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WO2007052528A1 - 平面磁気素子およびそれを用いた電源icパッケージ - Google Patents

平面磁気素子およびそれを用いた電源icパッケージ Download PDF

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WO2007052528A1
WO2007052528A1 PCT/JP2006/321368 JP2006321368W WO2007052528A1 WO 2007052528 A1 WO2007052528 A1 WO 2007052528A1 JP 2006321368 W JP2006321368 W JP 2006321368W WO 2007052528 A1 WO2007052528 A1 WO 2007052528A1
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WO
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magnetic
planar
coil
magnetic element
resin
Prior art date
Application number
PCT/JP2006/321368
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English (en)
French (fr)
Inventor
Tetsuo Inoue
Akira Sato
Katsutoshi Nakagawa
Original Assignee
Kabushiki Kaisha Toshiba
Toshiba Materials Co., Ltd.
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Publication date
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Priority to CN2006800408495A priority patent/CN101300648B/zh
Priority to US12/092,092 priority patent/US7821371B2/en
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Definitions

  • the present invention relates to a planar magnetic element (magnetic passive element) used as a thin inductor, and in particular, a planar magnetic element having improved permeability and increased inductance with respect to a magnetic field generated in a planar coil, and a power source using the same Regarding IC packages.
  • the coil is applied by patterning so as to form a spiral type or a toroidal type. It is produced by applying ferrite so that the soft magnetic material is excited by these coils and finally sintering them.
  • a toroidal inductor is manufactured through a process in which ferrite and a conductor are alternately patterned and applied.
  • Patent Document 1 Japanese Patent Laid-Open No. 2002-299120
  • Non-Patent Document 1 IEEE Trans. Magn. MAG—20, No. 5, pp. 1804—1806
  • the former is thinned, and the surface degradation layer occupies the total volume. Since the ratio increases and characteristics such as permeability deteriorate, a low-profile and high-inductance element cannot be realized.
  • the latter generally has a drawback that it is difficult to obtain a high inductance value because of its low magnetic permeability, and if a large amount of magnetic material is used to compensate for this disadvantage, there is a limit to reducing the height of magnetic elements such as inductors. there were. For this reason, there has been a problem in that it is difficult to reduce the size of the device due to the high-density mounting of components.
  • the present invention it is difficult to obtain a low-profile and high-inductance element as described above, and in view of the conventional situation, by using fine particles capable of effectively obtaining a high inductance value for a planar coil, a low-profile is obtained.
  • the purpose is to realize a planar magnetic element such as an integrated inductor.
  • the planar magnetic element according to the present invention is a planar magnetic element in which a planar coil is disposed between the first magnetic layer and the second magnetic layer. It is characterized in that magnetic particles having a shape ratio SZL of 0.7-1 with respect to the maximum length of the short axis orthogonal to are filled in the gaps between the coil wires of the planar coil. To do.
  • the magnetic particles filled in the gaps between the coil wirings The shape ratio SZL is measured as follows. In other words, an observation area of 300 ⁇ m x 300 ⁇ m in the area between the coils parallel to the upper and lower magnetic layer (magnetic sheet) film plane of the planar magnetic element (inductor) and cut by a cross section including the planar coil In the cross-section of each magnetic particle that appears in each observation area, the length of the longest diagonal line is measured as the major axis length, while being perpendicular to the major axis and the midpoint of the major axis. The length of the minor axis that intersects with the magnetic particle is measured as the minor axis length of the magnetic particle. Then, the average value of the short axis length, the average value of the long axis length, and the average value of the shape ratio measured in each observation region are set as S, L, and SZL, respectively.
  • the shape ratio SZL is too small, less than 0.7, the magnetic particles filled between the coils become oriented in the longitudinal direction of the particles in a direction parallel to the coil conductor wiring direction. Since the demagnetizing field in the direction of the magnetic field generated when the coil is energized increases and the effective permeability decreases, the inductance value tends to decrease. Therefore, the shape ratio SZL of the magnetic particles is in the range of 0.7 or more and the isotropic shape ratio 1 or less. The inductance of the planar magnetic element can be increased within the range of the shape ratio.
  • the shape ratio SZL range (0.7 to 1) of the magnetic particles is an average value, but preferably the shape ratio of each magnetic particle filled between the coils is an absolute value of 0.7 to A range of 1 is preferred.
  • the magnetic material constituting the magnetic particles and the magnetic layer is not particularly limited as long as it is a magnetic material having high saturation magnetization, low coercive force, high permeability, and low loss at high frequencies. More specifically, in addition to crystalline soft magnetic alloys such as sendust, permalloy or silicon steel, Fe-Co alloys, Fe-Ni alloys, Fe-A1 alloys, Fe-A1-Si alloys, Co-based amorphous alloys High permeability metal such as Fe-based amorphous alloy can be used suitably
  • planar coil is a planar coil in which adjacent conductor coils run parallel to each other, such as a meandering coil formed in a spiral shape or a folded shape, the same inductance increasing effect is exhibited.
  • the thickness (height) of the planar coil is adjusted to about 10 to 200 ⁇ m.
  • the gap between the coil wirings of the planar coil is defined as W / z.
  • the average particle diameter D of the magnetic particles is preferably (WZ2) m or less, where m is m.
  • the average particle diameter D of the magnetic particles is an average value of the average value S of the minor axis lengths used in measuring the shape ratio and the average value L of the major axis lengths. If the average particle diameter D is less than 0.5 m, the magnetic particles are excessively fine and difficult to handle. Specifically, a surface oxide layer or a surface deteriorated layer is generated, and magnetic characteristic deterioration or magnetic characteristic deterioration due to thermal vibration is likely to occur. In addition, there are problems such as difficulty in uniformly mixing the particles when made into a paste.
  • the average particle diameter D of the magnetic particles is larger than (WZ2), the magnetic particles are sufficiently filled between the coils, which may reduce the inductance.
  • the average particle diameter D of the magnetic particles is more preferably (WZ3) m or less.
  • a filling rate of the magnetic particles in a gap between coil wirings of the planar coil is 30 vol% or more. If the filling rate of the magnetic particles in the gaps between the coil wirings is too low, ie less than 30 vol%, the inductance of the planar magnetic element is not preferable. Therefore, the filling rate of the magnetic particles is preferably 30% by volume or more, more preferably 50% or more.
  • the magnetic particles include at least one magnetic material such as an amorphous alloy, a fine crystal alloy having an average crystal grain size of 20 m or less, and ferrite.
  • the magnetic permeability is increased and the inductance value of the planar magnetic element can be increased.
  • the first magnetic layer (lower surface side magnetic layer) and the second magnetic layer (upper surface side magnetic layer) may be a mixture of magnetic powder and resin.
  • the magnetic material constituting the magnetic layer is not particularly limited, and any magnetic material that has a high saturation magnetic field, a low holding power, a high magnetic permeability, and a low loss at a high frequency can be used.
  • crystalline soft magnetic alloys such as sendust, permalloy or silicon steel, Fe-Co alloy, Fe-Ni alloy, Fe-A1 alloy, Fe-A1-Si alloy, Co-based amorphous alloy, Fe-based amorphous alloy
  • High permeability metal such as can be suitably used.
  • the thickness of each magnetic layer may be set to about 50 to 400 / ⁇ ⁇ .
  • the total thickness of the planar magnetic element is 0.5 mm or less.
  • the planar magnetic element and the IC chip are accommodated in the same package, and the purpose is to realize a smaller circuit component.
  • the advantage of one package is that the height is not less than that of the semiconductor chip. Disappear. Therefore, even if the thickness of the planar magnetic element is high, the general height of the semiconductor element pellet is required to be 0.625 mm or less, preferably 0.3 mm or less. In particular, by reducing the thickness of the planar magnetic element to about 0.4 mm or less, a stacked type one package as shown in FIGS. 7 and 8 described later becomes possible.
  • the planar coil also has a mixture force of metal powder and resin.
  • metal powder Cu, Ag, Au, Pt, Ni, Sn, and other conductive powders are used, and Cu and Ag are particularly preferable from the viewpoint of conductivity and economy.
  • the flat coil is subjected to a heating operation including a reaction such as reduction or the like, after the mixture of the metal powder, the resin and the solvent is applied in a predetermined pattern and then naturally dried, heated to a temperature at which the solvent evaporates or exceeds the temperature. Or is formed by solidifying as a coil.
  • the width, height (thickness), and spacing (gap) of the planar coil wiring are factors that affect the coil characteristics, and the wiring density and the wiring width and thickness are increased as much as possible. It is desirable to set it large and make the wiring interval as small as possible while maintaining mutual insulation. Specifically, the height (thickness) of the coil wiring is 20 ⁇ m or more, preferably 40 ⁇ m or more. If it is thin, the coil resistance increases and the performance factor (Q factor: Quality factor) cannot be obtained. It is preferable to make it as thick as possible according to the required performance. Further, as described above, it is better that the coil wiring interval is narrower. A wide wiring spacing increases the device size and increases the coil length, which increases the coil DC resistance and lowers the performance factor (Q value). Therefore, the wiring interval is preferably 200 ⁇ m or less.
  • the magnetic particles are preferably a magnetic mixture in which a resin binder is mixed in an amount of 20% by mass or less. If the magnetic particles forming the magnetic layer contain a resin binder of more than 20% by mass, the magnetic properties of the magnetic layer will deteriorate and the inductance will decrease. Accordingly, the force specified by the content of the binder is 2% by mass or less. At the stage of finally forming the magnetic layer, the resin binder is almost completely volatilized, and substantially only the magnetic particles are aggregated and solidified. It is preferable to form a magnetic layer.
  • a magnetic particle is filled in a gap between the coil wirings.
  • the magnetic layer is dried with the resin binder penetrating into the magnetic layer, and the content power of the resin binder in the magnetic layer after drying is preferably S0 to 20% by mass.
