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WO2006100896A1 - 芳香族アミン誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 - Google Patents

芳香族アミン誘導体及びそれを用いた有機エレクトロルミネッセンス素子 Download PDF

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WO2006100896A1
WO2006100896A1 PCT/JP2006/304259 JP2006304259W WO2006100896A1 WO 2006100896 A1 WO2006100896 A1 WO 2006100896A1 JP 2006304259 W JP2006304259 W JP 2006304259W WO 2006100896 A1 WO2006100896 A1 WO 2006100896A1
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WO
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group
substituted
unsubstituted
aromatic amine
amine derivative
Prior art date
Application number
PCT/JP2006/304259
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English (en)
French (fr)
Inventor
Makoto Kimura
Chishio Hosokawa
Masakazu Funahashi
Original Assignee
Idemitsu Kosan Co., Ltd.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Idemitsu Kosan Co., Ltd. filed Critical Idemitsu Kosan Co., Ltd.
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Priority to JP2007509178A priority patent/JP4358884B2/ja
Priority to US11/909,003 priority patent/US20090066225A1/en
Priority to EP06715279A priority patent/EP1860097B1/en
Publication of WO2006100896A1 publication Critical patent/WO2006100896A1/ja
Priority to US14/269,658 priority patent/US10312452B2/en
Priority to US16/382,768 priority patent/US20190237675A1/en

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    • H10K85/115—Polyfluorene; Derivatives thereof

Definitions

  • the present invention relates to an aromatic amine derivative and an organic electoluminescence (EL) device using the same, and in particular, an organic EL device having high emission brightness, high heat resistance, excellent high-temperature storage stability, and long life. And an aromatic amine derivative that realizes the same.
  • Organic EL devices using organic substances are used as light sources such as flat light emitters for wall-mounted televisions and backlights for displays, and are being actively developed.
  • Naphthalene, anthracene, phenanthrene, tetracene examples include pyrene, benzopyrene, taricene, picene, force nolenol, funololeene, biphenyl, terphenyl, triphenylene oxide, dihalobiphenyl, trans-stilbene, and 1,4-diphenylbutadiene.
  • Anthracene, tetracene, pentacene and the like have been mentioned as examples of activators.
  • all of these organic luminescent materials existed as a single layer with a thickness exceeding 1 m, and a high electric field was required for light emission.
  • Patent Document 1 US Patent No. 4356429
  • the present invention was made to solve the above-described problems, and provides a long-life organic EL device having high emission luminance and high heat resistance, and an aromatic amine derivative that realizes the organic EL device. With the goal.
  • the novel aromatic amine derivative represented by (1) When the novel aromatic amine derivative represented by (1) is used as a material for an organic EL device, it has been found that light emission luminance, heat resistance and life are improved, and the present invention has been completed. That is, the present invention provides an aromatic amine derivative represented by any one of the following general formulas (1) to (4).
  • Ar to Ar are each independently substituted or unsubstituted.
  • R to R and A to A are each independently a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted nuclear coal
  • Substituted or unsubstituted aryloxy group having 5 to 50 nuclear carbon atoms substituted or unsubstituted aryloxy group having 5 to 50 nuclear carbon atoms, substituted or unsubstituted alkoxycarbon group having 1 to 50 carbon atoms, substituted Or an amino group substituted with an unsubstituted aryl group having 5 to 50 nuclear carbon atoms, a substituted or unsubstituted silyl group, a halogen atom, a cyano group, a nitro group, a hydroxyl group or a carboxyl group.
  • n is an integer from 3 to 6
  • m is an integer from 2 to 5.
  • x, y and z are integers of 0 to 3, and when 2 or more, A to A are the same or different.
  • R and R are bonded to each other and substituted.
  • At least one combination of R is bonded to each other to form a substituted or unsubstituted ring
  • the present invention provides an organic EL device in which an organic thin film layer having at least one or more light-emitting layers including a light emitting layer is sandwiched between a cathode and an anode, and at least one layer force of the organic thin film layer.
  • the present invention provides an organic EL device containing an amine derivative alone or as a component of a mixture.
  • the aromatic amine derivative of the present invention and the organic EL device using the aromatic amine derivative have high emission luminance, high heat resistance, excellent high-temperature storage stability, and long life.
  • FIG. 1 is a diagram showing an iH-NMR spectrum of a compound (5) obtained in Synthesis Example 3.
  • the aromatic amine derivative of the present invention is represented by any one of the following general formulas (1) to (4).
  • Ar to Ar are each independently substituted or unsubstituted.
  • Specific examples of these groups include the following R to R and A to A.
  • the aryl group and heterocyclic group of Ar to Ar include, for example, a phenyl group, 1 naphthyl
  • a phenyl group, a naphthyl group, a biphenyl group, an anthranyl group, a phenanthryl group, a pyridyl group, a pyryl group, a chrysyl group, a fluoranthur group, and a fluoro group are preferable.
  • R to R and A to A are each independently a hydrogen atom
  • phenyl group 1-naphthyl group, 2-naphthyl group, 1-anthryl group, 2-anthryl group, 9 anthryl group, 1-phenanthryl group, 2 phenanthryl group, 3 phenanthryl group, 4 phenanthryl group.
  • a phenyl group, a naphthyl group, a biphenyl group, an anthranyl group, a phenanthryl group, a pyrel group, a chrysyl group, a fluoranthuric group, and a fluorol group are preferable.
  • R to R and A to A are substituted or unsubstituted alkyl groups having 1 to 50 carbon atoms.
  • alkyl group examples include benzyl group, 1-phenyl group, 2-phenyl group, 1-phenyl isopropyl group, 2-phenyl isopropyl group, tert-butyl group, ⁇ - Naphthylmethyl group, 1-a naphthinoreethinole group, 2-a naphthinoreethinole group, 1-a naphthylisopropyl group, 2-a naphthylisopropyl group, 13 naphthylmethyl group, 1 j8-naphthinoreethinole group, 2- ⁇ naphthinoreethinole group, 1- ⁇ naphthyl isopropyl group, 2- ⁇ naphthyl isopropyl group, 1 pyrrolylmethyl group, 2- (1 pyrrolyl) ethyl group, ⁇ -methylbenzyl group, m-methylbenzyl group, o Methylbenzyl group, p-
  • Si group is expressed as OY ', and Y' is an example of Ar to Ar as described above
  • the group is represented by one SY ', and examples of Y' include those described for the Ar to Ar aryl groups.
  • the bonyl group is a group represented by COOY, and examples of Y include the same examples as those described for the alkyl group.
  • Examples of the silyl groups of R to R and A to A include trimethylsilyl group and triethylsilyl group.
  • R to R and A to A examples include a fluorine atom, a chlorine atom, and bromine.
  • each group in the general formulas (1) to (4) includes an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms (methyl group, ethyl group, i propyl group, n propyl group, n butyl).
  • C1-C0 L0 alkoxy group (ethoxy group, methoxy group, i —Propoxy group, n-propoxy group, s-butoxy group, t-butoxy group, pentoxy group, hexoxy group, cyclopentoxy group, cyclohexyloxy group, etc.), aryl group having 5 to 40 carbon atoms, Examples include an amino group, a cyano group, a nitro group, a halogen atom, etc.
  • the xyl group is particularly preferred.
  • n is an integer of 3 to 6, preferably 3 to 5.
  • m is an integer of 2 to 5, respectively, and preferably 2 to 4.
  • x, y and z are integers of 0 to 3, and in the case of 2 or more, A to A may be the same or different.
  • R and at least one combination of R and R are bonded to each other and substituted or unsubstituted
  • R and R, R and R, R and R, and R and R are less
  • Examples of such a ring include cycloalkanes having 4 to 12 carbon atoms, such as cyclobutane, cyclopentane, cyclohexane, adamantane, norbornane, cyclobutene, and cyclohexane.
  • Cycloalkadiene having 5 to 12 nuclear carbon atoms such as cycloalkene having 4 to 12 carbon atoms such as pentene, cyclohexene, cycloheptene, cyclootaten, etc., cyclopentene, cyclohexagen, cycloheptadiene, cyclooctagen, benzene, etc.
  • Examples include aromatic rings having 6 to 50 nuclear carbon atoms such as naphthalene, phenanthrene, anthracene, pyrene, thalicene, and isanaphthylene, and complex rings having 5 to 50 nuclear atoms such as imidazole, pyrrole, furan, thiophene, and pyridine. Of these, a 5-membered ring and a 6-membered ring are preferred, and a 5-membered ring is particularly preferred. Examples of the substituent include the same ones as described above.
  • R 5 6 and Z or at least one combination of R and R may be bonded to each other and substituted or
  • At least one combination of 11 12 12 is bonded to each other to form a substituted or unsubstituted 5-membered ring or
  • the two combinations are preferably bonded to each other to form a substituted or unsubstituted 5-membered or 6-membered ring.
  • the aromatic amine amine derivative represented by the general formula (1) of the present invention is preferably an aromatic amine derivative represented by the following general formula (1 a), (1-b) or (1 c), .
  • Ar to Ar are the same as Ar to Ar, and R to R are respectively The same as R to R, and specific examples and preferred groups of these groups are the same.
  • the aromatic amine derivative represented by the general formula (2) of the present invention is an aromatic amine derivative represented by the following general formula (2-a), (2-b) or (2-c): preferable.
  • Ar to Ar are the same as Ar to Ar, and R to R are respectively
  • the aromatic amine derivative represented by the general formula (3) of the present invention is preferably an aromatic amine derivative represented by the following general formula (3-a) or (3-b).
  • the aromatic amine amine derivative represented by the general formula (4) of the present invention is preferably an aromatic amine amine derivative represented by the following general formula (4a) or (4-b).
  • R to R are the same as R to R, respectively, and specific examples and preferred examples of each of these groups.
  • the aromatic amine derivative of the present invention is more preferably a hole transport material for an organic EL device or a doping material for an organic EL device, which is preferably an organic EL device material.
  • Specific examples of the aromatic amine derivatives represented by the general formulas (1) to (4) of the present invention are shown below. The power is not limited to these exemplified compounds.
  • the method for producing the aromatic amine derivative represented by the general formula (1) of the present invention is particularly limited.
  • the condensed oligofluorene compound is halogenated to synthesize a halogen derivative of the condensed oligofluorene.
  • the reagent used for halogens include, when the halogen atom used for halogens is bromine, bromine, NBS (N-bromosuccinimide), KBr, KBrO, AlBr, PBr, SbBr, FeBr, PyHBrCl, Bu NBr etc.
  • bromine and NBS are preferable, and bromine and NBS are preferable.
  • the halogen atom used for the halogen atom is other than bromine, in these examples, bromine is replaced with the corresponding halogen atom.
  • the halogenation is preferably carried out in an organic solvent such as carbon tetrachloride, chloroform, methylene chloride, acetic acid, pyridine, dimethylformamide (DMF) or sulfuric acid.
  • organic solvent such as carbon tetrachloride, chloroform, methylene chloride, acetic acid, pyridine, dimethylformamide (DMF) or sulfuric acid.
  • peroxides such as benzoyl peroxide (BPO), 2,2, -azobisisobutyric-tolyl (AIBN), m-chloroperbenzoic acid (mCPBA), and heavy metal salts are added to the reaction system.
  • BPO benzoyl peroxide
  • AIBN 2,2, -azobisisobutyric-tolyl
  • mCPBA m-chloroperbenzoic acid
  • heavy metal salts are added to the reaction system.
  • light irradiation may be performed.
  • the reaction temperature during the rogenation is usually from room temperature to 150 ° C, and the reaction time preferably from room temperature to 100 ° C is usually from 1 to 120 hours, preferably from 6 to 18 hours.
  • the halogen derivative is aminated with diarylamine to produce an aromatic amine.
  • a transition metal it is preferable to use a transition metal as a catalyst.
  • transition metal examples include manganese (Mn), iron (Fe), cobalt (Co), nickel (Ni), copper (Cu), palladium (Pd), molybdenum (Mo), rhodium (Rh), ruthenium ( Ru), vanadium (V), chromium (Cr), platinum (Pt), iridium (Ir), and the like.
  • Mn manganese
  • Fe iron
  • Co cobalt
  • Ni nickel
  • Cu copper
  • Mo molybdenum
  • Mo molybdenum
  • Rh rhodium
  • Ru ruthenium
  • vanadium V
  • Cr chromium
  • platinum platinum
  • Ir iridium
  • Ni, Pd, Pt, and Cu are preferred, and Pd and Cu are more preferred.
  • transition metals are preferably used as a transition metal complex or a transition metal compound in addition to using a transition metal alone as a fine powder.
  • the organic EL device of the present invention is a single layer or a plurality of layers including at least a light emitting layer between a cathode and an anode.
  • at least one of the organic thin film layers contains the aromatic amine derivative of the present invention alone or as a component of a mixture.
  • the organic thin film layer preferably has a hole transport layer, and the hole transport layer preferably contains the aromatic amine derivative of the present invention alone or as a component of a mixture. Furthermore, it is preferable that the hole transport layer contains the aromatic amine derivative of the present invention as a main component.
  • the light emitting layer preferably contains the aromatic amine derivative of the present invention alone or as a component of a mixture. Furthermore, the light emitting layer preferably contains the aromatic amine derivative of the present invention as a doping material.
  • the aromatic amine derivative of the present invention is particularly preferred as an organic EL device that emits blue light.
  • the organic thin-film layer has a plurality of layers, such as (anode Z hole injection layer Z light emitting layer Z cathode) ), (Anode Z emission layer Z electron injection layer Z cathode), (anode Z hole injection layer Z emission layer Z electron injection layer Z cathode) and the like.
  • the organic thin film layer has a multi-layered structure, so that it is possible to prevent a decrease in luminance and life due to quenching.
  • a light emitting material, a doping material, a hole injection material, and an electron injection material can be used in combination.
  • the driving material can improve luminous brightness and luminous efficiency, and red and blue light emission can be obtained.
  • the hole injection layer, the light emitting layer, and the electron injection layer may each be formed by a layer configuration of two or more layers.
  • the electrode force layer that injects holes is the hole injection layer
  • the layer that receives holes from the hole injection layer and transports holes to the light emitting layer is referred to as the hole transport layer.
