Labo' Previo 3 Dispositivos Electrónicos
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U.N.M.S.M
FACULTAD DE ING. ELECTRÓNICA,
ELÉCTRICA Y TELECOMUNICACIONES
APELLIDOS Y NOMBRES MATRÍCULA
Andrade Siancas, Junior Aldair 17190006
CURSO TEMA
Dispositivos El transistor Bipolar PNP. Características
Electrónicos básicas
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LABORATORIO DE DISPOSITIVOS Y COMPONENTES ELECTRÓNICOS
I. OBJETIVOS
II. MARCO TEÓRICO
III. PROCEDIMIENTO
IV. RESULTADOS
V. DISCUSIÓN DE RESULTADOS
VI. CONCLUSIONES
VII. REFERENCIAS BIBLIOGRÁFICAS
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Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada,
comportándose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal funciona
como emisor de portadores de carga.
Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector.
Colector, de extensión mucho mayor.
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MATERIALES
Un Multímetro digital.
Un miliamperímetro y un microamperímetro
Un Voltímetro de c.c.
Cables y conectores.
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ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
o Disipación total del dispositivo (Pc): 0.3 W
o Tensión colector-base (Vcb): 30 V
o Tensión colector-emisor (Vce): 20 V
o Tensión emisor-base (Veb): 5 V
o Corriente del colector DC máxima (Ic): 0.03 A
o Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
o Producto de corriente -- ganancia — ancho de banda
(ft): 200 MHz
o Capacitancia de salida (Cc): 0.8 pF
o Ganancia de corriente contínua (hfe): 70
o Empaquetado / Estuche: TO92
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III. PROCEDIMIENTO:
1. Verificar el estado operativo del transistor, usándole ohmímetro. Llenar la tabla 1
TABLA 1
Resistencia Directa Inversa
Base-Emisor 1Ω 45.35 MΩ
Base-Colector 1Ω 44.88 MΩ
2. Armar el circuito
a. Medir las corrientes que circulan por el colector (Ic) y la base (Ib). Obtener B(P1=0)
b. Medir los voltajes entre el colector –emisor y entre emisor-tierra(Ve)
c. Colocar los datos obtenidos en la tabla 2
IV. RESULTADOS:
TABLA 2
Medidos
a. Cambiar R1 a 68K, repetir los (a) y (b) y anotar los datos en la Tabla 3 (por ajuste de P1)
TABLA 3
Medidos
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b. Aumentar las resistencias de P1 a 100K, 250K, 500K, 1M. Observar lo que sucede con las
corrientes Ic e Ib y con el voltaje Vcc (usar Re=0). Llenar la tabla 5
TABLA 5
P1 100K 250K 500K 1M
Ic(mA)
Ib(µA)
Vcc(v)
3. Ajustar el generador de señales a 50mV, pp, 1 KHz, onda senoidal. Observar la salida V0 con el
osciloscopio. Anotar en la Tabla 4.
V. DISCUSIÓN DE RESULTADOS
Los resultados pueden variar debido a que fueron obtenidos a través de una
simulación y no con instrumentos reales
A pesar de tener un margen de error, los valores obtenidos se aproximan más a la
realidad que si hubieran sido obtenidos por fórmulas y cálculos meramente teóricos
VI. CONCLUSIONES:
Existen 3 zonas en las que un transistor puede operar, las cuales son: Corte,
saturación y activa.
La diferencia que hay entre un transistor NPN y otro PNP radica en la polaridad de
sus electrodos
[2] es.wikipedia.org. (2018, Enero 11). Transistor de unión bipolar [Online]. Available:
https://es.wikipedia.org/wiki/Transistor_de_uni%C3%B3n_bipolar
[4] Electrónicos Caldas (2018, Mayo 06). Transistor 2N3906. [Online]. Available:
http://www.electronicoscaldas.com/transistores-bjt/54-transistor-2n3906.html
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[5] ON. Semiconductor (2018, Mayo 02). Diodo Zener 1N4742A. [Online]. Available:
http://www.onsemi.com/PowerSolutions/product.do?id=1N4742A
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