  • the binder is a non-magnetic substance, the ability to achieve high inductance after the formation of the magnetic layer Heat treatment can be used to skip the binder component, and to reduce the amount of nodding remaining in the magnetic layer as much as possible. Hope.
  • the planar magnetic element as described above is manufactured through the following processes, for example. That is, a paste is prepared by mixing a vehicle with magnetic powder having a predetermined shape ratio (SZL) and average particle size D, and a magnetic sheet having a predetermined size is printed on the substrate using this paste. Prepare the layer.
  • SZL shape ratio
  • D average particle size
  • cellulose derivatives such as nitrocellulose, ethyl cellulose, and carboxymethyl cellulose, acrylic resin, ketone resin, urea resin, melamine resin, polyvinyl butyral, petroleum Resin, Polyester, Alkyd Resin, Acrylic Resin, Polyamide, Polyurethane, Maleic Acid Resin, Polyvinylol Acetate, Polybutyl Alcohol, Polyethylene, Silicone Polymer (Methyl Siloxy Acid, Methyl Phenyl Siloxy Acid) Polystyrene, Butadiene z Styrene Copolymers, bull pyrrolidone, polyether, epoxy resin, aryl resin, phenol formaldehyde resin, polyimide, rosin resin, polycarbonate resin, dammer, copay balsam, etc., inorganic materials such as SiO
  • Two insulating layers may be formed. As far as organic substances are insulative, they are not limited to this.
  • a planar coil is printed in a spiral or meander pattern using a conductive metal paste such as Ag paste or Cu paste. If the planar coil is a planar coil in which adjacent conductor coil wires run side by side like a meander coil, the same effect is exhibited.
  • the planar coil has a low volume resistivity plane, such as a plating method, a conductive metal thin punching method, a conductive metal etching method, a sputtering method, a vapor deposition method such as a vapor deposition method. There is no particular limitation as long as the coil can be realized.
  • the planar coil is formed by printing the magnetic sheet again as a second magnetic layer with a predetermined pattern and thickness so as to cover the planar coil.
  • a low-profile inductor as a planar magnetic element covered with the first and second magnetic layers is formed.
  • the magnetic pattern of the second magnetic layer is provided with an opening at a portion corresponding to the coil terminal portion.
  • a magnetic thin plate is adhered with an insulating adhesive, and a magnetic paste in which magnetic powder is dispersed in a resin is applied and dried.
  • a method and a method of plating the above magnetic substance may be combined.
  • the power supply IC package includes a planar magnetic element prepared as described above and a semiconductor chip such as a control IC or a field effect transistor (FET) in the planar direction on the same substrate or the same package. It is formed by mounting in the height direction.
  • the above-mentioned power supply IC package is an IC integrated type in which a planar magnetic element and an IC chip are integrally mounted on the same substrate, which is effective for miniaturization of power devices. It is also possible to integrate a plurality of semiconductor chips and active elements into one package. For example, a package incorporating a power supply function such as a DC-DC converter may be used, and a similar power supply function can be provided by arranging an external capacitor or the like.
  • the shape ratio SZL which is the ratio of the major axis length (L) to the minor axis length (S) orthogonal to the major axis, is 0.7 to 1. Since the magnetic fine particles are formed by filling the gaps between the wirings of the planar coil, the permeability to the magnetic field generated in the planar coil can be improved, and the magnetic element as a low-profile inductor with improved inductance can be obtained. A child is realized.
  • planar magnetic element prepared as described above and a semiconductor chip such as a control IC or a field effect transistor (FET) are mounted in the planar direction or the height direction on the same substrate or the same package. It can be packaged in one package, enabling high-density mounting of functional elements, and has a remarkable effect on miniaturization and higher functionality of semiconductor devices.
  • FIG. 1 is a plan view of a planar magnetic element according to an embodiment of the present invention when a spiral type is adopted as a coil shape.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view taken along arrow II in FIG.
  • FIG. 3 is a partially enlarged cross-sectional view of a collar portion in FIG.
  • FIG. 4 is a plan view of a planar magnetic element according to an embodiment of the present invention when a meander type is adopted as a coil shape.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view showing a method for measuring the dimensions of the magnetic particles shown in FIG.
  • FIG. 6 is a cross-sectional view showing a configuration example of an IC package in which a planar magnetic element and a semiconductor chip according to the present invention are arranged and packaged on a plane.
  • FIG. 7 is a cross-sectional view showing a configuration example of an IC package in which a planar magnetic element and a semiconductor chip according to the present invention are stacked and packaged.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view showing a configuration example of an IC package in which a planar magnetic element and a semiconductor chip according to the present invention are stacked by a bump method and packaged.
  • Fine magnetic particles were prepared by treating the molten metal material of Sendust having an alloy composition of 5wt% Al-10wt% Si-Fe by the water gas atomization method. That is, the magnetic particles for Example 1 were prepared by injecting the molten metal material with a crucible force and simultaneously spraying and dispersing an inert gas (Ar), and introducing the dispersed particles into water to quench.
  • an inert gas Ar
  • the magnetic particles obtained as described above have an average particle size (50% by volume) of 28 ⁇ m, and the magnetic particles are passed through a sieve having a mesh opening of 63 ⁇ m. Only magnetic particles under 63 ⁇ m were selected. As a result, magnetic particles having a shape ratio SZL and an average particle diameter D as shown in Table 1 were prepared. Furthermore, 1.4% by mass of a vehicle (binder) was mixed with the magnetic particles to prepare a paste.
  • a patterned 10 mm ⁇ 10 mm magnetic sheet having a thickness of 100 m is printed on the upper surface of a 300 m-thick Si substrate as the base 2, and the first Magnetic layer 3 was formed.
  • the coil of the planar coil 4 is A planar coil 4 having a wire width B of 300 ⁇ m, a gap W between coil wires of 125 ⁇ m, a coil winding number of 8 turns, and a thickness t of 40 ⁇ m was produced.
  • the same effect is obtained if the planar coil 4a in which adjacent conductor coils run side by side like a meander coil formed in a zigzag shape.
  • the magnetic sheet is patterned again so that the magnetic layer thickness in the planar coil portion 4 is 100 ⁇ m, and the second magnetic layer 5 as shown in Fig. 2 is formed. did.
  • the second magnetic layer 5 was provided with an opening at a portion corresponding to the terminal 6 of the planar coil portion 4.
  • a planar magnetic element 1 as shown in FIGS. 1 to 3 was produced.
  • Table 1 shows the characteristics of the obtained inductor as the planar magnetic element.
  • Example 1 the Si substrate used as the base was thinly polished to 60 m by chemical mechanical etching. As a result, the total thickness T of the inductor as the planar magnetic element 1 became 0.3 mm. , Control IC and field effect transistor (FET), etc. Below. Therefore, as shown in FIGS. 6 to 8, a low-profile IC package 10, 10a, 10b with a built-in inductor can be obtained by integrating a semiconductor chip 8 such as a switching IC and the flat magnetic element 1 and packaging them. Realize.
  • the IC package 10 shown in FIG. 6 has a structure in which the semiconductor chip 8 and the planar magnetic elements 1 and la are arranged in the planar direction on the package substrate, and each is connected to the lead frame 9 and fixed with mold grease.
  • the IC package 10a shown in FIG. 7 has a structure in which the semiconductor chip 8 and the planar magnetic element 1, la are stacked in the thickness direction on the package substrate, and each is connected to the lead frame 9 and fixed with mold grease.
  • the IC package 10b shown in FIG. 8 has a semiconductor chip 8 and a planar magnetic element 1, la stacked in a thickness direction on the package substrate by a bump bonding method, and each is connected to a lead frame 9 and molded. It has a structure fixed with grease.
  • a low-profile knocker including an inductor as a planar magnetic element, for example, a small DC-DC converter IC and a power supply IC package that are made into one package can be easily realized.
  • the substrate 2 supporting the planar magnetic element is not limited to the Si substrate, but may be an SiO substrate or an oxide substrate.
  • Si substrate with a film or nitride film Si substrate with a film or nitride film, alumina (Al 2 O 3) substrate, aluminum nitride (A1
  • the magnetic particles obtained in this way had an average particle size (50% by volume) of 14 ⁇ m.
  • the magnetic particles were passed through a sieve having a mesh size of 32 m to obtain a particle size. Only magnetic particles with an under 32 m were selected. Thereafter, 0.9 mass 0/0 of vehicle (binder) to prepare a mixed paste to the magnetic particles child, first magnetic magnetic sheet Patani spoon has been 10 mm X 10 mm of 100 mu m thickness on Si substrate Printed as layer 3.
  • first magnetic layer 3 After the magnetic pattern (first magnetic layer 3) is formed, polyimide is applied and imidized, An insulating layer having a thickness of 4 m was formed.
  • Other insulating materials include black-mouth plain rubber, nitrile rubber, polysulfide, butadiene rubber, SBR, silicone rubber, etc. It is also possible to use an insulating layer made of an organic material such as a resin based on thermoplasticity such as thermoplastic, vinyl chloride or polystyrene, or an inorganic material such as SiO.
  • a planar coil 4 as shown in Fig. 1 was printed by patterning Cu paste in a spiral shape.
  • the coil wiring width B is 300 m
  • the gap W between the coil wirings is 100 ⁇ m
  • the number of coil turns is 9 turns
  • a base coil pattern with a thickness of 5 ⁇ m is produced.
  • a Cu plating layer with a thickness of 30 ⁇ m was laminated on the surface of the underlying coil pattern by electroless plating to form a Cu planar coil 4 with a total thickness of 35 ⁇ m.
  • the plating process may be performed by an electrolytic plating method.
