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WO2016125683A1 - 粘着シートおよび半導体装置の製造方法 - Google Patents

粘着シートおよび半導体装置の製造方法 Download PDF

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Publication number
WO2016125683A1
WO2016125683A1 PCT/JP2016/052520 JP2016052520W WO2016125683A1 WO 2016125683 A1 WO2016125683 A1 WO 2016125683A1 JP 2016052520 W JP2016052520 W JP 2016052520W WO 2016125683 A1 WO2016125683 A1 WO 2016125683A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
region
pressure
sensitive adhesive
adhesive sheet
semiconductor chips
Prior art date
Application number
PCT/JP2016/052520
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
明徳 佐藤
泰史 藤本
岡本　直也
忠知 山田
利彰 毛受
仁彦 河崎
Original Assignee
リンテック株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by リンテック株式会社 filed Critical リンテック株式会社
Priority to JP2016573317A priority Critical patent/JP6669674B2/ja
Publication of WO2016125683A1 publication Critical patent/WO2016125683A1/ja

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    • C09J7/00—Adhesives in the form of films or foils
    • C09J7/10—Adhesives in the form of films or foils without carriers
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09J—ADHESIVES; NON-MECHANICAL ASPECTS OF ADHESIVE PROCESSES IN GENERAL; ADHESIVE PROCESSES NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE; USE OF MATERIALS AS ADHESIVES
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    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
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    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/12105—Bump connectors formed on an encapsulation of the semiconductor or solid-state body, e.g. bumps on chip-scale packages

Definitions

  • the present invention relates to an adhesive sheet and a method for manufacturing a semiconductor device.
  • a semiconductor chip may be mounted in a package close to its size. Such a package may be referred to as a chip scale package (CSP).
  • CSP chip scale package
  • WLP wafer level package
  • WLP wafer level package
  • WLP fan-in type and a fan-out type.
  • a semiconductor chip sealing body is formed by covering a semiconductor chip with a sealing member so as to be an area larger than the chip size.
  • the rewiring layer and the external electrode are formed not only on the circuit surface of the semiconductor chip but also on the surface region of the sealing member.
  • an extended wafer is formed by enclosing a plurality of semiconductor chips separated from a semiconductor wafer, leaving a circuit formation surface thereof, and surrounding with a mold member, in a region outside the semiconductor chip.
  • a method for manufacturing a semiconductor package formed by extending a rewiring pattern is described.
  • the semiconductor chip before enclosing a plurality of individual semiconductor chips with a mold member, the semiconductor chip is replaced with an expandable wafer mount tape, and the wafer mount tape is spread to expand the plurality of semiconductor chips. The distance between them is expanding.
  • An object of the present invention is to provide a pressure-sensitive adhesive sheet in which a desired region is easily extended when the sheet is held and stretched, and to provide a method for manufacturing a semiconductor device using the pressure-sensitive adhesive sheet.
  • a first region to which an adherend is attached and a second region provided on an outer periphery of the first region are provided, and the first region is pulled.
  • An adhesive sheet having an elastic modulus smaller than the tensile elastic modulus of the second region can be provided.
  • the second region provided on the outer periphery of the first region is gripped with a gripping member or the like and extended.
  • the tensile elastic modulus of the first region is smaller than the tensile elastic modulus of the second region.
  • the extension of the second region is smaller than the extension of the first region. Therefore, according to one aspect of the present invention, it is possible to provide a pressure-sensitive adhesive sheet in which the first region, which is a desired region, easily extends when the second region of the pressure-sensitive adhesive sheet is grasped and stretched.
  • 1 aspect of this invention has a base film and the adhesive layer laminated
  • the said adherend is a several semiconductor chip, Said 1st area
  • the desired region i.e., the first region to which the plurality of semiconductor chips are attached is easily extended.
  • the interval between the plurality of semiconductor chips can be greatly increased.
  • the second region is separated with the notches formed at the four corners as boundaries. For this reason, the second region can be stretched by grasping each separated portion, and is easily extended in at least one of the first direction and the second direction. Therefore, when the adhesive sheet is stretched in at least one of the first direction and the second direction, the second region is separated into a plurality of parts with the cuts at the four corners as boundaries, so the first region is more It becomes easy to extend. Furthermore, even if the stretching is performed in both the first direction and the second direction, the force and the second direction that are stretched in the first direction in each portion separated by the four corner incisions of the second region as boundaries. The force to stretch is not synthesized.
  • the pressure-sensitive adhesive sheet having a substantially rectangular shape is not limited to a strict rectangular shape.
  • the substantially rectangular shape is not limited to a square or a rectangular shape, and may be a shape with rounded corners or a shape with a part of the corners cut off.
  • the second region of the pressure-sensitive adhesive sheet is gripped by a gripping member or the like, and the pressure-sensitive adhesive sheet is stretched along at least one of the first direction and the second direction orthogonal to the first direction.
  • the substantially rectangular second region is divided into four parts by incisions at four corners, and further divided into a plurality of parts by incisions formed on each side of the four parts, in the expanding process, Grasp the parts individually and stretch them with the force toward the outside of the sheet.
  • the second region is further divided into a plurality of portions with the cuts formed on the four sides as a boundary.
  • the second region can be stretched by grasping each separated portion, and is easily extended in at least one of the first direction and the second direction. Therefore, when the pressure-sensitive adhesive sheet is stretched in at least one of the first direction and the second direction, the second region is separated into a plurality of parts with the cuts on the four sides as boundaries, so the first region is more It becomes easy to extend.
  • each side of the second region is also separated by cutting, it is easy to adjust the extending force according to the position of each side.
  • the stretching force can be adjusted according to the extent of extension of the first region, such as weakening the stretching force at the center of the side and increasing the stretching force at the end of the side.
  • the first region is formed in a substantially rectangular shape and the second region is formed in a substantially circular shape in a plan view of the pressure-sensitive adhesive sheet.
  • the first region is formed in a substantially rectangular shape
  • the second region is formed in a substantially circular shape.
  • the pressure-sensitive adhesive sheet having the above-mentioned shape is suitable for use in an expanding process using, for example, an annular ring frame and a separation device provided with a substantially rectangular separation table. Specifically, first, the substantially circular second region of the adhesive sheet is held by an annular ring frame. Next, a planar separation table having a support surface substantially the same shape as the first region is passed through the inside of the ring frame.
  • the substantially rectangular first region exposed inside the ring frame is pushed up to the separation table.
  • the first region of the pressure-sensitive adhesive sheet is expanded in a direction orthogonal to the thickness direction and toward the outside.
  • the first region having a small tensile elastic modulus is selectively extended, so that the first region is more easily extended.
  • the pressure-sensitive adhesive sheet is substantially circular, it is not limited to a strict circular shape.
  • a substantially circular shape refers to a shape including not only a perfect circle but also an ellipse.
  • a shape having a large number of corners and a relatively short length of each side is also included in the substantially circular shape.
  • the first region and the support surface of the separation table have substantially the same shape, it means that the first shape and the support surface of the separation table need not be exactly the same shape. For example, as long as the outer dimension of the spacing table is larger than the region where a plurality of semiconductor chips are attached, the shape may be different.
  • the first region and the second region are partitioned by four arcs that curve toward the inside of the sheet in a plan view of the pressure-sensitive adhesive sheet.
  • the first region and the second region are partitioned by four arcs that curve toward the inside of the seat.
  • the pressure-sensitive adhesive sheet having the above-mentioned shape is suitable for use in an expanding process using, for example, an annular ring frame and a separation device provided with a substantially rectangular separation table. Specifically, first, the substantially circular second region of the adhesive sheet is held by an annular ring frame. Next, a planar separation table having a support surface substantially the same shape as the first region is passed through the inside of the ring frame.
  • the first region is pushed up by the separation table, and the first region of the pressure-sensitive adhesive sheet is expanded in the direction perpendicular to the thickness direction and toward the outside.
  • the arc that divides the first region and the second region becomes a shape close to a straight line by stretching.
  • the first region in the expanded state has a shape close to a rectangle, the intervals between the plurality of semiconductor chips can be more evenly extended.
  • WHEREIN It further has the reinforcement member stuck to the site
  • the tensile elasticity modulus of the said reinforcement member is the tensile elasticity modulus of the said base film. It is also preferable that it is larger than.
  • the reinforcing member is further provided, and the reinforcing member is attached to a portion corresponding to the second region of the pressure-sensitive adhesive layer.
  • the tensile elastic modulus of the reinforcing member is larger than the tensile elastic modulus of the base film.
  • the tensile elastic modulus of the second region is compared with the tensile elastic modulus of the first region constituted by the base film. Become bigger. As a result, it is possible to provide a pressure-sensitive adhesive sheet in which the tensile modulus of the first region is smaller than the tensile modulus of the second region.
  • region contains the energy-beam curable adhesive hardened
  • the pressure-sensitive adhesive layer in the second region contains the energy beam-curable pressure-sensitive adhesive cured by energy beam irradiation.
  • the tensile elastic modulus in the second region is larger than the tensile elastic modulus in the first region by the amount containing the cured energy beam curable adhesive.
  • the energy ray curable pressure-sensitive adhesive is cured in the pressure-sensitive adhesive layer in the region irradiated with the energy beam, the tensile elastic modulus of the irradiated region is increased, and the second region is formed.
  • the second region can be formed according to the region irradiated with the energy beam.
  • the first region and the second region can be formed according to the size and number of adherends to be adhered to the first region, the gripping range of the second region, etc. It is a highly adhesive sheet.
  • the tensile elastic modulus of the first region is preferably 30 MPa to 1000 MPa, and the tensile elastic modulus of the second region is preferably 100 MPa to 6000 MPa.
  • the tensile elastic modulus of the first region is 30 MPa or more and 1000 MPa or less, and the tensile elastic modulus of the second region is 100 MPa or more and 6000 MPa or less. If the tensile elasticity modulus of a 1st area
  • a method for manufacturing a semiconductor device can be provided. In the method for manufacturing a semiconductor device according to one embodiment of the present invention, the above-described pressure-sensitive adhesive sheet according to one embodiment of the present invention is used.
  • the adhesive sheet After forming a plurality of semiconductor chips by dicing the wafer attached to the first region of the adhesive sheet by dicing, the adhesive sheet is stretched while holding the second region, thereby The interval can be greatly expanded.
  • a plurality of semiconductor chips formed by dicing are picked up, and a plurality of steps are performed without increasing the interval and rearranging the chips on the support member.
  • the distance between the semiconductor chips can be greatly increased. Therefore, the above-described pressure-sensitive adhesive sheet according to one embodiment of the present invention is excellent in compatibility with the manufacturing process of WLP, and particularly excellent in compatibility with the manufacturing process of a fan-out type wafer level package.
  • the wafer bonded to the first pressure-sensitive adhesive sheet is separated into pieces by dicing to form a plurality of semiconductor chips, and the plurality of semiconductor chips are combined with the pressure-sensitive adhesive sheet of the present invention.
  • the above-described pressure-sensitive adhesive sheet according to one embodiment of the present invention is used.
  • a plurality of semiconductor chips formed by dicing on the first pressure-sensitive adhesive sheet are transferred to the first area of the pressure-sensitive adhesive sheet of the present invention, and after peeling off the first pressure-sensitive adhesive sheet, the pressure-sensitive adhesive sheet holds the second area. By extending the length, it is possible to greatly increase the interval between the plurality of semiconductor chips.
  • the method further includes a step of extending the pressure-sensitive adhesive sheet and expanding a space between the plurality of semiconductor chips, and then covering the circuit surfaces of the plurality of semiconductor chips with a sealing member.
  • a sealing member it is possible to cover the plurality of semiconductor chips with the sealing member after greatly increasing the interval between the plurality of semiconductor chips.
  • the separated semiconductor chips can be covered with the sealing member one by one without being rearranged from the adhesive sheet to another adhesive sheet or support by pick and place. it can. Therefore, according to this aspect, the steps of the WLP manufacturing process can be simplified.
  • the figure explaining the adhesive sheet which concerns on 1st embodiment. Sectional drawing explaining the manufacturing method of the adhesive sheet which concerns on 2nd embodiment.
  • the figure explaining the adhesive sheet which concerns on 4th embodiment. The side view of the separation apparatus which concerns on 4th embodiment.
  • Sectional drawing explaining the manufacturing method of the semiconductor device which concerns on 6th embodiment Sectional drawing explaining the manufacturing method of the semiconductor device which concerns on 6th embodiment.
  • Sectional drawing explaining the manufacturing method of the semiconductor device which concerns on 6th embodiment. Sectional drawing explaining the manufacturing method of the semiconductor device which concerns on 6th embodiment.
  • Sectional drawing explaining the manufacturing method of the semiconductor device which concerns on 6th embodiment Sectional drawing explaining the manufacturing method of the semiconductor device which concerns on 6th embodiment. Sectional drawing explaining the manufacturing method of the semiconductor device which concerns on 6th embodiment. Sectional drawing explaining the manufacturing method of the semiconductor device which concerns on 6th embodiment. Sectional drawing explaining the manufacturing method of the semiconductor device which concerns on 6th embodiment. Sectional drawing explaining the manufacturing method of the semiconductor device which concerns on 6th embodiment. Sectional drawing explaining the manufacturing method of the semiconductor device which concerns on 6th embodiment. Sectional drawing explaining the manufacturing method of the semiconductor device which concerns on 6th embodiment. Sectional drawing explaining the manufacturing method of the semiconductor device which concerns on 7th embodiment. Sectional drawing explaining the manufacturing method of the semiconductor device which concerns on 7th embodiment. Sectional drawing explaining the manufacturing method of the semiconductor device which concerns on 7th embodiment. Sectional drawing explaining the manufacturing method of the semiconductor device which concerns on 7th embodiment. Sectional drawing explaining the manufacturing method of the semiconductor device which concerns on 7th embodiment. Sectional drawing explaining the manufacturing method of the semiconductor device which concerns on 7th embodiment. Sectional drawing
  • FIG. 1A shows a plan view of the pressure-sensitive adhesive sheet 10 according to the present embodiment
  • FIG. 1B shows a cross-sectional view of the pressure-sensitive adhesive sheet 10.
