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    Epitaxia

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    LUIS BARRERA
    Este documento describe diferentes técnicas de fabricación de epitaxia utilizadas para crear circuitos integrados, incluyendo epitaxia en fase de vapor, epitaxia desde la fase líquida y epitaxia de haces moleculares. Explica que la epitaxia permite controlar de manera precisa el perfil de dopaje y es útil para optimizar dispositivos y circuitos.

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    Epitaxia

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    Este documento describe diferentes técnicas de fabricación de epitaxia utilizadas para crear circuitos integrados, incluyendo epitaxia en fase de vapor, epitaxia desde la fase líquida y epitaxia de haces moleculares. Explica que la epitaxia permite controlar de manera precisa el perfil de dopaje y es útil para optimizar dispositivos y circuitos.

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    epitaxia

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    UNIVERSIDAD NACIONAL AUTONOMA DE MEXICO

    FACULTAD DE INGENIERIA

    FÍSICA DE SEMICONDUCTORES 2019-1


    T E C N I C A S D E FA B R I C A C I O N D E
    CIRCUITOS INTEGRADOS:
    E P I TA X I A
    P R E S E N TA N :
    AGUIRRE VERG ARA CHRISTOPHER
    H E R R E J O N R A M Í R E Z O SVA L D O
    RAMÍREZ BARRERA LUIS ÁNGEL
    La epitaxia se refiere a la deposición de una sobrecapa
    cristalina en un sustrato cristalino, donde hay registro entre
    la sobrecapa y el sustrato.
    La epitaxia es un modo de controlar de manera precisa el perfil
    de dopaje para optimizar dispositivos y circuitos
    Capa epitaxial: 0.1 µm hasta 100 µm .
    -Menor espesor :aplicaciones de alta velocidad
    -Mayor espesor para aplicaciones de potencia
    CATEGORÍAS
    El crecimiento epitaxial, puede dividirse en dos categorías muy
    amplias:

    Homoepitaxia: la capa que se crece es químicamente similar al


    substrato:
    Heteroepitaxia: la capa que se crece difiere en términos químicos,
    estructura cristalina, simetría o parámetros de red con respecto
    al substrato.
    TÉCNICAS DE CRECIMIENTO EPITAXIAL
    Todas ellas basadas en el transporte físico del material
    semiconductor hacia la oblea calentada (en fase líquida, en
    fase de vapor, etc.)
    *VPE: epitaxia en fase de vapor . Su forma más genérica es la
    CVD (chemicalvapor deposition)
    *LPE (liquid phase epitaxy): epitaxia desde la fase líquida
    *MBE (molecular beam epitaxy): epitaxia de haces moleculares
    LIQUID PHASE EPITAXY(LPE)
    Históricamente: es la epitaxia más antigua y la más
    simple
    Fue utilizada por primera vez por H. Nelson(1963) para
    el crecimiento de uniones p-n de GaAs.
    Se utiliza principalmente para crecer materiales
    compuestos (ternarios y cuaternarios) muy uniformes,
    delgados y de elevada calidad.
    VAPOURPHASE EPITAXY(VPE)
    Se utiliza actualmente para Si y GaAs Es un proceso en
    el que una capa sólida delgada se sintetiza partiendo
    de una fase gaseosa mediante una reacción química.
    Este tipo de epitaxia tiene lugar a alta temperatura
    MOLECULAR BEAM EPITAXY (MBE)
    Hoy en día es la técnica más prometedora, sobre todo en
    el área de heteroestructuras (crecimiento epitaxial)
    donde se requiere un control preciso sobre impurezas
    múltiples y de deposición de capas muy delicadas.
    Válida para Si y GaAs
    La velocidad de crecimiento es aproximadamente
    1nm/sec(es muy baja) lo que permite la variación
    gradual de la composición del material
    REFERENCIAS
    http://www.edutecne.utn.edu.ar/microelectronica/02-
    FABRICACION%20DE%20CIRCUITOS%20INTEGRADOS.pdf
    http://ocw.usal.es/ensenanzas-tecnicas/materiales-
    electronicos/contenido/MaterialesElectronicos/Tema_3_EPItaxia.pdf

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