoersectie naar een module , waarin processing onder vacuum plaats vindt, in de richting van deze module de stuwdruk van zulke medium 10 stromen af neemt tot nabij de onderdruk in deze module.
13. Werkwijze volgens de Conclusie 12, met het kenmerk, dat daarbij in deze sectie in de richting van de module de afvoerdruk van zulk een transportmedium eveneens afneemt tot nabij de onderdruk in deze module.
14. Werkwijze volgens de Conclusie 8, met het kenmerk, dat daarbij in de 15 afvoersectie van een proces-module, waarin processing onder vacuum plaats vindt, in de richting van deze module af de stuwdruk van deze mrdiurn-stromen toeneemt van nabij de onderdruk in deze module tot boven de volgende gewenst wordende procesdruk.
15. Werkwijze volgens de Conclusie 14, met het kenmerk, dat daarbij in 20 deze sectie in de richting van de module af de afvoerdruk van de medium stromen eveneens toeneemt.
16. Inrichting volgens de Conclusie 7, met het kenmerk, dat daarbij aan twee zijden van de passage zulke segmenten zijn opgenomen.
17. Inrichting volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, 25 dat deze middelen bevat voor het van een cassette toevoeren van substraten naar de passage en naar een cassette afvoeren van deze substraten. 18. nodule, welke is opgenomen in de inrichting volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarin middelen zijn opgenomen voor het brengen van de substraten, welke uit de toevoersectie daarin 30 terecht komen, naar hun proces-ligplaats.
19. Toevoersectie, welke is opgenomen in de inrichting volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat de passage ervan onder een hoek is geplaatst zodanig, dat de substraten onder eigen zwaartekracht uit de passage tot in de proces-module kunnen verplaatsen.
20. Toevoersectie, welke is opgenomen in de inrichting volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze tevens tenminste aan twee Zijden van de passage een reinigingssectie en een droogsectie bevat.
21. Toevoersectie volgens Conclusie 20, met het kenmerk, dat daarbij deze reinigingssectie zodanig is uitgevoerd, dat het reinigen geschiedt met 8203318 - 12 - behulp van opvolgende stromen reinigingsmedium in de passage opzij van de substraten·
22· Werkwijze van de toevoersectie volgens Conclusie 21, met het kenmerk, dat daarbij tenminste een deel van het reinigingsmedium onder hoge druk 5 naar de substraten wordt gestuwd·
23· Toevoersectie volgens Conclusie 21, met het kenmerk, dat deze tevens een zodanige spoelsectie bevat, dat het spoelen van de substraten geschiedt met behulp van in de transportrichting opvolgende stromen spoel medium in de passage opzij van de substraten· 10 24« Werkwijze van de toevoersectie volgens de Conclusie 23, met het ken merk, dat daarbij tenminste een deel van het spoelmedium onder hoge druk naar de substraten wordt gestuwd·
25· Toevoersectie volgens Conclusie 20, met het kenmerk, dat deze droog-sectie zodanig is uitgevoerd, dat gezien in de bewegingsrichting van de 15 substraten opvolgende stromen gasvormig medium in de passage opzij van de substraten worden gevoerd·
26· Inrichting volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat de passage ter plaatse van de proces-module over enige afstand is onderbroken· 20 27· Inrichting volgens de Conclusie 26, met het kenmerk, dat deze module tenminste plaatselijk tenminste één geleiding voor de substrateb bevat· 28« Inrichting volgens de Conclusie 26, me£ het kenmerk, dat gezien in de bewegingsrichting van de substraten, de lengte van de vrije ruimte voor de proces-module zodanig kleiner is dan de lengte van de substraten in deze 25 bewegingsrichting, dat de voor de module gelegen passage voldoende rechtge-leiding aan de substraten verschaft voor invoer ervan in de passage na deze module·
29. Inrichting volgens de Conclusie 26, met het kenmerk, dat daarin, gezien in de transportrichting, tenminste een tweetal modules met dezelfde 30 processing zijn opgenomen met tussengelegen transportsecties volgens één der voorgaande Conclusies ten behoeve van het transporteren van deze substraten·
30· Inrichting volgens de Conclusie 29, met het kenmerk, dat dit aantal modules meer dan vijf bedraagt· 35 31· Inrichting volgens de Conclusie 29, met het kenmerk, dat dit aantal zodanig is, dat per module de toelaatbare temperatuur voor de substraat niet wordt overschreden.
32· Inrichting volgens de Conclusie 28, met het kenmerk, dat daarbij tenminste de middensectie van de passage-ingang na zulk een module is ver- 8203318 — 13 — Λ ' ** t wijd . voor een gemakkelijke Invoer van de substraten·
33. Inrichting volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat de vrije doorgang van zulk een proces-module voor de substraten groter is dan de breedte van de passage ter plaatse van de segmentpakketten ten 5 behoeve van transport van deze substraten·
34· Inrichting volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat, gezien in de transportrichting, in de groepen segmentpakketten aan tenminste één zijde van de passage vrije ruimtes zijn opgenomen voor opname daarin van sensoren ten behoeve van de processing en voor regeling van de 10 hoedanigheden van de media in de passage in afhankelijkheid van de hoedanigheid van de substraten.
35· Werkwijze van de inrichting volgens de Conclusie 34, met het kenmerk, dat door de media de substraten tenminste plaatselijk door de passage worden bewogen en de sensoren via commando's naar regelventielen de stroming van 15 de media in de passage zodanig regelen, dat opvolgende substraten een tenminste nagenoeg dezelfde snelheid hebben· 36« Werkwijze volgens de Conclusie 35, met het kenmerk, dat tijdens het transport in de passage tenminste plaatselijk de opvolgende substraten zich over enige afstand van elkaar bevinden· 20 37« Werkwijze van de inrichting volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij de druk van het gasvormige transportmedium in de passage tussen de opvolgende modules met dezelfde processing nagenoeg dezelfde is al die in deze modules·
38· Werkwijze van de Conclusie 37, met het kenmerk, dat daarbij deze druk 25 nabij de praces-modules nabij het vacuum is·
39· Inrichting volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat ter plaatse van een proces-module tenminste het segment, welke aan deze module grenst, vervaardigd is van elsctrisch isolatie-materiaal.
40· Inrichting volgens de Conclusie 39, met het kenmerk, dat bij meerdere 30 op elkaar volgende modules met dezelfde processing de tussengelegen segmentpakketten vervaardigd zijn van electrisch isolatiemateriaal·
41. Inrichting volgens één de voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze zodanig is uitgevoerd, dat bij op elkaar volgende modules met dezelfde processing tenminste het transportmedium in de tussengelegen passages een 35 temperatuur ha eft, die lager is dan die van het éubstraat-oppervlak, waarlangs dit medium stroomt.
