Nothing Special   »   [go: up one dir, main page]

WO2012116858A1 - Träger für eine optoelektronische struktur und optoelektronischer halbleiterchip mit solch einem träger - Google Patents

Träger für eine optoelektronische struktur und optoelektronischer halbleiterchip mit solch einem träger Download PDF

Info

Publication number
WO2012116858A1
WO2012116858A1 PCT/EP2012/050982 EP2012050982W WO2012116858A1 WO 2012116858 A1 WO2012116858 A1 WO 2012116858A1 EP 2012050982 W EP2012050982 W EP 2012050982W WO 2012116858 A1 WO2012116858 A1 WO 2012116858A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
carrier
layer
electrically conductive
electrically
conductive layer
Prior art date
Application number
PCT/EP2012/050982
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
Siegfried Herrmann
Stefan Illek
Original Assignee
Osram Opto Semiconductors Gmbh
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Osram Opto Semiconductors Gmbh filed Critical Osram Opto Semiconductors Gmbh
Priority to US14/002,109 priority Critical patent/US9076898B2/en
Priority to DE112012001078.7T priority patent/DE112012001078B4/de
Priority to CN201280011601.1A priority patent/CN103403891B/zh
Publication of WO2012116858A1 publication Critical patent/WO2012116858A1/de

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/02002—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/02002—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations
    • H01L31/02005—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H01L33/382—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape the electrode extending partially in or entirely through the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/0201—Thermal arrangements, e.g. for cooling, heating or preventing overheating
    • H05K1/0203—Cooling of mounted components
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/03—Use of materials for the substrate
    • H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/11—Printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/03—Use of materials for the substrate
    • H05K1/05—Insulated conductive substrates, e.g. insulated metal substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/11—Printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
    • H05K1/111—Pads for surface mounting, e.g. lay-out
    • H05K1/112—Pads for surface mounting, e.g. lay-out directly combined with via connections
    • H05K1/113—Via provided in pad; Pad over filled via
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09—Shape and layout
    • H05K2201/09209—Shape and layout details of conductors
    • H05K2201/09654—Shape and layout details of conductors covering at least two types of conductors provided for in H05K2201/09218 - H05K2201/095
    • H05K2201/09781—Dummy conductors, i.e. not used for normal transport of current; Dummy electrodes of components
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/09—Shape and layout
    • H05K2201/09818—Shape or layout details not covered by a single group of H05K2201/09009 - H05K2201/09809
    • H05K2201/09845—Stepped hole, via, edge, bump or conductor
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10007—Types of components
    • H05K2201/10106—Light emitting diode [LED]
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
    • H05K2201/10007—Types of components
    • H05K2201/10121—Optical component, e.g. opto-electronic component
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/341—Surface mounted components
    • H05K3/3431—Leadless components
    • H05K3/3436—Leadless components having an array of bottom contacts, e.g. pad grid array or ball grid array components

