INTRODUCCIÓN A

LOS
SEMICONDUCTORES
AISLANTES,
CONDUCTORES Y
SEMICONDUCTORES

La construcción de cualquier dispositivo electrónico

discreto (individual) de estado sólido (estructura de
cristal duro) o circuito integrado, se inicia con un
material semiconductor de la más alta calidad.

Los semiconductores son una clase especial de

elementos cuya conductividad se encuentra
entre la de un buen conductor y la de un aislante
En función de sus propiedades eléctricas, los materiales se clasifican en tres grupos:

conductores, semiconductores y aislantes. Cuando los átomos se combinan para formar un

material sólido cristalino, se acomodan en una configuración simétrica. Los átomos dentro de la
estructura cristalina se mantienen juntos gracias a los enlaces covalentes, que son creados por la
interacción de los electrones de valencia de los átomos. El silicio es un material cristalino.

Aislantes
Un aislante es un material que no conduce corriente eléctrica en condiciones
normales. La mayoría de los buenos aislantes son materiales compuestos, es decir, no
formados por sólo un elemento. Los electrones de valencia están estrechamente
enlazados a los átomos; por consiguiente, en un aislante hay muy pocos electrones
libres. Algunos ejemplos de aislantes son el hule, el plástico, el vidrio, la mica y el
cuarzo.
En función de sus propiedades eléctricas, los materiales se clasifican en tres grupos:

conductores, semiconductores y aislantes. Cuando los átomos se combinan para formar un

material sólido cristalino, se acomodan en una configuración simétrica. Los átomos dentro de la
estructura cristalina se mantienen juntos gracias a los enlaces covalentes, que son creados por la
interacción de los electrones de valencia de los átomos. El silicio es un material cristalino.

Conductores
Un conductor es un material que conduce corriente eléctrica fácilmente. La mayoría
de los metales son buenos conductores. Los mejores conductores son materiales de
sólo un elemento, tales como cobre, plata, oro y aluminio, que están caracterizados
por átomos con sólo un electrón de valencia muy flojamente enlazado al átomo. Estos
electrones de valencia flojamente enlazados se convierten en electrones libres. Por
consiguiente, en un material conductor, los electrones libres son electrones de
valencia.
En función de sus propiedades eléctricas, los materiales se clasifican en tres grupos:

conductores, semiconductores y aislantes. Cuando los átomos se combinan para formar un

material sólido cristalino, se acomodan en una configuración simétrica. Los átomos dentro de
la estructura cristalina se mantienen juntos gracias a los enlaces covalentes, que son creados
por la interacción de los electrones de valencia de los átomos. El silicio es un material
cristalino.

Semiconductores
Un semiconductor es un material a medio camino entre los conductores y los aislantes, en
lo que a su capacidad de conducir corriente eléctrica respecta. Un semiconductor en
estado puro (intrínseco) no es ni buen conductor ni buen aislante. Los semiconductores
más comunes de sólo un elemento son el silicio, el germanio y el carbón. Los
semiconductores compuestos, tales como el arseniuro de galio y el fosfuro de indio,
también son de uso común. Los semiconductores de un solo elemento están
caracterizados por átomos con cuatro electrones de valencia.

Los tres semiconductores más frecuentemente utilizados en la construcción

de dispositivos electrónicos son Ge, Si y GaAs.
Bandas de energía
Recuerde que la capa de valencia de
un átomo representa una banda de
niveles de energía y que los electrones
de valencia están confinados a dicha
banda. Cuando un electrón adquiere
suficiente energía adicional puede
abandonar la capa de valencia,
convertirse en un electrón libre y
existir en lo que se conoce como
banda de conducción.
La diferencia de energía entre la banda
de valencia y la banda de conducción
se llama banda prohibida. Ésta es la
cantidad de energía que un electrón de
valencia debe tener para saltar de la
banda de valencia a la de conducción. banda prohibida muy banda prohibida
Una vez en la banda de conducción, el conductores se traslapan.
ancha. mucho más angosta
electrón es libre de moverse por todo
En un material
el material y no queda enlazado a
Los electrones de valencia la cual permite que conductor metálico
ningún átomo dado no saltan a la banda de algunos átomos de siempre existe un
conducción excepto en valencia mayor número de
condiciones de ruptura en salten a la banda de electrones de valencia
las que se aplican voltajes conducción y se que electrones libres
extremadamente altos a conviertan en electrones
través del material libres.
Silicio y
germanio
La figura permite comparar las estructuras atómicas
del silicio y el germanio.
El silicio es, por mucho, el material más utilizado en
diodos, transistores, circuitos integrados y otros
dispositivos semiconductores.
Observe que tanto el silicio como el germanio tienen
los cuatro electrones de valencia característicos.