  • the pressure-sensitive adhesive sheet 10 of this embodiment includes a first region 11 and a second region 12 provided on the outer periphery of the first region 11.
  • a semiconductor chip CP is attached to the first region 11 as an adherend.
  • the first region 11 and the second region 12 are each formed in a substantially rectangular shape in plan view. It can be said that the shape of the pressure-sensitive adhesive sheet 10 in plan view is such that a frame-shaped second region 12 is provided on the outer peripheral side of the substantially rectangular first region 11 provided in the center of the sheet.
  • the pressure-sensitive adhesive sheet 10 includes a base film 13 and a pressure-sensitive adhesive layer 14.
  • the pressure-sensitive adhesive layer 14 is laminated on the base film 13.
  • the semiconductor chip CP is attached to the adhesive layer 14 in the first region 11.
  • a reinforcing member 15 is attached to a position corresponding to the second region 12 of the pressure-sensitive adhesive layer 14.
  • the pressure-sensitive adhesive layer 14 is shown separately as a pressure-sensitive adhesive layer 14 ⁇ / b> A in the first region 11 and a pressure-sensitive adhesive layer 14 ⁇ / b> B in the second region 12.
  • the material of the base film 13 is not particularly limited.
  • Examples of the material of the base film 13 include polyvinyl chloride resin, polyester resin (polyethylene terephthalate, etc.), acrylic resin, polycarbonate resin, polyethylene resin, polypropylene resin, acrylonitrile / butadiene / styrene resin, polyimide resin, polyurethane resin, and Examples include polystyrene resin.
  • the tensile elastic modulus of the base film 13 is preferably 30 MPa or more and 1000 MPa or less. In addition, the tensile elasticity modulus in this specification is measured using a tensile tester based on JIS K7161 and JIS K7127.
  • the pressure-sensitive adhesive contained in the pressure-sensitive adhesive layer 14 is not particularly limited and can be widely applied.
  • Examples of the pressure-sensitive adhesive contained in the pressure-sensitive adhesive layer 14 include rubber-based, acrylic-based, silicone-based, polyester-based, and urethane-based materials.
  • the kind of adhesive is selected in consideration of the use, the kind of adherend to be attached, and the like.
  • the material of the reinforcing member 15 is not particularly limited as long as it is larger than the tensile elastic modulus of the base film 13.
  • Examples of the material of the reinforcing member 15 include polyvinyl chloride resin, polyester resin (polyethylene terephthalate, etc.), acrylic resin, polycarbonate resin, polyethylene resin, polypropylene resin, acrylonitrile / butadiene / styrene resin, polyimide resin, polyurethane resin, and polystyrene. Resin etc. are mentioned.
  • the tensile elastic modulus of the reinforcing member 15 is preferably 100 MPa or more and 6000 MPa or less.
  • the tensile elastic modulus of the first region 11 is smaller than the tensile elastic modulus of the second region 12.
  • the reinforcing elastic member 15 is attached to a position corresponding to the second region 12 of the pressure-sensitive adhesive layer 14, whereby the tensile elastic modulus and the second region of the first region 11 described above. A relationship with a tensile modulus of 12 is achieved.
  • the tensile modulus of the first region 11 is preferably 30 MPa or more and 1000 MPa or less.
  • the tensile elastic modulus of the first region 11 is more preferably 60 MPa or more and 600 MPa or less, and further preferably 80 MPa or more and 450 MPa or less.
  • the tensile elastic modulus of the second region 12 is preferably 100 MPa or more and 6000 MPa or less.
  • the tensile elastic modulus of the second region 12 is more preferably 450 MPa or more and 4500 MPa or less, and further preferably 120 MPa or more and 1200 MPa or less.
  • the first region or the second region is a laminated structure
  • the tensile elastic modulus of each region is measured in the laminated state.
  • the tensile elastic modulus of the second region 12 of the pressure-sensitive adhesive sheet 10 of the present embodiment is a value measured in a laminated state of the base film 13, the pressure-sensitive adhesive layer 14, and the reinforcing member 15.
  • the manufacturing method of the adhesive sheet 10 is not particularly limited.
  • the adhesive sheet 10 is manufactured through the following processes. First, an adhesive is applied on the first surface 13A of the base film 13 to form a coating film. Next, this coating film is dried to form the pressure-sensitive adhesive layer 14. And the reinforcement member 15 larger than the tensile elasticity modulus of the base film 13 is stuck on the site
  • the second region 12 provided on the outer periphery than the first region 11 is gripped with a gripping member or the like and extended.
  • the tensile elastic modulus of the first region 11 is smaller than the tensile elastic modulus of the second region 12.
  • the extension of the second region 12 becomes smaller than the extension of the first region 11. Therefore, according to this embodiment, when the second region of the pressure-sensitive adhesive sheet is grasped and stretched, the pressure-sensitive adhesive sheet 10 in which the first region, which is a desired region, can easily extend can be provided.
  • a plurality of semiconductor chips CP can be attached to the pressure-sensitive adhesive layer 14 at a site corresponding to the first region 11.
  • the reinforcing member 15 is affixed on the site
  • the tensile elastic modulus of the reinforcing member 15 is larger than the tensile elastic modulus of the base film 13.
  • the tensile elastic modulus of the second region 12 is that of the first region 11 formed of the base film 13. Larger than the tensile modulus.
  • the pressure-sensitive adhesive sheet 10 in which the tensile elastic modulus of the first region 11 is smaller than the tensile elastic modulus of the second region 12 can be provided.
  • the tensile elastic modulus of the first region 11 is 30 MPa or more and 1000 MPa or less
  • the tensile elastic modulus of the second region 12 is 100 MPa or more and 6000 MPa or less. If the tensile elasticity modulus of the 1st area
  • the manufacturing method of 10 A of adhesive sheets of this embodiment is manufactured through the following processes. First, an energy ray-curable pressure-sensitive adhesive is applied on the first surface 13A of the base film 13 shown in FIG. 2 to form a coating film. Next, this coating film is dried to form the pressure-sensitive adhesive layer 14. And the energy beam is irradiated to the site
  • regions is obtained.
  • the energy beam curable adhesive according to the present embodiment is not particularly limited. What is necessary is just to select an energy ray hardening-type adhesive suitably according to the performance which should be provided to the hardening area
  • an energy ray has an energy quantum in an electromagnetic wave or a charged particle beam. Examples of energy rays include ultraviolet rays and electron beams. Among energy rays, ultraviolet rays that are easy to handle are more preferable.
  • the energy ray curable pressure sensitive adhesive examples include a pressure sensitive adhesive in which a polyfunctional energy ray curable resin is mixed with an acrylic pressure sensitive adhesive.
  • the polyfunctional energy ray curable resin examples include low molecular compounds having a plurality of energy ray polymerizable functional groups, and examples thereof include urethane acrylate oligomers.
  • the adhesive containing the (meth) acrylic acid ester copolymer which has an energy-beam polymerizable functional group in a side chain can also be used.
  • Such an energy ray polymerizable functional group is preferably a (meth) acryloyl group.
  • “(meth) acrylic ester copolymer” is a notation used to represent at least one of “acrylic ester copolymer” and “methacrylic ester copolymer”. The same applies to other similar terms.
  • the adhesive layer 14 may contain various additives.
  • the additive include a polymerization initiator, a silane coupling agent, an antistatic agent, a tackifier, an antioxidant, an ultraviolet absorber, a light stabilizer, a softening agent, a filler, and a refractive index adjusting agent. It is done.
  • the kind of additive is selected in consideration of the use, the kind of adherend to be attached, and the like.
  • the pressure-sensitive adhesive layer 14B in the second region 12A contains the energy beam-curable pressure-sensitive adhesive cured by energy beam irradiation.
  • the tensile elastic modulus in the second region 12A is larger than the tensile elastic modulus in the first region 11A by the amount containing the cured energy beam curable adhesive.
  • the energy ray curable adhesive is cured in the adhesive layer 14B in the region irradiated with the energy rays, the tensile elastic modulus of the irradiated region is increased, and the second region 12A is formed.
  • the second region 12A can be formed in accordance with the region irradiated with the energy beam.
  • the first region 11A and the second region 12A can be formed according to the size and number of adherends to be adhered to the first region 11A, the gripping range of the second region 12A, and the like.
  • the form of the pressure-sensitive adhesive sheet 10A is a pressure-sensitive adhesive sheet having a high degree of freedom of applicable processes.
  • FIG. 3 shows a plan view of the pressure-sensitive adhesive sheet 10B according to this embodiment.
  • the first region 11B and the second region 12B are each formed in a substantially rectangular shape in plan view. It can be said that the shape of the adhesive sheet 10B in a plan view is such that a frame-shaped second region 12B is provided on the outer peripheral side of the substantially rectangular first region 11B.
  • the pressure-sensitive adhesive sheet 10B of the present embodiment may have a configuration in which a reinforcing member is stuck on the pressure-sensitive adhesive layer shown in FIG. 1B.
  • the adhesive sheet 10B of the present embodiment is provided with cuts 16 at the four corners of the second region 12B.
  • the cuts 16 formed at the four corners are preferably formed on a straight line connecting the vertex 121 of the second region 12B and the vertex 111 of the first region 11B closest to the vertex 121.
  • the other notches 16 formed at the four corners also have vertices on a straight line connecting the other vertex 122 of the second region 12B and the other vertex 112 of the first region 11B closest to the vertex 122.
  • the depth of the cut 16 formed at the four corners is formed so as to reach from the surface layer of the pressure-sensitive adhesive layer to the back surface of the base film. If the second region 12B can be separated from the notch 16 in the expanding step, the notch 16 is not necessarily formed from the surface layer of the pressure-sensitive adhesive layer to the depth reaching the back surface of the base film. There is no need to be.
  • adhesive sheet 10B it is preferable that the 2nd area
  • one or two or more cuts 17 are provided on the four sides of the second region 12B.
  • the cuts 17 formed on the four sides reach the boundary between the first region 11B and the second region 12B from the outer periphery of the second region 12B in a direction perpendicular to the length direction of the side to be cut. It is preferable to be formed.
  • the cuts 17 formed on the four sides are preferably formed at equal intervals on the side to be cut.
  • the depth of the cut 17 formed on the four sides is formed so as to reach the back surface of the base film from the surface layer of the pressure-sensitive adhesive layer.
  • the notch 17 is not necessarily formed from the surface layer of the pressure-sensitive adhesive layer to the depth reaching the back surface of the base film. There is no need to be.
  • adhesive sheet 10B it is preferable that the 2nd area
  • three cuts 17 are shown on each side of the four sides of the second region 12B. However, one cut 17 may be provided on each side, or two cuts 17 may be provided. May be provided, or four or more cuts 17 may be provided.
  • the notches 16 are provided at the four corners of the second region 12B.
  • the 1 or 2 or more cut 17 is provided in the four sides of the 2nd area
  • the second region 12B of the pressure-sensitive adhesive sheet 10B is gripped by a gripping member or the like, and the pressure-sensitive adhesive sheet 10B is placed in at least one of the first direction M1 and the second direction M2 orthogonal to the first direction M1. Stretch along.
  • the substantially rectangular second region 12B is divided into four parts by the cuts 16 at the four corners, and further divided into a plurality of parts by the cuts 17 formed on each side of the four parts.
  • each part is individually gripped and stretched with a force toward the outside of the sheet.
  • the second region 12B is separated with the notches 16 formed at the four corners as boundaries. Further, the second region 12B is separated with the cuts 17 formed on the four sides as boundaries.
  • the adhesive sheet 10B is stretched in at least one of the first direction M1 and the second direction M2
  • the second region 12B is separated with the cuts 16 at the four corners and the cuts 17 at the four sides as boundaries.
  • the first region 11B becomes easier to extend.
  • the force extending in the first direction M1 and the force extending in the second direction M2 are combined in each separated portion.
  • a force that extends in the first direction or a force that extends in the second direction is applied. Therefore, it is easy to individually control the force applied to the first region 11B in the first direction M1 and the force applied to the second direction M2. Furthermore, since each side of the second region 12B is also separated by the notch 17, it is easy to adjust the extending force according to the position of each side. For example, the stretching force can be adjusted according to the extent of extension of the first region 11B, such as weakening the stretching force at the center of the side and increasing the stretching force at the end of the side.
  • FIG. 10C of the present embodiment differ in the shapes of the first region and the second region in plan view. Regarding other points, unless specifically mentioned, the pressure-sensitive adhesive sheet 10C and the pressure-sensitive adhesive sheet 10 are substantially the same.
  • the first region 11C is formed in a substantially rectangular shape and the second region 12C is formed in a substantially circular shape in plan view.
  • the pressure-sensitive adhesive sheet 10C of the present embodiment may have a configuration in which a reinforcing member is stuck on the pressure-sensitive adhesive layer shown in FIG. 1B. Moreover, it is good also as a structure containing the energy ray hardening-type adhesive hardened
  • the pressure-sensitive adhesive sheet 10 ⁇ / b> C having the above shape is suitable for use in the expanding process using the separation device 50 including the annular ring frame RF and the substantially rectangular separation table 70 shown in FIG. 5, for example.
