Informe FinaL 5
Informe FinaL 5
Informe FinaL 5
INFORME FINAL
I.
PROCEDIMIENTO
D.
La corriente de base(IB),Obtenida en el
informe precio, la puede ajustar con el
potenciometro de 500K. La corriente de
VCE(V)terico
0.2
0.5
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
VCEReal(v)
0.2
0.51
1.09
2.04
3.02
4.03
5
6
7
7.99
9.03
10.04
IC(mA)
8.38
9
8.8
8.98
9.09
9.13
9.29
9.43
9.66
9.76
9.92
10.02
40
50
60
70
80
90
100
110
120
IC Vs VCE
15
10
5
0.66
0.66
0.67
0.67
0.66
0.67
0.67
0.66
0.66
0
0
10
12
VCEReal(v)
0.2
0.502
1.01
2.07
3.09
4.03
9
6
7
8.09
9.05
9.8
IC(mA)
8.38
9
8.8
8.98
9.09
9.13
9.29
9.43
9.66
9.76
9.92
10.02
IB Vs VBE
150
100
50
0
0.64
IC(mA)
--------5.13
6.87
8.12
10.5
12.85
14.93
17.08
18.71
Beta
--------171
171.75
162.4
175
183.57
186.63
189.78
187.1
I.
VBE
----0.65
IC Vs IB
20
15
10
5
0
20 30 40 50 60 70 80 90 100110
10v
7.24
5.2
3.84
5.33
2
22.1
6
240
L.
VC Vs VB
10
5
0
0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5
M. Graficar la curva de transferencia de
corrientes(Ic vs IB) y el beta de la
misma(BETA vs Ic)
BETA Vs IC
200
180
160
140
4
10 12 14 16 18 20
Veficaz
Vc
VB
IC
IB
Bet
a
0.63
mv
1v
0.005
0.006
0.209
0.00
4
0.21
0.76
0.713
0.72
5.2
6
292
2v
1.398
0.814
0.82
2.82
291
3v
2.035
1.399
1.42
4.28
332
4v
5.01v
2.768
3.54
2.085
2.796
2.13
2.85
6.9
9.26
309
308
6.01v
4.21
3.33
0.14
8
0.72
8
0.93
5
1.46
0
1.83
2.31
5
2.62
3.42
297
7v
4.97
3.93
2.92
4.02
8.02v
5.66
4.52
3.35
4.59
8.99v
6.33
4.88
3.62
4.95
11.5
3
13.5
9
15.8
1
18.3
295
290
270
56K
47K
22K
15K
3.3K
Vs(v)
Vc(v)
6.18
6.5
5.74
6.93
3.80
8.85
2.87
9.77
VE(v)
Ic(mA
)
IB(uA
)
Zona
5.54
5.56
5.10
5.13
3.17
3.19
2.24
2.26
0.75
11.8
2
0.18
0.18
110
121
167
190
240
Saturad
o
activ
o
activ
o
activ
o
Cort
e
G. En la simulacion determianr la
resistencias de R1 que facilite el corte y
saturacion de manera mas rapida y usar
ese valor en la practica de laboratorio
*Para facilitar la saturacion entonces
hay que aumentar el Ib, para eso
reducimos la resistencia de 180K a
50ohm o menos, siempre cuidando que no
se queme.
La que facilita el corte es una resistencia
alta 1 Mohm.
H. Tomar datos y completar la siguiente
tabla.