  • the hole transport layer a layer that receives electrons from the electrode carrier
  • an electron transport layer a layer that receives electrons from the electron injection layer and transports electrons to the light emitting layer.
  • Examples of host materials or doping materials that can be used in the light-emitting layer together with the aromatic amine derivative of the present invention include naphthalene, phenanthrene, rubrene, anthracene, tetracene, pyrene, perylene, taricene, decacyclene, coronene, tetraphenylcyclohexane. Pentagene, pentaphenylcyclopentagen, fluorene, spirofluorene, 9,10 diphenylanthracene, 9,10 bis (feature) anthracene, 1,4 bis (9, ethynylanthracene) benzene, etc.
  • Condensed polyaromatic compounds and their derivatives organometallic complexes such as tris (8-quinolinolato) aluminum, bis (2-methyl-8-quinolinolato) aluminum 4- (phenolphenolinato) aluminum, triarylamine derivatives, styrylamine Derivative, stilbene Conductors, coumarin derivatives, pyran derivatives, oxazone derivatives, benzothiazole derivatives, benzoxazole derivatives, benzimidazole derivatives, pyrazine derivatives, cinnamate derivatives, diketopyrrolopyrrole derivatives, acridone derivatives, quinacridone derivatives, etc.
  • organometallic complexes such as tris (8-quinolinolato) aluminum, bis (2-methyl-8-quinolinolato) aluminum 4- (phenolphenolinato) aluminum, triarylamine derivatives, styrylamine Derivative, stilbene Conductors, coumarin derivatives, pyran derivatives
  • the hole injection material it has the ability to transport holes, has a hole injection effect of the anode cover, and has an excellent hole injection effect for the light emitting layer or the light emitting material.
  • a compound that prevents the generated exciton from moving to the electron injection layer or the electron injection material and has an excellent thin film forming ability is preferable.
  • phthalocyanine derivatives naphthalocyanine derivatives, porphyrin derivatives, oxazole, oxadiazole, triazole, imidazole, imidazolone, imidazolethione, pyrazoline, pyrazolone, tetrahydroimidazole, oxazole, oxadiazole, hydrazone, acyl hydrazone, poly Arylalkane, stilbene, butadiene, benzidine type triphenylamine, styrylamine type triphenylamine, diamine type triphenylamine, and their derivatives, and polymer materials such as polyvinylcarbazole, polysilane, and conductive polymers However, it is not limited to these.
  • Aromatic tertiary amine derivatives include, for example, triphenylamine, tritolylamine, tolyldiphenylamine, N, N, -diphenyl-N, N,-(3-methylphenol) — 1, 1, bi Phenyl 4,4 Diamine, N, N, ⁇ ', ⁇ , One (4-methylphenol) 1, 1, Phenolic 1,4,1 Diamine, ⁇ , ⁇ , ⁇ ', ⁇ '-( 4—Methylolehu-Nole) 1, 1, Bibi-Nore 4, 4, 1 Diamine, ⁇ , ⁇ , 1 Diphenyl 1 ⁇ , ⁇ , 1 Dinaphthyl 1, 1 Biphenol 4, 4, — Diamine, ⁇ , ⁇ , (Methylphenol) ⁇ , ⁇ — (4- ⁇ -Butylphenol) — Phenylanthrene 9, 10 Diamine, ⁇ , ⁇ ⁇ Bis (4 Di-4-trimethylaminophenol) 4 Phenylcyclohex
  • phthalocyanine (Pc) derivatives examples include H Pc CuPc CoPc NiPc ZnPc
  • the organic EL device of the present invention is a layer containing these aromatic tertiary amine derivative and Z or phthalocyanine derivative, for example, the hole transport layer or the hole injection layer between the light emitting layer and the anode. It is preferable to form a ⁇ .
  • the electron injecting material has the ability to transport electrons, has an electron injecting effect from the cathode, and an excellent electron injecting effect for the light emitting layer or the light emitting material.
  • a compound that prevents migration to the hole injection layer and has an excellent thin film forming ability is preferred. Specific examples include fluorenone, anthraquinodimethane, diphenoquinone, thiopyrandioxide, oxazole, oxadiazole, triazole, imidazole, perylenetetra force rubonic acid, fluorenylidenemethane, anthraquinodimethane, anthrone and their derivatives. Forces to be used are not limited to these. Further, it can be sensitized by adding an electron accepting substance to the hole injecting material and an electron donating substance to the electron injecting material.
  • more effective electron injecting materials are metal complex compounds and nitrogen-containing five-membered ring derivatives.
  • Examples of the metal complex compound include 8-hydroxyquinolinatotrithium, bis (8-hydroxyquinolinato) zinc, bis (8-hydroxyquinolinato) copper, bis (8-hydroxyquinolinato) manganese, tris ( 8 hydroxyquinolinato) aluminum, tris (2-medium Chinore 8-hydroxyquinolinato) anoremium, tris (8-hydroxyquinolinato) gallium, bis (10-hydroxybenzo [h] quinolinato) beryllium, bis (10-hydroxybenzo [h] Quinolinate) zinc, bis (2-methyl-8 quinolinate) black gallium, bis (2-methyl-8 quinolinate) (o cresolate) gallium, bis (2-methyl-8 quinolinate) (1-naphtholato) aluminum, bis (2— Methyl-8 quinolinate) (2 naphtholate) forces including gallium and the like, but not limited thereto.
  • nitrogen-containing five-membered derivative for example, oxazole, thiazole, oxadiazole, thiadiazole, and triazole derivatives are preferable.
  • any layer of the organic thin film layer in addition to the aromatic amine derivative, at least one of a light emitting material, a doping material, a hole injection material, and an electron injection material is the same layer. May be contained.
  • a protective layer is provided on the surface of the device, or the entire device is protected by silicon oil, grease, etc. It is also possible.
  • a material having a work function larger than 4 eV is suitable, and carbon, aluminum, vanadium, iron, cobalt, nickel, tungsten, silver, gold , Platinum, palladium, etc. and their alloys, ITO substrate, tin oxide used for NES A substrate, metal oxide such as indium oxide, and polythiophene Organic conductive resin such as polypyrrole is used.
  • a material having a work function smaller than 4 eV is suitable. Magnesium, calcium, tin, lead, titanium, yttrium, lithium, ruthenium, manganese, aluminum, lithium fluoride, etc.
  • the force with which these alloys are used is not limited to these.
  • the alloy include magnesium Z silver, magnesium Z indium, lithium Z aluminum, and the like. Representative examples include, but are not limited to, these.
  • the ratio of the alloy is controlled by the temperature of the deposition source, the atmosphere, the degree of vacuum, etc., and is selected to an appropriate ratio. If necessary, the anode and the cathode may be formed of two or more layers.
  • the organic EL device of the present invention it is desirable that at least one surface is sufficiently transparent in the light emission wavelength region of the element in order to emit light efficiently. It is also desirable that the substrate be transparent.
  • the transparent electrode is set using the conductive material described above so as to ensure a predetermined translucency by a method such as vapor deposition or sputtering.
  • the electrode on the light emitting surface preferably has a light transmittance of 10% or more.
  • the substrate is not limited as long as it has mechanical and thermal strength and is transparent, and includes a glass substrate and a transparent resin film.
  • Transparent resin films include polyethylene, ethylene vinyl acetate copolymer, ethylene butyl alcohol copolymer, polypropylene, polystyrene, polymethyl methacrylate, polyvinyl chloride, poly butyl alcohol, poly butyl butyral, nylon, Polyetheretherketone, polysulfone, polyethersulfone, tetrafluoroethylene perfluoroalkyl butyl ether copolymer, polybulufluoride, tetrafluoroethylene ethylene copolymer, tetrafluoroethylene mono Hexafluoropropylene copolymer, polychlorinated trifluoroethylene, polyvinylidene fluoride, polyester, polycarbonate, polyurethane, polyimide, polyetherimide, polyimide, polypropylene, etc. It is.
  • each layer of the organic EL device according to the present invention may be performed by any of dry deposition methods such as vacuum deposition, sputtering, plasma, and ion plating, and wet deposition methods such as spin coating, dating, and flow coating.
  • the method can be applied.
  • the film thickness is not particularly limited, but should be set to an appropriate film thickness. If the film thickness is too thick, a large applied voltage is required to obtain a constant light output, resulting in poor efficiency. Thin film thickness If the gap is too large, pinholes or the like are generated, and even if an electric field is applied, sufficient light emission luminance cannot be obtained.
  • the normal film thickness is suitably in the range of 5 nm to 10 m, more preferably in the range of 10 nm to 0.2 m.
  • the material for forming each layer is dissolved or dispersed in an appropriate solvent such as ethanol, chloroform, tetrahydrofuran, dioxane or the like to form a thin film, but any solvent may be used.
  • an appropriate solvent such as ethanol, chloroform, tetrahydrofuran, dioxane or the like
  • a suitable resin additive may be used for improving the film formability and preventing pinholes in the film.
  • Usable resins include polystyrene, polycarbonate, polyarylate, polyester, polyamide, polyurethane, polysulfone, polymethylmetatalylate, polymethyl acrylate, cellulose, and other coagulants.
  • Examples thereof include photoconductive resins such as coalesced poly (N-butylcarbazole) and polysilane, and conductive resins such as polythiophene and polypyrrole.
  • Examples of the additive include an antioxidant, an ultraviolet absorber, and a plasticizer.
  • the organic EL device of the present invention can be used for flat light emitters such as a flat panel display of a wall-mounted television, a light source such as a copying machine, a printer, a backlight of a liquid crystal display or instruments, a display board, a marker lamp and the like.
  • the material of the present invention can also be used in the fields of electrophotographic photoreceptors, photoelectric conversion elements, solar cells, image sensors and the like that can be made using only organic EL elements.
  • Compound (2) was synthesized by the following reaction route.
  • intermediate 12 6.0 g (10 mmo 1), N-phenylnaphthalene 1-amamine 5.5 g (25 mmol), palladium acetate 0.03 g (l .5 mol% ), Tri-t-butylphosphine 0.06 g (3 mol%), t-butoxy sodium 2.4 g (25 mmol), and dry toluene lOOmL were added, and the mixture was stirred with heating at 100 ° C.
  • NMR and FD-MS of the obtained compound were measured and identified as Compound (5).
  • the NMR ⁇ vector (see FIG. 1 and Table 1) was measured using DRX-500 (methylene dichloride solvent) manufactured by Brucker.
  • the maximum absorption wavelength of the obtained compound measured in a toluene solution was 410 nm, and the maximum fluorescence wavelength was 428 nm.
  • a transparent electrode with a film thickness of 130 nm and indium tin oxide was provided on a 1 mm size glass substrate.
  • the glass substrate was ultrasonically cleaned with isopropyl alcohol and then irradiated with ultraviolet rays and ozone for cleaning.
  • the transparent electrode-attached glass substrate while mounted on a substrate holder one in the vapor deposition chamber of a vacuum deposition apparatus, after reducing the pressure of the vacuum degree in the vacuum chamber to 1 X 10- 3 Pa, under the following deposition conditions,
  • anode (transparent electrode) layer On the anode (transparent electrode) layer, a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer, and a cathode layer were sequentially laminated to produce an organic EL device.
  • Hole injection layer (Material) ⁇ ', ⁇ "Bis [4 (Di-Luamino) Full] ⁇ ', ⁇ " Di-Ferbi-Fu-Lu 4, 4, Diamine; Deposition condition 2nmZsec; Film thickness 60nm
  • Electron transport layer (Material) Tris (8-hydroxyquinolino) aluminum; Deposition conditions 2nmZsec;
  • Electron injection layer (Material) Lithium fluoride; Deposition condition 0. InmZsec; Film thickness lnm
  • Cathode layer (Material) Aluminum; Deposition condition 2nmZse C ; Film thickness 200nm
  • the emission luminance was 500 cdZm 2 at a voltage of 6.5 V and the emission color was blue. Further, when the device was driven at a constant current with an initial light emission luminance of 500 cd / m 2 , the 10% luminance reduction time was 100 hours. Table 2 shows the results obtained. In addition, when this device was stored at 85 ° C for 500 hours, no change was seen in the drive voltage.
  • Example 1 as a material for the hole transport layer, the material described in Table 2 instead of the compound (2) An organic EL device was fabricated in the same manner except that the material was used.
  • Example 2 When the obtained device was evaluated in the same manner as in Example 1, all blue light emission was observed as shown in Table 2, the emission luminance was 450 to 510 cd / m 2 , and the 10% luminance reduction time was 90 to: L 10 hours. In addition, when these devices were stored at 85 ° C for 500 hours, there was no change in the drive voltage.
  • Example 1 an organic EL device was prepared in the same manner except that the following material was used instead of the compound (2) as the material of the hole transport layer.
  • Comparative Example 3 Compound (C) 4, 4-bis (N, N-diphenyl-lumino) -terphel
  • the resulting device was evaluated in the same manner as in Example 1, and as shown in Table 2, Blue emission was observed, the emission brightness was 380-430 cdZm 2 , and the 10% brightness reduction time was 50-60 hours.
  • these devices were stored at 85 ° C for 500 hours, the drive voltage changed by more than IV.
  • Indium tin oxide with a thickness of 130 nm on a 1 mm glass substrate A transparent electrode was also provided.
  • the glass substrate was ultrasonically cleaned with isopropyl alcohol and then irradiated with ultraviolet rays and ozone for cleaning.
  • the transparent electrode-attached glass substrate while mounted on a substrate holder one in the vapor deposition chamber of a vacuum deposition apparatus, after reducing the pressure of the vacuum degree in the vacuum chamber to 1 X 10- 3 Pa, under the following deposition conditions,
  • anode (transparent electrode) layer On the anode (transparent electrode) layer, a hole injection layer, a hole transport layer, a light emitting layer, an electron transport layer, an electron injection layer, and a cathode layer were sequentially laminated to produce an organic EL device.