42· Werkwijze van de inrichting volgens Conclusie 41, met het kenmerk, dat zoals in de proces-module de temperatuur van het substraat-oppervlak, waarop processing heeft plaats gevonden, gestegen is tot nabij de maximum 8203318 - 14 - toelaatbare temperatuur van een op deze substraat gebrachte film, met behulp van dit medium afkoeling van dit substraat-oppervlak wordt bewerkstelligd tot een zodanig lage temperatuur, dat bij de volgende processing de temperatuur wederom niet hoger kan worden dan deze maximum 5 toelaatbare temperatuur·
43· Inrichting volgens Conclusie 41, met het kenmerk, dat deze zodanig is uitgevoerd, dat daarbij tenminste één segmentpakket gekoeld wordt door een medium, welke niet als transportmedium voor de substraten in de passage terecht komt· 10 44· Inrichting volgens Conclusie 43, met het kenmerk, dat daarbij in ten minste één segmentpakket kanalen zijn opgenomen voor stroming er door heen van koelmedium. 45« Inrichting volgens de Conclusie 44, met het kenmerk, dat dit medium gelijk is aan het transportmedium in dit pakket· 15 46· Inrichting volgens de Conclusie 45, met het kenmerk, dat daarbij het in de segmenten opgenomen hoofdtoevoerkanaal van gasvormig medium enerzijds via aftakkanalen verbonden is met de passage en anderzijds via een nauw kanaal rechtstreeks aangesloten is op een gecombineerde afvoer· 4?· Inrichting volgens één de voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat 20 de modules met dezelfde processing aangesloten zijn op tenminste één opwekker, welke het proces-medium levert* 48* Inrichting volgens de Conclusie 47, met het kenmerk, dat daarbij tussen deze opwekker en de passage een zodanige straalbundel-verdeler is op— genomen, dat via zulk een verdeler tenminste een tweetal straalbundels 25 naar de substraatpassage van deze modules worden geleid· 49« Inrichting volgens de Conclusie 48, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat deze straalbundels, gezien in de transport-richting, achter elkaar zijn gelegen en uitmonden in de opvolgende passage ruimtes voor de modules· 30 50· Werkwijze van de inrichting volgens Conclusie 49, met het kenmerk, dat zulke straalbundels door electro-statische of magnetische scanning middelen worden geleid voor hst verkrijgen van vlakke straalbundels met een breedte ervan, die gezien in de transportrichting, kleiner is dan de lengte van de passage-ruimte in deze modules· 35 51· Inrichting volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat de opwekker een microgolf-opwekker is voor verwarming van de substraten· ’ 52« Inrichting volgens de Conclusie 51, met het kenmerk, dat daarbij tenminste voor plaatselijke bedekking van de segmentpakketten gebruik wordt 8203318 - 15 - gemaakt van microgolf absorberend materiaal·
53· Inrichting volgens de Conclusie 52, met het kenmerk, dat daarbij deze bedekking zodanig is uitgevoerd, dat daarin slechts openingen aanwezig zijn voor doorlaat van de microgolven vanuit de microgolfbron naar de 5 passageruimtes tussen de pakketten segmenten· 54« Inrichting volgens de Conclusie 53, met het kenmerk, dat deze bedekking zich tenminste aan de proceszijde uitstrekt opzij van de segmentpak-ketten en de uiteindes ervan een deel vormen van' de passage voor de substraten· 10 55· Inrichting volgens de Conclusie 54, met het kenmerk, dat daarbij deze bedekking tenminste gedeeltelijk de cabine-secties opzij van de vrije passageruimtes van de modules bedekken·
56· Inrichting volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat de bron een opwekker is van ionen voor ionen-implantage in de substraten·
57. Inrichting volgens één der voorgaande Sonclusies, met het kenmerk, dat de bron een opwekker is van ionen voor het etsen van substraten·
58· Inrichting volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat de bron een electrode-systeem is voor het metalliseren van het substraat-oppervlak, of sen magnetron-sputtering systeem. 20 59· Inrichting volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat de proces-modules met dezelfde processing tevens middelen bevat voor doping van het substraat-oppervlak.
60· Inrichting volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat een serie modules met dezelfde processing zodanig zijn uitgavoerd, dat 25 daarmede oxidatie van het substraat-oppervlak kan plaats vinden.
61· Inrichting volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat daarmede de substraten ter plaatse van deze modules electrisch geladen zijn ten behoeve van de processing·
62· Inrichting volgens de Conclusie 61, met het kenmerk, dat deze verder 30 zodanig is uitgevoerd, dat daarbij tenminste de aan zulk een procesmodule grenzende segmentpakkstten als zijwanden van zulk een module hetzelfde electrisch geladen zijn met in de passage-ruimte van de module tegengesteld geladen schermen opzij van deze wanden, uitstrekkend tot nabij de plaats, waar de processing van de substraten plaats vindt· 35 63« Inrichting volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat aan één zijde van de passge in de passage-ruimte van de module tenminste in de onmidellijks nabijheid van de door te voeren substraten een electrode is opgenomen·
64, Inrichting volgens de Conclusie 63, mat het kenmerk, dat daarbij deze 8203318 » ' · - 16 - electrode tenminste ongeveer een breedte heeft als die van de substraten· 65« Inrichting volgens de Conclusie 64, met het kenmerk, dat deze electrode, gezien in transportrichting, een lengte heeft, die tenminste nagenoeg overeenkomt met die van de passage-ruimte van de module in deze richting· 5 66» Werkwijze van de inrichting colgens Conclusie 65, met het kenmerk, dat daarbij de substraten over deze electrode glijden onder contactmaking daarmede·
67· Inrichting volgens de Conclusie 63, met het kenmerk, dat daarbij deze electrode in electrische zin verbonden is met de metalen massa van de in-10 richting·
68· Inrichting volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij een tweetal draagstukken ervan zich uitstrekken in de transportrichting opzij van de passage, tussen deze balken de segmentpakketten zijn opgenomen, waarbij aanslagen op deze draagstukken dienen voor de juiste 15 positie van deze pakketten en verbindingsstukken de beide draagstukken zodanig met elaar verbinden, dat deze verbindingsstukken tevens de stapel-pakketten opsluiten in dwarsrichting van de opstelling·
69· Inrichting volgens de Conclusie 68, met het kenmerk, dat deze verbin-dingssukken vervaardigd zQn van electrisch isolatiemateriaal of microgolf-20 dempend materiaal»
