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    Université IBN ZOHR Année universitaire : 2020-2021

    Ecole Nationale des Sciences Appliquées CP.2: Electronique analogique


    Agadir

    Série N° 2

    EXERCICE 1
    On considère le montage de la figure suivante où
    les diodes sont parfaites. Déterminer l’intensité I et
    la tension aux bornes de chaque diode.
    Avec : a(t)= -30V, b(t) = -10V, c(t) = -20V

    EXERCICE 2
    La tension seuil est de 0.6 V. Leur résistance dynamique est considérée
    nulle.
    On donne E1=30V , E2= 10V, E3= 15V, E=10V et R= 20Ω
    Donner l’etat de chaque diode (bloquée ou passante) avec justification
    R R

    EXERCICE 3
    1. Que vaut approximativement la tension aux bornes d'une diode au
    silicium en direct?

    2. Une tension de 100 V est appliquée en inverse sur une diode. Un courant de 10 A traverse la
    diode. Que vaut sa résistance de coulage en inverse (RR) (résistance de fuite) ?

    3. I = ? 4. I = ? 5. I = ? 6. Que vaut R ?
    1k R1 R3 I=? 20mA

    I 10k 10k I 10k R


    R2 I
    10k 10k
    10V 20V 50V Ud=2V
    20V
    EXERCICE 4

    On suppose que la tension seuil de la diode


    est 0,6 V et sa résistance dynamique nulle. R1
    = 320 Ω et R2 = 460Ω.
    D
    Pour quelle valeur de VE la diode devient
    passante?

    On prend VE = 6 V, Calculer ID qui circule


    dans la diode, et les tensions VR1 et VR2 aux bornes de R1 et R2

    EXERCICE 5
    Les diodes utilisées dans les circuits suivants sont modélisés en direct par (Vs=0.7V, Rd =0)
    et en inverse par une résistance infinie. La tension d'entrée e(t) = Vm sin(𝜔𝑡) avec Vm>E1.
    Pour chacun des circuits:

    Circuit a Circuit b Circuit c

    R
    R R
    S(t) e(t) S(t) S(t)
    E1
    e(t E1 E1 e(t)
    )

    Déterminer l'expression de s(t) selon l'état qu'aura de la diode en fonction des valeurs de e(t)
    et tracer la caractéristique de transfert s=f(e).

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