SiHFPS37N50A Power Mosfet
"`html
Specifikationer
- Märke: Vishay Siliconix
- Modell: SiHFPS37N50A
- Typ: Power MOSFET
- Konfiguration: N-Channel MOSFET
- Drain-Source Voltage (VDS): 500V
- Maximalt On-State Resistance (RDS(on)): 180mΩ
- Grindladdning (Qg): 46nC (max.)
- Total grindladdning (Qg): 71nC
Produktanvändningsinstruktioner
Applikationer:
Denna Power MOSFET är lämplig för ett brett spektrum av applikationer
kräver hög effekt omkoppling.
Beställningsinformation:
Paketbly (Pb)fri och halogenfri. Beställ
SiHFPS37N50A-GE3 i ett Super-247-paket.
Parametrar:
Se till att följa de angivna gränserna för avloppskälla
voltage, gate-source voltage, kontinuerlig avloppsström, etc., som
beskrivs i manualen.
Värmebeständighet:
- Maximal Junction-to-Ambient: 40°C/W
- Case-to-Sink, platt, smord yta: 0.28°C/W
- Maximal Junction-to-Case (dränering): 0.24°C/W
FAQ (vanliga frågor)
F: Vilka är de rekommenderade driftsförhållandena för denna ström
MOSFET?
S: De rekommenderade driftsförhållandena inkluderar att underhålla
specificerad voltage, ström- och temperaturgränser inom
definierat intervall.
F: Kan denna MOSFET användas i högfrekvensapplikationer?
S: MOSFET kan användas i högfrekvensapplikationer;
se dock till att driftsförhållandena är inom
specificerade gränser för att förhindra skador.
F: Finns det några speciella lagringskrav för detta
produkt?
S: Förvara MOSFET på en sval, torr plats borta från fukt och
extrema temperaturer för att bibehålla dess prestanda.
"`
www.vishay.com
SiHFPS37N50A
Vishay Siliconix
Kraft MOSFET
D Super-247
S
GD
G
S N-kanal MOSFET
PRODUKTSAMMANFATTNING
VDS (V) RDS(på) (Max.) ()
Qg (Max.) (nC) Qgs (nC) Qgd (nC)
Konfiguration
500 VGS = 10 V
180 46 71 Singel
0.13
FUNKTIONER · Låg grindladdning Qg ger enkel körning
krav · Förbättrad gate, lavin och dynamisk dV/dt
robusthet · Fullständigt karakteriserad kapacitans och
lavin voltage och aktuell · Effektiv Coss specificerad · Materialkategorisering: för definitioner av överensstämmelse
se www.vishay.com/doc?99912
ANSÖKNINGAR
· Switch mode power supply (SMPS) · Avbrottsfri strömförsörjning · Höghastighetsströmbrytare
TYPISKA SMPS-TOPOLOGIER · Helbryggomvandlare · Effektfaktorkorrigering
BESTÄLLNINGSINFORMATION
Paketbly (Pb)fri och halogenfri
Super-247 SiHFPS37N50A-GE3
ABSOLUT MAXIMAL BETYG (TC = 25 °C, om inget annat anges)
PARAMETER
SYMBOL
Drain-source voltage
Gate-källa voltage
Kontinuerlig avloppsström
Pulserad dräneringsströma
VGS på 10 V
TC = 25 °C TC = 100 °C
Linjär reduktionsfaktor
Enkelpuls lavinenergi b
Repetitiv lavinström a
Repetitiv lavinenergi a
Maximal effektförlust Peak diod recovery dV/dt c
TC = 25°C
Driftövergång och lagringstemperaturområde
Lödningsrekommendationer (topptemperatur)
i 10 s
VDS VGS
ID
IDM
EAS IAR EAR PD dV/dt TJ, Tstg
Anteckningar
a. Upprepad betyg; pulsbredd begränsad av maximal korsningstemperatur (se fig. 11) b. Startande TJ = 25 °C, L = 1.94 mH, Rg = 25 , IAS = 36 A (se fig. 12) c. ISD 36 A, dI/dt 145 A/s, VDD VDS, TJ 150 °C d. 1.6 mm från höljet