Los electrones de valencia del germanio residen en la

cuarta capa, mientras que los del silicio están en la
tercera, más cerca al núcleo. Esto significa que los
electrones de valencia del germanio se encuentran a
niveles de energía más altos que aquellos en el silicio
y, por consiguiente, requieren una cantidad de energía
adicional más pequeña para escaparse del átomo.
Enlaces covalentes

La figura muestra cómo cada átomo de silicio se sitúa con

cuatro átomos de silicio adyacentes para formar un cristal
de silicio.
Un átomo de silicio (Si), con sus cuatro electrones de
valencia, comparte un electrón con cada uno de sus cuatro
vecinos. Esto crea efectivamente ocho electrones de
valencia compartidos por cada átomo y produce un estado
de estabilidad química. Además, compartir electrones de
valencia produce enlaces covalentes que mantienen a los
átomos juntos; cada electrón de valencia es atraído
igualmente por los dos átomos adyacentes que lo
comparten.

La figura muestra el enlace covalente de un cristal de

silicio intrínseco. Un cristal intrínseco es uno que no tiene
impurezas. El enlace covalente en el germanio es similar
porque también tiene cuatro electrones de valencia
CORRIENTE EN SEMICONDUCTORES

La forma en que un material conduce corriente eléctrica es importante para entender cómo
funcionan los dispositivos electrónicos. En realidad no se puede entender la operación de un
dispositivo tal como un diodo o transistor sin saber algo sobre corriente.

Cada capa alrededor del núcleo corresponde a cierta banda

de energía y está separada de bandas adyacentes por
bandas prohibidas, en las cuales no pueden existir
electrones.
Electrones de conducción y huecos

Un cristal de silicio intrínseco (puro) a temperatura

ambiente tiene energía calorífica (térmica) suficiente para
que algunos electrones de valencia salten la banda
prohibida desde la banda de valencia hasta la banda de
conducción, convirtiéndose así en electrones libres, que
Cuando un electrón salta a la banda de conducción, deja un espacio vacío en
también se conocen como electrones de conducción. Esto la banda de valencia dentro del cristal. Este espacio vacío se llama hueco. Por
se ilustra en el diagrama de energía de la figura 1-11(a) y el cada electrón elevado a la banda de conducción por medio de energía externa
diagrama de enlaces de la figura 1-11(b). queda un hueco en la banda de valencia y se crea lo
que se conoce como par electrón-hueco; ocurre una recombinación cuando un
electrón de banda de conducción pierde energía y regresa a un hueco en la
banda de valencia.
Corriente de electrón y hueco

Cuando se aplica voltaje a través de un trozo de silicio intrínseco, como

muestra la figura, los electrones libres generados térmicamente
presentes en la banda de conducción (que se mueven libremente y al
azar en la estructura cristalina) son entonces fácilmente atraídos hacia el
extremo positivo. Este movimiento de electrones es un tipo de corriente
en un material semiconductor y La corriente de electrones en silicio
se llama corriente de electrón. intrínseco se produce
por el movimiento de electrones
libres generados térmicamente.

Otro tipo de corriente ocurre en la banda de valencia, donde

existen los huecos creados por los electrones libres. Los
electrones que permanecen en la banda de valencia siguen
estando unidos
a sus átomos y no pueden moverse al azar en la estructura
cristalina como lo hacen los electrones libres. No obstante,
un electrón de valencia puede moverse a un hueco cercano
con poco cambio en su nivel de energía y por lo tanto deja
otro hueco en el lugar de donde vino: el hueco se habrá
movido entonces de un lugar a otro en la estructura
cristalina, como se puede ver en la figura.
SEMICONDUCTORES TIPO N Y TIPO P

Los materiales semiconductores en su estado intrínseco no conducen bien la corriente y su valor

es limitado. Esto se debe al número limitado de electrones libres presentes en la banda de
conducción y huecos presentes en la banda de valencia. El silicio intrínseco (o germanio) se
debe modificar incrementando el número de electrones libres o huecos para aumentar su
conductividad y hacerlo útil en dispositivos electrónicos. Esto se hace añadiendo impurezas al
material intrínseco. Dos tipos de materiales semiconductores extrínsecos (impuros), el tipo n y
el tipo p, son los bloques de construcción fundamentales en la mayoría de los tipos de
dispositivos electrónicos.