  • a spacing device 50 shown in FIG. 5 is a device that widens the interval between a plurality of semiconductor chips CP.
  • the separation device 50 includes a support means 60, a separation table 70, and a linear motion motor 80.
  • the support means 60 supports the ring frame RF.
  • the separation table 70 supports the plurality of semiconductor chips CP via the adhesive sheet 10C.
  • the linear motion motor 80 moves the support means 60 and the separation table 70 relative to each other to apply tension to the adhesive sheet 10C.
  • the support means 60 has a groove 61A that can receive the ring frame RF.
  • the support means 60 includes a pair of support members 61 that are supported by the output shaft 80A of the linear motor 80, respectively.
  • the spacing table 70 has a quadrangular outer shape in plan view, that is, viewed from above.
  • the separation table 70 has a support surface 70A having a planar shape substantially the same area as the first region 11C.
  • a procedure for increasing the mutual interval between the plurality of semiconductor chips CP in the spacing device 50 will be described.
  • the substantially circular second region 12C of the adhesive sheet 10C is held by the annular ring frame RF.
  • the ring frame RF holding the adhesive sheet 10 ⁇ / b> C is inserted through the groove 61 ⁇ / b> A of the support member 61.
  • the linear motion motor 80 is driven to lower the support member 61, and as shown by the two-dot chain line in FIG. 5, the separation table 70 is passed inside the ring frame RF.
  • the first region having a substantially rectangular shape that is exposed inside the ring frame RF. 11C is pushed up by the support surface 70A of the separation table 70. By this push-up, the first region 11C is expanded in a direction perpendicular to the thickness direction and outward. At this time, since the extension of the second region 12C is smaller than the extension of the first region 11C, the first region 11C having a small tensile elastic modulus selectively extends. Therefore, the interval between the plurality of semiconductor chips CP attached to the first region 11C can be greatly increased.
  • the pressure-sensitive adhesive sheet 10D of the present embodiment is different from the pressure-sensitive adhesive sheet 10 of the first embodiment in the shapes of the first region and the second region in plan view. Regarding other points, unless specifically mentioned, the pressure-sensitive adhesive sheet 10D and the pressure-sensitive adhesive sheet 10 are substantially the same.
  • the first region 11D and the second region 12D are partitioned by four arcs 18 that curve toward the inside of the sheet in plan view.
  • the pressure-sensitive adhesive sheet 10D of the present embodiment may have a configuration in which a reinforcing member is stuck on the pressure-sensitive adhesive layer shown in FIG. 1B. Moreover, it is good also as a structure containing the energy ray hardening-type adhesive hardened
  • MD direction is used as a word indicating a direction parallel to the longitudinal direction of the original film giving the base film (the feed direction during the production of the original film).
  • MD is an abbreviation for Machine Direction
  • CD is an abbreviation for Cross Direction.
  • the first region 11D and the second region 12D are partitioned by four arcs 18 that curve toward the inside of the seat.
  • the pressure-sensitive adhesive sheet 10D having the above-described shape is suitable for use in the expanding process using the separation device 50 including the annular ring frame RF and the substantially rectangular separation table 70 shown in FIG.
  • the adhesive sheet 10D is held by the annular ring frame of the separation device, and the separation table is passed through the inside of the ring frame.
  • the first region 11D is pushed up by the separation table, and the first region 11D of the adhesive sheet 10D is expanded in a direction orthogonal to the thickness direction and toward the outside.
  • the arc 18 that divides the first region 11D and the second region 12D becomes a shape close to a straight line by stretching.
  • the first region 11D in the expanded state has a shape close to a rectangle, the intervals between the plurality of semiconductor chips CP can be more evenly extended.
  • the pressure-sensitive adhesive sheet of the above-described embodiment is used as the first dicing sheet 100 on which the semiconductor wafer W is adhered when dicing.
  • FIG. 7A shows the semiconductor wafer W adhered to the first dicing sheet 100.
  • the semiconductor wafer W has a circuit surface W1, and a circuit W2 is formed on the circuit surface W1.
  • the first dicing sheet 100 is attached to the back surface W3 of the semiconductor wafer W opposite to the circuit surface W1.
  • the semiconductor wafer W is attached to the first region 101 of the first dicing sheet 100.
  • the semiconductor wafer W may be, for example, a silicon wafer or a compound semiconductor wafer such as gallium / arsenic. Examples of a method for forming the circuit W2 on the circuit surface W1 of the semiconductor wafer W include a widely used method, and examples thereof include an etching method and a lift-off method.
  • the semiconductor wafer W is ground to a predetermined thickness in advance, and is attached to the first dicing sheet 100 with the back surface W3 exposed.
  • the method for grinding the semiconductor wafer W is not particularly limited, and examples thereof include a known method using a grinder.
  • a surface protective sheet is adhered to the circuit surface W1 in order to protect the circuit W2.
  • the circuit surface W1 side of the semiconductor wafer W that is, the surface protection sheet side is fixed by a chuck table or the like, and the backside where the circuit W2 is not formed is ground by a grinder.
  • the thickness of the semiconductor wafer W after grinding is not particularly limited, and is usually 20 ⁇ m or more and 500 ⁇ m or less.
  • the first dicing sheet 100 may be attached to the semiconductor wafer W and the first ring frame.
  • the first ring frame and the semiconductor wafer W are placed on the adhesive layer 104 in the second region 102 of the first dicing sheet 100, and these are lightly pressed and fixed.
  • FIG. 7B shows a plurality of semiconductor chips CP held on the first dicing sheet 100.
  • the semiconductor wafer W held on the first dicing sheet 100 is divided into pieces by dicing to form a plurality of semiconductor chips CP.
  • a cutting means such as a dicing saw is used for dicing.
  • the cutting depth at the time of dicing is set to a depth that takes into account the sum of the thickness of the semiconductor wafer W and the thickness of the adhesive layer 104 and the wear of the dicing saw.
  • an interval corresponding to the thickness of a cutting means such as a dicing saw is formed between the plurality of semiconductor chips CP separated by dicing.
  • the distance between the semiconductor chips CP generated by dicing is D.
  • FIG. 7C is a diagram illustrating a process of extending the first dicing sheet 100 that holds a plurality of semiconductor chips CP (sometimes referred to as an expanding process).
  • the expanding step after the semiconductor wafer W adhered to the first region 101 by dicing is separated into a plurality of semiconductor chips CP, the second region 102 is grasped and the first dicing sheet 100 is stretched. The interval between the plurality of semiconductor chips CP attached to the first region 101 is increased.
  • the method for extending the first dicing sheet 100 in the expanding step is not particularly limited.
  • Examples of the method of stretching the first dicing sheet 100 include a method of stretching the first dicing sheet 100 by pressing an annular or circular expander, an outer periphery of the first dicing sheet 100 using a gripping member, and the like. For example, a method of grasping and extending the second region 102 located in the section may be used.
  • the distance between the semiconductor chips CP after the expanding process is D1.
  • the distance D1 is preferably 200 ⁇ m or more and 5000 ⁇ m or less.
  • FIG. 8A shows a diagram for explaining a process (sometimes referred to as a transfer process) of transferring a plurality of semiconductor chips CP to the first transfer sheet 200 after the expanding process.
  • a process sometimes referred to as a transfer process
  • the first transfer sheet 200 is attached to the circuit surface W1 of the semiconductor chip CP.
  • the first transfer sheet 200 includes a second base film 203 and a second pressure-sensitive adhesive layer 204.
  • the first transfer sheet 200 is preferably attached so as to cover the circuit surface W ⁇ b> 1 with the second pressure-sensitive adhesive layer 204.
  • the material of the second base film 203 is not particularly limited. Examples of the material of the second base film 203 include polyvinyl chloride resin, polyester resin (polyethylene terephthalate, etc.), acrylic resin, polycarbonate resin, polyethylene resin, polypropylene resin, acrylonitrile / butadiene / styrene resin, polyimide resin, and polyurethane. Examples thereof include resins and polystyrene resins.
  • the pressure-sensitive adhesive contained in the second pressure-sensitive adhesive layer 204 is not particularly limited and can be widely applied.
  • Examples of the pressure-sensitive adhesive contained in the second pressure-sensitive adhesive layer 204 include rubber-based, acrylic-based, silicone-based, polyester-based, and urethane-based materials.
  • the kind of adhesive is selected in consideration of the use, the kind of adherend to be attached, and the like.
  • FIG. 8B shows a plurality of semiconductor chips CP held on the first transfer sheet 200 after the first dicing sheet 100 is peeled off. When the first dicing sheet 100 is peeled off after the first transfer sheet 200 is adhered, the back surfaces W3 of the plurality of semiconductor chips CP are exposed. Even after the first dicing sheet 100 is peeled off, the distance D1 between the plurality of semiconductor chips CP, which is extended in the expanding process, is maintained.
  • FIG. 9 is a diagram illustrating a process of sealing a plurality of semiconductor chips CP using the sealing member 30 (sometimes referred to as a sealing process).
  • the sealing step is performed after the expanding step.
  • the sealing body 3 is formed by covering the plurality of semiconductor chips CP with the sealing member 30 while leaving the circuit surface W1.
  • a sealing member 30 is also filled between the plurality of semiconductor chips CP.
  • the circuit surface W1 and the circuit W2 are covered by the first transfer sheet 200, the circuit surface W1 can be prevented from being covered by the sealing member 30.
  • the sealing body 3 in which a plurality of semiconductor chips CP separated by a predetermined distance are embedded in the sealing member is obtained.
  • the plurality of semiconductor chips CP are preferably covered with the sealing member 30 in a state where the distance D1 is maintained.
  • a method for covering the plurality of semiconductor chips CP with the sealing member 30 is not particularly limited. For example, a method of accommodating a plurality of semiconductor chips CP while covering the circuit surface W1 with the first transfer sheet 200 in a mold, injecting a fluid resin material into the mold, and curing the resin material May be adopted.
  • a method of embedding the plurality of semiconductor chips CP in the sealing resin by placing the sheet-shaped sealing resin so as to cover the back surfaces W3 of the plurality of semiconductor chips CP and heating the sealing resin is adopted. May be.
  • the material of the sealing member 30 include an epoxy resin.
  • the epoxy resin used as the sealing member 30 may include, for example, a phenol resin, an elastomer, an inorganic filler, a curing accelerator, and the like.
  • FIG. 10A shows a cross-sectional view of the sealing body 3 after the first transfer sheet 200 is peeled off.
  • rewiring layer forming step rewirings connected to the circuits W2 of the plurality of exposed semiconductor chips CP are formed on the circuit surface W1 and the surface 3A of the sealing body 3.
  • an insulating layer is formed on the sealing body 3.
  • FIG. 10B is a cross-sectional view illustrating a process of forming the first insulating layer 41 on the circuit surface W1 of the semiconductor chip CP and the surface 3A of the sealing body 3.
  • a first insulating layer 41 containing an insulating resin is formed on the circuit surface W1 and the surface 3A so as to expose the circuit W2 or the internal terminal electrode W4 of the circuit W2.
  • the insulating resin include polyimide resin, polybenzoxazole resin, and silicone resin.
  • the material of the internal terminal electrode W4 is not limited as long as it is a conductive material, and examples thereof include gold, silver, metals such as copper and aluminum, and alloys.
  • FIG. 10C is a cross-sectional view illustrating a process of forming the rewiring 5 that is electrically connected to the semiconductor chip CP sealed in the sealing body 3.
  • the rewiring 5 is formed following the formation of the first insulating layer 41.
  • the material of the rewiring 5 is not limited as long as it is a conductive material, and examples thereof include gold, silver, metals such as copper and aluminum, and alloys.
  • the rewiring 5 can be formed by a known method.
  • FIG. 11A is a cross-sectional view illustrating a process of forming the second insulating layer 42 that covers the rewiring 5.
  • the rewiring 5 has external electrode pads 5A for external terminal electrodes.
  • the second insulating layer 42 is provided with an opening or the like to expose the external electrode pad 5A for the external terminal electrode.
  • the external electrode pad 5A is exposed in the region of the semiconductor chip CP of the sealing body 3 (region corresponding to the circuit surface W1) and outside the region (region corresponding to the surface 3A on the sealing member 30). I am letting.
  • the rewiring 5 is formed on the surface 3A of the sealing body 3 so that the external electrode pads 5A are arranged in an array. In the present embodiment, since the external electrode pad 5A is exposed outside the region of the semiconductor chip CP of the sealing body 3, a fan-out type WLP can be obtained.
  • FIG. 11B is a cross-sectional view illustrating a process of connecting the external terminal electrode 6 to the external electrode pad 5A of the sealing body 3.
  • the external terminal electrode 6 such as a solder ball is placed on the external electrode pad 5A exposed from the second insulating layer 42, and the external terminal electrode 6 and the external electrode pad 5A are electrically connected by solder bonding or the like.
  • the material of the solder ball is not particularly limited, and examples thereof include lead-containing solder and lead-free solder.
  • FIG. 11C shows a cross-sectional view for explaining a process of separating the sealing body 3 to which the external terminal electrode 6 is connected (sometimes referred to as a second dicing process).
  • the sealing body 3 is separated into individual semiconductor chips CP.
  • the method for dividing the sealing body 3 into individual pieces is not particularly limited.
  • the sealing body 3 can be separated into pieces by adopting a method similar to the method of dicing the semiconductor wafer W described above.
  • the step of dividing the sealing body 3 into pieces may be performed by sticking the sealing body 3 to an adhesive sheet such as a dicing sheet.