70. Inrichting volgens de Conclusie 68, met het kenmerk, dat daarbij een combinatie van verbindingsstukken ter plaatse van de proces-modules aan weerszijde van de passage zich zodanig aan de passage—zijde van deze draagstukken als wand uitstrekken, dat daarmede deze binnenzijde van de draag— 25 stukken tenminste nagenoeg bedekt zijn· 71« Inrichting volgens de Conclusie 70, met het kenmerk, dat daarbij tenminste aan de proceszijde zulk een verbindingsstuk zich als wanden opzij van de stapelpakketten uitstrekt tot nabij het denkbeeldige verlende van de passage tussen deze segmentpakketten· 30 72· Inrichting volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat in een segmentpakket in segmenten een hoofdkanaal is opgenomen en waarbij dit kanaal via een groot aantal aftakkanalen verbonden is met de passage, bij tenminste de stuukanalen voor medium in deze aftakkanalen een versmal- * ling ais doorstroomweerstand voor dit medium is opgenomen en waarbij voor 35 tenminste het transportmedium de beide hoofdkanalen van de segmenten aan weerszijde van de passage uitmonden in een gemeenschappelijk kanaal, hetwelk als een tweetal groeven en een doorboring is opgenomen in één van de beide draagstukken,
73· Inrichting volgens de Conclusie 72, met het kenmerk, dat daarbij beide 8203318 -17 - toevoerkanalen zijn aangesloten op een toevoerkanaal in het ene draagstuk en de beide afvoerkanalen voor het medium zijn aangesloten op een afvoerkanaal in het andere draagstuk
74· Inrichting volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat 5 deze zodanig is uitgevoerd, dat tenminste in één proces-module aan beide zijden van de substraat een gelijke processing plaats vindt·
75· Inrichting volgens de Conclusie 74, met het kenmerk, dat bij meerdere op aQtaar volgende modules met dezelfde processing in de tussengelegen passages aan weerszijde ervan dezelfde segmentpakketten zijn opgenomen 10 voor tenminste nagenoeg gelijke tussen-processing van de beide zijden van de substraat·
76· Inrichting volgens de Conclusie 74, met het kenmerk, dat op de pas-sage-ruimtes van op elaar volgende modules met dezelfde processing aan beide zijden van de passage tenminste één opwekker van procesmedium is aan-15 gesloten.
77· Inrichting volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij tenminste onmildeilijk voor en na zulk een combinatie van modules met dezelfde processing met tussengelegen transportsecties toe- en afvoer transportsecties zijn opgenomen, waarin tenminste zodanige constructies zijn 20 opgenomen, dat daarin tenminste wat betreft de hoedanigheden van transport zulk een combinatie van modules en tussen gelegen transportsecties is nagebootst·
78. Inrichting volgens de Conclusie 77, met het kenmerk, dat daarbij de lengte van deze transportsecties tenminste de halve lengte van de substra-25 in de transportrichting ervan is.
79· Inrichting volgens de Conclusie 78, met het kenmerk, dat de lengte van daze secties ongeveer de lengte van de substraten in de transportrichting ervan is·
80· Inrichting volgens de Conclusie 77, met het kenmerk, dat in deze 30 transportsecties eveneens segmentpakketten zijn opgenomen met tussen gelegen vrije ruimtes· 81« Werkwijze van de inrichting volgens Conclusie 80, met het kenmerk, dat in deze vrije ruimtes ongeveer dezelfde druk heerst als in de passage-ruimtes van de opvolgende proces-modules· 35. 82· Inrichting volgens de Conclusie 77, met het kenmerk, dat daarbij vèèr de toevoersectie zodanige transportsecties zijn opgenomen, dat daarin aanpassing aan de procesdrukken in de betreffende proces-modules plaats vindt· 83« Inrichting volgens de Conclusie 80, met het kenmerk, dat in tenminste 8203318 - 18 - een tweetal van deze ruimtes sensoren zijn opgenomen ten behoeve van de processing in deze proces-modules en regeling van de verplaatsings-snelheid van de substraten·
84· Inrichting volgens de Conclusie 83, met het kenmerk, dat daarbij 5 in één van de vrije ruimtes van de afvoersectia middelen zijn opgenomen zijn opgenomen voor directe of indirecte bepaling van de aard van de plaats gehad hebbende processing, zoals de laagdikte van op de substraten aangebrachte medium, diepte van de geetste profielen, mate van oxidatie en van ionen-implantage en doping. 10 85« Inrichting volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarin delen worden toegepast van de cabine-constructies, welke zijn opgenomen in de inrichtingen, zoals omschreven in de Nederlandse Qctrooi-aanvragen no‘s 8 103 979 en 8 200 753 van de aanvrager*
86. Werkwijze van de inrichting volgens één der voorgaande Conclusies, 15 met het kenmerk, dat deze gebruik maakt van tenminste één van de in in de Nederlandse Qctrooi-aanvragen no's 8 103 979 en 8 200 753 van de aanvrager vermelde werkwijzen.
87· Inrichting volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat tenminste een proces-kamer van de module boven de substraat-passage 20 is gelegen en dat daarbij de constructieve opbouw verder zodanig is, dat tijdens de processing tenminste ter plaatse van de uitmondingen in de passage van de toevoerkanalen de stuwdruk van het transportmedium in de spleetsectie onder de substraten groter is dan die in de boven de substraten gelegen spleetsecties· 25 88· Werkwijze van de inrichting volgens Conclusie 87, met het kenmerk, dat daarbij tijdens het substraat-transport het drukverschil groter is dan het gewicht van de substraat per oppervlakte-eenheid·
89· Werkwijze van de inrichting volgens Conclusie 87, met hst kenmerk, dat daarbij de gemiddelde druk in de spleetsectie onder de substraten groter -2 30 is dan 5 x 10 torr.
90· Werkwijze van de inrichting volgens Conclusie 87, met het kenmerk, dat -4 zoals de druk in de proceskamer van de module niet hoger is dan 10 torr, de gemiddelde druk in de spleetsecties onder de substraten niet groter is -i dan 10 torr. 35 91* Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat gedurende de processing de druk in de proces-ruimte nabij de substraat groter is dan die in de module nabij de hoogvacuum afvoer· 92» Werkwijze volgens de Conclusie 91, met het kenmerk, dat zoals in de module ionen implantage of andere processing met de ionen straalbundeld 8203318 »19«· i * plaats vindt met een procesdruk in de proceskamer, die niet groter is dan -4 10 to. r, tijdens de processing in de vrije procesruimte onmiddellijk boven de substraat de gemiddelde druk hoger is·
93. Inrichting, waarin de werkwijze .volgens één der voorgaande Conclusies 5 wordt toegepast, met het kenmerk, dat bij zulk een segmentpakket aan tenminste de proceszijde de uitmondingen van de hoogvacuum afvoerkanalen uitsluitend de uiteinden van de passage tussen de segmentpakketten aan weerszijde van deze passage zijn·
94· Werkwijze van de inrichting volgens Conclusie 93, met het kenmerk, dat 10 daarbij tijdens de processing de cabine van de module tevens fungeert als hoofd» afvoerkanaal voor het gasvormige transportmedium, welke daarin vanuit de substraat passage tussen deze segmentpakketten wordt toegevoerd·