  • cellulose derivatives such as nitrocellulose, ethyl cellulose, carboxymethyl cellulose, acrylic resin, ketone resin, urea resin, melamine resin, polyvinyl propylal, petroleum resin, polyester, alkyd resin , Acrylic resin, polyamide, polyurethane, maleic acid resin, polybutyl acetate, polybutyl alcohol, polyethylene, silicone polymer (methyl siloxy acid, methyl phenol siloxy acid) polystyrene, butadiene Z styrene copolymer, vinyl pyrrolidone, polyether, Epoxy resin, aryl resin, phenol formaldehyde resin, polyimide, rosin resin, polycarbonate, organic resin such as dampener and copay balsam, inorganic substances such as SiO
  • the second magnetic layer 5 was formed by patterning the magnetic sheet again so that the thickness of the magnetic layer 5 in the planar coil portion was 100 m. At this time, the second magnetic layer 5 was provided with an opening at a portion corresponding to the terminal 6 of the planar coil 4. In this way, an inductor as a planar magnetic element according to Example 2 was prepared.
  • Table 1 shows the characteristics of the obtained inductor.
  • Magnetic particles having a shape ratio and an average particle diameter shown in Table 1 were prepared.
  • a predetermined amount of a binder was mixed with each of the obtained magnetic particles so as to have the content shown in Table 1 to prepare magnetic material pastes.
  • Example 3 magnetic particles having a coarse particle diameter were used, while in Example 4, magnetic particles having an extremely fine particle diameter were used.
  • Example 6 is an example in which the occupation ratio of the magnetic material in the magnetic layer is reduced.
  • Example 7 magnetic particles made of Co-based amorphous alloy were used, and in Example 8, magnetic particles made of ferrite alloy were used.
  • Example 9 an 80 m thick planar coil composed of two Ag printing layers was used.
  • Example 10 the first and second magnetic layers were formed to be 200 m thick.
  • both magnetic layers were formed to a thickness of 200 m, and a planar coil having a thickness of 80 ⁇ m consisting of two Ag printing layers was used.
  • Table 1 shows the characteristics of the obtained inductors.
  • the sendust melt was dispersed and cooled to produce magnetic particles.
  • the magnetic particles thus obtained had an average particle size (50% by volume) of 28 ⁇ m. Furthermore, only particles with a particle size of 63 ⁇ m or less were selected by applying force to a sieve with a mesh size of 63 ⁇ m. Thereafter, a magnetic material paste was prepared by adding to and mixing with the magnetic particles so that the content of the organic binder was 1.4% by mass.
  • organic binder examples include cellulose derivatives such as nitrocellulose, ethyl cellulose, and carboxymethyl cellulose, acrylic resin, ketone resin, urea resin, melamine resin, polybutyral, petroleum resin, and polyester.
  • Alkyd resin Ataryl resin, Polyamide, Polyurethane, Maleic acid resin, Polybutyrate, Polyvinyl alcohol, Polyethylene, Silicone polymer (Methylsiloxy acid, Methylphenylsiloxy acid) Polystyrene, Butadiene Z styrene copolymer, Vinylol pyrrolidone,
  • Organic substances such as polyester resin, epoxy resin, aryl resin, phenol formaldehyde resin, polyimide, rosin resin, polycarbonate resin, dammer, and copaybalsum can be used.
  • the organic substance is not limited to this as long as it has insulating properties.
  • Example 12 Ag paste was patterned in a spiral shape and printed on the upper surface of the first magnetic layer 3.
  • the coil wiring width B is 300 m
  • the coil wiring gap W is 125 m
  • the number of turns of the coil is 8 turns
  • the coil wiring thickness is 40 ⁇ m.
  • a planar coil 4 was produced.
  • a magnetic material paste is printed again so as to cover the planar coil 4, a magnetic sheet pattern is formed so that the thickness of the magnetic layer in the planar coil 4 is 100 / zm, and the second magnetic Was formed.
  • the magnetic pattern was provided with an opening at a portion corresponding to the terminal 6 of the coil 4.
  • a planar magnetic element having an inductor thickness H of 240 m and a thickness T force S300 ⁇ m including the Si substrate 2 was prepared.
  • the Si substrate (base material) on which the inductor was printed as described above was dipped in a solution in which ethyl cellulose was dissolved in BCA (butyl carbitol acetate).
  • BCA butyl carbitol acetate
  • the solution for dipping the inductor is cellulose derivatives such as -trocellulose, ethylcellulose, carboxymethylcellulose, etc., as the resin component, acrylic resin, keton resin, urea resin, melamine resin, polybutyral.
  • Petroleum resin polyester, alkyd resin, acrylic resin, polyamide, polyurethane, maleic acid resin, polybutyrate, polybutal alcohol, polyethylene, silicone polymer (methylsiloxy acid, methyl Rufyl-siloxy acid) polystyrene, butadiene Z styrene copolymer, bull pyrrolidone, polyether, epoxy resin, aryl resin, phenol formaldehyde resin, polyimide, rosin resin, polycarbonate resin, dammer, copaybalsum, etc.
  • the solution is not limited as long as it is a solution composed of a solvent that dissolves these or uniformly disperses them.
  • Table 1 shows the characteristics of the obtained inductor and the cracking and peeling states during the nodal ring.
  • an organic binder can be filled between sufficiently close magnetic fine particles, and a bonding structure in which a strong adhesive that is brittle between fine particles is present in the voids is obtained.
  • Example 12 An inductor using magnetic material particles having a high magnetic permeability as in Example 12 can be reduced in height.
  • the total thickness of the inductor is 0.3 mm, which is the same thickness as that of a semiconductor chip such as a switching IC. Therefore, by integrating the semiconductor chip with these semiconductor chips and packaging them, FIG.
  • An IC package with a built-in inductor as shown in Fig. 8 can be realized.
  • a low-profile DC-DC converter IC package can be realized in one package with the inductor.
  • Example 12 A polyimide film with a thickness of 25 ⁇ m was used in place of the Si substrate as the substrate, magnetic particles having the shape ratio and average particle diameter shown in Table 1 were used, and finally the same dip as in Example 12 was used.
  • An inductor as a planar magnetic element according to Example 13 was prepared by performing the same processing as in Example 1 except that the processing was performed.
  • Example 2 The same treatment as in Example 1 was performed except that Sendust magnetic particles having the shape ratio and average particle size shown in Table 1 were used, and a polyimide film with a thickness of 25 ⁇ m was used instead of the Si substrate as the substrate. Thus, an inductor was prepared. After that, an inductive solution formed as described above was prepared by dissolving ethylcellulose in BCA (butyl carbitol acetate). The planar magnetic element according to Example 14 with reduced brittleness was prepared by spraying and coating the outer terminal portion with a mask or the like, and then drying.
  • BCA butyl carbitol acetate
  • the solution to be sprayed on the inductor includes cellulose derivatives such as -trocellulose, ethylcellulose, and carboxymethylcellulose as a resin component, acrylic resin, ketone resin, urea resin, melamine resin, polybutyral, Petroleum resin, polyester, alkyd resin, acrylic resin, polyamide, polyurethane, maleic acid resin, polyvinylino cetate, polybutyl alcohol, polyethylene, silicon polymer (methyl siloxy acid, methyl phenol) , Butadiene Z styrene copolymer, bull pyrrolidone, polyether, epoxy resin, aryl resin, phenol formaldehyde resin, polyimide, rosin resin, polycarbonate resin, dammer, conol balsam, etc.
  • a solution comprising a uniformly dispersed solvent is not particularly limited.
  • an organic binder may be filled between the magnetic fine particles by a method of penetrating magnetic surface force by
  • Table 1 shows the characteristics of the inductor as the obtained planar magnetic element and the cracks and peeling state during the nodling.
  • the magnetic particles thus obtained had an average particle size (50% by volume) of 14 ⁇ m. From the fact that this magnetic particle can be screened with an opening force of S32 m, only fine magnetic particles under 32 m were selected. Thereafter, to prepare a paste and mixed with magnetic particles so that the content of cellulose-based organic Noinda one becomes 0.9 mass 0/0. Next, using this paste, a patterned 10 mm ⁇ 10 mm magnetic sheet having a thickness of 100 ⁇ m was printed as a first magnetic layer 3 on a Si substrate 2 having a thickness of 60 ⁇ m.
  • a Cu foil plane having the same dimensions and shape as the punched coil of Example 2 formed by punching a 30 ⁇ m thick copper foil with a mold instead of the plated coil formed in Example 2
  • the planar magnetic element according to Example 15 was prepared by forming the second magnetic layer on the surface of the coil 4 in the same manner as in Example 2.
  • the sendust used in Example 1 was pulverized to produce flat magnetic particles having a ratio ScZLc of 0.4 between the major axis and the length (Sc) of the minor axis perpendicular to the major axis (Lc). By passing these magnetic particles through a sieve with an opening of 63 ⁇ m, only fine magnetic particles with a size of 63 ⁇ m or less were selected.
  • the planar magnetic element according to Comparative Example 1 was prepared by treating in the same manner as Example 1 except for the above.
  • Amorphous magnetic particles with the composition (CoO. 90FeO. 05MnO. 02NbO. 03) 71— Sil5—B14 in terms of atomic ratio are passed through a sieve with a mesh size of 32 m. Only selected. Otherwise, the planar magnetic element according to Comparative Example 2 was prepared in the same manner as in Example 2.
  • Example 16 As shown in Table 1, a plane according to Example 16 was processed in the same manner as in Example 16 except that Sendust magnetic particles having extremely long major axis length (L) and minor axis length (S) were used. A magnetic element was prepared.
  • Example 1 As shown in Table 1, the treatment was conducted in the same manner as in Example 1 except that the content of the organic binder contained in the magnetic particles was increased to reduce the occupation ratio of the magnetic material in the magnetic layer. A planar magnetic element was prepared.
  • the magnetic particles having the shape ratio and average particle diameter shown in Table 1 were used, and the final dipping process was not performed.
  • a planar magnetic element was prepared.
  • the inductor thickness H means the distance from the lower end force of the first magnetic layer 3 of the planar magnetic element 1 to the upper end of the second magnetic layer as shown in FIG.
