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WO2005061656A1 - 有機エレクトロルミネッセンス素子用発光材料、それを利用した有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機エレクトロルミネッセンス素子用材料 - Google Patents

有機エレクトロルミネッセンス素子用発光材料、それを利用した有機エレクトロルミネッセンス素子及び有機エレクトロルミネッセンス素子用材料 Download PDF

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WO2005061656A1
WO2005061656A1 PCT/JP2004/018964 JP2004018964W WO2005061656A1 WO 2005061656 A1 WO2005061656 A1 WO 2005061656A1 JP 2004018964 W JP2004018964 W JP 2004018964W WO 2005061656 A1 WO2005061656 A1 WO 2005061656A1
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WO
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group
substituted
unsubstituted
carbon atoms
organic
Prior art date
Application number
PCT/JP2004/018964
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English (en)
French (fr)
Inventor
Mineyuki Kubota
Masakazu Funahashi
Chishio Hosokawa
Original Assignee
Idemitsu Kosan Co., Ltd.
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Publication date
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Application filed by Idemitsu Kosan Co., Ltd. filed Critical Idemitsu Kosan Co., Ltd.
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Priority to US10/583,554 priority patent/US8853675B2/en
Priority to EP04807321.7A priority patent/EP1696015B1/en
Priority to JP2005516481A priority patent/JPWO2005061656A1/ja
Priority to KR1020107028597A priority patent/KR101325410B1/ko
Publication of WO2005061656A1 publication Critical patent/WO2005061656A1/ja
Priority to US14/024,130 priority patent/US9219234B2/en
Priority to US14/935,853 priority patent/US9786846B2/en
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Priority to US16/054,790 priority patent/US10205101B2/en

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    • H10K50/15—Hole transporting layers

Definitions

  • the present invention relates to a light emitting material for an organic electroluminescent device, an organic electroluminescent device using the same, and a material for an organic electroluminescent device.
  • the present invention relates to a light-emitting material for an organic electroluminescent element, an organic electroluminescent element using the same, and a material for an organic electroluminescent element, and more particularly to a light-emitting material. Efficient and long-lasting organic electroluminescent devices, materials for organic electroluminescent devices, and materials for organic electroluminescent devices It is.
  • An organic electroluminescence element (hereinafter sometimes abbreviated as EL) may be formed by applying an electric field to the hole injected from the anode and the hole injected from the cathode.
  • This is a self-luminous element that uses the principle that a fluorescent substance emits light by the recombination energy of the electrons.
  • C. W. Tang et al. Of Eastman's Kodak report on low-voltage driven organic EL devices using stacked devices (CW Tang, SA Vanslyke, Applied Physics Letters, 51 volumes, Pp. 913, 1987) Since its inception, research on organic EL devices using organic materials as constituent materials has been actively conducted.
  • the element structure of the organic EL element includes a hole transport (injection) layer, a two-layer electron transport / emission layer, or a hole transport (injection) layer, a light emitting layer, and an electron transport (injection) layer.
  • the three-layer type is well known. In such a stacked structure device, the device structure and the forming method have been devised in order to increase the recombination efficiency of injected holes and electrons.
  • Examples of the light-emitting material include chelate complexes such as tris (8-quinolinolate) aluminum complex, coumarin derivatives, and tetrazole; nil butadiene derivatives, bisstyrylarylene derivatives, and oxaziazole derivatives.
  • chelate complexes such as tris (8-quinolinolate) aluminum complex, coumarin derivatives, and tetrazole
  • nil butadiene derivatives, bisstyrylarylene derivatives, and oxaziazole derivatives are known, and it is reported that they can emit light in the visible region from blue to red, and the realization of a color display element is expected (for example, see Patent Document 1). , Patent Document 2, Patent Document 3 etc.).
  • Patent Document 4 discloses an element using a phenylanthracene derivative as a light-emitting material. Such an anthracene derivative is used as a blue light emitting material, but it has been desired to extend the life of the device.
