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WO2016159501A1 - 터치 센서 - Google Patents

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Publication number
WO2016159501A1
WO2016159501A1 PCT/KR2016/000619 KR2016000619W WO2016159501A1 WO 2016159501 A1 WO2016159501 A1 WO 2016159501A1 KR 2016000619 W KR2016000619 W KR 2016000619W WO 2016159501 A1 WO2016159501 A1 WO 2016159501A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
mesh pattern
pattern
touch sensor
bridge electrode
auxiliary
Prior art date
Application number
PCT/KR2016/000619
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
최병진
박동필
이재현
Original Assignee
동우화인켐 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 동우화인켐 주식회사 filed Critical 동우화인켐 주식회사
Priority to CN201680019596.7A priority Critical patent/CN107533410B/zh
Publication of WO2016159501A1 publication Critical patent/WO2016159501A1/ko
Priority to US15/716,731 priority patent/US10606383B2/en

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    • H03K2217/96—Touch switches
    • H03K2217/9607—Capacitive touch switches
    • H03K2217/960755—Constructional details of capacitive touch and proximity switches

Definitions

  • the present invention relates to a touch sensor.
  • the technology related to the input device is shifting to high reliability, durability, innovation, design and processing related technology beyond the level that meets the general function, and in order to achieve this purpose, information input such as text, graphics, etc.
  • Touch panel has been developed as a possible input device.
  • the touch panel is a display surface of an electronic organizer, a liquid crystal display device (LCD), a flat panel display device such as a plasma display panel (PDP), an electroluminescence (El), and an image display device such as a cathode ray tube (CRT).
  • LCD liquid crystal display device
  • PDP plasma display panel
  • El electroluminescence
  • CRT cathode ray tube
  • touch panel resistive type, capacitive type, electro-magnetic type, SAW type, surface acoustic wave type, and infrared type. Separated by. These various touch panels are adopted in electronic products in consideration of the problems of signal amplification, difference in resolution, difficulty of design and processing technology, optical characteristics, electrical characteristics, mechanical characteristics, environmental characteristics, input characteristics, durability, and economics. Currently, the most popular method in a wide range of fields is a capacitive touch panel.
  • An object of the present invention is to provide a touch sensor in which moiré phenomenon is suppressed.
  • An object of the present invention is to provide a touch sensor with improved touch sensitivity.
  • An object of the present invention is to provide a touch sensor in which the detection pattern is suppressed from being recognized.
  • a sensing pattern comprising a first mesh pattern formed in a first direction and a second mesh pattern formed in a second direction;
  • an auxiliary mesh pattern positioned above or below at least one of the first mesh pattern and the second mesh pattern and connected to at least one of the first mesh pattern and the second mesh pattern.
  • the sensing pattern is molybdenum, silver, aluminum, copper, palladium, gold, platinum, zinc, tin, titanium, chromium, nickel, tungsten or two or more of these alloys; Or indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), zinc oxide (ZnO), indium zinc oxide (IZTO), cadmium tin oxide (CTO), copper oxide (CO), PEDOT (poly (3,4-, ethylenedioxythiophene)), carbon nanotubes (CNT) or graphene (graphene), a touch sensor.
  • ITO indium tin oxide
  • IZO indium zinc oxide
  • ZnO zinc oxide
  • IZTO indium zinc oxide
  • CTO cadmium tin oxide
  • CO copper oxide
  • PEDOT poly (3,4-, ethylenedioxythiophene)
  • carbon nanotubes CNT
  • graphene graphene
  • the bridge electrode is molybdenum, silver, aluminum, copper, palladium, gold, platinum, zinc, tin, titanium, chromium, nickel, tungsten or two or more of these alloys; Or indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), zinc oxide (ZnO), indium zinc oxide (IZTO), cadmium tin oxide (CTO), copper oxide (CO), PEDOT (poly (3,4-, ethylenedioxythiophene)), carbon nanotubes (CNT) or graphene (graphene), a touch sensor.
  • ITO indium tin oxide
  • IZO indium zinc oxide
  • ZnO zinc oxide
  • IZTO indium zinc oxide
  • CTO cadmium tin oxide
  • CO copper oxide
  • PEDOT poly (3,4-, ethylenedioxythiophene)
  • carbon nanotubes CNT
  • graphene graphene
  • the touch sensor In the above 1, wherein the auxiliary mesh pattern is located on the same side as the bridge electrode on the basis of the detection pattern, the touch sensor.
  • the touch sensor In the above 5, wherein the auxiliary mesh pattern is the same material as the bridge electrode, formed in one process, the touch sensor.
  • the touch sensor 7. In the above 1, wherein the bridge electrode is a mesh pattern, the touch sensor.
  • the auxiliary mesh pattern is connected to the sensing pattern through a contact hole formed in the insulating layer, the touch sensor.
  • the first auxiliary mesh pattern positioned above or below the first mesh pattern is connected to the first mesh pattern, and the second auxiliary mesh pattern positioned above or below the second mesh pattern is the second mesh.
  • Touch sensor connected to the pattern.
  • a sensing pattern comprising a first mesh pattern formed in a first direction on a substrate and a second mesh pattern formed in a second direction;
  • an auxiliary mesh pattern positioned on the same side as the bridge electrode based on the sensing pattern and connected to at least one of a first mesh pattern and a second mesh pattern.
  • auxiliary mesh pattern is formed of the same material as the bridge electrode and is simultaneously formed in one process.
  • the touch sensor of the present invention can suppress the moiré phenomenon from being recognized by the user.
  • the auxiliary mesh pattern may transmit the touch contact signal even when the sensing pattern is disconnected. This can significantly improve the touch sensitivity.
  • the touch sensor of the present invention can form a sensing pattern with a thinner thickness, and can suppress the sensing pattern from being recognized by the user.
  • FIG. 1 is a schematic perspective view of a touch sensor according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is a schematic perspective view of a touch sensor according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is a schematic perspective view of a touch sensor according to an embodiment of the present invention.
  • FIG. 4 is a schematic perspective view of a touch sensor according to an embodiment of the present invention.
  • FIG 5 is an enlarged cross-sectional view of a bridge electrode in the touch sensor according to the exemplary embodiment of the present invention.
  • FIG. 6 is a schematic perspective view of a touch sensor according to an embodiment of the present invention.
  • the present invention provides a sensing pattern including a first mesh pattern formed in a first direction and a second mesh pattern formed in a second direction; A bridge electrode connecting the spaced unit patterns of the second mesh pattern; An insulating layer interposed between the sensing pattern and the bridge electrode; And an auxiliary mesh pattern positioned above or below at least one of the first mesh pattern and the second mesh pattern, and connected to at least one of the first mesh pattern and the second mesh pattern, thereby improving touch sensitivity.
  • the present invention relates to a touch sensor capable of suppressing the detection pattern from being recognized by the user and suppressing the recognition of the moiré phenomenon by the user.
  • the touch sensor of the present invention includes a sensing pattern, a bridge electrode 30, an insulating layer 40, and an auxiliary mesh pattern.
  • the sensing pattern may include a first mesh pattern 10 formed in a first direction and a second mesh pattern 20 formed in a second direction.