  • the shape ratio SZL of the magnetic particles is measured as follows. That is, in the cross-sectional structure parallel to the film surface of the inductor magnetic layers 3 and 5 and including the planar coil 4, observe three arbitrary regions 300 m x 300 m between the coil and cross-section of each magnetic particle The longest diagonal line is the major axis length, the particle length in the line segment perpendicular to the major axis and intersecting the midpoint of the major axis is the minor axis length, and the minor axis length obtained in the observation region is The average value of the length, the average value of the long axis length, and the average value of the ratio are defined as S, L, and SZL, respectively. The arithmetic average of the short axis and long axis of each magnetic particle in the observation region is taken as the average particle size.
  • the measurement method of the evaluation items of each planar magnetic element is as follows.
  • the inductance of each planar magnetic element was measured using an impedance analyzer with the excitation voltage of 0.5 V and the measurement frequency of 10 MHz.
  • DC resistance was measured using a tester.
  • the quality factor (Q) of the planar coil was measured using an impedance analyzer with the excitation voltage set at 0.5 V and the measurement frequency set at 10 MHz.
  • the non-ring characteristics were evaluated as ⁇ when the percentage of the magnetic layers that were damaged at the end of the entire process of making each inductor was less than 5%. Less than 7%, less than 7%, and more than 10% X.
  • Table 1 The evaluation measurement results are shown in Table 1 below.
  • the shape ratio SZL which is the ratio of the major axis length (L) to the minor axis length (S) perpendicular to the major axis, is 0.7 to 1.
  • the planar magnetic element according to each embodiment in which certain magnetic fine particles are filled in the gaps between the wirings of the planar coil the permeability with respect to the magnetic field generated in the planar coil can be improved, and the inductance is reduced.
  • a planar magnetic element as an improved low-profile inductor is realized.
  • planar magnetic element prepared as described above and a semiconductor chip such as a control IC or a field effect transistor (FET) are mounted on the same substrate or the same package in the planar direction or the height direction.
  • a single package is also possible, and high-density mounting of functional elements is also possible, which has a remarkable effect on miniaturization and higher functionality of semiconductor devices.
  • the shape ratio SZL which is the ratio of the major axis length (L) to the minor axis length (S) orthogonal to the major axis, is 0.7 to 1. Since magnetic particles are formed by filling the gaps between the wirings of the planar coil, the magnetic element as a low-profile inductor with improved inductance can improve the permeability to the magnetic field generated in the planar coil. Is realized.
  • planar magnetic element prepared as described above, a control IC, a field effect transistor (FE T) and other semiconductor chips can be mounted on the same substrate or the same package in the planar direction or height direction, and can be packaged in one package. It has a remarkable effect on miniaturization and high functionality.

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Abstract

 第1磁性層3と第2磁性層5との間に平面コイル4を配設した平面磁気素子1において、長軸の長さをL、長軸に直交する短軸の長さをSとしたときの形状比S/Lが0.7~1である磁性粒子7が上記平面コイル4のコイル配線同士の隙間Wに充填されていることを特徴とする平面磁気素子1である。上記構成を有する平面磁気素子1によれば、高いインダクタンス値が効果的に得られる微粒子を用いることにより、低背化したインダクタなどの平面磁気素子が実現できる。

Description

平面磁気素子およびそれを用いた電源 ICパッケージ
技術分野
[0001] 本発明は、薄型インダクタとして使用される平面磁気素子 (磁気受動素子)に係り、 特に平面コイルに発生する磁界に対する透磁率を高めインダクタンスを向上させた 平面磁気素子およびそれを用いた電源 ICパッケージに関する。
背景技術
[0002] 近年、各種電子機器の小型化が盛んに進められ、これに伴って各種デバイスが薄 膜プロセスを用いて作成される傾向にある。この流れの中でインダクタ(リアクター)、ト ランス、磁気ヘッドなどの磁気素子も従来のバルタ磁性材料に卷線を施した構造に 代えて、スパイラル形状やつづら折れ (ミアンダ型)パターンを有する平面コイルを磁 性体で被覆した外鉄型の構造を有する平面磁気素子 (平面インダクタ)が提案され、 デバイスの小型薄型化が試行されて ヽる (例えば、非特許文献 1参照)。
[0003] 一方、小型電子機器用の DC— DCコンバータの例に見られるように、機器の小型 軽量化を実現するために MHz以上の高 、動作周波数で動作させようと!/、う技術的 要求が高まっている。この中で高周波インダクタは一つのキーコンポーネントとなって おり、以下のような特性が要求されている。
[0004] (1)小型薄型であること。
[0005] (2)周波数特性が良好であること。
[0006] (3)適当な電力容量を有すること。
[0007] 一般的に小型インダクタ素子としては、バルタフェライトにコイルを卷回したものや塗 布型のフェライト材料と塗布型の導体材料とを一体に焼成したものが実用化されてい る (例えば、特許文献 1参照)。
[0008] 前者は、バルクフヱライトコアを小型'薄型化するに伴って研磨加工等による加工歪 を原因とした表面劣化層が総体積に占める割合が大きくなり、透磁率を始めとした特 性が劣化し、低損失で高インダクタンスのインダクタ素子が実現できなくなる。
[0009] また、後者はコイルをスパイラル型やトロイダル型を形成する様にパターユングして塗 布し、これらのコイルによって軟磁性体が励磁される様にフェライトを塗布し、最後に これらを焼結して作製されて ヽる。例えばトロイダル型のインダクタではフェライトと導 体とを交互にパターンィ匕して塗布する工程を経て製造されている。