Definitions

  • a support for an optoelectronic structure is specified.
  • an optoelectronic structure is specified.
  • An object to be solved is to provide a support for an optoelectronic structure, which enables a particularly stable optoelectronic semiconductor chip.
  • the carrier is suitable as a carrier for an optoelectronic structure.
  • the optoelectronic structure may be
  • Semiconductor layer sequence comprises.
  • Semiconductor layer sequence preferably comprises at least one active region which is in operation of the optoelectronic
  • the carrier and the optoelectronic structure can together
  • optoelectronic semiconductor chip which may then be, for example, a light-emitting diode chip or a photodiode chip.
  • the carrier comprises an electrically insulating basic body.
  • electrically insulating body forms the mechanically bearing component of the carrier.
  • the electrically insulating body is formed in the manner of a disk, that is, its extension in lateral Direction is greater than its thickness in the perpendicular vertical direction.
  • the electrically insulating base body is formed with an electrically insulating material or with electrically insulating materials.
  • silicon in particular undoped silicon
  • ceramic materials in particular ceramic materials such as aluminum nitride, aluminum oxide.
  • the carrier comprises at least one n-side connection point on an underside of the base body.
  • the n-side connection point on an underside of the base body.
  • the n-side connection point can, for example, as
  • the carrier has a p-side connection point, which is connected to the
  • the p-side connection point can be, for example, the Anode of an optoelectronic semiconductor chip, which has the carrier.
  • the carrier is suitable for surface mounting in this way, for example, by connecting the n-side connection points and the p-side connection points of the carrier to the contact points of a printed circuit board on which the carrier is arranged.
  • the carrier comprises a structured electrically conductive layer on the upper side of the main body opposite the underside.
  • the structured electrically conductive layer is
  • connection points preferably electrically conductively connected to the p-side attachment points and the n-side connection points of the carrier.
  • the current impressed by the connection points is distributed along the upper side of the carrier or directed to the desired locations.
  • the carrier comprises a structured and electrically conductive
  • the carrier-side connecting medium layer on the side facing away from the base body of the structured electrically conductive layer.
  • the bonding agent layer is, for example, a solder layer or a layer of conductive adhesive.
  • Connecting agent layer is at the base body
  • the structured electrically conductive layer is electrically conductively connected to the n-side connection point in a first region and electrically conductively connected to the p-side connection point in a second region, wherein the first region and the second region electrically from each other
  • the structured electrically conductive layer on the upper side of the main body has at least two regions which have unequal names
  • Connection points of the carrier are connected. If the carrier comprises a plurality of n-side connection points, all n-side connection points are preferably connected to a first region. If the carrier comprises several p-sides
  • Connection points for a single optoelectronic structure preferably all p-side connection points are connected to a second region.
  • the carrier it is possible for the carrier to have a plurality of first regions and a plurality of second regions or exactly one first region and exactly one second region.
  • the carrier may have a number of n-side connection points, p-side, corresponding to the number of optoelectronic structures
  • connection points of first regions of the structured and electrically conductive layer and of the second regions of the structured and electrically conductive layer.
  • the first and second regions of the structured electrically conductive layer thus conduct and distribute the current from the unlike connection points of the carrier into
  • the carrier-side connecting-medium layer is locally in direct contact with the electrically-conductive layer and in places is an electrically insulating
  • carrier-side connecting medium layer is electrically conductively connected to the electrically conductive layer and there is
  • Passivation material is arranged on the side facing away from the carrier body of the electrically conductive layer and on the side facing the carrier of the carrier-side connecting medium layer, ie in particular runs directly between these two layers.
  • Connecting agent layer is thereby divided into areas that are in direct electrical contact with one of
  • Connection points of the carrier are, and in areas of the connection points - at least in terms of
  • Connection via the structured electrically conductive layer - are electrically isolated. It is in particular
  • the carrier has a uniform thickness within the manufacturing tolerance. This can be achieved, for example, by the fact that the structured
  • Connecting material where no Passivianssmaterial between the connecting material and the electrically conductive Layer is arranged, is formed thick enough that it has a same thickness as the layer stack
  • the carrier for an optoelectronic structure comprises a
  • Base body at least one p-side connection point on the underside of the base body, a structured electrically conductive layer on the underside opposite the underside of the base body and a structured and
  • the structured electrically conductive layer is in a first region
  • the structured electrically conductive layer is electrically conductively connected in a second region with the p-side junction and the first region and the second region of the electrically conductive layer are electrically isolated from each other.
  • Connecting agent layer is in places in direct
  • the carrier described here is based on the idea of rewiring, ie the electrical connection between spatially isolated contact points, for example the optoelectronic structure, for which the Carrier is provided, not in the optoelectronic structure, but perform on the carrier itself.
  • the carrier may be a wafer, such as a silicon wafer, as described
  • the carrier wafer may be connected to a semiconductor wafer, the
  • Structures includes being connected via adjusted bonding.
  • the carrier provides in this way for the optoelectronic structures mechanical support, electrical connections and the required distribution of electric current available.
  • Structures can then be singulated into individual optoelectronic semiconductor chips, each of which
  • the carrier described here is suitable and intended for a connection technology in the wafer composite.
  • a multiplicity of optoelectronic structures can still be applied to the carrier in the wafer composite and electrically connected there.
  • a particularly stable semiconductor chip is made possible with the carrier described here. Stable refers to both electrical stability (despite the in the
  • Optoelectronic structures necessary high currents for Example compared to conventional ball grid array (BGA) applications, where only small switching or signal currents are distributed) as well as mechanical stability (despite the extremely thin residual thickness of the optoelectronic structures after removal of the growth substrate).
  • BGA ball grid array
  • the passivation material is in places between the electrically conductive layer and the carrier side
  • Passivitationsmaterial is in direct contact with the electrically conductive layer and the bonding agent layer. That is, in the areas where passivation material is present, the passivation material imparts a mechanical bond between the wearer side
  • the passivation material is in direct contact with the electrically conductive layer only in the first region. That is, the passivation material is preferably arranged only where the electrically conductive layer is electrically conductively connected to the n-side junction. In the second area of the structured electrically conductive
  • Layer that is, where the structured electrically conductive layer is electrically conductively connected to the p-side junction, is the carrier side
  • the second region of the electrically conductive layer is free of the passivation material.
  • the second region of the structured electrically conductive layer is free of passivation material.
  • Passivitationsmaterial is arranged exclusively in the first area and only there in direct contact with the
  • connection points of the carrier are electrically conductively connected to the electrically conductive layer by means of at least one through-connection, wherein the
  • Through holes extend through the base body from the bottom to the top of the body.
  • the plated-through holes thus ensure the electrically conductive contact of the connection points with the associated regions of the electrically conductive layer.
  • the plated-through holes are formed by metallization of holes in the base body, which completely penetrate the base body from its upper side to its lower side.
  • holes can also be completely filled with electrically conductive material, such as metal.
  • the plated-through holes are formed with the same material as the connection points. That is, a via can be associated with its associated
  • junction be made in one piece. At the top of the body are the vias with the associated areas of the electrically conductive layer in direct contact.
  • the electrically conductive layer can also be made of the same material as the
  • connection points may be formed, so that a portion of the electrically conductive layer may be formed integrally with the associated vias and connection points.
  • an optoelectronic semiconductor chip is specified.
  • the optoelectronic semiconductor chip comprises a carrier as described here. That is, all features disclosed to the wearer are also for the wearer
  • the carrier is electrically conductively and mechanically connected to an optoelectronic structure by means of the carrier-side connecting medium layer. That is, the optoelectronic semiconductor chip includes a
  • Opto-electronic structure which is electrically conductively and mechanically connected to the carrier by means of the carrier-side connection layer.
  • the optoelectronic structure comprises the following components:
  • the optoelectronic structure comprises a semiconductor layer sequence, which may be produced epitaxially, for example.
  • the semiconductor layer sequence may be based, for example, on an I I I-V compound semiconductor material.
  • the semiconductor layer sequence comprises an active region, which during operation of the semiconductor layer sequence for
  • the semiconductor layer sequence comprises a p-side, for example, with a p-doped Semiconductor material is formed, and an n-side, which is formed for example with an n-doped semiconductor material.
  • the active area is then arranged between the p-side and the n-side.
  • the optoelectronic structure further comprises a
  • Mirror layer which is provided for the reflection of electromagnetic radiation generated in the active region or of the electromagnetic radiation to be detected in the active region.
  • the mirror layer is electrically conductively connected to the p-side of the semiconductor layer sequence.
  • the mirror layer is, for example, attached to the p-side of the semiconductor layer sequence and mechanically connected thereto. Electric current for operating the active region can also be impressed via the mirror layer into the p-side of the semiconductor layer sequence if the mirror layer is designed to be electrically conductive.
  • the mirror layer contains a reflective material such as gold or silver.
  • the optoelectronic structure further comprises at least one structure-side plated-through hole, which electrically conductively contacts the n-side of the semiconductor layer sequence and extends from the p-side through the active region to the n-side. That is, a contacting of the active structure can take place from the side at which the p-side of the semiconductor layer sequence is arranged.
  • the semiconductor chip comprises a structured and electrically conductive structure-side
  • Connecting agent layer which is in direct contact with the carrier-side connecting medium layer, wherein the two connecting medium layers are mechanically firmly connected to each other.
  • the two connecting medium layers are mechanically firmly connected to each other.
  • Bonding agent layers around solder layers or layers of conductive adhesive The structural side
  • Connecting agent layer is, for example, at least in places by one or more structural side
  • Connecting agent layer is between the
  • the structure-side one has
  • Connecting medium layer at least one p-region, which is electrically conductively connected to the p-side junction of the carrier, and at least one n-region, which is electrically conductive with the n-side junction
  • Mirror layer not or hardly overlap with each other.
  • “Barely overlapped” means that at most 10% of the area of the mirror layer overlaps with the n-areas of the structure-side interconnection layer, and the n-areas of the structure-side interconnection layer overlap the mirror layer also m direction perpendicular to the main extension plane of the active region not. These components are thus arranged vertically and laterally offset from each other.
  • the optoelectronic semiconductor chip is based inter alia on the recognition that a
  • structure-side bonding agent layer do not overlap with each other.
  • Connecting agent layer and the mirror layer can therefore be made particularly thin, since the stress of the passivation layer due to the potential difference
  • FIG. 1 shows, in a schematic sectional view, a carrier 1 for an optoelectronic structure 2 according to an alternative embodiment.
  • FIGS. 2A and 2B show a schematic illustration of an embodiment of a carrier described here as well as one described here
  • the carrier 1 shows a schematic sectional view of a carrier 1, as it could be formed as an alternative to the carrier described here.
  • the carrier 1 comprises a main body 11 which is formed, for example, with an electrically insulating material such as undoped silicon or a ceramic material. Furthermore, it is possible that the base body 11 is formed with an electrically conductive or semiconducting material.
  • the body in this case optionally comprises suitable electrically
  • the p-side junction is electrically conductive by means of the via 17 with a region of a structured carrier-side bonding agent layer 15 connected. Furthermore, an n-side connection point 13 is applied to the underside IIb of the main body, which by means of the through-connection 17 is electrically conductive with a further region of the structured carrier-side
  • Connecting agent layer 15 is connected. In the carrier according to Figure 1, the connecting medium layer 15 only
  • a wiring that is an electrically conductive, in particular metallic compound spatially isolated
  • Potential difference AU is formed, which is 0. This potential difference leads to an electrical load on the passivation layers 23, 24 and can be undesirable
  • Optoelectronic structure 2 together form a
  • FIG. 2B shows a schematic plan view of a structured electrically conductive layer 14 on the upper side IIa of the main body 11 of the carrier 1.
  • the carrier 1 comprises a main body 11, which is designed to be electrically insulating.
  • the main body 11 consists for example of an electrically insulating material and may contain silicon and / or a ceramic material.
  • connection points 12, 13 are each electrically connected via a plated-through hole 17 with the structured conductive layer 14 on the upper side of the carrier.
  • the structured electrically conductive layer 14 is divided into a first region 14a, which is electrically conductively connected to the n-side connection point 13, and the second region 14b, which is electrically conductively connected to the p-side connection point 12.
  • the second region 14b can be enclosed, for example, by the first region 14a.
  • electrically conductive layer 14 preferably contain a good electrically conductive metal such as gold.
  • the structured electrically conductive layer 14 thus distributes the current impressed by the connection points 12, 13 on the upper side IIa of the main body.
  • structured electrically conductive layer 14 is an electrically conductive structured carrier side Connecting agent layer 15 is arranged.
  • the carrier-side bonding agent layer 15 is in part in electrically conductive contact with the patterned conductive layer 14. In other areas, between the
  • Passivation material 16 arranged, which electrically
  • the bonding agent layer contains, for example, a soldering material such as gold and / or tin.
  • the passivation material can be mixed with silicon dioxide and / or
  • Silicon nitride may be formed. Further, the use of a ceramic material such as alumina and / or
  • the passivation material 16 is only in the first region 14 a, which is electrically conductively connected to the n-side connection point 13, in contact with the electrical
  • carrier-side bonding agent layer 15 is in direct contact with the electrically conductive layer 14 is the
  • Thickness of the carrier-side bonding agent layer 15 is selected so that the carrier 1 has a total uniform thickness.
  • the passivation material 16 By means of the passivation material 16, a structured current conduction is achieved, such that current is guided in a targeted manner to the contacts 26a, 26b of the optoelectronic structure 2.
  • the contact 26 a which is electrically connected to the p-side junction 12, the
  • Opto-electronic structure 2 p-side electrical
  • the optoelectronic structure 2 is connected.
  • the optoelectronic structure 2 is connected on the n-side.
  • Structure-side structured electrically conductive layer 114 but already on the carrier on the carrier side
  • Terminals and the contacts are formed, for example, with highly conductive metals such as gold, silver and / or aluminum.
  • the optoelectronic structure 2 comprises a semiconductor layer sequence 21 which is based, for example, on an I I I-V compound semiconductor material.
  • a III / V compound semiconductor material comprises at least one element of the third main group such as B, Al, Ga, In, and a fifth main group element such as
  • III / V compound semiconductor material means the group of binary, ternary or quaternary compounds which
  • Such a binary, ternary or quaternary compound may additionally comprise, for example, one or more dopants for p-doping and n-doping, as well as additional constituents.
  • the semiconductor layer sequence 21 comprises a p-doped p-side 21a, an n-doped n-side 21b and an active region 21c, which is arranged between the two sides.
  • a mirror layer 22 is arranged, which consists of two or more layers can exist. The mirror layer 22 is applied to the p-side 21a of the semiconductor layer sequence 21 and serves for p-side contacting of
  • the mirror layer 21 contains silver, for example.
  • Semiconductor layer sequence 21 has the opto-electronic
  • Structure 2 structure-side vias 27, which, for example, with material of the structure side
  • Connecting medium layer 25 are filled and contact the semiconductor layer sequence 21 at the n-contacts 26b.
  • structure-side connecting medium layer 25 which has an
  • Semiconductor layer sequence 21 is electrically connected.
  • the structure-side connecting medium layer 25 has a p-region 25a, which is electrically conductive with the
  • Connecting agent layer has in the vertical direction R
  • the part overlapping in the vertical direction of the structure-side connecting medium layer 25 is the p-region
  • Optoelectronic structure 2 is omitted, this is, however, on the support 1, where the bonding agent layer 15 is locally isolated by Passivitationsmaterial 16 of the conductive layer 13 electrically.
  • the wiring for the current conduction to the n-type contact 26b takes place on the carrier and the connecting medium layer 25, for example a solder metal, carries the majority, that is to say in the p-region 25a, the p-polarity.
  • the large-area mirror layer 22 is thus at the same potential as the connecting medium layer 25 and the existing passivation layers 23, 24 are hardly electrically loaded in this way.
  • Such loading of the passivation material 16 occurs on the side of the carrier 1; there, however, the passivation material 16 is applied only on flat surfaces, that is, there is no topography, the passivation material 16 on the
  • Support side is therefore more resilient.