ZONA DE CORTE
ZONA ACTIVA
ZONA DE
SATURACION
VBE<0.425v
VBE=10v
IB=344nA
344nA< IB <0.1782 A
IB=1.782A
IC=50.58uA
50.58< IC <0.012
IC=6mA
IE=49.7uA
49.7< IE <12mA
IE=6mA
VCE=11.96
VCE=6
IC(mA)
3.28
7.43
7.61
7.83
8.05
8.26
8.48
VCE(V)
0.20
0.49
2.01
3.94
5.97
8.12
10.4
IC(mA)
3.81
11.5
14.3
14.7
15.1
15.5
16.0
IB(uA)
IC(mA)
22.2
40.3
59.3
80.5
102
4.51
7.94
11.3
14.9
18.4
203
197
191
185
180
Datos tericos:
IB(uA)
22.2
40.3
59.3
80.5
102
118
VBE(V)
0.70
0.71
0.72
0.73
0.74
0.75
CIRCUITO 2
V3(V)
2.00
4.00
6.00
8.00
VC(V)
VB(V)
IC(mA
)
IB(uA)
11.5
1.10
0.92
10.8
2.08
2.25
10.3
3.09
3.42
9.90
4.09
4.45
10.0
0
9.64
5.10
5.37
3.20
288
8.47
266
13.8
248
19.2
232
24.6
218
CIRCUITO 3
R
VB(V)
VC(V)
VE(V)
IC(mA
)
IB(uA)
56k
5.94
6.80
5.22
5.20
47k
5.52
7.21
4.81
4.79
22k
3.64
9.07
2.94
2.93
15k
2.83
9.87
2.14
2.13
3.3k
0.80
11.8
0.18
0.18
22.7
229
20.4
235
11.2
262
7.80
273
0.58
310
IB(uA
)
2
5
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
Datos experimentales:
CIRCUITO 1
VCE(V)terico
0.2
0.5
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
VCEReal(v)
0.2
0.51
1.09
2.04
3.02
4.03
5
6
7
7.99
9.03
10.04
IC(mA)
VCE(V)terico
0.2
0.5
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
VCEReal(v)
0.2
0.502
1.01
2.07
3.09
4.03
9
6
7
8.09
9.05
9.8
IC(mA)
8.38
9
8.8
8.98
9.09
9.13
9.29
9.43
9.66
9.76
9.92
10.02
8.38
9
8.8
8.98
9.09
9.13
9.29
9.43
9.66
9.76
9.92
10.02
IC(mA)
Beta
--------5.13
6.87
8.12
10.5
12.85
14.93
17.08
18.71
--------171
171.75
162.4
175
183.57
186.63
189.78
187.1
IB
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
120
VBE
----0.65
0.66
0.66
0.67
0.67
0.66
0.67
0.67
0.66
0.66
CIRCUITO 2
Vpic
o
Veficaz
Vc
VB
IC
IB
Bet
a
0.63
mv
1v
0.005
0.006
0.209
0.00
4
0.21
0.76
0.713
0.72
5.2
6
292
2v
1.398
0.814
0.82
2.82
291
3v
2.035
1.399
1.42
4.28
332
4v
2.768
2.085
0.14
8
0.72
8
0.93
5
1.46
0
1.83
2.13
6.9
309
5.01v
3.54
2.796
2.85
9.26
308
3.33
2.31
5
2.62
6.01v
4.21
3.42
297
4.97
3.93
2.92
4.02
8.02v
5.66
4.52
3.35
4.59
8.99v
6.33
4.88
3.62
4.95
10v
7.24
5.2
3.84
5.33
11.5
3
13.5
9
15.8
1
18.3
2
22.1
6
7v
BETA Vs IC
295
220
290
200
270
180
240
160
2
8 10 12 14 16 18 20
CIRCUITO 3
Rs
56K
47K
22K
15K
3.3K
Vs(v)
Vc(v)
6.18
6.5
5.74
6.93
3.80
8.85
2.87
9.77
VE(v)
Ic(mA
)
IB(uA
)
Zona
5.54
5.56
5.10
5.13
3.17
3.19
2.24
2.26
0.75
11.8
2
0.18
0.18
110
121
167
190
240
Saturad
o
activ
o
activ
o
activ
o
Cort
e
IC Vs VCE
15
10
5
0
0.64
IB Vs VBE
150
100
50
0
0.6
0.7
0.8
0.9
OBSERVACIONES:
*Pudimos notar durante el experimento que la
seal amplificada por el transistor es recortada
como si hubiese un diodo.
*Se observ que luego de un tiempo de uso de las
resistencias su valor vara, poco, pero vara.
*Se observ que la poca sensibilidad de los
instrumentos, es perjudicioso para la correcta
toma de datos.
Rs
Vs(v)
VE(v)
Diferencia
56K
6.18
5.54
0.64
47K
5.74
5.10
0.64
22K
3.80
3.17
0.63
15K
2.87
2.24
0.63
3.3K
0.75
0.18
0.57