95· Werkwijze volgens Conclusie 94, met het kenmerk, dat daarbij tijdens de processing het transportmedium vanuit de beide passagespleten opzij van de sub-15 straat in benedenwaartse richting via de ruimtes tussen de opvolgende segmentpakketten wordt afgevoerd naar de eronder gelegen cabine-ruimte en vervolgens daaruit met behulp van een hoogvacuumpomp wordt afgezogen·
96· Inrichting volgens de Conclusie 93, met het kenmerk, dat tenminste aan de proces-zijds van de substraat-passage een masker-opstelling is opgenomen, 20 die tenminste gedeeltelijk deze pakketten bedekt ten behoeve van afscherming van deze pakketten met in zulk een masker-opstelling een uitsparing ten behoeve van de processing van de substraten· i
97· Inrichting volgens de Conclusie 96, met het kenmerk, dat daarbij zulk een masker ter plaatse van de daarin opgenomen openingen is doorgedrukt en de 25 doorgedrukte wandsecties zich in de procesruimte tussen de segmentpakketten uitstrekken tot nabij het substraat-oppervlak.
98· Inrichting volgens de Conclusie 97, met het kenmerk, dat daarbij het masker verder zodanig is uitgevaerd, dat zijwandsecties ervan eveneens de zijwanden van de cabine opzij van de proces-ruimts af schermen, deze zijwandsecties 30 zich eveneens uitstrekken tot tenminste nabij de substraat-passage en alle vier zijwandsecties tezamen een koker vormen·
99· Inrichting volgens de Conclusie 96, met het kenmerk, dat deze verder zodanig is uitgevoerd, dat met behulp van de masker-opstellingen de proceszijde van da module slechts via de doortochten van deze maskers in open verbinding 35 kan zijn met de module-ruimte aan de niet-processing zijde ervan·
100· Inrichting volgens de Conclusie 98, met het kenmerk, dat daarbij, gezien in dwarsrichting van de module, de afstand tussen de zijwanden van de cabine ter plaatse van de proces-ruimtes en segmentpakketten aanmerkelijk groter is dan de breedte van de substraten en opzij van tenminste het denkbeeldigs 8203318 * - 20 - verlengde van de substraat-passage van de segmentpakketten zich tenminste één vrije communicatieruimte bevindt, die de proces-zijde van de module ver» bindt met de niet-processing zijde van deze module·
101· Inrichting volgens de Conclusie 100, met hst kenmerk, dat deze communi-5 catie-ruimte zich over tenminste de combinatie van segmentpakketten en tusssen-gelegen proces-ruimtes uitstrekt,
102· Inrichting volgens de Conclusie 100, met het kenmerk, dat daarbij tenminste bij de segmentpakketten aan de proces-zijde van de substraat-passage tussen opvolgende module-secties hoogvacuum-afvoerkanalen zijn opgenomen tussen de 10 zijwanden van deze segmentpakketten en hst daarmede corresponderende masker en zulk een kanaal in open verbinding is met deze communicatie-ruimte.
103· Inrichting volgens de Conclusie 102, met het kenmerk, dat daarbij de module verder zodanig is uitgevoerd, dat de cabine-ruimte ervan onder de opvolgende segmentpakketten al dan niet direct is- aangesloten op tenminste één 15 centrale afvoer naar een hoogvacuumpomp·
104. Inrichting volgens de Conclusie 93, met het kenmerk, dat aan de andere zijde van de passage de segmentpakketten ten behoeve van het transporteren van de substraten tenminste nagenoeg dezelfde constructieve opbouw hebben· 105« Inrichting volgens de Conclusie 104, met het kenmerk, dat op beide pak-20 kstten aan weerszijde van de substraat-passage maskers zijn aangebracht en het masker aan de niet-processing zijde een grotere doorlaat heeft·
106, Inrichting volgens de Conclusie 93, met hst kenmerk, dat zulk een seg-mentpakket slechts bestaat uit een tweetal tegen elkaar gelegen segmenten met tussen deze segmenten opgenomen het toevoerkanaal van gasvormig medium 25 met daarmede verbonden uitmondingen in de substraat-passage·
107· Inrichting volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat onder de segmentpakketten zich een zodanige uitwisselbare opstelling bevindt, dat tijdens de processing zonder de aanwezigheid van een substraat-sectie in de proces-ruimte, delen van hst door de vrije ruimte gestuwde me-30 dium worden aangetrokken door deze opstelling·
108· Inrichting volgens Conclusie 100, met het kenmerk, dat in tenminste één zijwand van da cabine een toevoerkanaal voor het gasvormig transportmedium is opgenomen en dit kanaal via doorboringen is aangesloten op de daarmede corres-* ponderende toevoerkanalen van de opvolgende segmentpakketten.
109. Inrichting volgens de Conclusie 108, met het kenmerk, dat daarbij in de < zijwanden van de cabine een toe- en afvoerkanaal is opgenomen voor koelmedium en beide kanalen via doorboringen van de zijwanden zijn aangesloten op een daarmede corresponderend koelkanaal in het segmentpakket· 8203318 - 21 - V .
110. Werkwijze van da inrichting volgens Conclusie 109, met het kenmerk, dat daarbij het koelmedium gelijk is aan het gasvormige transportmedium, maar dat deze een aanmerkelijk hogers druk heeft·
111· Inrichting volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat 5 de opwakker van al dan niet draagmsdium voor de processing een breedte heeft, welke tenminste gelijk is aan die van de substraten en, gezien in de transport-* richting, een lengte heeft, die groter is dan een tweetal procesruimtes met tussen gelegen segmentpakketten ten behoeve van het transporteren van de substraten· 10 112· Inrichting volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat in de proceskamer van de module, gezien in de transportrichting, een aantal cathodes zijn opgenomen ten behoeve van het metalliseren van het substraat-oppervlak en deze cathodes een breedte hebben, die tenminste ongeveer gelijk is aan die van de substraat· 15 113· Inrichting volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat in de proceskamer tenminste één target als leverancier van op- of in de sub- 4 straten te brengen materiaal is opgenomen en de constructie verder zodanig is, dat daarbij tenminste één ionen straal bundel vanuit een opwekker ervan en werkend op deze target, materiaal van deze target verwijdert en op de sub-20 straat brengt· 114« Inrichting volgens de Conclusie 72, met het kenmerk, dat daarbij de doorstroomweerstand in de aftakkanalen aanmerkelijk groter is dan de door-stroomweerstand van de spleetsectie opzij van de substraat tussen dit kanaal en het daarmede corresponderende afvoerkanaal bij een gemiddelds breedte er-25 van·
115· Werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies, met het kenmerk, dat daarbij tenminste in de proces-modules in de passages tussen de daarin opgenomen segmentpakketten het transportmedium gelijk is aan één van de procesmedia, welke in de module wordt toegepast voor processing· 30 116· Substraat, met het kenmerk, dat daarin tenminste een werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies is toegepast·
117· Tape, met het kenmerk, dat daarin tenminste een werkwijze volgens één der voorgaande Conclusies is toegepast· 8203318
NL8203318A 1982-08-24 1982-08-24 Inrichting voor processing van substraten. NL8203318A (nl)