  • the semiconductor package 1 of the semiconductor chip CP unit is manufactured by separating the sealing body 3 into pieces. As described above, the semiconductor package 1 in which the external terminal electrode 6 is connected to the external electrode pad 5A fanned out outside the region of the semiconductor chip CP is manufactured as a fan-out type wafer level package (FO-WLP).
  • FO-WLP fan-out type wafer level package
  • the adhesive sheet of the above embodiment is used as the first dicing sheet 100 to which the semiconductor wafer W is stuck when dicing.
  • the semiconductor wafer W bonded to the first region 101 of the first dicing sheet 100 is divided into pieces by dicing to form a plurality of semiconductor chips CP, and then the second region 102 is grasped to hold the first dicing sheet.
  • the interval between the plurality of semiconductor chips CP can be greatly expanded.
  • the plurality of semiconductor chips CP can be covered with the sealing member 30 after greatly increasing the interval between the plurality of semiconductor chips CP.
  • the separated semiconductor chips are covered with the sealing member one by one without being rearranged from the adhesive sheet to another adhesive sheet or support by pick and place. Can do. Therefore, according to the present embodiment, the steps of the WLP manufacturing process can be simplified.
  • FIG. 12A shows the semiconductor wafer W adhered to the second dicing sheet 300 (first adhesive sheet).
  • a semiconductor wafer is attached to the second dicing sheet 300.
  • the second dicing sheet 300 the pressure-sensitive adhesive sheet of the above-described embodiment may be used, or a sheet different from the pressure-sensitive adhesive sheet of the above-described embodiment may be used.
  • FIG. 12B shows a plurality of semiconductor chips CP held on the second dicing sheet 300.
  • the semiconductor wafer W held on the second dicing sheet 300 is divided into pieces by dicing to form a plurality of semiconductor chips CP.
  • FIG. 12C shows a diagram for explaining a process of transferring a plurality of semiconductor chips CP separated by dicing to the second transfer sheet 400 (sometimes referred to as a transfer process).
  • the pressure-sensitive adhesive sheet of the above embodiment is used as the second transfer sheet 400.
  • the second transfer sheet 400 is attached to the circuit surface W1 of the semiconductor chip CP.
  • the plurality of semiconductor chips CP are attached to the first region 401 of the second transfer sheet 400.
  • FIG. 13A shows a plurality of semiconductor chips CP held on the second transfer sheet 400 after the second dicing sheet 300 is peeled off.
  • the plurality of semiconductor chips CP are transferred to the first region 401 of the second transfer sheet 400.
  • the back surfaces W3 of the plurality of semiconductor chips CP are exposed. Even after the second dicing sheet 300 is peeled off, the distance D between the plurality of semiconductor chips CP generated by dicing is preferably maintained.
  • FIG. 13B shows a diagram for explaining a process of stretching the second transfer sheet 400 that holds a plurality of semiconductor chips CP (sometimes referred to as an expanding process).
  • the second region 402 is grasped and the second transfer sheet 400 is stretched to widen the interval between the plurality of semiconductor chips CP attached to the first region 401.
  • the method for extending the second transfer sheet 400 in the expanding step is not particularly limited. Examples of the method of stretching the second transfer sheet 400 include a method of stretching the second transfer sheet 400 by pressing an annular or circular expander, a second transfer sheet using a gripping member, and the like. For example, a method of grasping and extending the second region 402 located on the outer peripheral portion of 400 may be used.
  • the distance between the semiconductor chips CP after the expanding process is D1.
  • the distance D1 is preferably 200 ⁇ m or more and 5000 ⁇ m or less.
  • the pressure-sensitive adhesive sheet of the above-described embodiment is used as the second transfer sheet 400 that is used to transfer a plurality of semiconductor chips CP separated by dicing and widen the interval between the semiconductor chips CP. use.
  • a plurality of semiconductor chips CP formed by dicing on the second dicing sheet 300 are transferred to the first region 401 of the second transfer sheet 400, and the second dicing sheet 300 is peeled off. Thereafter, by holding the second region 402 and extending the second transfer sheet 400, the interval between the plurality of semiconductor chips CP can be greatly increased.
  • this embodiment can also simplify the steps of the WLP manufacturing process.
  • the present invention is not limited to the above-described embodiment.
  • the present invention includes a modification of the above-described embodiment as long as the object of the present invention can be achieved.
  • circuits and the like in the semiconductor wafer W and the semiconductor chip CP are not limited to the illustrated arrangement and shape.
  • the connection structure with the external terminal electrode 6 in the semiconductor package 1 is not limited to the aspect described in the above embodiment.
  • the reinforcing member 15 may be attached to the second surface 13 ⁇ / b> B opposite to the first surface 13 ⁇ / b> A of the base film 13. Further, the reinforcing member 15 may be attached to the adhesive layer 14 of the adhesive sheet 10 and the second surface 13B.
  • the cuts 17 formed on the four sides may be formed along a radial direction from the center of the adhesive sheet 10B toward the outer periphery. Further, the cuts 17 formed on the four sides may increase the number of cuts near the center of the side to be cut and reduce the number of cuts near the end of the side. Further, the cuts 17 formed on the four sides may be changed in the position where the cuts 17 are formed and the number of the cuts 17 in the MD direction and the CD direction of the base film constituting the adhesive sheet 10B.
  • the example in which the pressure-sensitive adhesive sheets 10, 10A to 10D of the embodiment are used as the first dicing sheet 100 has been described, but the pressure-sensitive adhesive sheet of the present invention is not limited to these examples.
  • the seventh embodiment the example in which the pressure-sensitive adhesive sheets 10, 10A to 10D of the embodiment are used as the second transfer sheet 400 has been described.
  • the pressure-sensitive adhesive sheet of the present invention is not limited to these examples.
