Sistemas microelectromecnicos

Un caro cerca de un grupo deengranajes producidos utilizando MEMS. Cortesa de los Laboratorios Nacionales Sandia (Sandia National Laboratories), tecnologas SUMMiTTM, www.mems.sandia.gov.

Sistemas Microelectromecnicos (Microelectromechanical Systems, MEMS) se refieren a la tecnologa electromecnica, micromtrica y sus productos, y a escalas relativamente ms pequeas (escala nanomtrica) se fusionan en sistemas nanoelectromecnicos (Nanoelectromechanical Systems, NEMS) y Nanotecnologa. MEMS tambin se denominan 'Micro Mquinas' (en Japn) o 'Tecnologa de Micro Sistemas' - MST (en Europa). Los MEMS son independientes y distintos de la hipottica visin de la nanotecnologa molecular o Electrnica Molecular. MEMS en general varan en tamao desde un micrmetro (una millonsima parte de un metro) a un milmetro (milsima parte de un metro). En este nivel de escala de tamao, las construcciones de la fsica clsica no son siempre ciertas. Debido a la gran superficie en relacin al volumen de los MEMS, los efectos de superficie como electrosttica y viscosidad dominan los efectos de volumen tales como la inercia o masa trmica. El anlisis de elementos finitos es una parte importante del diseo de MEMS. La tecnologa de sensores ha hecho progresos significativos debido a los MEMS. La complejidad y el rendimiento avanzado de los sensores MEMS ha ido evolucionando con las diferentes generaciones de sensores MEMS.1 El potencial de las mquinas muy pequeas fue apreciado mucho antes de que existiera la tecnologa que pudiera construirlas - vase, por ejemplo, la famosa lectura de 1959 de Feynman "Hay mucho espacio en lo pequeo". Los MEMS se convirtieron en prcticos una vez que pudieran ser fabricados utilizando modificacin de tecnologas de fabricacin de semiconductores, normalmente utilizadas en electrnica. Estos incluyen moldeo y galvanoplastia, grabado hmedo (KOH, TMAH) y grabado en seco (RIE y DRIE), el mecanizado por electro descarga (EDM), y otras tecnologas capaces de fabricar dispositivos muy pequeos.

Existen diferentes tamaos de empresas con importantes programas MEMS. Las empresas ms grandes se especializan en la fabricacin de componentes de bajo costo alto volumen o paquetes de soluciones para los mercados finales como el automotriz, biomedicina, y electrnica. El xito de las pequeas empresas es ofrecer valor en soluciones innovadoras y absorber el costo de fabricacin con altos mrgenes de ventas.Tanto las grandes como las pequeas empresas realizan trabajos de I + D para explorar la tecnologa MEMS. Uno de los mayores problemas de los MEMS autnomos es la ausencia de micro fuentes de energa con alta densidad de corriente, potencia y capacidad elctrica.

Como funcionan las fotoceldas. Los fotoceldas convierten la luz del sol en energa elctrica, esta es conducida a travs de un alambre hacia las baterias donde es almacenada hasta que se necesita, en el camino hacia las bateras la corriente pasa a travs de un controlador, el cual corta el flujo de corriente cuando las bateras estn completamente cargadas. Para algunos aparatos la electricidad puede ser usada directamente de las bateras. Ha esta corriente se le llama " corriente directa " o "DC" y puede encender aparatos como las luces de los automviles, radios, televisiones porttiles, luces intermitentes, etc. Para poder operar la mayora de los aparatos que encontramos en una casa es necesaria la " corriente alterna " o " AC ". Esta la podemos producir utilizando un invertidor, el cual transforma la corriente directa "DC" en corriente alterna "AC".