  • Patent Document 5 discloses a material having a naphthyl group at the 9,10-position of anthracene
  • Patent Document 6 discloses a device material having a fluoranthene group at the 9,10-position of anthracene. These anthracene derivatives are also used as blue light-emitting materials, but there is still a demand for improvement in device life.
  • Patent Document 7 discloses that various anthracene derivatives are used as a hole transport material. However, evaluation as a luminescent material has not been made yet.
  • Patent Document 1 Japanese Patent Application Laid-Open No. H8-2396955
  • Patent Literature 2 Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 7-111385
  • Patent Document 3 Japanese Patent Laid-Open Publication No.
  • Patent Document 4 Japanese Patent Application Laid-Open No. Hei 08-110260
  • Patent Document 5 Japanese Patent Application Laid-Open No. H11-37882
  • Patent Document 6 Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-201
  • Patent Document 7 Japanese Patent Application Laid-Open No. 2000-171878 Disclosure of the Invention
  • the present invention has been made to solve the above problems, and provides an organic EL element having high luminous efficiency and long life, a light emitting material for an organic EL element and a material for an organic EL element realizing the same. With the goal.
  • the present inventors have conducted intensive studies to achieve the above object, and as a result, have found that an asymmetric compound having a specific anthracene structure represented by the following general formula (1) is used as a light emitting material in an organic EL device. As a result, they found that an organic EL device having high luminous efficiency and a long life could be obtained, and completed the present invention.
  • the present invention provides an organic EL device material comprising an asymmetric anthracene derivative represented by the following general formula (1), and an organic thin film layer comprising at least one light-emitting layer between a cathode and an anode, and at least one light-emitting layer.
  • At least one of the organic thin film layers contains the asymmetric anthracene derivative represented by the general formula (1) alone or as a component of a mixture. It provides organic EL devices.
  • a i and A 2 are each independently a substituted or unsubstituted fused aromatic hydrocarbon ring group having 10 to 20 nuclear carbon atoms.
  • a ri and Ar 2 are each independently a hydrogen atom or a substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon ring group having 6 to 50 nuclear carbon atoms.
  • R 1 to R 8 each independently represent a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon ring group having 6 to 50 nuclear carbon atoms, a substituted or unsubstituted nuclear atom number of 5 to 50 50 aromatic heterocyclic group, substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 50 carbon atoms, substituted or unsubstituted cycloalkyl group having 3 to 50 carbon atoms, substituted or unsubstituted A substituted or unsubstituted aralkyl group having 6 to 50 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aryloxy group having 5 to 50 carbon atoms, and a substituted or unsubstituted aralkyl group having 5 to 50 carbon atoms.
  • R 9 and R are each independently a hydrogen atom, substituted or unsubstituted W
  • substituted or unsubstituted alkoxy group having 1 to 50 carbon atoms substituted or unsubstituted aralkyl group having 6 to 50 carbon atoms, substituted or unsubstituted 5 to 50 carbon atoms
  • a substituted or unsubstituted arylthio group having 5 to 50 carbon atoms a substituted or unsubstituted alkoxycarbonyl group having 1 to 50 carbon atoms
  • an unsubstituted silyl group a carboxyl group, a halogen atom, a cyano group, a nitro group, or a hydroxyl group, none of which is a phenolic group.
  • Ar i, Ar 2, R 9 and R io may each be plural, and adjacent ones may form a saturated or unsaturated cyclic structure.
  • the present invention provides a material for an organic EL device comprising an asymmetric anthracene derivative represented by the following general formula (1 ′).
  • a material for an organic electroluminescent element comprising an asymmetric anthracene derivative represented by the following general formula (1,).
  • Ai ′ and A 2 ′ are each independently a substituted or unsubstituted fused aromatic hydrocarbon ring group having 10 to 20 nuclear carbon atoms, and Ai ′ and A 2 ′ are At least one is a naphthalene-111-yl group having a substituent at the 4-position or a substituted or unsubstituted condensed aromatic hydrocarbon ring group having 12 to 20 nuclear carbon atoms.