特許文献 1:特開 2002— 299120号公報
非特許文献 1 :IEEE Trans. Magn. MAG— 20, No. 5, pp. 1804—1806 し 力しながら、上記従来のインダクタのうち前者は薄型化するに伴って表面劣化層が総 体積に占める割合が大きくなり、透磁率を始めとした特性が劣化するため低背の高ィ ンダクタンス素子が実現できなくなる。また後者は概して透磁率が低いために、高い インダクタンス値が得られにく 、欠点があり、この欠点を補うために多量の磁性材料を 用いるとインダクタなどの磁気素子の低背化には限界があった。このため、部品の高 密度実装化による機器の小型化が困難になるという問題点を生じていた。
[0010] [発明の開示]
本発明は、上記のように低背の高インダクタンス素子を得にくいと 、う従来の状況に 鑑み、平面コイルにぉ 、て高 、インダクタンス値が効果的に得られる微粒子を用いる ことにより、低背化したインダクタなどの平面磁気素子を実現することを目的とする。
[0011] 上記目的を達成するために、本発明者らは特に平面コイルとの組合せにおいて高
Vヽインダクタンス値が得られるような磁性粒子の形状及び配置構造 ¾|¾意研究し、実 験によりそれらのファクターが磁気素子特性に及ぼす影響を確認した。その結果、長 軸と短軸との長さの比 (形状比)が所定範囲にある磁性微粒子を含有した磁性べ一 ストを平面コイル間に充填して薄膜インダクタを構成したときに、コイルに発生する磁 界に対する透磁率を効果的に向上でき、インダクタンス値が向上した低背インダクタ が初めて実現するという知見が得られた。本発明はこれらの知見に基づいて完成さ れたものである。
[0012] すなわち、本発明に係る平面磁気素子は、第 1磁性層と第 2磁性層との間に平面コ ィルを配設した平面磁気素子において、長軸の長さを L、長軸に直交する短軸の最 大長さを Sとしたときの形状比 SZLが 0. 7〜1である磁性粒子が上記平面コイルのコ ィル配線同士の隙間に充填されていることを特徴とする。
[0013] 上記平面磁気素子において、コイル配線同士の隙間に充填されている磁性粒子の 形状比 SZLは、下記のように測定される。すなわち、平面磁気素子 (インダクタ)の上 下の磁性層(磁性シート)膜面と平行でかつ平面コイルを含む断面で切断したコイル 間の領域で縦 300 ^ mX横 300 μ mの観察領域を任意に 3箇所設定し、各観察領 域に現れた各磁性粒子の断面において、最も長い対角線の長さを長軸長さとして測 定する一方、この長軸と直交し、かつ長軸の中点と交差する短軸が磁性粒子によつ て切り取られる長さを磁性粒子の短軸長さとして測定する。そして、各観察領域で測 定された短軸長さの平均値、長軸長さの平均値およびその形状比の平均値をそれ ぞれ S, L, SZLとする。
[0014] 上記形状比 SZLが 0. 7未満と過小になると、コイル間に充填された磁性粒子はコ ィル導体配線方向と平行な方向に粒子の長手方向が配向しゃすくなり、その結果コ ィル通電時に発生する磁界方向の反磁界が大きくなり実効透磁率が小さくなるので インダクタンス値が低下し易くなる。したがって磁性粒子の形状比 SZLは、 0. 7以上 で等方形状である形状比 1以下の範囲とされる。この形状比の範囲内において平面 磁気素子のインダクタンスを高くすることが可能になる。
[0015] なお、上記磁性粒子の形状比 SZLの範囲(0. 7〜1)は平均値であるが、好ましく はコイル間に充填された各磁性粒子の形状比が絶対値で 0. 7〜1の範囲であること が好適である。
[0016] 上記磁性粒子および磁性層を構成する磁性材料としては、特に限定されるもので はなく飽和磁化が高く保持力が低く透磁率が高ぐ高周波での損失が少ない磁性材 料であればよぐ具体的には、センダスト、パーマロイまたはけい素鋼等の結晶軟磁 性合金の他に、 Fe— Co合金、 Fe— Ni合金、 Fe— A1合金、 Fe— A1— Si合金、 Co 系アモルファス合金、 Fe系アモルファス合金等の高透磁率金属が好適に使用できる
[0017] 前記平面コイルは、スパイラル形状ないしはつづれ折り状に形成したミアンダ型コィ ルのように、隣接する導体コイルが並走する形状の平面コイルであれば同様のインダ クタンス増大効果を示す。上記平面コイルの厚さ(高さ)は 10〜200 μ m程度に調整 される。
[0018] また上記平面磁気素子において、前記平面コイルのコイル配線同士の隙間を W/z mとしたときに、前記磁性粒子の平均粒径 Dが (WZ2) m以下であることが好まし い。
[0019] 上記磁性粒子の平均粒径 Dは、形状比を測定する際に使用した短軸長さの平均 値 Sと、長軸長さの平均値 Lとの平均値である。この平均粒径 Dは、 0. 5 m未満で は磁性粒子が過度に微細であり取扱いが難しい。具体的には、表面酸化層や表面 劣化層を生じて磁気特性劣化や、熱振動による磁気特性劣化を発生し易い。また、 ペーストとしたときに粒子が均一に混合されにくい等の難点がある。
[0020] 一方、磁性粒子の平均粒径 Dが (WZ2)より大きいと、コイル間に磁性粒子が十分 充填されに《なり、インダクタンスが低下する恐れがある。磁性粒子の平均粒径 Dは (WZ3) m以下であること力 より好ましい。
[0021] さらに上記平面磁気素子において、前記平面コイルのコイル配線同士の隙間への 前記磁性粒子の充填率が 30vol%以上であることが好ま 、。このコイル配線同士 の隙間への磁性粒子の充填率が 30vol%未満と過少になると、平面磁気素子のイン ダクタンスが低下するため好ましくない。したがって、上記磁性粒子の充填率は 30vo 1%以上が好ましいが、さらに 50%以上が好ましい。
[0022] また上記平面磁気素子にぉ 、て、前記磁性粒子は、アモルファス合金、平均結晶 粒径が 20 m以下の微細結晶合金、フェライトの少なくとも 1種の磁性材料カゝら成る ことが好ましい。上記磁性材料力も成る磁性粒子をコイル間隙に充填することにより、 透磁率が高まり平面磁気素子のインダクタンス値を高めることができる。
[0023] さらに上記平面磁気素子において、前記第 1磁性層(下面側磁性層)と前記第 2磁 性層(上面側磁性層)は、磁性粉末と榭脂との混合物カゝら成ることが好ましい。上記 磁性層を構成する磁性材料としては、特に限定されるものではなく飽和磁ィ匕が高く保 持力が低く透磁率が高ぐ高周波での損失が少ない磁性材料であればよぐ具体的 には、センダスト、パーマロイまたはけい素鋼等の結晶軟磁性合金の他に、 Fe— Co 合金、 Fe— Ni合金、 Fe— A1合金、 Fe— A1— Si合金、 Co系アモルファス合金、 Fe 系アモルファス合金等の高透磁率金属が好適に使用できる。上記各磁性層の厚さは 、 50〜400 /ζ πι程度に設定するとよい。
[0024] また上記平面磁気素子において、前記平面磁気素子の全厚さが 0. 5mm以下で あることが好ましい。本発明では平面磁気素子と ICチップとを同一パッケージ内に収 容し、より小型の回路部品を実現することを目的としておリ、半導体チップと同じ高さ 以下でないとワンパッケージィ匕するメリットがなくなる。このため、平面磁気素子の厚さ は高くても半導体素子ペレットの一般的な高さ 0. 625mm以下、望ましくは 0. 3mm 以下が求められる。特に平面磁気素子の厚さを 0. 4mm程度以下にすることにより、 後述の図 7や図 8に示すような積層タイプのワンパッケージィ匕が可能になる。
[0025] さらに上記平面磁気素子において、前記平面コイルは、金属粉末と榭脂との混合 物力も成ることが好ましい。金属粉末としては、 Cu, Ag, Au、 Pt、 Ni, Sn,その他の 導電粉末が用いられ、特に導電性および経済性の観点から Cu、 Agが好ましい。平 面コイルは、上記金属粉末と榭脂と溶媒との混合物を所定パターンに塗布した後に 自然乾燥したり、溶媒気化温度ないしはそれ以上の温度に加熱したり、還元等の反 応含む加熱操作を実施したりしてコイルとして固化せしめて形成される。
[0026] 平面コイル配線の幅、高さ(厚さ)、間隔(隙間)は、コイルの特性に影響を及ぼす要 因であり、配線密度を高めて配線の幅及び厚さを可及的に大きく設定し、かつ配線 の間隔は相互の絶縁性を保持する範囲で可及的に小さくすることが望ましい。具体 的には、コイル配線の高さ(厚さ)は、 20 μ m以上、好ましくは 40 μ m以上が好ましい 。薄 、とコイル抵抗が大きくなり高 、性能係数 (Q値: Quality factor)が得られな ヽ 。要求される性能に応じて可及的に厚くすることが好ましい。また前記のように、コィ ル配線の間隔は狭いほど良い。配線間隔が広いとデバイスサイズが増加し、またコィ ル長が長くなるためにコイル直流抵抗が大きくなり、性能係数 (Q値)が低下する。し たがって、配線間隔は 200 μ m以下が好適である。
[0027] また上記平面磁気素子において、前記磁性粒子は榭脂バインダーを 20質量%以 下混合した磁性混合物であることが好ま ヽ。磁性層を形成する磁性粒子に 20質量 %を超える榭脂バインダーが含有されていると磁性層の磁気特性が劣化しインダクタ ンスが低下する。したがって、ノ インダー含有量は 2質量%以下に規定される力 最 終的に磁性層を形成した段階では榭脂バインダーをほぼ完全に揮散せしめて、実質 的に磁性粒子のみが凝集して固化した磁性層を形成することが好ましい。
[0028] さらに上記平面磁気素子において、前記コイル配線同士の隙間に磁性粒子が充 填されて磁性層が形成された後に、磁性層に榭脂バインダーが浸透した状態で乾燥 されており、乾燥後の磁性層における榭脂バインダーの含有量力 S0〜20質量%であ ることが好ましい。バインダーは非磁性物質であるために、磁性層形成後においては 高インダクタンスを実現する観点力 加熱処理してバインダー成分を飛ばして、磁性 層に残留するノ インダー量を可及的に低減することが望ま 、。
[0029] 上記のような平面磁気素子は、例えば次のような工程を経て製造される。すなわち ,所定の形状比(SZL)および平均粒径 Dを有する磁性粉末にビヒクルを混合してぺ 一ストを調製し、このペーストを用いて基板上に所定寸法の磁性シートを印刷し第 1 磁性層を調製する。
[0030] 上記磁性パターン (第 1磁性層)形成後に、ニトロセルロース、ェチルセルロース、力 ルポキシメチルセルロースなどのセルロース誘導体、アクリル榭脂、ケトン樹脂、尿素 榭脂、メラミン榭脂、ポリビニルブチラール、石油榭脂、ポリエステル、アルキッド榭脂 、アクリル榭脂、ポリアミド、ポリウレタン、マレイン酸榭脂、ポリビニノレアセテート、ポリ ビュルアルコール、ポリエチレン、シリコンポリマー(メチルシロキ酸、メチルフエ-ルシ ロキ酸)ポリスチレン、ブタジエン zスチレンコポリマー、ビュルピロリドン、ポリエーテ ル、エポキシ榭脂、ァリール榭脂、フエノールホルムアルデヒド榭脂、ポリイミド、ロジン 榭脂、ポリカーボネート榭脂、ダンマー、コパイバルサム等の有機物、 SiO等の無機