Principios de electricidad La electricidad es un flujo de electrones que es conducida a travs de un conductor, generalmente el alambre. Este flujo es comparado con el flujo del agua a travs de un tubo. Las clulas o celdas solares son dispositivos que convierten energa solar en electricidad, ya sea directamente va el efecto fotovoltaico, o indirectamente mediante la previa conversin de energa solar a calor o a energa qumica. La forma ms comn de las celdas solares se basa en el efecto fotovoltaico, en el cual la luz que incide sobre un dispositivo semiconductor de dos capas produce una diferencia del fotovoltaje o del potencial entre las capas. Este voltaje es capaz de conducir una corriente a travs de un circuito externo de modo de producir trabajo til. Las celdas solares de silicio se elaboran utilizando planchas (wafers) monocristalinas, planchas policristalinas o lminas delgadas Las planchas monocristalinas (de aproximadamente 1/3 a 1/2 de milmetro espesor) se cortan de un gran lingote monocristalino que se ha desarrollado a aproximadamente 1400C, este es un proceso muy costoso. El silicio debe ser de una pureza muy elevada y tener una estructura cristalina casi perfecta. Las planchas policristalinas son realizadas por un proceso de moldeo en el cual el silicio fundido es vertido en un molde y se lo deja asentar. Entonces se rebana en planchas. Como las planchas policristalinas son hechas por moldeo son apreciablemente ms baratas de producir, pero no tan eficiente como las celdas monocristalinas. El rendimiento ms bajo es debido a las imperfecciones en la estructura cristalina resultando del proceso de moldeo. En los dos procesos anteriormente mencionados, casi la mitad del silicio se pierde como polvo durante el cortado.

Procesos MEMS
[editar]Procesos

de Deposicin

Uno de los elementos bsicos en el procesamiento de MEMS es la capacidad de depsito de pelculas delgadas de materiales. En este texto asumimos que una fina pelcula puede tener un espesor de entre unos pocos nanmetros a unos 100 micrmetros. Los procesos de deposicin de uso comn son: Electroenchapado (Electroplating), Deposicin pulverizada (Sputter deposition), la deposicin fsica de vapor (PVD) y deposicin qumica de vapor (CVD). [editar]Fotolitografa
Artculo principal: Fotolitografa.

Litografa en el contexto MEMS es, por lo general la transferencia de un patrn a un material fotosensible por exposicin selectiva a una fuente de radiacin, como la luz. Un material fotosensible es un material que experimenta un cambio en sus propiedades fsicas cuando es expuesto a una fuente de radiacin. Si nosotros exponemos selectivamente un material fotosensible a la radiacin (por ejemplo, mediante el enmascaramiento de algo de la radiacin) el patrn de la radiacin sobre el material es transferido al material expuesto, resultando en que las propiedades de las regiones expuestas y no expuestas difieren. Esta regin expuesta puede luego ser eliminada o tratada proveyendo una mscara para el sustrato subyacente. La Fotolitografa es tpicamente usada con metal u otra deposicin de pelcula delgada, en procesos de grabado secos o mojados.

[editar]Procesos

de grabado

Hay dos categoras bsicas de procesos de grabado: grabado mojado y seco. En el primer caso, el material se disuelve cuando se sumerge en una solucin qumica. En el ltimo, el material se pulveriza o disuelve utilizando vapor iones reactivos o un grabado de fase vapor. Vase Williams y Muller [1] o Kovacs, Maluf y Peterson [2] para un poco de visin de conjunto de las tecnologas de grabado MEMS. [editar]Grabado

hmedo o mojado

Artculo principal: Grabado hmedo.