  • the first mesh pattern 10 and the second mesh pattern 20 are disposed in different directions.
  • the first direction may be an X-axis direction
  • the second direction may be a Y-axis direction vertically intersecting with the second direction, but is not limited thereto.
  • the first mesh pattern 10 and the second mesh pattern 20 provide information about the X coordinate and the Y coordinate of the touched point. Specifically, when a human hand or an object contacts the cover window substrate, the change of capacitance according to the contact position toward the driving circuit via the first mesh pattern 10, the second mesh pattern 20, and the position detection line. Is passed. Then, the contact position is grasped by the change of the capacitance converted into an electrical signal by the X and Y input processing circuit (not shown) or the like.
  • the first mesh pattern 10 and the second mesh pattern 20 are formed on the same layer, and each pattern must be electrically connected to detect a touched point.
  • the first mesh pattern 10 is connected to each other but the second mesh pattern 20 has a structure in which the unit patterns are separated from each other in an island form, the second mesh pattern 20 is electrically connected to the second mesh pattern 20.
  • a separate bridge electrode 30 is required. The bridge electrode 30 will be described later.
  • the specific form of the mesh structure is not particularly limited.
  • a rectangular rectangular mesh structure, a rhombus mesh structure, a hexagonal mesh structure, etc. may be mentioned, but it is not limited to this.
  • the length of the long side may be, for example, 2 to 500 ⁇ m, and may be appropriately adjusted according to electrical conductivity, transmittance, and the like within the above range.
  • the width of the mesh pattern is not particularly limited, and may be, for example, 1 to 30 ⁇ m, preferably 1 to 20 ⁇ m, but is not limited thereto.
  • the width of the metal mesh pattern is 1 to 30 mu m, the visibility of the pattern may be reduced and appropriate electrical resistance may be obtained.
  • the thickness of the sensing pattern is not particularly limited, and may be, for example, 10 to 350 nm. When the thickness of the sensing pattern is less than 10 nm, the electrical resistance may increase, and thus the touch sensitivity may be lowered. When the thickness of the sensing pattern is greater than 350 nm, the reflectance may increase, thereby causing a problem of visibility.
  • the sensing pattern can be applied to metals having good electrical conductivity and low resistance without limitation, for example, molybdenum, silver, aluminum, copper, palladium, gold, platinum, zinc, tin, titanium, chromium, nickel, tungsten or the like. 2 or more types of alloys are mentioned.
  • a transparent electrode material known in the art may be further used.
  • ITO indium tin oxide
  • IZO indium zinc oxide
  • ZnO zinc oxide
  • IZTO indium zinc oxide
  • CTO cadmium tin oxide
  • CO copper oxide
  • PEDOT poly (3, 4-ethylenedioxythiophene)
  • carbon nanotubes CNT
  • graphene graphene
  • the method of forming the sensing pattern is not particularly limited, and for example, may be formed by various thin film deposition techniques such as physical vapor deposition (PVD) and chemical vapor deposition (Chemical VaporDeposition, CVD). For example, it may be formed by reactive sputtering, which is an example of physical vapor deposition.
  • PVD physical vapor deposition
  • CVD chemical vapor deposition
  • reactive sputtering which is an example of physical vapor deposition.
  • the sensing pattern may be formed by a printing process.
  • various printing methods such as gravure off set, reverse off set, inkjet printing, screen printing, and gravure printing may be used.
  • it may be formed by photolithography.
  • the bridge electrode 30 connects spaced unit patterns of the second mesh pattern 20.
  • the insulating layer 40 is formed for this purpose. This will be described later.
  • the bridge electrode 30 may be applied without limitation to the transparent electrode material known in the art.
  • indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), zinc oxide (ZnO), indium zinc tin oxide (IZTO), cadmium tin oxide (CTO), PEDOT (poly (3,4-ethylenedioxythiophene)) , Carbon nanotubes (CNT), graphene (graphene) and the like these may be used alone or in combination of two or more.
  • ITO indium tin oxide
  • ITO indium zinc oxide
  • ZnO zinc oxide
  • IZTO indium zinc tin oxide
  • CTO cadmium tin oxide
  • PEDOT poly (3,4-ethylenedioxythiophene)
  • Carbon nanotubes CNT
  • graphene graphene
  • metals with good electrical conductivity and low resistance can be applied without limitation, for example, molybdenum, silver, aluminum, copper, palladium, gold, platinum, zinc, tin, titanium, chromium, nickel, tungsten or two of them. And alloys of species or more.
  • the size of the bridge electrode 30 is not particularly limited, and for example, the long side of the bridge electrode 30 may be 2 to 500 ⁇ m, preferably 2 to 300 ⁇ m, but is not limited thereto. When the long side of the bridge electrode 30 is 2 to 500 ⁇ m, the visibility of the pattern may be reduced and may have an appropriate electrical resistance.
  • the bridge of the bridge electrode 30 may have a bar structure, for example.
  • the bridge electrode 30 may have a single bridge, for example as illustrated in FIG. 1, or may have two or more bridges as illustrated in FIG. 2. When the bridge electrode 30 has two or more bridges, it is advantageous in terms of resistance and visibility.
  • the bridge electrode 30 may have an opening as illustrated in FIG. 3. In such a case, the area of the bridge electrode 30 may be reduced to improve flexibility and visibility of the touch sensor.
  • the bridge electrode 30 may have a mesh structure as illustrated in FIG. 6. In such a case, the flexibility of the touch sensor can be improved by reducing the area of the bridge electrode 30.
  • the stacking order of the sensing pattern and the bridge electrode 30 is not particularly limited, and as illustrated in FIG. 1, the bridge electrode 30 may be positioned above the sensing pattern. As illustrated, the bridge electrode 30 may be located under the sensing pattern.
  • the formation method of the bridge electrode 30 is not specifically limited, For example, the method illustrated as the formation method of the above-mentioned sensing pattern can be used.
  • the insulating layer 40 is interposed between the sensing pattern and the bridge electrode 30 to insulate the first mesh pattern 10 and the second mesh pattern 20.
  • the insulating layer 40 may be located in an island form only at the intersection of the sensing pattern and the bridge electrode 30, or may be entirely located in a layer form as illustrated in FIG. 5.
  • the second mesh pattern 20 is directly connected to the bridge electrode 30, and when the insulating layer 40 is positioned in a layer form, the second mesh pattern 20 may be It is connected to the bridge through a contact hole 50 formed in the insulating layer 40.
  • the insulating layer 40 can be formed using any material and method used in the art without particular limitation.
  • the touch sensor of the present invention further includes an auxiliary mesh pattern.
  • the auxiliary mesh pattern is positioned above or below at least one of the first mesh pattern 10 and the second mesh pattern 20, and is formed in at least one of the first mesh pattern 10 and the second mesh pattern 20. Connected.
  • the auxiliary mesh pattern is connected to at least one of the first mesh pattern 10 and the second mesh pattern 20. Even when the mesh pattern of the sensing pattern is disconnected, the touch position information may be transmitted through the auxiliary mesh pattern connected thereto, thereby significantly improving the touch sensitivity. In addition, since the resistance of the sensing pattern can be lowered, the sensing pattern can be formed to a thinner thickness. As a result, the degradation in visibility caused by the thickness of the sensing pattern can be suppressed.
