Universidad tecnológica de Puebla

Técnico Superior Universitario en Mecatrónica área

Mantenimiento a líneas de producción

Estructura y Propiedad de los Materiales

Portafolio de evidencias unidad 3

Docente: Martha Patricia Díaz Barreda

Axel Martinez Tolentino

Emiliano Espinoza Merlín
Manuel Martinez Hernández
Orlando Tentle Ordaz
Rommel Morales Reyes
4to cuatrimestre, grupo “R”
Fecha de entrega: 16 Noviembre de
2022
Índice
Actividad 1: Reporte de materiales semiconductores ............................................................................... 3
Tipo de semiconductor (Ga) ..................................................................................................................... 4
Estructura química del Ga, Si y Si:Ga ...................................................................................................... 5
Ga ........................................................................................................................................................ 5
Si .......................................................................................................................................................... 5
Si Ga .................................................................................................................................................... 6
Union PN.................................................................................................................................................. 6
Comportamiento de la union NPN ............................................................................................................ 7
Comportamiento de la union PNP ............................................................................................................ 8
Union PNPN ............................................................................................................................................. 8
Semiconductores intrínsecos ................................................................................................................... 9
Semiconductores extrínsecos ................................................................................................................ 10
Curva de operación transistor de unión bipolar ...................................................................................... 10
Curva de transistor de efecto de campo ................................................................................................. 11
Tiristor .................................................................................................................................................... 12
Lista de cotejo para el reporte de materiales semiconductores .............................................................. 13
Reflexión de la unidad 3 ......................................................................................................................... 15
 Universidad tecnológica de Puebla
Técnico Superior Universitario en Mecatrónica área
Mantenimiento a líneas de producción

Estructura y Propiedad de los Materiales

Actividad 1: Reporte de materiales

semiconductores
Docente: Martha Patricia Díaz Barreda

Axel Martinez Tolentino

Emiliano Espinoza Merlín
Manuel Martinez Hernández
Orlando Tentle Ordaz
Rommel Morales Reyes
4to cuatrimestre, grupo “R”
Fecha de entrega: 13 Noviembre de 2022
 Tipo de semiconductor (Ga)

En el semiconductor tipo P, se emplean como dopantes elementos trivalentes,

que se son aquellos que cuentan con 3 electrones de valencia. Los semiconductores tipo
P como el galio (Ga). Al solo aportar tres electrones, no se pueden formar los cuatro
enlaces covalentes que veíamos en el semiconductor intrínseco. La red que conforman
estos átomos presenta una serie de huecos que permiten más fácilmente el movimiento
de los electrones y, por ende, la conducción eléctrica.

Si el cristal de Si es impurificado con átomos de Ga cuya

estructura en la última capa es de 4𝑠 2 4𝑝 entonces estos 3
electrones se ligan con las átomos vecinos de Si quedando un
enlace electrónico por ocupar. Los electrones de los átomos
vecinos pueden eventualmente emigrar hacia este sitio, dejando
huecos de (𝑒 − ) detrás de ellos. Así estos huecos contribuyen a
la corriente eléctrica como cargas positivas en movimiento. El
átomo de Ga en la red del Si se llama “Aceptor”.

El número total de orificios es aproximadamente igual al número de sitios

donantes
𝑝 ≈ 𝑁𝐴

La neutralidad de carga de este material

semiconductor también se mantiene. El resultado neto es
que aumenta el número de agujeros de electrones,
mientras que se reduce el número de electrones de
conducción. El desequilibrio de la concentración de
portadores en las bandas respectivas se expresa por el
número absoluto diferente de electrones y agujeros. Los
agujeros de electrones son portadores mayoritarios,
mientras que los electrones son portadores minoritarios en
material tipo

Al aplicarse una tensión, los

electrones libres se mueven hacia la
izquierda y los huecos lo hacen hacia la
derecha. En la figura, los huecos que llegan
al extremo derecho del cristal se recombinan
con los electrones libres del circuito externo.
En el circuito hay también un flujo de
portadores minoritarios. Los electrones libres dentro del semiconductor circulan de
derecha a izquierda. Como hay muy pocos portadores minoritarios, su efecto es casi
despreciable en este circuito.
 También este tipo de dopaje se denomina “Impurezas trivalentes” que son
elementos cuyos átomos tienen tres electrones de valencia en su orbital exterior. Entre
ellos se encuentran el boro, el galio y el indio.

