Convertidor BuckBoost
Convertidor BuckBoost
Convertidor BuckBoost
Aplicando
L.V.K
Aplicando L.C. K
−V
iC=
R
V L=V −I ( R D + RL )−V D
Aplicando L.C.K:
V
iC=I −
R
⟨ VL ⟩=D ¿
−V V
⟨ iC ⟩=D ( ) (
R
+ D' I −
R )
Resolviendo para el inductor:
V V V
−D −D ' =
R R R
V
D' I − =0
R
D' V D' V D 1
η=
D Vg (
= D−
Vg )( 1+
RL+ D RO + D' R D
)
D' 2 R
Diseño:
Para el diseño del equivalente en transformador del presente circuito, se tomó como referencia
los elementos de la práctica anterior, a fin de determinar cómo afectan las pérdidas generadas
por los elementos semiconductores.
Elementos
D' =1−D=0,4 4
1 0.442 ×8
V =− ( )
0.44
(0.56 ×12−0.44 ×0.5) (
0.44 2 × 8+0.05+0.56 × 0.07+0.44 × 0.07 )
V =−13.96(V )
'
( 0. 44 ) (−1 3 .9 6 )
|η|= D V =
| || =0.9 1
|
DVg ( 0,56 )( 12 )
'
( 0. 44 ) (−1 3 .9 6 )
|η|= D V =
| || =0.9 1
|
DVg ( 0,56 )( 12 )
η %=9 1 %
Simulación en PSIM
Po 23.2
η %=
Pin
∗100 %=| |
25.7
=0.9 053∗100 %
η %=90.5 3%
Análisis de resultados:
Según el objetivo general del presente laboratorio y conforme el pedido establecido dentro de
las especificaciones de la práctica se han obtenido los siguientes datos:
Po 23.31
η %=
Pin
∗100 %=| |
23 .7 3
=0.9 823∗100 %
η %=9 8 . 23%
Eficiencia sin pérdidas Eficiencia con resistencias
98.23% 91%
Conclusiones:
- Se ha comprobado la incidencia de las pérdidas generadas por las resistencias del
diodo, del MOSFET y de la bobina en la eficiencia del circuito, al comparar el porcentaje
sin pérdidas se tiene el 98.23% , mientras que al agregar las resistencias se tiene un
91%.