  • the user can recognize the moiré phenomenon by a combination of regular mesh pattern shapes in the touch sensor.
  • the auxiliary mesh pattern exists above or below the sensing pattern, irregularities of the pattern increase. This can reduce the recognition of the moiré phenomenon.
  • the first auxiliary mesh pattern 60 positioned above or below the first mesh pattern 10 may be connected to the first mesh pattern 10, and may be formed on the upper side or the lower side of the second mesh pattern 20.
  • the second auxiliary mesh pattern 70 may be connected to the second mesh pattern 20.
  • first auxiliary mesh pattern 60 positioned above the first mesh pattern 10 and a second auxiliary mesh pattern 70 positioned above the second mesh pattern 20 are provided.
  • 4 is provided with a first auxiliary mesh pattern 60 positioned below the first mesh pattern 10 and a second auxiliary mesh pattern 70 positioned below the second mesh pattern 20. Illustrate the case, but is not limited thereto.
  • the width of the auxiliary mesh pattern is not particularly limited, and may be, for example, 1 to 30 ⁇ m, and preferably 1 to 20 ⁇ m, but is not limited thereto.
  • the width of the metal mesh pattern is 1 to 30 mu m, the visibility of the pattern may be reduced and appropriate electrical resistance may be obtained. It may be appropriately adjusted in consideration of electrical conductivity and visibility within the above range.
  • the thickness of the auxiliary mesh pattern is not particularly limited, and may be, for example, 10 to 350 nm.
  • the electrical resistance may increase, and thus the touch sensitivity may be lowered.
  • the thickness of the sensing pattern is greater than 350 nm, the reflectance may increase, thereby causing a problem of visibility.
  • the auxiliary mesh pattern may be applied without limitation to the transparent electrode material known in the art.
  • transparent electrode material known in the art.
  • ITO indium tin oxide
  • IZO indium zinc oxide
  • ZnO zinc oxide
  • IZTO indium zinc tin oxide
  • CTO cadmium tin oxide
  • PEDOT poly (3,4-ethylenedioxythiophene)
  • Carbon nanotubes CNT
  • graphene graphene
  • metals with good electrical conductivity and low resistance can be applied without limitation, for example, molybdenum, silver, aluminum, copper, palladium, gold, platinum, zinc, tin, titanium, chromium, nickel, tungsten or two of them. And alloys of species or more.
  • the same material as that of the bridge electrode 30 may be used. If the auxiliary mesh pattern is formed of the same material as the bridge electrode 30 when the auxiliary mesh pattern is located on the same side as the bridge electrode 30, the auxiliary mesh pattern can be formed in one step at the time of forming the bridge electrode 30.
  • the auxiliary mesh pattern may be positioned on the same side as the bridge electrode 30 based on the sensing pattern. In such a case, it is preferable in view of the bridge electrode 30 being formed in one process to simplify the process.
  • the auxiliary mesh pattern is directly connected to the sensing pattern when the insulating layer 40 is located in an island form, and is connected to the sensing pattern through the contact hole 50 as illustrated in FIG.
  • the number and positions of the contact holes 50 are not particularly limited, and a plurality of contact holes 50 are preferably present throughout the entire touch area. However, the contact hole 50 may be visually recognized by the user.
  • the hole 50 is preferably formed to be concentrated at a position where the electric field is concentrated (for example, around the contact point of the first mesh pattern 10 and the bridge electrode 30), and is dispersed and formed in the entire touch area.
  • first auxiliary mesh pattern 60 and the second auxiliary mesh pattern 70 are also insulated from each other.
  • first auxiliary mesh pattern 60 is also insulated from the bridge electrode 30.
  • the second auxiliary mesh pattern 70 may be connected through the bridge electrode 30. In such a case, the resistance of the bridge electrode 30 can be reduced.
  • the method of forming the auxiliary mesh pattern is not particularly limited, and for example, the method exemplified as the method of forming the sensing pattern may be used.
  • the touch sensor of the present invention may be located on the substrate 100.
  • the substrate 100 may be a material commonly used in the art without limitation, for example, glass, polyethersulphone (PES), polyacrylate (PAR, polyacrylate), polyether imide (PEI, polyetherimide, polyethylene naphthalate (PEN, polyethyelenen napthalate), polyethylene terephthalate (PET, polyethyelene terepthalate), polyphenylene sulfide (PPS), polyallylate, polyimide, polycarbonate ( PC, polycarbonate), cellulose tri acetate (TAC), cellulose acetate propionate (CAP), and the like.
  • PES polyethersulphone
  • PAR polyacrylate
  • PEI polyether imide
  • PEN polyethylene naphthalate
  • PET polyethyelene terepthalate
  • PPS polyphenylene sulfide
  • PC polycarbonate
  • TAC cellulose tri acetate
  • CAP cellulose acetate propionate
  • first mesh pattern 20 second mesh pattern
  • bridge electrode 40 insulating layer

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Abstract

본 발명은 터치 센서에 관한 것으로, 보다 상세하게는 제1 방향으로 형성된 제1 메쉬 패턴 및 제2 방향으로 형성된 제2 메쉬 패턴을 포함하는 감지 패턴; 상기 제2 메쉬 패턴의 이격된 단위 패턴을 연결하는 브릿지 전극; 상기 감지 패턴과 브릿지 전극 사이에 개재된 절연층; 및 상기 제1 메쉬 패턴 및 제2 메쉬 패턴 중 적어도 하나의 상측 또는 하측에 위치하며, 제1 메쉬 패턴 및 제2 메쉬 패턴 중 적어도 하나에 연결된 보조 메쉬 패턴;을 포함함으로써, 터치 민감도를 개선하고, 감지 패턴이 사용자에게 시인되는 것을 억제할 수 있으며, 사용자에게 모아레 현상이 인식되는 것을 억제할 수 있는 터치 센서에 관한 것이다.

Description

터치 센서
본 발명은 터치 센서에 관한 것이다.
디지털 기술을 이용하는 컴퓨터가 발달함에 따라 컴퓨터의 보조 장치들도 함께 개발되고 있으며, 개인용 컴퓨터, 휴대용 전송장치, 그 밖의 개인 전용 정보처리장치 등은 키보드, 마우스와 같은 다양한 입력장치(Input Device)를 이용하여 텍스트 및 그래픽 처리를 수행한다.
하지만, 정보화 사회의 급속한 진행에 따라 컴퓨터의 용도가 점점 확대되는 추세에 있는 바, 현재 입력장치 역할을 담당하는 키보드 및 마우스만으로는 효율적인 제품의 구동이 어려운 문제점이 있다. 따라서, 간단하고 오조작이 적을 뿐 아니라, 누구라도 쉽게 정보입력이 가능한 기기의 필요성이 높아지고 있다.