  • the pressure-sensitive adhesive sheets 10 and 10A to 10D of the embodiment may be adopted for both the dicing sheet and the transfer sheet. In this case, it is preferable that the adhesive force of the adhesive layer of the transfer sheet is greater than the adhesive force of the adhesive layer of the dicing sheet.
  • the present invention can be used in a method for manufacturing an adhesive sheet and a semiconductor device.

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Abstract

　被着体が貼着される第一の領域（１１）と、前記第一の領域（１１）の外周に設けられた第二の領域（１２）と、を備え、前記第一の領域（１１）の引張弾性率は、前記第二の領域（１２）の引張弾性率よりも小さい、粘着シート（１０）。基材フィルム（１３）と、前記基材フィルム（１３）に積層された粘着剤層（１４）と、を有し、前記被着体は、複数の半導体チップ（ＣＰ）であり、前記第一の領域（１１）は、前記粘着シート（１０）の平面視において、シート中央部に設けられた、粘着シート（１０）。

Description

粘着シートおよび半導体装置の製造方法
　本発明は、粘着シートおよび半導体装置の製造方法に関する。
　近年、電子機器の小型化、軽量化、および高機能化が進んでいる。電子機器に搭載される半導体装置にも、小型化、薄型化、および高密度化が求められている。半導体チップは、そのサイズに近いパッケージに実装されることがある。このようなパッケージは、チップスケールパッケージ（Ｃｈｉｐ　Ｓｃａｌｅ　Ｐａｃｋａｇｅ；ＣＳＰ）と称されることもある。ＣＳＰを製造するプロセスの一つとして、ウエハレベルパッケージ（Ｗａｆｅｒ　Ｌｅｖｅｌ　Ｐａｃｋａｇｅ；ＷＬＰ）が挙げられる。ＷＬＰにおいては、ダイシングにより個片化する前に、チップ回路形成面に外部電極などを形成し、最終的にはチップを含むパッケージをダイシングして、個片化する。ＷＬＰとしては、ファンイン（Ｆａｎ－Ｉｎ）型とファンアウト（Ｆａｎ－Ｏｕｔ）型が挙げられる。ファンアウト型のＷＬＰ（以下、ＦＯ－ＷＬＰと略記する場合がある。）においては、半導体チップを、チップサイズよりも大きな領域となるように封止部材で覆って半導体チップ封止体を形成し、再配線層や外部電極を、半導体チップの回路面だけでなく封止部材の表面領域においても形成する。
　例えば、特許文献１には、半導体ウエハから個片化された複数の半導体チップを、その回路形成面を残し、モールド部材を用いて周りを囲んで拡張ウエハを形成し、半導体チップ外の領域に再配線パターンを延在させて形成する半導体パッケージの製造方法が記載されている。特許文献１に記載の製造方法において、個片化された複数の半導体チップをモールド部材で囲う前に、エキスパンド用のウエハマウントテープに貼り替え、ウエハマウントテープを展延して複数の半導体チップの間の距離を拡大させている。
国際公開第２０１０／０５８６４６号
　しかしながら、ウエハマウントテープなどの既存の粘着シートを引き延ばして、複数の半導体チップ同士の間隔を拡げようとすると、粘着シートの掴んでいる箇所が大きく引き延ばされてしまい、複数の半導体チップが貼着されている領域が十分に延ばされない。
　本発明の目的は、シートを掴んで引き延ばした際に、所望の領域が延び易い、粘着シートを提供すること、および当該粘着シートを用いた半導体装置の製造方法を提供することである。
　本発明の一態様によれば、被着体が貼着される第一の領域と、前記第一の領域の外周に設けられた第二の領域と、を備え、前記第一の領域の引張弾性率は、前記第二の領域の引張弾性率よりも小さい、粘着シートを提供できる。
　粘着シートを引き延ばすエキスパンド工程においては、第一の領域よりも外周に設けられた第二の領域を、把持部材などで掴んで引き延ばす。上述の本発明の一態様に係る粘着シートによれば、第一の領域の引張弾性率は、第二の領域の引張弾性率よりも小さい。粘着シートを引き延ばすと、第一の領域の延びに比べて、第二の領域の延びが小さくなる。
　したがって、本発明の一態様によれば、粘着シートの第二の領域を掴んで引き延ばした際に、所望の領域である第一の領域が延び易い粘着シートが提供できる。
　本発明の一態様において、基材フィルムと、前記基材フィルムに積層された粘着剤層と、を有し、前記被着体は、複数の半導体チップであり、前記第一の領域は、前記粘着シートの平面視において、シート中央部に設けられたことも好ましい。
　この態様によれば、第一の領域に対応する部位の粘着剤層に複数の半導体チップを貼着させることができる。粘着シートの第一の領域に複数の半導体チップを貼着させ、第二の領域を掴んで引き延ばすと、所望の領域、すなわち複数の半導体チップが貼着された第一の領域が延び易いので、複数の半導体チップ同士の間隔を大きく拡げることができる。
　本発明の一態様において、前記粘着シートの平面視において、前記第一の領域および前記第二の領域は、それぞれ略矩形状に形成され、前記第二の領域の四隅に切込みが設けられたことも好ましい。
　この態様によれば、第二の領域の四隅に切込みが設けられている。
　エキスパンド工程では、把持部材などで粘着シートの第二の領域を掴んで、粘着シートを第一の方向、および第一の方向と直交する第二の方向の少なくともいずれかに沿って引き延ばす。例えば、略矩形状の第二の領域が四隅の切込みによって４つの部分に区画されている場合、エキスパンド工程においては、各部分を個別に掴んでシート外側方向に向かう力で引き延ばす。引き延ばしによって、第二の領域は、その四隅に形成された切込みを境界にして分離する。このため、第二の領域は、分離した各部分を掴んで引き延ばし可能になり、第一の方向、および第二の方向の少なくともいずれかに延ばし易い。
　したがって、粘着シートを第一の方向、および第二の方向の少なくともいずれかに引き延ばすと、第二の領域が、四隅の切込みを境界にして複数の部分に分離するので、第一の領域がより延び易くなる。
　さらに、第一の方向と第二の方向の双方に引き延ばしても、第二の領域の四隅の切込みを境界にして分離したそれぞれの部分においては、第一の方向に引き延ばす力と第二の方向に引き延ばす力が合成されない。第二の領域において分離したそれぞれの部分には、第一の方向に引き延ばす力、又は第二の方向に引き延ばす力が加わる。そのため、第一の領域に対して第一の方向に加える力と、第二の方向に加える力とを、個別に制御し易い。
　なお、本明細書において、粘着シートについて略矩形状という場合には、厳密な矩形である場合に限られない。例えば、略矩形は、正方形や長方形に限定されず、角に丸みを帯びている形状や、角の一部が切り落とされた形状であってもよい。
　本発明の一態様において、前記第二の領域の四隅に切込みが設けられ、さらに前記第二の領域の四辺に１または２以上の切込みが設けられたことも好ましい。
　この態様によれば、第二の領域の四辺に１または２以上の切込みが設けられている。
　エキスパンド工程では、把持部材などで粘着シートの第二の領域を掴んで、粘着シートを第一の方向、および第一の方向と直交する第二の方向の少なくともいずれかに沿って引き延ばす。例えば、略矩形状の第二の領域が四隅の切込みによって４つの部分に区画され、当該４つの部分の各辺に形成した切込みによってさらに複数部分に区画されている場合、エキスパンド工程においては、各部分を個別に掴んでシート外側方向に向かう力で引き延ばす。引き延ばしによって、第二の領域は、その四辺に形成された切込みを境界にしてさらに複数の部分に分離する。このため、第二の領域は、分離した各部分を掴んで引き延ばし可能になり、第一の方向、および第二の方向の少なくともいずれかに延ばし易い。
　したがって、粘着シートを第一の方向、および第二の方向の少なくともいずれかに引き延ばすと、第二の領域が、四辺の切込みを境界にして複数の部分に分離するので、第一の領域がより延び易くなる。
　さらに、切込みによって第二の領域の各辺も分離されるので、各辺の位置に応じて、引き延ばす力を調整し易い。例えば、辺中央部の引き延ばす力を弱く、辺の端部の引き延ばす力を強くするなど、第一の領域の延び具合に応じて引き延ばす力を調整できる。
　本発明の一態様において、前記粘着シートの平面視において、前記第一の領域は、略矩形状に形成され、前記第二の領域は、略円形状に形成されたことも好ましい。
　この態様によれば、第一の領域は、略矩形状に形成され、第二の領域は、略円形状に形成されている。
　上記形状を有する粘着シートは、例えば、環状のリングフレームと、略矩形状の離間テーブルを備えた離間装置を用いた、エキスパンド工程での使用に適している。
　具体的には、まず、環状のリングフレームで粘着シートの略円形状の第二の領域を保持する。次に、支持面が第一の領域と略同一形状の平面形状の離間テーブルをリングフレームの内側に通過させる。リングフレームを下降させて、離間テーブルの支持面の高さが、リングフレームの高さよりも相対的に高くなると、リングフレームの内側にて露出する略矩形状の第一の領域が離間テーブルに押し上げられ、粘着シートの第一の領域が、厚み方向と直交し、外側に向かう方向に拡張される。
　このとき、第一の領域の延びに比べて、第二の領域の延びは小さいため、選択的に引張弾性率が小さい第一の領域が延びるので、第一の領域がより延び易くなる。
　なお、本明細書において、粘着シートについて略円形状という場合には、厳密な円形である場合に限られない。例えば、略円形は、真円形だけでなく、楕円形なども含む形状をいう。また、多角形のうち、角の数が多く、各辺の長さが比較的短くなる形状も略円形に含まれる。
　また、本明細書において、第一の領域と離間テーブルの支持面が略同一形状という場合は、厳密に同じ形状でなくても良いことを意味する。例えば、離間テーブルの外形寸法は、複数の半導体チップが貼着された領域よりも大きければ、形状が異なっても良い。
　本発明の一態様において、前記第一の領域および前記第二の領域は、前記粘着シートの平面視において、シート内側に向けて湾曲する４つの円弧で区画されたことも好ましい。
　この態様によれば、第一の領域と第二の領域とが、シート内側に向けて湾曲する４つの円弧で区画されている。
　上記形状を有する粘着シートは、例えば、環状のリングフレームと、略矩形状の離間テーブルを備えた離間装置を用いた、エキスパンド工程での使用に適している。
　具体的には、まず、環状のリングフレームで粘着シートの略円形状の第二の領域を保持する。次に、支持面が第一の領域と略同一形状の平面形状の離間テーブルをリングフレームの内側に通過させる。第一の領域は離間テーブルに押し上げられ、粘着シートの第一の領域が、厚み方向と直交し、外側に向かう方向に拡張される。このとき、第一の領域と第二の領域とを区画する円弧が引き延ばしによって直線に近い形状になる。結果として、拡張した状態の第一の領域は、矩形に近い形状になるので、複数の半導体チップ間の間隔をより均等に延ばすことができる。
　本発明の一態様において、前記粘着剤層の前記第二の領域に対応する部位に貼着された補強部材をさらに有し、前記補強部材の引張弾性率は、前記基材フィルムの引張弾性率よりも大きいことも好ましい。
　この態様によれば、補強部材をさらに有し、この補強部材は、粘着剤層の第二の領域に対応する部位に貼着されている。補強部材の引張弾性率は、基材フィルムの引張弾性率よりも大きい。第二の領域に対応する部位に、引張弾性率が大きい補強部材を設けることで、第二の領域の引張弾性率は、基材フィルムから構成されている第一の領域の引張弾性率に比べて大きくなる。結果として、第一の領域の引張弾性率が、第二の領域の引張弾性率よりも小さい粘着シートを提供できる。
　本発明の一態様において、前記第二の領域における前記粘着剤層は、エネルギー線照射によって硬化されたエネルギー線硬化型粘着剤を含有することも好ましい。
　この態様によれば、第二の領域における粘着剤層は、エネルギー線照射によって硬化されたエネルギー線硬化型粘着剤を含有する。第二の領域における引張弾性率は、硬化されたエネルギー線硬化型粘着剤を含有している分だけ、第一の領域の引張弾性率に比べて大きくなる。結果として、第一の領域の引張弾性率が、第二の領域の引張弾性率よりも小さい粘着シートを提供できる。
　また、この態様によれば、エネルギー線を照射した領域の粘着剤層においてエネルギー線硬化型粘着剤が硬化し、当該照射領域の引張弾性率が大きくなり、第二の領域が形成される。つまり、この態様によれば、エネルギー線を照射する領域に応じて第二の領域を形成することができる。例えば、第一の領域に貼着させる被着体のサイズや数、第二の領域の掴む範囲などに応じて、第一の領域、第二の領域を形成できるので、適用可能なプロセスの自由度が高い粘着シートである。
　本発明の一態様において、前記第一の領域の引張弾性率は、３０ＭＰａ以上１０００ＭＰａ以下であり、前記第二の領域の引張弾性率は、１００ＭＰａ以上６０００ＭＰａ以下であることも好ましい。
　この態様によれば、第一の領域の引張弾性率は、３０ＭＰａ以上１０００ＭＰａ以下であり、第二の領域の引張弾性率は、１００ＭＰａ以上６０００ＭＰａ以下である。第一の領域の引張弾性率および第二の領域の引張弾性率が上記範囲であれば、エキスパンド工程での使用に適した粘着シートを提供できる。
　本発明の一態様によれば、上記本発明の粘着シートの前記第一の領域にウエハを貼着する工程と、前記粘着シートに貼着されたウエハをダイシングにより個片化し、複数の半導体チップを形成する工程と、前記粘着シートの前記第二の領域を保持して前記粘着シートを引き延ばし、前記第一の領域に貼着された前記複数の半導体チップ同士の間隔を拡げる工程と、を備える、半導体装置の製造方法を提供できる。
　この本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法において、上述の本発明の一態様に係る粘着シートを使用する。
　粘着シートの第一の領域に貼着されたウエハをダイシングにより個片化して複数の半導体チップを形成した後、第二の領域を保持して粘着シートを引き延ばすことで、複数の半導体チップ間の間隔を大きく拡げることができる。
　上述の本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法によれば、ダイシングにより形成した複数の半導体チップをピックアップして、間隔を拡げて支持部材上に再配列する工程を経ることなく、複数の半導体チップ同士の間隔を大きく拡げることができる。それゆえ、上述の本発明の一態様に係る粘着シートは、ＷＬＰの製造プロセスへの適合性に優れ、特にファンアウト型のウエハレベルパッケージの製造プロセスへの適合性に優れる。
　本発明の一態様によれば、第一の粘着シートに貼着されたウエハをダイシングにより個片化し、複数の半導体チップを形成する工程と、前記複数の半導体チップを、上記本発明の粘着シートの前記第一の領域に転写する工程と、前記第一の粘着シートを剥離する工程と、前記粘着シートの前記第二の領域を保持して前記粘着シートを引き延ばし、前記第一の領域に貼着された前記複数の半導体チップ同士の間隔を拡げる工程と、を備える、半導体装置の製造方法を提供できる。
　この本発明の一態様に係る半導体装置の製造方法において、上述の本発明の一態様に係る粘着シートを使用する。
