Memoire 11
Memoire 11
Memoire 11
Introduction générale
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Introduction générale
Dans le premier chapitre, une description générale sur les différentes topologies des
systèmes photovoltaïques. Elle a permis de poser la problématique dans le contexte tunisien
lorsque la consommation est importante.
Le troisième chapitre est l'objet de cette étude traite les méthodes des réalisations d'un
hacheur survolteur et d'un onduleur monophasé qui vise à faire obtenir une courant alternative
à partir d’une tension continue.
Enfin une conclusion qui clôture notre travail et des perspectives qui ouvrent des
horizons à ce sujet.
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Chapitre I: Etat d’art du système
I.1. Introduction
Il consiste à produire une force électromotrice lorsque la surface de cellule est exposée à
la lumière. La tension générée peut varier en fonction du matériau utilisé pour la fabrication
de la cellule. L’association de plusieurs cellules PV en série/parallèle donnent lieu à un
générateur photovoltaïque (GPV) qui a une caractéristique courant- tension (I-V) non linéaire
présentant un point de puissance maximale.
Sur un site non raccorde au réseau, appelé site isolé ou système photovoltaïque
autonome
Sur un site raccordé au réseau. Le courant produit par un panneau
photovoltaïque et directement injecté dans le réseau. Un compteur mesure
l’électricité produit en KWh. Ce type d’installation est plus répandu. Ceci est
essentiellement lié au prix avantageux de revente de l’électricité.
Sur un site raccordé au mini réseau, appelé site Systèmes photovoltaïques
autonomes hybrides.
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Chapitre I: Etat d'art du système photovoltaïque pour l'habitat
Ce sont les systèmes photovoltaïques non connectés au réseau. Leurs rôles est
d’alimenter un ou plusieurs consommateurs situés dans une zone isolée du réseau électrique.
Ils sont utilisés lorsque le réseau de distribution est inexistant ou lorsque les coûts de
raccordement à ce réseau sont onéreux. La figure (I.1) présente un exemple d’un système PV
autonome.
A signaler que le système de stockage représente une partie très importante du coût de
l’installation, et ces conditions de fonctionnement sont très contraignant. En effet, un sous-
dimensionnement a pour conséquences un vieillissement prématuré du système de stockage
alors qu’un surdimensionnement peut conduire à un surcoût économique.
Les systèmes Hybrides sont généralement des systèmes photovoltaïques (PV) couplés à
d’autres sources comme par exemple une éolienne ou un groupe électrogène.
La figure (I.2) représente un système hybride avec éolien. L’énergie produite par celle-
ci vient compléter la charge des batteries. Sa production étant plus aléatoire que celle des
panneaux solaires, elle complète efficacement un générateur photovoltaïque pour des
applications particulièrement gourmandes en électricité, qui ne nécessitent pas de fonctionner
de façon régulière, mais au gré du vent [1].
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Chapitre I: Etat d'art du système photovoltaïque pour l'habitat
Panneau PV
DC Onduleur Compteur
AC module PV
Batterie AC Onduleur
DC batterie
Génerateur
Par rapport au système hybride avec éolien, celui à groupe électrogène est plus cher au
niveau du coût de fonctionnement (coût du fuel) et plus impactant sur l’environnement.
Cependant, le groupe électrogène est capable de satisfaire immédiatement les changements de
consommation pendant un court du temps.
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Chapitre I: Etat d'art du système photovoltaïque pour l'habitat
Ce sont les systèmes photovoltaïques les plus répandus. La figure (I.4) représente un
système PV connecté au réseau électrique, dont le rôle principal est de contribuer à la
production d’électricité d’origine renouvelable sur le réseau. Ils bénéficient à l’heure actuelle
de tarifs préférentiels de rachat de l’énergie.
D’un point de vue de la physique, le système est composé par un onduleur et des
générateurs PV.
L’énergie produite par les panneaux est directement consommée par les charges locales
de l’habitat. L’éventuel surplus de production par rapport à la consommation instantanée est
injecté sur le réseau. Et en cas de coupure réseau, l’onduleur stoppe l’injection d’électricité
photovoltaïque produite sur le réseau et bascule la production sur un circuit électrique de
secours parallèle, constitué d’un ensemble de batteries.
Le système est composé essentiellement par les panneaux PV, la batterie et des super
condensateurs. Le contrôle d’échange d’énergies, entre le système photovoltaïque avec le
réseau électrique, est assuré par des stratégies de contrôle des convertisseurs pour s’adapter au
changement de charge aux conditions climatiques.