El grabado por mojado qumico consiste en una eliminacin selectiva de material por inmersin de un sustrato dentro de una solucin que la pueda disolver. La naturaleza qumica de este proceso proporciona una buena selectividad, lo cual significa que la tasa de grabado del material a grabar es considerablemente ms alta que la del material de la mscara si se selecciona cuidadosamente. Algunos materiales mono cristalinos, como el silicio, tendrn diferentes tasas de grabados dependiendo en la orientacin cristalogrfica del sustrato. Esto se conoce como grabado anisotrpico y uno de los ejemplos ms comunes es el grabado del silicio en KOH (hidrxido de potasio), donde los planos<111> del Silicio se graban aproximadamente 100 veces ms lento que otros planos (orientaciones cristalogrficas). Por lo tanto, grabando un agujero rectangular en un (100)- una oblea de silicio resulta en en un grabado de ranuras en forma de pirmide con paredes en ngulo de 54.7, en lugar de un agujero con paredes curvas como podra ser el caso del grabado isotrpico, donde los procesos de grabado progresan a la misma velocidad en todas las direcciones. Agujeros largos y estrechos en una mscara producirn surcos en el silicio. La superficie de estas ranuras puede ser automticamente suavizadas si el grabado se lleva a cabo correctamente, con las dimensiones y los ngulos siendo extremadamente precisos. El grabado Electroqumico (CEPE) para una eliminacin selectiva del dopante del silicio es un mtodo comn para automatizar y controlar selectivamente el grabado. Se requiere un diodo de juntura p-n activo, y cualquier tipo de dopante puede actuar como material resistente al grabado ("detencin del grabado"). El Boro es el dopante ms comn de detencin del grabado. En combinacin con el grabado mojado anisotrpico como se ha descrito anteriormente, el ECE se ha utilizado con xito para el control del espesor del diafragma de silicio en sensores de presin piezoresistivos de silicio. Las regiones selectivamente dopadas pueden ser creadas tanto por implantacin, difusin, o deposicin epitaxial de silicio. [editar]Grabado por iones reactivos (RIE)
Artculo principal: Grabado por iones reactivos.

En el grabado por iones reactivos (RIE), el sustrato se coloca dentro de un reactor en el que se introducen varios gases. El plasma es pulsado en la mezcla de gases utilizando una fuente de energa de RF, rompiendo las molculas del gas en iones. Los iones son acelerados y reaccionan con la superficie del material siendo grabado, formando otro material gaseoso. Esto se conoce como la parte qumica del grabado por iones reactivos. Tambin hay una parte fsica que es de naturaleza similar al proceso de deposicin por pulverizacin. Si los iones poseen energa suficientemente alta, pueden impactar a los tomos fuera del material a ser grabado sin una reaccin qumica. Es una tarea muy compleja desarrollar procesos de grabado en seco que

equilibren grabado qumico y fsico, ya que hay muchos parmetros a ajustar. Al cambiar el equilibrio es posible influir en la anisotropa del grabado, ya que la parte qumica es isotrpica y la parte fsica altamente anisotrpica, la combinacin puede formar paredes laterales, que tienen formas desde redondeadas a verticales. [editar]Grabado profundo de iones reactivos (DRIE)
Artculo principal: Grabado profundo de iones reactivos.

Una subclase de la RIE, que contina creciendo rpidamente en popularidad es la RIE profunda (DRIE). En este proceso, las profundidades de grabado de cientos de micrmetros pueden ser alcanzados con paredes casi verticales. La principal tecnologa se basa en el llamado "proceso de Bosch" [3], llamado luego de que la empresa alemana Robert Bosch, presentara la patente original, donde dos composiciones de gases diferentes se alternan en el reactor. Actualmente hay dos variaciones de la DRIE. La primera modificacin consiste en tres pasos (el proceso de Bosch, tal como se utiliza en la herramienta UNAXIS), mientras que la segunda variacin slo consiste en dos pasos (ASE utilizado en la herramienta de STB). En la 1 Modificacin, el ciclo de grabado es el siguiente: (i) SF6 grabado isotrpico; (ii) C4F8 pasivacin; (iii) SF6 grabado anisoptrpico para limpieza de suelo. En la 2 variacin, los pasos (i) y (iii) se combinan. Ambas variaciones funcionan de manera similar. El C4F8 crea un polmero sobre la superficie del sustrato, y en el segunda, la composicin del gas (SF6 y O2) graba el sustrato. El polmero es inmediatamente pulverizado lejos por la parte fsica del grabado, pero slo en las superficies horizontales y no en las paredes laterales. Desde el polmero slo se disuelve muy lentamente en la parte de la qumica de grabado, se acumula en las paredes laterales y los protege de grabado. Como resultado de ello, el grabado se pueden alcanzar relaciones de aspecto de 50 a 1. El proceso puede ser utilizado fcilmente para grabar completamente a travs de un sustrato de silicio, y las tasas de grabado son 3-4 veces ms altas que el grabado mojado. [editar]Grabado por difluoruro de Xenon El difluoruro de Xenon (XeF2) es un grabador por fase de vapor seco isotrpica para silicio originalmente aplicada en MEMS en 1995 en la Universidad de California, Los Angeles [4] [5]. Originalmente usada para la liberdarin de estructuras de metal y dielctricas por medio del cortado del silicio, XeF2 tiene la ventaja de no tener pegado por viscosidad a diferencia del grabado mojado. Su selectividad de grabado es muy alta, lo que le permite trabajar con fotoresistencia, SiO2, nitruro de silicio, y diversos metales para enmascarar. Su reaccin al silicio es "libre de plasma", es puramente qumico y espontneo y a menudo es operado en modo pulsado. Se encuentran disponibles modelos de la accin del grabado estn disponibles[6], y laboratorios universitarios y diversas herramientas comerciales ofrecen soluciones utilizando este enfoque.