또한, 입력장치에 관한 기술은 일반적 기능을 충족시키는 수준을 넘어서 고 신뢰성, 내구성, 혁신성, 설계 및 가공 관련기술 등으로 관심이 바뀌고 있으며, 이러한 목적을 달성하기 위해서 텍스트, 그래픽 등의 정보 입력이 가능한 입력장치로서 터치패널(Touch panel)이 개발되었다.
이러한 터치패널은 전자수첩, 액정표시장치(LCD; Liquid Crystal Display Device), PDP(Plasma Display Panel), El(Electroluminescence) 등의 평판 디스플레이 장치 및 CRT(Cathode Ray Tube)와 같은 화상표시장치의 표시면에 설치되어, 사용자가 화상표시장치를 보면서 원하는 정보를 선택하도록 하는데 이용되는 도구이다.
터치패널의 종류는 저항막방식(Resistive Type), 정전용량방식(Capacitive Type), 전기자기장방식(Electro-Magnetic Type), 소오방식(SAW Type; Surface Acoustic Wave Type) 및 인프라레드방식(Infrared Type)으로 구분된다. 이러한 다양한 방식의 터치패널은 신호 증폭의 문제, 해상도의 차이, 설계 및 가공 기술의 난이도, 광학적 특성, 전기적 특성, 기계적 특성, 내환경 특성, 입력 특성, 내구성 및 경제성을 고려하여 전자제품에 채용되는데, 현재 광범위한 분야에서 가장 각광받고 있는 방식은 정전용량방식 터치패널이다.
한편, 일반적으로 하기의 일본공개공보 제2011-248722호에서와 같이, 전극패턴의 시인성을 저감시키기 위해 다양한 방법들이 제안되고 있다. 전극패턴이 중첩되는 부분의 형상에 대한 각도나 형태를 조절함으로써 전극패턴이 인식되는 것을 경감시켜 전체 터치패널 시인성을 향상시키는 것이다. 그러나, 그러한 형상들의 변경에는 형태상의 한계와 더불어, 규칙적인 형상의 조합에 따른 모아레가 발생되는 등 전극패턴의 시인성에 다양한 문제가 발생되었다.
[선행기술문헌]
[특허문헌]
일본공개공보 제2011-248722호
본 발명은 모아레 현상이 억제된 터치 센서를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 터치 민감도가 개선된 터치 센서를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 감지 패턴이 시인되는 것이 억제된 터치 센서를 제공하는 것을 목적으로 한다.
1. 제1 방향으로 형성된 제1 메쉬 패턴 및 제2 방향으로 형성된 제2 메쉬 패턴을 포함하는 감지 패턴;
상기 제2 메쉬 패턴의 이격된 단위 패턴을 연결하는 브릿지 전극;
상기 감지 패턴과 브릿지 전극 사이에 개재된 절연층; 및
상기 제1 메쉬 패턴 및 제2 메쉬 패턴 중 적어도 하나의 상측 또는 하측에 위치하며, 제1 메쉬 패턴 및 제2 메쉬 패턴 중 적어도 하나에 연결된 보조 메쉬 패턴;을 포함하는, 터치 센서.
2. 위 1에 있어서, 상기 감지 패턴은 몰리브덴, 은, 알루미늄, 구리, 팔라듐, 금, 백금, 아연, 주석, 티타늄, 크롬, 니켈, 텅스텐 또는 이들 중 2종 이상의 합금; 또는 인듐주석산화물(ITO), 인듐아연산화물(IZO), 아연산화물(ZnO), 인듐아연주석산화물(IZTO), 카드뮴주석산화물(CTO), 구리산화물(CO), PEDOT(poly(3,4-ethylenedioxythiophene)), 탄소나노튜브(CNT) 또는 그래핀(graphene)으로 형성된, 터치 센서.
3. 위 1에 있어서, 상기 감지 패턴은 두께가 10 내지 350nm인, 터치 센서.
4. 위 1에 있어서, 상기 브릿지 전극은 몰리브덴, 은, 알루미늄, 구리, 팔라듐, 금, 백금, 아연, 주석, 티타늄, 크롬, 니켈, 텅스텐 또는 이들 중 2종 이상의 합금; 또는 인듐주석산화물(ITO), 인듐아연산화물(IZO), 아연산화물(ZnO), 인듐아연주석산화물(IZTO), 카드뮴주석산화물(CTO), 구리산화물(CO), PEDOT(poly(3,4-ethylenedioxythiophene)), 탄소나노튜브(CNT) 또는 그래핀(graphene)으로 형성된, 터치 센서.
5. 위 1에 있어서, 상기 보조 메쉬 패턴은 감지 패턴을 기준으로 브릿지 전극과 동일측에 위치하는, 터치 센서.
6. 위 5에 있어서, 상기 보조 메쉬 패턴은 브릿지 전극과 동일 소재로, 한 공정 내에서 형성된, 터치 센서.
7. 위 1에 있어서, 상기 브릿지 전극은 메쉬 패턴인, 터치 센서.
8. 위 1에 있어서, 상기 브릿지 전극은 개구부를 갖는, 터치 센서.
9. 위 1에 있어서, 상기 브릿지 전극은 2개 이상의 브릿지를 갖는, 터치 센서.
10. 위 1에 있어서, 상기 절연층은 층 형태로 위치하고, 보조 메쉬 패턴은 절연층에 형성된 컨택홀을 통해 감지 패턴과 연결된, 터치 센서.
11. 위 1에 있어서, 상기 절연층은 감지 패턴과 브릿지 전극의 교차부에만 섬 형태로 위치하고, 보조 메쉬 패턴은 제1 메쉬 패턴 및 제2 메쉬 패턴 중 적어도 하나에 직접 연결된, 터치 센서.
12. 위 1에 있어서, 제1 메쉬 패턴 상측 또는 하측에 위치하는 제1 보조 메쉬 패턴은 제1 메쉬 패턴에 연결되고, 제2 메쉬 패턴 상측 또는 하측에 위치하는 제2 보조 메쉬 패턴은 제2 메쉬 패턴에 연결된, 터치 센서.
13. 위 12에 있어서, 제1 보조 메쉬 패턴은 제2 메쉬 패턴과 서로 절연되는, 터치 센서.
14. 위 12에 있어서, 제2 보조 메쉬 패턴은 브릿지 전극을 통해 서로 연결된, 터치 센서.
15. 기판 상에 제1 방향으로 형성된 제1 메쉬 패턴 및 제2 방향으로 형성된 제2 메쉬 패턴을 포함하는 감지 패턴;
상기 제2 메쉬 패턴의 이격된 단위 패턴을 연결하는 브릿지 전극;
상기 감지 패턴과 브릿지 전극 사이에 개재된 절연층; 및
상기 감지 패턴을 기준으로 브릿지 전극과 동일측에 위치하며, 제1 메쉬 패턴 및 제2 메쉬 패턴 중 적어도 하나에 연결된 보조 메쉬 패턴;을 포함하는, 터치 센서.
16. 위 15에 있어서, 상기 보조 메쉬 패턴은 브릿지 전극과 동일한 소재로 형성되며, 한 공정 내에서 동시에 형성된 것인, 터치 센서.
본 발명의 터치 센서는 사용자에게 모아레 현상이 인식되는 것을 억제할 수 있다.