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Chapitre I: Etat d'art du système photovoltaïque pour l'habitat
La figure (I.5) illustre une architecture électrique d'un système photovoltaïque autonome
hybride.
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Chapitre I: Etat d'art du système photovoltaïque pour l'habitat
Groupe
Electrogène
GE
Réseau Interrupteur 1
N Consommateurs
Compteur B CMA
consommation 2
Organe de mesure
et disjoncteur 1
puissance CMA
A 2
consommée
CMA
1
Onduleur batterie
2
Batteries
Concentrateur
- +
Optimiseur gestion
Contrôleur local
A
Compteur
injection Onduleur PV PV
A
A
I.3. Problématique
Nous présentons la structure de notre système d’énergie renouvelable sur la figure (I.8):
DC DC
DC AC
Micro-réseau
Panneaux PV
Batterie du stockage
Système PV/ Stockage
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Chapitre I: Etat d'art du système photovoltaïque pour l'habitat
I.4. Conclusion
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Chapitre II: Modélisation et simulation
Hacheur Onduleur
GPV boost monophasé
Charge
Commandes
Figure II. 1
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Chapitre II: Modélisation et simulation des éléments du
système
résistance shunte ( R p) caractérisant un courant de fuite entre la grille supérieure et le contact
arrière qui est généralement très supérieure à ( R s ¿ [7].
( V + I . RS )
I p= ( II .4)
RP
( V + I .Rs )
I =I ( e )
N s . A .V T
d O −1 (II .5)
K .T
Avec: VT= (II .6)
q
I sc
I 0 r= Voc
( II .7)
(e N s . A .V T
−1 )
Eg 1 1
[ ( )] (II .8)
(( )
.
T 3
−
A .K T n T
I o=I ¿
Tn
e
)
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Chapitre II: Modélisation et simulation des éléments du
système
( V +I . Rs )
On a: I =I p h−I O (e N s . A .V T
) ( V + I . RS )
−1 − (II .9)
RP
V + I .Rs
−I . [ ( e ) ]
N s . A .V T
I =I ph O −1 −1 (II .10)
Où:
Pour réaliser cette modélisation, nous avons utilisé MATLAB comme outil de tests et de
la simulation. Nous avons choisi une modèle photovoltaïque AM-60f 250. Ce panneau fournit
une puissance photovoltaïque rentable destinée à un usage général par exploitation directe de
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Chapitre II: Modélisation et simulation des éléments du
système
charges courant continu, ou de charges courant alternatif sur les systèmes munis d’onduleur.
Le module est composé de 63 cellules solaires multi cristallines en silicone connectées en
série pour produire une puissance maximale de 250W.
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Chapitre II: Modélisation et simulation des éléments du
système
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Chapitre II: Modélisation et simulation des éléments du
système
II.2.3.1. Influence de l’irradiation
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Chapitre II: Modélisation et simulation des éléments du
système
Quand la température diminue, la tension à vide augmente, mais le courant de court-
circuit diminue dans des proportions moindres (figure II.7). La diminution du courant de
saturation est la principale cause de la chute de courant à basse température.
C'est un convertisseur DC-DC parallèle qui augmente la tension de son entrée (source) à
sa sortie (charge). Le schéma électrique du hacheur survolteur et son commande est donné par
la figure (II.8).
