Nothing Special   »   [go: up one dir, main page]

CERN Accelerating science

Αρχική Σελίδα > Αποτελέσματα αναζήτησης: Semendyaev, I.
Παραδείγματα αναζήτησης
Σύνθετη Αναζήτηση
Add to Search +
Αναζήτηση συλλογές:
Ταξινόμηση με: Παρουσίαση αποτελεσμάτων: Μορφή αποτελεσμάτων:
CERN Document Server 3 εγγραφές βρέθηκαν  Η έρευνα πήρε 1.00 δευτερόλεπτα. 
1.
Testbeam results of irradiated SiGe BiCMOS monolithic silicon pixel detector without internal gain layer / Moretti, T. (Geneva U.) ; Milanesio, M. (Geneva U.) ; Cardella, R. (Geneva U.) ; Kugathasan, T. (Geneva U.) ; Picardi, A. (Geneva U. ; CERN) ; Semendyaev, I. (Geneva U.) ; Elviretti, M. (IHP, Frankfurt) ; Rücker, H. (IHP, Frankfurt) ; Nakamura, K. (KEK, Tsukuba) ; Takubo, Y. (KEK, Tsukuba) et al.
Samples of the monolithic silicon pixel ASIC prototype produced in 2022 within the framework of the Horizon 2020 MONOLITH ERC Advanced project were irradiated with 70 MeV protons up to a fluence of 1 x 1016 neq/cm2, and then tested using a beam of 120 GeV/c pions. The ASIC contains a matrix of 100 μ m pitch hexagonal pixels, readout out by low noise and very fast frontend electronics produced in a 130 nm SiGe BiCMOS technology process. [...]
arXiv:2404.12885.- 2024-07-29 - 15 p. - Published in : JINST 19 (2024) P07036 Fulltext: 2404.12885 - PDF; Publication - PDF;
Αναλυτική εγγραφή - Παρόμοιες εγγραφές
2.
Time resolution of a SiGe BiCMOS monolithic silicon pixel detector without internal gain layer with a femtosecond laser / Milanesio, M. (Geneva U.) ; Paolozzi, L. (Geneva U. ; CERN) ; Moretti, T. (Geneva U.) ; Latshaw, A. (Geneva U.) ; Bonacina, L. (Geneva U.) ; Cardella, R. (Geneva U.) ; Kugathasan, T. (Geneva U.) ; Picardi, A. (Geneva U. ; CERN) ; Elviretti, M. (IHP, Frankfurt) ; Rücker, H. (IHP, Frankfurt) et al.
The time resolution of the second monolithic silicon pixel prototype produced for the MONOLITH H2020 ERC Advanced project was studied using a femtosecond laser. The ASIC contains a matrix of hexagonal pixels with 100 μm pitch, readout by low-noise and very fast SiGe HBT frontend electronics. [...]
arXiv:2401.01229.- 2024-04-24 - 11 p. - Published in : JINST 19 (2024) P04029 Fulltext: 2401.01229 - PDF; Publication - PDF;
Αναλυτική εγγραφή - Παρόμοιες εγγραφές
3.
Radiation tolerance of SiGe BiCMOS monolithic silicon pixel detectors without internal gain layer / Milanesio, M. (Geneva U.) ; Paolozzi, L. (Geneva U. ; CERN) ; Moretti, T. (Geneva U.) ; Cardella, R. (Geneva U.) ; Kugathasan, T. (Geneva U.) ; Martinelli, F. (Geneva U.) ; Picardi, A. (Geneva U. ; CERN) ; Semendyaev, I. (Geneva U.) ; Zambito, S. (Geneva U.) ; Nakamura, K. (KEK, Tsukuba) et al.
A monolithic silicon pixel prototype produced for the MONOLITH ERC Advanced project was irradiated with 70 MeV protons up to a fluence of 1 x 10^16 1 MeV n_eq/cm^2. The ASIC contains a matrix of hexagonal pixels with 100 μm pitch, readout by low-noise and very fast SiGe HBT frontend electronics. [...]
arXiv:2310.19398.- 2024-01-15 - 13 p. - Published in : JINST 19 (2024) P01014 Fulltext: 2310.19398 - PDF; publication - PDF;
Αναλυτική εγγραφή - Παρόμοιες εγγραφές

Ενδιαφέρεστε να ενημερώνεστε για νέα αποτελέσματα σχετικά με το ερώτημα αυτό;
Δημιουργήστε ένα προσωπικό email alert ή εγγραφείτε στο RSS feed.
Δεν βρήκατε αυτό που αναζητούσατε; Δοκιμάστε την έρευνά σας σε άλλους servers:
Semendyaev, I. σε Amazon
Semendyaev, I. σε CERN EDMS
Semendyaev, I. σε CERN Intranet
Semendyaev, I. σε CiteSeer
Semendyaev, I. σε Google Books
Semendyaev, I. σε Google Scholar
Semendyaev, I. σε Google Web
Semendyaev, I. σε IEC		Semendyaev, I. σε IHS
Semendyaev, I. σε INSPIRE
Semendyaev, I. σε ISO
Semendyaev, I. σε KISS Books/Journals
Semendyaev, I. σε KISS Preprints
Semendyaev, I. σε NEBIS
Semendyaev, I. σε SLAC Library Catalog
Semendyaev, I. σε Scirus