VISHAY ထုတ်ကုန်များအတွက် အသုံးပြုသူလက်စွဲများ၊ ညွှန်ကြားချက်များနှင့် လမ်းညွှန်ချက်များ။
Discover the IRFP23N50L Power MOSFET by Vishay Siliconix with a drain-source voltage of 500V and on-state resistance of 150 ohms. Explore its features, applications, and electrical characteristics in this comprehensive user manual.
Vishay Siliconix မှ SiHF18N50D D Series ပါဝါ MOSFET ၏ အသေးစိတ်သတ်မှတ်ချက်များနှင့် အင်္ဂါရပ်များကို ရှာဖွေပါ။ ၎င်း၏ ခံနိုင်ရည်နိမ့်ပါးမှု၊ အမြန်ကူးပြောင်းနိုင်မှုနှင့် ပါဝါအီလက်ထရွန်နစ်ပစ္စည်းများ၊ မော်တာထိန်းချုပ်မှုနှင့် ဗို့အားအတွက် သင့်လျော်မှုအကြောင်း လေ့လာပါtage စည်းမျဉ်းလျှောက်လွှာ။ အများဆုံး Drain-ရင်းမြစ် vol အတွက် ထိုးထွင်းအမြင်များ ရယူပါ။tagအကောင်းဆုံးစွမ်းဆောင်ရည်အတွက် 550V နှင့် အပူခံနိုင်ရည်အဆင့်သတ်မှတ်ချက်များ။
Discover the specifications and usage instructions for the IRFR430A, IRFU430A, SiHFR430A, and SiHFU430A series of Power MOSFETs by Vishay Siliconix in this comprehensive user manual. Learn about key features, thermal considerations, and electrical characteristics of these N-Channel MOSFETs.
Vishay Siliconix မှ IRFP240 Power MOSFET၊ ပါဝါမြင့်မားသော N-Channel MOSFET မှ ထွက်လာသည့်အရင်းအမြစ် vol ပါရှိသော IRFPXNUMX Power MOSFET အကြောင်းအားလုံးကို လေ့လာပါtage ၏ 200V နှင့် on-state resistance သည် 0.18Ω ဖြစ်သည်။ ဤပြည့်စုံသောအသုံးပြုသူလက်စွဲတွင် ၎င်း၏သတ်မှတ်ချက်များ၊ အပူခံနိုင်ရည်အဆင့်သတ်မှတ်ချက်များနှင့် တက်ကြွသောလက္ခဏာများကို စူးစမ်းပါ။
Vishay Siliconix မှ IRFPF50 ပါဝါ MOSFETs အတွက် အသေးစိတ်သတ်မှတ်ချက်များနှင့် အသုံးပြုမှုလမ်းညွှန်ချက်များကို ရှာဖွေပါ။ ဤ N-Channel MOSFET များ၏ ထုတ်ကုန်မော်ဒယ်၊ ပက်ကေ့ခ်ျအမျိုးအစားနှင့် အဓိကအင်္ဂါရပ်များအကြောင်း လေ့လာပါ။ စွမ်းဆောင်ရည်နှင့် အသက်ရှည်စေရန် မှန်ကန်သော တပ်ဆင်မှုနှင့် လုပ်ဆောင်ချက်ကို သေချာပါစေ။
Vishay မှ စွမ်းဆောင်ရည်မြင့် IRFD110 Power MOSFET ကို ရှာဖွေပါ၊ vol တစ်ခုပါရှိပါသည်tag100V ၏ e အဆင့်သတ်မှတ်ချက်၊ 8.3Ω ခုခံမှုနည်းသော၊ နှင့် စုစုပေါင်းဂိတ်တာဝန်ခံ 3.8nC။ ၎င်း၏ အကြမ်းခံသော ဒီဇိုင်း၊ လျင်မြန်သော ကူးပြောင်းနိုင်မှု နှင့် 1W အထိ အပူငွေ့ပျံခြင်း အကြောင်း လေ့လာပါ။ အမျိုးမျိုးသော applications များအတွက်စံပြ။