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

Es wird ein Träger (1) für eine optoelektronische Struktur (2) angegeben, bei dem stellenweise ein elektrisch isolierendes Passivierungsmaterial (16) zwischen einer elektrisch leitenden Schicht (14) des Trägers (1) und einer trägerseitigen Verbindungsmittelschicht (15) angeordnet ist. Darüber hinaus wird ein optoelektronischer Halbleiterchip mit solch einem Träger sowie einer optoelektronischen Struktur (2) angegeben, die mittels der trägerseitigen Verbindungsmittelschicht (15) elektrisch leitend und mechanisch mit dem Träger (1) verbunden ist.

Description

Beschreibung
Träger für eine optoelektronische Struktur und
optoelektronischer Halbleiterchip mit solch einem Träger
Es wird ein Träger für eine optoelektronische Struktur angegeben. Darüber hinaus wird ein optoelektronischer
Halbleiterchip mit solch einem Träger angegeben. Eine zu lösende Aufgabe besteht darin, einen Träger für eine optoelektronische Struktur anzugeben, der einen besonders stabilen optoelektronischen Halbleiterchip ermöglicht.
Gemäß zumindest einer Aus führungs form des Trägers eignet sich der Träger als Träger für eine optoelektronische Struktur. Bei der optoelektronischen Struktur kann es sich
beispielsweise um eine Struktur handeln, welche eine
Halbleiterschichtenfolge umfasst. Die
Halbleiterschichtenfolge umfasst vorzugsweise zumindest einen aktiven Bereich, der im Betrieb der optoelektronischen
Struktur zur Erzeugung und/oder Detektion von
elektromagnetischer Strahlung geeignet ist. Der Träger und die optoelektronische Struktur können zusammen einen
optoelektronischen Halbleiterchip bilden, bei dem es sich dann beispielsweise um einen Leuchtdiodenchip oder um einen Fotodiodenchip handeln kann.
Gemäß zumindest einer Aus führungs form des Trägers umfasst der Träger einen elektrisch isolierenden Grundkörper. Der
elektrisch isolierende Grundkörper bildet die mechanisch tragende Komponente des Trägers. Beispielsweise ist der elektrisch isolierende Grundkörper nach Art einer Scheibe ausgebildet, das heißt seine Erstreckung in lateraler Richtung ist größer als seine Dicke in der dazu senkrechten vertikalen Richtung. Der elektrisch isolierende Grundkörper ist mit einem elektrisch isolierenden Material oder mit elektrisch isolierenden Materialien gebildet. Beispielsweise kann der elektrisch isolierende Grundkörper eines der
folgenden Materialien enthalten oder aus einem der folgenden Materialien bestehen: Silizium, insbesondere undotiertes Silizium, keramische Materialien, insbesondere keramische Materialien wie Aluminiumnitrid, Aluminiumoxid.
Prinzipiell ist auch die Verwendung eines nicht elektrisch isolierenden Grundkörpers möglich. In diesem Fall wird durch geeignete Isolationsschichten der Metallisierungen (inklusive von Durchkontaktierungen) gegen den Grundkörper für eine korrekte elektrische Funktion gesorgt.
Gemäß zumindest einer Aus führungs form des Trägers umfasst der Träger zumindest eine n-seitige Anschlussstelle an einer Unterseite des Grundkörpers. Über die n-seitige
Anschlussstelle kann ein elektrischer Strom in eine am Träger befestigte optoelektronische Struktur eingeprägt werden. Bei der n-seitigen Anschlussstelle handelt es sich dann
beispielsweise um die Kathode eines optoelektronischen
Halbleiterchips mit diesem Träger.
Die n-seitige Anschlussstelle kann beispielsweise als
Metallisierung, also beispielsweise als Metallschicht, an der Unterseite des Grundkörpers ausgebildet sein. Gemäß zumindest einer Aus führungs form des Trägers weist der Träger eine p-seitige Anschlussstelle auf, die an der
Unterseite des Grundkörpers angeordnet ist. Bei der p- seitigen Anschlussstelle kann es sich beispielsweise um die Anode eines optoelektronischen Halbleiterchips handeln, der den Träger aufweist. Die p-seitige Anschlussstelle kann wie die n-seitige Anschlussstelle als Metallisierung an der
Unterseite des Grundkörpers ausgebildet sein und ist von der n-seitigen Anschlussstelle elektrisch isoliert.
Beispielsweise eignet sich der Träger auf diese Weise zur Oberflächenmontage, indem die n-seitigen Anschlussstellen und die p-seitigen Anschlussstellen des Trägers beispielsweise mit den Kontaktstellen einer Leiterplatte verbunden werden, auf der der Träger angeordnet ist.
Gemäß zumindest einer Aus führungs form des Trägers umfasst der Träger eine strukturierte elektrisch leitende Schicht an der der Unterseite gegenüberliegenden Oberseite des Grundkörpers. Die strukturierte elektrisch leitende Schicht ist
vorzugsweise mit den p-seitigen Anschussstellen und den n- seitigen Anschlussstellen des Trägers elektrisch leitend verbunden. Über die strukturierte elektrisch leitende Schicht wird der durch die Anschlussstellen eingeprägte Strom entlang der Oberseite des Trägers verteilt beziehungsweise an die gewünschten Stellen geleitet.
Gemäß zumindest einer Aus führungs form des Trägers umfasst der Träger eine strukturierte und elektrisch leitende
trägerseitige Verbindungsmittelschicht an der dem Grundkörper abgewandten Seite der strukturierten elektrisch leitenden Schicht. Bei der Verbindungsmittelschicht handelt es sich beispielsweise um eine Lotschicht oder um eine Schicht aus leitfähigem Klebstoff. Die trägerseitige
Verbindungsmittelschicht ist an der dem Grundkörper
abgewandten Seite der strukturierten elektrisch leitenden Schicht angeordnet und ist stellenweise direkt und
stellenweise lediglich mittelbar mit dieser verbunden. Gemäß zumindest einer Aus führungs form des Trägers ist die strukturierte elektrisch leitende Schicht in einem ersten Bereich elektrisch leitend mit der n-seitigen Anschlussstelle verbunden und in einem zweiten Bereich elektrisch leitend mit der p-seitigen Anschlussstelle verbunden, wobei der erste Bereich und der zweite Bereich elektrisch voneinander
isoliert sind. Mit anderen Worten weist die strukturierte elektrisch leitende Schicht an der Oberseite des Grundkörpers zumindest zwei Bereiche auf, die mit ungleichnamigen
Anschlussstellen des Trägers verbunden sind. Umfasst der Träger mehrere n-seitige Anschlussstellen, sind vorzugsweise alle n-seitigen Anschlussstellen mit einem ersten Bereich verbunden. Umfasst der Träger mehrere p-seitige
Anschlussstellen für eine einzige optoelektronische Struktur, sind vorzugsweise alle p-seitigen Anschlussstellen mit einem zweiten Bereich verbunden.
Dabei ist es möglich, dass der Träger mehrere erste Bereiche und mehrere zweite Bereiche oder genau einen ersten Bereich und genau einen zweiten Bereich aufweist.
Ist der Träger beispielsweise dafür vorgesehen, zwei oder mehr optoelektronische Strukturen zu tragen, so kann er eine der Anzahl der optoelektronischen Strukturen entsprechende Anzahl von n-seitigen Anschlussstellen, von p-seitigen
Anschlussstellen, von ersten Bereichen der strukturierten und elektrisch leitenden Schicht und von zweiten Bereichen der strukturierten und elektrisch leitenden Schicht umfassen. Die ersten und zweiten Bereiche der strukturierten elektrisch leitenden Schicht leiten und verteilen den Strom von den ungleichnamigen Anschlussstellen des Trägers also in
vorgebbarer Weise an der Oberseite des Grundkörpers. Gemäß zumindest einer Aus führungs form des Trägers steht die trägerseitige Verbindungsmittelschicht stellenweise in direktem Kontakt mit der elektrisch leitenden Schicht und stellenweise ist ein elektrisch isolierendes
Passivierungsmaterial zwischen der elektrisch leitenden
Schicht und der trägerseitigen Verbindungsmittelschicht angeordnet. Das heißt, es gibt Bereiche, in denen die
trägerseitige Verbindungsmittelschicht elektrisch leitend mit der elektrisch leitenden Schicht verbunden ist und es gibt
Bereiche, in denen die trägerseitige Verbindungsmittelschicht lediglich mechanisch mit der elektrisch leitenden Schicht verbunden ist, wobei die mechanische Verbindung vom
elektrisch isolierenden Passivierungsmaterial vermittelt wird. Dadurch ist es insbesondere möglich, dass das
Passivierungsmaterial an der dem Trägerkörper abgewandten Seite der elektrisch leitenden Schicht und an der dem Träger zugewandten Seite der trägerseitigen Verbindungsmittelschicht angeordnet ist, also insbesondere direkt zwischen diesen beiden Schichten verläuft.
Die strukturierte elektrisch leitende
Verbindungsmittelschicht gliedert sich dadurch in Bereiche, die in direktem elektrischen Kontakt mit einer der
Anschlussstellen des Trägers stehen, und in Bereiche, die von den Anschlussstellen - zumindest im Hinblick auf die
Verbindung über die strukturierte elektrisch leitende Schicht - elektrisch isoliert sind. Dabei ist es insbesondere