BEGRÄNSA
500 ± 30 36 23 144 3.6 1260 36 44 446 3.5 – 55 till + 150 300 d
ENHET V
A
W/°C mJ A mJ WV/ns °C
S21-0019-Rev. D, 18 januari 2021
1
Dokumentnummer: 91258
För tekniska frågor, kontakta: hvm@vishay.com
DETTA DOKUMENT KAN ÄNDRAS UTAN MEDDELANDE. PRODUKTERNA SOM BESKRIVS HÄR OCH DETTA DOKUMENT ÄR UNDERFÖRADE AV SÄRSKILDA ANSVARSFRISKRIVNINGAR, SOM FINNS PÅ www.vishay.com/doc?91000
www.vishay.com
SiHFPS37N50A
Vishay Siliconix
TERMISKT MOTSTÅNDSKAP
PARAMETER
SYMBOL
Maximal junction-to-ambient Case-to-sink, platt, smord yta Maximal junction-to-case (avlopp)
RthJA RthCS RthJC
TYP. –
0.24 –
MAX. 40 0.28
ENHET °C/W
SPECIFIKATIONER (TJ = 25 °C, om inget annat anges)
PARAMETER
SYMBOL
TESTVILLKOR
MIN. TYP. MAX. ENHET
Static Drain-source breakdown voltage Grindkälla tröskel voltage Gate-källa läckage
VDS VGS(th) IGSS
Zero gate voltage avloppsström
IDSS
Drain-source on-state resistans Framåt transkonduktans Dynamisk ingångskapacitans Utgångskapacitans Omvänd överföringskapacitans
RDS(på) gfs
Ciss Coss Crss
Utgångskapacitans
Coss
Effektiv utgångskapacitans Total gate-laddning Gate-source-laddning Gate-drain-laddning Tillslagsfördröjningstid Stigtid Avstängningsfördröjningstid Falltid Drain-source kroppsdiodegenskaper
Coss eff. Qg Qgs Qgd td(on) tr td(off) tf
VGS = 0 V, ID = 250 A
500
–
–
V
VDS = VGS, ID = 250 A
2.0
–
4.0
V
VGS = ± 30 V
–
–
± 100 nA
VDS = 500 V, VGS = 0 V
–
–
25
A
VDS = 400 V, VGS = 0 V, TJ = 150 °C
–
–
250
VGS = 10 V
ID = 22 A b
–
–
0.13
VDS = 50 V, ID = 22 A b
20
–
–
S
VGS = 0 V,
–
VDS = 25 V,
–
f = 1.0 MHz, se fig. 5
–
VDS = 1.0 V, f = 1.0 MHz
–
VGS = 0 V VDS = 400 V, f = 1.0 MHz
–
VDS = 0 V till 400 V
–
–
VGS = 10 V
ID = 36 A, VDS = 400 V, se fig. 6 och 13 b
–
–
–
VDD = 250 V, ID = 36 A,
–
RG = 2.15, RD = 7.0,
se fig. 10 b
–
–
5579
–
810
–
36
–
pF
7905
–
221
–
400
–
–
180
–
46
nC
–
71
23
–
98
–
ns
52
–
80
–
Kontinuerlig source-drain-diodström
IS
MOSFET-symbol som visar
integrerad omvänd
GD
–
–
36
A
Pulsad diod framåtström a
ISM
p – n kopplingsdiod
S
–
–
144
Kroppsdiod voltage
VSD
TJ = 25 °C, IS = 36 A, VGS = 0 V b
–
–
1.5
V
Body diode omvänd återhämtningstid Kroppsdiod omvänd återställningsladdning
trr Qrr
–
570
860
ns
TJ = 25 °C, IF = 36 A, dI/dt = 100 A/sb
–
8.6
13
C
Framåt påslagningstid
ton
Inbyggd påslagningstid är försumbar (tändning domineras av LS och LD)
Anteckningar
a. Upprepad betyg; pulsbredd begränsad av maximal korsningstemperatur (se fig. 11) b. Pulsbredd 300 s; arbetscykel 2 % c. Coss eff. är en fast kapacitans som ger samma laddningstid som Coss medan VDS stiger från 0 % till 80 % VDS
S21-0019-Rev. D, 18 januari 2021
2
Dokumentnummer: 91258
För tekniska frågor, kontakta: hvm@vishay.com
DETTA DOKUMENT KAN ÄNDRAS UTAN MEDDELANDE. PRODUKTERNA SOM BESKRIVS HÄR OCH DETTA DOKUMENT ÄR UNDERFÖRADE AV SÄRSKILDA ANSVARSFRISKRIVNINGAR, SOM FINNS PÅ www.vishay.com/doc?91000