Paradigmas de los MEMS de Silicio

volumtrico

Artculo principal: Micromaquinado volumtrico.

Micromaquinado volumtrico es el paradigma ms antiguo de los MEMS basado en silicio. Todo el grosor de una oblea de silicio se utiliza para la construccin de las micro-estructuras mecnicas. [2] El silicio es mecanizado utilizando diversos procesos de grabado. La unin andica de placas de

vidrio u obleas de silicio adicionales se utilizan para aadir caractersticas tridimensionales y para encapsulacin hermtica. El micromquinado volumtrico ha sido esencial para que los sensores de presin de alto rendimiento y acelermetros que han cambiado la forma de la industria de los sensores en los 80's y 90's. [editar]Micromquinado

superficial

Artculo principal: Micromquinado superficial.

El micromquinado superficial utiliza deposicin de capas sobre la superficie de un sustrato como material estructural, en lugar de utilizar el sustrato mismo. [7] El micromaquinado superficial se cre a fines de los 80 para hacer el micromquinado de silicio ms compatibles con la tecnologa de circuito integrado plano, con el objetivo de la combinacin de MEMS y circuitos integrados en la misma oblea de silicio. El concepto original del micromaquinado superficial se basa en delgadas capas de silicio policristalino modelado como estructuras mecnicas mviles y expuestas por grabado de sacrificio de las subcapas de xido. Electrodos en peine interdigital son utilizados para producir fuerzas en plano y detectar movimientos en plano de forma capacitiva. Este paradigma MEMS ha permitido a la manufactura de acelerometros de bajo costo, por ejemplo sistemas de Bolsas de aire para automviles (Air-bags) y otras aplicaciones donde bajos rendimientos y/o altos rangos de "g" son suficientes. Mecanismos Analgicos han sido pioneros en la industrializacin del micromaquinado superficial y han realizado la co-integracin de los MEMS y los circuitos integrados. [editar]Micromaquinado

de Alta relacin de aspecto (HAR)

Ambos micromaquinados volumtrico y superficial son todava usados en la produccin industrial de los sensores, las boquillas de chorro de tinta y otros dispositivos. Pero, en muchos casos, la distincin entre estos dos ha disminuido. La nueva tecnologa de grabado, el grabado profundo por iones reactivos ha hecho posible combinar el buen desempeo tpico del micromaquinado volumetrico con estructuras en peine y operaciones en plano tpicas de micromaquinado superficial. Si bien es comn en el micromaquinado superficial tener espesores de capa estructurales en el rango de 2 m, en el micromaquinado HAR el espesor es de 10 a 100 m. Los materiales comnmente utilizados en el micromaquinado HAR son silicio policristalino denso, conocido como epi-poly, y las obleas pegadas de silicio-sobre-aislante (SOI), si bien los procesos para las obleas de silicio volumetricas tambin han sido creadas (SCREAM). Pegando una segunda oblea mediante fritura de vidrio, la unin andica o unin de aleacin se utiliza para proteger las estructuras MEMS. Los circuitos integrados estn normalmente no combinados con el micromaquinado HAR. El consenso de la industria en este momento parece ser que la flexibilidad y la reduccin en complejidad obtenidos teniendo las dos funciones separadas parece pesar ms que la pequea penalidad en el envasado. [editar]Aplicaciones Aplicaciones comunes incluyen: Impresoras de inyeccin de tinta, que utilizan piezoelctricos o burbuja trmica de eyeccin para depositar la tinta sobre el papel.