2 物等による絶縁層を形成しても良い。有機物に関しては絶縁性があれば、これに限 定されるものではない。
[0031] その上に、例えば Agペーストや Cuペースト等の導電金属ペーストを使用してスパ イラル状またはミアンダ状にパターンィ匕して平面コイルを印刷する。平面コイルはミア ンダコイルのように隣接する導体コイル配線が並走する平面コイルであれば同様の 効果を示す。なお、上記平面コイルは上記金属ペーストを印刷方法以外に、めっき 法、導体金属薄の打抜き法、導体金属エッチング法、スパッタ法、蒸着法などの気相 成長法など、低 、体積抵抗率の平面コイルを実現できるものであれば特に限定され るものではない。
[0032] そして上記平面コイル形成後に、この平面コイルを被覆するように所定のパターン 及び厚さで再度磁性シートを第 2磁性層として印刷することにより、上記平面コイルが 第 1及び第 2の磁性層によって被覆された平面磁気素子としての低背型インダクタが 形成される。このとき、第 2磁性層の磁性パターンには、コイル端子部に相当する部 位に開口を設ける。
[0033] 上記平面コイルの上下面に磁性層を形成する方法としては、磁性体の薄板を絶縁 性接着剤で接着する方法、磁性粉末を榭脂中に分散した磁性体ペーストを塗布乾 燥する方法,上記磁性体のめっきを施す方法などがあり、これらを組み合わせても良 い。
[0034] 本発明に係る電源 ICパッケージは、上記のように調製した平面磁気素子と、制御 I C,電界効果トランジスタ (FET)等の半導体チップとを同一基板または同一パッケ一 ジ上の平面方向または高さ方向に実装して形成される。特に上記電源 ICパッケージ は、同一基板上に平面磁気素子と ICチップとを一体に実装した IC一体型であること 力 デバイスの小型化に有効である。また、複数の半導体チップと能動素子とを一体 化しワンパッケージ化することも可能である。例えば、 DC— DCコンバータ等の電源 機能を組み込んだパッケージとしても良 、し、外付けでキャパシタ等を配置すること により、同様の電源機能を持たせることができる。
[0035] 上記構成に係る平面磁気素子によれば、長軸長さ (L)と長軸に直交する短軸の長 さ(S)の比である形状比 SZLが 0. 7〜1である磁性微粒子が平面コイルの配線間の 隙間に充填されて形成されているために、平面コイルに発生する磁界に対する透磁 率を向上させることができ、インダクタンスが向上した低背のインダクタとしての磁気素 子が実現する。
[0036] さらに、上記のように調製した平面磁気素子と、制御 IC,電界効果トランジスタ (FE T)等の半導体チップとを同一基板または同一パッケージ上の平面方向または高さ方 向に実装してワンパッケージィ匕することも可能であり、機能素子の高密度実装も可能 となり、半導体デバイスの小型化および高機能化に顕著な効果を発揮する。 図面の簡単な説明
[0037] [図 1]コイル形状としてスパイラル型を採用した場合における、本発明の一実施例に 係る平面磁気素子の平面図である。
[図 2]図 1における Π— II矢視断面図である。 [図 3]図 2における ΠΙ部の部分拡大断面図である。
[図 4]コイル形状としてミアンダ型を採用した場合における、本発明の一実施例に係る 平面磁気素子の平面図である。
[図 5]図 3に示す磁性粒子の寸法測定方法を示す断面図である。
[図 6]本発明に係る平面磁気素子と半導体チップとを平面上に配置してパッケージン グした ICパッケージの構成例を示す断面図である。
[図 7]本発明に係る平面磁気素子と半導体チップとを積層配置してパッケージングし た ICパッケージの構成例を示す断面図である。
[図 8]本発明に係る平面磁気素子と半導体チップとをバンプ方式にて積層してパッケ 一ジングした ICパッケージの構成例を示す断面図である。
発明を実施するための最良の形態
[0038] 以下に本発明の実施形態について添付図面および以下の実施例を参照して詳細 に説明する。
[0039] [実施例 1]
5. 5wt%Al- 10wt%Si—Feの合金組成を有するセンダストの溶湯材料を水ガス アトマイズ法により処理して微細磁性粒子を調製した。すなわち、溶湯材料をるつぼ 力 噴出させると同時に不活性ガス (Ar)を吹き付けて分散させ、さらに分散粒子を 水中に導入して急冷することにより実施例 1用の磁性粒子を調製した。
[0040] 上記のようにして得られた磁性粒子は平均粒径(体積で 50%)は 28 μ mであり、こ の磁性粒子を、 目開きが 63 μ mメッシュの篩にかけることにより、 63 μ mアンダーの 磁性粒子のみを選択した。その結果、表 1に示すような形状比 SZLおよび平均粒径 Dを有する磁性粒子を調製した。さらに、 1. 4質量%のビヒクル (バインダー)を上記 磁性粒子に混合してペーストを調製した。
[0041] 次に、図 1〜図 3に示すように基体 2として厚さ 300 mの Si基板の上面に、 100 m厚さのパターン化された 10mm X 10mmの磁性シートを印刷し、第 1磁性層 3を形 成した。
[0042] その第 1磁性層 3の上面に、図 1に示すように Agペーストをスパイラル状にパターン 化して印刷し、平面コイル 4を形成した。本実施例 1においては、平面コイル 4のコィ ル配線幅 Bは 300 μ mであり、コイル配線同士の隙間 Wは 125 μ mであり、コイルの 巻き数が 8ターンであり、厚さ tが 40 μ mである平面コイル 4を作製した。
[0043] なお、図 4に示すように、つづら折り状に形成したミアンダコイルのように隣接する導 体コイルが並走する平面コイル 4aであれば同様の効果を示す。
[0044] 上記平面コイル 4を形成した後に、平面コイル部 4における磁性層厚さが 100 μ mと なるように再度磁性シートをパターン形成し、図 2に示すような第 2磁性層 5を形成し た。このとき、第 2磁性層 5には、平面コイル部 4の端子 6に相当する部位には開口を 設けた。こうして図 1〜図 3に示すような平面磁気素子 1を作成した。
[0045] この実施例 1に係る平面磁気素子 (インダクタ) 1の上下の磁性層(磁性シート) 3, 5 膜面と平行でかつ平面コイル 4を含む断面で切断したコイル間の領域で縦 300 μ m X横 300 mの観察領域を任意に 3箇所設定し、各観察領域に現れた各磁性粒子 7の断面にぉ 、て、図 5に示すように最も長!、対角線の長さを長軸長さ Lとして測定 する一方、この長軸と直交し、かつ長軸の中点と交差する短軸が磁性粒子 7によって 切り取られる長さを磁性粒子 7の短軸長さ Sとして測定し、その平均値力 コイル間に 充填された磁性粒子 7の形状比および平均粒径を測定したところ表 1に示す通りの 値となった。
[0046] 得られた平面磁気素子としてのインダクタの特性を表 1に示す。
[0047] スノィラルコイルでは、偏平の磁性粒子をコイル配線同士の隙間に充填するとコィ ル配線方向に偏平磁性粒子の長軸方向が向き易くなり、コイル電流による励磁磁界 方向が磁性粒子の短軸方向と一致するため、粒子形状による反磁界に起因する異 方性が大きくなり透磁率低下およびインダクタンスの低下を招く。しカゝしながら、実施 例 1のように等方的な磁性粒子を使用した場合には、反磁界が等方的になり透磁率 の低下を効果的に抑制できる。このために大きなインダクタンス値を有する磁気素子 を得ることができた。また、磁性層および平面コイルを薄く形成できるので、高透磁率 の材料を用いた磁気素子 (インダクタ)は低背化できる。
[0048] 特に実施例 1にお 、ては、基体として使用する Si基板をケミカルメカ-カルエツチン グにより 60 mまで薄く研磨した結果、平面磁気素子 1としてのインダクタの総厚 Tは 0. 3mmとなり、制御 ICや電界効果トランジスタ (FET)等の半導体チップ 8の厚さ以 下となる。したがって、図 6〜図 8に示す様にスイッチング IC等の半導体チップ 8と平 面磁気素子 1とを一体ィ匕しパッケージングすることにより、インダクタ内蔵の低背 ICパ ッケージ 10, 10a、 10bが実現する。
[0049] 図 6に示す ICパッケージ 10は、パッケージ基板上の平面方向に半導体チップ 8と 平面磁気素子 1, laとを配置し、それぞれリードフレーム 9に接続しモールド榭脂で 固定した構造を有し、図 7に示す ICパッケージ 10aは、パッケージ基板上の厚さ方向 に半導体チップ 8と平面磁気素子 1, laとを積層配置し、それぞれリードフレーム 9に 接続しモールド榭脂で固定した構造を有し、図 8に示す ICパッケージ 10bは、パッケ ージ基板上の厚さ方向に半導体チップ 8と平面磁気素子 1, laとをバンプ接合方式 により積層配置し、それぞれリードフレーム 9に接続しモールド榭脂で固定した構造 を有している。
[0050] このような平面磁気素子としてのインダクタを含む低背ノッケージによれば、例えば ワンパッケージ化された小型の DC— DCコンバータ ICや電源 ICパッケージを容易に 実現できる。
[0051] なお、平面磁気素子を担持する基体 2としては Si基板に限らず、 SiO基板、酸ィ匕
2
膜あるいは窒化膜を形成した Si基板、アルミナ (Al O )基板、窒化アルミニウム (A1
2 3
N)基板などを用いても良!、。
[0052] [実施例 2]
原子比率で(CoO. 90-FeO. 05- MnO. 02- NbO. 03) 71— Sil5— B14の合金 組成を有する溶湯材料を、水ガスアトマイズ法に準拠してるつぼカゝら噴出させ、同時 に不活性ガスを溶湯材料に吹き付け分散せしめ、分散した粒子を更に水中に投入 することにより急冷し、アモルファス磁性粒子を作製した。
[0053] この様にして得られた磁性粒子は平均粒径 (体積で 50%)が 14 μ mであり、この磁 性粒子を、 目開きが 32 mメッシュの篩をかけることにより、粒径が 32 mアンダー の磁性粒子のみを選択した。その後、 0. 9質量0 /0のビヒクル (バインダー)を磁性粒 子に混合しペーストを作製し、 Si基板上に 100 μ m厚さのパターンィ匕された 10mm X 10mmの磁性シートを第 1磁性層 3として印刷した。