Priority Applications (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL8203318A NL8203318A (nl) 1982-08-24 1982-08-24 Inrichting voor processing van substraten.
JP58502841A JPS59501727A (ja) 1982-08-24 1983-08-23 基板処理用装置
EP83902762A EP0116612A1 (en) 1982-08-24 1983-08-23 Apparatus for processing of substrates
US06/598,549 US4575408A (en) 1982-08-24 1983-08-23 Method for floating transport of substrates
PCT/NL1983/000031 WO1984001084A1 (en) 1982-08-24 1983-08-23 Apparatus for processing of substrates
US06/736,587 US4587002A (en) 1982-08-24 1985-05-21 Apparatus for floating transport and processing of substrate or tape

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL8203318A NL8203318A (nl) 1982-08-24 1982-08-24 Inrichting voor processing van substraten.
NL8203318 1982-08-24

Publications (1)

Publication Number Publication Date
NL8203318A true NL8203318A (nl) 1984-03-16

Family

ID=19840175

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
NL8203318A NL8203318A (nl) 1982-08-24 1982-08-24 Inrichting voor processing van substraten.

Country Status (5)

Country Link
US (2) US4575408A (nl)
EP (1) EP0116612A1 (nl)
JP (1) JPS59501727A (nl)
NL (1) NL8203318A (nl)
WO (1) WO1984001084A1 (nl)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6461439B1 (en) 1996-07-08 2002-10-08 Asm International N.V. Apparatus for supporting a semiconductor wafer during processing
EP0910868B1 (en) * 1996-07-08 2004-10-13 ASM International N.V. Method and apparatus for contactless treatment of a semiconductor substrate in wafer form

