Robert H. Dennard

Robert H. Dennard

Data i miejsce urodzenia	5 września 1932 Terrell
Data i miejsce śmierci	23 kwietnia 2024 Sleepy Hollow
doktor
Alma Mater	Southern Methodist University
Doktorat	1958
inżynier w IBM

Robert H. Dennard (ur. 5 września 1932 w Terrell, zm. 23 kwietnia 2024 w Sleepy Hollow) – amerykański inżynier, twórca pamięci DRAM.

Urodził się 5 września 1932 r. w Terrell jako najmłodszy z czwórki dzieci Buforda i Lomy Dennardów. Jego rodzina przeniosła się, gdy miał cztery lata, wobec czego naukę rozpoczął w jednoizbowej szkole w Carthage^[1]. Wychował się na farmie bez prądu^[2]. Z czasem rodzina przeniosła się za pracą ojca do Irving. W młodości interesował się sztuką, czytał powieści H.G. Wellsa i poezję Ogdena Nasha i słuchał operetek Sigmunda Romberga. Jako uczeń wykazywał talent do matematyki i ojczystego języka angielskiego^[1]. Dzięki talentowi do gry na waltorni otrzymał stypendium^[2] od rektora Southern Methodist University, które pozwoliło mu podjąć studia elektroniczne^[2]. Tam w 1954 r. uzyskał licencjat, a dwa lata później magisterium. W Carnegie Institute of Technology uzyskał zaś stopień doktora^[3].

Po uzyskaniu doktoratu podjął w 1958 r. pracę^[3] jako członek zespołu badawczego w IBM. W związku z dużym rozmiarem i wymaganiami energetycznymi istniejącej pamięci RAM z rdzeniem magnetycznym, Dennard wraz z zespołem mikroelektroników opracował w 1964 r. nowy rodzaj pamięci komputerowej, który wymagał sześciu tranzystorów do przechowywania jednego bitu informacji. Projekt ten uznano za zbyt skomplikowany i powolny, więc Dennard zaczął pracę na systemem, w którym mógłby przechowywać bit informacji w jednym tranzystorze, co doprowadziło^[2] w 1966 r.^[4] do opracowania dynamicznej pamięci o dostępie swobodnym (DRAM)^[2], która przechowuje informację w formie ładunku elektrycznego, który z czasem zanika, wobec czego musi być odnawiana^[1]. W 1968 r. uzyskał patent na tę technologię^[3], a łącznie był posiadaczem ok. 75 patentów^[1]. W IBM pracował do 2014 r., gdy przeszedł na emeryturę^[1].

Nowy typ pamięci wydatnie zwiększył możliwości przetwarzania danych i obniżył koszt tych operacji^[4]. Badania Dennarda doprowadziły również do sformułowania teorii opartej na prawie Moore’a, która przewidywała postęp w dziedzinie półprzewodników, zgodnie z założeniem, że wydajność każdego wata wzrasta w przybliżeniu w tym samym tempie, zatem w miarę zmniejszania się rozmiarów tranzystorów wymagają one również mniejszej mocy^[2].

Wyróżniony przez prezydenta Ronalda Reagana Narodowym Medalem Technologii (1988 r.)^[3], Medalem Honorowym Institute of Electrical and Electronics Engineers (2009 r.), nagrodą Stowarzyszenia Przemysłu Półprzewodników im. Roberta N. Noyce’a^[2], nagrodą National Academy of Engineering's Charles Stark Draper Prize, tytułem IBM fellow (1979 r.), członkostwem w U.S. National Academy of Engineering (1984 r.), członkostwem w U.S. National Inventors Hall of Fame (1997 r.), Kyoto Prize (2013) i Lemelson-MIT Lifetime Achievement Award (1988 r.)^[3].

Żonaty trzykrotnie^[1], miał dwie córki, Amy i Holly^[2] oraz syna Roberta Jr.

Zmarł 23 kwietnia 2024 r.^[2] w Sleepy Hollow^[4] z powodu infekcji bakteryjnej^[1].