d . V PV ( t)
{
i C 1 ( t )=C 1 =i PV ( t ) −i L ( t )
dt
d . V o (t)
iC 2 ( t ) =C 2 =−i o ( t ) (II .11)
dt
d . i L (t)
V L ( t )=L =−V PV ( t )
dt
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Chapitre II: Modélisation et simulation des éléments du
système
Pour la deuxième période [ (1−α ) .T ] , K est ferme:
d .V PV (t )
{
iC 1 ( t ) =C 1 =i PV (t)−i L (t )
dt
d . V o (t)
iC 2 ( t ) =C 2 =i L (t)−i o ( t ) ( II .12)
dt
d .i L (t)
V L ( t ) =L =V PV (t)−V o ( t )
dt
Pour trouver une représentation dynamique valable du hacheur survolteur pour tout la
périodeT , on utilise généralement l’expression suivante [5] :
dx dx dx
⟨ ⟩ dt
.T =
dt α .T
α .T +
dt ( 1−α ) .T
( 1−α ) .T ( II .13 )
En appliquant la relation ( III .13 ) sur les systèmes d’équations ( II .11 ) et( II .12 ), on
obtient le modèle approximé du hacheur survolteur:
¿
Après arrangement, on obtient:
d .V PV ( t )
{
i L ( t )=i PV (t )−C 1
dt
d .V o (t) (II .15)
i o ( t )=(1−α )i L (t)−C 2
dt
d .i L (t)
V PV (t )=(1−α )V o ( t )+ L
dt
1 1
I L ( P )=
( 1−α )[R ]
+C 2 P .V o ( P ) ( II .16)
LP 1
V PV ( P ) =( 1−α ) V o ( P ) + LP . I L ( P )=( 1−α ) V o ( P ) + [ ]
+ C P .V o ( P )
( 1−α ) R 2
1 L
V PV ( P ) =
( 1−α ) [ ( )]
( 1−α )2+ P+ LC 2 P2 . V o ( P ) ( II .17)
R
V PV 1
V o ( P )= (II .18)
( 1−α ) LC 2 2 L
2
P+ 2
P+1
( 1−α ) R (1−α )
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Chapitre II: Modélisation et simulation des éléments du
système
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Chapitre II: Modélisation et simulation des éléments du
système
II.3.2.2. Méthodes a contre réaction de courant
Cette méthode utilise uniquement une mesure de courant pour obtenir des informations
sur le point opérationnel et actuel du système. Permet de connaître la valeur du courant
optimal dans lequel le panneau doit fonctionner pour extraire la puissance maximale [2]:
Ces méthodes sont basées sur des algorithmes de recherche itérative pour trouver le
point de fonctionnement du panneau afin que la puissance générée soit maximale sans
interruption le fonctionnement du système. Ils ne sont pas basés sur des valeurs de référence
prédéfinies ou des paramètres opérationnels, mais sur la maximisation permanente de
l'énergie générée par les panneaux photovoltaïques. Ainsi, pour un point donné, on recherche
dans une certaine direction, si l'on a une augmentation de la puissance du panneau, cette
direction de recherche est maintenue, sinon on cherche dans la direction opposée [8].
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Chapitre II: Modélisation et simulation des éléments du
système
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Chapitre II: Modélisation et simulation des éléments du
système
II.3.2.3.2. Algorithme d'incrémentation de la conductance
dP dI
{ dV
=I + V
1 dP I dI
= +
V dV V dV
dV (II .19)
I dI
On définit la conductance de la source et incrémentation de la conductance .
V dV
I dI
conductance de la source égale l’incrémentale conductance de la source avec un signe
V dV
I
moins, et qu’elle est à gauche de ce point MPP lorsque la conductance est supérieure à
V
dI
l’incrémentale conductance et vice-versa, comme suit [8]:
dV
dP I −dI
> 0 si >
{ dV
dP
dV
dP
dV
V dV
I −dI (III .20)
=0 si =
V dV
<0 si ←
I dI
V dV
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Chapitre II: Modélisation et simulation des éléments du
système
Figure II. 13: Schéma d'un système photovoltaïque avec convertisseur DC-DC à
commander MPPT
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Chapitre II: Modélisation et simulation des éléments du
système
II.3.3.1. Schéma de simulation d'un hacheur
Dans cette simulation, on a utilisé un GPV de type AM-60f 250, un hacheur Boost
caractérisé par C 1=4700 uF , L=2.4 mH , C2 =2350uF ,on a utilisé aussi une commande
MPPT de type P∧O pour une fréquence F=50 KHz et une charge R=100 Ω.
Figure II. 14: Schéma de simulation d'un PV avec un hacheur Boost commandé en
MPPT
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Chapitre II: Modélisation et simulation des éléments du
système
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Chapitre II: Modélisation et simulation des éléments du
système
A partir des résultats des figures (II.18, II.19 et II.20), il est noté que le hacheur
survolteur et la commanda MPPT effectuent correctement leurs rôles.
Le hacheur survolteur fournie une tension Vo supérieure à celle fournie par le panneau
photovoltaïque, il fournit aussi un courant Io qu'inferieur à courant d'entrée. La commande
MPPT adapte le panneau à la charge.
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Chapitre II: Modélisation et simulation des éléments du
système
bras (A et B) chaque bras est composé de deux interrupteurs des puissances
( T 1 , T 2 ,T 3 et T 4 ) .
Les commandes des interrupteurs de chaque bras sont complémentaires et déphasé d'une
demi-période entre les deux bras.