　第一の粘着シート上でダイシングにより形成した複数の半導体チップを本発明の粘着シートの第一の領域に転写し、第一の粘着シートを剥離した後、第二の領域を保持して粘着シートを引き延ばすことで、複数の半導体チップ間の間隔を大きく拡げることができる。
　本発明の一態様において、前記粘着シートを引き延ばして、前記複数の半導体チップ同士の間隔を拡げた後、前記複数の半導体チップの回路面を残して封止部材で覆う工程をさらに備えることも好ましい。
　この態様によれば、複数の半導体チップ間の間隔を大きく拡げたうえで、封止部材で複数の半導体チップを覆うことができる。しかも、この態様によれば、個片化された半導体チップを、１個ずつ粘着シートから別の粘着シートや支持体にピック・アンド・プレイスによって再配列することなく、封止部材で覆うことができる。それゆえ、この態様によれば、ＷＬＰの製造プロセスの工程を簡略化することができる。
第一実施形態に係る粘着シートを説明する図。 第一実施形態に係る粘着シートを説明する図。 第二実施形態に係る粘着シートの製造方法を説明する断面図。 第三実施形態に係る粘着シートを説明する図。 第四実施形態に係る粘着シートを説明する図。 第四実施形態に係る離間装置の側面図。 第五実施形態に係る粘着シートを説明する図。 第六実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する断面図。 第六実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する断面図。 第六実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する断面図。 第六実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する断面図。 第六実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する断面図。 第六実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する断面図。 第六実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する断面図。 第六実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する断面図。 第六実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する断面図。 第六実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する断面図。 第六実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する断面図。 第六実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する断面図。 第七実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する断面図。 第七実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する断面図。 第七実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する断面図。 第七実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する断面図。 第七実施形態に係る半導体装置の製造方法を説明する断面図。
〔第一実施形態〕
　以下、本発明に係る第一実施形態の粘着シートを説明する。
［粘着シート］
　図１Ａには、本実施形態に係る粘着シート１０の平面図が示され、図１Ｂには、粘着シート１０の断面図が示されている。
　図１Ａに示されているように、本実施形態の粘着シート１０は、第一の領域１１と、この第一の領域１１の外周に設けられた第二の領域１２と、を備えている。第一の領域１１には、被着体として半導体チップＣＰが貼着される。図１Ａにおける粘着シート１０は、平面視において、第一の領域１１および第二の領域１２は、それぞれ略矩形状に形成されている。粘着シート１０の平面視の形状は、シート中央部に設けられた略矩形状の第一の領域１１の外周側に枠状の第二の領域１２が設けられているともいえる。
　また、図１Ｂに示されているように、粘着シート１０は、基材フィルム１３と、粘着剤層１４とを有する。粘着剤層１４は、基材フィルム１３に積層されている。半導体チップＣＰは、第一の領域１１における粘着剤層１４に貼着される。粘着剤層１４の第二の領域１２に対応する位置には、補強部材１５が貼着されている。
　なお、図１Ｂにおいては、粘着剤層１４は、第一の領域１１における粘着剤層１４Ａと第二の領域１２における粘着剤層１４Ｂとに、区別して示されている。
［基材フィルム］
　基材フィルム１３の材質は、特に限定されない。基材フィルム１３の材質としては、例えば、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリエステル樹脂（ポリエチレンテレフタレート等）、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、アクリロニトリル・ブタジエン・スチレン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、およびポリスチレン樹脂などが挙げられる。
　基材フィルム１３の引張弾性率は、３０ＭＰａ以上１０００ＭＰａ以下であることが好ましい。なお、本明細書における引張弾性率は、ＪＩＳ　Ｋ７１６１およびＪＩＳ　Ｋ７１２７に準拠し、引張試験器を使用して測定される。
［粘着剤層］
　粘着剤層１４に含まれる粘着剤は、特に限定されず広く適用できる。粘着剤層１４に含まれる粘着剤としては、例えば、ゴム系、アクリル系、シリコーン系、ポリエステル系、およびウレタン系等が挙げられる。なお、粘着剤の種類は、用途や貼着される被着体の種類等を考慮して選択される。
［補強部材］
　補強部材１５の材質は、基材フィルム１３の引張弾性率よりも大きければ、特に限定されない。
　補強部材１５の材質としては、例えば、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリエステル樹脂（ポリエチレンテレフタレート等）、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、アクリロニトリル・ブタジエン・スチレン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、およびポリスチレン樹脂などが挙げられる。
　補強部材１５の引張弾性率は、１００ＭＰａ以上６０００ＭＰａ以下であることが好ましい。
　本実施形態の粘着シート１０において、第一の領域１１の引張弾性率は、第二の領域１２の引張弾性率よりも小さい。
　本実施形態の粘着シート１０では、粘着剤層１４の第二の領域１２に対応する位置に補強部材１５を貼着することで、上記の第一の領域１１の引張弾性率と第二の領域１２の引張弾性率との関係を達成している。
　第一の領域１１の引張弾性率は、３０ＭＰａ以上１０００ＭＰａ以下であることが好ましい。このうち、第一の領域１１の引張弾性率は、６０ＭＰａ以上６００ＭＰａ以下がより好ましく、８０ＭＰａ以上４５０ＭＰａ以下がさらに好ましい。
　第二の領域１２の引張弾性率は、１００ＭＰａ以上６０００ＭＰａ以下であることが好ましい。このうち、第二の領域１２の引張弾性率は、４５０ＭＰａ以上４５００ＭＰａ以下がより好ましく、１２０ＭＰａ以上１２００ＭＰａ以下がさらに好ましい。
　第一の領域や第二の領域が積層構造であれば、各領域の引張弾性率は、その積層状態で測定される。例えば、本実施形態の粘着シート１０の第二の領域１２の引張弾性率は、基材フィルム１３、粘着剤層１４および補強部材１５の積層状態で測定される値である。
［粘着シートの製造方法］
　粘着シート１０の製造方法は、特に限定されない。
　例えば、粘着シート１０は、次のような工程を経て製造される。
　まず、基材フィルム１３の第一の面１３Ａの上に粘着剤を塗布し、塗膜を形成する。次に、この塗膜を乾燥させて、粘着剤層１４を形成する。そして、粘着剤層１４の第二の領域１２に対応する部位に、基材フィルム１３の引張弾性率よりも大きい補強部材１５を貼着する。上記工程を経ることで、粘着剤層１４の第二の領域１２に対応する部位に貼着された補強部材１５をさらに有する、粘着シート１０が得られる。
　粘着シート１０を引き延ばすエキスパンド工程においては、第一の領域１１よりも外周に設けられた第二の領域１２を、把持部材などで掴んで引き延ばす。本実施形態によれば、第一の領域１１の引張弾性率は、第二の領域１２の引張弾性率よりも小さい。粘着シート１０を引き延ばすと、第一の領域１１の延びに比べて、第二の領域１２の延びが小さくなる。したがって、本実施形態によれば、粘着シートの第二の領域を掴んで引き延ばした際に、所望の領域である第一の領域が延び易い粘着シート１０が提供できる。
　この態様によれば、第一の領域１１に対応する部位の粘着剤層１４に複数の半導体チップＣＰを貼着させることができる。粘着シート１０の第一の領域１１に複数の半導体チップＣＰを貼着させ、第二の領域１２を掴んで引き延ばすと、所望の領域、すなわち複数の半導体チップＣＰが貼着された第一の領域１１が延び易いので、複数の半導体チップＣＰ同士の間隔を大きく拡げることができる。
　また、この態様によれば、補強部材１５をさらに有し、この補強部材１５は、粘着剤層１４の第二の領域１２に対応する部位に貼着されている。補強部材１５の引張弾性率は、基材フィルム１３の引張弾性率よりも大きい。第二の領域１２に対応する部位に、引張弾性率が大きい補強部材１５を設けることで、第二の領域１２の引張弾性率は、基材フィルム１３から構成されている第一の領域１１の引張弾性率に比べて大きくなる。結果として、第一の領域１１の引張弾性率が、第二の領域１２の引張弾性率よりも小さい粘着シート１０を提供できる。
　また、この態様によれば、第一の領域１１の引張弾性率は、３０ＭＰａ以上１０００ＭＰａ以下であり、第二の領域１２の引張弾性率は、１００ＭＰａ以上６０００ＭＰａ以下である。第一の領域１１の引張弾性率および第二の領域１２の引張弾性率が上記範囲であれば、エキスパンド工程での使用に適した粘着シート１０を提供できる。
〔第二実施形態〕
　以下、本発明に係る第二実施形態の粘着シートの製造方法を説明する。
　本実施形態の粘着シート１０Ａの製造方法は、次のような工程を経て製造される。
　まず、図２に示す、基材フィルム１３の第一の面１３Ａの上にエネルギー線硬化型粘着剤を塗布し、塗膜を形成する。次に、この塗膜を乾燥させて、粘着剤層１４を形成する。そして、粘着剤層１４の第二の領域１２Ａに対応する部位に、エネルギー線を照射する。エネルギー線の照射によって、第二の領域１２Ａにおける粘着剤層１４Ｂに含まれるエネルギー線硬化型粘着剤が硬化される。なお、第一の領域１１Ａにおける粘着剤層１４Ａは、エネルギー線が照射されないため、塗布されたエネルギー線硬化型粘着剤は硬化されない。上記工程を経ることで、第二の領域１２Ａにおける粘着剤層１４Ｂに、エネルギー線照射によって硬化されたエネルギー線硬化型粘着剤を含有した粘着シート１０Ａが得られる。
　本実施形態に係るエネルギー線硬化型粘着剤は、特に限定されない。形成する粘着剤層の硬化領域に付与すべき性能に応じて、エネルギー線硬化型粘着剤を適宜選択すればよい。
　本明細書において、エネルギー線は、電磁波または荷電粒子線の中でエネルギー量子を有する。エネルギー線としては、例えば、紫外線および電子線などが挙げられる。エネルギー線の中でも、取扱いが容易な紫外線がより好ましい。
　エネルギー線硬化型粘着剤としては、例えばアクリル系粘着剤に、多官能エネルギー線硬化樹脂を混合した粘着剤が挙げられる。多官能エネルギー線硬化樹脂としては、エネルギー線重合性の官能基を複数有する低分子化合物が挙げられ、例えば、ウレタンアクリレートオリゴマーなどが挙げられる。また、側鎖にエネルギー線重合性の官能基を有する（メタ）アクリル酸エステル共重合体を含む粘着剤も用いることができる。このようなエネルギー線重合性官能基としては（メタ）アクリロイル基が好ましい。なお、本明細書において、「（メタ）アクリル酸エステル共重合体」は、「アクリル酸エステル共重合体」及び「メタクリル酸エステル共重合体」の少なくともいずれか一方を表す場合に用いる表記であり、他の類似用語についても同様である。
　粘着剤層１４には、各種添加剤が含まれていてもよい。添加剤としては、例えば、重合開始剤、シランカップリング剤、帯電防止剤、粘着付与剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤、光安定剤、軟化剤、充填剤、および屈折率調整剤などが挙げられる。なお、添加剤の種類は、用途や貼着される被着体の種類等を考慮して選択される。
　本実施形態によれば、第二の領域１２Ａにおける粘着剤層１４Ｂは、エネルギー線照射によって硬化されたエネルギー線硬化型粘着剤を含有する。第二の領域１２Ａにおける引張弾性率は、硬化されたエネルギー線硬化型粘着剤を含有している分だけ、第一の領域１１Ａの引張弾性率に比べて大きくなる。結果として、第一の領域１１Ａの引張弾性率が、第二の領域１２Ａの引張弾性率よりも小さい粘着シート１０Ａを提供できる。
　また、この態様によれば、エネルギー線を照射した領域の粘着剤層１４Ｂにおいてエネルギー線硬化型粘着剤が硬化し、当該照射領域の引張弾性率が大きくなり、第二の領域１２Ａが形成される。つまり、この態様によれば、エネルギー線を照射する領域に応じて第二の領域１２Ａを形成することができる。例えば、第一の領域１１Ａに貼着させる被着体のサイズや数、第二の領域１２Ａの掴む範囲などに応じて、第一の領域１１Ａ、第二の領域１２Ａを形成できるので、本実施形態の粘着シート１０Ａは、適用可能なプロセスの自由度が高い粘着シートである。
〔第三実施形態〕
　以下、本発明に係る第三実施形態の粘着シートを説明する。
　図３には、本実施形態に係る粘着シート１０Ｂの平面図が示されている。
　図３に示すように、本実施形態の粘着シート１０Ｂは、平面視において、第一の領域１１Ｂおよび第二の領域１２Ｂは、それぞれ略矩形状に形成されている。粘着シート１０Ｂの平面視の形状は、略矩形状の第一の領域１１Ｂの外周側に枠状の第二の領域１２Ｂが設けられているともいえる。
　本実施形態の粘着シート１０Ｂは、図１Ｂに示す粘着剤層の上に補強部材を貼着した構成としてもよい。また、図２に示す第二の領域における粘着剤層に、エネルギー線照射によって硬化されたエネルギー線硬化型粘着剤を含有した構成としてもよい。
　本実施形態の粘着シート１０Ｂは、第二の領域１２Ｂの四隅に、切込み１６が設けられている。
　四隅に形成される切込み１６は、第二の領域１２Ｂの頂点１２１と、この頂点１２１に最も近い第一の領域１１Ｂの頂点１１１とを結んだ直線上に形成されていることが好ましい。また、その他の、四隅に形成される切込み１６についても、第二の領域１２Ｂの他の頂点１２２と、頂点１２２に最も近い第一の領域１１Ｂの他の頂点１１２とを結んだ直線上、頂点１２３と、頂点１２３に最も近い第一の領域１１Ｂの頂点１１３とを結んだ直線上、並びに頂点１２４と、頂点１２４に最も近い第一の領域１１Ｂの頂点１１４とを結んだ直線上に、それぞれ形成されていることが好ましい。