본 발명의 터치 센서는 감지 패턴이 단절되는 경우에도 보조 메쉬 패턴이 터치 접촉 신호를 전달할 수 있다. 이에 터치 감도를 현저히 개선할 수 있다.
본 발명의 터치 센서는 감지 패턴을 더 얇은 두께로 형성할 수 있어, 감지 패턴이 사용자에게 시인되는 것을 억제할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 구현예에 따른 터치 센서의 개략적인 사시도이다.
도 2는 본 발명의 일 구현예에 따른 터치 센서의 개략적인 사시도이다.
도 3은 본 발명의 일 구현예에 따른 터치 센서의 개략적인 사시도이다.
도 4는 본 발명의 일 구현예에 따른 터치 센서의 개략적인 사시도이다.
도 5는 본 발명의 일 구현예에 따른 터치 센서에서 브릿지 전극을 확대하여 도시한 단면도이다.
도 6은 본 발명의 일 구현예에 따른 터치 센서의 개략적인 사시도이다.
본 발명은 제1 방향으로 형성된 제1 메쉬 패턴 및 제2 방향으로 형성된 제2 메쉬 패턴을 포함하는 감지 패턴; 상기 제2 메쉬 패턴의 이격된 단위 패턴을 연결하는 브릿지 전극; 상기 감지 패턴과 브릿지 전극 사이에 개재된 절연층; 및 상기 제1 메쉬 패턴 및 제2 메쉬 패턴 중 적어도 하나의 상측 또는 하측에 위치하며, 제1 메쉬 패턴 및 제2 메쉬 패턴 중 적어도 하나에 연결된 보조 메쉬 패턴;을 포함함으로써, 터치 민감도를 개선하고, 감지 패턴이 사용자에게 시인되는 것을 억제할 수 있으며, 사용자에게 모아레 현상이 인식되는 것을 억제할 수 있는 터치 센서에 관한 것이다.
이하 도면을 참조하여 본 발명을 상세히 설명한다.
본 발명의 터치 센서는 감지 패턴, 브릿지 전극(30), 절연층(40) 및 보조 메쉬 패턴을 포함한다.
감지 패턴은 제1 방향으로 형성된 제1 메쉬 패턴(10) 및 제2 방향으로 형성된 제2 메쉬 패턴(20)을 구비할 수 있다.
제1 메쉬 패턴(10)과 제2 메쉬 패턴(20)은 서로 다른 방향으로 배치된다. 예를 들면, 상기 제1 방향은 X축 방향일 수 있고, 제2 방향은 이와 수직으로 교차하는 Y축 방향일 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
제1 메쉬 패턴(10)과 제2 메쉬 패턴(20)은 터치되는 지점의 X 좌표 및 Y 좌표에 대한 정보를 제공하게 된다. 구체적으로는, 사람의 손 또는 물체가 커버 윈도우 기판에 접촉되면, 제1 메쉬 패턴(10), 제2 메쉬 패턴(20) 및 위치 검출라인을 경유하여 구동회로 측으로 접촉위치에 따른 정전용량의 변화가 전달된다. 그리고, X 및 Y 입력처리회로(미도시) 등에 의해 정전용량의 변화가 전기적 신호로 변환됨에 의해 접촉위치가 파악된다.
이와 관련하여, 제1 메쉬 패턴(10) 및 제2 메쉬 패턴(20)은 동일층에 형성되며, 터치되는 지점을 감지하기 위해서는 각각의 패턴들이 전기적으로 연결되어야 한다. 그런데, 제1 메쉬 패턴(10)은 서로 연결된 형태이지만 제2 메쉬 패턴(20)은 단위 패턴들이 섬(island) 형태로 서로 분리된 구조로 되어 있으므로 제2 메쉬 패턴(20)을 전기적으로 연결하기 위해서는 별도의 브릿지 전극(30)이 필요하다. 브릿지 전극(30)에 대해서는 후술하도록 한다.
본 발명에 있어서, 메쉬 구조의 구체적인 형태는 특별히 제한되지 않는다. 예를 들면, 직각 사각형 메쉬 구조, 마름모 메쉬 구조, 육각형 메쉬 구조 등을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 각 구조에서 장변의 길이는 예를 들면 2 내지 500㎛일 수 있고, 상기 범위 내에서 전기 전도도, 투과율 등에 따라 적절히 조절될 수 있다.
메쉬 패턴의 폭은 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 1 내지 30㎛일 수 있고, 바람직하게는 1 내지 20㎛일 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다. 금속 메쉬 패턴의 폭이 1 내지 30㎛일 경우에, 패턴의 시인성을 감소시키고 적정 전기 저항을 가질 수 있다.
감지 패턴의 두께는 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 각각 10 내지 350nm 일 수 있다. 감지 패턴의 두께가 10nm 미만이면 전기저항이 커져 터치 민감도가 저하될 수 있고, 350nm 초과이면 반사율이 커져 시인성의 문제가 생길 수 있다.
감지 패턴은 전기 전도도가 우수하고 저항이 낮은 금속이 제한 없이 적용될 수 있으며, 예를 들면 몰리브덴, 은, 알루미늄, 구리, 팔라듐, 금, 백금, 아연, 주석, 티타늄, 크롬, 니켈, 텅스텐 또는 이들 중 2종 이상의 합금을 들 수 있다.
이 외에도 당 분야에 공지된 투명 전극 소재가 더 사용될 수 있다. 예를 들면 인듐주석산화물(ITO), 인듐아연산화물(IZO), 아연산화물(ZnO), 인듐아연주석산화물(IZTO), 카드뮴주석산화물(CTO), 구리산화물(CO), PEDOT(poly(3,4-ethylenedioxythiophene)), 탄소나노튜브(CNT), 그래핀(graphene) 등을 들 수 있다.
감지 패턴의 형성 방법은 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 물리적 증착법(Physical Vapor Deposition, PVD), 화학적 증착법(Chemical VaporDeposition, CVD) 등 다양한 박막 증착 기술에 의하여 형성될 수 있다. 예를 들면, 물리적 증착법의 한 예인 반응성 스퍼터링(reactive sputtering)에 의하여 형성될 수 있다.
또한, 감지 패턴은 인쇄 공정으로 형성될 수 있다. 이러한 인쇄 공정 시, 그라비아 오프 셋(gravure off set), 리버스 오프 셋(reverse off set), 잉크젯 인쇄, 스크린 인쇄 및 그라비아(gravure) 인쇄 등 다양한 인쇄 방법이 이용될 수 있다. 상기 방법 외에 포토리소그래피에 의해서 형성될 수도 있다.
브릿지 전극(30)은 제2 메쉬 패턴(20)의 이격된 단위 패턴을 연결한다. 이때, 브릿지 전극(30)은 감지 패턴 중 제1 메쉬 패턴(10)과는 절연되어야 하므로, 이를 위해 절연층(40)이 형성된다. 이에 대해서는 후술하도록 한다.