www.vishay.com TYPISKA EGENSKAPER (25 °C, om inget annat anges)
SiHFPS37N50A
Vishay Siliconix
RDS(on) , Dränering-till-källa vid motstånd (normaliserad)
ID, Drain-to-Source Current (A)
1000 100 XNUMX XNUMX XNUMX XNUMX
VGS TOP 15V
10V 8.0V
7.0V 6.0V
5.5V 5.0V
BOTTEN 4.5V
3.0 ID = 36A 2.5 2.0
10
1.5
4.5V 1
0.1 0.1 XNUMX XNUMX XNUMX XNUMX
20 µs PULSBREDD TJ= 25 °C
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig. 1 – Typiska utgångsegenskaper
1.0
0.5 VGS = 10V
0.0 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160
TJ , Junction Temperatur ( °C) Fig. 4 – Normaliserat på-motstånd vs. temperatur
100
VGS
TOP 15V 10V 8.0V
7.0V 6.0V
5.5V 5.0V BOTTEN 4.5V
100000 10000 XNUMX XNUMX XNUMX XNUMX
V GS = 0V,
f = 1 MHz
Ciss = C gs + C gd, C dsSHORTED
Crss = C gd
Coss = C ds + C gd
Ciss
C, Kapacitans (pF)
ID, Drain-to-Source Current (A)
ID, Drain-to-Source Current (A)
10 4.5V
20µs PULSBREDD
TJ=150 °C 1
0.1
1
10
100
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig. 2 – Typiska utgångsegenskaper
1000
100 TJ = 150°C
TJ = 25°C 10
V DS= 50V
20µs PULSBREDD 1
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
VGS , Gate-to-Source Voltage (V)
Fig. 3 – Typiska överföringsegenskaper
VGS, Gate-to-Source Voltage (V)
1000
Coss
100
Crss
10 1 XNUMX XNUMX XNUMX XNUMX
A
10
100
1000
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
Fig. 5 – Typisk kapacitans vs. Drain-to-Source Voltage
20 ID = 36A
16
VDS = 400V VDS = 250V VDS = 100V
12
8
4
FÖR TESTKRETS
SE FIGUR 13 0
0
40
80
120
160
200
QG, Total Gate Charge (nC)
Fig. 6 – Typisk Gate Charge vs. Gate-to-Source Voltage
S21-0019-Rev. D, 18 januari 2021
3
Dokumentnummer: 91258
För tekniska frågor, kontakta: hvm@vishay.com
DETTA DOKUMENT KAN ÄNDRAS UTAN MEDDELANDE. PRODUKTERNA SOM BESKRIVS HÄR OCH DETTA DOKUMENT ÄR UNDERFÖRADE AV SÄRSKILDA ANSVARSFRISKRIVNINGAR, SOM FINNS PÅ www.vishay.com/doc?91000
ISD , omvänd dräneringsström (A)
ID , avloppsström (A)
www.vishay.com
1000
100
TJ = 150°C 10
TJ = 25°C 1
0.1 0.2 XNUMX XNUMX XNUMX XNUMX
VGS = 0 V
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
VSD, Source-to-Drain Voltage (V)
Fig. 7 – Typisk Source-Drain Diode Forward Voltage
1000
DRIFT I DETTA OMRÅDE BEGRÄNSAT AV RDS(on)
100
10us
100us
10
1 ms
TC = 25 ° C
TJ = 150°C
Enkel puls
1
10
100
10 ms 1000
VDS, Drain-to-Source Voltage (V)
10000
Fig. 8 – Maximalt säkert arbetsområde
40
30
20
10
0
25
50
75
100
125
150
TC , hustemperatur ( °C)
Fig. 9 – Maximal dräneringsström vs. hustemperatur
SiHFPS37N50A
Vishay Siliconix
VDS VGS RG
RD DUT
10 V
Pulsbredd 1 µs Driftfaktor 0.1 %
+- VDD
Fig. 10a – Testkrets för kopplingstid
VDS 90 %
10 % VGS
td(på) tr
td(av) tf
Fig. 10b – Växla tidsvågformer
ID , avloppsström (A)
S21-0019-Rev. D, 18 januari 2021
4
Dokumentnummer: 91258
För tekniska frågor, kontakta: hvm@vishay.com