  • the organic EL device using the asymmetric anthracene derivative of the present invention as a light emitting material for an organic EL device or a material for an organic EL device has high light emission efficiency and long life.
  • the light-emitting material for an organic EL device of the present invention comprising the asymmetric anthracene derivative represented by the general formula (1)
  • an organic EL device using a material for an organic EL device has high luminous efficiency and long life. Therefore, it is useful as an organic EL device that is expected to be used for a long time.
  • the light emitting material for an organic EL device of the present invention comprises an asymmetric anthracene derivative represented by the general formula (1).
  • the asymmetric anthracene derivative of the general formula (1) used in the present invention has a symmetric group with respect to the XY axis shown on the anthracene at the 9th and 10th positions of the central anthracene. Not combined.
  • the absence of a group that is symmetrical with respect to the X_Y axis means that the structure preferably has the following structure in the general formula (1).
  • the bonding position to the 9-position of the anthracene ring in A 1 is different from the bonding position to the 10-position of the anthracene ring in A 2 .
  • a 1 and A 2 are each independently Alternatively, it is an unsubstituted fused aromatic hydrocarbon ring group having a core carbon number of 10 to 20 (preferably a core carbon number of 10 to 16).
  • Examples of the substituted or unsubstituted condensed aromatic hydrocarbon group for A i and A 2 include a 1-naphthyl group, a 2-naphthyl group, a 1-anthryl group, and a 2-anthate Ryl group, 91-anthryl group, 1-phenanthrinol group, 2-phenanthryl group, 3_fenanthrinol group, 4-fenanthlinol group, 9-fenanthyl group, 1-naphthacenyl group , 2-naphthacenyl, 9-naphthacenyl, 1-pyrenyl, 21-pyrenyl, 4-pyrenyl, 3-methyl-2-naphthyl, 4-methyl-1-naphthyl, 4-methyl-1-anth And a tolyl group.
  • 1-naphthyl group 2-naphthyl group and 9-phenanthrinol group.
  • Ar 1 and Ar 2 each independently represent a hydrogen atom or a substituted or unsubstituted nuclear carbon number of 6 to 50 (preferably a nuclear carbon number of 6 to 16) ) Is an aromatic hydrocarbon ring group.
  • the A ri and A r 2 of substituted or is an unsubstituted aromatic hydrocarbon ring group for example, phenyl group, 1 one naphthyl group, 2 _ naphthyl group, 1 one en Application Benefits group, 2 - Anthryl group, 91-anthryl group, 1-l-phenanthryl group, 2- phenanthryl group, 3_ phenanthryl group, 4- phenanthryl group, 9-phenanthyl-linole group, 1-naphthacenyl group , 2-naphthacenyl group, 9 _ naphthacenyl group, 1-pyreninole group, 2-pyrenyl group, 4-pyrenyl group, 2-biphenylyl group, 3-biphenylyl group, 4-biphenylyl group, p- T-Feninole 4—Innole group, p—Tf-Feninole 3—Innole group, p
  • phenyl 1.1-naphthyl, 21-naphthyl, 91-phenanthryl, 1-naphthaseninole, 21-naphthacel, 9-naphthaseel, 1-pyrenyl, and the like are preferred.
  • 2 pyrenyl, 4-pyrenyl, 2 — biphenylyl, 3 — biphenylinole, 4 — biphenylyl, o — tril, m— trinole, p — trinole Group, p-t-butylphenyl group.
  • R i to R 8 each independently represent a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon ring group having 6 to 50 nuclear carbon atoms, a substituted or unsubstituted An aromatic heterocyclic group having 5 to 50 nuclear atoms, a substituted or unsubstituted alkyl group having 1 to 50 carbon atoms, and a substituted or unsubstituted cycloalkyl group having 3 to 50 carbon atoms A substituted or unsubstituted alkoxy group having 1 to 50 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aralkyl group having 6 to 50 carbon atoms, a substituted or unsubstituted aralkyl group having 5 to 50 carbon atoms.
