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    Este documento presenta una práctica de laboratorio sobre la polarización de un transistor de efecto de campo (FET) de canal N en configuración de autopolarización. El objetivo es comprobar el funcionamiento del circuito y calcular valores de tensiones y corrientes. Se implementará el circuito con un FET 2N5457, se obtendrá su punto de operación y curva de carga, y se responderán preguntas sobre la zona de trabajo del FET y los efectos de la resistencia de puerta de 1MΩ.

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    PARACTICA N 2 ELECTRONICA II

    DOCENTE: MSc. CARLOS VIDES


    POLARIZACIN EN C.C. DE UN FET CANAL N
    OBJETIVO
    Comprobar el funcionamiento de la configuracin de autopolarizacin con un FET 2N5457 de canal N. Proceder
    al clculo/obtencin de ciertos valores de tensiones y corrientes del circuito mostrado en la figura.
    CONOCIMIENTOS PREVIOS
    El alumno/a necesita conocer los siguientes conceptos: configuracin de autopolarizacin de un FET, ecuaciones
    de tensiones y corrientes de un FET, curvas de drenador y regiones de trabajo de un Transistor de efecto de
    campo.
    ACTIVIDAD
    Implementar una configuracin de autopolarizacin del transistor de efecto de campo 2N5457.
    Comprobar su regin de trabajo.
    calcular el punto de operacin para esta configuracin.
    Obtener la recta de carga para la configuracin dada
    DESARROLLO
    Monte el circuito y tome los datos de funcionamiento que se solicitan en la prctica. El resto de datos que
    pueda necesitar, los obtendr de los anexos n 1 y 5. Compruebe la zona de trabajo del FET. Dibuje la curva de
    drenador en estas circunstancias.
    Obtenga los valores de IDSS y VP de las hojas de caractersticas.
    CIRCUITO PRCTICO

    MEDIDAS REALIZADAS

    PARACTICA N 2 ELECTRONICA II
    DOCENTE: MSc. CARLOS VIDES

    Curvas de drenador del montaje FET


    LISTA DE MATERIALES
    RG = 1M RD = 4K7 RS = 390
    J1 = 2N5457 Vcc = 18V
    Investigue e implemente un procedimiento para obtener la curva de transferencia del JFET (VGS vs ID).
    PREGUNTAS
    a) En cul zona se encuentra trabajando el FET?. Justifique su respuesta.
    b) A partir de cul valor el FET entra en saturacin en este circuito?. Justifique su
    respuesta.
    c) Porqu la corriente de puerta es tan pequea en el JFET?. Le afecta algo que la
    resistencia de puerta sea de 1M?. Justifique sus respuestas.

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