Studying C–V Characteristics of MIS Structures with PE-ALD Al2O3 on HgCdTe Oxidized in Remote RF-Plasma
ER Zakirov, VG Kesler… - 2023 IEEE XVI …, 2023 - ieeexplore.ieee.org
Metal–insulator–semiconductor (MIS) structures have been made on narrowband n-and p-
Hg 1− x Cd x Te (x≈ 0.22) preliminary chemically cleaned and then oxidized in remote …
Hg 1− x Cd x Te (x≈ 0.22) preliminary chemically cleaned and then oxidized in remote …
[PDF][PDF] 近化学计量比的 HgCdTe 薄膜表面处理方法
王嘉龙， 刘艳珍， 杨晓坤， 黄福云， 杨超伟， 李雄军 - 红外技术, 2024 - researching.cn
本文采用X 射线光电子能谱检测技术分别对溴-甲醇(Br2: Me), 溴-氢溴酸(Br2: HBr) 和溴-氢溴酸-
乙二醇(Br2: HBr: Eg) 3 种体系的腐蚀液处理后的HgCdTe 表面状态进行了研究, 结果表明这3 …
乙二醇(Br2: HBr: Eg) 3 种体系的腐蚀液处理后的HgCdTe 表面状态进行了研究, 结果表明这3 …