Dopado

La conductividad del silicio y el germanio se incrementa drásticamente mediante la

adición controlada de impurezas al material semiconductor intrínseco (puro). Este
proceso, llamado dopado, incrementa el número de portadores de corriente
(electrones o huecos). Los dos portadores de impurezas son el tipo n y el tipo p.
Semiconductor tipo N

Para incrementar el número de electrones de banda de conducción

en silicio intrínseco se agregan átomos de impureza pentavalente.
Estos son átomos con cinco electrones de valencia tales como
arsénico (As), fósforo (P), bismuto (Bi) y antimonio (Sb).

Como ilustra la figura, cada átomo pentavalente (antimonio, en este

caso) forma enlaces covalentes con cuatro átomos de silicio
adyacentes. Se utilizan cuatro de los electrones de valencia del
átomo de antimonio para formar enlaces covalentes con átomos de
silicio y queda un electrón extra. Este electrón extra llega a ser un
electrón de conducción porque no interviene en el enlace. Como el
átomo pentavalente cede un electrón, se conoce como átomo Portadores mayoritarios y minoritarios Como la mayoría de los
donador. El número de electrones de conducción puede ser portadores de corriente son electrones, el silicio (o el germanio)
controlado con cuidado mediante el número de átomos de impureza dopado con átomos pentavalentes es un semiconductor tipo n (n
agregados al silicio. Un electrón de conducción creado mediante este expresa la carga negativa de un electrón). Los electrones se
proceso de dopado no deja un hueco en la banda de valencia porque conocen como portadores mayoritarios en material tipo n. Aunque
la mayoría de los portadores de corriente en un material tipo n son
excede el número requerido para llenarla.
electrones, también existen algunos huecos que se crean cuando
térmicamente se generan pares electrón-hueco (estos huecos no se
producen por la adición de átomos de impureza pentavalentes).
Los huecos en un material tipo n reciben el nombre de portadores
minoritarios.
Semiconductor tipo P

Para incrementar el número de huecos en silicio intrínseco,

se agregan átomos de impureza trivalentes: átomos con tres
electrones de valencia tales como boro (B), indio (In) y
galio (Ga). Como muestra la figura, cada átomo trivalente
(boro, en este caso) forma enlaces covalentes con cuatro
átomos de silicio adyacentes. Se utilizan los tres electrones
de valencia del átomo de boro en los enlaces covalentes y,
como son necesarios cuatro electrones, resulta un hueco
cuando se agrega cada átomo trivalente.

Como el átomo trivalente puede tomar un electrón, a

menudo se hace referencia a él como átomo aceptor. El
número de huecos se controla cuidadosamente con el Portadores mayoritarios y minoritarios Como la mayoría de los
número de átomos de impureza trivalente agregados al portadores de corriente son huecos, el silicio (o germanio) dopado con
silicio. Un hueco creado mediante este proceso de dopado átomos trivalentes se llama semiconductor tipo p. Los huecos son los
no está acompañado por un electrón de conducción (libre). portadores mayoritarios en un material tipo p. Aunque la mayoría de los
portadores de corriente en un material tipo p son huecos, también
existen algunos electrones de banda de conducción que se crean cuando
térmicamente se generan pares electrón-hueco. Estos electrones de
banda de conducción no se producen por la adición de átomos de
impureza trivalentes. Los electrones de banda de conducción en un
material tipo p son los portadores minoritarios.
DIODO RECTIFICADOR
EL DIODO

Si se toma un bloque de silicio y se dopa una parte de él con una

impureza trivalente y la otra con una impureza pentavalente, se forma un
límite llamado unión PN entre las partes tipo p y tipo n resultantes y se
crea un diodo básico.

Un diodo es un dispositivo que conduce corriente en sólo una dirección.

La unión pn es la característica que permite funcionar a diodos, ciertos
transistores y otros dispositivos.