  • R 9 and R i Q are each independently a hydrogen atom, a substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon ring group having 6 to 50 nuclear carbon atoms, a substituted or unsubstituted carbon atom having 1 to 50 carbon atoms.
  • Examples of the substituted or unsubstituted aromatic hydrocarbon ring group for R 1 to R io include phenyl, 1-naphthyl, 2-naphthyl, 11-anthryl, and 2— Anthryl group, 9 1-anthryl group, 1-l-fenollinole group, 2-l-fenanthrinol group, 3-l-fenanthyl group, 4 l-lhenannyl group, 9 l-lhenannyl group Nore group, 1 naphthaseninole group, 2 naphthaseninole group, 9 naphthaseninole group, 1 — pyreninole group, 2 — pyrenyl group, 4-pyrenyl group, 2 — biphenylyl group, 3 — biphenylenolide group, 4 — Bif e Ninorei group, p — Tha-Noreth group, p — Tah-Ninore group 3 —
  • Examples of the substituted or unsubstituted aromatic heterocyclic group of R 1 to R 8 include 1-pyrrolinol, 2-pyrrolyl, 3-pyrrolyl, pyrazinyl, 2 — pyridinyl group, 3 — pyridinyl group, 4 — pyridinyl group, 1 monoindryl group, 2 — indrill group, 3 — indrill group, 4 Indole group, 5—Indole group, 6—Indole group, 7—Indole group, 1Isoindole group, 2—Isoyl Ndril group, 3—Isoindrill group, 41Isoindrill group, 5—Isoindolinol group, 6—Isoindolinol group, 7—Isoindole group Benzyl, 2-furinole, 3-furinole, 2-benzofuranyl, 3-benzofurinole, 4-benzofurinole
  • phenothiazinyl group 1 — phenoxazidinol group, 2 — phenoxazinyl group, 3 — phenoxazinyl group, 4 monophenoxazinyl group, 10 — phenoxazinyl group, 2 — oxazolinole group, 4-oxozolyl group, 5 —Oxazolyl group, 2 —oxaziazolyl group, 5 —oxaziazolyl group, 3 —furazal group, 2 —thenyl group, 3 —churyl group, 2 —methylbilol-1-yl group, 2 —methylbi-r-norre 3 —inole Group, 2—methylpyrrole 4-yl group, 2—methyl-pyrrole 1-5—inole group, 3—methyl-pyrrole 1-yinole group, 3-methylpyrroline 1—2-yl Group, 3 -methyl-pyrrole 1-4-methyl group
  • Examples include 1-indole group, 2-t-butyl 3-indole group, and 4-t-butyl 3-indole group.
  • Examples of the substituted or unsubstituted alkyl group for R 1 to R io include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, an n-butyl group, an s-butyl group and an isobutyl group.
  • t one-heptyl group n - pentyl, n - to Kishinore group, n - heptyl, n - Okuchinore group, human mud Kishime Chinore group, 1 over human Dorokishechiru group, 2 - heat Dorokishechi / Les group, 2 - Hydroxyii-butyl group, 1, 2 —dihydroxyxetinole 1, 3 — dihydroxy isopropyl group, 2, 3 — dihydroxy t-butyl group, 1, 2, 3 — trihydroxypropyl group, chloromethinole group, 1 chloroethynole group, 2 —Chloroethynole group, 2-chloroisobutyl group, 1,2-dichloroethyl group, 1,3—dichloroisopropyl group, 2,3—dichlorot-butyl group, 1 , 2,3-Trimethyl propyl group, brom
  • substituted or unsubstituted cycloalkyl groups of R 1 to R 10 include, for example, cyclopropyl, cyclobutyl, cyclopentyl, cyclohexyl, and 4-methylcyclo.
  • the substituted or unsubstituted alkoxy group for R 1 to R 10 is a group represented by Y, and examples of ⁇ include a methyl group, an ethyl group, a propyl group and an isopropyl group.