Acelermetros en los automviles modernos para un gran nmero de finalidades, entre ellas el despliegue de colchn de aire (airbag) en las colisiones. Acelermetros en dispositivos de electrnica de consumo, tales como controladores de juegos (Nintendo Wii), reproductores multimedia personales y telfonos mviles (Apple iPhone) [8] y una serie de Cmaras Digitales (varios modelos Canon Digital IXUS). Tambin se usa en ordenadores para estacionar el cabezal del disco duro cuando es detectada una cada libre, para evitar daos y prdida de datos. Giroscopios MEMS modernos utilizados en automviles y otras aplicaciones de orientacin para detectar, por ejemplo, un rolido y desplegar una cortina air-bag ms o activar el control dinmico de estabilidad. Sensores de presin de Silicio, por ejemplo, en sensores de presin de neumticos de automviles, y en sensores de presin arterial desechables. Pantallas por ejemplo, el chip DMD en un proyector basado en la tecnologa DLP posee en su superficie varios cientos de miles de microespejos. Tecnologa de conmutacin de fibra ptica que se utiliza para tecnologa de conmutacin y alineacin para comunicaciones de datos. Proyector de cine digital : Philippe Binant realiz, 2000, la primera proyeccin de cine numrico pblico de Europa, fundada sobre la aplicacin de un MEMS desarrollado por Texas 3 Instruments. Aplicaciones Bio-MEMS aplicaciones en medicina y tecnologas relacionadas con la salud desde Lab-On-Chip (laboratorios en un chip) a Anlisis Micro Total (biosensores, sensores qumicos) para MicroTotalAnalysis (biosensor, chemosensor). Aplicaciones IMOD en la electrnica de consumo (sobre todo pantallas en los dispositivos mviles). Se utiliza para crear tecnologa pantalla de modulacin interferomtrica - reflexiva. El Adams Golf DiXX Digital Instruccin Putter usa MEMS, concretamente un microsistema de navegacin inercial para analizar los factores del movimiento del swing, incluyendo el camino, el tiempo, la velocidad y los niveles de vibracin de la mano. Microscopia de fuerza atmica o AFM: Los sensores de fuerza (micropalancas) usados en AFM son en s sistemas microelectromecnicos producidos con tcnicas de microfabricacin. Con estos pueden obtenerse medidas de fuerzas en el rango de pN (piconewton) a nN (nanonewton), as como levantar topografas de superficies a escala atmica.
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[editar]Investigacin

y Desarrollos MEMS

Los investigadores en MEMS utilizan diversas herramientas de software de ingeniera para llevar un diseo desde el concepto a la simulacin, prototipado y ensayos. El anlisis por elementos finitos (Finite element methods, FEM) es una parte importante en el diseo de los MEMS. Simulacin dinmica, del calor, y elctrica, entre otras, pueden ser realizadas por ANSYS y COMSOL, as como por COVENTOR. Otro software, como MEMS-PRO, se utiliza para producir una composicin del diseo adecuado para la entrega a la empresa de fabricacin. Una vez que los prototipos estn listos, los investigadores pueden probarlos utilizando diversos instrumentos, entre ellos vibrmetros de escaneo doppler lser, microscopios, y estroboscopios.