möglich, dass der Träger im Rahmen der Herstellungstoleranz eine gleichmäßige Dicke aufweist. Das kann beispielsweise dadurch erreicht sein, dass das strukturierte
Verbindungsmaterial dort, wo kein Passivierungsmaterial zwischen dem Verbindungsmaterial und der elektrisch leitenden Schicht angeordnet ist, derart dick ausgebildet ist, dass es eine gleiche Dicke aufweist wie der Schichtstapel aus
Passivierungsmaterial und auf dem Passivierungsmaterial angeordnetem Verbindungsmaterial .
Gemäß zumindest einer Aus führungs form des Trägers umfasst der Träger für eine optoelektronische Struktur einen,
insbesondere elektrisch isolierenden, Grundkörper, zumindest eine n-seitige Anschlussstelle an einer Unterseite des
Grundkörpers, zumindest eine p-seitige Anschlussstelle an der Unterseite des Grundkörpers, eine strukturierte elektrisch leitende Schicht an der der Unterseite gegenüberliegenden Oberseite des Grundkörpers und eine strukturierte und
elektrisch leitende trägerseitige Verbindungsmittelschicht an der dem Grundkörper abgewandten Seite der strukturierten elektrisch leitenden Schicht. Dabei ist die strukturierte elektrisch leitende Schicht in einem ersten Bereich
elektrisch leitend mit der n-seitigen Anschlussstelle
verbunden, die strukturierte elektrisch leitende Schicht ist in einem zweiten Bereich elektrisch leitend mit der p- seitigen Anschlussstelle verbunden und der erste Bereich und der zweite Bereich der elektrisch leitenden Schicht sind elektrisch voneinander isoliert. Die trägerseitige
Verbindungsmittelschicht steht stellenweise in direktem
Kontakt mit der elektrisch leitenden Schicht und stellenweise ist ein elektrisch isolierendes Passivierungsmaterial zwischen der elektrisch leitenden Schicht und der
trägerseitigen Verbindungsmittelschicht angeordnet. Dem hier beschriebenen Träger liegt dabei unter anderem die Idee zugrunde, die Umverdrahtung, das heißt die elektrische Verbindung zwischen räumlich isolierten Kontaktstellen, beispielsweise der optoelektronischen Struktur, für die der Träger bereitgestellt wird, nicht in der optoelektronischen Struktur, sondern am Träger selbst durchzuführen. Bei dem Träger kann es sich beispielsweise um einen Wafer, etwa einen Silizium-Wafer, handeln, der in der beschriebenen Weise
Anschlussstellen, strukturierte elektrisch leitende Schichten und strukturierte elektrisch leitende
Verbindungsmittelschichten aufweist .
Der Trägerwafer kann mit einem Halbleiterwafer, der
beispielsweise eine Vielzahl von optoelektronischen
Strukturen umfasst, über justiertes Bonden verbunden werden. Der Träger stellt auf diese Weise für die optoelektronischen Strukturen mechanischen Halt, elektrische Anschlüsse und die benötigte Verteilung des elektrischen Stroms zur Verfügung.
Der Trägerwafer mit der Vielzahl optoelektronischer
Strukturen kann anschließend in einzelne optoelektronische Halbleiterchips vereinzelt werden, von denen jeder
optoelektronische Halbleiterchip eine oder mehrere
optoelektronische Strukturen umfasst, die mit einem
zugeordneten Träger mechanisch fest und elektrisch leitend verbunden sind.
Mit anderen Worten ist der hier beschriebene Träger für eine Verbindungstechnik im Waferverbund geeignet und vorgesehen. Eine Vielzahl von optoelektronischen Strukturen kann noch im Waferverbund vorliegend auf den Träger aufgebracht und dort elektrisch angeschlossen werden. Weiter wird mit dem hier beschriebenen Träger ein besonders stabiler Halbleiterchip ermöglicht. Stabil bezieht sich dabei sowohl auf elektrische Stabilität (trotz der in der
optoelektronische Strukturen notwendigen hohen Strömen zum Beispiel im Vergleich zu üblichen BGA (ball grid array) - Anwendungen, wo nur kleine Schalt- bzw. Signalströme verteilt werden) als auch auf mechanische Stabilität (trotz der extrem dünnen Restdicke der optoelektronische Strukturen nach dem Entfernen des Wachstumssubstrats) .
Gemäß zumindest einer Aus führungs form des Trägers ist das Passivierungsmaterial stellenweise zwischen der elektrisch leitenden Schicht und der trägerseitigen
Verbindungsmittelschicht angeordnet, wobei das
Passivierungsmaterial mit der elektrisch leitenden Schicht und der Verbindungsmittelschicht in direktem Kontakt steht. Das heißt, in den Bereichen, in denen Passivierungsmaterial vorhanden ist, vermittelt das Passivierungsmaterial eine mechanische Verbindung zwischen der trägerseitigen
Verbindungsmittelschicht und der elektrisch leitenden
Schicht .
Gemäß zumindest einer Aus führungs form des Trägers ist das Passivierungsmaterial ausschließlich im ersten Bereich mit der elektrisch leitenden Schicht in direktem Kontakt. Das heißt, das Passivierungsmaterial ist vorzugsweise nur dort angeordnet, wo die elektrisch leitende Schicht elektrisch leitend mit der n-seitigen Anschlussstelle verbunden ist. Im zweiten Bereich der strukturierten elektrisch leitenden
Schicht, also dort, wo die strukturierte elektrisch leitende Schicht mit der p-seitigen Anschlussstelle elektrisch leitend verbunden ist, befindet sich die trägerseitige
Verbindungsmittelschicht in direktem Kontakt mit der
elektrisch leitenden Schicht. Mit anderen Worten ist es möglich, dass der zweite Bereich der elektrisch leitenden Schicht frei vom Passivierungsmaterial ist. Gemäß zumindest einer Aus führungs form ist der zweite Bereich der strukturierten elektrisch leitenden Schicht frei von Passivierungsmaterial . Dort, wo die strukturierte elektrisch leitende Schicht mit der p-seitigen Anschlussstelle
elektrisch leitend verbunden ist, befindet sich die
trägerseitige Verbindungsmittelschicht in direktem Kontakt mit der elektrisch leitenden Schicht. Das
Passivierungsmaterial ist ausschließlich im ersten Bereich angeordnet und nur dort im direkten Kontakt mit der
elektrisch leitenden Schicht, wo keine leitfähige Verbindung der trägerseitigen Verbindungsmittelschicht mit der
strukturierten elektrisch leitfähigen Schicht erwünscht wird.
Gemäß zumindest einer Aus führungs form des Trägers sind die Anschlussstellen des Trägers mittels jeweils wenigstens einer Durchkontaktierung mit der elektrisch leitenden Schicht elektrisch leitend verbunden, wobei sich die
Durchkontaktierungen durch den Grundkörper hindurch von der Unterseite zur Oberseite des Grundkörpers erstrecken. Die Durchkontaktierungen sorgen also für den elektrisch leitenden Kontakt der Anschlussstellen mit den zugeordneten Bereichen der elektrisch leitenden Schicht. Beispielsweise sind die Durchkontaktierungen durch Metallisierungen von Löchern im Grundkörper ausgebildet, welche den Grundkörper von seiner Oberseite zu seiner Unterseite vollständig durchdringen.
Diese Löcher können dabei auch vollständig mit elektrisch leitendem Material, beispielsweise Metall, gefüllt sein.
Beispielsweise sind die Durchkontaktierungen mit dem gleichen Material wie die Anschlussstellen gebildet. Das heißt, eine Durchkontaktierung kann mit der ihr zugeordneten
Anschlussstelle einstückig ausgeführt sein. An der Oberseite des Grundkörpers befinden sich die Durchkontaktierungen mit den zugeordneten Bereichen der elektrisch leitenden Schicht in direktem Kontakt. Die elektrisch leitende Schicht kann dabei ebenfalls aus dem gleichen Material wie die
Durchkontaktierungen und die Anschlussstellen gebildet sein, sodass ein Bereich der elektrisch leitenden Schicht mit den zugeordneten Durchkontaktierungen und Anschlussstellen einstückig ausgebildet sein kann.
Es wird darüber hinaus ein optoelektronischer Halbleiterchip angegeben. Der optoelektronische Halbleiterchip umfasst einen Träger, wie er hier beschrieben ist. Das heißt, sämtliche für den Träger offenbarten Merkmale sind auch für den
optoelektronischen Halbleiterchip offenbart und umgekehrt.
Gemäß zumindest einer Aus führungs form des optoelektronischen Halbleiterchips ist der Träger mit einer optoelektronischen Struktur mittels der trägerseitigen Verbindungsmittelschicht elektrisch leitend und mechanisch verbunden. Das heißt, der optoelektronische Halbleiterchip umfasst eine
optoelektronische Struktur, die mittels der trägerseitigen Verbindungsschicht elektrisch leitend und mechanisch mit dem Träger verbunden ist.
Gemäß zumindest einer Aus führungs form des optoelektronischen Halbleiterchips umfasst die optoelektronische Struktur die folgenden Komponenten: Die optoelektronische Struktur umfasst eine Halbleiterschichtenfolge, die beispielsweise epitaktisch hergestellt sein kann. Die Halbleiterschichtenfolge kann beispielsweise auf einem I I I-V-Verbindungs-Halbleitermaterial basieren. Die Halbleiterschichtenfolge umfasst einen aktiven Bereich, der im Betrieb der Halbleiterschichtenfolge zur