Estructura química del Ga, Si y Si:Ga

Ga
El Ga es un metal blando, grisáceo
en estado líquido y plateado brillante al
solidificar, sólido deleznable a bajas
temperaturas que funde a temperaturas
cercanas a la del ambiente. El Ga no
cristaliza en una de las estructuras
cristalinas que de otra manera se
encuentran a menudo en los metales, sino
en su modificación más estable en una
estructura ortorrómbica con dímeros de galio.
La cristalización no se produce en ninguna de las estructuras simples; la fase
estable en condiciones normales es ortorrómbica, con 8 átomos en cada celda unitaria
en la que cada átomo sólo tiene otro en su vecindad más próxima a una distancia de
2,44 Å y estando los otros seis a 2,83 Å. En esta estructura el enlace químico formado
entre los átomos más cercanos es covalente siendo la molécula Ga2 la que realmente
forma el entramado cristalino.

Si
El Si es un elemento químico no metálico,
numero atómico 14 y situado en el grupo 4 de la tabla
periódica de los elementos formando parte de la familia
de los carbonoideos. Es el segundo elemento más
abundante en la corteza terrestre (27,7% en peso)
después del oxígeno.

El silicio constituye un 28% de la corteza

terrestre. No existe en estado libre, sino que se
encuentra en forma de dióxido de silicio y de silicatos complejos. Los minerales que
contienen silicio constituyen cerca del 40% de todos los minerales comunes, incluyendo
más del 90% de los minerales que forman rocas volcánicas. El mineral cuarzo, sus
variedades (cornalina, crisoprasa, ónice, pedernal y jaspe) y los minerales cristobalita y
tridimita son las formas cristalinas del silicio existentes en la naturaleza.
 El Si cristaliza con el mismo patrón que el diamante, en
una estructura que Ashcroft y Mermin llaman celosías primitivas,
"dos cubos interpenetrados de cara centrada". Las líneas entre
los átomos de silicio en la ilustración de la red, indican los
enlaces con los vecinos más próximos. El lado del cubo de silicio
es 0,543 nm. El germanio tiene la misma estructura del
diamante, con una dimensión de celda de 0,566 nm.

Si Ga
Para el caso de la unión
de Si y Ga por medio del
dopaje tenemos la siguiente
estructura en la que podemos
ver como el Ga actúa como
impureza para el Sí.
Esto provoca que se
mantengan neutros de forma
que no conducen la
electricidad hasta que reciban
un impulso el cual provoque la exitacion del semiconductor desencanedando el
movimiento de los electrones.
Otra cosa es que la estructura cristalina del Si no se ve afectada en su totalidad,
solo en las zonas donde esta el Ga por lo que en la vista de red se puede notar el dopaje

Union PN
Los electrones libres del lado N tienden a dispersarse en cualquier dirección,
algunos atravesando la unión hacia el lado P. Cuando un electrón libre entra en la región
P se convierte en un portador minoritario y con tantos huecos a su alrededor no tardará
en recombinarse cayendo en un hueco, transformándose en un electrón de valencia.

Cada vez que un electrón se difunde

a través de la unión, crea un par de iones, ya
que, cuando el electrón abandona el lado N
deja un átomo pentavalente al que le hace
falta una carga negativa. Así, este átomo se
convierte en ión positivo y una vez que el
electrón cae en el hueco del lado P, ese
átomo trivalente lo captura y se convierte en
un ión negativo.
 Comportamiento de la
union NPN
NPN esta compuesto por tres capas
de materiales semi-conductores, este arreglo
es como un pastel de tres capas, Capa N-P-N.
Estos materiales son cristales de silicio que
se encuentran dopados de forma distinta.
Cuando un cristal de material semi-
conductor, (Si) se dopa con Ga, produce un
cristal semiconductor con sólo 3 electrones
disponibles de 4, por lo tanto se genera un
hueco eléctrico. En cambio, cuando el cristal es dopado con impurezas como As (tiene 5
electrones en su última capa ), el cristal se queda con un electrón de más. En resumen:

El material o capa N – tiene un electrón de más.

El material o capa P – le falta un electrón ( hueco ).

Estos dos cristales poseen electrones de más y carecen de electrones lo que

permite hacer fluir una corriente bajo ciertas condiciones eléctricas.

NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales las letras "N"
y "P" se refieren a los portadores de carga mayoritarios dentro de las diferentes regiones
del transistor. La mayoría de los transistores bipolares usados hoy en día son NPN,
debido a que la movilidad del electrón es mayor que la movilidad de los "huecos" en los
semiconductores, permitiendo mayores corrientes y velocidades de operación.

Los transistores NPN consisten en

una capa de material semiconductor
dopado P (la "base") entre dos capas de
material dopado N. Una pequeña corriente
ingresando a la base en configuración
emisor-común es amplificada en la salida
del colector.
Cuando una corriente fluye a través
del transistor NPN, el terminal de la base del
transistor recibe la señal eléctrica, el
colector genera una corriente eléctrica más
fuerte que la que pasa por la base y por el
emisor pasa esta corriente más fuerte al resto del circuito.
 Comportamiento de la union PNP
El otro tipo de transistor de unión
bipolar es el PNP con las letras "P" y "N"
refiriéndos a las cargas mayoritarias dentro
de las diferentes regiones del transistor.
Pocos transistores usados hoy en día son
PNP, debido a que el NPN brinda mucho
mejor desempeño en la mayoría de las
circunstancias.
Los transistores PNP consisten en
una capa de material semiconductor
dopado N entre dos capas de material dopado P. Los transistores PNP son comúnmente
operados con el colector a masa y el emisor conectado al terminal positivo de la fuente
de alimentación a través de una carga eléctrica externa. Una pequeña corriente
circulando desde la base permite que una
corriente mucho mayor circule desde el
emisor hacia el colector.
La flecha en el transistor PNP está
en el terminal del emisor y apunta en la
dirección en que la corriente convencional
circula cuando el dispositivo está en
funcionamiento activo.
También tenemos que este tipo
de transistor los mayores portadores de
cargas son huecos. Los materiales que
son utilizados para construir los
terminales del emisor, la base y del
colector en el transistor PNP son muy
diferentes de los que utilizan en el transistor NPN. La configuración de polarización del
transistor PNP se muestra en el esquema la siguiente diapositiva. Encontraremos en los
terminales del colector a base del transistor PNP siempre tienen polarización inversa,
luego se debe usar el voltaje negativo para el colector.
Cuando existe corriente en la base del transistor PNP, el transistor se apaga, si
por el contrario no hay flujo de corriente en la base del transistor, el transistor se
enciende.
Union PNPN

Para entender mejor el funcionamiento de esta unión

consiste en separar su estructura física en dos mitades La mitad
izquierda es un transistor NPN y la mitad derecha PNP,
 Cuando el voltaje del ánodo se hace positivo con respecto al cátodo, las uniones
J1 y J3 tienen polarización directa o positiva. La unión J2 tiene polarización inversa, y solo
fluirá una pequeña corriente de fuga del ánodo al cátodo. Se dice entonces que el tiristor
está en condición de bloqueo directo o en estado desactivado llamándose a la corriente
fuga corriente de estado inactivo ID. Si el voltaje ánodo a cátodo VAK se incrementa a un
valor lo suficientemente grande la unión J2 polarizada
inversamente entrará en ruptura. Esto se conoce como
ruptura por avalancha y el voltaje correspondiente se
llama voltaje de ruptura directa VBO. Dado que las
uniones J1 y J3 ya tienen polarización directa, habrá un
movimiento libre de portadores a través de las tres
uniones que provocará una gran corriente directa del
ánodo. Se dice entonces que el dispositivo está en
estado de conducción o activado
Se activa incrementándola corriente del ánodo.
Esto se puede llevar a cabo mediante una de las
siguientes formas.

TERMICA. Si la temperatura de un tiristor es alta habrá un

aumento en el número de pares electrón-hueco, lo que aumentará las
corrientes de fuga.
LUZ. Si se permite que la luz llegue a las uniones de un tiristor,
aumentaran los pares electrón-hueco pudiéndose activar el tiristor. La
activación de tiristores por luz se logra permitiendo que esta llegue a
los discos de silicio.
ALTO VOLTAJE. Si el voltaje directo ánodo a cátodo es mayor
que el voltaje de ruptura directo VBO, fluirá una corriente de fuga
suficiente para iniciar una activación regenerativa.
dv/dt. Si la velocidad de elevación del voltaje ánodo-cátodo es alta, la corriente de carga
de las uniones capacitivas puede ser suficiente para activar el tiristor.
CORRIENTE DE COMPUERTA. Si un tiristor está polarizado en directa, la inyección
de una corriente de compuerta al aplicar un voltaje positivo de compuerta entre la
compuerta y las terminales del cátodo activará al tiristor.

