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Practica de Transistores
Practica de Transistores
Practica de Transistores
LEN
DE
Ingeniera en Electrnica
Diodos y Transistores.
Elabora:
Nicole Sols Gonzlez
Osvaldo Snchez Muoz
Asesoro:
ING. Miguel ngel Vzquez Olgun
Practica No. 4
Ttulo: Transistor BJT. Polarizacin de Base
INTRODUCCION:
Los transistores de unin bipolares, son dispositivos de estado slido de tres terminales, ncleo de
circuitos de conmutacin y procesado de seal.
El transistor se ha convertido en el dispositivo ms empleado en electrnica, a la vez que se han ido
incrementando sus capacidades de manejar potencias y frecuencias elevadas, con gran fiabilidad. (No
existe desgaste por partes mviles).
Por ello es importante conocer su comportamiento ante diferentes seales as como saber cmo probar
que estn en buen estado.
MARCO TERICO
Dejar pasar o cortar seales elctricas a partir de una pequea seal de mando,
esto es el comportamiento de un switch.
Funciona como un elemento amplificador de seales.
Existen dos tipos de transistores: el transistor Bipolar o BJT (Bipolar Junction Transistor)
y el transistor unipolar o de efecto de campo FET (Field Effect Transistor). sta prctica
utiliza el transistor BJT
En la figura 1 se puede apreciar cada una de los bloques en los que se realiza un
contacto metlico y que da origen a 3 terminales: Base (B) que es quien controla el
paso de corriente a travs del transistor, ste es el bloque de en medio; el Colector
(C) que se encarga de recoger los portadores de carga; y el Emisor (E) que se
encarga de proporcionar los portadores de carga.
Practica No. 4
Ttulo: TRANSISTOR BJT
Fecha: 29/SEPTIEBRE/2014
OBJETIVOS:
*Probar apropiadamente un transistor npn o pnp con un hmetro
*Verificar las tensiones y corrientes en un circuito de base-sesgado, as como construir su lnea de
carga de CC.
ANALISIS TEORICO:
MATERIAL Y EQUIPO:
-2 transistores 2N3904
-1 transistor 2N3906
-Potencimetro de 1M ohm
-Resistencias de 1k ohm y 520k ohm
-Multmetro
-Fuente de voltaje
-Secador de cabello
DESARROLLO:
Para la primera parte se utilizaron el diodo 1N4148, el multmetro y los transistores 2N3904 (npn)
y 2N3906 (pnp).
En esta parte se aplic el proceso para comprobar el buen funcionamiento de un transistor usando
el ohmmetro del multmetro digital de la siguiente manera:
Practica No. 4
Ttulo: TRANSISTOR BJT
Fecha: 29/SEPTIEBRE/2014
1.- Comprobacin de la polaridad de las terminales del multmetro con el diodo 1N4148.
2.- Medir el valor de resistencia entre las terminales base-emisor del transistor 2n3904. Primero se
puso la terminal negativa del multmetro en el emisor y la positiva en la base, se registr en la
tabla si el valor obtenido era alto o bajo y luego se invirti esta configuracin.
3.- De la misma manera se midi la resistencia entre las terminales base-colector y colector-emisor
y se registr los valores obtenidos como alto o bajo (+/-).
Practica No. 4
Ttulo: TRANSISTOR BJT
Fecha: 29/SEPTIEBRE/2014
3.- Medimos el voltaje en las resistencias de 1K y 560K y con la ley de Kirchhoff calculamos las
corrientes en la base y el colector:
Voltaje medido en 520K: 14.48V
Voltaje medido en 1K: 6.56V
IB = (14.48)/(520k)= 0.0278mA
IC= (5.56)/(1K)= 5.56mA
Practica No. 4
Ttulo: TRANSISTOR BJT
Fecha: 29/SEPTIEBRE/2014
5.- Se midieron los valores de los voltajes VB Y VCE y comparndolos con los calculados con las
formulas propuestas (para VCE).