Erzeugung oder Detektion von elektromagnetischer Strahlung vorgesehen ist. Ferner umfasst die Halbleiterschichtenfolge eine p-Seite, die beispielsweise mit einem p-dotierten Halbleitermaterial gebildet ist, und eine n-Seite, die beispielsweise mit einem n-dotierten Halbleitermaterial gebildet ist. Der aktive Bereich ist dann zwischen der p- Seite und der n-Seite angeordnet.
Die optoelektronische Struktur umfasst ferner eine
Spiegelschicht, die zur Reflexion von im aktiven Bereich erzeugter elektromagnetischer Strahlung oder vom im aktiven Bereich zu detektierender elektromagnetischer Strahlung vorgesehen ist. Die Spiegelschicht ist dabei mit der p-Seite der Halbleiterschichtenfolge elektrisch leitend verbunden. Die Spiegelschicht ist beispielsweise an der p-Seite der Halbleiterschichtenfolge an dieser angebracht und mechanisch mit dieser verbunden. Elektrischer Strom zum Betreiben des aktiven Bereichs kann dabei auch über die Spiegelschicht in die p-Seite der Halbleiterschichtenfolge eingeprägt werden, falls die Spiegelschicht elektrisch leitend ausgebildet ist. Beispielsweise enthält die Spiegelschicht ein reflektierendes Material wie Gold oder Silber.
Die optoelektronische Struktur umfasst weiter zumindest eine strukturseitige Durchkontaktierung, welche die n-Seite der Halbleiterschichtenfolge elektrisch leitend kontaktiert und sich von der p-Seite durch den aktiven Bereich hindurch bis zur n-Seite erstreckt. Das heißt, eine Kontaktierung der aktiven Struktur kann von der Seite erfolgen, an der die p- Seite der Halbleiterschichtenfolge angeordnet ist. Eine
Stromverteilung erfolgt nicht oberhalb des aktiven Bereichs, beispielsweise auf der der p-Seite abgewandten Außenfläche der n-Seite der Halbleiterschichtenfolge. Vielmehr erfolgt eine Stromverteilung vorliegend bereits am Träger. Der Träger und die optoelektronische Struktur sind derart miteinander verbunden, dass die n-Seite der Halbleiterschichtenfolge dem Träger abgewandt liegt.
Gemäß zumindest einer Aus führungs form des optoelektronischen Halbleiterchips umfasst der Halbleiterchip eine strukturierte und elektrisch leitende strukturseitige
Verbindungsmittelschicht, die im direkten Kontakt mit der trägerseitigen Verbindungsmittelschicht steht, wobei die beiden Verbindungsmittelschichten mechanisch fest miteinander verbunden sind. Beispielsweise handelt es sich bei den
Verbindungsmittelschichten um Lotschichten oder um Schichten aus leitfähigem Klebstoff. Die strukturseitige
Verbindungsmittelschicht ist dabei beispielsweise zumindest stellenweise durch eine oder mehrere strukturseitige
Passivierungsschichten von der Halbleiterschichtenfolge elektrisch isoliert. Die strukturseitige
Verbindungsmittelschicht ist dabei zwischen der
Halbleiterschichtenfolge und dem Träger angeordnet. Gemäß zumindest einer Aus führungs form des optoelektronischen Halbleiterchips weist die strukturseitige
Verbindungsmittelschicht zumindest einen p-Bereich auf, der elektrisch leitend mit der p-seitigen Anschlussstelle des Trägers verbunden ist, und zumindest einen n-Bereich, der elektrisch leitend mit der n-seitigen Anschlussstelle
verbunden ist, wobei in einer Richtung parallel zur
Haupterstreckungsebene des aktiven Bereichs die n-Bereiche der strukturseitigen Verbindungsmittelschicht und die
Spiegelschicht nicht oder nur kaum miteinander überlappen. „Kaum überlappen" bedeutet, dass höchstens 10 % der Fläche der Spiegelschicht mit den n-Bereichen der strukturseitigen Verbindungsmittelschicht überlappen. Ferner überlappen die n- Bereiche der strukturseitigen Verbindungsmittelschicht und die Spiegelschicht auch m Richtung senkrecht zur Haupterstreckungsebene des aktiven Bereichs nicht. Diese Komponenten sind also vertikal und lateral versetz zueinander angeordnet .
Dem optoelektronischen Halbleiterchip liegt dabei unter anderem die Erkenntnis zugrunde, dass ein
Potenzialunterschied zwischen der p-leitenden Spiegelschicht und den n-Bereichen der strukturseitigen
Verbindungsmittelschicht zu ungewollten Diffusionsprozessen von beispielsweise Material der Spiegelschicht im
optoelektronischen Halbleiterchip führen kann. Mit dem hier beschriebenen optoelektronischen Halbleiterchip ist es jedoch möglich, dass Spiegelschicht und n-Bereiche der
strukturseitigen Verbindungsmittelschicht nicht miteinander überlappen. Eine Passivierungsschicht zwischen der
Verbindungsmittelschicht und der Spiegelschicht kann daher besonders dünn ausgeführt werden, da die Beanspruchung der Passivierungsschicht aufgrund der Potenzialdifferenz
lediglich gering ist.
Ein weiteres Problem sind elektrische Feldstärke-Spitzen, die zu elektrischen Durchbrüchen der Passivierungsschicht führen können. Diese werden bei vorhandener Topographie bzw.
schlechter Überformung dieser Topographie mit der
Passivierung noch verstärkt. Auch dies wird beim hier
beschriebenen optoelektronischen Halbleiterchip vermieden.
Im Folgenden werden der hier beschriebene Träger und der hier beschriebene optoelektronische Halbleiterchip anhand von Ausführungsbeispielen und den dazugehörigen Figuren näher erläutert . Die Figur 1 zeigt in einer schematischen Schnittdarstellung einen Träger 1 für eine optoelektronische Struktur 2 gemäß einer alternativen Aus führungs form. Die Figuren 2A und 2B zeigen in schematischen Darstellungen ein Ausführungsbeispiel eines hier beschriebenen Trägers sowie eines hier beschriebenen
optoelektronischen Halbleiterchips . Gleiche, gleichartige oder gleich wirkende Elemente sind in den Figuren mit den gleichen Bezugszeichen versehen. Die Figuren und die Größenverhältnisse der in den Figuren
dargestellten Elemente untereinander sind nicht als
maßstäblich zu betrachten. Vielmehr können einzelne Elemente zur besseren Darstellbarkeit und/oder für eine bessere
Verständlichkeit übertrieben groß dargestellt sein.
Die Figur 1 zeigt in einer schematischen Schnittdarstellung einen Träger 1, wie er alternativ zum hier beschriebenen Träger ausgebildet werden könnte. Der Träger 1 umfasst einen Grundkörper 11, der beispielsweise mit einem elektrisch isolierendem Material wie undotiertem Silizium oder einem keramischen Material gebildet ist. Ferner ist es möglich, dass der Grundkörper 11 mit einem elektrisch leitenden oder halbleitenden Material gebildet ist. Der Grundkörper umfasst in diesem Fall gegebenenfalls geeignete elektrisch
isolierende Beschichtungen .
An der Unterseite lb des Trägers ist auf die Unterseite IIb des Grundkörpers 1 eine p-seitige Anschlussstelle 12
aufgebracht. Die p-seitige Anschlussstelle ist mittels der Durchkontaktierung 17 mit einem Bereich einer strukturierten trägerseitigen Verbindungsmittelschicht 15 elektrisch leitend verbunden. Ferner ist an der Unterseite IIb des Grundkörpers eine n-seitige Anschlussstelle 13 aufgebracht, die mittels der Durchkontaktierung 17 elektrisch leitend mit einem weiteren Bereich der strukturierten trägerseitigen
Verbindungsmittelschicht 15 verbunden ist. Beim Träger gemäß Figur 1 weist die Verbindungsmittelschicht 15 lediglich
Bereiche auf, die mit einer der beiden Anschlussstellen elektrisch leitend verbunden sind. Elektrisch isolierte
Bereiche weist die Verbindungsmittelschicht 15 nicht auf. Eine Verdrahtung, das heißt eine elektrisch leitende, insbesondere metallische Verbindung räumlich isolierter
Kontaktstellen muss daher innerhalb der optoelektronischen Struktur 2 erfolgen. Dies ist dort über die strukturierte elektrisch leitende Schicht 114 erreicht. Damit eine solche strukturierte elektrisch leitende Schicht 114 an der dem Träger 1 zugewandten Unterseite der optoelektronischen
Struktur aufgebracht werden kann, ist eine relativ dicke Passivierungsschicht 24 notwendig. Nachteilig kann sich dabei ergeben, dass zwischen der Spiegelschicht 22 und einem Teil der strukturierten elektrisch leitenden Schicht 114 ein
Potenzialunterschied AU ausgebildet ist, der 0 ist. Dieser Potenzialunterschied führt zu einer elektrischen Belastung der Passivierungsschichten 23, 24 und kann ungewünschte
Diffusionsprozesse im Halbleiterchip antreiben.
In Verbindung mit der schematischen Schnittdarstellung der Figur 2 ist ein Ausführungsbeispiel eines hier beschriebenen Trägers 1 mit einer hier beschriebenen optoelektronischen Struktur 2 näher beschrieben. Der Träger 1 und die
optoelektronische Struktur 2 bilden gemeinsam ein
Ausführungsbeispiel eines hier beschriebenen
