Cadmium Arsenide Cd3As2 | GaAs InAs Nb3As2 Featured Image

کیډیمیم ارسنایډ Cd₃As₂|GaAs InAs Nb₃As₂

تفصیل

کیډیمیم ارسنایډ Cd₃As₂5N 99.999%,خړ خړ رنګ، د 6.211g/cm کثافت سره³د خټکي نقطه 721°C، مالیکول 487.04، CAS12006-15-4، په نایټریک اسید HNO کې محلول کیږي₃ او په هوا کې ثبات، د لوړ خالص کډمیم او ارسنیک ترکیب شوی مرکب مواد دی.Cadmium Arsenide د II-V کورنۍ کې یو غیر عضوي سیمیټال دی او د نیرنسټ اغیز څرګندوي.د Cadmium Arsenide کرسټال د برجمن ودې میتود لخوا کرل شوی، غیر پرت لرونکی بلک Dirac سیمیټال جوړښت، یو تخریب شوی N-type II-V سیمیک کنډکټر یا د تنګ خلا سیمیکمډکټر دی چې د لوړ کیریر حرکت ، ټیټ مؤثره ډله ، او خورا غیر پارابولیک جریان لري بانډکیډیمیم ارسنایډ Cd₃As₂یا CdAs یو کریسټالین جامد دی او په سیمیکمډکټر او د عکس آپټیک ډګر کې ډیر او ډیر غوښتنلیک موندلی لکه د نیرنسټ اغیزې په کارولو سره انفراریډ کشف کونکو کې ، د پتلي فلم متحرک فشار سینسرونو کې ، لیزر ، د سپکو خپریدو ډیایډس LED ، کوانټم نقطې ، د مقناطیسوسیستورونو او په فوتوډیټیکټرونو کې جوړ کړئ.د Arsenide GaAs، Indium Arsenide InAs او Niobium Arsenide NbAs یا Nb د ارسنایډ مرکبات₅As₃د الیکټرولیټ موادو، سیمیکمډکټر موادو، QLED نندارې، IC فیلډ او نورو موادو برخو په توګه نور غوښتنلیک ومومئ.

تحویلي

کیډیمیم ارسنایډ Cd₃As₂او Gallium Arsenide GaAs، Indium Arsenide InAs او Niobium Arsenide NbAs یا Nb₅As₃په ویسټرن مین میټلز (SC) کارپوریشن کې د 99.99٪ 4N او 99.999٪ 5N پاکوالي سره د پولی کریسټالین مایکرو پاوډر -60mesh ، -80mesh ، نانو پارټیکل ، لوټ 1-20mm ، ګرانول 1-6mm ، ټوټه ، خالي ، بلک کریسټال او داسې نور. ، یا د مناسب حل ته رسیدو لپاره د دودیز توضیحاتو په توګه.

اوس پوښتنه وکړئ

جزیات

ټګونه

تخنیکي مشخصات

ارسنایډ مرکبات

ارسنایډ مرکبات په عمده توګه د فلزي عناصرو او فلزي مرکباتو ته مراجعه وکړئ، کوم چې د سټوچیومیټریک جوړښت په یو ټاکلي حد کې بدلوي ترڅو د مرکب پر بنسټ کلک محلول جوړ کړي.د فلزي او سیرامیک تر منځ د انټر فلزیک مرکب د غوره ملکیتونو څخه دی، او د نوي ساختماني موادو یوه مهمه څانګه ده.د Gallium Arsenide GaAs سربیره، Indium Arsenide InAs او Niobium Arsenide NbAs یا Nb₅As₃همدارنګه د پوډر، دانه، لوند، بار، کرسټال او سبسټریټ په بڼه هم ترکیب کیدی شي.

نه.	توکي	معیاري مشخصات
نه.	توکي	پاکوالی	ناپاکۍ PPM هر یو	اندازه
1	کیډیمیم آرسینایډ₃As₂	5N	Ag/Cu/Ca/Mg/Sn/Fe/Cr/Bi 0.5, Ni/S 0.2, Zn/Pb 1.0	-60mesh -80mesh پوډر، 1-20mm لوله، 1-6mm دانه
2	Gallium Arsenide GaAs	5N 6N 7N	د GaAs ترکیب د غوښتنې پراساس شتون لري
3	Niobium Arsenide NbAs	3N5	د NbAs ترکیب د غوښتنې پراساس شتون لري
4	انډیم ارسنایډ InAs	5N 6N	InAs ترکیب د غوښتنې پراساس شتون لري
5	بسته بندي	500 ګرامه یا 1000 ګرامه په پولیتیلین بوتل یا مرکب کڅوړه کې ، بهر د کارتن بکس