6.- Con la secadora de cabello le aplicamos aire caliente al transistor y comprobamos que la
corriente del colector aumentaba.
7.- Usando las ecuaciones 5 y 6 calculamos los puntos de saturacin y corte de la lnea de carga.
8.- Se repiti el proceso de los pasos 2 a 5 (de la prctica otorgada por el profesor) y se registraron
todos los datos obtenidos.
9.-Se sustituy la resistencia de 520K por el potencimetro de 1M para variar hasta los mximos y
mnimos valores de las corrientes de saturacin y voltajes de corte previamente calculados.
Practica No. 4
Ttulo: TRANSISTOR BJT
Fecha: 29/SEPTIEBRE/2014
10.- Conociendo estos valores mximos y mnimos variamos la resistencia para obtener diferentes
parmetros en la zona activa del transistor y registrarlos en las tablas.
TERMINALES
+
BASE
EMISOR
BASE
COLECTOR
COLECTOR
EMISOR
DEL
TERMINALES
+
BASE
EMISOR
BASE
COLECTOR
COLECTOR
EMISOR
DEL
MULTIMETRO
EMISOR
BASE
COLECTOR
BASE
EMISOR
COLECTOR
RESULTADO
MULTIMETRO
EMISOR
BASE
COLECTOR
BASE
EMISOR
COLECTOR
RESULTADO
+
+
2N3906 (PNP)
PASO
2
3
4
5
7
7
Segunda parte:
PARAMETRO
IB
IC
Bdc
VB
VCE
TRANSISTOR 1
Valor
Valor
medido
calculado
0.028mA 0.0278mA
5.6mA
5.56mA
200
X
0.7v
0.7v
9.24v
9.44v
TRANSISTOR 2
Valor
Valor
medido
calculado
0.0281mA 0.0273mA
5.69mA
5.64mA
206.59
X
0.6v
0.7v
9.5v
9.36v
+
+
-
Practica No. 4
Ttulo: TRANSISTOR BJT
Fecha: 29/SEPTIEBRE/2014
CONDICION
VALORES CALCULADOS
IC
VCE
15mA
0
0
15.00V
0.0015mA
03.11V
0.00210mA
08.61V
0.00170mA
10.39V
0.00140mA
11.40V
0.00121mA
12.01V
SATURACION
CORTE
REGION ACTIVA
VALORES MEDIDOS
IC
14.6mA
2.8mA
0.0150mA
0.0215mA
0.0173mA
0.0143mA
0.0120mA
VCE
0.2v
12.07v
03.10V
08.62V
10.40V
11.46V
12.00V
Quiescent Point
0.025
7.1, 0.0215
8.62, 0.0173
10.4, 0.015
11.46, 0.0143
12, 0.012
Ic (mA)
0.02
0.015
0.01
recta de carga
Linear (recta de carga)
0.005
0
0
10
12
14
Vce (V)
En una de las sesiones hechas en la prctica, se aument el voltaje que alimentaba el colector,
mientras se meda el voltaje de la resistencia de la base en lugar del voltaje del colector. Al hacerlo
el voltaje permaneci inalterable de la resistencia, y con ello la corriente de la base, puesto que
Practica No. 4
Ttulo: TRANSISTOR BJT
Fecha: 29/SEPTIEBRE/2014
voltaje y valor de la resistencia permanecieron inmutables. Con ello se pudo deducir que la
polarizacin de la base permite tener una corriente segura en nuestra base sin riesgo de que lo
que est conectado a ella sufra alguna alteracin de corriente que pudiera provenir precisamente
del colector.
Conclusin de Nicolasa:
BIBLIOGRAFIA:
FLOYD, Thomas L; Dispositivos Electrnicos; 8 Edicin; Ed. Prentice Hall; Mxico 2008
BOYLESTAD, Robert & Nashelsky, Louis; Electronic Devices and Circuit Theory; 7 Edition, Ed.
Prentice Hall; USA 1998
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