LDR - Resistencia Dependiente de La Luz
LDR - Resistencia Dependiente de La Luz
LDR - Resistencia Dependiente de La Luz
Material de fabricación.
FUNCIONAMIENTO
Valor Óhmico
Si medimos entre sus extremos nos encontraremos que pueden llegar a medir en
la oscuridad valores cercanos al MegaOhm (1MΩ) yexpuestas a la luz mediremos
valores en el entorno de los 100Ω.
Tiempo de respuesta
CURVA CARACTERISTICA
Datasheet
http://www.electan.com/datasheets/cebek/CE-C2795.pdf
FOTODIODOS
FUNCIONAMIENTO
Silicio: 190–1100 nm
Germanio: 800–1700 nm
Indio galio arsénico (InGaAs): 800–2600 nm
Sulfuro de plomo: 1000-3500 nm
APLICACIONES
La figura G muestra cómo utilizar un fotodiodo para detectar niveles muy bajos de
luz. Este circuito utiliza un amplificador operacional conectado como un
amplificador de transimpedancia que transforma una pequeña fotocorriente del
fotodiodo en una tensión de salida proporcional.
CURVA CARACTERISTICA