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SES 3 - Transistor BJT

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UNIVERSIDAD NACIONAL AGRARIA DE LA SELVA FACULTAD DE INGENIERÍA MECÁNICA ELÉCTRICA


DEPARTAMENTO ACADÉMICO DE MECÁNICA ELÉCTRICA

Análisis y Diseño de Circuitos Electrónicos


Transistor Bipolares de Unión

Ing. Miriam M. Serrepe Ranno

E-mail: miriam.serrepe@unas.edu.pe
Objetivos

• Conocer el transistor TJB.


• Entender como opera el transistor.

• Probar el transistor con multímetro.

11/20/2021 Análisis y Diseño de Circuitos Electrónicos – Ing. Miriam M. Serrepe Ranno


Introducción - Problemática

¿Conoce un transistor?

¿Cuántos transistores conoce?

¿Dónde se aplican los transistores?

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Transistor

Es un dispositivo semiconductor formado por dos uniones y opera con


movimiento de electrones y huecos, por eso el término TJB (Transistor de
unión bipolar).

Figura 1. Diversos tipos de transistores.


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Transistor

Figura 2. Encapsulamiento del transistor y su vista interna.


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Construcción del transistor
Las características del transistor están determinadas por las geometrías de
las regions (E, B y C), hecho que influye directamente en el funcionamiento
del dispositivo.

• Hay dos tipos de transistor:


pnp e npn

• Los terminales están etiquetados:

E - Emissor
B - Base
C - Coletor Figura 3. a) Transistor PNP b) Transistor NPN

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Operación del transistor
• Con fuentes externas, VEE y VCC, conectadas
como se muestra:

• Transistor PNP una unión


emisor- base (PN) tiene
que ser polarizada
directamente. Una unión
base-colector (NP) debe
ser polarizada
inversamente.

Figura 4. Transistor PN e NO
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Flujo de Corriente en el transistor

Aplicando LCK al circuito de la figura


• Una corriente de emisor es la suma de las corrientes de colector y base:

• La cadena recolectora consta de dos cadenas:

Figura 5. Flujo de corriente en el Transistor


PNP
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Configuración base-común

• Esta terminología se deriva del


hecho de que la base es tan
común en la entrada como en la
salida de la configuración;
• La base del terminal está
conectado al punto común del
circuito – Punto de tierra (GND);
• La flecha del símbolo define el
sentido de la corriente del emisor
(flujo convencional) a través del
dispositivo. Figura 6. a) Configuración base-común PNP
b) Configuración base-común NPN.
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Operación en base-común
Para describir completamente el comportamiento de un dispositivo de tres
terminales, como los amplificadores de base-común, se requieren dos conjuntos
de características: uno para el variador o parámetro de entrada, y el otro para la
salida.

Figura 7. Curva característica de entrada Figura 8. Curva característica de salida


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Regiones de Operación del Transistor en base-común
1. Región de Corte:
2. Región de Saturación:
3. Región de Amplificación:

Figura 9. Región de operación del transistor.


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Regiones de operación

• Activo
Rango de funcionamiento del amplificador.

• Corte
El amplificador está básicamente apagado. Hay voltaje, pero poca corriente.

• Saturación
El amplificador está completamente conectado. Hay corriente, pero poca
tensión.

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Aproximaciones

• Corrientes emisor y colector:

• Voltaje base-emisor:

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Alfa ()
En modo cc, los valores Ic y Ie debidos a portadores mayoritarios están relacionados por 
• Alfa () es la relación de IC para IE : Idealmente:  = 1
Realidad:  está entre 0,9 e 0,998

Alfa () en modo CA:

Figura 10. Polarización Base-común (PNP)


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Acción amplificadora del transistor en base-común
La acción de la amplificación del transistor puede ser analisada a través de la
siguiente figura:
Ganancia de voltaje:
Corrientes y tensiones:

Figura 11. Verificación del efecto del transistor.


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Configuración emissor-común

Esta es la configuración más utilizada para el transistor. Se llama Emisor-común, ya


que el emisor es común en relación con los terminales de entrada y salida (en este
caso común los terminales del colector y base).

Figura 12. Polarización Emisor-común (NPN). Figura 13. Polarización Emisor-común (PNP).
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Curvas características de um transistor de silício en la
configuración emisor-común

Figura 14. Características del colector Figura 15. Características de base


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Corrientes del amplificador emissor-común

Corrientes ideales I E = IC + I B IC =  I E

Corrientes reales IC =  IE + ICBO

ICBO suele ser tan pequeño que puede ignorarse, excepto en transistores de alta
potencia y en entornos de alta temperatura.

Cuando IB = 0 A, está en corte, pero existe una


corriente minoritaria en ejecución llamada ICEO.

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Beta ()

En el modo de operación cc, los valores de Ic y IB están relacionados por uma cantidad
llamada  que es definido por la relación:

La relación existente entre  y  es dado por:

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Polarización Emisor-común
1. Región de Corte:
2. Región de Saturación:
3. Región de Amplificación:

Figura 16. Polarización para operación en Emisor-común.

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Configuración Colector-común
Esta configuración se utiliza principalmente para la adaptación de impedancia,
ya que tiene un valor de impedancia de entrada alto y una impedancia de
salida baja.

Figura 17. Flujo de corriente en la configuración Colector-común.

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Curva característica de la configuración Colector-
común

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Probando el transistor con multímetro

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Probando el transistor con multímetro

Considerando el circuito a continuación, se verifica que la impedancia entre la


base y el emisor debe ser baja en el orden de ohmios Ω

Resistencia Abierto
R baja

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Probando el transistor con multímetro

Considerando el circuito a continuación, se verifica que la impedancia entre la


base y el colector debe ser alta en el orden de KΩ o M Ω.

Resistencia
R alta

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Regiones de operación del TJB
1. Tensión de alimentación:
2. Corriente de Base:
3. Corriente de Colector:
4. Corriente de Emisor:

5. Gano de corriente (hfe):

6. Tensión Base-Emisor:

7. Tensión Colector-Emisor:

8. Potencia Disipada por TJB:

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Aplicaciones del TJB

1. Base para circuitos digitales


2. Accionamiento de cargas de potencia (Relés, motores cc,
inversores de frecuencia, etc).
3. Operación como fuente de corriente: Base para
amplificadores y fuentes lineales.

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Referencias

1. Boylestad, Robert L. Electrónica: Teoría de Circuitos y Dispositivos


Electrónicos. 10a. ed. Pearson Prentice Hall, 2009. 913 p
2. Floyd T.L. Dispositivos Electrónicos. 8a. ed. Pearson Prentice Hall, 2009.
1010 p.

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