T1 T3
Vch
Vdc A B
Ich Rch Lch
T2 T4
d I ch
Lch + R ch . I ch =V ch=V dc (II .21)
dt
d I ch
Lch + R ch . I ch =V ch=−V dc ( II .22)
dt
Avec:
Dans cette simulation on a utilisé un GPV de type AM-60f 250, un hacheur Boost
caractérisé parC 1=4700 uF , L=2.4 mH , C2 =2350uF ,on a utilisé aussi une commande MPPT
de typeP&O, un onduleur monophasé avec un commande MLI et une charge RL:
Rch =100 Ω et Lch =0.1 H .
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Chapitre II: Modélisation et simulation des éléments du
système
II.4.2.1. Schéma de simulation d'un onduleur
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Chapitre II: Modélisation et simulation des éléments du
système
D'après les figures (II.23 et II.25), on remarque la valeur maximale de tension aux
bornes de la charge Vab est égale à celle de la tension de bus continu de l'entrée de l'onduleur
Vdc. D'après la figure (II.23), on remarque que le courant de sortie d'onduleur I ch prend la
forme sinusoïdale à cause de la charge inductive.
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Chapitre II: Modélisation et simulation des éléments du
système
Les deux figures (II.26 et II.27) représentent la tension et le courant de sortie d'onduleur
avec une commande sinus-triangle.
III.5. Conclusion
Dans ce chapitre, nous avons modélisé et simuler les différents éléments du système
photovoltaïque, tel que le panneau photovoltaïque, le hacheur survolteur et l'onduleur
monophasé avec la commande en plein onde (de rapport cyclique fixe) et la commande MLI
(de rapport cyclique variable) et la charge RL.
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Chapitre III: Réalisation et validation
expérimental
Chapitre III: Réalisation et validation expérimental
III.1. Introduction
Le hacheur Boost est compose d’une diode rapide, d’une inductance, d’un condensateur
et d’un interrupteur de puissance commandablé.
De plus, une isolation galvanique sera assurée à l’aide d’un optocoupleur entre la partie
commande et la partie puissance du hacheur survolteur. On ajoute un driver IR2110 en amont
de l’interrupteur de puissance pour aider à la commutation.
Calcul de l'inductance
I PV : Courant d’entrée =8 A.
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Chapitre III: Réalisation et validation expérimental
d I =15 %, afin de diminuer les pertes par hystérésis, dI PV .max =0.15∗8=1.2 A (III.1)
V PV V PV
dI PV .max = α .T = α (III .2)
L Lf max
V PV
L= α max ( III .3)
dI PV .max × f
62.6
AN : L= ×1=1.043 mH
1.2× 50000
Calcul du condensateur
dQ
On admet une ondulation de tensiondV o :dV o=
C
(III.5)
dQ T Io .α
C= =I o .α = ( III .6)
dV o dV o dV o . f
V PV 62.6
Avec: V o = = =152V (III.7)
1−α 1−0.5
4∗0.5
AN :C= =320 uF
125.2∗50000
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Chapitre III: Réalisation et validation expérimental
Le montage réalisé du hacheur Boost est donné par la figure (III. 1).
L'onduleur réalisé est constitué de quatre cartes: carte de puissance, carte de commande
rapprochée, carte d'alimentation et carte de commande éloignée (carte STM32F4 Discovery).
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Chapitre III: Réalisation et validation expérimental
Quel que soit le type d’interrupteur de puissance choisit, il faut inclure entre celui–ci et
sa commande un circuit de pilotage appelé circuit de commande rapprochée. En effet, de
nombreux problèmes sont rencontrés lors du fonctionnement en liaison directe entre le circuit
de commande et le circuit de puissance, tel que les retours de masse, les bruits électriques et le
risque de destruction du circuit de commande par retour du courant de la charge. Afin d’éviter
tout problème de ce genre, le circuit de commande doit être électriquement isolé du circuit de
puissance, cette isolation est réalisée par un optocoupleur.
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Chapitre III: Réalisation et validation expérimental
Nous allons utiliser cette carte pour piloter notre système. En effet, la carte
STM32F4Discovery permet de développer facilement des applications avec un
microcontrôleur haute performance STM32F4 muni d’un processeur ARM Cortex-M4 32
bits. Elle inclut tout ce qui est nécessaire pour notre application. Elle est peu coûteuse et
facile à utiliser. Elle dispose d'un cortex M4 modèle STM32F407VGT6, 1 MB de ram et 192
KB de flash, une unité de calcul à virgule flottante de haute précision et un cœur 32 bits
pouvant atteindre 1,25 DMIPS/MHz. Elle est équipée en série d’un ST-Link /V2 permettant la
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Chapitre III: Réalisation et validation expérimental
programmation directe depuis un port USB. Cette carte peut être alimentée en 3, 5 volts ou
alimentés par le port USB.STM32.