DETTA DOKUMENT KAN ÄNDRAS UTAN MEDDELANDE. PRODUKTERNA SOM BESKRIVS HÄR OCH DETTA DOKUMENT ÄR UNDERFÖRADE AV SÄRSKILDA ANSVARSFRISKRIVNINGAR, SOM FINNS PÅ www.vishay.com/doc?91000
www.vishay.com
1
SiHFPS37N50A
Vishay Siliconix
Termisk respons (Z thJC )
D = 0.50 0.1
0.20
0.10
0.05
0.01
0.02
0.01
ENKELPULS (TERMISK SVAR)
PDM t1 t2
0.001 0.00001 XNUMX XNUMX XNUMX XNUMX
Anmärkningar: 1. Duty factor D = t1 / t 2 2. Topp TJ = P DM x Z thJC + TC
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
t1 , rektangulär pulslängd (sek)
Fig. 11 – Maximal effektiv transient termisk impedans, koppling till hölje
15 V
VDS
L
Förare
RG
20 V tp
DUT IAS
0.01
+ – VDAD
Fig. 12a – Unclamped Induktiv testkrets
VDS tp
IAS Fig. 12b – Unclamped Induktiva vågformer
V DSav, Avalanche Voltage (V)
EAS , enkelpuls lavinenergi (mJ)
3000 2500 2000
ID
BÄSTA
16A
23A
BOTTEN 36A
1500
1000
500
0
25
50
75
100
125
150
Start-TJ , Junction Temperatur ( °C)
Fig. 12c – Maximal lavinenergi vs. dräneringsström
580
560
540
520
500 0 XNUMX XNUMX XNUMX XNUMX
10
20
30
I av , Avalanche Current (A)
A 40
Fig. 12d – Maximal lavinenergi vs. dräneringsström
S21-0019-Rev. D, 18 januari 2021
5
Dokumentnummer: 91258
För tekniska frågor, kontakta: hvm@vishay.com
DETTA DOKUMENT KAN ÄNDRAS UTAN MEDDELANDE. PRODUKTERNA SOM BESKRIVS HÄR OCH DETTA DOKUMENT ÄR UNDERFÖRADE AV SÄRSKILDA ANSVARSFRISKRIVNINGAR, SOM FINNS PÅ www.vishay.com/doc?91000
www.vishay.com
10 V QGS
VG
QG QGD
Laddning Fig. 13a – Grundläggande grindladdningsvågform
SiHFPS37N50A
Vishay Siliconix
Strömregulator Samma typ som DUT
12 V
50 k
0.2 µF
0.3 µF
+ DUT – VDS
VGS
3 mA
IG
ID
Nuvarande samplingmotstånd
Fig. 13b – Gate Charge Test Circuit
S21-0019-Rev. D, 18 januari 2021
6
Dokumentnummer: 91258
För tekniska frågor, kontakta: hvm@vishay.com
DETTA DOKUMENT KAN ÄNDRAS UTAN MEDDELANDE. PRODUKTERNA SOM BESKRIVS HÄR OCH DETTA DOKUMENT ÄR UNDERFÖRADE AV SÄRSKILDA ANSVARSFRISKRIVNINGAR, SOM FINNS PÅ www.vishay.com/doc?91000
www.vishay.com
SiHFPS37N50A
Vishay Siliconix
DUT
+ -
Peak Diode Recovery dV/dt testkrets
+
Överväganden om kretslayout
· Låg ströinduktans
· Markplan
· Låg läckageinduktans
strömtransformator
–
–
+
Rg
· dV/dt styrd av Rg
+
· Förare samma typ som DUT · ISD kontrolleras av arbetsfaktor “D”
– VDD
· DUT – enhet under test
Driver gate drive
PW
Period
D =
PW Period
VGS = 10 Va
DUT lSD-vågform
Motsatt
återvinningsström
Kroppsdiod framåtström dI/dt
DUT VDS-vågform
Diodåterställning
dV/dt VDD
Re-applied voltage
Body diod forward drop Induktorström
Ripple 5 %
ISD
Notera a. VGS = 5 V för enheter med logiknivå
Fig. 14 – För N-kanal
Vishay Siliconix har en världsomspännande tillverkningskapacitet. Produkter kan tillverkas på en av flera kvalificerade platser. Tillförlitlighetsdata för Silicon Technology och Package Reliability representerar en sammansättning av alla kvalificerade platser. Se www.vishay.com/ppg??91258 för relaterade dokument som paket-/tejpritningar, delmärkning och tillförlitlighetsdata.
