Scandiumnitrid

Kristallstruktur
_ N 0 _ Sc
Allgemeines
Name	Scandiumnitrid
Andere Namen	Azanylidynescandium Nitridoscandium
Verhältnisformel	ScN
Kurzbeschreibung	schwarzes Pulver (Handelsform)[1]
Externe Identifikatoren/Datenbanken
CAS-Nummer 25764-12-9 EG-Nummer 247-247-2 ECHA-InfoCard 100.042.938 PubChem 117629 ChemSpider 105117 Wikidata Q4321619
Eigenschaften
Molare Masse	58,96 g·mol−1
Aggregatzustand	fest
Dichte	4,4 g·cm−3[1]
Schmelzpunkt	2600 °C[1]
Sicherheitshinweise
GHS-Gefahrstoffkennzeichnung[2] Gefahr H- und P-Sätze H: 228​‐​302​‐​315​‐​319​‐​332​‐​335 P: 210​‐​240​‐​241​‐​261​‐​280​‐​301+330+331​‐​304+340​‐​305+351+338​‐​332+313​‐​370+378​‐​405​‐​501[2]
Soweit möglich und gebräuchlich, werden SI-Einheiten verwendet. Wenn nicht anders vermerkt, gelten die angegebenen Daten bei Standardbedingungen (0 °C, 1000 hPa).

Scandiumnitrid (ScN) ist eine anorganische chemische Verbindung aus der Gruppe der Nitride mit dem Metall Scandium und stellt einen III-V-Verbindungshalbleiter mit indirekter Bandlücke dar. Scandiumnitrid ist ein Kristall mit kubischer Kristallstruktur, einer Gitterkonstante von 0,451 nm und wird mittels Kristallzucht auf einer Folie aus Wolfram gewonnen.^[3] Das Halbleitermaterial weist eine indirekte Bandlücke von 0,9 eV und eine direkte Bandlücke mit 2 eV bis 2,4 eV auf.^[4]

Scandiumnitrid wird in der Halbleiterindustrie unter anderem bei elektronischen Bauelementen wie Feldeffekttransistoren als Gate-Material eingesetzt, da es sich gut auf die Isolationsschichten wie Siliziumdioxid (SiO₂) oder Hafniumdioxid (HfO₂) aufbringen lässt.^[5] Weiters wird es als Legierungsbestand bei Nichteisenmetallen eingesetzt.^[1]

1. ↑ ^{a b c d} Scandium Nitride Powder. Heegermaterials, abgerufen am 21. April 2023. 
2. ↑ ^{a b} Safety Data Sheet – Scandium Nitride. LTS Research Laboratories, Inc., abgerufen am 21. April 2023. 
3. ↑ Zheng Gu, J H Edgar, J Pomeroy, M Kuball, D W Coffey: Crystal Growth and Properties of Scandium Nitride. In: Journal of Materials Science: Materials in Electronics. 15. Jahrgang, Nr. 8, August 2004, S. 555–559, doi:10.1023/B:JMSE.0000032591.54107.2c (englisch). 
4. ↑ Bidesh Biswas, Bivas Saha: Development of semiconducting ScN. In: Physical Review Materials. 3. Jahrgang, Nr. 2, 14. Februar 2019, doi:10.1103/physrevmaterials.3.020301 (englisch). 
5. ↑ Hyundoek Yang, Sungho Heo, Dongkyu Lee, Sangmoo Choi, Hyunsang Hwang: Effective Work Function of Scandium Nitride Gate Electrodes on SiO₂ and HfO₂. In: Japanese Journal of Applied Physics. 45. Jahrgang, Nr. 2, 13. Januar 2006, S. L83–L85, doi:10.1143/JJAP.45.L83 (englisch).