Families Citing this family (325)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL8300649A (nl) * 1983-02-21 1984-09-17 Integrated Automation Methode en inrichting voor het aanbrengen van een coating op een substraat of tape.
US4863577A (en) * 1982-05-28 1989-09-05 Advanced Plasma Systems, Inc. Desmearing and plated-through-hole method
US4806225A (en) * 1982-05-28 1989-02-21 Advanced Plasma Systems, Inc. Desmearing and plated-through-hole apparatus
NL8302163A (nl) * 1983-06-16 1985-01-16 Bok Edward Verbeterde proces installatie met "floating" transport van substraten.
JPS6074626A (ja) * 1983-09-30 1985-04-26 Fujitsu Ltd ウエハー処理方法及び装置
NL8400658A (nl) * 1984-03-01 1985-10-01 Bok Edward Verbeterde installatie voor vacuum processing van substraten.
NL8401776A (nl) * 1984-06-04 1986-01-02 Bok Edward Verbeterde double-floating wafer transport/processing installatie.
FR2574221B1 (fr) * 1984-12-05 1988-06-24 Montaudon Patrick Procede et dispositif permettant l'attaque chimique d'une seule face d'un substrat
JPS61174639A (ja) * 1985-01-28 1986-08-06 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 光エツチング方法
US5082747A (en) * 1985-11-12 1992-01-21 Hedgcoth Virgle L Magnetic recording disk and sputtering process and apparatus for producing same
FR2590554B1 (fr) * 1985-11-27 1989-08-11 Kishimoto Sangyo Co Emballage-conteneur
JPS63503024A (ja) * 1986-02-03 1988-11-02 ボック、エドワ−ド ウエファの浮遊移送と処理のための改良装置
US5308431A (en) * 1986-04-18 1994-05-03 General Signal Corporation System providing multiple processing of substrates
US5102495A (en) * 1986-04-18 1992-04-07 General Signal Corporation Method providing multiple-processing of substrates
US6103055A (en) * 1986-04-18 2000-08-15 Applied Materials, Inc. System for processing substrates
US5013385A (en) * 1986-04-18 1991-05-07 General Signal Corporation Quad processor
CA1331163C (en) * 1986-04-18 1994-08-02 Applied Materials, Inc. Multiple-processing and contamination-free plasma etching system
US4722298A (en) * 1986-05-19 1988-02-02 Machine Technology, Inc. Modular processing apparatus for processing semiconductor wafers
US4839145A (en) * 1986-08-27 1989-06-13 Massachusetts Institute Of Technology Chemical vapor deposition reactor
US4717461A (en) * 1986-09-15 1988-01-05 Machine Technology, Inc. System and method for processing workpieces
JPS63128710A (ja) * 1986-11-19 1988-06-01 Mitsubishi Electric Corp 反応炉
US5755886A (en) * 1986-12-19 1998-05-26 Applied Materials, Inc. Apparatus for preventing deposition gases from contacting a selected region of a substrate during deposition processing
US4911810A (en) * 1988-06-21 1990-03-27 Brown University Modular sputtering apparatus
US4889609A (en) * 1988-09-06 1989-12-26 Ovonic Imaging Systems, Inc. Continuous dry etching system
JP2679158B2 (ja) * 1988-09-29 1997-11-19 日本電気株式会社 半導体装置の製造装置
US5076205A (en) * 1989-01-06 1991-12-31 General Signal Corporation Modular vapor processor system
US6077788A (en) * 1989-02-27 2000-06-20 Hitachi, Ltd. Method and apparatus for processing samples
JP2528962B2 (ja) * 1989-02-27 1996-08-28 株式会社日立製作所 試料処理方法及び装置
US5868854A (en) 1989-02-27 1999-02-09 Hitachi, Ltd. Method and apparatus for processing samples
US6989228B2 (en) * 1989-02-27 2006-01-24 Hitachi, Ltd Method and apparatus for processing samples
JP2683940B2 (ja) * 1989-08-09 1997-12-03 信越半導体 株式会社 ワークの自動洗浄装置
US5238499A (en) * 1990-07-16 1993-08-24 Novellus Systems, Inc. Gas-based substrate protection during processing
US5230741A (en) * 1990-07-16 1993-07-27 Novellus Systems, Inc. Gas-based backside protection during substrate processing
US5843233A (en) * 1990-07-16 1998-12-01 Novellus Systems, Inc. Exclusion guard and gas-based substrate protection for chemical vapor deposition apparatus
US5133284A (en) * 1990-07-16 1992-07-28 National Semiconductor Corp. Gas-based backside protection during substrate processing
US5620525A (en) * 1990-07-16 1997-04-15 Novellus Systems, Inc. Apparatus for supporting a substrate and introducing gas flow doximate to an edge of the substrate
US5578532A (en) * 1990-07-16 1996-11-26 Novellus Systems, Inc. Wafer surface protection in a gas deposition process
JP3351802B2 (ja) * 1991-01-01 2002-12-03 忠弘 大見 薄膜形成装置
DE4111384C2 (de) * 1991-04-09 1999-11-04 Leybold Ag Vorrichtung zur Beschichtung von Substraten
US5248371A (en) * 1992-08-13 1993-09-28 General Signal Corporation Hollow-anode glow discharge apparatus
US5409387A (en) * 1993-08-17 1995-04-25 Berg Technology, Inc. Connector with passive switch for electrostatic discharge
JP3394293B2 (ja) * 1993-09-20 2003-04-07 株式会社日立製作所 試料の搬送方法および半導体装置の製造方法
US5651868A (en) * 1994-10-26 1997-07-29 International Business Machines Corporation Method and apparatus for coating thin film data storage disks
US6239038B1 (en) 1995-10-13 2001-05-29 Ziying Wen Method for chemical processing semiconductor wafers
US6241427B1 (en) * 1998-11-20 2001-06-05 Seagate Technology, Inc. System and method for substantially touchless hydrodynamic transport of objects
NL1011856C2 (nl) * 1999-04-21 2000-10-24 Asm Internat B V Floating wafer reactor alsmede werkwijze voor het regelen van de temperatuur daarvan.
NL1012004C2 (nl) 1999-05-07 2000-11-13 Asm Int Werkwijze voor het verplaatsen van wafers alsmede ring.
NL1018086C2 (nl) 2001-05-16 2002-11-26 Asm Int Werkwijze en inrichting voor het thermisch behandelen van substraten.
US20030168174A1 (en) 2002-03-08 2003-09-11 Foree Michael Todd Gas cushion susceptor system
US7104578B2 (en) * 2002-03-15 2006-09-12 Asm International N.V. Two level end effector
US7181132B2 (en) 2003-08-20 2007-02-20 Asm International N.V. Method and system for loading substrate supports into a substrate holder
US7022627B2 (en) 2003-10-31 2006-04-04 Asm International N.V. Method for the heat treatment of substrates
US7410355B2 (en) * 2003-10-31 2008-08-12 Asm International N.V. Method for the heat treatment of substrates
US6940047B2 (en) * 2003-11-14 2005-09-06 Asm International N.V. Heat treatment apparatus with temperature control system
US7217670B2 (en) * 2004-11-22 2007-05-15 Asm International N.V. Dummy substrate for thermal reactor
DE102005045582B3 (de) 2005-09-23 2007-03-29 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Vorrichtung und Verfahren zur kontinuierlichen Gasphasenabscheidung unter Atmosphärendruck und deren Verwendung
US11136667B2 (en) 2007-01-08 2021-10-05 Eastman Kodak Company Deposition system and method using a delivery head separated from a substrate by gas pressure
US7789961B2 (en) 2007-01-08 2010-09-07 Eastman Kodak Company Delivery device comprising gas diffuser for thin film deposition
CN103093766A (zh) * 2007-12-06 2013-05-08 因特瓦克公司 用于构图介质的商业制造的系统和方法
US20090291209A1 (en) * 2008-05-20 2009-11-26 Asm International N.V. Apparatus and method for high-throughput atomic layer deposition
US9238867B2 (en) * 2008-05-20 2016-01-19 Asm International N.V. Apparatus and method for high-throughput atomic layer deposition
EP2281300A4 (en) * 2008-05-30 2013-07-17 Alta Devices Inc METHOD AND DEVICE FOR A CHEMICAL STEAM SEPARATION REACTOR
US8383202B2 (en) 2008-06-13 2013-02-26 Kateeva, Inc. Method and apparatus for load-locked printing
US10434804B2 (en) 2008-06-13 2019-10-08 Kateeva, Inc. Low particle gas enclosure systems and methods
US12018857B2 (en) 2008-06-13 2024-06-25 Kateeva, Inc. Gas enclosure assembly and system
US11975546B2 (en) 2008-06-13 2024-05-07 Kateeva, Inc. Gas enclosure assembly and system
US12064979B2 (en) 2008-06-13 2024-08-20 Kateeva, Inc. Low-particle gas enclosure systems and methods
EP2159304A1 (en) * 2008-08-27 2010-03-03 Nederlandse Organisatie voor toegepast- natuurwetenschappelijk onderzoek TNO Apparatus and method for atomic layer deposition
KR101296659B1 (ko) 2008-11-14 2013-08-14 엘지디스플레이 주식회사 세정 장치
NL1037060C2 (nl) * 2009-06-23 2010-12-27 Edward Bok Semiconductor installatie, bevattende tenminste mede een lange smalle semiconductor substraat transfer/behandelingstunnel-opstelling ten behoeve van tijdens de werking ervan het ononderbroken plaatsvinden van een totaal semiconductor behandelings-proces van de daarin verplaatsende substraat.
NL1037061C2 (nl) * 2009-06-23 2010-12-27 Edward Bok Semiconductor faciliteit, bevattende tenminste één zeer lange smalle semiconductor substraat transfer/behandelingsinstallatie.
NL1037068C2 (nl) * 2009-06-23 2010-12-27 Edward Bok Semiconductor substraat transfer/behandelings-tunnelopstelling, waarbij tijdens de werking ervan in meerdere stripvormige bovenspleet-gedeeltes ervan boven de opvolgende, ononderbroken eronderlangs verplaatsende semiconductor substraat-gedeeltes het ononderbroken plaatsvinden van een warmte-behandeling onder trilconditie van de daarop in een voorgaand gedeelte ervan opgebrachte laag van de combinatie van vloeibaar draagmedium en deeltjes van een semiconductor substantie.