  • Hole injection layer (Material) ⁇ ', ⁇ "Bis [4 (Di-Luamino) Full] ⁇ ', ⁇ " Di-Ferbi-Fu-Lu 4, 4, Diamine; Deposition condition 2nmZsec; Film thickness 60nm
  • Hole transport layer (Material) N, N, ⁇ ', ⁇ '-Tetrakis (4-biphenyl) 4, 4, -Benzidine; Deposition conditions 2nmZsec; Film thickness 20nm
  • Electron transport layer (Material) Tris (8-hydroxyquinolino) aluminum; Deposition conditions 2nmZsec;
  • Electron injection layer (Material) Lithium fluoride; Deposition conditions 0. InmZsec; Film thickness lnm
  • Cathode layer (Material) Aluminum; Deposition condition 2nmZse C ; Film thickness 200nm
  • the emission luminance was 900 cdZm 2 at a voltage of 6.5 V and the emission color was blue.
  • the 50% luminance reduction time was 3000 hours.
  • this device was stored at 85 ° C for 500 hours, there was no change in drive voltage.
  • Example 1 an organic EL device was produced in the same manner as in Example 6 except that 1,6-bis (diphenylamino) pyrene was used instead of the compound (31) as the material of the light emitting layer.
  • the aromatic amine derivative of the present invention and the organic EL device using the same have high emission luminance, high heat resistance, excellent high-temperature storage stability, and long life. For this reason, it is highly practical and useful as an in-vehicle element.

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Abstract

　特定構造を有する新規な芳香族アミン誘導体、並びに陰極と陽極間に少なくとも発光層を含む一層又は複数層からなる有機薄膜層が挟持されている有機エレクトロルミネッセンス素子において、該有機薄膜層の少なくとも１層が、前記芳香族アミン誘導体を単独もしくは混合物の成分として含有する有機エレクトロルミネッセンス素子であり、高発光輝度で、耐熱性が高く高温保存性に優れ、長寿命でな有機エレクトロルミネッセンス素子及びそれを実現する芳香族アミン誘導体を提供する。

Description

芳香族ァミン誘導体及びそれを用いた有機エレクト口ルミネッセンス素子 技術分野
[0001] 本発明は、芳香族ァミン誘導体及びそれを用いた有機エレクト口ルミネッセンス (EL )素子に関し、特に、高発光輝度で、耐熱性が高く高温保存性に優れ、長寿命な有 機 EL素子及びそれを実現する芳香族ァミン誘導体に関するものである。
背景技術
[0002] 有機物質を使用した有機 EL素子は、壁掛テレビの平面発光体やディスプレイのバ ックライト等の光源として使用され、盛んに開発が行われている。
有機材料の電界発光現象は、 1963年にポープ（Pope)らによってアントラセン単 結晶で観 ΐ¾され (J. Chem. Phys. 38 (1963) 2042)、 1965年【こへノレフリツヒ（Helf inch)とシュナイダー (Schneider)は注入効率の良い溶液電極系を用いることにより 比較的強い注入型 ELの観測に成功している（Phys. Rev. Lett. 14 (1965) 229) 。それ以来報告されている様に、共役の有機ホスト物質と縮合ベンゼン環を持つ共 役の有機活性化剤とで有機発光性物質を形成した研究が行われ、ナフタレン、アン トラセン、フエナントレン、テトラセン、ピレン、ベンゾピレン、タリセン、ピセン、力ノレノ ゾ ール、フノレオレン、ビフエニル、ターフェニル、トリフエ二レンオキサイド、ジハロビフエ -ル、トランス一スチルベン及び 1, 4ージフエ-ルブタジエン等が有機ホスト物質の 例として示され、アントラセン、テトラセン及びペンタセン等が活性化剤の例として挙 げられた。しかしこれらの有機発光性物質はいずれも 1 mを越える厚さを持つ単一 層として存在し、発光には高電界が必要であった。このため、真空蒸着法による薄膜 素子の研究が進められた（例えば Thin Solid Films 94 (1982) 171)。し力し、 薄膜ィ匕は駆動電圧の低減には有効であつたが、実用レベルの高輝度の素子を得る には至らなかった。
そこでタン (Tang)らは、陽極と陰極との間に 2つの極めて薄い膜 (正孔輸送層と発 光層）を真空蒸着で積層した EL素子を考案し、低ヽ駆動電圧で高輝度を実現した ( 非特許文献 1もしくは特許文献 1)。その後、正孔輸送層と発光層に用いる有機化合 物の開発が十数年間進められた結果、実用化レベルの寿命と発光効率が達成され た。その結果、有機 EL素子は、カーステレオ、携帯電話の表示部など力も実用化が 開始されている。
[0003] し力しながら、実用面において、発光輝度、長時間使用に対する経時劣化の耐久 性などが十分ではなぐさらなる向上が求められている。特に、フルカラーディスプレ ィ等への応用を考えた場合には、 R、 G、 Bの各色に対して、 300cdZm2以上の高 輝度で数千時間以上の半減寿命を到達することが求められて ヽる。これを実現する のが特に困難なのは、青色発光であり、青色発光させるには発光層のエネルギーギ ヤップが 2. 8eV以上と大きぐ正孔輸送層と発光層の間にある正孔注入の際のエネ ルギー障壁が大きいため、界面に印加される電界強度は大きぐ従来の正孔輸送層 では安定に正孔注入ができず改良が求められていた。
また、有機 EL素子を車搭載することを前提とした場合、 100°C以上の高温保存性 能に問題があることが指摘されて 、る。この際も従来の正孔輸送層にお 、てはガラス 転移温度が低いことが指摘されており、これを 100°C以上に改良することのみで対応 しょうとしたが、不十分であり高温における良好な保存性能は未だ実現して 、なかつ た。さらに、正孔輸送層と発光層との相互作用としてェキサイプレックスが生じて、素 子の輝度が劣化するという問題もあった。
特許文献 1：米国特許 4356429号明細書
非特許文献 l :Appl. Phys. Lett. 51 (1987) 913
発明の開示
発明が解決しょうとする課題
[0004] 本発明は、前記の課題を解決するためになされたもので、高発光輝度で、耐熱性 が高ぐ長寿命な有機 EL素子及びそれを実現する芳香族ァミン誘導体を提供するこ とを目的とする。
課題を解決するための手段
[0005] 本発明者らは、前記目的を達成するために、鋭意研究を重ねた結果、下記一般式
(1)で表される新規な芳香族ァミン誘導体を有機 EL素子用材料として用いると、発 光輝度、耐熱性、寿命が向上することを見出し、本発明を完成するに至った。 すなわち、本発明は、下記一般式（1)〜(4)のいずれかで表される芳香族ァミン誘 導体を提供するものである。
[0006] [化 1]
Figure imgf000004_0001
[0007] (一般式（1)〜 (4)において、 Ar〜Ar は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の
1 7
核炭素数 5〜40のァリール基又は置換もしくは無置換の核原子数 5〜40の複素環 基であり、それぞれ同一でも異なっていてもよい。ただし、 Ar、 Ar、 Ar及び Ar の
1 2 3 4 示す各基における置換基がビニル基を含む基である場合はない。
R〜R 及び A〜Aは、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の核炭
1 22 1 3
素数 5〜50のァリール基、置換もしくは無置換の炭素数 1〜50のアルキル基、置換 もしくは無置換の炭素数 1〜50のアルコキシ基、置換もしくは無置換の核炭素数 6〜 50のァラルキル基、置換もしくは無置換の核炭素数 5〜50のァリールォキシ基、置 換もしくは無置換の核炭素数 5〜50のァリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素 数 1〜50のアルコキシカルボ-ル基、置換もしくは無置換の核炭素数 5〜50のァリ ール基で置換されたァミノ基、置換もしくは無置換のシリル基、ハロゲン原子、シァノ 基、ニトロ基、ヒドロキシル基又はカルボキシル基である。
nは 3〜6の整数、 mは 2〜5の整数である。 x、 y及び zは、 0〜3の整数であり、 2以上の場合、 A〜Aはそれぞれ同一でも異
1 3
なっていてもよい。
ただし、一般式（1)において Rと R及び Rと Rの少なくとも 1つの組み合わせは
1 2 3 4
互いに結合して置換もしくは無置換の環を形成し、一般式（2)において Rと R、R
5 6 6 と R、Rと R及び Rと R の少なくとも 1つの組み合わせは互いに結合して置換もし
7 8 9 9 10
くは無置換の環を形成し、一般式（3)において R と R 、R と R 、R と R及び R と
11 12 12 13 14 15 15
R の少なくとも 1つの組み合わせは互 、に結合して置換もしくは無置換の環を形成
16
し、一般式（4)において R と R ， R と R 、R と R 、R と R の少なくとも 1つの組み
17 18 18 19 20 21 21 22
合わせは互いに結合して置換もしくは無置換の環を形成して 、る。 )
[0008] また、本発明は、陰極と陽極間に少なくとも発光層を含む一層又は複数層力もなる 有機薄膜層が挟持されている有機 EL素子において、該有機薄膜層の少なくとも 1層 力 前記芳香族ァミン誘導体を単独もしくは混合物の成分として含有する有機 EL素 子を提供するものである。
発明の効果
[0009] 本発明の芳香族ァミン誘導体及びそれを用いた有機 EL素子は、高発光輝度で、 耐熱性が高く高温保存性に優れ、長寿命である。
図面の簡単な説明
[0010] [図 1]合成実施例 3において得られた化合物（5)の iH—NMRスペクトルを示す図で ある。
発明を実施するための最良の形態
[0011] 本発明の芳香族ァミン誘導体は、下記一般式（1)〜 (4)のいずれかで表されるもの である。
[化 2]
Figure imgf000006_0001
Figure imgf000006_0002
[0012] 一般式（1)〜(4)において、 Ar〜Arは、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の
1 7
核炭素数 5〜40のァリール基又は置換もしくは無置換の核原子数 5〜40の複素環 基であり、それぞれ同一でも異なっていてもよい。ただし、 Ar、 Ar、 Ar及び Arの
1 2 3 4 示す各基における置換基がビニル基を含む基である場合はない。
また、 Ar〜Arの置換もしくは無置換の核炭素数 5〜40のァリール基力 ァリール
1 7
基、アルキル基、アルコキシ基、ァラルキル基、ァリールォキシ基、ァリールチオ基又 はアルコキシカルボ-ル基で置換されて 、る力、もしくは無置換の核炭素数 5〜40の ァリール基であると好ましぐこれら各基の具体例としては、下記 R〜R及び A〜A
1 22 1
3で説明するものが挙げられる。
[0013] Ar〜Ar のァリール基及び複素環基としては、例えば、フエニル基、 1 ナフチル
1 7