브릿지 전극(30)은 당 분야에 알려진 투명 전극 소재가 제한 없이 적용될 수 있다. 예를 들면, 인듐주석산화물(ITO), 인듐아연산화물(IZO), 아연산화물(ZnO), 인듐아연주석산화물(IZTO), 카드뮴주석산화물(CTO), PEDOT(poly(3,4-ethylenedioxythiophene)), 탄소나노튜브(CNT), 그래핀(graphene) 등을 들 수 있으며, 이들은 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다. 바람직하게는 인듐주석산화물(ITO)이 사용될 수 있다.
이 외에도 전기 전도도가 우수하고 저항이 낮은 금속이 제한 없이 적용될 수 있으며, 예를 들면 몰리브덴, 은, 알루미늄, 구리, 팔라듐, 금, 백금, 아연, 주석, 티타늄, 크롬, 니켈, 텅스텐 또는 이들 중 2종 이상의 합금을 들 수 있다.
브릿지 전극(30)의 크기는 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 브릿지 전극(30)의 장변이 2 내지 500㎛일 수 있고, 바람직하게는 2 내지 300㎛일 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다. 브릿지 전극(30)의 장변이 2 내지 500㎛일 경우에, 패턴의 시인성을 감소시키고 적정 전기 저항을 가질 수 있다.
브릿지 전극(30)의 브릿지는 예를 들면 바(bar) 구조를 가질 수 있다.
브릿지 전극(30)은 예를 들면 도 1에 예시된 것처럼 단일 브릿지를 가질 수도 있고, 도 2에 예시된 것처럼 2개 이상의 브릿지를 가질 수도 있다. 브릿지 전극(30)이 2개 이상의 브릿지를 갖는 경우 저항 및 시인성 측면에서 유리하다.
또한, 브릿지 전극(30)은 도 3에 예시된 것처럼 개구부를 가질 수도 있다. 그러한 경우 브릿지 전극(30)의 면적을 줄여 터치 센서의 굴곡성 및 시인성을 개선할 수 있다.
또한, 브릿지 전극(30)은 도 6에 예시된 바와 같이 메쉬 구조를 가지는 것일 수도 있다. 그러한 경우, 마찬가지로 브릿지 전극(30)의 면적을 줄여 터치 센서의 굴곡성을 개선할 수 있다.
본 발명의 터치 센서에 있어서, 감지 패턴과 브릿지 전극(30)의 적층 순서는 특별히 한정되지 않고, 도 1에 예시된 바와 같이 감지 패턴 상측에 브릿지 전극(30)이 위치할 수도 있고, 도 4에 예시된 바와 같이 감지 패턴 하측에 브릿지 전극(30)이 위치할 수도 있다.
브릿지 전극(30)의 형성 방법은 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 전술한 감지 패턴의 형성 방법으로 예시한 방법을 사용할 수 있다.
절연층(40)은 감지 패턴과 브릿지 전극(30) 사이에 개재되어 제1 메쉬 패턴(10)과 제2 메쉬 패턴(20)을 절연시키는 기능을 한다.
절연층(40)은 도 2에 예시된 것처럼 감지 패턴과 브릿지 전극(30)의 교차부에만 섬 형태로 위치할 수도 있고, 도 5에 예시된 것처럼 층 형태로 전체에 위치할 수도 있다.
절연층(40)이 섬 형태로 위치하는 경우 제2 메쉬 패턴(20)은 브릿지 전극(30)과 직접 연결되고, 절연층(40)이 층 형태로 위치하는 경우 제2 메쉬 패턴(20)은 절연층(40)에 형성된 컨택홀(50)(contact hole)을 통해 브릿지와 연결된다.
절연층(40)은 당분야에서 사용되는 재료 및 방법을 특별한 제한 없이 사용하여 형성될 수 있다.
본 발명의 터치 센서는 보조 메쉬 패턴을 더 포함한다.
보조 메쉬 패턴은 상기 제1 메쉬 패턴(10) 및 제2 메쉬 패턴(20) 중 적어도 하나의 상측 또는 하측에 위치하며, 제1 메쉬 패턴(10) 및 제2 메쉬 패턴(20) 중 적어도 하나에 연결된다.
보조 메쉬 패턴은 제1 메쉬 패턴(10) 및 제2 메쉬 패턴(20) 중 적어도 하나에 연결됨으로써. 감지 패턴의 메쉬 패턴이 단절되는 경우에도 이에 연결된 보조 메쉬 패턴을 통해 접촉 위치 정보가 전달될 수 있으므로 터치 감도를 현저히 개선할 수 있다. 또한, 감지 패턴의 저항을 낮출 수 있어, 감지 패턴을 보다 얇은 두께로 형성할 수 있다. 이에, 감지 패턴의 두께에 의해 발생하는 시인성 저하를 억제할 수 있다.
또한, 터치 센서의 모아레(moire)를 줄이는 역할을 한다.
터치 센서에서 규칙적인 메쉬 패턴 형상의 조합에 의해 사용자가 모아레 현상을 인식할 수 있는데, 감지 패턴의 상측 또는 하측에 보조 메쉬 패턴이 존재하는 경우 패턴의 불규칙성이 증가하게 된다. 이에 따라 모아레 현상이 인식되는 것을 줄일 수 있다.
제1 메쉬 패턴(10)의 상측 또는 하측에 위치하는 제1 보조 메쉬 패턴(60)은 제1 메쉬 패턴(10)에 연결될 수 있고, 제2 메쉬 패턴(20)의 상측 또는 하측에 위치하는 제2 보조 메쉬 패턴(70)은 제2 메쉬 패턴(20)에 연결될 수 있다.
도 1은 제1 메쉬 패턴(10)의 상측에 위치하는 제1 보조 메쉬 패턴(60)과 제2 메쉬 패턴(20)의 상측에 위치하는 제2 보조 메쉬 패턴(70)을 구비한 경우를 예시한 것이고, 도 4는 제1 메쉬 패턴(10)의 하측에 위치하는 제1 보조 메쉬 패턴(60)과 제2 메쉬 패턴(20)의 하측에 위치하는 제2 보조 메쉬 패턴(70)을 구비한 경우를 예시한 것이나, 이에 제한되는 것은 아니다.
보조 메쉬 패턴의 폭은 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 1 내지 30㎛일 수 있고, 바람직하게는 1 내지 20㎛일 수 있으나 이에 제한되는 것은 아니다. 금속 메쉬 패턴의 폭이 1 내지 30㎛일 경우에, 패턴의 시인성을 감소시키고 적정 전기 저항을 가질 수 있다. 상기 범위 내에서 전기 전도도와 시인성을 고려하여 적절히 조절될 수 있다.
보조 메쉬 패턴의 두께는 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 각각 10 내지 350nm일 수 있다. 감지 패턴의 두께가 10nm 미만이면 전기저항이 커져 터치 민감도가 저하될 수 있고, 350nm 초과이면 반사율이 커져 시인성의 문제가 생길 수 있다.