DIODO: Es un componente electrónico formado por una unión PN, y la

principal característica es que la corriente eléctrica circula en un solo
sentido.
 POLARIZACIÓN DE UN DIODO
En el punto de equilibrio ningún electrón se mueve a través de la unión pn. En general el término polarización se refiere al
uso de un voltaje de cc para establecer ciertas condiciones de operación para un dispositivo electrónico.

En relación con un diodo existen dos condiciones: en directa y en inversa. Cualquiera de estas condiciones de polarización
se establece conectando un voltaje de cc suficiente y con la polaridad apropiada a través de la unión pn.

Polarización en directa
Un diodo conectado para polarización
Para polarizar un diodo se aplica un voltaje de cc a través de él. en directa.
Polarización en directa es la
condición que permite la circulación de corriente a través de la unión
pn. La figura 1-19 muestra una fuente de voltaje de cc conectada por un
material conductor (contactos y alambres) a través de un diodo en la
dirección que produce polarización en directa. Este voltaje de
polarización externo se expresa como VPOLARIZACIÓN. El resistor
limita la corriente en condición de polarización en directa a un valor
que no dañe al diodo. Observe que el lado negativo de
VPOLARIZACIÓN está conectado a la región n del diodo y el lado
positivo está conectado a la región p: éste es un requisito para que se dé
la polarización en directa. Un segundo requerimiento es que el voltaje
de polarización, VPOLARIZACIÓN, debe ser más grande que el
potencial de barrera
 POLARIZACIÓN DE UN DIODO
En el punto de equilibrio ningún electrón se mueve a través de la unión pn. En general el término polarización se refiere al
uso de un voltaje de cc para establecer ciertas condiciones de operación para un dispositivo electrónico.

En relación con un diodo existen dos condiciones: en directa y en inversa. Cualquiera de estas condiciones de polarización
se establece conectando un voltaje de cc suficiente y con la polaridad apropiada a través de la unión pn.

Un diodo conectado para polarización en

Polarización en inversa
inversa. Se muestra un resistor limitador
aunque no es importante en la polarización en
La polarización en inversa es la condición que en esencia evita la inversa porque en esencia no hay corriente.
circulación de corriente a través del diodo. La figura muestra una fuente
de voltaje de cc conectada a través de un diodo
en la dirección que produce polarización en inversa. Este voltaje de
polarización externo se designa como VPOLARIZACIÓN, como en el
caso de polarización en directa. Observe que el lado
positivo de VPOLARIZACIÓN está conectado a la región n del diodo y
el lado negativo está conectado a la región p. Observe también que la
región de empobrecimiento se muestra mucho más ancho que la
condición de polarización en directa o equilibrio
Ruptura en inversa

Normalmente, la corriente en inversa es tan pequeña que se

puede despreciar. No obstante, si el voltaje de polarización en
inversa externo se incrementa a un valor llamado voltaje de
ruptura, la corriente en inversa se incrementará drásticamente.

Esto es lo que sucede. El alto voltaje de polarización en inversa

proporciona energía a los electrones minoritarios, así que a
medida que adquieren velocidad a través de la región p chocan
con átomos con suficiente energía para sacar a los electrones de
valencia de su órbita para enviarlos.
APROXIMACIONES DEL
DIODO RECTIFICADOR
 1ª Aproximación (el diodo ideal)

La exponencial se aproxima a una vertical y una horizontal que

pasan por el origen de coordenadas.

Este diodo ideal no existe en la realidad, no se puede fabricar

por eso es ideal.

Es como sustituir un diodo por un interruptor cerrado

POLARIZACIÓN DIRECTA DEL DIODO
= voltaje en el diodo
POLARIZACIÓN INVERSA DEL DIODO

Es como sustituir el diodo

por un interruptor abierto.
DIODO RECTIFICADOR

Como se ha visto, el diodo actúa como un

interruptor abriéndose o cerrándose
dependiendo si esta en inversa o en
directa.

Para ver los diferentes errores que

cometeremos con las distintas
aproximaciones vamos a ir analizando
cada aproximación.
POLARIZACIÓN DIRECTA
= resistencia de carga

𝐿=𝑙𝑜𝑎𝑑 (𝑐𝑎𝑟𝑔𝑎 )
2ª Aproximación

La exponencial se aproxima a una vertical y a una

horizontal que pasan por 0,7 V (este valor es el valor de la
tensión umbral  para el silicio, porque suponemos que el
diodo es de silicio, si fuera de germanio se tomaría el
valor de 0,2 V).

