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    Examen Parcial de Dispositivos 01T 2021-B

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    Este documento contiene un examen parcial sobre dispositivos y componentes electrónicos compuesto por 13 preguntas. El examen incluye preguntas sobre el efecto que sirvió de base para la invención del diodo rectificador, el año en que se inventó el diodo rectificador, los electrones en la órbita de valencia del germanio y el silicio, y los elementos usados para dopar el silicio y producir regiones N y P. También incluye preguntas sobre la tensión inversa máxima que puede soportar una unión P

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    EXAMEN PARCIAL DE DISPOSITIVOS 01T 2021-B

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    Universidad Nacional del Callao Escuela Profesional de Ingeniería Eléctrica

    Facultad de Ingeniería Eléctrica y Electrónica Ciclo 2021-B

    EXAMEN PARCIAL DE DISPOSITIVOS Y COMPONENTES ELECTRONICOS 01T


    Apellidos y nombres: SANTIAGO NAJARRO EDINSON HERNAN

    Código: 1923120442

    ( Marque su respuesta con una X o resáltelo ) (c/p 1 punto)

    1.-. Que efecto eléctrico sirvió de base para la invención del diodo rectificador.

    a) Efecto Fotoeléctrico b) Efecto Tesla c) Efecto Fleming d) Efecto Edison e) N.A.


    EFECTOO JOULE

    2.- El diodo rectificador fue inventado en el año:

    a) 1904 b) 1873 c) 1880 d) 1906 e) N.A.

    3.- El Germanio y el Silicio cada uno tiene en su órbita de valencia cuantos electrones:

    a) 1 b) 2 c) 3 d) 4 e) N.A.

    4.- Para Dopar el Silicio y producir regiones N y P se usan los siguientes elementos:

    a) Boro y Aluminio b) Germanio y Boro c) Boro y Arsénico d) Aluminio y Boro e) N.A.

    5.- La tensión inversa máxima que puede soportar una unión PN está limitada por:

    a) Perforación b) Ruptura Zener c) Ruptura por Avalancha d) Ninguna e) a, b y c

    6.- Cuando el diodo se polariza directamente se comporta como un ………. y su resistencia interna es:

    a) Cortocircuito, ∞ b) Circuito Abierto , 0 c) Cortocircuito , 0 d) Circuito Abierto , ∞ e) N.A.

    7.- El Potencial térmico de un Diodo viene dado por la expresión:

    a) (K/q)*T b) (K/q)-T c) (K/q)+T d) (K*q)/T e) N.A.

    8.- Se utilizan como condensadores variables controlados por tensión:

    a) Zener b) Varicap c) Bridge d) Led e) Todas

    9.- El mecanismo de difusión de un diodo consiste en:

    a) Electrones de N pasan a P b) Huecos de N pasan a P c) El efecto Avalancha d) A y B d) N.A.

    10.- Diodos basados en compuestos III-V, presentan una corriente de fugas proporcional a la luz
    incidente:

    a) Túnel b) Zener c) Varicap d) Schottky e) Ninguna (FOTODIODOS)


    Universidad Nacional del Callao Escuela Profesional de Ingeniería Eléctrica
    Facultad de Ingeniería Eléctrica y Electrónica Ciclo 2021-B

    11.-. Calcule el circuito estabilizador mediante diodo zener de la figura. Obtenga la corriente a través
    de la carga, teniendo en cuenta una corriente por el diodo zener del 50% de IZM, la corriente
    total solicitada a la fuente y la resistencia limitadora del diodo zener. (2 puntos)
    Datos : VZener = 12V ZZener = 9Ω IZM = 76mA Rload = 1275
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    Facultad de Ingeniería Eléctrica y Electrónica Ciclo 2021-B

    12.- ¿Cuál es el punto de operación del diodo de Si de la figura?


    (Vin = 12V, R1= 10 kΩ, R2 = 5 kΩ, R3 = 100 kΩ, y R4 = 50 kΩ) (2 puntos)
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    Facultad de Ingeniería Eléctrica y Electrónica Ciclo 2021-B

    13.- Calcule en el circuito de la figura la tensión entre el punto A y tierra (masa).


    ¿Cómo afectará y en qué medida la desconexión de R1 a la tensión en bornes del diodo zener?
    Calcular la corriente que circula por la malla

    Datos 1N4731A : VZener = 4.3V ZZener = 9Ω IZM = 217mA


    Universidad Nacional del Callao Escuela Profesional de Ingeniería Eléctrica
    Facultad de Ingeniería Eléctrica y Electrónica Ciclo 2021-B

    Msc. Ing. Juan Apesteguia Infantes 29/10/2021

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