QU ES UN MEMS? El hombre siempre ha tratado de desarrollar tecnologa que le permita plasmar sus observaciones obtenidas del entorno, donde a travs de la aplicacin del mtodo cientfico pueda encausar y aplicar la ciencia a travs de la Ingeniera (ciencia aplicada). El entorno tecnolgico actual ha permitido la miniaturizacin de las distintas herramientas o equipos para desarrollar o manufacturar producto de menor tamao. Podemos mencionar de manera rpida como la ENIAC, presentada en pblico el 15 de febrero de 1946, la cual ocupaba una superficie de 167m 2 , con un peso de 27 ton y alrededor de 18, 000 vlvulas era la maravilla de su tiempo, y hoy podemos hablar del iPAD puesta a venta desde el 3 de Abril del 2010, wi-fi de 32 o 64 Gb. Microtecnologa: es la tecnologa que est caracterizada por estar cerca de un micrmetro (1 m), o sea, una millonsima de metro. Las siglas MEMS en espaol significan Sistema MicroElectroMecnico (MicroElectroMechanical Systems), es una de las divisiones actuales del estudio de la Mecatrnica. En 1960, cientficos aprendieron que arreglando grandes nmeros de transistores microscpicos en un

solo chip, los circuitos microelectrnicos podan ser armados a esa escala, mejorando la funcionalidad, rendimiento, y confianza, mientras se reduca el costo y el volumen de los mismos. Este desarrollo condujo a la Revolucin de la Informacin. La siguiente figura 1 nos permite visualizar en escala mtrica el desarrollo tecnolgico de dispositivos en comparacin con la naturaleza. Fig.1.- Comparacin entre el desarrollo tecnolgico y la naturaleza en escala mtrica

MICROELECTROMECHANICAL SYSTEMS
Imagina una mquina tan pequea que sea casi incapaz de detectarla tus ojos, que pueda sensar presin, flujo, gas, que se encuentre en las impresoras y no sepas que estn ah. Estas pequeas mquinas se llaman sistemas microelectromecnicos o MEMS por sunombre en ingls, micro electro-mechanical systems. Son pequeos dispositivos integrados que combinan componentes elctricos y mecnicos. Son fabricados usando circuitos integrados y las tcnicas de proceso pueden variar desde algunos micrmetros a milmetros. Estos dispositivos (o sistemas) tienen la habilidad de sensar, controlar y actuar en microescala y generar efectos a gran escala. Generalmenteestn hechos de componentes de entre 1 y 100 micrmetros, y el tamao de un MEMS est en el rango desde 20 micrmetros hasta un milmetro, aunque pueden ser un poco ms grandes.

Tienen la habilidad de realizar tareas en el micro mundo, que sera imposible de alcanzar usando tecnologa convencional.

Tipos de dispositivos MEMS 1. Sensores Sensorde presin

Fueron introducidos en los 60s para aplicaciones militares y aeroespaciales, hoy en da, juegan un rol muy importante especialmente en la industria biomdica y automotriz.

Sensor deflujo

Los sensores de flujo monitorean la velocidad de fluidos, tanto lquidos como gaseosos desde una pequea cantidad.

2. Actuadores Actuador piezoelctrico

Se aplican en la nano-metrologa, posicionamiento de obleas y mscaras, medicin dedimensiones crticas, microlitografa, sistemas de inspeccin y cancelacin de vibracin.

Micro pinza actuadoraelectro-trmica

Se enuentra dentro de los actuadores electrostticos, en los cuales se aplica un campo elctrico entre una parte fija y una estructura mvil.

3. MEMSinteligentes

Los cuales combinan circuitera adicional para controlar y procesar informacin. Algunos de ellos se encuentran en las bolsas de aire de los automviles.

EN CIUDAD JUREZ SE ENCUENTRA UNO DE LOS POCOS LABORATORIOS DE INVESTIGACIN REFERENTE A LA TECNOLOGA MEMS EN MXICO. CICTA

El Centrode Investigacin en Ciencia y Tecnologa Aplicada se encuentra en el Institutode Ingeniera y Tecnologa de la Universidad Autnoma de Ciudad Jurez. Algunosde sus objetivos son: *Desarrollar proyectos tecnolgicos *Generacin de nuevos productos *Desarrollo de investigacin universitaria *Desarrollo de patentes. Algunos de los servicios que ofrece el laboratorio son: *Atencin a la industria en servicios tecnolgicos *Innovacin y transferencia tecnolgica *Formacin de recursos humanos y divulgacin de alta tecnologa.