보조 메쉬 패턴은 당 분야에 알려진 투명 전극 소재가 제한 없이 적용될 수 있다. 예를 들면, 인듐주석산화물(ITO), 인듐아연산화물(IZO), 아연산화물(ZnO), 인듐아연주석산화물(IZTO), 카드뮴주석산화물(CTO), PEDOT(poly(3,4-ethylenedioxythiophene)), 탄소나노튜브(CNT), 그래핀(graphene), 등을 들 수 있으며, 이들은 단독 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다. 바람직하게는 인듐주석산화물(ITO)이 사용될 수 있다. 이 외에도 전기 전도도가 우수하고 저항이 낮은 금속이 제한 없이 적용될 수 있으며, 예를 들면 몰리브덴, 은, 알루미늄, 구리, 팔라듐, 금, 백금, 아연, 주석, 티타늄, 크롬, 니켈, 텅스텐 또는 이들 중 2종 이상의 합금을 들 수 있다.
또한, 바람직하게는 브릿지 전극(30)과 동일한 소재가 사용될 수 있다. 보조 메쉬 패턴이 브릿지 전극(30)과 동일측에 위치할 때 브릿지 전극(30)과 동일한 소재로 형성한다면, 브릿지 전극(30) 형성시에 한 공정 내에서 형성할 수 있다.
보조 메쉬 패턴은 도 1에 예시된 바와 같이 감지 패턴을 기준으로 브릿지 전극(30)과 동일측에 위치할 수 있다. 그러한 경우에 브릿지 전극(30)과 한 공정 내에서 형성되어 공정을 간소화 할 수 있다는 측면에서 바람직하다.
보조 메쉬 패턴은 절연층(40)이 섬 형태로 위치한 경우에는 감지 패턴과 직접 연결되고, 층 형태로 위치하는 경우에는 도 5에 예시된 바와 같이 컨택홀(50)을 통해 감지 패턴과 연결된다.
컨택홀(50)의 개수, 위치는 특별히 한정되지 않고 터치 영역 전 영역에 걸쳐 다수 존재하는 것이 터치 감도 개선의 측면에서는 바람직하나, 컨택홀(50)이 사용자에게 시인되는 문제가 발생할 수도 있으므로, 컨택홀(50)은 전계가 집중되는 위치(예를 들면 제1 메쉬 패턴(10)과 브릿지 전극(30)의 접점 주변)에 집중되어 형성되고, 그리고 전체 터치 영역에 분산되어 형성되는 것이 바람직하다.
제1 메쉬 패턴(10)과 제2 메쉬 패턴(20)은 서로 절연되어야 하므로, 제1 보조 메쉬 패턴(60)과 제2 보조 메쉬 패턴(70)도 서로 절연된다. 마찬가지로, 제1 보조 메쉬 패턴(60)은 브릿지 전극(30)과도 절연된다.
제2 보조 메쉬 패턴(70)은 브릿지 전극(30)을 통해 연결될 수 있다. 그러한 경우에 브릿지 전극(30)의 저항을 줄일 수 있다.
보조 메쉬 패턴의 형성 방법은 특별히 한정되지 않으며, 예를 들면 전술한 감지 패턴의 형성 방법으로 예시한 방법을 사용할 수 있다.
본 발명의 터치 센서는 기판(100) 상에 위치할 수 있다.
기판(100)은 당 분야에서 통상적으로 사용되는 소재가 제한 없이 사용될 수 있으며, 예를 들면 유리, 폴리에테르술폰(PES, polyethersulphone), 폴리아크릴레이트(PAR, polyacrylate), 폴리에테르 이미드(PEI, polyetherimide), 폴리에틸렌 나프탈레이트(PEN, polyethyelenen napthalate), 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET, polyethyelene terepthalate), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide: PPS), 폴리아릴레이트(polyallylate), 폴리이미드(polyimide), 폴리카보네이트(PC, polycarbonate), 셀룰로오스 트리 아세테이트(TAC), 셀룰로오스 아세테이트 프로피오네이트(cellulose acetate propionate,CAP) 등을 들 수 있다.
이상, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 바람직한 실시예를 제시하였으나, 이들 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐 첨부된 특허청구범위를 제한하는 것이 아니며, 본 발명의 범주 및 기술사상 범위 내에서 실시예에 대한 다양한 변경 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속하는 것도 당연한 것이다.
[부호의 설명]
10: 제1 메쉬 패턴 20: 제2 메쉬 패턴
30: 브릿지 전극 40: 절연층
50: 컨택홀 60: 제1 보조 메쉬 패턴
70: 제2 보조 메쉬 패턴 100: 기판

Claims (16)

  1. 제1 방향으로 형성된 제1 메쉬 패턴 및 제2 방향으로 형성된 제2 메쉬 패턴을 포함하는 감지 패턴;
    상기 제2 메쉬 패턴의 이격된 단위 패턴을 연결하는 브릿지 전극;
    상기 감지 패턴과 브릿지 전극 사이에 개재된 절연층; 및
    상기 제1 메쉬 패턴 및 제2 메쉬 패턴 중 적어도 하나의 상측 또는 하측에 위치하며, 제1 메쉬 패턴 및 제2 메쉬 패턴 중 적어도 하나에 연결된 보조 메쉬 패턴;
    을 포함하는, 터치 센서.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 감지 패턴은 몰리브덴, 은, 알루미늄, 구리, 팔라듐, 금, 백금, 아연, 주석, 티타늄, 크롬, 니켈, 텅스텐 또는 이들 중 2종 이상의 합금; 또는 인듐주석산화물(ITO), 인듐아연산화물(IZO), 아연산화물(ZnO), 인듐아연주석산화물(IZTO), 카드뮴주석산화물(CTO), 구리산화물(CO), PEDOT(poly(3,4-ethylenedioxythiophene)), 탄소나노튜브(CNT) 또는 그래핀(graphene)으로 형성된, 터치 센서.
  3. 청구항 1에 있어서, 상기 감지 패턴은 두께가 10 내지 350nm인, 터치 센서.
  4. 청구항 1에 있어서, 상기 브릿지 전극은 몰리브덴, 은, 알루미늄, 구리, 팔라듐, 금, 백금, 아연, 주석, 티타늄, 크롬, 니켈, 텅스텐 또는 이들 중 2종 이상의 합금; 또는 인듐주석산화물(ITO), 인듐아연산화물(IZO), 아연산화물(ZnO), 인듐아연주석산화물(IZTO), 카드뮴주석산화물(CTO), 구리산화물(CO), PEDOT(poly(3,4-ethylenedioxythiophene)), 탄소나노튜브(CNT) 또는 그래핀(graphene)으로 형성된, 터치 센서.
  5. 청구항 1에 있어서, 상기 보조 메쉬 패턴은 감지 패턴을 기준으로 브릿지 전극과 동일측에 위치하는, 터치 센서.
  6. 청구항 5에 있어서, 상기 보조 메쉬 패턴은 브릿지 전극과 동일 소재로, 한 공정 내에서 형성된, 터치 센서.
  7. 청구항 1에 있어서, 상기 브릿지 전극은 메쉬 구조를 갖는, 터치 센서.
  8. 청구항 1에 있어서, 상기 브릿지 전극은 개구부를 갖는, 터치 센서.
  9. 청구항 1에 있어서, 상기 브릿지 전극은 2개 이상의 브릿지를 갖는, 터치 센서.