　また、四隅に形成される切込み１６の深さは、粘着剤層の表層から、基材フィルムの裏面にまで達するように形成されていることが好ましい。なお、エキスパンド工程で、切込み１６を境界にして第二の領域１２Ｂを分離可能であれば、切込み１６は、必ずしも、粘着剤層の表層から、基材フィルムの裏面にまで達する深さにまで形成されている必要はない。なお、粘着シート１０Ｂは、エキスパンド工程により、第二の領域１２Ｂは、切込み１６を境界にして複数の部分に分離可能であることが好ましい。
　また、本実施形態の粘着シート１０Ｂは、さらに、第二の領域１２Ｂの四辺には、１または２以上の切込み１７が設けられている。
　四辺に形成される切込み１７は、切込み対象の辺の長さ方向とは垂直の方向に、第二の領域１２Ｂの外周から、第一の領域１１Ｂと第二の領域１２Ｂとの境界にまで到達するように形成されることが好ましい。
　また、四辺に形成される切込み１７は、切込み対象の辺に等間隔に形成されることが好ましい。
　また、四辺に形成される切込み１７の深さは、粘着剤層の表層から、基材フィルムの裏面にまで達するように形成されていることが好ましい。なお、エキスパンド工程で、切込み１７を境界にして第二の領域１２Ｂを分離可能であれば、切込み１７は、必ずしも、粘着剤層の表層から、基材フィルムの裏面にまで達する深さにまで形成されている必要はない。なお、粘着シート１０Ｂは、エキスパンド工程により、第二の領域１２Ｂは、切込み１７を境界にして複数の部分に分離可能であることが好ましい。
　なお、図３において、第二の領域１２Ｂの四辺には、それぞれの辺に切込み１７を３つ示しているが、それぞれの辺に、１つの切込み１７を設けてもよいし、２つの切込み１７を設けてもよいし、または４つ以上の切込み１７を設けてもよい。
　本実施形態によれば、第二の領域１２Ｂの四隅に切込み１６が設けられている。また、この態様によれば、第二の領域１２Ｂの四辺に１または２以上の切込み１７が設けられている。
　エキスパンド工程では、把持部材などで粘着シート１０Ｂの第二の領域１２Ｂを掴んで、粘着シート１０Ｂを第一の方向Ｍ１、および第一の方向Ｍ１と直交する第二の方向Ｍ２の少なくともいずれかに沿って引き延ばす。例えば、本実施形態のように、略矩形状の第二の領域１２Ｂが四隅の切込み１６によって４つの部分に区画され、当該４つの部分の各辺に形成した切込み１７によってさらに複数部分に区画されている場合、エキスパンド工程においては、各部分を個別に掴んでシート外側方向に向かう力で引き延ばす。引き延ばしによって、第二の領域１２Ｂは、その四隅に形成された切込み１６を境界にして分離する。また、第二の領域１２Ｂは、その四辺に形成された切込み１７を境界にして分離する。
　このため、粘着シート１０Ｂを第一の方向Ｍ１、および第二の方向Ｍ２の少なくともいずれかに引き延ばすと、第二の領域１２Ｂが、四隅の切込み１６、四辺の切込み１７を境界にして分離するので、第一の領域１１Ｂがより延び易くなる。
　本実施形態のように第二の領域１２Ｂが複数の部分に分離している場合、分離したそれぞれの部分においては、第一の方向Ｍ１に引き延ばす力と第二の方向Ｍ２に引き延ばす力が合成されず、第一の方向に引き延ばす力、又は第二の方向に引き延ばす力が加わる。そのため、第一の領域１１Ｂに対して第一の方向Ｍ１に加える力と、第二の方向Ｍ２に加える力とを、個別に制御し易い。さらに、切込み１７によって第二の領域１２Ｂの各辺も分離されるので、各辺の位置に応じて、引き延ばす力を調整し易い。例えば、辺中央部の引き延ばす力を弱く、辺の端部の引き延ばす力を強くするなど、第一の領域１１Ｂの延び具合に応じて引き延ばす力を調整できる。
〔第四実施形態〕
　以下、本発明に係る第四実施形態の粘着シートを説明する。
　図４には、粘着シートの別形態を示す図が示されている。
　本実施形態の粘着シート１０Ｃと、第一実施形態の粘着シート１０とは、平面視において、第一の領域及び第二の領域の形状において相違する。その他の点に関しては、特に言及されることがなければ、粘着シート１０Ｃと粘着シート１０とはほぼ同様である。
　本実施形態の粘着シート１０Ｃは、平面視において、第一の領域１１Ｃは、略矩形状に形成され、第二の領域１２Ｃは、略円形状に形成されている。本実施形態の粘着シート１０Ｃは、図１Ｂに示す粘着剤層の上に補強部材を貼着した構成としてもよい。また、図２に示す第二の領域における粘着剤層に、エネルギー線照射によって硬化されたエネルギー線硬化型粘着剤を含有した構成としてもよい。
　上記形状を有する粘着シート１０Ｃは、例えば、図５に示す、環状のリングフレームＲＦと、略矩形状の離間テーブル７０とを備えた離間装置５０を用いた、エキスパンド工程での使用に適している。
　図５に示す離間装置５０は、複数の半導体チップＣＰの相互間隔を拡げる装置である。
　離間装置５０は、支持手段６０と、離間テーブル７０と、直動モータ８０とを備えている。支持手段６０はリングフレームＲＦを支持する。離間テーブル７０は、粘着シート１０Ｃを介して複数の半導体チップＣＰを支持する。直動モータ８０は、支持手段６０および離間テーブル７０を相互移動させて粘着シート１０Ｃに張力を付与する。
　支持手段６０は、リングフレームＲＦを受容可能な溝６１Ａを有する。支持手段６０は、それぞれ直動モータ８０の出力軸８０Ａで支持された一対の支持部材６１を備えている。
　離間テーブル７０は、平面視すなわち上方から見た外形が四角形である。離間テーブル７０は、第一の領域１１Ｃと略同一面積の平面形状とさせた支持面７０Ａを有している。
　上記の離間装置５０において、複数の半導体チップＣＰの相互間隔を拡げる手順を説明する。
　まず、図５において、実線で示すように、環状のリングフレームＲＦで粘着シート１０Ｃの略円形状の第二の領域１２Ｃを保持する。粘着シート１０Ｃを保持したリングフレームＲＦを支持部材６１の溝６１Ａに挿通させる。
　次に、直動モータ８０を駆動させて、支持部材６１を下降させ、図５の二点鎖線に示すように、離間テーブル７０をリングフレームＲＦの内側に通過させる。支持部材６１を下降させて、離間テーブル７０の支持面７０Ａの高さが、リングフレームＲＦの高さよりも相対的に高くなると、リングフレームＲＦの内側にて露出する略矩形状の第一の領域１１Ｃが離間テーブル７０の支持面７０Ａによって押し上げられる。この押し上げにより、第一の領域１１Ｃが、厚み方向と直交し、外側に向かう方向に拡張される。
　このとき、第一の領域１１Ｃの延びに比べて、第二の領域１２Ｃの延びは小さいため、引張弾性率が小さい第一の領域１１Ｃが選択的に延びる。そのため、第一の領域１１Ｃに貼着された複数の半導体チップＣＰの間隔を大きく拡げることができる。
〔第五実施形態〕
　以下、本発明に係る第五実施形態の粘着シートを説明する。
　図６には、粘着シートの別形態を示す図が示されている。
　本実施形態の粘着シート１０Ｄと、第一実施形態の粘着シート１０とは、平面視において、第一の領域及び第二の領域の形状において相違する。その他の点に関しては、特に言及されることがなければ、粘着シート１０Ｄと粘着シート１０とはほぼ同様である。
　本実施形態の粘着シート１０Ｄは、平面視において、第一の領域１１Ｄおよび第二の領域１２Ｄが、シート内側に向けて湾曲する４つの円弧１８で区画されている。本実施形態の粘着シート１０Ｄは、図１Ｂに示す粘着剤層の上に補強部材を貼着した構成としてもよい。また、図２に示す第二の領域における粘着剤層に、エネルギー線照射によって硬化されたエネルギー線硬化型粘着剤を含有した構成としてもよい。
　なお、４つの円弧１８の長さ並びに角度の大きさは、粘着シート１０Ｄを構成する基材フィルムのＭＤ方向の延び特性、およびＣＤ方向の延び特性に応じて適宜設定することが好ましい。
　本明細書において、「ＭＤ方向」とは、基材フィルムを与える原反の長手方向（原反の製造時の送り方向）に平行な方向を示す語として用いており、「ＣＤ方向」とは、ＭＤ方向と直交する方向を示す語として用いており、以下についても同様である。本明細書において、ＭＤは、Ｍａｃｈｉｎｅ　Ｄｉｒｅｃｔｉｏｎの略称であり、ＣＤは、Ｃｒｏｓｓ　Ｄｉｒｅｃｔｉｏｎの略称である。
　本実施形態によれば、第一の領域１１Ｄと第二の領域１２Ｄとが、シート内側に向けて湾曲する４つの円弧１８で区画されている。
　上記形状を有する粘着シート１０Ｄは、図５に示す、環状のリングフレームＲＦと、略矩形状の離間テーブル７０とを備えた離間装置５０を用いた、エキスパンド工程での使用に適している。
　離間装置の環状のリングフレームで粘着シート１０Ｄを保持し、離間テーブルをリングフレームの内側に通過させる。第一の領域１１Ｄは離間テーブルに押し上げられ、粘着シート１０Ｄの第一の領域１１Ｄが、厚み方向と直交し、外側に向かう方向に拡張される。
　このとき、第一の領域１１Ｄと第二の領域１２Ｄとを区画する円弧１８が引き延ばしによって直線に近い形状になる。結果として、拡張した状態の第一の領域１１Ｄは、矩形に近い形状になるので、複数の半導体チップＣＰ間の間隔をより均等に延ばすことができる。
〔第六実施形態〕
　以下、本発明に係る第六実施形態の半導体装置の製造方法を説明する。
　本実施形態では、上記実施形態の粘着シートを、ダイシングする際に半導体ウエハＷを貼着させる第一のダイシングシート１００として使用する。
　図７Ａには、第一のダイシングシート１００に貼着された半導体ウエハＷが示されている。
　半導体ウエハＷは、回路面Ｗ１を有し、回路面Ｗ１には、回路Ｗ２が形成されている。第一のダイシングシート１００は、半導体ウエハＷの回路面Ｗ１とは反対側の裏面Ｗ３に貼着されている。半導体ウエハＷは、第一のダイシングシート１００の第一の領域１０１に貼着される。
　半導体ウエハＷは、例えば、シリコンウエハであってもよいし、ガリウム・砒素などの化合物半導体ウエハであってもよい。半導体ウエハＷの回路面Ｗ１に回路Ｗ２を形成する方法としては、汎用されている方法が挙げられ、例えば、エッチング法、およびリフトオフ法などが挙げられる。
　半導体ウエハＷは、予め所定の厚みに研削して、裏面Ｗ３を露出させて第一のダイシングシート１００に貼着されている。半導体ウエハＷを研削する方法としては、特に限定されず、例えば、グラインダーなどを用いた公知の方法が挙げられる。半導体ウエハＷを研削する際には、回路Ｗ２を保護するために、表面保護シートを回路面Ｗ１に貼着させる。ウエハの裏面研削は、半導体ウエハＷの回路面Ｗ１側、すなわち表面保護シート側をチャックテーブル等により固定し、回路Ｗ２が形成されていない裏面側をグラインダーにより研削する。研削後の半導体ウエハＷの厚みは、特に限定はされず、通常は、２０μｍ以上５００μｍ以下である。
　第一のダイシングシート１００は、半導体ウエハＷおよび第一のリングフレームに貼着されていてもよい。この場合、第一のダイシングシート１００の第二の領域１０２における粘着剤層１０４の上に、第一のリングフレームおよび半導体ウエハＷを載置し、これらを軽く押圧し、固定する。
［ダイシング工程］
　図７Ｂには、第一のダイシングシート１００に保持された複数の半導体チップＣＰが示されている。
　第一のダイシングシート１００に保持された半導体ウエハＷは、ダイシングにより個片化され、複数の半導体チップＣＰが形成される。ダイシングには、ダイシングソーなどの切断手段が用いられる。ダイシングの際の切断深さは、半導体ウエハＷの厚さと、粘着剤層１０４の厚さとの合計、並びにダイシングソーの磨耗分を加味した深さに設定する。
　また、ダイシングによって個片化された複数の半導体チップＣＰ間には、ダイシングソーなどの切断手段の厚みに応じた間隔が形成される。本実施形態では、ダイシングによって生じた半導体チップＣＰ間の距離をＤとする。
［エキスパンド工程］
　図７Ｃには、複数の半導体チップＣＰを保持する第一のダイシングシート１００を引き延ばす工程（エキスパンド工程と称する場合がある。）を説明する図が示されている。
　エキスパンド工程では、ダイシングにより第一の領域１０１に貼着された半導体ウエハＷを複数の半導体チップＣＰに個片化した後、第二の領域１０２を掴んで第一のダイシングシート１００を引き延ばして、第一の領域１０１に貼着された複数の半導体チップＣＰ間の間隔を拡げる。エキスパンド工程において第一のダイシングシート１００を引き延ばす方法は、特に限定されない。第一のダイシングシート１００を引き延ばす方法としては、例えば、環状または円状のエキスパンダを押し当てて第一のダイシングシート１００を引き延ばす方法や、把持部材などを用いて第一のダイシングシート１００の外周部に位置する第二の領域１０２を掴んで引き延ばす方法などが挙げられる。
　本実施形態では、図７Ｃに示されているように、エキスパンド工程後の半導体チップＣＰ間の距離をＤ１とする。距離Ｄ１としては、例えば、２００μｍ以上５０００μｍ以下とすることが好ましい。
［転写工程］
　図８Ａには、エキスパンド工程の後に、複数の半導体チップＣＰを第一の転写用シート２００に転写する工程（転写工程と称する場合がある。）を説明する図が示されている。
　第一のダイシングシート１００を引き延ばして複数の半導体チップＣＰ間の距離Ｄ１を拡げた後、半導体チップＣＰの回路面Ｗ１に第一の転写用シート２００を貼着する。
　第一の転写用シート２００は、第二の基材フィルム２０３と、第二の粘着剤層２０４とを有する。第一の転写用シート２００は、回路面Ｗ１を第二の粘着剤層２０４で覆うように貼着されることが好ましい。
　第二の基材フィルム２０３の材質は、特に限定されない。第二の基材フィルム２０３の材質としては、例えば、ポリ塩化ビニル樹脂、ポリエステル樹脂（ポリエチレンテレフタレート等）、アクリル樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリエチレン樹脂、ポリプロピレン樹脂、アクリロニトリル・ブタジエン・スチレン樹脂、ポリイミド樹脂、ポリウレタン樹脂、およびポリスチレン樹脂などが挙げられる。
　第二の粘着剤層２０４に含まれる粘着剤は、特に限定されず広く適用できる。第二の粘着剤層２０４に含まれる粘着剤としては、例えば、ゴム系、アクリル系、シリコーン系、ポリエステル系、およびウレタン系等が挙げられる。なお、粘着剤の種類は、用途や貼着される被着体の種類等を考慮して選択される。
　図８Ｂには、第一のダイシングシート１００を剥離した後の、第一の転写用シート２００に保持された複数の半導体チップＣＰが示されている。
　第一の転写用シート２００を貼着した後、第一のダイシングシート１００を剥離すると、複数の半導体チップＣＰの裏面Ｗ３が露出する。第一のダイシングシート１００を剥離した後も、エキスパンド工程で引き延ばした、複数の半導体チップＣＰ間の距離Ｄ１は維持されている。
［封止工程］
　図９には、封止部材３０を用いて複数の半導体チップＣＰを封止する工程（封止工程と称する場合がある。）を説明する図が示されている。
　封止工程は、エキスパンド工程の後に実施される。回路面Ｗ１を残して複数の半導体チップＣＰを封止部材３０によって覆うことにより封止体３が形成される。複数の半導体チップＣＰの間にも封止部材３０が充填されている。本実施形態では、第一の転写用シート２００により回路面Ｗ１および回路Ｗ２が覆われているので、封止部材３０で回路面Ｗ１が覆われることを防止できる。
　封止工程により、所定距離ずつ離間した複数の半導体チップＣＰが封止部材に埋め込まれた封止体３が得られる。封止工程においては、複数の半導体チップＣＰは、距離Ｄ１が維持された状態で、封止部材３０により覆われることが好ましい。
　封止部材３０で複数の半導体チップＣＰを覆う方法は、特に限定されない。例えば、金型内に、第一の転写用シート２００で回路面Ｗ１を覆ったまま複数の半導体チップＣＰを収容し、金型内に流動性の樹脂材料を注入し、樹脂材料を硬化させる方法を採用してもよい。