基、 2 ナフチル基、 1 アントリル基、 2 アントリル基、 9 アントリル基、 1 フエナ ントリル基、 2 フエナントリル基、 3 フエナントリル基、 4 フエナントリル基、 9 フエ ナントリル基、 1 ナフタセ-ル基、 2 ナフタセ-ル基、 9 ナフタセ-ル基、 1ーピ レニル基、 2 ピレ-ル基、 4 ピレ-ル基、 2 ビフエ-ルイル基、 3 ビフエ-ルイ ル基、 4—ビフエ-ルイル基、 p ターフェ-ルー 4—ィル基、 p ターフェ-ルー 3— ィル基、 ρ ターフェ-ルー 2—ィル基、 m—ターフェ-ルー 4—ィル基、 m—ターフェ 二ルー 3—ィル基、 m—ターフェ-ルー 2—ィル基、 o トリル基、 m—トリル基、 p ト リル基、 p—t—ブチルフエ-ル基、 p— (2 フエ-ルプロピル）フエ-ル基、 3—メチ ルー 2 ナフチル基、 4ーメチルー 1 ナフチル基、 4ーメチルー 1 アントリル基、 4， ーメチルビフエ-ルイル基、 4"—tーブチルー p—ターフェ-ルー 4ーィル基、フルォ ランテュル基、フルォレニル基、 1 ピロリル基、 2 ピロリル基、 3 ピロリル基、ビラ ジニル基、 2 ピリジ-ル基、 3 ピリジニル基、 4 ピリジ-ル基、 1 インドリル基、 2 —インドリル基、 3—インドリル基、 4—インドリル基、 5—インドリル基、 6—インドリル基 、 7—インドリル基、 1—イソインドリル基、 2—イソインドリル基、 3—イソインドリル基、 4 —イソインドリル基、 5—イソインドリル基、 6—イソインドリル基、 7—イソインドリル基、 2 フリル基、 3 フリル基、 2 べンゾフラ-ル基、 3 べンゾフラ-ル基、 4一べンゾ フラ-ル基、 5 べンゾフラ-ル基、 6 べンゾフラ-ル基、 7 べンゾフラ-ル基、 1 イソべンゾフラ-ル基、 3—イソべンゾフラ-ル基、 4 イソべンゾフラ-ル基、 5—ィ ソベンゾフラ -ル基、 6—イソべンゾフラ-ル基、 7—イソべンゾフラ-ル基、キノリル基 、 3—キノリル基、 4 キノリル基、 5—キノリル基、 6—キノリル基、 7—キノリル基、 8— キノリル基、 1 イソキノリル基、 3 イソキノリル基、 4 イソキノリル基、 5 イソキノリ ル基、 6 イソキノリル基、 7 イソキノリル基、 8 イソキノリル基、 2 キノキサリニル 基、 5 キノキサリニル基、 6 キノキサリニル基、 1一力ルバゾリル基、 2—力ルバゾリ ル基、 3—力ルバゾリル基、 4一力ルバゾリル基、 9一力ルバゾリル基、 1 フエナンスリ ジ-ル基、 2 フエナンスリジ-ル基、 3 フエナンスリジ-ル基、 4 フエナンスリジ- ル基、 6—フエナンスリジ-ル基、 7—フエナンスリジ-ル基、 8—フエナンスリジ -ル基 、 9 フエナンスリジ-ル基、 10 フエナンスリジ-ル基、 1—アタリジ-ル基、 2 ァク リジ-ル基、 3—アタリジ-ル基、 4—アタリジ-ル基、 9—アタリジ-ル基、 1, 7 フエ ナンスロリン— 2—ィル基、 1, 7 フエナンスロリン— 3—ィル基、 1, 7 フエナンスロ リン 4ーィル基、 1, 7 フエナンスロリン— 5—ィル基、 1, 7 フエナンスロリン— 6 —ィル基、 1, 7 フエナンスロリン— 8—ィル基、 1, 7 フエナンスロリン— 9—ィル基 、 1, 7 フエナンスロリン— 10—ィル基、 1, 8 フエナンスロリン— 2—ィル基、 1, 8 —フエナンスロリン一 3—ィル基、 1, 8 フエナンスロリン一 4—ィル基、 1, 8 フエナ ンスロリン一 5—ィル基、 1, 8 フエナンスロリン一 6—ィル基、 1, 8 フエナンスロリン —7—ィル基、 1, 8 フエナンスロリン— 9—ィル基、 1, 8 フエナンスロリン— 10— ィル基、 1, 9 フエナンスロリン— 2—ィル基、 1, 9 フエナンスロリン— 3—ィル基、 1, 9 フエナンスロリン一 4—ィル基、 1, 9 フエナンスロリン一 5—ィル基、 1, 9 フ ェナンスロリン— 6—ィル基、 1, 9 フエナンスロリン— 7—ィル基、 1, 9 フエナンス 口リン— 8—ィル基、 1, 9 フエナンスロリン— 10—ィル基、 1, 10 フエナンスロリン —2—ィル基、 1, 10 フエナンスロリン— 3—ィル基、 1, 10 フエナンスロリン— 4— ィル基、 1, 10 フエナンスロリン— 5—ィル基、 2, 9 フエナンスロリン— 1—ィル基 、 2, 9 フエナンスロリン— 3—ィル基、 2, 9 フエナンスロリン— 4—ィル基、 2, 9— フエナンスロリン一 5—ィル基、 2, 9 フエナンスロリン一 6—ィル基、 2, 9 フエナン スロリン— 7—ィル基、 2, 9 フエナンスロリン— 8—ィル基、 2, 9 フエナンスロリン — 10—ィル基、 2, 8 フエナンスロリン一 1—ィル基、 2, 8 フエナンスロリン一 3— ィル基、 2, 8 フエナンスロリン一 4—ィル基、 2, 8 フエナンスロリン一 5—ィル基、 2, 8 フエナンスロリン一 6—ィル基、 2, 8 フエナンスロリン一 7—ィル基、 2, 8 フ ェナンスロリン— 9—ィル基、 2, 8 フエナンスロリン— 10—ィル基、 2, 7 フエナン スロリン— 1—ィル基、 2, 7 フエナンスロリン— 3—ィル基、 2, 7 フエナンスロリン —4—ィル基、 2, 7 フエナンスロリン一 5—ィル基、 2, 7 フエナンスロリン一 6—ィ ル基、 2, 7—フエナンスロリンー8—ィル基、 2, 7—フエナンスロリンー9ーィル基、 2, 7 フエナンスロリン 10—ィル基、 1 フエナジ-ル基、 2 フエナジ-ル基、 1ーフ エノチアジ-ル基、 2 フエノチアジ-ル基、 3 フエノチアジ-ル基、 4ーフエノチア ジ-ル基、 10—フエノチアジ-ル基、 1 フエノキサジ-ル基、 2—フエノキサジ-ル 基、 3 フエノキサジ-ル基、 4 フエノキサジ-ル基、 10 フエノキサジ-ル基、 2— ォキサゾリル基、 4ーォキサゾリル基、 5—ォキサゾリル基、 2 ォキサジァゾリル基、 5 ォキサジァゾリル基、 3 フラザ-ル基、 2 チェ-ル基、 3 チェ-ル基、 2—メチ ルピロールー1ーィル基、 2 メチルピロ一ルー 3—ィル基、 2 メチルピロ一ルー 4 ーィル基、 2 メチルピロ一ルー 5—ィル基、 3 メチルピロ一ルー 1ーィル基、 3—メ チルピロールー2—ィル基、 3 メチルピロ一ルー 4ーィル基、 3 メチルピロ一ルー 5 ーィル基、 2— t—ブチルピロ一ルー 4ーィル基、 3—（2 フエ-ルプロピル）ピロール 1ーィル基、 2—メチルー 1 インドリル基、 4ーメチルー 1 インドリル基、 2—メチ ルー 3 インドリル基、 4ーメチルー 3 インドリル基、 2 t ブチル 1 インドリル基、 4 t ブチル 1 インドリル基、 2 t ブチル 3 インドリル基、 4 t ブチル 3—ィ ンドリル基等が挙げられる。
これらの中で、好ましくはフヱニル基、ナフチル基、ビフヱニル基、アントラニル基、 フエナンスリル基、ピリジ-ル基、ピレ-ル基、クリセ-ル基、フルオランテュル基、フ ルォレ-ル基である。
[0014] 一般式（1)〜（4)において、 R〜R 及び A〜A は、それぞれ独立に、水素原子
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、置換もしくは無置換の核炭素数 5〜50のァリール基、置換もしくは無置換の炭素数 1〜50のアルキル基、置換もしくは無置換の炭素数 1〜50のアルコキシ基、置換もし くは無置換の核炭素数 6〜50のァラルキル基、置換もしくは無置換の核炭素数 5〜5 0のァリールォキシ基、置換もしくは無置換の核炭素数 5〜50のァリールチオ基、置 換もしくは無置換の炭素数 1〜50のアルコキシカルボニル基、置換もしくは無置換の 核炭素数 5〜50のァリール基で置換されたァミノ基、置換もしくは無置換のシリル基 、ハロゲン原子、シァノ基、ニトロ基、ヒドロキシル基又はカルボキシル基である。
[0015] 前記 R〜R 及び A〜Aの置換もしくは無置換の核炭素数 5〜50のァリール基と
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しては、フエ-ル基、 1—ナフチル基、 2—ナフチル基、 1—アントリル基、 2—アントリ ル基、 9 アントリル基、 1—フエナントリル基、 2 フエナントリル基、 3 フエナントリ ル基、 4 フエナントリル基、 9 フエナントリル基、 1 ナフタセ-ル基、 2 ナフタセ -ル基、 9 ナフタセ-ル基、 1—ピレ-ル基、 2 ピレ-ル基、 4 ピレ-ル基、 2— ビフエ-ルイル基、 3—ビフエ-ルイル基、 4—ビフエ-ルイル基、 p ターフェ-ルー 4ーィル基、 p ターフェ-ルー 3—ィル基、 p ターフェ-ルー 2—ィル基、 m—ター フエ-ルー 4—ィル基、 m—ターフェ-ルー 3—ィル基、 m—ターフェ-ルー 2—ィル 基、 o トリル基、 m—トリル基、 ρ トリル基、 p— t—ブチルフエ-ル基、 p— (2—フエ -ルプロピル）フエ-ル基、 3—メチルー 2 ナフチル基、 4ーメチルー 1 ナフチル 基、 4ーメチルー 1 アントリル基、 4，ーメチルビフエ-ルイル基、 4"—tーブチルー p ターフェ-ルー 4ーィル基、フルオランテュル基、フルォレ -ル基、 1 ピロリル基、 2 ピロリル基、 3 ピロリル基、ピラジュル基、 2 ピリジニル基、 3 ピリジニル基、 4 ピリジ-ル基、 1 インドリル基、 2 インドリル基、 3 インドリル基、 4 インドリル 基、 5—インドリル基、 6—インドリル基、 7—インドリル基、 1—イソインドリル基、 2—ィ ソインドリル基、 3—イソインドリル基、 4 イソインドリル基、 5—イソインドリル基、 6— イソインドリル基、 7 イソインドリル基、 2 フリル基、 3 フリル基、 2 べンゾフラ- ル基、 3—べンゾフラ-ル基、 4一べンゾフラ-ル基、 5—べンゾフラ-ル基、 6—ベン ゾフラ-ル基、 7 べンゾフラ-ル基、 1 イソべンゾフラ-ル基、 3 イソべンゾフラ- ル基、 4 イソべンゾフラ-ル基、 5—イソべンゾフラ-ル基、 6—イソべンゾフラ-ル 基、 7—イソべンゾフラ-ル基、キノリル基、 3—キノリル基、 4 キノリル基、 5—キノリ ル基、 6 キノリル基、 7 キノリル基、 8 キノリル基、 1 イソキノリル基、 3 イソキノ リル基、 4 イソキノリル基、 5—イソキノリル基、 6—イソキノリル基、 7—イソキノリル基 、 8 イソキノリル基、 2 キノキサリニル基、 5 キノキサリニル基、 6 キノキサリニル 基、 1一力ルバゾリル基、 2—力ルバゾリル基、 3—力ルバゾリル基、 4一力ルバゾリル 基、 9一力ルバゾリル基、 1 フエナンスリジ-ル基、 2 フエナンスリジ-ル基、 3 フ ェナンスリジ-ル基、 4 フエナンスリジ-ル基、 6—フエナンスリジ-ル基、 7—フエナ ンスリジ-ル基、 8 フエナンスリジ-ル基、 9 フエナンスリジ-ル基、 10 フエナン スリジ-ル基、 1—アタリジ-ル基、 2—アタリジ-ル基、 3—アタリジ-ル基、 4—アタリ ジ-ル基、 9—アタリジ-ル基、 1, 7—フエナンスロリン— 2—ィル基、 1, 7 フエナン スロリン— 3—ィル基、 1, 7 フエナンスロリン— 4—ィル基、 1, 7 フエナンスロリン —5—ィル基、 1, 7 フエナンスロリン— 6—ィル基、 1, 7 フエナンスロリン— 8—ィ ル基、 1, 7—フエナンスロリン— 9—ィル基、 1, 7—フエナンスロリン— 10—ィル基、 1 , 8 フエナンスロリン— 2—ィル基、 1, 8 フエナンスロリン— 3—ィル基、 1, 8 フエ ナンスロリン— 4—ィル基、 1, 8 フエナンスロリン— 5—ィル基、 1, 8 フエナンスロ リン— 6—ィル基、 1, 8 フエナンスロリン— 7—ィル基、 1, 8 フエナンスロリン— 9 —ィル基、 1, 8 フエナンスロリン— 10—ィル基、 1, 9 フエナンスロリン— 2—ィル 基、 1, 9 フエナンスロリン— 3—ィル基、 1, 9 フエナンスロリン— 4—ィル基、 1, 9 —フエナンスロリン一 5—ィル基、 1, 9 フエナンスロリン一 6—ィル基、 1, 9 フエナ ンスロリン一 7—ィル基、 1, 9 フエナンスロリン一 8—ィル基、 1, 9 フエナンスロリン — 10—ィル基、 1, 10 フエナンスロリン— 2—ィル基、 1, 10 フエナンスロリン— 3 —ィル基、 1, 10 フエナンスロリン— 4—ィル基、 1, 10 フエナンスロリン— 5—ィ ル基、 2, 9—フエナンスロリン 1ーィル基、 2, 9—フエナンスロリンー3—ィル基、 2, 9 フエナンスロリン— 4—ィル基、 2, 9 フエナンスロリン— 5—ィル基、 2, 9 フエ ナンスロリン— 6—ィル基、 2, 9 フエナンスロリン— 7—ィル基、 2, 9 フエナンスロ リン— 8—ィル基、 2, 9 フエナンスロリン— 10—ィル基、 2, 8 フエナンスロリン— 1 ーィル基、 2, 8 フエナンスロリンー3—ィル基、 2, 8 フエナンスロリンー4 ィル基 、 2, 8 フエナンスロリン— 5—ィル基、 2, 8 フエナンスロリン— 6—ィル基、 2, 8— フエナンスロリン一 7—ィル基、 2, 8 フエナンスロリン一 9—ィル基、 2, 8 フエナン スロリン— 10—ィル基、 2, 7 フエナンスロリン— 1—ィル基、 2, 7 フエナンスロリン —3—ィル基、 2, 7 フエナンスロリン— 4—ィル基、 2, 7 フエナンスロリン— 5—ィ ル基、 2, 7—フエナンスロリンー6—ィル基、 2, 7—フエナンスロリンー8—ィル基、 2, 7 フエナンスロリン— 9—ィル基、 2, 7 フエナンスロリン— 10—ィル基、 1—フエナ ジ-ル基、 2 フエナジ-ル基、 1 フエノチアジ-ル基、 2 フエノチアジ-ル基、 3 —フエノチアジ-ル基、 4 フエノチアジ-ル基、 10 フエノチアジ-ル基、 1—フエノ キサジ-ル基、 2 フエノキサジ-ル基、 3 フエノキサジ-ル基、 4 フエノキサジ- ル基、 10 フエノキサジ-ル基、 2—ォキサゾリル基、 4ーォキサゾリル基、 5 ォキサ ゾリル基、 2 ォキサジァゾリル基、 5 ォキサジァゾリル基、 3 フラザニル基、 2— チェ-ル基、 3 チェ-ル基、 2 メチルピロ一ルー 1ーィル基、 2—メチルピロール 3—ィル基、 2 メチルピロ一ルー 4ーィル基、 2 メチルピロ一ルー 5—ィル基、 3 メチルピロ一ルー 1ーィル基、 3 メチルピロ一ルー 2—ィル基、 3 メチルピロ一 ルー 4—ィル基、 3—メチルピロール— 5—ィル基、 2— t—ブチルピロール— 4—ィル 基、 3—（2 フエ-ルプロピル）ピロ一ルー 1ーィル基、 2—メチルー 1 インドリル基 、 4ーメチルー 1 インドリル基、 2—メチルー 3 インドリル基、 4ーメチルー 3 インド リル基、 2 t ブチル 1 インドリル基、 4 t ブチル 1 インドリル基、 2 tーブチ ル 3—インドリル基、 4 t—ブチル 3—インドリル基等が挙げられる。