Les interrupteurs choisis pour la réalisation de notre carte de puissance sont de type
IGBT« Insulated Gate Bipolar Transistor ».C’est un transistor de puissance commandé par
une tension appliquée à une électrode appelée grille ou « gate» isolée du circuit de puissance.
Ses caractéristiques tensions courant sont similaires à celles des transistors bipolaires, mais
ses performances en énergie de commande et fréquence de découpage sont très nettement
supérieures à tous les autres semi-conducteurs.
Nous avons placé la diode rapide en parallèle avec l'IGBT pour éviter le court-circuit
entre la charge et le condensateur de filtrage en cas ou l’interrupteur principal est fermé. Le
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Chapitre III: Réalisation et validation expérimental
choix de la diode est basé sur la fréquence de commutation et ainsi que ses autres
caractéristiques (tension et courant…).
Le circuit IR 2110 est un circuit monolithique grand vitesse à deux canaux, l’un des
canaux de commande est un canal classique, c’est-à-dire qu’une entrée à faible niveau lin est
mise en tampon à fin de produire une sortie en phase, qui commute entre les niveaux de fin
par une alimentation polarisée de commande de sortie référentielle à la masse (Vcc). L’autre
canal de commande est différent. Une autre à faible niveau Hin est translative en niveau est
mise en tampon à fin de produire une sortie en phase, Hoqui commute entre les niveaux de fin
par une alimentation polarisée flottante (Vbs).
A l’état haut. Une troisième entré SDmaintient les deux sorties à l’état bas. La logique
CMOSpermet de mettre en ouvert le circuit d’entré au niveau logique défini par une
alimentation polarisé logique (Vdd) . Un circuit de verrouillage de sous tension maintient les
deux sorties à l’état bas dès que la tension (Vcc) descend en dessous de certaines limites.
III.4.4. Optocoupleur
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Chapitre III: Réalisation et validation expérimental
On test, notre carte d'un hacheur Boost pour une charge résistive ( R=100 Ω ) .Le banc
d'essais du convertisseur est représenté sur la figure suivante.
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Chapitre III: Réalisation et validation expérimental
Tension Vo
Courant Io
Les formes d'ondes de tension et du courant aux bornes de la charge obtenus sont très
proches avec les résultats de la simulation du hacheur Boost avec une charge résistive.
Figure III. 11: Les deux courbes de la tension et du courant à la sortie du hacheur
Rapports 0.42 0.44 0.46 0.48 0.5 0.52 0.54 0.56 0.58
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Chapitre III: Réalisation et validation expérimental
cycliques: α
Nous traduisons les tensions mesurées du tableau précédent en graphe avec un rapport
cyclique de commande variable. Ce graphe est présenté sur la figure suivante:
La courbe caractéristique de tension est une ligne droite, si nous augmentons le rapport
cyclique, la tension de sortie du hacheur augmentée avec une tension d'entrée constante.
Ve 10
V 0= = =20 V
1−α 1−0.5
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Chapitre III: Réalisation et validation expérimental
Figure III. 13: Évaluation de l'entrée, sortie et le rapport cyclique du hacheur Boost
Les signaux de commande de deux interrupteurs d'un seul bras sont donnés par la figure
suivante:
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Chapitre III: Réalisation et validation expérimental
D'après la figure ci-dessus, on remarque que les deux signaux de la commande sont
complémentaires pour éviter la conduction simultanée des deux interrupteurs des puissances
d’un même bras.
Les courbes de tension et du courant de sortie d'onduleur monophasé sur une charge RL
pour une commande en pleine onde sont représenté dans la figure (III.16).
Figure III. 16: les allures du courant et de la tension (commande pleine onde)
Notre plateforme est un banc d'essai présenté dans la figure ci-dessous est composée de:
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Chapitre III: Réalisation et validation expérimental
On visualise les différents formes d'ondes des tensions et des courants de bus continu
(sortie du hacheur survolteur) et de charge RL (sortie d'onduleur monophasé). Les différentes
allures sont représentées dans les figures ci-dessous.