El tramo que hay desde 0 V y 0,7 V es en realidad

polarización directa, pero como a efectos prácticos no
conduce, se toma como inversa.
Con esta segunda aproximación el error es menor que en
la aproximación anterior.
 POLARIZACIÓN DIRECTA

La vertical es
equivalente a
una pila de
0,7 V.
 POLARIZACIÓN INVERSA

Es un
interruptor
abierto.
 EJEMPLO
Resolveremos el mismo circuito de antes pero utilizando la segunda aproximación que se
ha visto ahora. Como en el caso anterior lo analizamos en polarización directa:
 EJEMPLO
Como se ve estos valores son distintos a los de la anterior aproximación, esta segunda
aproximación es menos ideal que la anterior, por lo tanto es más exacta, esto es, se parece
más al valor que tendría en la práctica ese circuito.
 3ª Aproximación
La curva del diodo se aproxima
a una recta que pasa por 0,7 V y
tiene una pendiente cuyo valor
es la inversa de la resistencia
interna.
 3ª Aproximación
El estudio es muy parecido a los casos anteriores, la
diferencia es cuando se analiza la polarización directa:
EJEMPLO
¿CÓMO ELEGIR UNA APROXIMACIÓN?
Esta tercera aproximación no merece la pena usarla porque el
error que se comete, con respecto a la segunda aproximación, es
mínimo.

Por ello se usará la segunda aproximación en lugar de la tercera

excepto en algún caso especial

Para elegir que aproximación se va a usar se tiene que tener en cuenta,

por ejemplo, si son aceptables los errores grandes, ya que si la respuesta
es afirmativa se podría usar la primera aproximación.

Por el contrario, si el circuito contiene resistencias de precisión de una

tolerancia de 1 por 100, puede ser necesario utilizar la tercera
aproximación. Pero en la mayoría de los casos la segunda aproximación
será la mejor opción.
¿CÓMO ELEGIR UNA APROXIMACIÓN?
La ecuación que utilizaremos para saber que aproximación se
debe utilizar es esta:

Fijándonos en el numerador se ve que

se compara la VS con 0.7 V.

Si VS es igual a 7 V, al ignorar la

barrera de potencial se produce un error
en los cálculos del 10 %, si VS es 14 V
un error del 5 %, etc...
 ¿CÓMO ELEGIR UNA APROXIMACIÓN?
Si se ve el denominador, si la
resistencia de carga es 10 veces la
resistencia interna, al ignorar la
resistencia interna se produce un error
En la mayoría de los diodos rectificadores la
del 10 % en los cálculos. Cuando la
resistencia interna es menor que 1 W, lo que significa
resistencia de carga es 20 veces mayor
que la segunda aproximación produce un error menor
el error baje al 5 %, etc...
que el 5 % con resistencias de carga mayores de
20 W.

Por eso la segunda aproximación es una buena opción

si hay dudas sobre la aproximación a utilizar. Ahora
veremos una simulación  para un ejemplo concreto de
uso de estas aproximaciones.
 VARIABLES DEPENDIENTES E
INDEPENDIENTES

Cualquier circuito tiene variables independientes (como

tensiones de alimentación y resistencias en las ramas) y
variables dependientes (tensiones en las resistencias, corrientes,
potencias, etc.).

Cuando una variable independiente aumenta, cada una de las

variables dependientes responderá, normalmente, aumentando o
disminuyendo.

Si se entiende cómo funciona el circuito, entonces se será capaz

de predecir si una variable aumentará o disminuirá.
 VARIABLES DEPENDIENTES E
INDEPENDIENTES

EJEMPLO

Si se analiza la resistencia RL y la tensión VS, se ve que los

valores que se desean son de 1 kohm  y 10 V en este caso, a
estos se les llama "valores nominales", pero los valores reales se
rigen por unas tolerancias, que son unos rangos de valores no un
valor fijo.

El diodo también puede variar su valor de tensión umbral.

Pero estas tres variables (RL, VS y Vj) dependen de la fabricación, estos es dependen
de si mismas, son "variables independientes".

Por otro lado están las "variables dependientes", que dependen de las tres variables
anteriores, que son: VL, IL, PD, PL y PT. Estos queda reflejado en la siguiente tabla:
VARIABLES DEPENDIENTES E
INDEPENDIENTES
HOJA TÉCNICA DEL DIODO RECTIFICADOR

La mayor parte de la información que facilita el fabricante en las hojas de características es solamente
útil para los que diseñan circuitos, nosotros solamente estudiaremos aquella información de la hoja de
características que describe parámetros que aparecen en este texto.