これらの中で、好ましくはフヱニル基、ナフチル基、ビフヱニル基、アントラニル基、 フエナンスリル基、ピレ-ル基、クリセ-ル基、フルオランテュル基、フルォレ -ル基で ある。
前記 R〜R 及び A〜Aの置換もしくは無置換の炭素数 1〜50のアルキル基とし ては、メチル基、ェチル基、プロピル基、イソプロピル基、 n ブチル基、 s ブチル基 、イソブチル基、 t ブチル基、 n ペンチル基、 n—へキシル基、 n—へプチル基、 n ーォクチル基、ヒドロキシメチル基、 1ーヒドロキシェチル基、 2—ヒドロキシェチル基、 2 ヒドロキシイソブチル基、 1, 2 ジヒドロキシェチル基、 1, 3 ジヒドロキシイソプロ ピル基、 2, 3 ジヒドロキシ一 t—ブチル基、 1, 2, 3 トリヒドロキシプロピル基、クロ ロメチル基、 1—クロ口ェチル基、 2—クロ口ェチル基、 2—クロ口イソブチル基、 1, 2 ージクロ口ェチル基、 1, 3 ジクロ口イソプロピル基、 2, 3 ジクロロー t—ブチル基、 1, 2, 3 トリクロ口プロピル基、ブロモメチル基、 1 ブロモェチル基、 2 ブロモェチ ル基、 2 ブロモイソブチル基、 1, 2 ジブロモェチル基、 1, 3 ジブロモイソプロピ ル基、 2, 3 ジブ口モー t ブチル基、 1, 2, 3 トリブロモプロピル基、ョードメチル 基、 1ーョードエチル基、 2—ョードエチル基、 2—ョードイソブチル基、 1, 2—ジョー ドエチル基、 1, 3 ジョードイソプロピル基、 2, 3 ジョードー t ブチル基、 1, 2, 3 —トリョードプロピル基、アミノメチル基、 1—アミノエチル基、 2—アミノエチル基、 2- ァミノイソブチル基、 1, 2 ジアミノエチル基、 1, 3 ジァミノイソプロピル基、 2, 3— ジァミノ— t—ブチル基、 1, 2, 3 トリァミノプロピル基、シァノメチル基、 1—シァノエ チル基、 2—シァノエチル基、 2—シァノイソブチル基、 1, 2—ジシァノエチル基、 1, 3 ジシァノイソプロピル基、 2, 3 ジシァノー t—ブチル基、 1, 2, 3 トリシアノプロ ピル基、ニトロメチル基、 1 -トロェチル基、 2— -トロェチル基、 2— -トロイソブチ ル基、 1, 2 ジ-トロェチル基、 1, 3 ジ-トロイソプロピル基、 2, 3 ジ-トロー t— ブチル基、 1, 2, 3 トリ-トロプロピル基、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロ ペンチル基、シクロへキシル基、 4ーメチルシクロへキシル基、 1ーァダマンチル基、 2 ーァダマンチル基、 1 ノルボル-ル基、 2—ノルボル-ル基等が挙げられる。
前記 R 〜R 及び A 〜Aの置換もしくは無置換の炭素数 1〜50のアルコキシ基
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は OYで表される基であり、 Yの例としては、前記アルキル基で説明したものと同様 の例が挙げられる。
前記 R 〜R 及び A 〜Aのの置換もしくは無置換の核炭素数 6〜50のァラルキ
1 22 1 3
ル基の例としては、ベンジル基、 1 フエ-ルェチル基、 2—フエ-ルェチル基、 1 フエ-ルイソプロピル基、 2—フエ-ルイソプロピル基、フエ-ルー t ブチル基、 α - ナフチルメチル基、 1 - a ナフチノレエチノレ基、 2 - a ナフチノレエチノレ基、 1 - a ナフチルイソプロピル基、 2— a ナフチルイソプロピル基、 13 ナフチルメチル 基、 1 j8—ナフチノレエチノレ基、 2 - β ナフチノレエチノレ基、 1 - β ナフチルイソ プロピル基、 2— β ナフチルイソプロピル基、 1 ピロリルメチル基、 2—（1 ピロリ ル）ェチル基、 ρ—メチルベンジル基、 m—メチルベンジル基、 o メチルベンジル基 、 p クロ口べンジノレ基、 m—クロ口べンジノレ基、 o クロ口べンジノレ基、 p ブロモベ ンジル基、 m—ブロモベンジル基、 o ブロモベンジル基、 p ョードベンジル基、 m —ョードベンジル基、 o ョードベンジル基、 p ヒドロキシベンジル基、 m—ヒドロキシ ベンジル基、 o ヒドロキシベンジル基、 p ァミノべンジル基、 m—ァミノベンジル基 、 o ァミノべンジノレ基、 p 二トロべンジノレ基、 m—二トロべンジノレ基、 o 二トロベン ジル基、 p シァノベンジル基、 m—シァノベンジル基、 o シァノベンジル基、 1—ヒ ドロキシ 2—フエ-ルイソプロピル基、 1—クロ口一 2—フエ-ルイソプロピル基等が 挙げられる。
前記 R〜R 及び A〜Aの置換もしくは無置換の核炭素数 5〜50のァリールォキ
1 22 1 3
シ基は— OY'と表され、 Y'の例としては前記 Ar〜Arのァリール基で説明したもの
2 4
と同様の例が挙げられる。
前記 R〜R 及び A〜Aの置換もしくは無置換の核炭素数 5〜50のァリールチオ
1 22 1 3
基は一 SY'と表され、 Y'の例としては前記 Ar〜Arのァリール基で説明したものと
2 4
同様の例が挙げられる。
前記 R〜R 及び A〜Aの置換もしくは無置換の炭素数 1〜50のアルコキシカル
1 22 1 3
ボニル基は COOYで表される基であり、 Yの例としては、前記アルキル基で説明し たものと同様の例が挙げられる。
前記 R〜R 及び A〜Aの置換もしくは無置換の核炭素数 5〜50のァリール基
1 22 1 3
で置換されたァミノ基におけるァリール基の例としては前記 Ar〜Arのァリール基で
1 7
挙げたものと同様の例が挙げられる。
前記 R〜R 及び A〜A のシリル基としては、トリメチルシリル基、トリェチルシリル
1 22 1 3
基、 tーブチルジメチルシリル基、ビュルジメチルシリル基、プロピルジメチルシリル基 等が挙げられる。 前記 R 〜R 及び A 〜A のハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素
1 22 1 3
原子、ヨウ素原子等が挙げられる。
[0019] また、前記一般式（1)〜(4)における各基の置換基としては、炭素数 1〜10のアル キル基（メチル基、ェチル基、 i プロピル基、 n プロピル基、 n ブチル基、 s ブ チル基、 t—ブチル基、 n—ペンチル基、シクロペンチル基、 n—へキシル基、シクロ へキシル基等）、炭素数 1〜： L0のアルコキシ基 (エトキシ基、メトキシ基、 i—プロポキ シ基、 n—プロポキシ基、 s—ブトキシ基、 t—ブトキシ基、ペントキシ基、へキシルォキ シ基、シクロペントキシ基、シクロへキシルォキシ基等）、核炭素数 5〜40のァリール 基、核炭素数 5〜40のァリール基で置換されたァミノ基、シァノ基、ニトロ基、ハロゲ ン原子等が挙げられ、これらの中でも炭素数 1〜10のアルキル基及び炭素数 1〜10 のアルコキシ基が好ましぐ炭素数 1〜6のアルキル基がさらに好ましぐメチル基、ェ チル基、 i—プロピル基、 n—プロピル基、 n—ブチル基、 s ブチル基、 t—ブチル基 、 n—ペンチル基、シクロペンチル基、 n—へキシル基、シクロへキシル基が特に好ま しい。
[0020] 一般式（1)において、 nは 3〜6の整数であり、 3〜5であると好ましい。
一般式（2)〜（4)において、それぞれ mは 2〜5の整数であり、 2〜4であると好まし い。
一般式（2)〜（4)において、 x、 y及び zは、 0〜3の整数であり、 2以上の場合、 A 〜A はそれぞれ同一でも異なっていてもよい。
3
[0021] 一般式（1)において Rと R及び Rと R の少なくとも 1つの組み合わせは互いに結
1 2 3 4
合して置換もしくは無置換の環を形成し、一般式（2)において Rと R 、 Rと R 、 Rと
5 6 6 7 8
R及び Rと R の少なくとも 1つの組み合わせは互いに結合して置換もしくは無置換
9 9 10
の環を形成し、一般式（3)において R と R 、 R と R 、 R と R 及び R と R の少なく
11 12 12 13 14 15 15 16 とも 1つの組み合わせは互 、に結合して置換もしくは無置換の環を形成し、一般式（ 4)において R と R , R と R 、 R と R 、 R と R の少なくとも 1つの組み合わせは互
17 18 18 19 20 21 21 22
Vヽに結合して置換もしくは無置換の環を形成して 、る。
このような環としては、例えば、シクロブタン、シクロペンタン、シクロへキサン、ァダ マンタン、ノルボルナン等の核炭素数 4〜 12のシクロアルカン、シクロブテン、シクロ ペンテン、シクロへキセン、シクロヘプテン、シクロオタテン等の核炭素数 4〜 12のシ クロアルケン、シクロペンタジェン、シクロへキサジェン、シクロへブタジエン、シクロォ クタジェン等の核炭素数 5〜 12のシクロアルカジエン、ベンゼン、ナフタレン、フエナ ントレン、アントラセン、ピレン、タリセン、ァセナフチレン等の核炭素数 6〜50の芳香 族環、イミダゾール、ピロール、フラン、チォフェン、ピリジン等の核原子数 5〜50の複 素環などが挙げられ、これらの中でも 5員環及び 6員環が好ましぐ 5員環が特に好ま しい。また、置換基としては前記と同様のものが挙げられる。
特に、一般式（1)において Rと Rの少なくとも 1つの組み合わせは互いに結合して
1 2
置換もしくは無置換の 5員環もしくは 6員環を形成し、一般式（2)において Rと R及
5 6 び Z又は、 Rと Rの少なくとも 1つの組み合わせは互いに結合して置換もしくは無置
6 7
換の 5員環もしくは 6員環を形成し、一般式（3)において R と R 及び/又は、 R と R
11 12 12 の少なくとも 1つの組み合わせは互 、に結合して置換もしくは無置換の 5員環もしく
13
は 6員環を形成し、一般式 (4)において R と R 及び/又は、 R と R の少なくとも 1
17 18 18 19
つの組み合わせは互いに結合して置換もしくは無置換の 5員環もしくは 6員環を形成 していると好ましい。
本発明の前記一般式（1)で表される芳香族ァミン誘導体は、下記一般式（1 a)、 (1—b)又は（1 c)で表される芳香族ァミン誘導体であると好ま 、。
[化 3]
Figure imgf000015_0001
( 1 -c)
(式中、 Ar〜Ar は、それぞれ前記 Ar〜Arと同じであり、 R 〜R は、それぞれ 前記 R〜Rと同じであり、これら各基の具体例及び好ましい基も同様のものが挙げ
1 4
られる。ただし、 Ar〜Ar の示す各基における置換基がビニル基を含む基である場
8 19
合はない。）
本発明の前記一般式 (2)で表される芳香族ァミン誘導体が、下記一般式 (2— a)、 (2— b)又は（2— c)で表される芳香族ァミン誘導体であると好ましい。
[化 4]
Figure imgf000016_0001
(2 - ■c)
(式中、 Ar 〜Ar は、それぞれ前記 Ar〜Arと同じであり、 R 〜R は、それぞれ
20 25 5 6 41 58 前記 R〜R と同じであり、これら各基の具体例及び好ましい基も同様のものが挙げ
5 10
られる。）
本発明の前記一般式 (3)で表される芳香族ァミン誘導体が、下記一般式 (3— a)又 は（3— b)で表される芳香族ァミン誘導体であると好ましい。
[化 5]
Figure imgf000016_0002
(3— a) (3 -b)
(式中、 Ar 〜Ar は、それぞれ前記 Arと同じであり、 R 〜R は、それぞれ前記 R
26 27 7 59 68
〜R と同じであり、これら各基の具体例及び好ましい基も同様のものが挙げられる。 [0025] 本発明の前記一般式 (4)で表される芳香族ァミン誘導体が、下記一般式 (4 a)又 は (4—b)で表される芳香族ァミン誘導体であると好ま 、。
[化 6]
Figure imgf000017_0001
(式中、 R 〜R は、それぞれ前記 R 〜R と同じであり、これら各基の具体例及び好
69 78 17 22
ましい基も同様のものが挙げられる。）
[0026] 本発明の芳香族ァミン誘導体は、有機 EL素子用材料であると好ましぐ有機 EL素 子用正孔輸送材料又は有機 EL素子用ドーピング材料であるとさらに好まし 、。 本発明の一般式（1)〜 (4)で表される芳香族ァミン誘導体の具体例を以下に示す 力 これら例示化合物に限定されるものではない。
[0027] [化 7]
O/90SAV 968001vu soifcldさoi
Figure imgf000018_0001
昌〔 〔0§ 置¾002
Figure imgf000019_0001
Figure imgf000020_0001
[0030] [化 10]
Figure imgf000021_0001
[0031] [化 11]
Figure imgf000022_0001
次に、本発明の芳香族ァミン誘導体の製造方法について説明する。
本発明の一般式 ( 1)で示される芳香族ァミン誘導体の製造方法は、特に限定され ず公知の方法で製造すればよぐ例えば、 日本化学会第 84春季年会 3E1— 33 (2 004) (木村真ら）にて報告された方法、 J. Am. Chem. Soc. , 126 6987— 6995 (2004) Qosemon Jacobら）に記載された方法で縮合型オリゴフルオレン化合物を 誘導する。