Semiconductores intrínsecos

-Está formado por un solo tipo de átomo. Los más frecuentes y empleados son el
germanio (Ge) y el silicio (Si).
-Poseen 4 electrones en su órbita externa, que comparte con los átomos
adyacentes y forman 4 enlaces covalentes. Así, cada átomo tiene 8 electrones en su capa
más externa y esto forma una red muy fuerte entre átomos y sus electrones.
 -Cuando se aumenta la temperatura mediante la aplicación de una carga eléctrica,
los electrones ganan energía y empiezan a moverse. Se separan del enlace y se convierten
en conductores eléctricos.
-Suelen presentar una estructura cristalina debido a su pureza ejemplo claro es el Si
que presenta una estructura similar a la del diamante.
-Estos portadores de carga se producen por excitación térmica. En semiconductores
intrínsecos, el número de electrones excitados y el número de agujeros son iguales: n = p.
Los electrones y los agujeros se crean por excitación de electrones de la banda de valencia
a la banda de conducción.

Semiconductores extrínsecos

-Se debe de agregar impurezas al elemento elegido con el fin de que pierda su pureza
y gane conductividad.
-Puede doparse con elementos de la familia III para volverse un “Aceptor” o con un
electrón de menos.
-Al doparse con elementos de la familia V este presenta un electrón de más y procede
a llamarse “Donador.
-La densidad de la impureza puede cambiar la estructura del semiconductor siendo
amorfa o cristalina
-Son componentes de muchos dispositivos eléctricos comunes, así como de muchos
detectores de radiación ionizante. Para estos fines, un diodo semiconductor generalmente
consta de semiconductores tipo p y tipo n colocados en unión entre sí.

Curva de operación transistor de unión

bipolar

Curva de transferencia de un transistor real para una

corriente de base dada se muestra en la imagen a la izquierda.
Curvas de transferencia del transistor bipolar para
diferentes corrientes de base. Ver
zonas de saturación y de corte
(imagen de la derecha)
En la imagen de la derecha las corrientes de base
(Ib) son ejemplos para poder entender que a más corriente la
curva es más alta.
 -Cuando la corriente de base (Ib) es cero, el transistor
no conduce (Ic = 0). Igualmente se puede deducir de la fórmula
Ic = ß x Ib. El voltaje entre el colector y el emisor (VCE) es el
voltaje de alimentación.

-Cuando la corriente de base (Ib) es diferente de cero,

el transistor conduce (Ic es diferente de cero). Igualmente se
puede deducir de la fórmula Ic = ß x Ib. El voltaje entre el
colector y el emisor (VCE) es un voltaje que está entre el mínimo
(aproximadamente cero) y un máximo (aproximadamente el
voltaje de alimentación). El valor del voltaje depende del valor
Ib.

Curva de transistor de efecto de campo

En ella se representa la corriente de drenador 𝐼𝐷 frente a la tensión drenador - fuente

𝑉𝐷𝑆 para distintos valores de la tensión puerta - fuente 𝑉𝐺𝑆 .
En la misma podemos ver como el valor de la tensión 𝑉𝐷𝑆 para el que se produce la
saturación de la corriente de drenador cuando 𝑉𝐺𝑆 = 0, en algunos libro aparece
representado como 𝑉𝑃 haciendo referencia al “estrangulamiento” o “pinch-off” que se ha
producido en el canal. Indicar que esta tensión 𝑉𝑃 se puede considerar de igual valor, pero
de signo contrario, a la tensión 𝑉𝐺𝑆𝑜𝑓𝑓 característica del dispositivo.
Por otro lado, para otros valores de 𝑉𝐺𝑆 el valor de la tensión 𝑉𝐷𝑆 para el que se
producirá la saturación de la corriente de drenador vendrá dado por la expresión 𝑉𝐷𝑆𝑠𝑎𝑡 =
𝑉𝐺𝑆 - 𝑉𝐺𝑆𝑜𝑓𝑓 , donde todas las tensiones deben de ponerse con su signo correspondiente.
Es decir, cuanto más negativa sea la tensión 𝑉𝐺𝑆 antes se alcanzará la condición de
saturación, o de otra forma, el canal se “estrangulará” para valores menores de la tensión
𝑉𝐷𝑆 , lo cual parece lógico ya que cuanto más negativa sea 𝑉𝐺𝑆 menor es el canal de partida
que tenemos.