EP2281921A1 (en) * 2009-07-30 2011-02-09 Nederlandse Organisatie voor toegepast -natuurwetenschappelijk onderzoek TNO Apparatus and method for atomic layer deposition.
NL2003836C2 (en) * 2009-11-19 2011-05-23 Levitech B V Floating wafer track with lateral stabilization mechanism.
EP2360293A1 (en) 2010-02-11 2011-08-24 Nederlandse Organisatie voor toegepast -natuurwetenschappelijk onderzoek TNO Method and apparatus for depositing atomic layers on a substrate
EP2362411A1 (en) 2010-02-26 2011-08-31 Nederlandse Organisatie voor toegepast -natuurwetenschappelijk onderzoek TNO Apparatus and method for reactive ion etching
WO2011145918A1 (en) * 2010-05-18 2011-11-24 Edward Bok Semiconductor installation, containing at-least also a long narrow semiconductor substrate transfer / processing tunnel-arrangement to during its operation the uninterruptedly taking place of a total semiconductor processing / treatment- process of the therein displacing semiconductor substrates
EP2481830A1 (en) * 2011-01-31 2012-08-01 Nederlandse Organisatie voor toegepast -natuurwetenschappelijk onderzoek TNO Apparatus for atomic layer deposition.
EP2481833A1 (en) * 2011-01-31 2012-08-01 Nederlandse Organisatie voor toegepast -natuurwetenschappelijk onderzoek TNO Apparatus for atomic layer deposition
EP2481832A1 (en) * 2011-01-31 2012-08-01 Nederlandse Organisatie voor toegepast -natuurwetenschappelijk onderzoek TNO Apparatus for atomic layer deposition
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
NL2008592C2 (en) * 2012-04-03 2013-10-07 Solaytec B V Method for producing a photocell.
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
CN111490185A (zh) 2013-12-26 2020-08-04 科迪华公司 电子装置的热加工
KR102307190B1 (ko) 2014-01-21 2021-09-30 카티바, 인크. 전자 장치 인캡슐레이션을 위한 기기 및 기술
US9343678B2 (en) 2014-01-21 2016-05-17 Kateeva, Inc. Apparatus and techniques for electronic device encapsulation
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
KR20240119185A (ko) * 2014-04-30 2024-08-06 카티바, 인크. 가스 쿠션 장비 및 기판 코팅 기술
US10332770B2 (en) * 2014-09-24 2019-06-25 Sandisk Technologies Llc Wafer transfer system
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
CH712199A1 (de) 2016-03-07 2017-09-15 Fofitec Ag Vorrichtung zur Abscheidung dünner Schichten auf einem Substrat und Rollenmaterial mit einem Substrat mit solchen Schichten.
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10074554B2 (en) 2016-06-27 2018-09-11 Tel Nexx, Inc. Workpiece loader for a wet processing system
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
JP6802726B2 (ja) * 2017-02-14 2020-12-16 株式会社Screenホールディングス 基板搬送装置、それを備える基板処理装置および基板搬送方法
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
KR102597978B1 (ko) 2017-11-27 2023-11-06 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배치 퍼니스와 함께 사용하기 위한 웨이퍼 카세트를 보관하기 위한 보관 장치
KR102633318B1 (ko) 2017-11-27 2024-02-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 청정 소형 구역을 포함한 장치
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
US11482412B2 (en) 2018-01-19 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition
TWI852426B (zh) 2018-01-19 2024-08-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 沈積方法
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
WO2019158960A1 (en) 2018-02-14 2019-08-22 Asm Ip Holding B.V. A method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
KR102709511B1 (ko) 2018-05-08 2024-09-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
CN112292478A (zh) 2018-06-27 2021-01-29 Asm Ip私人控股有限公司 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及包含含金属的材料的膜和结构
TWI815915B (zh) 2018-06-27 2023-09-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344B (zh) 2018-10-01 2024-10-25 Asmip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
TW202037745A (zh) 2018-12-14 2020-10-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統
TW202405220A (zh) 2019-01-17 2024-02-01 荷蘭商Asm Ip 私人控股有限公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
TWI756590B (zh) 2019-01-22 2022-03-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理裝置
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
JP2020136678A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
JP7509548B2 (ja) 2019-02-20 2024-07-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
JP2020167398A (ja) 2019-03-28 2020-10-08 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ドアオープナーおよびドアオープナーが提供される基材処理装置
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
KR20210010817A (ko) 2019-07-19 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN112323048B (zh) 2019-08-05 2024-02-09 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理裝置
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
JP2021097227A (ja) 2019-12-17 2021-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化バナジウム層および窒化バナジウム層を含む構造体を形成する方法
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
JP2021109175A (ja) 2020-01-06 2021-08-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム
TW202142733A (zh) 2020-01-06 2021-11-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 反應器系統、抬升銷、及處理方法
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR20210093163A (ko) 2020-01-16 2021-07-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고 종횡비 피처를 형성하는 방법
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Asm Ip控股公司 專用於零件清潔的系統
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
KR20210117157A (ko) 2020-03-12 2021-09-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 타겟 토폴로지 프로파일을 갖는 층 구조를 제조하기 위한 방법
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
CN113555279A (zh) 2020-04-24 2021-10-26 Asm Ip私人控股有限公司 形成含氮化钒的层的方法及包含其的结构
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20210132605A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
JP2021177545A (ja) 2020-05-04 2021-11-11 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板を処理するための基板処理システム
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TW202200837A (zh) 2020-05-22 2022-01-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於在基材上形成薄膜之反應系統
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
TW202202649A (zh) 2020-07-08 2022-01-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 基板處理方法
TW202219628A (zh) 2020-07-17 2022-05-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於光微影之結構與方法
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
US11725280B2 (en) 2020-08-26 2023-08-15 Asm Ip Holding B.V. Method for forming metal silicon oxide and metal silicon oxynitride layers
TW202229601A (zh) 2020-08-27 2022-08-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
TW202242184A (zh) 2020-12-22 2022-11-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 前驅物膠囊、前驅物容器、氣相沉積總成、及將固態前驅物裝載至前驅物容器中之方法
TW202226899A (zh) 2020-12-22 2022-07-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 具匹配器的電漿處理裝置
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2848820A (en) * 1952-10-08 1958-08-26 Svenska Flaektfabriken Ab Method and apparatus for supporting and conveying web-like material
US3588176A (en) * 1968-11-13 1971-06-28 Ibm Article transport system and method
US3645581A (en) * 1968-11-26 1972-02-29 Ind Modular Systems Corp Apparatus and method for handling and treating articles
US3731823A (en) * 1971-06-01 1973-05-08 Ibm Wafer transport system
US3888674A (en) * 1972-08-14 1975-06-10 Texas Instruments Inc Automatic slice processing
US3904506A (en) * 1972-11-13 1975-09-09 Shatterproof Glass Corp Apparatus for continuous production of sputter-coated glass products
US4109157A (en) * 1975-12-18 1978-08-22 Kawasaki Jukogyo Kabushiki Kaisha Apparatus for ion-nitriding
US4226526A (en) * 1976-10-04 1980-10-07 Harry Arthur Hele Spence-Bate Transport and positioning mechanism
US4081201A (en) * 1976-12-27 1978-03-28 International Business Machines Corporation Wafer air film transportation system
US4278366A (en) * 1977-03-18 1981-07-14 Gca Corporation Automatic wafer processing system and method
US4166563A (en) * 1977-09-27 1979-09-04 Societe Suisse Pour L'industrie Horlogere Management Services, S.A. Transfer machine for sealing electronic or like components under vacuum
US4331526A (en) * 1979-09-24 1982-05-25 Coulter Systems Corporation Continuous sputtering apparatus and method
US4299518A (en) * 1980-03-03 1981-11-10 Texas Instruments Incorporated Manufacturing work station
NL8103979A (nl) * 1981-08-26 1983-03-16 Bok Edward Methode en inrichting voor het aanbrengen van een film vloeibaar medium op een substraat.
US4392915A (en) * 1982-02-16 1983-07-12 Eaton Corporation Wafer support system

