Este documento resume el diseño de una memoria RAM dividido en tres entregas. La primera entrega consiste en el diseño de elementos de control de lectura y escritura. La segunda entrega describe el diseño de una celda de almacenamiento de un bit utilizando un biestable asíncrono tipo D, la integración de 4 celdas para formar un byte, y la integración de 4 bytes consecutivos. La tercera entrega consistirá en el diseño completo de la memoria RAM en Logisim incluyendo los elementos de control y visualización de datos
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Este documento resume el diseño de una memoria RAM dividido en tres entregas. La primera entrega consiste en el diseño de elementos de control de lectura y escritura. La segunda entrega describe el diseño de una celda de almacenamiento de un bit utilizando un biestable asíncrono tipo D, la integración de 4 celdas para formar un byte, y la integración de 4 bytes consecutivos. La tercera entrega consistirá en el diseño completo de la memoria RAM en Logisim incluyendo los elementos de control y visualización de datos
Este documento resume el diseño de una memoria RAM dividido en tres entregas. La primera entrega consiste en el diseño de elementos de control de lectura y escritura. La segunda entrega describe el diseño de una celda de almacenamiento de un bit utilizando un biestable asíncrono tipo D, la integración de 4 celdas para formar un byte, y la integración de 4 bytes consecutivos. La tercera entrega consistirá en el diseño completo de la memoria RAM en Logisim incluyendo los elementos de control y visualización de datos
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Módulo Teórico – Práctico.
Diseño de una Memoria
RAM– Entrega semana 5: Diseño de las celdas de almacenamiento de memoria RAM José Antonio Sánchez Gaona, Carlos Eduardo Lozano Miranda, Jhon Francisco Contreras Alvarez, Luis Alexander Moreno Saavedra. Sistemas Digitales y Ensambladores Universidad Politécnico Grancolombiano Resumen- Proyecto el cual electrónico biestable III. U integramos. Ver Fig. 2 – consiste en un problema de asíncrono, en otras palabras, T nibble.circ diseño de una memoria es un dispositivo de I RAM. El cual esta divido en almacenamiento temporal L tres entregas: la primera entrega consiste en un diseño de dos estados usado para I de elementos de control de guardar información en Z lectura/escritura de una sistemas lógicos digitales. A memoria RAM, el diseño de Un latch puede almacenar N sus celdas de almacenamiento un bit de información, D y el diseño de su control asimismo los latches se O secuencial. Para su segunda pueden agrupar de tal entrega se contempla la manera que logren L elaboración de una celda de almacenar más de 1 bit. A almacenamiento, el montaje Tenemos los siguientes tipos de una celda de 4 bits, el montaje de 4 bytes de Latches: SR, S´R´, D. En C consecutivos, montaje de nuestro caso vamos a E matriz de memoria de 64 bits utilizar para nuestra celda L todo esto en Logisim. Por de almacenamiento un D ultimo la entrega final el cerrojo tipo D. A montaje de la memoria RAM en Logisim adaptándole los D Fig. 2 elementos de control, para Tenemos el circuito E visualización de los datos lógico del cerrojo D U usar el decodificador de 7 segmentos y por ultimo el implementado en Logisim, N diseño de control de lectura y ver Fig. 1. UTILIZANDO UN BYTE, MONTAR 4 escritura de datos mediante Utilizamos tres entradas B BYTES un diseño de control de (RESET, SET, DATO). El I CONSE máquinas de estados. biestable para nuestro caso T CUTIVO (Tipo D) guarda , S I. INTRODUCCIÓN internamente lo que hay en M la entrada DATO que para O Vamos a tratar lo SALIDA. Ver Fig. 3 – Punto nuestro ejercicio se trata de N correspondiente a la un Bit de memoria (Ver T tres.circ segunda entrega elaboración archivo Logisim: Punto A de una celda de uno.circ) R almacenamiento, el montaje de una celda de 4 bits, el U montaje de 4 bytes N consecutivos, montaje de A matriz de memoria de 64 bits todo esto en Logisim. C E II. CELDA DE L ALMACENAMIENTO D DE UN BIT PARA A UNA MEMORIA RAM UTILIZANDO D CERROJOS E (LATCHES) 4 Para este desarrollo nos B basamos en investigaciones Fig. 1 I Fig. 3 de T fuentes:https://www.infor.uv S a.es/~jjalvarez/asignaturas/f ( undamentos/lectures/digital/ N Tema3_secuenciales.pdf. y, I https://es.wikipedia.org/wiki B /Latch. Tenemos que tener B claros los siguientes L conceptos: E ) Que es un Latch Para esto procedemos a usar los circuitos de un Bit con Un latch (late Latch D y los integramos memory en inglés) es un circuito