optoelektronischen Halbleiterchips . Die Figur 2B zeigt eine schematische Aufsicht auf eine strukturierte elektrisch leitende Schicht 14 an der Oberseite IIa des Grundkörpers 11 des Trägers 1. Vorliegend umfasst der Träger 1 einen Grundkörper 11, der elektrisch isolierend ausgebildet ist. Der Grundkörper 11 besteht beispielsweise aus einem elektrisch isolierenden Material und kann dazu Silizium und/oder ein keramisches Material enthalten.
An der Unterseite IIb des Grundkörpers 1 sind die p-seitige Anschlussstelle 12 und die n-seitige Anschlussstelle 13 angeordnet. Die Anschlussstellen 12, 13 sind jeweils über eine Durchkontaktierung 17 mit der strukturierten leitenden Schicht 14 an der Oberseite des Trägers elektrisch leitend verbunden. Die strukturierte elektrisch leitende Schicht 14 gliedert sich dabei in einen ersten Bereich 14a, der mit der n-seitigen Anschlussstelle 13 elektrisch leitend verbunden ist, und in den zweiten Bereich 14b, der mit der p-seitigen Anschlussstelle 12 elektrisch leitend verbunden ist. In der Draufsicht der Figur 2B ist zu erkennen, dass der zweite Bereich 14b beispielsweise vom ersten Bereich 14a umschlossen sein kann. Die Anschlussstellen und die strukturierte
elektrisch leitende Schicht 14 enthalten vorzugsweise ein gut elektrisch leitendes Metall wie etwa Gold.
Die strukturierte elektrisch leitende Schicht 14 verteilt also den durch die Anschlussstellen 12, 13 eingeprägten Strom an der Oberseite IIa des Grundkörpers.
An der dem Grundkörper 11 abgewandten Seite der
strukturierten elektrisch leitenden Schicht 14 ist eine elektrisch leitende strukturierte trägerseitige Verbindungsmittelschicht 15 angeordnet. Die trägerseitige Verbindungsmittelschicht 15 befindet sich stellenweise in elektrisch leitendem Kontakt mit der strukturierten leitenden Schicht 14. In anderen Bereichen ist zwischen der
strukturierten trägerseitigen Verbindungsmittelschicht 15 und der strukturierten elektrisch leitenden Schicht 14 ein
Passivierungsmaterial 16 angeordnet, das elektrisch
isolierend ist. Die Verbindungsmittelschicht enthält zum Beispiel ein Lotmaterial wie etwa Gold und/oder Zinn. Das Passivierungsmaterial kann mit Siliziumdioxid und/oder
Siliziumnitrid gebildet sein. Ferner ist die Verwendung eines keramischen Materials wie etwa Aluminiumoxid und/oder
Aluminiumnitrid als Passivierungsmaterial möglich. Das Passivierungsmaterial 16 ist lediglich im ersten Bereich 14a, der mit der n-seitigen Anschlussstelle 13 elektrisch leitend verbunden ist, in Kontakt mit der elektrisch
leitenden Schicht 14. An Stellen, an denen sich die
trägerseitige Verbindungsmittelschicht 15 in direktem Kontakt mit der elektrisch leitenden Schicht 14 befindet, ist die
Dicke der trägerseitigen Verbindungsmittelschicht 15 derart gewählt, dass der Träger 1 insgesamt eine gleichmäßige Dicke aufweist . Mittels des Passivierungsmaterials 16 ist eine strukturierte Stromführung erreicht, derart, dass Strom gezielt zu den Kontakten 26a, 26b der optoelektronischen Struktur 2 geführt wird. Über den Kontakt 26a, der elektrisch leitend mit der p- seitigen Anschlussstelle 12 verbunden ist, wird die
optoelektronische Struktur 2 p-seitig elektrisch
angeschlossen. Über den n-Kontakt 26b, der elektrisch leitend mit der n-seitigen Kontaktstelle 13 verbunden ist, wird die optoelektronische Struktur 2 n-seitig angeschlossen. Eine Verteilung des Stroms von der n-seitigen Anschlussstelle 13 zu dem n-Kontakt 26b, der vorliegend im Querschnitt
kreisförmig ausgebildet ist, erfolgt nicht, wie im
alternativen Beispiel der Figur 1 gezeigt, über eine
strukturseitige strukturierte elektrisch leitende Schicht 114, sondern bereits am Träger über die trägerseitige
strukturierte elektrisch leitende Schicht 14. Die
Anschlussstellen sowie die Kontakte sind zum Beispiel mit gut leitenden Metallen wie Gold, Silber und/oder Aluminium gebildet.
Die optoelektronische Struktur 2 umfasst vorliegend eine Halbleiterschichtenfolge 21, die beispielsweise auf einem I I I-V-Verbindungs-Halbleitermaterial basiert. Ein III/V- Verbindungs-Halbleitermaterial weist wenigstens ein Element aus der dritten Hauptgruppe, wie beispielsweise B, AI, Ga, In, und ein Element aus der fünften Hauptgruppe, wie
beispielsweise N, P, As, auf. Insbesondere umfasst der
Begriff "III/V-Verbindungs-Halbleitermaterial" die Gruppe der binären, ternären oder quaternären Verbindungen, die
wenigstens ein Element aus der dritten Hauptgruppe und wenigstens ein Element aus der fünften Hauptgruppe enthalten, beispielsweise Nitrid- und Phosphid-Verbindungshalbleiter . Eine solche binäre, ternäre oder quaternäre Verbindung kann zudem zum Beispiel ein oder mehrere Dotierstoffe zur p- Dotierung und n-Dotierung sowie zusätzliche Bestandteile aufweisen .
Die Halbleiterschichtenfolge 21 umfasst eine p-dotierte p- Seite 21a, eine n-dotierte n-Seite 21b sowie einen aktiven Bereich 21c, der zwischen den beiden Seiten angeordnet ist. An der dem Träger 1 zugewandten Seite der optoelektronischen Struktur 2 ist eine Spiegelschicht 22 angeordnet, die aus zwei oder mehr Schichten bestehen kann. Die Spiegelschicht 22 ist dabei auf die p-Seite 21a der Halbleiterschichtenfolge 21 aufgebracht und dient zur p-seitigen Kontaktierung der
Halbleiterschichtenfolge 21. Die Spiegelschicht 21 enthält zum Beispiel Silber.
Zur n-seitigen Kontaktierung der n-Seite 21b der
Halbleiterschichtenfolge 21 weist die optoelektronische
Struktur 2 strukturseitige Durchkontaktierungen 27 auf, die beispielsweise mit Material der strukturseitigen
Verbindungsmittelschicht 25 gefüllt sind und an den n- Kontakten 26b die Halbleiterschichtenfolge 21 kontaktieren.
An der dem Träger zugewandten Seite weist die
optoelektronische Struktur 2 eine strukturierte
strukturseitige Verbindungsmittelschicht 25 auf, die einen n-
Bereich 25b umfasst, der mit der n-Seite 21b der
Halbleiterschichtenfolge 21 elektrisch leitend verbunden ist.
Weiter weist die strukturseitige Verbindungsmittelschicht 25 einen p-Bereich 25a auf, der elektrisch leitend mit der
Spiegelschicht 22 und dadurch mit der p-Seite 21a der
Halbleiterschichtenfolge 21 verbunden ist.
Der n-Bereich 25b der strukturseitigen
Verbindungsmittelschicht weist dabei in vertikaler Richtung R
- beispielsweise senkrecht zur Haupterstreckungsrichtung des aktiven Bereichs 21c - und in der dazu senkrechten lateralen
Richtung keinen Überlapp mit der Spiegelschicht 22 auf.
Vielmehr ist der in vertikaler Richtung überlappende Teil der strukturseitigen Verbindungsmittelschicht 25 der p-Bereich
25a, sodass die Potenzialdifferenz AU = 0 ist. Auf diese
Weise ist es möglich, auf die relativ dicke
Passivierungsschicht 24 zu verzichten und die Spiegelschicht 22 lediglich durch die dünnere Passivierungsschicht 23 von der Verbindungsmittelschicht 25 zu trennen. Im Extremfall kann im Bereich der Spiegelschicht 22 auf ein
Passivierungsmaterial zwischen der Spiegelschicht 22 und der strukturseitigen Verbindungsmittelschicht 25 auch vollständig verzichtet werden.
Mit anderen Worten wird beim Ausführungsbeispiel der Figuren 2A und 2B auf eine Doppellagenmetallisierung an der
optoelektronischen Struktur 2 verzichtet, diese befindet sich hingegen am Träger 1, wo die Verbindungsmittelschicht 15 stellenweise durch Passivierungsmaterial 16 von der leitenden Schicht 13 elektrisch isoliert ist. Die Verdrahtung für die Stromführung zum n-Kontakt 26b findet am Träger statt und die Verbindungsmittelschicht 25, zum Beispiel ein Lotmetall, trägt größtenteils, das heißt im p-Bereich 25a, die p- Polarität. Die großflächige Spiegelschicht 22 liegt damit auf dem gleichen Potenzial wie die Verbindungsmittelschicht 25 und die vorhandenen Passivierungsschichten 23, 24 werden auf diese Weise elektrisch kaum belastet. Eine solche Belastung des Passivierungsmaterials 16 tritt zwar auf der Seite des Trägers 1 auf; dort ist das Passivierungsmaterial 16 jedoch nur auf ebene Flächen aufgebracht, das heißt es liegt keine Topographie vor, das Passivierungsmaterial 16 auf der
Trägerseite ist daher stärker belastbar.
Die Erfindung ist nicht durch die Beschreibung anhand der Ausführungsbeispiele auf diese beschränkt. Vielmehr umfasst die Erfindung jedes neue Merkmal sowie jede Kombination von Merkmalen, was insbesondere jede Kombination von Merkmalen in den Patentansprüchen beinhaltet, auch wenn dieses Merkmal oder diese Kombination selbst nicht explizit in den
Patentansprüchen oder Ausführungsbeispielen angegeben ist. Diese Patentanmeldung beansprucht die Priorität der deutschen Patentanmeldung 102011012924.3, deren Offenbarungsgehalt hiermit durch Rückbezug aufgenommen wird.