Tension Vdc
Courant Idc
Figure III. 18: Les formes d'ondes de tension et du courant du bus continu
Nous avons appliqué la commande MLI qui génère par la carte STM32 sur les
interrupteurs des puissances d'onduleur réalisé pour une charge RL. Les différentes allures
sont représentées sur la figure (III.19).
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Chapitre III: Réalisation et validation expérimental
Tension Vch
Courant Ich
Figure III. 19: Les formes d'ondes de tension et du courant de charge RL avec une
commande MLI
La Figure (III.19) sont représenté les formes d'ondes du courant et de tension à la sortie
d'onduleur avec la charge RL, on obtient un signal de forme plus proche d’une forme
sinusoïdale (presque sinusoïdale) et d’une fréquence de50 Hz. Les résultats expérimentaux
obtenus sont très proches des résultats de simulation du système.
III.6. Conclusion
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Conclusion générale
Conclusion générale
Le travail présenté dans ce mémoire est décrit en trois parties, dans la première partie
une présentation des différentes topologies des systèmes photovoltaïques (système autonome,
système hybride et système raccordé au réseau). Elle a permis de poser la problématique de
notre projet dans le contexte tunisien lorsque la consommation est importante.
Dans la deuxième partie, nous avons étudié les modèles mathématiques d'un générateur
photovoltaïque, d'un hacheur survolteur et d'un onduleur monophasé. On a présenté la
simulation sous l’environnement Matlab/Simulink des différents éléments du système de
conversion d'énergie photovoltaïque.
Dans la dernière partie, nous avons essayé d’effectuer une réalisation pratique de
plateforme expérimentale d'intégration des énergies photovoltaïques dans un micro réseau.
Nous avons présenté la validation expérimentale d'un hacheur élévateur à travers le test avec
une charge résistive et la validation d'un onduleur monophasé à travers le test avec une charge
résistive-inductive.
Ce travail a mis en évidence l’importance de la réalisation pratique, il est vrai que les
systèmes de simulation nous aident, mais ne remplace l'expérience, donc vous ne devriez pas
faire confiance trop sur les résultats des systèmes de simulations, parce que la connaissance
est basé sur l'expérience.
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Conclusion générale
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Bibliographies
Bibliographies
[8] S. Khaled, " Etude et réalisation d'un hacheur de Tracking du Point de Puissance
Maximale (MPPT) a contre réaction de tension", Mémoire de Magister, Ecole Nationale
Polytechnique, 2003.
[11] Y.Thiaux, "Optimisation des profils de consommation pour minime les coûts
économique et énergétique sur cycle de vie des systèmes photovoltaïques autonomes et
hybrides. Evaluation du potentiel de la technologie Li-ion," Ecole Normale Supérieure de
Cachan, Electronique - Electrotechnique - Automatique 8 Juillet 2010.
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ANNEXES
Annexes A
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Annexes B
Schéma bloc du
circuit SN74HC245
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Annexes B
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Annexes B
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Annexes B
Semi-condicteur IRG4PC50FD
Logiciel DSO
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Annexes B
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Annexes B
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Table des matières
Introduction générale...............................................................................................................1
I.1. Introduction..........................................................................................................................4
I.3. Problématique.......................................................................................................................9
II.1. Introduction.......................................................................................................................12
III.5. Conclusion.......................................................................................................................30
III.1. Introduction......................................................................................................................32
III.2. Réalisation d'un hacheur Boost........................................................................................32
III.4.4. Optocoupleur......................................................................................................37
III.6. Conclusion.......................................................................................................................44
Conclusion générale................................................................................................................45
Bibliographies..........................................................................................................................47
Annexes....................................................................................................................................48
Liste des figures
Chapitre I:
Chapitre II:
Figure II. 12: Schéma d'un système photovoltaïque avec convertisseur DC-DC à commander
MPPT........................................................................................................................................24
Figure II. 13: Schéma de simulation d'un PV avec un hacheur Boost commandé en MPPT...25
Chapitre III:Y
Figure III. 11: Les deux courbes de la tension et du courant à la sortie du hacheur.................39
Figure III. 12: La caractéristique de tension de sortie en fonction de rapport cyclique α........40
Figure III. 13: Évaluation de l'entrée, sortie et le rapport cyclique du hacheur Boost..............40
Figure III. 16: les allures du courant et de la tension (commande pleine onde)......................42
Figure III. 18: Les formes d'ondes de tension et du courant du bus continu............................43
Figure III. 19: Les formes d'ondes de tension et du courant de charge RL..............................44