ګیلیم ارسنایډ

ګیلیم ارسنایډ GaAs د III-V مرکب مستقیم-ګاپ سیمیکمډکټر مواد د زنک بلینډ کرسټال جوړښت سره، د لوړ پاکوالی ګیلیم او ارسینیک عناصرو لخوا ترکیب شوی، او د عمودی ګریډینټ فریز (VGF) میتود په واسطه کرل شوي واحد کرسټالین انګوټ څخه ټوټه او ټوټه کیدی شي. .د دې د سینګار کولو تالار خوځښت او د لوړ ځواک او تودوخې ثبات څخه مننه ، د RF برخې ، مایکروویو ICs او LED وسیلې د دې لخوا رامینځته شوي ټول د دوی د لوړې فریکونسۍ مخابراتي صحنو کې عالي فعالیت ترلاسه کوي.په ورته وخت کې ، د دې د UV ر lightا لیږد وړتیا هم اجازه ورکوي چې دا د فوتوولټیک صنعت کې ثابت لومړني توکي وي.په ویسټرن مین میټلز (SC) کارپوریشن کې Gallium Arsenide GaAs ویفر د 6N 7N پاکوالي سره تر 6" یا 150mm قطر پورې تحویل کیدی شي ، او د ګیلیم ارسنایډ میخانیکي درجې سبسټریټ هم شتون لري. د 99.999٪ 5N، 99.9999٪ 6N، 99.99999٪ 7N د ویسټرن منیټلز (SC) کارپوریشن څخه چمتو شوي هم شتون لري یا د غوښتنې پراساس د دودیز توضیحاتو په توګه شتون لري.

انډیم ارسنایډ

انډیم ارسنایډ InAs یو مستقیم-بند-ګاپ سیمیکمډکټر چې د زنک-بلینډ په جوړښت کې کریسټالیز کوي، د لوړ پاکوالي انډیم او ارسنیک عناصرو په واسطه مرکب چې د مایع انکاپسولټ سیزوکرالسکي (LEC) میتود لخوا کرل کیږي، کیدای شي ټوټه شي او د واحد کریسټالین انګوټ څخه په ویفر کې جوړ شي.د ټیټ تخریب کثافت مګر ثابت جال له امله، InAs یو مثالی سبسټریټ دی چې د متفاوت InAsSb، InAsPSb او InNAsSb جوړښتونو، یا AlGaSb سوپرلاټیس جوړښت نور ملاتړ کوي.له همدې امله، دا د 2-14 μm څپې رینج انفراریډ ایمیټینګ وسیلو په جوړولو کې مهم رول لوبوي.برسېره پردې، د عالي تالار خوځښت مګر د InAs تنګ انرژي بندګاپ دا اجازه ورکوي چې د هال اجزاو یا نورو لیزر او وړانګو وسیلو تولید لپاره عالي سبسټریټ شي.Indium Arsenide InAs په ویسټرن منمیټلز (SC) کارپوریشن کې د 99.99% 4N ، 99.999% 5N ، 99.9999% 6N د 2" 3" 4" قطر په سبسټریټ کې تحویل کیدی شي. ) کارپوریشن هم شتون لري یا د غوښتنې پراساس د دودیز مشخصاتو په توګه.

Niobium Arsenide

Niobium Arsenide Nb₅As₃ or NbAs,غیر سپین یا خړ کریسټالین جامد، CAS نمبر 12255-08-2، د فورمول وزن 653.327 Nb₅As₃او 167.828 NbAs، د Niobium او Arsenic یو بائنری مرکب دی چې د NbAs, Nb5As3, NbAs4 ... او داسې نورو ترکیبونو سره د CVD میتود لخوا ترکیب شوی، دا جامد مالګې خورا لوړ جال انرژي لري او د ارسنیک د طبیعي زهرجنیت له امله زهرجن دي.د لوړې تودوخې تودوخې تحلیل ښیي چې NdAs د تودوخې په وخت کې د ارسنیک بې ثباتۍ ښودلې. Niobium Arsenide، Weyl semimetal، د سیمی کنډکټر او فوتو الیکټریک موادو یو ډول دی چې د سیمی کنډکټر، عکس آپټیک، لیزر رڼا جذبونکي ډایډونو، کوانټم نقطو، نظری او فشار سینسرونو، د منځګړیتوبونو په توګه، او د سوپر کنډکټر جوړولو لپاره کارول کیږي. Niobium Arsenide Nb.₅As₃یا NbAs په ویسټرن مین میټلز (SC) کارپوریشن کې د 99.99٪ 4N پاکوالي سره د پوډر ، ګرانول ، لومپ ، هدف او بلک کرسټال وغيره په شکل یا د دودیز مشخصاتو په توګه تحویل کیدی شي ، کوم چې باید په ښه تړل شوي ، د ر lightا مقاومت لرونکي کې وساتل شي. ، وچ او یخ ځای.