En las curvas características de la Figura 7.9. podemos distinguir 4 zonas bien

diferenciadas:
Zona de corte o de no conducción.
Zona óhmica o de no saturación.
Zona de saturación o de corriente constante.
Zona de ruptura.
 Tiristor
La interpretación directa de la curva
característica del tiristor nos dice lo
siguiente: cuando la tensión entre ánodo y
cátodo es cero la intensidad de ánodo
también lo es.
Hasta que no se alcance la tensión de
bloqueo (𝑉𝐵𝑂 ) el tiristor no se dispara.
Cuando se alcanza dicha tensión, se percibe
un aumento de la intensidad en el ánodo (𝐼𝐴 ),
disminuye la tensión entre ánodo y cátodo,
comportándose así como un diodo
polarizado directamente.

Si se quiere disparar el tiristor antes

de llegar a la tensión de bloqueo será necesario aumentar la intensidad de puerta (𝐼𝐺1 , 𝐼𝐺2 , 𝐼𝐺3 ,
𝐼𝐺4 ...), ya que de esta forma se modifica la tensión de cebado de este.

Este sería el funcionamiento del tiristor cuando se polariza directamente, esto solo ocurre
en el primer cuadrante de la curva.

Cuando se polariza inversamente se observa una débil corriente inversa (de fuga) hasta
que alcanza el punto de tensión inversa máxima que provoca la destrucción del mismo. En
amplificación se utiliza en las etapas de potencia en clase D cuando trabaja en conmutación.
También se utilizan como relés estáticos, rectificadores controlados, inversores y onduladores,
interruptores.
 Universidad Tecnológica de
Puebla

Lista de cotejo para el reporte de materiales

semiconductores
Nombres de los alumnos: Grado y grupo:
- Axel Martínez Tolentino 4toR
- Emiliano Espinoza Merlín
- Manuel Martínez Hernández
- Orlando Tentle Ordaz
- Rommel Morales Reyes
Nombre del docente: Materia:
- Martha Patricia Díaz Barreda Estructura y
Propiedad de los
Materiales
Instrucciones: Marque un “Si” cuando el reactivo (trabajo) cumpla con lo solicitado y/o
establecido en caso contrario marque “No”.
Nota: En cada uno de los archivos mandados están las especificaciones de cada uno
de los trabajos.
Porcentaje Reactivo Cumple No
cumple
Portada: Completa, correcta y jerarquizada (sin punto final
en cada uno de los datos)
Nombre completo y correcto de la universidad
Nombre completo y correcto de la carrera y/o especialidad
Nombre completo y correcto de la materia
Nombre completo y correcto del trabajo
Nombre completo y correcto del docente
Nombre completo y correcto del o de los alumnos a evaluar
Grado y grupo .5%
Fecha de entrega
Logotipo de la institución (parte superior izquierda, parte
superior derecha o de fondo de hoja).

Nota: Evitar redundancia.

Tipo de semiconductor (del elemento elegido investigar
el tipo de impurezas que tiene para que genere con dicho
comportamiento) 1%
Identificar el tipo de estructura atómica del
semiconductor elemental y dopante (Colocar la
estructura química de dicho material semiconductor),
colocar mínimo 2 imagen. 1%
Descripción del comportamiento de la unión PNP, NPN
y PNPN (colocar el proceso químico para que el elemento
elegido tenga dicho comportamiento) mínimo 1 imagen
(puede ser del proceso o del resultado final)
1%
Características del semiconductor (intrínseco y
extrínseco), colocar mínimo 5 características con su
descripción 2%
Curva de operación (transistor de unión bipolar, de
efecto de campo y tiristor) colocar la imagen del método
y describe el comportamiento para que tuviera dicho
comportamiento (diagramas) 2.5%
Se entrega el día y en el horario solicitado 1%
Con el mismo formato: Tipo y tamaño de letra, así como
deben colocar sólo fórmulas químicas, justificar la
información y sangrías en los párrafos. 1%

Calificación obtenida: 10%

Mtra. Martha Patricia Díaz Barreda

 Reflexión de la unidad 3
Como hemos visto en esta unidad los semiconductores son un mundo completamente
aparte donde las más pequeñas diferencias pueden tener cambios en la manera en la
que están constituidos, esto porque en un principio su clasificación depende de su nivel
de pureza, haciendo que el porcentaje de pureza repercute en que tipo es ya que los
intrínsecos suelen ser de una alta pureza como lo es el silicio y el germanio y al no tener
impurezas actúan de manera que en ocasiones no conduzcan la electricidad y que en
otros casos si lo hagan.