[0054] 磁性パターン (第 1磁性層 3)形成後に、ポリイミドを塗布'イミド化させることにより、 厚さ 4 mの絶縁層を形成した。なお、その他の絶縁材料として、クロ口プレインゴム 系、二トリルゴム系、ポリサルファイド系、ブタジエンゴム系、 SBR系、シリコーンゴム系 等のエラストマ一系、酢酸ビュル系、ポリビュルアルコール系、ポリビュルァセタール 系、塩化ビニル系、ポリスチレン系等の熱可塑性を中心とした榭脂系等の有機物、 Si O等の無機物等による絶縁層を使用することも可能である。
2
[0055] その上に、 Cuペーストをスパイラル状にパターン化して図 1に示すような平面コイル 4を印刷した。本実施例 2においては、コイル配線幅 Bが 300 mであり、コイル配線 同士の隙間 Wが 100 μ mであり、コイル巻き数が 9ターンであり、厚さ 5 μ mの下地コ ィルパターンを作製した。さらに、この下地コイルパターンの表面に無電解めつき法 により 30 μ m厚さの Cuめっき層を積層し、総厚 35 μ mである Cu平面コイル 4を形成 した。なお、上記めつき処理は、電解めつき法により実施しても良い。
[0056] コイルパターン形成後に、ニトロセルロース、ェチルセルロース、カルボキシメチル セルロースなどのセルロース誘導体、アクリル榭脂、ケトン樹脂、尿素樹脂、メラミン榭 脂、ポリビニルプチラール、石油榭脂、ポリエステル、アルキッド榭脂、アクリル榭脂、 ポリアミド、ポリウレタン、マレイン酸榭脂、ポリビュルアセテート、ポリビュルアルコー ル、ポリエチレン、シリコンポリマー(メチルシロキ酸、メチルフエ-ルシロキ酸)ポリス チレン、ブタジエン Zスチレンコポリマー、ビニルピロリドン、ポリエーテル、エポキシ 榭脂、ァリール榭脂、フエノールホルムアルデヒド榭脂、ポリイミド、ロジン榭脂、ポリ力 ーボネート榭脂、ダンマー、コパイバルサム等の有機物、 SiO等の無機物等による
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絶縁層を使用することも可能である。上記平面コイル形成後に再度磁性シートを、平 面コイル部における磁性層 5の厚さが 100 mとなる様にパターン形成し第 2磁性層 5を形成した。このとき、第 2磁性層 5には、平面コイル 4の端子 6に相当する部位に開 口を設けた。このようにして実施例 2に係る平面磁気素子としてのインダクタを調製し た。
[0057] 得られたインダクタの特性を表 1に示す。
[0058] 実施例 2のように等方的な磁性粒子を平面コイルの配線同士の隙間に充填した場 合には、反磁界が等方的になり透磁率の低下を効果的に抑制できる。このために大 きなインダクタンス値を有する磁気素子が得られた。 [0059] [実施例 3〜: L I]
実施例 1で使用したセンダスト、実施例 2で使用した Co系アモルファス合金、組成 が Ni Zn Fe O (モル比)であるフェライト合金を粉砕、篩い分けすることにより、そ
0.5 0.5 2 4
れぞれ表 1に示す形状比および平均粒径を有する磁性粒子を調製した。得られた各 磁性粒子に表 1に示す含有量となるように所定量のバインダーを混合してそれぞれ 磁性材料ペーストを調製した。
[0060] 次に実施例 1で使用した Si基板上に、上記磁性材料ペーストを使用して所定厚さ の第 1磁性層 3を形成した後に表 1に示すコイル間間隙 Wとなるように Agペーストで 平面コイルを形成し、さらに再度上記磁性材料ペーストを使用して所定厚さの第 2磁 性層を形成することにより、各実施例 3〜11に係る平面磁気素子としてのインダクタ を調製した。
[0061] なお、実施例 3、 5では磁性粒子の粒径が粗大なものを使用して 、る一方、実施例 4では粒径が極微細な磁性粒子を使用した。実施例 6では磁性層における磁性体の 占有率を低下させた例である。また、実施例 7では Co系アモルファス合金製磁性粒 子を使用し、実施例 8ではフェライト合金製磁性粒子を使用した。実施例 9では 2層の Ag印刷層から成る厚さ 80 mの平面コイルを使用した。実施例 10では第 1および 第 2の磁性層の厚さをそれぞれ 200 mとして厚く形成した。実施例 11では両磁性 層の厚さをそれぞれ 200 mとして厚く形成すると共に、 2層の Ag印刷層カゝら成る厚 さ 80 μ mの平面コイルを使用した。
[0062] 得られた各インダクタの特性を表 1に示す。
[0063] [実施例 12]
実施例 1と同様に水アトマイズ法にしたがって、センダスト溶湯を分散冷却処理して 磁性粒子を作製した。この様にして得られた磁性粒子は平均粒径 (体積で 50%)が 2 8 μ mであった。さらに目開きが 63 μ mの篩を力けることにより、 63 μ mアンダーの微 粒子のみを選択した。その後有機ノインダ一の含有量が 1. 4質量%となるように磁 性粒子に対して添加し混合して磁性材料ペーストを作製した。次に、この磁性材料 ペーストを用い、実施例 1で使用した Si基板上に 100 m厚さのパターンィ匕された 1 Omm X 10mmの磁性シートを印刷し、 100°Cで 30分間乾燥し、 150°Cで 60分間焼 成することにより第 1磁性層 3を形成した。
[0064] なお、上記有機バインダーとしては、ニトロセルロース、ェチルセルロース、カルボキ シメチルセルロースなどのセルロース誘導体、アクリル榭脂、ケトン樹脂、尿素樹脂、 メラミン榭脂、ポリビュルプチラール、石油榭脂、ポリエステル、アルキッド榭脂、アタリ ル榭脂、ポリアミド、ポリウレタン、マレイン酸榭脂、ポリビュルアセテート、ポリビニル アルコール、ポリエチレン、シリコンポリマー(メチルシロキ酸、メチルフエ-ルシロキ酸 )ポリスチレン、ブタジエン Zスチレンコポリマー、ビニノレピロリドン、ポリエーテノレ、ェ ポキシ榭脂、ァリール榭脂、フエノールホルムアルデヒド榭脂、ポリイミド、ロジン榭脂 、ポリカーボネート榭脂、ダンマー、コパイバルサム等の有機物を用いることができる 。有機物については絶縁性があれば、これに限定されるものではない。
[0065] 次に、上記第 1磁性層 3の上面に、 Agペーストをスパイラル状にパターンィ匕して印 刷した。本実施例 12においては、コイルの配線幅 Bが 300 mであり、コイル配線同 士の隙間 Wが 125 mであり、コイルの巻き数が 8ターンであり、コイル配線の厚さが 40 μ mである平面コイル 4を作製した。
[0066] 次に上記平面コイル 4を覆うように、再度磁性材料ペーストを印刷し、平面コイル 4 部における磁性層の厚さが 100 /z mとなるように磁性シートパターンを形成し、第 2磁 性層 5を形成した。このとき、磁性パターンには、コイル 4の端子 6に相当する部位に 開口を設けた。これによりインダクタの厚さ Hが 240 mであり、 Si基板 2込みの厚さ T 力 S300 μ mである平面磁気素子を作成した。
[0067] その後、ェチルセルロースを BCA (ブチルカルビトールアセテート)に溶解した溶液 中に、上記のようにしてインダクタを印刷した Si基板 (基材)ごとディップした。 10分間 放置後、基材ごと取り出し、乾燥させること〖こより、脆性を低減した実施例 12に係る平 面磁気素子を調製した。
[0068] このインダクタをディップする溶液は、榭脂成分としての-トロセルロース、ェチルセ ルロース、カルボキシメチルセルロースなどのセルロース誘導体、アクリル榭脂、ケト ン榭脂、尿素樹脂、メラミン榭脂、ポリビュルプチラール、石油榭脂、ポリエステル、ァ ルキッド榭脂、アクリル榭脂、ポリアミド、ポリウレタン、マレイン酸榭脂、ポリビュルァセ テート、ポリビュルアルコール、ポリエチレン、シリコンポリマー(メチルシロキ酸、メチ ルフエ-ルシロキ酸)ポリスチレン、ブタジエン Zスチレンコポリマー、ビュルピロリドン 、ポリエーテル、エポキシ榭脂、ァリール榭脂、フエノールホルムアルデヒド榭脂、ポリ イミド、ロジン榭脂、ポリカーボネート榭脂、ダンマー、コパイバルサム等の有機物と、 これらを溶解するか、あるいは均一に分散する溶媒とから成る溶液であれば何ら限定 されるものではない。
[0069] 得られたインダクタの特性およびノヽンドリング時のひび割れ、はがれ状態を表 1に示 す。
[0070] また、デイツビングすることによって、十分に近接した磁性微粒子の間に有機バイン ダーを充填することができ、微粒子同士の脆い結合でなぐ強固な接着剤が空隙に 存在する接合構造になるため、十分な剛性と取扱 ヽ性とを実現する柔軟性をインダ クタに付与することができ、磁性層のひび割れや剥がれなどが発生せず、かつ低背 化が可能となった。
[0071] 本実施例 12のように高透磁率の磁性材料粒子を用いたインダクタは低背化が可能 である。特に本実施例 12においては、インダクタは総厚 0. 3mmとなり、スイッチング I C等の半導体チップと同等の厚さとなるので、これらの半導体チップと一体ィ匕しパッケ 一ジングすることにより、図 6〜図 8に示すようなインダクタ内蔵の ICパッケージを実現 できる。例えば、上記インダクタによりワンパッケージィ匕された低背の DC— DCコンパ ータ ICパッケージを実現できる。
[0072] [実施例 13]
基体としての Si基板の代わりに厚さ 25 μ mのポリイミドフィルムを使用し、表 1に示 す形状比および平均粒径を有する磁性粒子を使用し、さらに最後に実施例 12と同 様のディップ処理を実施した点以外は実施例 1と同様に処理することにより実施例 13 に係る平面磁気素子としてのインダクタを調製した。
[0073] [実施例 14]
表 1に示す形状比および平均粒径を有するセンダスト磁性粒子を使用し、基体とし ての Si基板の代わりに厚さ 25 μ mのポリイミドフィルムを使用した点以外は実施例 1と 同様に処理することによりインダクタを調製した。その後、ェチルセルロースを BCA( プチルカルビトールアセテート)に溶解した溶液を上記のようにして形成したインダク タに対し、外部端子部分をマスク等で被覆した状態で吹き付け塗布した後、乾燥させ ることにより、脆性を低下させた実施例 14に係る平面磁気素子を調製した。
[0074] このインダクタに噴霧する溶液は、榭脂成分としての-トロセルロース、ェチルセル ロース、カルボキシメチルセルロースなどのセルロース誘導体、アクリル榭脂、ケトン 榭脂、尿素樹脂、メラミン榭脂、ポリビュルプチラール、石油榭脂、ポリエステル、アル キッド榭脂、アクリル榭脂、ポリアミド、ポリウレタン、マレイン酸榭脂、ポリビニノレアセテ ート、ポリビュルアルコール、ポリエチレン、シリコンポリマー(メチルシロキ酸、メチル フエ-ルシロキ酸)ポリスチレン、ブタジエン Zスチレンコポリマー、ビュルピロリドン、 ポリエーテル、エポキシ榭脂、ァリール榭脂、フエノールホルムアルデヒド榭脂、ポリイ ミド、ロジン榭脂、ポリカーボネート榭脂、ダンマー、コノ ィバルサム等の有機物と、こ れらを溶解する、あるいは均一に分散する溶媒とから成る溶液であれば、特に限定さ れるものではない。また、吹き付け以外に印刷することで磁性表面力 浸透させる方 法によって磁性微粒子の間に有機バインダーを充填してもよい。