Claims

Patentansprüche
1. Träger (1) für eine optoelektronische Struktur (2) mit
- einem, insbesondere elektrisch isolierenden, Grundkörper (11),
- zumindest einer n-seitigen Anschlussstelle (13) an einer Unterseite (IIb) des Grundkörpers (11),
- zumindest einer p-seitigen Anschlussstelle (12) an der Unterseite (IIb) des Grundkörpers (11),
- eine strukturierte elektrisch leitende Schicht (14) an der der Unterseite (IIb) gegenüberliegenden Oberseite (IIa) des Grundkörpers (11), und
- einer strukturierten und elektrisch leitenden
trägerseitigen Verbindungsmittelschicht (15) an der dem
Grundkörper (11) abgewandten Seite der strukturierten
elektrisch leitenden Schicht (14), wobei
- die strukturierte elektrisch leitende Schicht (14) in einem ersten Bereich (14a) elektrisch leitend mit der n-seitigen Anschlussstelle (13) verbunden ist,
- die strukturierte elektrisch leitende Schicht (14) in einem zweiten Bereich (14b) elektrisch leitend mit der p-seitigen Anschlussstelle (12) verbunden ist,
- der erste Bereich (14a) und der zweite Bereich (14b) der elektrisch leitenden Schicht (14) elektrisch voneinander isoliert sind,
- die trägerseitige Verbindungsmittelschicht (15)
stellenweise in direktem Kontakt mit der elektrisch leitenden Schicht (14) steht, und
- stellenweise ein elektrisch isolierendes
Passivierungsmaterial (16) zwischen der elektrisch leitenden Schicht (14) und der trägerseitigen Verbindungsmittelschicht (15) angeordnet ist.
2. Träger nach dem vorherigen Anspruch,
bei dem das Passivierungsmaterial (16) stellenweise zwischen der elektrisch leitenden Schicht (14) und der trägerseitigen Verbindungsmittelschicht (15) angeordnet ist, wobei das Passivierungsmaterial (16) mit der elektrisch leitenden
Schicht (14) und der Verbindungsmittelschicht (15) in
direktem Kontakt steht, wobei zumindest ein Bereich der trägerseitigen Verbindungsmittelschicht (15) vorhanden ist, in dem die trägerseitige Verbindungsmittelschicht (15) lediglich mechanisch mit der elektrisch leitenden Schicht (14) verbunden ist, wobei die mechanische Verbindung vom elektrisch isolierenden Passivierungsmaterial (16) vermittelt wird und in diesem zumindest einen Bereich kein elektrisch leidender Kontakt zwischen der trägerseitigen
Verbindungsmittelschicht (15) der elektrisch leitenden
Schicht (14) besteht.
3. Träger nach dem vorherigen Anspruch,
bei dem das Passivierungsmaterial (16) ausschließlich im ersten Bereich (14a) mit der elektrisch leitenden Schicht (14) in direktem Kontakt steht.
4. Träger nach einem der vorherigen Ansprüche,
bei dem die Anschlussstellen (12,13) mittels jeweils
wenigstens einer Durchkontaktierung (17) mit der elektrisch leitenden Schicht (14) elektrisch leitend verbunden sind, wobei sich die Durchkontaktierungen (17) durch den
Grundkörper (11) hindurch von der Unterseite (IIb) zur
Oberseite (IIa) des Grundkörpers (11) erstrecken.
5. Träger nach einem der vorherigen Ansprüche,
bei dem der Grundköper (11) mit Silizium und/oder einem keramischen Material gebildet ist.
6. Optoelektronischer Halbleiterchip mit
- einem Träger (1) nach einem der vorherigen Ansprüche und
- einer optoelektronischen Struktur (2), die mittels der trägerseitigen Verbindungsmittelschicht elektrisch leitend und mechanisch mit dem Träger verbunden ist.
7. Optoelektronischer Halbleiterchip nach dem vorherigen Anspruch,
bei dem die optoelektronische Struktur (2) folgende
Komponenten umfasst:
- eine Halbleiterschichtenfolge (21) mit einem aktiven
Bereich (21c) ,
- eine Spiegelschicht (22), die zur Reflexion von im aktiven Bereich (21c) erzeugter elektromagnetischer Strahlung
vorgesehen ist und mit einer p-Seite (21a) der
Halbleiterschichtenfolge (21) elektrisch leitend verbunden ist, und
- zumindest eine strukturseitige Durchkontaktierung (27), die eine n-Seite (21b) der Halbleiterschichtenfolge elektrisch leitend kontaktiert und sich von der p-Seite (21a) durch den aktiven Bereich (21c) hindurch bis zur n-Seite (21b)
erstreckt .
8. Optoelektronischer Halbleiterchip nach einem der
vorherigen Ansprüche mit
- einer strukturierten und elektrisch leitenden
strukturseitigen Verbindungsmittelschicht (25) , die in direktem Kontakt mit der trägerseitigen
Verbindungsmittelschicht (15) steht, wobei die beiden
Verbindungsmittelschichten (15,25) mechanisch fest
miteinander verbunden sind.
9. Optoelektronischer Halbleiterchip nach dem vorherigen
Anspruch,
bei dem
- die strukturseitige Verbindungsmittelschicht (25) zumindest einen p-Bereich (25a) aufweist, der elektrisch leitend mit der p-seitigen Anschlussstelle (12) verbunden ist, und
- die strukturseitige Verbindungsmittelschicht (25) zumindest einen n-Bereich (25b) aufweist, der elektrisch leitend mit der n-seitigen Anschlussstelle (13) verbunden ist, wobei - die n-Bereiche (25b) der strukturseitigen
Verbindungsmittelschicht (25) und die Spiegelschicht (22) nicht miteinander überlappen.
PCT/EP2012/050982 2011-03-03 2012-01-23 Träger für eine optoelektronische struktur und optoelektronischer halbleiterchip mit solch einem träger WO2012116858A1 (de)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US14/002,109 US9076898B2 (en) 2011-03-03 2012-01-23 Carrier for an optoelectronic structure comprising a structured electronically conductive layer at the top side of main body, and optoelectronic semiconductor chip comprising such a carrier
DE112012001078.7T DE112012001078B4 (de) 2011-03-03 2012-01-23 Träger für eine optoelektronische Struktur und optoelektronischer Halbleiterchip mit solch einem Träger
CN201280011601.1A CN103403891B (zh) 2011-03-03 2012-01-23 用于光电子结构的载体和具有这种载体的光电子半导体芯片