En el caso de los extrínsecos podemos notar dos tipos los P y los N los cuales se
diferencian por el tipo de elemento que forme impurezas en los intrínsecos, la idea es
que en los P se eligen elementos con valencia +3 para generar que falte un electrón y
los N que su valencia se igual a +5 para que le sobre un electrón, esto en un principio no
parece nada complicado porque solo se trata de notar la cantidad de electrones, pero al
juntar las configuraciones que tienen los semiconductores las cosas se complican un
poco, lo primero es el PN donde solo se crea una red entre los dos y vemos que puede
tener aplicaciones en diodos los cuales son utilizados en los circuitos con el fin de
convertir un tipo de energía (AC) a otro (DC) por lo que podemos llamarlos como el tipo
de configuración más sencillo de entender.

Los tipos PNP y NPN dependen de varias condiciones para su uso y las identificamos en
los transistores que en todo caso llegan a ser más importantes que los diodos en nuestra
carrera ya que este cumple diferentes funciones dependiendo de cómo lo utilices y la
unión de varios te puede dar resultados interesantes si sabes cómo usarlos y en caso de
nuestra carrera estos también forman parte de la programación de circuitos o funciones
de máquinas más grandes por el envió de señales dependiendo de por dónde llegue la
energía

Para ser un material el cual depende mucho de cómo es que se presenta podemos decir
que es algo muy útil en nuestra carrera, que el en mecatrónica los semiconductores
aportan un valor digital si podemos llamarlo así, esto por los dispositivos electrónicos que
usan este tipo de material como lo son los famosos transistores que dejan pasar o no la
energía dependiendo de su tipo y configuración, los circuitos integrados y casi todo lo
que se encuentre dentro de una computadora, ordenador, tablero, variador de frecuencia
entre otros, dado a su gran aporte a las conexiones electrónicas el conocer cómo
funcionan es importante a un nivel de que puedes entender cómo funcionan otras partes
de las herramientas electrónicas que se utilizan en el ambiente laboral a desarrollar.

En un panorama general se da la idea que ahora gran parte de nuestra vida depende de
este material, para las comunicaciones, los trabajos, los datos, el conocimiento que
tenemos, la posibilidad de aprender, conocer cosas nuevas, desarrollo de habilidades,
localización de otras personas y de más cosas con el uso de este material que se ha
visto en varias veces en la mira por la escases que puede dar muchos efectos entre ellos
la elevación de precios o una detención de la producción en muchas industrias.
 Universidad Tecnológica de
Puebla

Lista de Cotejo
Portafolio de Evidencias de
Estructura y Propiedades de los
Materiales
Nombre del alumno: Rommel Morales Reyes
Materia: Estructura y Propiedades de los Materiales Grado y Grupo: 4ºR

El portafolio de evidencias se entregará en un documento de

Word y PDF con el orden pedido, es un trabajo por equipo Cumple No Cumple

Portada: Completa, correcta y jerarquizada (sin punto final

en Nombre completo y correcto de la universidad
Nombre completo y correcto de la carrera y/o especialidad
Nombre completo y correcto de la materia
Nombre completo y correcto del trabajo
Nombre completo y correcto del docente
Nombre completo y correcto del o de los alumnos a evaluar
Grado y grupo
Fecha de entrega
Logotipo de la institución (parte superior izquierda, parte superior
derecha o de fondo de hoja).

Nota: Evitar redundancia.

Índice (muy específico, cada hoja debe ser incluida).

Tamaño y tipo de letra

• Títulos Arial 16 (centrado)
• Subtítulos Arial 14 (centrado)
• Resto del trabajo Arial 12

• Cada párrafo empieza con sangría y mayúsculas,

respetando la ortografía.

Actividades realizadas: Son los trabajos que entregaste durante

el cuatrimestre, con el orden en el cual los entregaste.
Reflexión final: Opinión del estudiante acerca del cuatrimestre
(mínimo 1 cuartilla y especificando el nombre de cada uno de los
integrantes del equipo).
Debe estar TODO lo visto o realizado durante el cuatrimestre.