続いて、縮合型オリゴフルオレンィ匕合物をハロゲンィ匕して、縮合型オリゴフルオレン のハロゲン誘導体を合成する。ハロゲンィ匕に用いられる試薬としては、例えば、ハロ ゲンィ匕に用いるハロゲン原子が臭素である場合には、臭素、 NBS (N—ブロモスクシ ンイミド）、 KBr, KBrO , AlBr , PBr , SbBr , FeBr , PyHBrCl , Bu NBr等
3 3 3 3 2 2 4 3 が挙げられ、好ましくは臭素、 NBSである。ハロゲンィ匕に用いるハロゲン原子が臭素 以外の場合には、これらの例において、臭素を該当するハロゲン原子に置き換えたも のが挙げられる。
[0033] また、ハロゲン化は、四塩化炭素、クロ口ホルム、塩化メチレン、酢酸、ピリジン、ジメ チルホルムアミド (DMF)等の有機溶媒や硫酸中で行うことが好ましい。また、反応系 中に、過酸化ベンゾィル（BPO)、 2, 2，—ァゾビスイソブチ口-トリル（AIBN) , m— クロ口過安息香酸 (mCPBA)等の過酸ィ匕物や、重金属塩を添加してもよぐ光照射 を行ってもよい。
ノ、ロゲン化する際の、反応温度は、通常室温〜 150°Cであり、室温〜 100°Cが好ま しぐ反応時間は、通常 1〜120時間であり、 6〜18時間が好ましい。
[0034] 次に、前記ハロゲン誘導体を、ジァリールァミンによりアミノ化して、芳香族ァミンを 製造する。このアミノ化する際には、触媒として遷移金属を用いると好ましい。
この遷移金属としては、例えば、マンガン（Mn)、鉄（Fe)、コバルト（Co)、ニッケル (Ni)、銅（Cu)、パラジウム（Pd)、モリブデン（Mo)、ロジウム（Rh)、ルテニウム（Ru) 、バナジウム (V)、クロム（Cr)、白金（Pt)又はイリジウム (Ir)等が挙げられ、これらの 中でも、 Ni、 Pd、 Pt、 Cuが好ましぐ Pd、 Cuがさらに好ましい。
それらの遷移金属は、遷移金属単体を微粉末等として用いる他、遷移金属錯体又 は遷移金属化合物等として用いられると好まし 、。
[0035] 次に、本発明の有機 EL素子について説明する。
本発明の有機 EL素子は、陰極と陽極間に少なくとも発光層を含む一層又は複数 層からなる有機薄膜層が挟持されている有機 EL素子において、該有機薄膜層の少 なくとも 1層が、本発明の芳香族ァミン誘導体を単独もしくは混合物の成分として含有 する。
本発明の有機 EL素子は、前記有機薄膜層が正孔輸送層を有し、該正孔輸送層が 、本発明の芳香族ァミン誘導体を単独もしくは混合物の成分として含有すると好まし い。さらに、前記正孔輸送層が、主成分として本発明の芳香族ァミン誘導体を含有す ると好まし ヽ。
また、本発明の有機 EL素子は、前記発光層が本発明の芳香族ァミン誘導体を単 独もしくは混合物の成分として含有すると好ましい。さらに、前記発光層が、ドーピン グ材料として本発明の芳香族ァミン誘導体を含有すると好ましい。
本発明の芳香族ァミン誘導体は、特に青色系発光する有機 EL素子として好ましい 本発明において、有機薄膜層が複数層型の有機 EL素子としては、（陽極 Z正孔注 入層 Z発光層 Z陰極)、（陽極 Z発光層 Z電子注入層 Z陰極)、（陽極 Z正孔注入 層 Z発光層 Z電子注入層 Z陰極)等の構成で積層したものが挙げられる。
前記複数層には、必要に応じて、本発明の芳香族ァミン誘導体に加えてさらなる公 知の発光材料、ドーピング材料、正孔注入材料や電子注入材料を使用することもで きる。有機 EL素子は、前記有機薄膜層を複数層構造にすることにより、クェンチング による輝度や寿命の低下を防ぐことができる。必要があれば、発光材料、ドーピング 材料、正孔注入材料や電子注入材料を組み合わせて使用することができる。また、ド 一ビング材料により、発光輝度や発光効率の向上、赤色や青色の発光を得ることも できる。また、正孔注入層、発光層、電子注入層は、それぞれ二層以上の層構成に より形成されても良い。その際には、正孔注入層の場合、電極力 正孔を注入する層 を正孔注入層、正孔注入層から正孔を受け取り発光層まで正孔を輸送する層を正孔 輸送層と呼ぶ。同様に、電子注入層の場合、電極カゝら電子を注入する層を電子注入 層、電子注入層から電子を受け取り発光層まで電子を輸送する層を電子輸送層と呼 ぶ。これらの各層は、材料のエネルギー準位、耐熱性、有機層又は金属電極との密 着性等の各要因により選択されて使用される。 [0037] 本発明の芳香族ァミン誘導体と共に発光層に使用できるホスト材料又はドーピング 材料としては、例えば、ナフタレン、フエナントレン、ルブレン、アントラセン、テトラセン 、ピレン、ペリレン、タリセン、デカシクレン、コロネン、テトラフエ-ルシクロペンタジェ ン、ペンタフェ-ルシクロペンタジェン、フルオレン、スピロフルオレン、 9, 10 ジフエ 二ルアントラセン、 9, 10 ビス（フエ-ルェチュル）アントラセン、 1, 4 ビス（9，一ェ チニルアントラセ-ル）ベンゼン等の縮合多量芳香族化合物及びそれらの誘導体、ト リス（8 キノリノラート）アルミニウム、ビス一（2—メチル 8 キノリノラート） 4— ( フエ-ルフエノリナート）アルミニウム等の有機金属錯体、トリアリールァミン誘導体、ス チリルァミン誘導体、スチルベン誘導体、クマリン誘導体、ピラン誘導体、ォキサゾン 誘導体、ベンゾチアゾール誘導体、ベンゾォキサゾール誘導体、ベンゾイミダゾール 誘導体、ピラジン誘導体、ケィ皮酸エステル誘導体、ジケトピロロピロール誘導体、ァ クリドン誘導体、キナクリドン誘導体等が挙げられるが、これらに限定されるものではな い。
[0038] 正孔注入材料としては、正孔を輸送する能力を持ち、陽極カゝらの正孔注入効果、 発光層又は発光材料に対して優れた正孔注入効果を有し、発光層で生成した励起 子の電子注入層又は電子注入材料への移動を防止し、かつ薄膜形成能力の優れた 化合物が好ましい。具体的には、フタロシアニン誘導体、ナフタロシアニン誘導体、ポ ルフィリン誘導体、ォキサゾール、ォキサジァゾール、トリァゾール、イミダゾール、イミ ダゾロン、イミダゾールチオン、ピラゾリン、ピラゾロン、テトラヒドロイミダゾール、ォキ サゾール、ォキサジァゾール、ヒドラゾン、ァシルヒドラゾン、ポリアリールアルカン、ス チルベン、ブタジエン、ベンジジン型トリフエニルァミン、スチリルァミン型トリフエニル ァミン、ジァミン型トリフエ-ルァミン等と、それらの誘導体、及びポリビニルカルバゾ ール、ポリシラン、導電性高分子等の高分子材料が挙げられるが、これらに限定され るものではない。
[0039] 本発明の有機 EL素子において使用できる正孔注入材料の中で、さらに効果的な 正孔注入材料は、芳香族三級アミン誘導体及びフタロシアニン誘導体である。
芳香族三級アミン誘導体としては、例えば、トリフエ-ルァミン、トリトリルァミン、トリル ジフエ-ルァミン、 N, N，—ジフエ-ルー N, N， - (3—メチルフエ-ル）— 1, 1， ビ フエニル一 4, 4 ジァミン、 N, N, Ν' , Ν，一（4—メチルフエ-ル）一 1, 1 フエ- ノレ一 4, 4，一ジァミン、 Ν, Ν, Ν' , Ν' - (4—メチノレフエ-ノレ）一 1, 1 ビフエ-ノレ 4, 4，一ジァミン、 Ν, Ν，一ジフエ-ル一 Ν, Ν，一ジナフチル一 1, 1 ビフエ-ル 4, 4，—ジァミン、 Ν, Ν， （メチルフエ-ル） Ν, Ν —（4— η—ブチルフエ-ル） —フエナントレン一 9, 10 ジァミン、 Ν, Ν ビス（4 ジ一 4 トリルァミノフエ-ル） 4 フエニル シクロへキサン等、又はこれらの芳香族三級アミン骨格を有したオリ ゴマーもしくはポリマーである力 これらに限定されるものではない。
[0040] フタロシアニン (Pc)誘導体としては、例えば、 H Pc CuPc CoPc NiPc ZnPc
2
PdPc FePc MnPc ClAlPc ClGaPc ClInPc ClSnPc CI SiPc (HO)Al
2
Pc （HO) GaPc VOPc TiOPc MoOPc GaPc— O— GaPc等のフタロシア- ン誘導体及びナフタロシアニン誘導体がある力 これらに限定されるものではない。 また、本発明の有機 EL素子は、発光層と陽極との間に、これらの芳香族三級アミン 誘導体及び Z又はフタロシアニン誘導体を含有する層、例えば、前記正孔輸送層又 は正孔注入層を形成してなると好ま ヽ。
[0041] 電子注入材料としては、電子を輸送する能力を持ち、陰極からの電子注入効果、 発光層又は発光材料に対して優れた電子注入効果を有し、発光層で生成した励起 子の正孔注入層への移動を防止し、かつ薄膜形成能力の優れた化合物が好ま 。具体的には、フルォレノン、アントラキノジメタン、ジフエノキノン、チォピランジオキ シド、ォキサゾール、ォキサジァゾール、トリァゾール、イミダゾール、ペリレンテトラ力 ルボン酸、フレオレニリデンメタン、アントラキノジメタン、アントロン等とそれらの誘導 体が挙げられる力 これらに限定されるものではない。また、正孔注入材料に電子受 容物質を、電子注入材料に電子供与性物質を添加することにより増感させることもで きる。
[0042] 本発明の有機 EL素子において、さらに効果的な電子注入材料は、金属錯体化合 物及び含窒素五員環誘導体である。
前記金属錯体化合物としては、例えば、 8—ヒドロキシキノリナ一トリチウム、ビス（8 ーヒドロキシキノリナート）亜鉛、ビス（8—ヒドロキシキノリナート)銅、ビス（8—ヒドロキ シキノリナート)マンガン、トリス（8 ヒドロキシキノリナート）アルミニウム、トリス（2—メ チノレー 8—ヒドロキシキノリナート）ァノレミ-ゥム、トリス（8—ヒドロキシキノリナート）ガリ ゥム、ビス（10—ヒドロキシベンゾ [h]キノリナート）ベリリウム、ビス（10—ヒドロキシべ ンゾ [h]キノリナート）亜鉛、ビス（2—メチルー 8 キノリナート）クロ口ガリウム、ビス（2 ーメチルー 8 キノリナート）（o クレゾラート）ガリウム、ビス（2—メチルー 8 キノリナ ート）（1—ナフトラート)アルミニウム、ビス（2—メチル—8 キノリナート）（2 ナフトラ ート）ガリウム等が挙げられる力 これらに限定されるものではない。
前記含窒素五員誘導体としては、例えば、ォキサゾール、チアゾール、ォキサジァ ゾール、チアジアゾール、トリァゾール誘導体が好ましい。具体的には、 2, 5 ビス（ 1—フエ-ル）一 1, 3, 4—ォキサゾール、ジメチル POPOP、 2, 5 ビス（1—フエ- ル）— 1, 3, 4 チアゾール、 2, 5 ビス（1—フエ-ル）— 1, 3, 4—ォキサジァゾ一 ル、 2— (4，— tert—ブチルフエ-ル）—5— (4"—ビフエ-ル） 1, 3, 4—ォキサジァ ゾール、 2, 5 ビス（1 ナフチル）ー1, 3, 4 ォキサジァゾール、 1, 4 ビス [2—（ 5 フエ-ルォキサジァゾリル） ]ベンゼン、 1, 4 ビス [2—（5 フエ-ルォキサジァ ゾリル）—4—tert ブチルベンゼン]、 2—（4，—tert ブチルフエ-ル） 5— (4" —ビフエ-ル） 1, 3, 4 チアジアゾール、 2, 5 ビス（1—ナフチル） 1, 3, 4— チアジアゾール、 1, 4 ビス [2— (5 フエ-ルチアジァゾリル） ]ベンゼン、 2— (4， — tert—ブチルフエ-ル）— 5— (4"—ビフエ-ル）—1, 3, 4 トリァゾール、 2, 5— ビス（1—ナフチル）—1, 3, 4 トリァゾール、 1, 4 ビス [2— (5—フエ-ルトリアゾリ ル） ]ベンゼン等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。
本発明の有機 EL素子においては、有機薄膜層のいずれかの層中に、前記芳香族 ァミン誘導体の他に、発光材料、ドーピング材料、正孔注入材料及び電子注入材料 の少なくとも 1種が同一層に含有されてもよい。また、本発明により得られた有機 EL 素子の、温度、湿度、雰囲気等に対する安定性の向上のために、素子の表面に保護 層を設けたり、シリコンオイル、榭脂等により素子全体を保護することも可能である。 本発明の有機 EL素子の陽極に使用される導電性材料としては、 4eVより大きな仕 事関数を持つものが適しており、炭素、アルミニウム、バナジウム、鉄、コバルト、ニッ ケル、タングステン、銀、金、白金、パラジウム等及びそれらの合金、 ITO基板、 NES A基板に使用される酸化スズ、酸化インジウム等の酸化金属、さらにはポリチォフェン やポリピロール等の有機導電性榭脂が用いられる。陰極に使用される導電性物質と しては、 4eVより小さな仕事関数を持つものが適しており、マグネシウム、カルシウム、 錫、鉛、チタニウム、イットリウム、リチウム、ルテニウム、マンガン、アルミニウム、フッ化 リチウム等及びそれらの合金が用いられる力 これらに限定されるものではない。合 金としては、マグネシウム Z銀、マグネシウム Zインジウム、リチウム Zアルミニウム等 が代表例として挙げられる力 これらに限定されるものではない。合金の比率は、蒸 着源の温度、雰囲気、真空度等により制御され、適切な比率に選択される。陽極及 び陰極は、必要があれば二層以上の層構成により形成されていても良い。