[0075] 得られた平面磁気素子としてのインダクタの特性およびノヽンドリング時のひび割れ 、はがれ状態を表 1に示す。
[0076] [実施例 15]
原子比で(CoO. 90FeO. 05MnO. 02NbO. 03) 71— Sil5— B14成る合金組成 を有する溶湯材料を、るつぼ力 噴出し同時に不活性ガスを吹き付け、更に水中に 投入する水ガスアトマイズ法で急冷することにより、表 1に示す形状比および平均粒 径を有するアモルファス磁性粒子を作製した。
[0077] このようにして得られた磁性粒子は平均粒径 (体積で 50%)が 14 μ mであった。こ の磁性粒子を、 目開き力 S32 mの篩〖こ力けること〖こより、 32 mアンダーの微細な 磁性粒子のみを選択した。その後、セルロース系有機ノインダ一の含有量が 0. 9質 量0 /0となるように磁性粒子と混合しペーストを作製した。次に、このペーストを使用し て厚さ 60 μ mの Si基板 2上に 100 μ m厚さのパターン化された 10mm X 10mmの磁 性シートを第 1磁性層 3として印刷した。
[0078] 次に、実施例 2で形成しためっきコイルに代えて厚さ 30 μ mの銅箔を型で打ち抜い て形成され実施例 2の打ち抜きコイルとで同一の寸法および形状を有する Cu箔平面 コイルを、上記第 1磁性層 3表面に貼り付けた以降は実施例 2と同様にコイル 4表面 に第 2磁性層を形成することにより実施例 15に係る平面磁気素子を調製した。
[0079] [比較例 1]
実施例 1で使用したセンダストを粉砕することにより、長軸と長軸 (Lc)に直交する短 軸の長さ(Sc)の比 ScZLcが 0. 4である偏平な磁性粒子を作製した。この磁性粒子 を目開きが 63 μ mである篩にかけることにより、 63 μ mアンダーの微細な磁性粒子 のみを選択した。それ以外は実施例 1と同様に処理することにより、作製したものを比 較例 1に係る平面磁気素子を調製した。
[0080] [比較例 2]
原子比で(CoO. 90FeO. 05MnO. 02NbO. 03) 71— Sil5— B14成る組成を有 するアモルファス磁性粒子を、目開きが 32 mである篩にかけることにより、 32 m 以下の微細な磁性粒子のみを選択した。それ以外は実施例 2と同様に処理して比較 例 2に係る平面磁気素子を調製した。
[0081] [実施例 16]
表 1に示すように長軸長さ (L)および短軸長さ(S)が共に極めて微細なセンダスト 磁性粒子を使用した点以外は実施例 1と同様に処理して実施例 16に係る平面磁気 素子を調製した。
[0082] [実施例 17]
表 1に示すように長軸長さ (L)および短軸長さ(S)が共に大き 、粗大なセンダスト磁 性粒子を使用した点以外は実施例 1と同様に処理して実施例 17に係る平面磁気素 子を調製した。
[0083] [実施例 18]
表 1に示すように磁性粒子中に含有される有機バインダーの含有量を高めて磁性 層における磁性体の占有率を低下させた点以外は実施例 1と同様に処理して実施 例 17に係る平面磁気素子を調製した。
[0084] [実施例 19]
表 1に示すような形状比および平均粒径を有する磁性粒子を使用した点および最 後にディップ処理を実施しな 、点以外は実施例 13と同様に処理して実施例 19に係 る平面磁気素子を調製した。
[0085] 上記のように調製された各実施例および比較例に係る平面磁気素子としてのイン ダクタのインダクタンス特性,直流抵抗、性能係数 (Q値)およびノヽンドリング性 (ひび 割れ、はがれ状態)を測定した結果を表 1に示す。
[0086] ここで表 1においてインダクタ厚さ Hとは、図 3に示すように平面磁気素子 1の第 1磁 性層 3下端力も第 2磁性層上端までの距離をいう。
[0087] また磁性粒子の形状比 SZLは下記のように測定される。すなわち、インダクタ磁性 層 3, 5の膜面と平行でかつ平面コイル 4を含む断面組織にお!、てコイル間の領域 3 00 m X 300 mを任意に 3箇所観察し、各磁性粒子の断面において、最も長い対 角線を長軸長さとし、長軸と直交し、かつ長軸の中点と交わる線分における粒子の長 さを短軸長さとし、該観察領域において得られた短軸長さの平均値、長軸長さの平 均値およびその比の平均値をそれぞれ S, L, SZLとする。また、観察領域内の各磁 性粒子の短軸と長軸との算術平均を平均粒径とする。
[0088] なお、各平面磁気素子の評価項目の測定方法は下記の通りである。すなわち、各 平面磁気素子のインダクタンスは、インピーダンスアナライザを使用し、その励磁電圧 を 0. 5Vとし、測定周波数を 10MHzとした条件で測定した。さらに、直流抵抗はテス タを使用して測定した。同様に、平面コイルの性質係数 Q (Quality Factor)は、ィ ンピーダンスアナライザを使用し、その励磁電圧を 0. 5Vとし、測定周波数を 10MHz とした条件で測定した。また、ノ、ンドリング特性は、各インダクタ作成の全工程終了時 に、磁性層の箇所において破損等を生じ不良品になったものの割合が 5%未満であ る場合を◎と評価し、 8%未満である場合を〇と評価し、 7%未満 と評価し、 10% 以上 Xと評価した。評価測定結果を下記表 1に示す。
[0089] [表 1]
Figure imgf000020_0001
[0090] 上記表 1に示す結果から明らかなように、長軸長さ (L)と長軸に直交する短軸の長 さ(S)の比である形状比 SZLが 0. 7〜1である磁性微粒子が平面コイルの配線間の 隙間に充填されて形成されている各実施例に係る平面磁気素子によれば、平面コィ ルに発生する磁界に対する透磁率を向上させることができ、インダクタンスが向上し た低背のインダクタとしての平面磁気素子が実現する。
[0091] さらに、上記のように調製した平面磁気素子と、制御 IC,電界効果トランジスタ (FE T)等の半導体チップとを同一基板または同一パッケージ上の平面方向または高さ方 向に実装してワンパッケージ化することも可能になり、機能素子の高密度実装も可能 となり、半導体デバイスの小型化および高機能化に顕著な効果を発揮する。
[0092] 特にスパイラルコイルを配置した平面磁気素子では、形状比が所定範囲の微細な 磁性粒子を極少量の有機バインダーでペーストイ匕してコイル配線間に充填した場合 、微細な磁性粒子同士を有機物のような絶縁体で覆うことがなぐ磁性粒子同士を最 も近接した状態にすることが可能であり、透磁率の低下を抑制できる。このため、特に 大きなインダクタンス値を得ることができる。
[0093] また、実施例 12〜 13のようにデイツビング処理を実施することによって、十分に近 接した磁性微粒子の間に有機ノ インダーを充填することが可能になり、微粒子同士 の脆い結合でなぐ強固な接着剤が空隙に存在することになるため、十分な剛性と取 扱!ヽ上問題のな!、柔軟性とをインダクタに付与することができ、また磁性層のひび割 れゃ剥がれなどが発生せず、かつ低背化が可能となる。
[0094] 一方、コイル配線間に充填する磁性粒子の形状比(SZL)が規定範囲外であると、 いずれの磁性材料を使用してもインダクタンスが低くなることが再確認された。
産業上の利用可能性
[0095] 上記本発明に係る平面磁気素子によれば、長軸長さ (L)と長軸に直交する短軸の 長さ(S)の比である形状比 SZLが 0. 7〜1である磁性微粒子が平面コイルの配線間 の隙間に充填されて形成されているために、平面コイルに発生する磁界に対する透 磁率を向上させることができ、インダクタンスが向上した低背のインダクタとしての磁気 素子が実現する。
[0096] さらに、上記のように調製した平面磁気素子と、制御 IC,電界効果トランジスタ (FE T)等の半導体チップとを同一基板または同一パッケージ上の平面方向または高さ方 向に実装してワンパッケージィ匕することも可能であり、機能素子の高密度実装も可能 となり、半導体デバイスの小型化および高機能化に顕著な効果を発揮する。

Claims

請求の範囲
[I] 第 1磁性層と第 2磁性層との間に平面コイルを配設した平面磁気素子において、長 軸の長さを L、長軸に直交する短軸の長さを Sとしたときの形状比 SZLが 0. 7〜1で ある磁性粒子が上記平面コイルのコイル配線同士の隙間に充填されていることを特 徴とする平面磁気素子。
[2] 前記平面コイルのコイル配線同士の隙間を W mとしたときに、前記磁性粒子の平 均粒径が (WZ2) μ m以下であることを特徴とする請求項 1記載の平面磁気素子。
[3] 前記平面コイルのコイル配線同士の隙間への前記磁性粒子の充填率が 30vol%以 上であることを特徴とする請求項 1または請求項 2に記載の平面磁気素子。
[4] 前記磁性粒子は、アモルファス合金、結晶軟磁性合金、フェライトの少なくとも 1種か ら成ることを特徴とする請求項 1乃至請求項 3のいずれか 1項に記載の平面磁気素子
[5] 前記第 1磁性層と前記第 2磁性層は、磁性粉末と榭脂との混合物カゝらなることを特徴 とする請求項 1乃至請求項 4のいずれ力 1項に記載の平面磁気素子。
[6] 平面磁気素子の厚さが 0. 5mm以下であることを特徴とする請求項 1乃至請求項 5の いずれか 1項に記載の平面磁気素子。
[7] 前記平面コイルは、金属粉末と榭脂との混合物から成ることを特徴とする請求項 1乃 至請求項 6の 、ずれか 1項に記載の平面磁気素子。
[8] 前記磁性粒子は榭脂バインダーを 2質量%以下混合した磁性混合物であることを特 徴とする請求項 1乃至請求項 7のいずれ力 1項に記載の平面磁気素子。
[9] 前記コイル配線同士の隙間に磁性粒子が充填されて磁性層が形成された後に、磁 性層に榭脂バインダーが浸透した状態で乾燥されており、乾燥後の磁性層における 榭脂バインダーの含有量が 0〜2質量%であることを特徴とする請求項 1に記載の平 面磁気素子。
[10] 請求項 1乃至請求項 8のいずれか 1項に記載の平面磁気素子を用いたことを特徴と する電源 ICパッケージ。
[I I] IC一体型であることを特徴とする請求項 9記載の電源 ICパッケージ。
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