Estudiaremos la hoja de características del TENSIÓN INVERSA DE RUPTURA

diodo 1N4001, un diodo rectificador
empleado en fuentes de alimentación
(circuitos que convierten una tensión
alterna en una tensión continua).

La serie de diodos del 1N4001 al 1N4007

son siete diodos que tienen las mismas
características con polarización directa, Estos tres valores especifican la ruptura en ciertas
pero en polarización inversa sus condiciones de funcionamiento.
características son distintas.
Lo importante es saber que la tensión de ruptura para el
Primeramente analizaremos las diodo es de 50 V, independientemente de cómo se use el
"Limitaciones máximas" que son estas: diodo.
 TENSIÓN INVERSA DE RUPTURA

Esta ruptura se produce por la avalancha y en el 1N4001 CORRIENTE MÁXIMA EN POLARIZACIÓN DIRECT
esta ruptura es normalmente destructiva.

Indica que el 1N4001 puede soportar hasta 1 A

con polarización directa cuando se le emplea
CORRIENTE MÁXIMA EN POLARIZACIÓN DIRECTA como rectificador.

Esto es, 1 A es el nivel de corriente con

polarización directa para el cual el diodo se
quema debido a una disipación excesiva de
potencia.

Un dato interesante es la corriente media con Un diseño fiable, con factor de seguridad 1, debe
polarización directa, que aparece así en la hoja de garantizar que la corriente con polarización
características: directa sea menor de 0,5 A en cualquier
condición de funcionamiento.
 CORRIENTE MÁXIMA EN POLARIZACIÓN DIRECTA

Los estudios de las averías de los dispositivos muestran que la

vida de éstos es tanto más corta cuanto más cerca trabajen de las
limitaciones máximas.

Por esta razón, algunos diseñadores emplean factores de

seguridad hasta de 10:1, para 1N4001 será de 0,1 A o menos.

Otro dato importante es la caída de tensión con polarización

directa:

Estos valores están medidos en alterna, y por El 1N4001 tiene una caída de tensión típica con
ello aparece la palabra instantáneo en la polarización directa de 0,93 V cuando la corriente es de 1 A
especificación. y la temperatura de la unión es de 25 ºC.
 CORRIENTE INVERSA MÁXIMA

En esta tabla esta la corriente con polarización inversa a la

tensión continua indicada (50 V para un 1N4001).

Esta corriente inversa incluye la corriente producida

térmicamente y la corriente de fugas superficial.

De esto deducimos que la temperatura puede ser importante a la

hora del diseño, ya que un diseño basado en una corriente
inversa de 0,05 mA trabajará muy bien a 25 ºC con un 1N4001
típico, pero puede fallar si tiene que funcionar en medios donde
la temperatura de la unión alcance los 100 ºC.
COMPROBACIÓN DEL ESTADO DE UN DIODO

• El óhmetro es la herramienta adecuada para saber el estado

de un diodo.

• Se mide la resistencia en continua del diodo en cualquier

dirección y después se invierten los terminales efectuándose
la misma medición.
Para los diodos de silicio
comúnmente empleados en la
• La corriente con polarización directa dependerá de la escala
electrónica la razón debe ser mayor
en la que se emplee el óhmetro, lo que significa que se
que 1.000:1.
obtendrán distintas lecturas en intervalos diferentes.
En el uso del óhmetro para probar
• Sin embargo, lo que hay que buscar principalmente es una
diodos lo único que se desea saber
diferencia de resistencia inversa a directa muy alta.
es se el diodo tiene una resistencia
pequeña con polarización directa y
grande con polarización inversa.
COMPROBACIÓN DEL ESTADO DE UN DIODO

Los problemas que pueden surgir son:

• Resistencia muy pequeña en ambas direcciones: diodo en

cortocircuito.

• Resistencia muy grande en ambas direcciones: diodo en

circuito abierto.

• Resistencia pequeña en inversa: diodo con fugas.

Este valor no es útil, no se utiliza para hacer modelos

o mallas, pero de forma práctica en el laboratorio
puede ser útil (el MULTIMETRO marca la
resistencia estática y se puede utilizar para detectar
averías).