[0044] 本発明の有機 EL素子では、効率良く発光させるために、少なくとも一方の面は素 子の発光波長領域において充分透明にすることが望ましい。また、基板も透明である ことが望ましい。透明電極は、上記の導電性材料を使用して、蒸着やスパッタリング 等の方法で所定の透光性が確保するように設定する。発光面の電極は、光透過率を 10%以上にすることが望ましい。基板は、機械的、熱的強度を有し、透明性を有する ものであれば限定されるものではな ヽが、ガラス基板及び透明性榭脂フィルムがある 。透明性榭脂フィルムとしては、ポリエチレン、エチレン 酢酸ビニル共重合体、ェチ レン ビュルアルコール共重合体、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリメチルメタアタリ レート、ポリ塩化ビニル、ポリビュルアルコール、ポリビュルブチラール、ナイロン、ポリ エーテルエーテルケトン、ポリサルホン、ポリエーテルサルフォン、テトラフルォロェチ レン パーフルォロアルキルビュルエーテル共重合体、ポリビュルフルオライド、テト ラフルォロエチレン エチレン共重合体、テトラフルォロエチレン一へキサフルォロプ ロピレン共重合体、ポリクロ口トリフルォロエチレン、ポリビ-リデンフルオライド、ポリエ ステル、ポリカーボネート、ポリウレタン、ポリイミド、ポリエーテルイミド、ポリイミド、ポリ プロピレン等が挙げられる。
[0045] 本発明に係わる有機 EL素子の各層の形成は、真空蒸着、スパッタリング、プラズマ 、イオンプレーティング等の乾式成膜法やスピンコーティング、デイツビング、フローコ 一ティング等の湿式成膜法のいずれの方法を適用することができる。膜厚は特に限 定されるものではないが、適切な膜厚に設定する必要がある。膜厚が厚すぎると、一 定の光出力を得るために大きな印加電圧が必要になり効率が悪くなる。膜厚が薄す ぎるとピンホール等が発生して、電界を印加しても充分な発光輝度が得られない。通 常の膜厚は 5nm〜10 mの範囲が適しているが、 10nm〜0. 2 mの範囲がさらに 好ましい。
湿式成膜法の場合、各層を形成する材料を、エタノール、クロ口ホルム、テトラヒドロ フラン、ジォキサン等の適切な溶媒に溶解又は分散させて薄膜を形成するが、その 溶媒はいずれであっても良い。また、いずれの有機薄膜層においても、成膜性向上 、膜のピンホール防止等のため適切な榭脂ゃ添加剤を使用しても良い。使用の可能 な榭脂としては、ポリスチレン、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポリエステル、ポリア ミド、ポリウレタン、ポリスルフォン、ポリメチルメタタリレート、ポリメチルアタリレート、セ ルロース等の絶縁性榭脂及びそれらの共重合体、ポリ N ビュルカルバゾール、 ポリシラン等の光導電性榭脂、ポリチォフェン、ポリピロール等の導電性榭脂を挙げ られる。また、添加剤としては、酸化防止剤、紫外線吸収剤、可塑剤等を挙げられる
[0046] 本発明の有機 EL素子は、壁掛けテレビのフラットパネルディスプレイ等の平面発光 体、複写機、プリンター、液晶ディスプレイのバックライト又は計器類等の光源、表示 板、標識灯等に利用できる。また、本発明の材料は、有機 EL素子だけでなぐ電子 写真感光体、光電変換素子、太陽電池、イメージセンサー等の分野においても使用 できる。
実施例
[0047] 次に、実施例を用いて本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこれら実施例に 限定されるものではない。
合成実施例 1 (化合物（2)の合成）
以下の反応経路にて化合物（2)を合成した。
[化 12]
Figure imgf000030_0001
化合物 (2)
(1 1)中間体 1の合成
アルゴン気流下 1L三口フラスコに、 2, 5 ジブロモテレフタル酸メチルエステル 35 g (0. lmol)、フエ-ルボロン酸 27g (0. 22mol)、テトラキストリフエ-ルホスフィンパ ラジウム（0) 5. 7g (5mmol)、トルエン 200mL、炭酸ナトリウム 32g (0. 3mol)Z水 1 50mLを加え、 8時間加熱還流した。反応終了後、有機層を水洗し、硫酸マグネシゥ ムで乾燥後、ロータリーエバポレーターを溶媒を留去した。得られた粗結晶をェタノ 一ルで再結晶し、目的とする中間体 1を 27g (白色結晶、収率 80%)得た。 (1 2)中間体 2の合成
1Lフラスコに、中間体 1 17g (0. O5mol)、 80%硫酸 200mLを加え、 180。Cで 3 時間加熱攪拌した。反応終了後、硫酸を分液し、塩化メチレンを加えた後、炭酸水 素ナトリウム水溶液で洗浄した。硫酸マグネシウムで乾燥後、ロータリーエバポレータ 一を溶媒を留去し、反応粗生成物を得た。カラムクロマトグラフィー (シリカゲル (へキ サン溶媒）：酢酸ェチル = 95 : 5)にて精製し、 目的とする中間体 2 10g (灰色結晶、 収率 70%)を得た。
(1 3)中間体 3の合成
1Lフラスコに、中間体 2 10g (0. 035mol)、ヒドラジン一水和物 8. 8mL (0. 175 mol)、ジエチレングリコール 300mLをカ卩え、 200°Cで 2時間加熱攪拌した。反応終 了後、水を加え、析出物をろ別した。反応粗生成物をへキサン:クロ口ホルムで再沈 し、 目的とする中間体 3 4. 5g (淡褐色固体、収率 50%)を得た。
(1 4)中間体 4の合成
アルゴン気流下 300mL三口フラスコに、中間体 3 4g (0. 015mol)、 t—ブトキシ カリウム 9g (0. 08mol)、ジメチルスルフォキシド（DMSO) lOOmLを加え、反応系を 5°Cに冷却した。続いて、ヨウ化メチル l lg (0. 08mol)をゆっくり滴下した後、ー晚攪 拌した。反応終了後、水を加え、有機層を酢酸ェチルで抽出し飽和食塩水で洗浄し た。硫酸マグネシウムで乾燥後、ロータリーエバポレーターを溶媒を留去し、反応粗 生成物を得た。カラムクロマトグラフィー（シリカゲル (へキサン溶媒）：酢酸ェチル = 9 5 : 5)にて精製し、 目的とする中間体 4 4. 6g (白色結晶、収率 95%)を得た。
(1 5)中間体 5の合成
200mLフラスコに、中間体 5 3. lg (lOmmol)、クロ口ホルム 20mLを加えた。続 いて、臭素 3. 2g (20mmol)をゆっくりと滴下し、室温にて 2時間攪拌した。反応終了 後、反応液にチォ硫酸ナトリウム水溶液を加え、有機層を分液し、水、飽和食塩水で 洗浄した。硫酸ナトリウムで乾燥後ロータリーエバポレーターを溶媒を留去した。得ら れた粗結晶をエタノールで再結晶し、 目的とする中間体 5 3. 7g (白色結晶、収率 8 0%)を得た。
(1— 6)化合物（2)の合成 アルゴン気流下冷却管付き 300mL三口フラスコ中に、中間体 5 4. 7g (10mmol) 、 N—フエ-ルナフタレン一 1—ァミン 5. 5g (25mmol)、酢酸パラジウム 0. 03g (l . 5mol%)、トリ— t—ブチルホスフィン 0. O6g (3mol%)、 t—ブトキシナトリウム 2. 4g (25mmol)、乾燥トルエン lOOmLを加えた後、 100°Cにてー晚加熱攪拌した。反応 終了後、析出した結晶を濾取し、トルエン 50mL、メタノール lOOmLにて洗浄し、淡 黄色粉末 6. 7gを得た。得られた化合物の FD— MS (フィールドデイソブーシヨンマス スペクトル）を測定したところ、 C H N = 744に対し、 mZZ = 744が得られたことか
56 44 2
ら、化合物（2)と同定した (収率 90%)。
合成実施例 2 (化合物（13)の合成）
以下の反応経路にて化合物（13)を合成した。
[化 13]
Figure imgf000033_0001
化合物（13) (2— 1)中間体 6の合成
アルゴン気流下 3L三口フラスコに、 2, 7—ジブロモフルォエレン 32g (0. lmol)、t —ブトキシカリウム 27g (0. 24mol)、DMSO 500mLをカ卩え、反応系を 5°Cに冷却 した。続いて、ヨウ化メチル 34g (0. 24mol)をゆっくり滴下した後、一晩攪拌した。反 応終了後、水を加え、有機層を酢酸ェチルで抽出し飽和食塩水で洗浄した。硫酸マ グネシゥムで乾燥後、ロータリーエバポレーターを溶媒を留去し、反応粗生成物を得 た。カラムクロマトグラフィー（シリカゲル (へキサン溶媒）：酢酸ェチル = 95 : 5)にて精 製し、 目的とする中間体 6 34g (白色結晶、収率 98%)を得た。
(2— 2)中間体 7の合成
アルゴン気流下 3L三口フラスコに、中間体 6 35g (0. lmol)、テトラヒドロフラン (T HF) 1Lを加え、—65°Cまで冷却した。続いて、 n—ブチルリチウム 220mL (0. 22m ol, ImolZL (へキサン)）をゆっくりとカ卩えた。反応液を— 70°Cで 6時間攪拌した後、 ボロン酸トリイソプロポキシド 45g (0. 24mol)を— 65°Cでゆっくりと加え、— 70°Cで 1 時間攪拌した後、室温にて一晩攪拌した。反応終了後、反応液に希塩酸を加え、 p H = 3にして有機層を分液し、飽和食塩水で洗浄した。硫酸マグネシウムで乾燥後、 ロータリーエバポレーターを溶媒を留去した。酢酸ェチルを加え、得られた結晶をろ 別し、へキサンで 3回洗浄し、 目的とする中間体 7 20g (白色結晶、収率 70%)を得 た。
(2— 3)中間体 8の合成
アルゴン気流下 1L三口フラスコに、中間体 7 14g (0. 05mol)、 2—ブロモ安息香 酸ェチルエステル 25g (0. 1 lmol)、テトラキストリフエ-ルホスフィンパラジウム（0) 2 . 8g (5mmol)、トルエン 200mL、炭酸ナトリウム 16g (0. 15mol)Z水 150mLをカロ え、 8時間加熱還流した。反応終了後、有機層を水洗し、硫酸マグネシウムで乾燥後 、ロータリーエバポレーターを溶媒を留去した。得られた粗結晶をエタノールで再結 晶し、 目的とする中間体 8 12g (白色結晶、収率 50%)を得た。
(2— 4)中間体 9の合成
1Lフラスコに、中間体 8 12g (0. 025mol)、 80%硫酸 200mLを加え、 180。Cで 3 時間加熱攪拌した。反応終了後、硫酸を分液し、塩化メチレンを加えた後、炭酸水 素ナトリウム水溶液で洗浄した。硫酸マグネシウムで乾燥後、ロータリーエバポレータ 一を溶媒を留去し、反応粗生成物を得た。カラムクロマトグラフィー (シリカゲル (へキ サン溶媒）：酢酸ェチル = 95 : 5)にて精製し、 目的とする中間体 9 6. 2g (灰色結晶 、収率 60%)を得た。
(2— 5)中間体 10の合成
500mLフラスコに、中間体 10 6g (0. 015mol)、ヒドラジン一水和物 4mL (0. 07 5mol)、ジエチレングリコール lOOmLをカ卩え、 200°Cで 2時間加熱攪拌した。反応終 了後、水を加え、析出物をろ別した。反応粗生成物をへキサン:クロ口ホルムで再沈 し、目的とする中間体 10 2. 9g (淡褐色固体、収率 50%)を得た。
(2— 6)中間体 11の合成
アルゴン気流下 300mL三口フラスコに、中間体 10 2. 9g (7. 5mmol)、t—ブトキ シカリウム 3. 8g (40mol)、 DMSO lOOmLを加え、反応系を 5°Cに冷却した。続い て、ヨウ化メチル 5. 6g (40mol)をゆっくり滴下した後、一晩攪拌した。反応終了後、 水を加え、有機層を酢酸ェチルで抽出し飽和食塩水で洗浄した。硫酸マグネシウム で乾燥後、ロータリーエバポレーターを溶媒を留去し、反応粗生成物を得た。カラム クロマトグラフィー（シリカゲル (へキサン溶媒）：酢酸ェチル = 95： 5)にて精製し、目 的とする中間体 11 3. Og (白色結晶、収率 90%)を得た。
[0053] (2— 7)中間体 12の合成
200mLフラスコに、中間体 11 2. 2g (5mmol)、クロ口ホルム 20mLを加えた。続 いて、臭素 1. 6g (10mmol)をゆっくりと滴下し、室温にて 2時間攪拌した。反応終了 後、反応液にチォ硫酸ナトリウム水溶液を加え、有機層を分液し、水、飽和食塩水で 洗浄した。硫酸ナトリウムで乾燥後ロータリーエバポレーターを溶媒を留去した。得ら れた粗結晶をエタノールで再結晶し、目的とする中間体 12 2. lg (白色結晶、収率 70%)を得た。
(2— 8)化合物（13)の合成
アルゴン気流下冷却管付き 300mL三口フラスコ中に、中間体 12 6. 0g (10mmo 1)、 N—フエ-ルナフタレン一 1—ァミン 5. 5g (25mmol)、酢酸パラジウム 0. 03g (l . 5mol%)、トリ— t—ブチルホスフィン 0. 06g (3mol%)、 t—ブトキシナトリウム 2. 4g (25mmol)、乾燥トルエン lOOmLを加えた後、 100°Cにてー晚加熱攪拌した。反応 終了後、析出した結晶を濾取し、トルエン 50mL、メタノール lOOmLにて洗浄し、淡 黄色粉末 7. 3gを得た。得られた化合物の FD— MSを測定したところ、 C H N =8
65 52 2
60に対し、 mZZ = 860が得られたことから、化合物（13)と同定した (収率 85%)。
[0054] 合成実施例 3 (化合物（5)の合成）
アルゴン気流下冷却管付き 300mL三口フラスコ中に、中間体 5 4. 7g (10mmol) 、ビス（2—ナフチル）ァミン 6. 7g (25mmol)、酢酸パラジウム 0. 03g (l. 5mol%)、 トリ— t—ブチルホスフィン 0. O6g (3mol%)、 t—ブトキシナトリウム 2. 4g (25mmol) 、乾燥トルエン lOOmLをカ卩えた後、 100°Cにて一晩加熱攪拌した。反応終了後、析 出した結晶を濾取し、トルエン 50mL、メタノール lOOmLにて洗浄し、淡黄色粉末 6. 7gを得た（収率 80%)。得られた化合物の — NMR及び FD— MSを測定しィ匕合 物（5)と同定した。なお、 NMR ^ベクトル（図 1及び表 1参照）は、 Brucker社製 DRX— 500 (重塩化メチレン溶媒)を使用して測定した。また、得られた化合物につ いてトルエン溶液中で測定した最大吸収波長は 410nm、最大蛍光波長は 428nm であった。