  10. 청구항 1에 있어서, 상기 절연층은 층 형태로 위치하고, 보조 메쉬 패턴은 절연층에 형성된 컨택홀을 통해 감지 패턴과 연결된, 터치 센서.
  11. 청구항 1에 있어서, 상기 절연층은 감지 패턴과 브릿지 전극의 교차부에만 섬 형태로 위치하고, 보조 메쉬 패턴은 제1 메쉬 패턴 및 제2 메쉬 패턴 중 적어도 하나에 직접 연결된, 터치 센서.
  12. 청구항 1에 있어서, 제1 메쉬 패턴 상측 또는 하측에 위치하는 제1 보조 메쉬 패턴은 제1 메쉬 패턴에 연결되고, 제2 메쉬 패턴 상측 또는 하측에 위치하는 제2 보조 메쉬 패턴은 제2 메쉬 패턴에 연결된, 터치 센서.
  13. 청구항 12에 있어서, 제1 보조 메쉬 패턴은 제2 메쉬 패턴과 서로 절연되는, 터치 센서.
  14. 청구항 12에 있어서, 제2 보조 메쉬 패턴은 브릿지 전극을 통해 서로 연결된, 터치 센서.
  15. 기판 상에 제1 방향으로 형성된 제1 메쉬 패턴 및 제2 방향으로 형성된 제2 메쉬 패턴을 포함하는 감지 패턴;
    상기 제2 메쉬 패턴의 이격된 단위 패턴을 연결하는 브릿지 전극;
    상기 감지 패턴과 브릿지 전극 사이에 개재된 절연층; 및
    상기 감지 패턴을 기준으로 브릿지 전극과 동일측에 위치하며, 제1 메쉬 패턴 및 제2 메쉬 패턴 중 적어도 하나에 연결된 보조 메쉬 패턴;을 포함하는, 터치 센서.
  16. 청구항 15에 있어서, 상기 보조 메쉬 패턴은 브릿지 전극과 동일한 소재로 형성되며, 한 공정 내에서 동시에 형성된 것인, 터치 센서.
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102255415B1 (ko) * 2015-03-30 2021-05-21 동우 화인켐 주식회사 터치 센서
KR101992916B1 (ko) * 2016-09-30 2019-06-25 엘지디스플레이 주식회사 터치 센서를 가지는 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR101992915B1 (ko) * 2016-09-30 2019-06-25 엘지디스플레이 주식회사 터치 센서를 가지는 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
US10474295B2 (en) 2016-11-10 2019-11-12 Samsung Display Co., Ltd. Display device including sensor and auxiliary sensor parts
CN109976566B (zh) * 2018-03-23 2021-05-18 京东方科技集团股份有限公司 触控结构、触控基板及其制作方法、显示装置
CN108681414A (zh) * 2018-04-28 2018-10-19 京东方科技集团股份有限公司 触控基板及其制作方法、触控显示装置
CN112379798A (zh) * 2020-12-31 2021-02-19 湖南方得电子科技有限公司 一种电容式触摸屏及其加工工艺
KR20220118082A (ko) * 2021-02-18 2022-08-25 동우 화인켐 주식회사 터치 센서
US20240264704A1 (en) * 2022-03-28 2024-08-08 Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Display panel and display apparatus

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012047014A2 (ko) * 2010-10-05 2012-04-12 네오뷰코오롱 주식회사 정전용량방식 터치 패널 소자 및 이의 제조방법
KR20130069938A (ko) * 2011-12-19 2013-06-27 엘지이노텍 주식회사 터치패널의 전극 패턴
KR20130074933A (ko) * 2011-12-27 2013-07-05 전자부품연구원 단일 금속박막 터치패널의 전극패턴 구조
KR101472961B1 (ko) * 2013-08-01 2014-12-16 동우 화인켐 주식회사 터치 감지 전극
KR20150006228A (ko) * 2013-07-08 2015-01-16 삼성전기주식회사 터치 패널

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1522060A4 (en) * 2002-07-12 2006-01-04 Sharp Kk Wiring structure, display device and active component
US8599150B2 (en) * 2009-10-29 2013-12-03 Atmel Corporation Touchscreen electrode configuration
JP2012014669A (ja) * 2009-11-20 2012-01-19 Fujifilm Corp 導電シート、導電シートの使用方法及び静電容量方式タッチパネル
KR101127589B1 (ko) * 2010-03-23 2012-03-26 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법
JP5248653B2 (ja) * 2010-05-27 2013-07-31 富士フイルム株式会社 導電シート及び静電容量方式タッチパネル
JP4989749B2 (ja) 2010-05-28 2012-08-01 パナソニック株式会社 タッチパネル装置
CN103329077B (zh) * 2011-01-18 2017-03-15 富士胶片株式会社 透明电极板、制造透明电极板的方法及使用该透明电极板的电容式触控面板
TWI567912B (zh) * 2011-02-18 2017-01-21 富士軟片股份有限公司 導電片以及觸控面板
TWI452498B (zh) * 2011-11-02 2014-09-11 Innolux Corp 影像顯示系統及觸控感測裝置之製造方法
CN103907082B (zh) * 2011-12-16 2016-09-21 富士胶片株式会社 导电片以及触摸面板
KR101395195B1 (ko) * 2012-06-11 2014-05-15 양희봉 메쉬 전극 패턴을 가지는 터치 스크린
US9916047B2 (en) * 2012-09-14 2018-03-13 Atmel Corporation Pattern of electrodes for a touch sensor
KR102077548B1 (ko) * 2013-05-24 2020-04-07 동우 화인켐 주식회사 투명 전극 패턴 적층체 및 이를 구비한 터치 스크린 패널
TW201508580A (zh) * 2013-08-30 2015-03-01 Wintek Corp 觸控面板及其製造方法
KR102281109B1 (ko) * 2013-12-31 2021-07-23 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
TWI584059B (zh) * 2014-02-13 2017-05-21 Ｌｇ化學股份有限公司 用於製造透明光罩之方法及藉由該方法所製造之透明光罩、以及使用透明光罩製造導電網格圖案之方法
CN203966088U (zh) * 2014-04-30 2014-11-26 介面光电股份有限公司 触控面板的双层电极结构
KR102256461B1 (ko) * 2014-10-10 2021-05-26 삼성디스플레이 주식회사 터치 센서 및 이를 포함하는 표시 장치
KR20160082042A (ko) * 2014-12-30 2016-07-08 엘지이노텍 주식회사 터치 패널

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2012047014A2 (ko) * 2010-10-05 2012-04-12 네오뷰코오롱 주식회사 정전용량방식 터치 패널 소자 및 이의 제조방법
KR20130069938A (ko) * 2011-12-19 2013-06-27 엘지이노텍 주식회사 터치패널의 전극 패턴
KR20130074933A (ko) * 2011-12-27 2013-07-05 전자부품연구원 단일 금속박막 터치패널의 전극패턴 구조
KR20150006228A (ko) * 2013-07-08 2015-01-16 삼성전기주식회사 터치 패널
KR101472961B1 (ko) * 2013-08-01 2014-12-16 동우 화인켐 주식회사 터치 감지 전극

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