S21-0019-Rev. D, 18 januari 2021
7
Dokumentnummer: 91258
För tekniska frågor, kontakta: hvm@vishay.com
DETTA DOKUMENT KAN ÄNDRAS UTAN MEDDELANDE. PRODUKTERNA SOM BESKRIVS HÄR OCH DETTA DOKUMENT ÄR UNDERFÖRADE AV SÄRSKILDA ANSVARSFRISKRIVNINGAR, SOM FINNS PÅ www.vishay.com/doc?91000
www.vishay.com
Paketinformation
Vishay Siliconix
TO-274AA (High Voltage)
VERSION 1: FACILITETSKOD = Y
B
E
E4
R
A
A
A1
D2 E1
D1 D
L1
L
Detalj "A"
e 10°
b 0.10 (0.25) MBAM
C A2
5°
Lead Tips
b2
b4
Detalj "A" skala: 2:1
DÄMPA. A A1 A2 b b2 b4 c (1) D
MILLIMETER
MIN
MAX.
4.70
5.30
1.50
2.50
2.25
2.65
1.30
1.60
1.80
2.20
3.00
3.25
0.38
0.89
19.80
20.80
TUM
MIN
MAX.
0.185
0.209
0.059
0.098
0.089
0.104
0.051
0.063
0.071
0.087
0.118
0.128
0.015
0.035
0.780
0.819
DÄMPA. D1 D2 E E1 e L L1 R
MILLIMETER
MIN
MAX.
15.50
16.10
0.70
1.30
15.10
16.10
13.30
13.90
5.45 BSC
13.70
14.70
1.00
1.60
2.00
3.00
TUM
MIN
MAX.
0.610
0.634
0.028
0.051
0.594
0.634
0.524
0.547
0.215 BSC
0.539
0.579
0.039
0.063
0.079
0.118
Anteckningar
· Dimensionering och tolerans enligt ASME Y14.5M-1994 · Dimension D och E inkluderar inte formblixt. Mögelblixt får inte överstiga 0.127 mm (0.005 tum) per sida. Dessa dimensioner mäts vid
ytterkanterna av plastkroppen · Outline överensstämmer med JEDEC®-konturen till TO-274AA (1) Mått mätt vid spetsen av bly
Revision: 19 oktober 2020
1
Dokumentnummer: 91365
För tekniska frågor, kontakta: hvm@vishay.com
DETTA DOKUMENT KAN ÄNDRAS UTAN MEDDELANDE. PRODUKTERNA SOM BESKRIVS HÄR OCH DETTA DOKUMENT ÄR UNDERFÖRADE AV SÄRSKILDA ANSVARSFRISKRIVNINGAR, SOM FINNS PÅ www.vishay.com/doc?91000
www.vishay.com
VERSION 2: FACILITETSKOD = N
E E3
A
AB
A2
Paketinformation
Vishay Siliconix
Q
C C'
D2 D1
D E2
L L1
F
F
C GG
H
H
e
3 x
b
0.25 MBAM
A1 C
b1 b3
E4 E1
b', b2, b4
Basmetall
Plätering
b, b1, b3
AVSNITT “FF”, “GG” OCH “HH” SKALA: INGEN
MILLIMETER
DÄMPA.
MIN
MAX.
A
4.83
5.21
A1
2.29
2.54
A2
1.91
2.16
b'
1.07
1.28
b
1.07
1.33
b1
1.91
2.41
b2
1.91
2.16
b3
2.87
3.38
b4
2.87
3.13
c'
0.55
0.65
c
0.55
0.68
D
20.80
21.10
ECN: E20-0538-Rev. C, 19 oktober 2020 DWG: 5975
Anteckningar
· Dimensionering och tolerans enligt ASME Y14.5M-1994 · Kontur överensstämmer med JEDEC®-kontur till TO-274AD · Mått mäts i mm, vinklar är i grader · Metallytor är förtennade, förutom snittarea
DÄMPA. D1 D2 E E1 E2 E3 E4 e NL L1 Q
MILLIMETER
MIN
MAX.
16.25
17.65
0.50
0.80
15.75
16.13
13.10
14.15
3.68
5.10
1.00
1.90
12.38
13.43
5.44 BSC
3
19.81
20.32
3.70
4.00
5.49
6.00
Revision: 19 oktober 2020
2
Dokumentnummer: 91365
För tekniska frågor, kontakta: hvm@vishay.com
DETTA DOKUMENT KAN ÄNDRAS UTAN MEDDELANDE. PRODUKTERNA SOM BESKRIVS HÄR OCH DETTA DOKUMENT ÄR UNDERFÖRADE AV SÄRSKILDA ANSVARSFRISKRIVNINGAR, SOM FINNS PÅ www.vishay.com/doc?91000
www.vishay.com
Ansvarsfriskrivning
Juridisk friskrivningsklausul
Vishay
ALLA PRODUKTER, PRODUKTSPECIFIKATIONER OCH DATA KAN ÄNDRAS UTAN MEDDELANDE FÖR ATT FÖRBÄTTRA TILLFÖRLITLIGHET, FUNKTION ELLER DESIGN ELLER ANNAT SÄTT.