အဆင်ပြေသော D9530PAK (TO-9530) ပက်ကေ့ခ်ျတွင် Vishay Siliconix မှ စွမ်းဆောင်ရည်မြင့် IRF2S နှင့် SiHF263S ပါဝါ MOSFETs ကို ရှာဖွေပါ။ ဤ P-Channel MOSFET များသည် အမြန်ပြောင်းခြင်း၊ ခုခံမှုနည်းခြင်းနှင့် အကြမ်းခံသော ဒီဇိုင်းကို အပလီကေးရှင်းအမျိုးမျိုးတွင် အကောင်းဆုံးပါဝါကိုင်တွယ်ခြင်းအတွက် ပံ့ပိုးပေးပါသည်။ သတ်မှတ်ထားသော Volume ဖြင့် သင့်လျော်သော တပ်ဆင်မှုနှင့် လည်ပတ်မှုကို သေချာပါစေ။tage နှင့် ထိရောက်သောစွမ်းဆောင်ရည်အတွက် လက်ရှိကန့်သတ်ချက်များ။
Vishay Siliconix ၏ ပြည့်စုံသော အသုံးပြုသူလက်စွဲတွင် IRLZ44 နှင့် SiHLZ44 Power MOSFET များအကြောင်း အားလုံးကို လေ့လာပါ။ အသေးစိတ်သတ်မှတ်ချက်များ၊ တပ်ဆင်မှုလမ်းညွှန်ချက်များ၊ လည်ပတ်မှုအခြေအနေများနှင့် အခြားအရာများကို ရှာပါ။ 50W ပါဝါ dissipation အထိ စီးပွားဖြစ်-စက်မှုလုပ်ငန်းသုံး application များအတွက် စံပြဖြစ်သည်။
Vishay Siliconix မှ IRFPC60LC Power MOSFET အကြောင်း လေ့လာပါtage ၏ 600V နှင့် low on-state resistance။ သတ်မှတ်ချက်များ၊ တပ်ဆင်မှုလမ်းညွှန်ချက်များ၊ လည်ပတ်မှုလမ်းညွှန်ချက်များ၊ ပြုပြင်ထိန်းသိမ်းမှုဆိုင်ရာ အကြံပြုချက်များနှင့် FAQs များကို ရှာဖွေပါ။ အကောင်းဆုံး ဂိတ်ရင်းမြစ် အတွဲtage သည် အမြင့်ဆုံးစွမ်းဆောင်ရည်အတွက် 10V ဖြစ်သည်။ ပျက်စီးခြင်း သို့မဟုတ် အပူလွန်ကဲခြင်းအတွက် ပုံမှန်စစ်ဆေးပါ။ လျှော့ချထားသော gate drive လိုအပ်ချက်များနှင့် ပိုမိုကောင်းမွန်သော VGS အဆင့်သတ်မှတ်ချက်များဖြင့် ပါဝါမြင့်မားသော application များအတွက် အကောင်းဆုံးဖြစ်သည်။
Vishay Siliconix မှ IRFP360PBF Power MOSFET အတွက် ပြီးပြည့်စုံသော သတ်မှတ်ချက်များနှင့် အသုံးပြုမှုလမ်းညွှန်ချက်များကို ရှာဖွေပါ။ ၎င်း၏အင်္ဂါရပ်များ၊ အပူခံနိုင်ရည်အဆင့်သတ်မှတ်ချက်များနှင့် TO-247AC ပက်ကေ့ခ်ျတွင် မှာယူမှုအချက်အလက်အကြောင်း လေ့လာပါ။ ၎င်း၏ N-Channel ဒီဇိုင်း၊ 400V drain-source breakdown vol အကြောင်း ရှာဖွေပါ။tage၊ နှင့် RoHS လိုက်နာမှုအသေးစိတ်အချက်အလက်များကို ပေးထားသောအသုံးပြုသူလက်စွဲတွင်။