  • Examples of the substituted or unsubstituted aralkyl group for R 1 to R io include a benzyl group, a 1-phenylethyl group, a 2-phenylenyl group, a 1-phenyl-isopropyl group, and a 2-phenylisopropynole group.
  • Feninole t butylinole a — naphthinolemethinole, 1 CK 1 naphthyllechinole, 2 — ⁇ — naphthylethyl, 1 — ⁇ — naphthylisopropynole, 2 — a — naphthylisopropyl, ⁇ —Naphthylmethyl group, 1- ⁇ -naphthylethyl group, 2— ⁇ -naphthylethyl group, 1- ⁇ —naphthylisopropynole group, 2- ⁇ —naphthylisopropyl group, 1—pyrrolylmethyl group, 2— (11-1 Pyrrolinole) ethyl group, di-methyl benzoyl group, m-methyl benzoyl group, o-methyl benzoyl group, p-chloro benzene group, m-chloro
  • a substituted or unsubstituted aryloxy group represented by R 1 to R 10 is represented by — ⁇ Y ′, and examples of Y ′ include a phenyl group and a 1-naphthyl group.
  • a substituted or unsubstituted arylthio group is represented by one SY "', and examples of Y" include a phenyl group, a 1-naphthyl group, a 2-naphthyl group, and a 1-amino group.
  • a substituted or unsubstituted alkoxycarbonyl group represented by R 1 to R io is represented by one C ⁇ OZ.
  • Z include a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, and n — Butyl, s_butyl, isobutylinole, t-butylinole, n—pentyl, n— hexyl, n- heptyl, n—octyl, hydroxymethyl, 1-hydroxyxethyl, 2—hydroxyl, 2-hydroxyl, 1,2—dihydroxyl, 1,3—dihydroxyl 2,3-Dihydroxyl-t-butyl group, 1,2,3—Trihydroxypropyl group, chloromethylyl group, 1-chloroethynole group, 2-octylethynole group, 2 One-mouthed leu soptyl group, 1,
  • 3 Dichloro mouth t—Ptinole group, 1,2,3 —Tricyclo mouth propynole group, Bromomethyl group, 1—Bromoethyl group, 2—Promoethynole group, 2—Bromoisobutyl group, 1,2—Dibromoethyl 1, 3 — dibromomethyl isopropyl group, 2, 3 — dibromo-t-butyl group, 1, 2, 3 — tribromopropynole group, iodomethyl group, 1 iodoethyl group, 2 iodoethyl group , 2 — N-dosobutyl group, 1,2 mono-Jodoethynole group, 1, 3 — Jado-D-Isopropyl group, 2,3 Jordo-t-Ptinole group, 1,2,3,1-Tri-propynole group, Aminomethyl group, 1-amino
  • halogen atoms for R 1 to R 10 include fluorine, chlorine, bromine, and iodine.
  • a ri is a substituent in the groups represented by A I- 2 and R i to R 10, a halogen atom, arsenic Dorokishiru group, two collected by filtration group, Shiano group, Examples thereof include an alkyl group, an aryl group, a cycloalkyl group, an alkoxy group, an aralkyl group, an aryloxy group, an arylthio group, an alkoxyl group, and a carboxyl group.
  • Ar 1 , Ar 2 , R 9, and R 10 may each be plural, and adjacent ones may form a saturated or unsaturated cyclic structure. Examples thereof include an unsaturated 6-membered ring such as a benzene ring, and a saturated or unsaturated 5- or 7-membered ring structure.
  • the asymmetric anthracene derivative represented by the general formula (1) may be a naphthalene-11-yl group having a substituent at the 4-position and Z or a substituted or unsubstituted nucleus. It is preferable to have a condensed aromatic hydrocarbon ring group having 12 to 20 carbon atoms. Examples of the substituent include the same substituents as those described above for A ri, Ar 2 and the groups represented by R i to R i.
  • the material for an organic EL device of the present invention comprises an asymmetric anthracene derivative represented by the above general formula (1 ′).