El equipo con el que cuenta el Laboratorio: Microscopio electrnico de barrido. Analiza la estructura y morfologa de polmeros, metales, plsticos, xidos, aislantes, substancias, organismos yotros materiales utilizados durante el

diseo, pruebas, caracterizacin, y optimizacin de sistemas MEMS, entre otras aplicaciones.

Imgenescon resolucin para anlisis de MEMS proporcionadas por este microscopio

Estacin de trabajo Signatone. Realiza las siguientes tareas: 1)Caracterizacin electrnica de sistemas Microelecromecnicos.

2) Anlisis de comportamientos mecnicos, especialmente mediciones de movimientos y estreses. 3)Acondicionamiento elctrico/electrnico de seales provenientes sensoresMEMS. 4) Diseo y optimizacin de interfaces electrnicas. sta actividad se debe optimizar atravs de las pruebas utilizando la estacin de trabajo. 5) Diseo de sistemas de comunicaciones. sta actividad se debe optimizar a travs de las pruebas utilizando la estacin de trabajo

Estacin de alambrado. Se utiliza para desarrollar las interconexiones elctricas necesarias de dispositivos MEMS para el

desarrollo de prototipos de sistemas, y para encapsular los MEMS para que puedan hacer pruebas experimentales.

Software de Diseo MEMS Se tienen siete estaciones de trabajo, y se tienen 5 licencias de software COVENTOR pagadas, y 5 licencias de software MEMSPro ($5.3 mil dlares,) las cuales falta pagar la cuota de mantenimiento. Esto es, se requieren pagar las cuotas de mantenimiento del software MEMSPro que ya se ha adquirido. Adems, se desean adquirir 10 licencias de ANSYS Multiphisics ($20 mil dlares.)

Mesa antivibratoria Se utilizan para montar las herramientas de estacin de pruebas y para desarrollar sistemas de pruebas y caracterizacin que ameriten la eliminacin de vibraciones mecnicas.

Alineadora y exposicin Suss MicroTec MA6/8 sta herramientaes indispensable para la bsqueda ptima de los procesos de encapsulado a nivel de dispositivos para sistemas Micrelectromecnicos (costo de $195 mil dlares). Las alineadoras MA6 y MA8 estn disponibles con microscopios inferiores para doblealineacin de dispositivos MEMS. Los alineamientos de dispositivos

por la parteinferior se han vuelto cotidianos procesos de micro-ensamble y encapsulado,especialmente en el rea de los MEMS.

Imgenes de elementos alineados y ensamblados con la MA6/8.

Waferbonder semiautomtica, Suss MicroTecSB6e. Es una herramienta semiautomatizada til para el encapsulado a nivel obleas MEMS ($250,000),y la cual provee un superior bondeo, temperatura uniforme y alto control depresin. Puede manipular substratos de 20 x 20mm a 200mm de dimetro.Adicionalmente, la cmara, el herramental, y los elementos de fijacin son los utilizados en procesos de produccin de MEMS actualmente. Esto permite una propiado pre-analisis de los procesos de produccin de los sistemas de encapsulado que se diseen con sta herramienta.

Cortadora K&S 7100ADHM Las cortadoras de obleas son indispensables para la separacin de dispositivos y/omicrosistemas individuales construidos en las obleas. sta herramienta es indispensable para los procesos de encapsulado de sistemas Micrelectromecnicos(costo de $65 mil dlares), pues despus de que se recibe un sistema fabricado en obleas, se deben cortar los dispositivos para luego desarrollar el encapsulado o ensamble final.

Bondeadorade dispositivos MEMS, Suss MicroTec FC150 Las capacidades de sta herramienta ofrecen bondeo de dispositivos por temperatura,lser, UV, curado de epxicos, entre otros. Especialmente, ofrece la capacidad de manipular partes con hasta 0.5micras de resolucin XY, theta de 9 microradianes, y elevaciones de 25 microradianes.

Imagen de encapsulamiento 3D de sistemas MEMS desarrollada en la Suss MicroTecFC6.