Este documento clasifica los transistores en dos grupos: BJT (de unión bipolar) y FET (de efecto de campo). Describe las características de cada uno, incluyendo sus terminales y zonas de funcionamiento, como la zona activa y la zona de saturación. También presenta ejemplos de cálculos de circuitos con transistores BJT.
0 calificaciones0% encontró este documento útil (0 votos)
180 vistas5 páginas
Este documento clasifica los transistores en dos grupos: BJT (de unión bipolar) y FET (de efecto de campo). Describe las características de cada uno, incluyendo sus terminales y zonas de funcionamiento, como la zona activa y la zona de saturación. También presenta ejemplos de cálculos de circuitos con transistores BJT.
Este documento clasifica los transistores en dos grupos: BJT (de unión bipolar) y FET (de efecto de campo). Describe las características de cada uno, incluyendo sus terminales y zonas de funcionamiento, como la zona activa y la zona de saturación. También presenta ejemplos de cálculos de circuitos con transistores BJT.
Este documento clasifica los transistores en dos grupos: BJT (de unión bipolar) y FET (de efecto de campo). Describe las características de cada uno, incluyendo sus terminales y zonas de funcionamiento, como la zona activa y la zona de saturación. También presenta ejemplos de cálculos de circuitos con transistores BJT.
Descargue como DOC, PDF, TXT o lea en línea desde Scribd
Descargar como doc, pdf o txt
Está en la página 1de 5
Podemos clasificar los transistores en 2 grandes grupos: BJT y FET.
- BJT (de unin dipolar)
Estn formados por dos uniones pn y constan de ! terminales (colector" #ase y emisor)" $ue se corresponden con las tres %onas de material semiconductor. Por el emisor entra un flu&o de portadores $ue a tra'(s de la #ase llega al colector (los sentidos de la corriente estn indicados en la figura). )os transistores #ipolares se suelen usar en configuraciones de emisor com*n" para poder controlar la corriente de salida con una pe$ue+a corriente de #ase. %onas de funcionamiento: ,-T./, ( tramo 0ori%ontal: i-1 2 iB) " -34TE (i-1iB15) " 6,T74,-.89 ( tramo 'ertical: 7-E : ;55 m/). - FET (de efecto de campo) )os terminales en este caso son: fuente (F o 6)" drena&e (<) y puerta (= o P). -a#e distinguir en este grupo dos tipos diferenciados: los JFET (de unin) y los >36FET (del tipo metal - ?ido - semiconductor). )os transistores >36FET en configuracin de emisor com*n presentan una impedancia de entrada muy ele'ada. %onas de funcionamiento: -34TE (7PF:7T(um#ral) y i<15)" .9TE96.<,< -396T,9TE (i<1g(7PF-7T)" 4E6.6TE9-., (relacin lineal entre tensin y corriente de salida). >odelo de gran se+al El anlisis de un circuito con transistores se puede reali%ar con el modelo de gran se+al" 'lido para transistores #ipolares y >36FET conectados en emisor com*n. - -34TE: circuito a#ierto a la salida y a la entrada - ,-T./,: fuente de corriente de 'alor 2iB a la salida y fuente de tensin continua de 5.@ / a la entrada - 6,T74,-.89: cortocicuito a la salida y fuente de tensin continua a la entrada - .9TE96.<,< -396T,9TE: fuente de intensidad de 'alor g(7PF-7T) a la salida y circuito a#ierto a la entrada - 4E6.6TE9-.,: resistencia 4e$ a la salida" de 'alor in'ersamente proporcional a la tensin de control y circuito a#ierto a la entrada E&emplo T4,9A 7n transistor BJT de tipo npn y 21 A55 se conecta de la siguiente manera: la #ase se conecta al terminal positi'o de una pila de ; / a tra'(s de una resistencia de A55 Bo0miosC el colector se conecta al terminal positi'o de otra pila de A5 / a tra'(s de una resistencia de A55 o0mios el emisor se conecta a los terminales negati'os de am#as pilas. En estas condiciones calcule la corriente de colector. E&emplo T4,92 7n transistor BJT del tipo 9P9 con 2 1A55" se conecta a una pila de !5 / de la siguiente manera: el colector se conecta al terminal positi'o de la pila a tra'(s de una resistencia de !!5 o0mios . )a #ase tam#i(nn se conecta al mismo terminal positi'o de la pila a tra'(s de una resistencia de ;D5 Bo0mios. El emisor de conecta directamente al terminal negati'o de la pila. -alcule la tensin entre colector y emisor. E&emplo T4,9! 7n transistor 9P9 funciona en %ona acti'a cuando su #ase se conecta al terminal positi'o de una fuente de tensin de ; / a tra'(s de una resistencia de A5 Bo0mios" su colector se conecta al terminal positi'o de una fuente de 25 / a tra'(s de una resistencia de A55 o0mios y el emisor se conecta a los terminales negati'os de am#as fuentes. 6i 2 1A55" calcule la corriente $ue circula por el colector. E&emplo T4,9E 6i 2 1A55 y 7--125 / Fcul es la %ona de tra#a&o del circuito de la figuraG E&emplo T4,9; <ado el circuito de la figura determine en $ue %ona de tra#a&o se encuentra el transistor (2 1A55). E&emplo T4,9D 7n transistor BJT del tipo 9P9 se encuentra en un circuito electrnico y presenta las siguientes tensiones entre sus terminales: 7EB1-5.@ / y 7-B1-5.@ /. En estas condiciones" Fen $u( %ona est tra#a&ando el transistorG. E&emplo T4,9@ El transistor de la figura" de parmetro 2 1A55" alimenta una carga de ABo0mio a partir de una #aterHa de A;/. -alcular la potencia disipada por el transistror en los dos casos siguientes: a) 7E15 / #)7E1!5 /.