Transistor
Transistor
Transistor
(IPN)
Escuela Superior de Ingeniera Mecnica y
Elctrica
(ESIME)
Objetivos:
1. Identificar las terminales del transistor.
2. Medir la corriente de fuga ICBO y su variacin con la temperatura.
3. Obtener y medir el voltaje de ruptura de la unin base-emisor y de colector-base
de un transistor de silicio.
4. Obtener la curva caracterstica de entrada del transistor bipolar en configuracin
de emisor- comn observar su variacin con el voltaje de colector emisor.
5. Obtener las curvas caractersticas de salida en configuracin de emisor comn.
Observar su variacin con la temperatura. Identificar las regiones de operacin
corte, saturacin y activa directa.
Existen diversas formas que nos permiten identificar las terminales de un transistor bipolar
y si este es NPN o PNP, sin embargo se recomienda que siempre se consulten las hojas
de especificaciones que proporciona el fabricante y que nos indican cmo estn ubicadas
las terminales de emisor colector y base. En el laboratorio es conveniente comprobar que
esta ubicacin es correcta y que el dispositivo este en buen estado.
En el caso que no se cuete con la informacin suficiente, mediante algunas mediciones
realizadas en el laboratorio, es posible identificar las terminales de los transistores
bipolares y el tipo de transistor NPN o PNP de que se trate.
1.1. Usar el multmetro en su funcin de hmetro y aplicar la prueba conocida como
prueba de amplificador e identificar las terminales del transistor.
Imagen 4
Figura 1 dibujo isomtrico del transistor bipolar indicando la base, el emisor y el
colector en un NPN y en un PNP.
Figura 2 Simbolos del transistor
2. Medir la corriente de fuga ICBO y su variacin con la temperatura.
Al igual que en los diodos (uniones rectificante) se tuvo le presencia de corrientes
de fuga (generadas por los portadores minoritarios) en los transistores bipolares
tambin se presentan de tal forma si polarizamos inversamente en cualquier per
de terminales del transistor se podrn medir estas corrientes. Segn el par de
terminales que elija, la corriente tendr valores diferentes aunque del mismo orden
de magnitud, es importante recordar que estas corrientes son muy pequeas
comparadas con las corrientes de operacin del dispositivo y que adems para el
caso del silicio son muchos menores que para el germanio. En la expresin
matemtica que se usa para la corriente de saturacin inversa colector base con
el emisor abierto en la figura 3 se propone un circuito para medir esta corriente y
observar como varia con la temperatura. Para esta medicin usaremos el
transistor de germanio AC127
Figura 4.a circuito propuesto para obtener la curva del diodo emisor base y colector
base de un transistor bipolar.
Figura 5.a Circuito propuesto para obtener el comportamiento del diodo emisor base en
un transistor bipolar y su variacin con el voltaje colector emisor.
Is (A) medida VBE (V) medido VBE (V) medido VBE (V) medido
sobre la curva del sobre la curva del sobre la curva del sobre la curva del
diodo emisor-base diodo emisor-base diodo emisor-base diodo emisor-base
cuando VCE=0 v cuando VCE=0.5 v cuando VCE=5.0
20 A 0.7 0.8 0.76
100 A 0.7 0.81 0.81
150 A 0.7 0.78 0.75
tabla 1
5. Obtener las curvas caractersticas de salida del transistor bipolar en configuracin
de emisor comn. Observar y reportar su variacin con la temperatura.
Armar el cuito de la figura 6 y obtener una a una las curvas caractersticas de salida del
transistor bipolar emisor comn, para diferentes corrientes en la base.
Figura 6.a circuito propuesto para obtener las curvas caractersticas de salida del
transistor bipolar
Figura 6.b . curvas caractersticas de salida del transistor bipolar ubicando las regiones de
corte, saturacin y activa directa.
Reporte los valores medidos de corriente de colector para los valores de voltaje colector
emisor solicitado en la tabla 2, elija los valores adecuados para la corriente de base, tal
que la IB, haga que el transistor bipolar trabaje en la regin de corte, los valores de IB2 y
IB3 lo hagan trabajar en la regin activa directa (de amplificacin) y la corriente IB4 lo
lleve a la regin de saturacin.
Fije la corriente de base en el valor de IB3 (regin Activa), acerque un cerillo encendido al
transistor bipolar por 5seg. Y observe que le pasa a la corriente de colector. Digas si
aumento o disminuye la corriente.
4.23 mA a Temperatura ambiente y 4.83 mA mayor a temperatura ambiente por tanto
aumenta
CUESTIONARIO
1. Dibuje el diagrama de bandas de un transistor bipolar en el cual a unin emisor
base este polarizada directamente y la unin colector base presente polarizacin
cero.