　また、シート状の封止樹脂を複数の半導体チップＣＰの裏面Ｗ３を覆うように載置し、封止樹脂を加熱することで、複数の半導体チップＣＰを封止樹脂に埋め込ませる方法を採用してもよい。封止部材３０の材質としては、例えば、エポキシ樹脂などが挙げられる。封止部材３０として用いられるエポキシ樹脂には、例えば、フェノール樹脂、エラストマー、無機充填材、および硬化促進剤などが含まれていてもよい。
　封止工程の後、第一の転写用シート２００が剥離されると、半導体チップＣＰの回路面Ｗ１および封止体３の第一の転写用シート２００と接触していた面３Ａが露出する。
［半導体パッケージの製造工程］
　図１０Ａ，Ｂ，Ｃおよび図１１Ａ，Ｂ，Ｃには、複数の半導体チップＣＰを用いて半導体パッケージを製造する工程を説明する図が示されている。本実施形態は、このような半導体パッケージの製造工程を含んでいることが好ましい。
［再配線層形成工程］
　図１０Ａには、第一の転写用シート２００を剥離した後の封止体３の断面図が示されている。本実施形態では、第一の転写用シート２００が剥離された後の封止体３に再配線層を形成する再配線層形成工程をさらに含むことが好ましい。再配線層形成工程においては、露出した複数の半導体チップＣＰの回路Ｗ２と接続する再配線を、回路面Ｗ１の上および封止体３の面３Ａの上に形成する。再配線の形成に当たっては、まず、絶縁層を封止体３に形成する。
　図１０Ｂには、半導体チップＣＰの回路面Ｗ１および封止体３の面３Ａに第一の絶縁層４１を形成する工程を説明する断面図が示されている。絶縁性樹脂を含む第一の絶縁層４１を、回路面Ｗ１および面３Ａの上に、回路Ｗ２または回路Ｗ２の内部端子電極Ｗ４を露出させるように形成する。絶縁性樹脂としては、例えば、ポリイミド樹脂、ポリベンゾオキサゾール樹脂、およびシリコーン樹脂などが挙げられる。内部端子電極Ｗ４の材質は、導電性材料であれば限定されず、例えば、金、銀、銅やアルミニウムなどの金属、並びに合金などが挙げられる。
　図１０Ｃには、封止体３に封止された半導体チップＣＰと電気的に接続する再配線５を形成する工程を説明する断面図が示されている。本実施形態では、第一の絶縁層４１の形成に続いて再配線５を形成する。再配線５の材質は、導電性材料であれば限定されず、例えば、金、銀、銅やアルミニウムなどの金属、並びに合金などが挙げられる。再配線５は、公知の方法により形成できる。
　図１１Ａには、再配線５を覆う第二の絶縁層４２を形成する工程を説明する断面図が示されている。再配線５は、外部端子電極用の外部電極パッド５Ａを有する。第二の絶縁層４２には開口などを設けて、外部端子電極用の外部電極パッド５Ａを露出させる。本実施形態では、外部電極パッド５Ａは、封止体３の半導体チップＣＰの領域（回路面Ｗ１に対応する領域）内および領域外（封止部材３０上の面３Ａに対応する領域）に露出させている。また、再配線５は、外部電極パッド５Ａがアレイ状に配置されるように、封止体３の面３Ａに形成されている。本実施形態では、封止体３の半導体チップＣＰの領域外に外部電極パッド５Ａを露出させる構造を有するので、ファンアウト型のＷＬＰを得ることができる。
［外部端子電極との接続工程］
　図１１Ｂには、封止体３の外部電極パッド５Ａに外部端子電極６を接続させる工程を説明する断面図が示されている。第二の絶縁層４２から露出する外部電極パッド５Ａに、はんだボール等の外部端子電極６を載置し、はんだ接合などにより、外部端子電極６と外部電極パッド５Ａとを電気的に接続させる。はんだボールの材質は、特に限定されず、例えば、含鉛はんだや無鉛はんだ等が挙げられる。
［第二のダイシング工程］
　図１１Ｃには、外部端子電極６が接続された封止体３を個片化させる工程（第二のダイシング工程と称する場合がある。）を説明する断面図が示されている。この第二のダイシング工程では、封止体３を半導体チップＣＰ単位で個片化する。封止体３を個片化させる方法は、特に限定されない。例えば、前述の半導体ウエハＷをダイシングした方法と同様の方法を採用して、封止体３を個片化することができる。封止体３を個片化させる工程は、封止体３をダイシングシート等の粘着シートに貼着させて実施してもよい。
　封止体３を個片化することで、半導体チップＣＰ単位の半導体パッケージ１が製造される。上述のように半導体チップＣＰの領域外にファンアウトさせた外部電極パッド５Ａに外部端子電極６を接続させた半導体パッケージ１は、ファンアウト型のウエハレベルパッケージ（ＦＯ－ＷＬＰ）として製造される。
［実装工程］
　本実施形態では、個片化された半導体パッケージ１を、プリント配線基板等に実装する工程を含むことも好ましい。
　本実施形態によれば、上記実施形態の粘着シートを、ダイシングする際に半導体ウエハＷを貼着させる第一のダイシングシート１００として使用する。
　第一のダイシングシート１００の第一の領域１０１に貼着された半導体ウエハＷをダイシングにより個片化して複数の半導体チップＣＰを形成した後、第二の領域１０２を掴んで第一のダイシングシート１００を引き延ばすことで、複数の半導体チップＣＰ間の間隔を大きく拡げることができる。
　また、本実施形態によれば、複数の半導体チップＣＰ間の間隔を大きく拡げたうえで、封止部材３０で複数の半導体チップＣＰを覆うことができる。しかも、本実施形態によれば、個片化された半導体チップを、１個ずつ粘着シートから別の粘着シートや支持体にピック・アンド・プレイスによって再配列することなく、封止部材で覆うことができる。それゆえ、本実施形態によれば、ＷＬＰの製造プロセスの工程を簡略化することができる。
〔第七実施形態〕
　以下、本発明に係る第七実施形態の半導体装置の製造方法を説明する。
　第七実施形態は、第一のダイシングシート１００および第一の転写用シート２００に代えて、第二のダイシングシート３００および第二の転写用シート４００を使用し、上記実施形態の粘着シートを、第二の転写用シート４００として使用する点で、第六実施形態と相違する。第七実施形態は、その他の点において第六実施形態と同様であるため、説明を省略または簡略化する。
　図１２Ａには、第二のダイシングシート３００（第一の粘着シート）に貼着された半導体ウエハＷが示されている。
　本実施形態では、第二のダイシングシート３００に半導体ウエハを貼着させる。この第二のダイシングシート３００は、上記実施形態の粘着シートを用いてもよいし、上記実施形態の粘着シートとは異なるシートを用いてもよい。
［ダイシング工程］
　図１２Ｂには、第二のダイシングシート３００に保持された複数の半導体チップＣＰが示されている。
　第二のダイシングシート３００に保持された半導体ウエハＷは、ダイシングにより個片化され、複数の半導体チップＣＰが形成される。
［転写工程］
　図１２Ｃには、ダイシングにより個片化した複数の半導体チップＣＰを第二の転写用シート４００に転写する工程（転写工程と称する場合がある。）を説明する図が示されている。
　本実施形態では、上記実施形態の粘着シートを、第二の転写用シート４００として使用する。
　ダイシングにより複数の半導体チップＣＰを形成した後、半導体チップＣＰの回路面Ｗ１に第二の転写用シート４００を貼着する。複数の半導体チップＣＰは、第二の転写用シート４００の第一の領域４０１に貼着される。
　図１３Ａには、第二のダイシングシート３００を剥離した後の、第二の転写用シート４００に保持された複数の半導体チップＣＰが示されている。複数の半導体チップＣＰは、第二の転写用シート４００の第一の領域４０１に転写されている。
　第二の転写用シート４００を貼着した後、第二のダイシングシート３００を剥離すると、複数の半導体チップＣＰの裏面Ｗ３が露出する。第二のダイシングシート３００を剥離した後も、ダイシングにより生じた複数の半導体チップＣＰ間の距離Ｄが維持されていることが好ましい。
［エキスパンド工程］
　図１３Ｂには、複数の半導体チップＣＰを保持する第二の転写用シート４００を引き延ばす工程（エキスパンド工程と称する場合がある。）を説明する図が示されている。
　エキスパンド工程では、第二の領域４０２を掴んで第二の転写用シート４００を引き延ばして、第一の領域４０１に貼着された複数の半導体チップＣＰ間の間隔を拡げる。
　エキスパンド工程において第二の転写用シート４００を引き延ばす方法は、特に限定されない。第二の転写用シート４００を引き延ばす方法としては、例えば、環状または円状のエキスパンダを押し当てて第二の転写用シート４００を引き延ばす方法や、把持部材などを用いて第二の転写用シート４００の外周部に位置する第二の領域４０２を掴んで引き延ばす方法などが挙げられる。
　本実施形態では、図１３Ｂに示されているように、エキスパンド工程後の半導体チップＣＰ間の距離をＤ１とする。距離Ｄ１としては、例えば、２００μｍ以上５０００μｍ以下とすることが好ましい。
　本実施形態によれば、上記実施形態の粘着シートを、ダイシングにより個片化した複数の半導体チップＣＰを転写させ、半導体チップＣＰ間の間隔を拡げる際に使用する第二の転写用シート４００として使用する。
　第二のダイシングシート３００上でダイシングにより形成した複数の半導体チップＣＰを第二の転写用シート４００の第一の領域４０１に転写し、第二のダイシングシート３００を剥離する。その後、第二の領域４０２を保持して第二の転写用シート４００を引き延ばすことで、複数の半導体チップＣＰ間の間隔を大きく拡げることができる。また、第六実施形態と同様、本実施形態によっても、ＷＬＰの製造プロセスの工程を簡略化することができる。
〔実施形態の変形〕
　本発明は、上述の実施形態に何ら限定されない。本発明は、本発明の目的を達成できる範囲で、上述の実施形態を変形した態様などを含む。
　例えば、半導体ウエハＷや半導体チップＣＰにおける回路等は、図示した配列や形状等に限定されない。半導体パッケージ１における外部端子電極６との接続構造等も、前述の実施形態で説明した態様に限定されない。
　また、補強部材１５を、粘着剤層１４の第二の領域１２に対応する部位に貼着することを説明したが、本発明は、このような態様に限定されない。例えば、補強部材１５は、基材フィルム１３の第一の面１３Ａとは反対側の第二の面１３Ｂに貼着されてもよい。
　また、補強部材１５は、粘着シート１０の粘着剤層１４の上と、第二の面１３Ｂとにそれぞれ貼着されてもよい。
　また、第三実施形態では、粘着シート１０Ｂの第二の領域１２Ｂの四辺に切込み１７を設ける説明をしたが、本発明は、このような態様に限定されない。例えば、四辺に形成される切込み１７は、粘着シート１０Ｂの中心から外周に向かう、放射状の方向に沿って形成されてもよい。
　また、四辺に形成される切込み１７は、切込み対象の辺の中央部付近の切込みの数を多く、辺の端部付近の切込みの数を少なくしてもよい。
　また、四辺に形成される切込み１７は、粘着シート１０Ｂを構成する基材フィルムのＭＤ方向とＣＤ方向とで、切込み１７を形成する位置、切込み１７の数を変更してもよい。
　第六実施形態では、実施形態の粘着シート１０，１０Ａ～１０Ｄを第一のダイシングシート１００として使用する例を説明したが、本発明の粘着シートはこれらの例に限られない。また、第七実施形態では、実施形態の粘着シート１０，１０Ａ～１０Ｄを第二の転写用シート４００として使用する例を説明したが、本発明の粘着シートはこれらの例に限られない。実施形態の粘着シート１０，１０Ａ～１０Ｄをダイシングシートおよび転写用シートの双方に採用してもよい。この場合、転写用シートの粘着剤層の粘着力がダイシングシートの粘着剤層の粘着力よりも大きいことが好ましい。
　本発明は、粘着シートおよび半導体装置の製造方法に利用できる。
　１０，１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ，１０Ｄ…粘着シート、１１，１１Ａ，１１Ｂ，１１Ｃ，１１Ｄ…第一の領域、１２，１２Ａ，１２Ｂ，１２Ｃ，１２Ｄ…第二の領域、１３…基材フィルム、１４，１４Ａ，１４Ｂ…粘着剤層、１５…補強部材、１６…切込み、１７…切込み、１８…円弧、３０…封止部材、１００…第一のダイシングシート、２００…第一の転写用シート、３００…第二のダイシングシート、４００…第二の転写用シート、ＣＰ…半導体チップ、Ｗ…半導体ウエハ。

Claims (12)

  1. 　被着体が貼着される第一の領域と、
    　前記第一の領域の外周に設けられた第二の領域と、を備え、
    　前記第一の領域の引張弾性率は、前記第二の領域の引張弾性率よりも小さい、粘着シート。
  2. 　基材フィルムと、
    　前記基材フィルムに積層された粘着剤層と、を有し、
    　前記被着体は、複数の半導体チップであり、
    　前記第一の領域は、前記粘着シートの平面視において、シート中央部に設けられた、
    　請求項１に記載の粘着シート。
  3. 　前記粘着シートの平面視において、前記第一の領域および前記第二の領域は、それぞれ略矩形状に形成され、
    　前記第二の領域の四隅に切込みが設けられた、
    　請求項１または請求項２に記載の粘着シート。
  4. 　前記第二の領域の四辺に１または２以上の切込みが設けられた、
    　請求項３に記載の粘着シート。
  5. 　前記粘着シートの平面視において、前記第一の領域は、略矩形状に形成され、前記第二の領域は、略円形状に形成された、
    　請求項１または請求項２に記載の粘着シート。
  6. 　前記第一の領域および前記第二の領域は、前記粘着シートの平面視において、シート内側に向けて湾曲する４つの円弧で区画された、
    　請求項１または請求項２に記載の粘着シート。
  7. 　前記粘着剤層の前記第二の領域に対応する部位に貼着された補強部材をさらに有し、
    　前記補強部材の引張弾性率は、前記基材フィルムの引張弾性率よりも大きい、
    　請求項２から請求項６のいずれか一項に記載の粘着シート。
  8. 　前記第二の領域における前記粘着剤層は、エネルギー線照射によって硬化されたエネルギー線硬化型粘着剤を含有する、
    　請求項２から請求項６のいずれか一項に記載の粘着シート。
  9. 　前記第一の領域の引張弾性率は、３０ＭＰａ以上１０００ＭＰａ以下であり、
    　前記第二の領域の引張弾性率は、１００ＭＰａ以上６０００ＭＰａ以下である、
    　請求項１から請求項８のいずれか一項に記載の粘着シート。
  10. 　請求項１から請求項９のいずれか一項に記載の粘着シートの前記第一の領域にウエハを貼着する工程と、
    　前記粘着シートに貼着されたウエハをダイシングにより個片化し、複数の半導体チップを形成する工程と、
    　前記粘着シートの前記第二の領域を保持して前記粘着シートを引き延ばし、前記第一の領域に貼着された前記複数の半導体チップ同士の間隔を拡げる工程と、を備える、
    　半導体装置の製造方法。
  11. 　第一の粘着シートに貼着されたウエハをダイシングにより個片化し、複数の半導体チップを形成する工程と、
    　前記複数の半導体チップを、請求項１から請求項９のいずれか一項に記載の粘着シートの前記第一の領域に転写する工程と、
    　前記第一の粘着シートを剥離する工程と、
    　前記粘着シートの前記第二の領域を保持して前記粘着シートを引き延ばし、前記第一の領域に貼着された前記複数の半導体チップ同士の間隔を拡げる工程と、を備える、
    　半導体装置の製造方法。
  12. 　前記粘着シートを引き延ばして、前記複数の半導体チップ同士の間隔を拡げた後、前記複数の半導体チップの回路面を残して封止部材で覆う工程をさらに備える、
    　請求項１０または請求項１１に記載の半導体装置の製造方法。
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