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102011012924A DE102011012924A1 (de) 2011-03-03 2011-03-03 Träger für eine optoelektronische Struktur und optoelektronischer Halbleiterchip mit solch einem Träger
DE102011012924.3 2011-03-03

Publications (1)

Publication Number Publication Date
WO2012116858A1 true WO2012116858A1 (de) 2012-09-07

Family

ID=45562987

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
PCT/EP2012/050982 WO2012116858A1 (de) 2011-03-03 2012-01-23 Träger für eine optoelektronische struktur und optoelektronischer halbleiterchip mit solch einem träger

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9076898B2 (de)
CN (1) CN103403891B (de)
DE (2) DE102011012924A1 (de)
TW (1) TWI456808B (de)
WO (1) WO2012116858A1 (de)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2013187723A1 (ko) * 2012-06-14 2013-12-19 An Sang Jeong 반도체 발광소자 및 이의 제조 방법
DE102015107526A1 (de) * 2015-05-13 2016-11-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip und optoelektronisches Modul
DE102015113310B4 (de) * 2015-08-12 2022-08-04 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Halbleiterchip
DE102016106831A1 (de) * 2016-04-13 2017-10-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1450417A1 (de) * 2003-02-19 2004-08-25 LumiLeds Lighting U.S., LLC Hochleistungs-LED mit verbesserten thermischen Eigenschaften
WO2004105142A1 (en) * 2003-05-26 2004-12-02 Matsushita Electric Works, Ltd. Light-emitting device
US20070096130A1 (en) * 2005-06-09 2007-05-03 Philips Lumileds Lighting Company, Llc LED Assembly Having Maximum Metal Support for Laser Lift-Off of Growth Substrate
WO2009077974A2 (en) * 2007-12-14 2009-06-25 Koninklijke Philips Electronics N.V. Contact for a semiconductor light emitting device
US20110005822A1 (en) * 2006-10-20 2011-01-13 Yuuki Momokawa Structure of a package for electronic devices and method for manufacturing the package

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4961887B2 (ja) * 2005-09-07 2012-06-27 豊田合成株式会社 固体素子デバイス
US7439548B2 (en) * 2006-08-11 2008-10-21 Bridgelux, Inc Surface mountable chip
DE102007022947B4 (de) 2007-04-26 2022-05-05 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Optoelektronischer Halbleiterkörper und Verfahren zur Herstellung eines solchen
JP5137059B2 (ja) * 2007-06-20 2013-02-06 新光電気工業株式会社 電子部品用パッケージ及びその製造方法と電子部品装置
DE102007030129A1 (de) * 2007-06-29 2009-01-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl optoelektronischer Bauelemente und optoelektronisches Bauelement
DE102007062046B4 (de) 2007-12-21 2023-09-07 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Lichtemittierende Bauelementeanordnung, lichtemittierendes Bauelement sowie Verfahren zum Herstellen einer Mehrzahl von lichtemittierenden Bauelementen
US8878219B2 (en) * 2008-01-11 2014-11-04 Cree, Inc. Flip-chip phosphor coating method and devices fabricated utilizing method
DE102008011848A1 (de) 2008-02-29 2009-09-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterkörper und Verfahren zur Herstellung eines solchen
DE102008054235A1 (de) * 2008-10-31 2010-05-12 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauteil
KR101064026B1 (ko) * 2009-02-17 2011-09-08 엘지이노텍 주식회사 발광 디바이스 패키지 및 그 제조방법
DE102009032486A1 (de) * 2009-07-09 2011-01-13 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement
US8653542B2 (en) * 2011-01-13 2014-02-18 Tsmc Solid State Lighting Ltd. Micro-interconnects for light-emitting diodes

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1450417A1 (de) * 2003-02-19 2004-08-25 LumiLeds Lighting U.S., LLC Hochleistungs-LED mit verbesserten thermischen Eigenschaften
WO2004105142A1 (en) * 2003-05-26 2004-12-02 Matsushita Electric Works, Ltd. Light-emitting device
US20070096130A1 (en) * 2005-06-09 2007-05-03 Philips Lumileds Lighting Company, Llc LED Assembly Having Maximum Metal Support for Laser Lift-Off of Growth Substrate
US20110005822A1 (en) * 2006-10-20 2011-01-13 Yuuki Momokawa Structure of a package for electronic devices and method for manufacturing the package
WO2009077974A2 (en) * 2007-12-14 2009-06-25 Koninklijke Philips Electronics N.V. Contact for a semiconductor light emitting device

Also Published As

Publication number Publication date
DE112012001078A5 (de) 2014-06-26
US20140054635A1 (en) 2014-02-27
TW201251144A (en) 2012-12-16
US9076898B2 (en) 2015-07-07
CN103403891B (zh) 2016-01-20
DE112012001078B4 (de) 2022-02-03
TWI456808B (zh) 2014-10-11
DE102011012924A1 (de) 2012-09-06
CN103403891A (zh) 2013-11-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE102011015821B4 (de) Optoelektronischer Halbleiterchip
EP2553726B1 (de) Optoelektronischer halbleiterchip
EP2596532B1 (de) Optoelektronisches bauelement
DE102009032486A1 (de) Optoelektronisches Bauelement
WO2011058094A1 (de) Dünnfilm-halbleiterbauelement mit schutzdiodenstruktur und verfahren zur herstellung eines dünnfilm-halbleiterbauelements
EP2652785B1 (de) Träger für einen optoelektronischen halbleiterchip und halbleiterchip
DE102013216709B4 (de) Halbleiteranordnung, verfahren zur herstellung einer anzahl von chipbaugruppen und verfahren zur herstellung einer halbleiteranordnung
DE112015002796B4 (de) Optoelektronischer Halbleiterchip
WO2016113032A1 (de) Optoelektronisches halbleiterbauelement und dessen herstellungsverfahren
EP2415077B1 (de) Optoelektronisches bauelement
DE102007007142A1 (de) Nutzen, Halbleiterbauteil sowie Verfahren zu deren Herstellung
WO2009079983A1 (de) Leuchtdiodenchip mit überspannungsschutz
WO2008092417A1 (de) Optoelektronischer halbleiterchip und verfahren zur herstellung einer kontaktstruktur für einen derartigen chip
WO2012013523A1 (de) Strahlungsemittierender halbleiterchip und verfahren zur herstellung eines strahlungsemittierenden halbleiterchips
DE112012001078B4 (de) Träger für eine optoelektronische Struktur und optoelektronischer Halbleiterchip mit solch einem Träger
WO2016135024A1 (de) Optoelektronisches halbleiterbauelement, verfahren zur herstellung eines elektrischen kontakts und verfahren zur herstellung eines halbleiterbauelements
EP2599123B1 (de) Verfahren zur herstellung eines optoelektronischen halbleiterbauteils und optoelektronisches halbleiterbauteil
DE102015108056A1 (de) Optoelektronisches Halbleiterbauteil, optoelektronische Anordnung und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils
EP0899794A2 (de) Hochfrequenzdiode und Verfahren zu deren Herstellung
WO2018024914A1 (de) Filament mit einem träger
WO2019057830A1 (de) Elektronisches bauteil

Legal Events

Date Code Title Description
121 Ep: the epo has been informed by wipo that ep was designated in this application

Ref document number: 12702465

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 112012001078

Country of ref document: DE

Ref document number: 1120120010787

Country of ref document: DE

WWE Wipo information: entry into national phase

Ref document number: 14002109

Country of ref document: US

122 Ep: pct application non-entry in european phase

Ref document number: 12702465

Country of ref document: EP

Kind code of ref document: A1

REG Reference to national code

Ref country code: DE

Ref legal event code: R225

Ref document number: 112012001078

Country of ref document: DE

Effective date: 20140626