Vishay Intertechnology, Inc., dess dotterbolag, agenter och anställda, och alla personer som agerar på dess eller deras vägnar (tillsammans kallat "Vishay"), frånsäger sig allt ansvar för eventuella fel, felaktigheter eller ofullständigheter som finns i något datablad eller i någon annan information som rör någon produkt.
Vishay lämnar inga garantier, representationer eller garantier avseende produkternas lämplighet för något speciellt ändamål eller den fortsatta produktionen av någon produkt. I den maximala utsträckning som tillåts enligt tillämplig lag, frånsäger sig Vishay (i) allt ansvar som härrör från tillämpningen eller användningen av någon produkt, (ii) allt ansvar, inklusive men inte begränsat till särskilda, följdskador eller oförutsedda skador, och (iii) ) alla underförstådda garantier, inklusive garantier om lämplighet för särskilda ändamål, icke-intrång och säljbarhet.
Uttalanden om produkters lämplighet för vissa typer av applikationer baseras på Vishays kunskap om typiska krav som ofta ställs på Vishays produkter i generiska applikationer. Sådana uttalanden är inte bindande uttalanden om produkters lämplighet för en viss tillämpning. Det är kundens ansvar att validera att en viss produkt med de egenskaper som beskrivs i produktspecifikationen är lämplig för användning i en viss applikation. Parametrar som tillhandahålls i datablad och/eller specifikationer kan variera i olika applikationer och prestanda kan variera över tiden. Alla driftsparametrar, inklusive typiska parametrar, måste valideras för varje kundapplikation av kundens tekniska experter. Produktspecifikationerna utökar eller ändrar inte Vishays köpvillkor, inklusive men inte begränsat till garantin som uttrycks däri.
Hyperlänkar som ingår i detta datablad kan leda användare till tredje part webwebbplatser. Dessa länkar tillhandahålls som en bekvämlighet och endast i informationssyfte. Inkluderandet av dessa hyperlänkar utgör inte ett stöd eller ett godkännande från Vishay av någon av produkterna, tjänsterna eller åsikterna från företaget, organisationen eller individen som är associerad med tredje part webplats. Vishay frånsäger sig allt ansvar och tar inget ansvar för tredje parts riktighet, laglighet eller innehåll webwebbplats eller för efterföljande länkar.
Förutom vad som uttryckligen anges skriftligt, är Vishay-produkter inte designade för användning i medicinska, livräddande eller livsuppehållande tillämpningar eller för någon annan tillämpning där ett fel på Vishay-produkten kan leda till personskada eller dödsfall. Kunder som använder eller säljer Vishay-produkter som inte uttryckligen anges för användning i sådana applikationer gör det på egen risk. Vänligen kontakta auktoriserad Vishay-personal för att få skriftliga villkor för produkter som är designade för sådana applikationer.
Ingen licens, uttrycklig eller underförstådd, genom estoppel eller på annat sätt, till några immateriella rättigheter beviljas av detta dokument eller genom något beteende från Vishay. Produktnamn och märkningar som anges häri kan vara varumärken som tillhör sina respektive ägare.
© 2024 VISHAY INTERTECHNOLOGY, INC. ALLA RÄTTIGHETER FÖRBEHÅLLS
Revision: 01-2024-XNUMX
1
Dokumentnummer: 91000
För tekniska frågor, kontakta:
DETTA DOKUMENT KAN ÄNDRAS UTAN MEDDELANDE. PRODUKTERNA SOM BESKRIVS HÄR OCH DETTA DOKUMENT ÄR UNDERFÖRADE AV SÄRSKILDA ANSVARSFRISKRIVNINGAR, SOM FINNS PÅ www.vishay.com/doc?91000
Dokument/resurser
| VISHAY SiHFPS37N50A Power Mosfet [pdf] Bruksanvisning SiHFPS37N50A Power Mosfet, SiHFPS37N50A, Power Mosfet, Mosfet |