[表 1]
表 1
Figure imgf000037_0001
[0056] 実施例 1 (有機 EL素子の製造）
(1)有機 EL素子の製造
25 X 75 X 1. 1mmサイズのガラス基板上に、膜厚 130nmのインジウムスズ酸化物 力もなる透明電極を設けた。このガラス基板にイソプロピルアルコールで超音波洗浄 し、紫外線及びオゾンを照射して洗浄した。
次いで、この透明電極付きガラス基板を、真空蒸着装置の蒸着槽内の基板ホルダ 一に装着するとともに、真空槽内の真空度を 1 X 10— 3Paに減圧した後、以下の蒸着 条件で、陽極 (透明電極)層上に、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、 電子注入層及び陰極層を順次積層して、有機 EL素子を作製した。
正孔注入層：（材料） Ν',Ν" ビス [4 （ジフヱ-ルァミノ）フ -ル] Ν',Ν" ジ フエ-ルビフエ-ルー 4, 4，ージァミン；蒸着条件 2nmZsec ;膜厚 60nm
正孔輸送層：（材料)上記化合物（2)；蒸着条件 2nmZseC ;膜厚 20nm 発光層：ホスト材料として 10—（4 （ナフチレン 1 ィル）フエ-ル）ー9 （ナフ チレン 3—ィル)アントラセン；蒸着条件 2nmZsecとドーパントとしてテトラキス（2— ナフチル）—4, 4'—ジアミノスチルベン;蒸着条件 0. 2nmZsecで同時蒸着;膜厚 4 Onm (ホスト材料：ドーパントの重量比 =40： 2)
電子輸送層： (材料）トリス（8—ヒドロキシキノリノ)アルミニウム；蒸着条件 2nmZsec ；膜厚 20應
電子注入層：（材料)フッ化リチウム;蒸着条件 0. InmZsec ;膜厚 lnm 陰極層： (材料)アルミニウム;蒸着条件 2nmZseC；膜厚 200nm
(2)有機 EL素子の評価
得られた素子に通電試験を行ったところ、電圧 6. 5Vにて発光輝度が 500cdZm2 であり、発光色は青色であることを確認した。また、初期発光輝度を 500cd/m2とし て定電流駆動させたところ、 10%輝度減少時間は 100時間であった。得られた結果 を表 2に示す。また、この素子を 85°Cで 500時間保存したところ、駆動電圧に変化が 見られなかった。
[0057] 実施例 2〜5 (有機 EL素子の製造）
実施例 1において、正孔輸送層の材料として化合物（2)の代わりに表 2に記載の材 料を用いた以外は同様にして有機 EL素子を作製した。
得られた素子について実施例 1と同様にして評価したところ、表 2に示すように全て 青色発光が観察され、発光輝度は 450〜510cd/m2であり、 10%輝度減少時間は 90〜： L 10時間であった。また、これらの素子を 85°Cで 500時間保存したところ、駆動 電圧に変化が見られなカゝつた。
[0058] 比較例 1〜3 (有機 EL素子の製造）
実施例 1にお!、て、正孔輸送層の材料として化合物（2)の代わりに下記材料を用 いた以外は同様にして有機 EL素子を作製した。
比較例 1 :化合物（A) N, N， 一ビス（3—メチルフエ-ル）—N, N， 一ビス（フエ- ル）ベンジジン
比較例 2 :化合物（B) N, N，—ジ（ナフタレン— 1—ィル）— N, N，—ジフエ-ルべ ンジジン
比較例 3 :化合物（C) 4, 4—ビス（N, N—ジフヱ-ルァミノ）—テルフエ-ル 得ら れた素子について実施例 1と同様にして評価したところ、表 2に示すように全て青色 発光が観察され、発光輝度は 380〜430cdZm2であり、 10%輝度減少時間は 50 〜60時間であった。また、これらの素子を 85°Cで 500時間保存したところ、駆動電圧 は IV以上変化した。
[0059] [表 2] 表 2
Figure imgf000039_0001
[0060] 実施例 6 (有機 EL素子の製造）
(1)有機 EL素子の製造
25 X 75 X 1. 1mmサイズのガラス基板上に、膜厚 130nmのインジウムスズ酸化物 力もなる透明電極を設けた。このガラス基板にイソプロピルアルコールで超音波洗浄 し、紫外線及びオゾンを照射して洗浄した。
次いで、この透明電極付きガラス基板を、真空蒸着装置の蒸着槽内の基板ホルダ 一に装着するとともに、真空槽内の真空度を 1 X 10— 3Paに減圧した後、以下の蒸着 条件で、陽極 (透明電極)層上に、正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層、 電子注入層及び陰極層を順次積層して、有機 EL素子を作製した。
正孔注入層：（材料） Ν',Ν" ビス [4 （ジフヱ-ルァミノ）フ -ル] Ν',Ν" ジ フエ-ルビフエ-ルー 4, 4，ージァミン；蒸着条件 2nmZsec ;膜厚 60nm
正孔輸送層：（材料） N, N, Ν',Ν'—テトラキス（4—ビフエ-ル） 4, 4，—ベンジ ジン；蒸着条件 2nmZsec；膜厚 20nm
発光層：ホスト材料として 10—（4 （ナフチレン 1 ィル）フエ-ル）ー9 （ナフ チレン— 3—ィル)アントラセン;蒸着条件 2nmZsecとドーパントとして上記化合物（3 1)；蒸着条件 0. InmZsecを同時蒸着;膜厚 40nm (ホスト材料:ドーパントの重量 比 =40 : 2)
電子輸送層： (材料）トリス（8—ヒドロキシキノリノ)アルミニウム；蒸着条件 2nmZsec ；膜厚 20應
電子注入層：（材料)フッ化リチウム;蒸着条件 0. InmZsec ;膜厚 lnm
陰極層： (材料)アルミニウム;蒸着条件 2nmZseC；膜厚 200nm
(2)有機 EL素子の評価
得られた素子に通電試験を行ったところ、電圧 6. 5Vにて発光輝度が 900cdZm2 であり、発光色は青色であることを確認した。また、初期発光輝度を 2000cd/m2と して定電流駆動させたところ、 50%輝度減少時間は 3000時間であった。また、この 素子を 85°Cで 500時間保存したところ、駆動電圧に変化が見られなかった。
比較例 4 (有機 EL素子の製造）
実施例 1において、発光層の材料として化合物（31)の代わりに 1, 6 ビス (ジフエ -ルァミノ)ピレンを用いた他は、実施例 6と同様に有機 EL素子を作製した。
得られた素子について実施例 1と同様にして評価したところ、青色発光が観察され 、発光輝度は 800cdZm2であり、 50%輝度減少時間は 500時間と短力つた。また、 この素子を 85°Cで 500時間保存したところ、駆動電圧に変化が見られな力つた。 したがって、本発明の芳香族ァミン誘導体をドーパントとして使用すると、著しく半 減寿命が向上することが分かる。
産業上の利用可能性
以上詳細に説明したように、本発明の芳香族ァミン誘導体及びそれを用いた有機 E L素子は、高発光輝度で、耐熱性が高く高温保存性に優れ、長寿命である。このため 、車載用などの素子として実用性が高く有用である。

Claims

請求の範囲 下記一般式（ 1)〜 (4)の ヽずれかで表される芳香族ァミン誘導体。
(一般式（1)〜(4)において、 Ar〜Ar は、それぞれ独立に、置換もしくは無置換の
1 7
核炭素数 5〜40のァリール基又は置換もしくは無置換の核原子数 5〜40の複素環 基であり、それぞれ同一でも異なっていてもよい。ただし、 Ar、 Ar、 Ar及び Ar の
1 2 3 4 示す各基における置換基がビニル基を含む基である場合はない。
R〜R 及び A〜Aは、それぞれ独立に、水素原子、置換もしくは無置換の核炭
1 22 1 3
素数 5〜50のァリール基、置換もしくは無置換の炭素数 1〜50のアルキル基、置換 もしくは無置換の炭素数 1〜50のアルコキシ基、置換もしくは無置換の核炭素数 6〜 50のァラルキル基、置換もしくは無置換の核炭素数 5〜50のァリールォキシ基、置 換もしくは無置換の核炭素数 5〜50のァリールチオ基、置換もしくは無置換の炭素 数 1〜50のアルコキシカルボ-ル基、置換もしくは無置換の核炭素数 5〜50のァリ ール基で置換されたァミノ基、置換もしくは無置換のシリル基、ハロゲン原子、シァノ 基、ニトロ基、ヒドロキシル基又はカルボキシル基である。
nは 3〜6の整数、 mは 2〜5の整数である。 x、 y及び zは、 0〜3の整数であり、 2以上の場合、 A〜Aはそれぞれ同一でも異
1 3
なっていてもよい。
ただし、一般式（1)において Rと R及び Rと Rの少なくとも 1つの組み合わせは
1 2 3 4
互いに結合して置換もしくは無置換の環を形成し、一般式（2)において Rと R、R
5 6 6 と R、Rと R及び Rと R の少なくとも 1つの組み合わせは互いに結合して置換もし
7 8 9 9 10
くは無置換の環を形成し、一般式（3)において R と R 、R と R 、R と R及び R と
11 12 12 13 14 15 15
R の少なくとも 1つの組み合わせは互 、に結合して置換もしくは無置換の環を形成
16
し、一般式（4)において R と R ， R と R 、R と R 、R と R の少なくとも 1つの組み
17 18 18 19 20 21 21 22
合わせは互いに結合して置換もしくは無置換の環を形成して 、る。 )
前記 Ar〜Arの置換もしくは無置換の核炭素数 5〜40のァリール基力 ァリール
1 7
基、アルキル基、アルコキシ基、ァラルキル基、ァリールォキシ基、ァリールチオ基又 はアルコキシカルボ-ル基で置換されて 、る力、もしくは無置換の核炭素数 5〜40の ァリール基である請求項 1に記載の芳香族ァミン誘導体。
前記一般式（1)において R
1と R
2の少なくとも 1つの組み合わせは互いに結合して 置換もしくは無置換の 5員環もしくは 6員環を形成し、一般式（2)において Rと R及
5 6 び Z又は、 R
6と R
7の少なくとも 1つの組み合わせは互いに結合して置換もしくは無置 換の 5員環もしくは 6員環を形成し、一般式（3)において R と R及び/又は、 R と R
11 12 12 の少なくとも 1つの組み合わせは互 、に結合して置換もしくは無置換の 5員環もしく
13
は 6員環を形成し、一般式 (4)において R と R及び/又は、 R と R の少なくとも 1
17 18 18 19
つの組み合わせは互いに結合して置換もしくは無置換の 5員環もしくは 6員環を形成 して 、る請求項 1に記載の芳香族ァミン誘導体。
前記一般式（1)で表される芳香族ァミン誘導体が、下記一般式（1 a)、 （1 b)又 は（1 c)で表される請求項 1に記載の芳香族ァミン誘導体。
[化 2] R29xR30 Ar14
Figure imgf000044_0001
( 1 -a) ( 1 -b)
Figure imgf000044_0002
( 1 -c)
(式中、 Ar〜Ar は、それぞれ前記 Ar〜Arと同じであり、 R 〜R は、それぞれ
8 19 1 4 23 40
前記 R〜Rと同じである。ただし、 Ar〜Ar の示す各基における置換基がビニル
1 4 8 19
基を含む基である場合はない。 )
[5] 前記一般式 (2)で表される芳香族ァミン誘導体が、下記一般式 (2— a)、 （2— b)又 は（2— c)で表される請求項 1に記載の芳香族ァミン誘導体。
[化 3]
Figure imgf000044_0003
(2— c)
(式中、 Ar 〜Ar は、それぞれ前記 Ar〜Arと同じであり、 R 〜R は、それぞれ
20 25 5 6 41 58
前記 R〜R と同じである。 )
5 10
[6] 前記一般式 (3)で表される芳香族ァミン誘導体が、下記一般式 (3— a)又は（3— b )で表される請求項 1に記載の芳香族ァミン誘導体。 [化 4]
Figure imgf000045_0001
(3— a) (3 -b)
(式中、 Ar 〜Ar は、それぞれ前記 Arと同じであり、 R 〜R は、それぞれ前記 R
26 27
〜R と同じである。）
16
前記一般式 (4)で表される芳香族ァミン誘導体が、下記一般式 (4 a)又は (4 b )で表される請求項 1に記載の芳香族ァミン誘導体。
[化 5]
Figure imgf000045_0002
(4一 a) (4— b)
(式中、 R 〜R は、それぞれ前記 R 〜R と同じである。 )
69 78 17 22
[8] 有機エレクト口ルミネッセンス素子用材料である請求項 1に記載の芳香族ァミン誘導 体。
[9] 有機エレクト口ルミネッセンス素子用正孔輸送材料である請求項 1に記載の芳香族 ァミン誘導体。
[10] 有機エレクト口ルミネッセンス素子用ドーピング材料である請求項 1に記載の芳香族 ァミン誘導体。
[11] 陰極と陽極間に少なくとも発光層を含む一層又は複数層からなる有機薄膜層が挟 持されている有機エレクト口ルミネッセンス素子において、該有機薄膜層の少なくとも 1層が、請求項 1に記載の芳香族ァミン誘導体を単独もしくは混合物の成分として含 有する有機エレクト口ルミネッセンス素子。
[12] 前記有機薄膜層が正孔輸送層を有し、該正孔輸送層が、請求項 1に記載の芳香 族ァミン誘導体を単独もしくは混合物の成分として含有する請求項 11に記載の有機 エレクトロノレミネッセンス素子。
[13] 前記発光層が、請求項 1に記載の芳香族ァミン誘導体を単独もしくは混合物の成 分として含有する請求項 11に記載の有機エレクト口ルミネッセンス素子。
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