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6461439B1 (en) 1996-07-08 2002-10-08 Asm International N.V. Apparatus for supporting a semiconductor wafer during processing
EP0910868B1 (en) * 1996-07-08 2004-10-13 ASM International N.V. Method and apparatus for contactless treatment of a semiconductor substrate in wafer form
US6805749B2 (en) 1996-07-08 2004-10-19 Asm International, N.V. Method and apparatus for supporting a semiconductor wafer during processing
US7312156B2 (en) 1996-07-08 2007-12-25 Asm International N.V. Method and apparatus for supporting a semiconductor wafer during processing
US6613685B1 (en) 1997-07-08 2003-09-02 Asm International N.V. Method for supporting a semiconductor wafer during processing

Also Published As

Publication number Publication date
US4575408A (en) 1986-03-11
JPS59501727A (ja) 1984-10-11
EP0116612A1 (en) 1984-08-29
US4587002A (en) 1986-05-06
WO1984001084A1 (en) 1984-03-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
NL8203318A (nl) Inrichting voor processing van substraten.
US4622918A (en) Module for high vacuum processing
DE3883280T2 (de) Verfahren zum Laden und Beschichten von Gegenständen in einer kontrollierten Atmosphäre.
KR100552378B1 (ko) 플라즈마 표면 처리 장치의 전극 구조
US4132612A (en) Glow discharge method and apparatus
US4278528A (en) Rectilinear sputtering apparatus and method
FI88762B (fi) Lufttransport-arrangemang
US4916311A (en) Ion beaming irradiating apparatus including ion neutralizer
US4041353A (en) Glow discharge method and apparatus
US4785985A (en) Apparatus for contactless guiding of webs of material, in particular, metal strips, by means of a gas medium
EP0157573A2 (en) Vacuum coating apparatus
JPH01284268A (ja) 荷電粒子ビームの発生および輪送のための装置
EP0093831A2 (en) Neutralised low energy ion beam generator, method of producing a neutralised low energy ion beam and method of producing a neutralised high energy ion beam
CN103474327A (zh) 具有被限制的处理室的多电极等离子体处理系统和与该电极的内部连接的电连接
US4394236A (en) Magnetron cathode sputtering apparatus
KR890002745B1 (ko) 증기류의 폭조정판을 구비한 진공증착장치
KR101276999B1 (ko) 기판 냉각 장치
EP0109148A2 (en) Substrate shield for preventing the deposition of nonhomogeneous films
US4291471A (en) Exhaust system and method for venting a tunnel kiln
EP0894561B1 (en) Horizontal soldering system with oil blanket
US20040121697A1 (en) Firing furnace for plasma display panel and method of manufacturing plasma display panel
Zhitomirsky et al. Plasma distribution and SnO2 coating deposition using a rectangular filtered vacuum arc plasma source
US20230062477A1 (en) Electrode and apparatus for electrolytically treating a workpiece, assembly for forming a cell of the apparatus and method and computer program
WO1985000086A1 (en) Improved installation for floating transport and processing of substrates
WO1984003195A1 (en) Module for high vacuum processing

Legal Events

Date Code Title Description
A85 Still pending on 85-01-01
BV The patent application has lapsed