  • Ai ′ and A 2 ′ in the general formula (1) each independently represent a substituted or unsubstituted condensed aromatic hydrocarbon having 10 to 20 carbon atoms. At least one of A and A 2 ′ is a naphthalene-11-yl group having a substituent at the 4-position or a substituted or unsubstituted nuclear carbon number of 12 to 20. is obtained by limiting that the condensed aromatic hydrocarbon ring group, a r 1, a r 2 , R i ⁇ R i. Are independently the same as those described above, and specific examples of these groups, preferred groups, and examples of the substituents are the same as those described above.
  • the symmetric type with respect to the XY axis shown on the anthracene is located at the 9th and 10th positions of the central anthracene. Are not bonded. Since the general formula (1 ′) is included in the general formula (1), the general formula (1 ′) is also included when the general formula (1) is simply referred to below.
  • the asymmetric anthracene derivative represented by the general formula (1) according to the present invention can be obtained by a known method using a starting compound, a halogenated aryl compound and an anthracene boronic acid compound as a starting material.
  • the synthesis can be performed by appropriately combining a cutting reaction, a halogenation reaction, and a boration reaction. The synthesis scheme is shown below.
  • the reaction is usually carried out under normal pressure and in an inert atmosphere such as nitrogen, argon, or helium, but may be carried out under pressurized conditions if necessary.
  • the reaction temperature is in the range of 15 to 300 ° C, particularly preferably 30 to 200 ° C.
  • reaction solvent examples include aromatic hydrocarbons such as water, benzene, toluene, and xylene, 1,2-dimethoxetane, getyl ether, methyl-t-butynole ether, tetrahydrofuran, and dioxane.
  • Etc. saturated hydrocarbons such as pentane, hexane, heptane, octane, cyclohexane, dichloromethane, chloroform, carbon tetrachloride, 1,2-dichloroethane , 1, 1, 1 — Nodrogens such as trichloroethane, acetonitrinole, benzonitrinole, etc.-triles, ethyl acetate, methyl acetate, butyl acetate etc. Amides such as tellurium, N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, N-methylpyrrolidone and the like can be used alone or in combination.
  • the amount of the solvent to be used is generally 3 to 50 times by weight, preferably 4 to 20 times by weight, relative to arylboronic acid or a derivative thereof.
  • Examples of the base used for the reaction include sodium carbonate, carbonated carbonate, sodium hydroxide hydroxide, sodium hydrogencarbonate, sodium hydrogencarbonate, and the like. Gum, magnesium carbonate, lithium carbonate, lithium fluoride, cesium fluoride, cesium chloride, cesium bromide, cesium carbonate, calcium phosphate, methoxena sodium, t-butoxyca Lithium, t- butoxy sodium, t- butoxy lithium, etc. And preferably sodium carbonate.
  • the amount of these bases to be used is generally 0.7 to 10 molar equivalents, preferably 0.9 to 6 molar equivalents, relative to arylboronic acid or a derivative thereof.
  • the catalyst used in the reaction for example, tetrakis (triphenylinolephosphine) palladium, dichlorobis (triphenylinolephosphine), and the like.
  • Palladium catalysts such as radium, tetrax (triphenylinolephosphine) nickele, dichlorobis (triphenylinolephosphine) nickele, dichloro [bis (diphenylene) Nickel, dichloro [bis (diphenylphosphino) pronone] nickel, dichloro [bis (diphenylphosphino) butane] nickel, Dichloro [bis (dipheninolephosphino) phene] Nickel catalysts such as nickel and the like, preferably tetrax (triphenylphosphine) no ⁇ radium.
  • the amount of these catalysts to be used is usually 0.01 to 1 molar equivalent, preferably 0.01 to 0.1 molar equivalent, relative to the halogenated aryl compound.
  • halogen in the halogenated aryl compound examples include an iodine atom, a bromine atom, a chlorine atom and the like, and preferably an iodine atom and a bromine atom.
  • the halogenating agent in the halogenation reaction is not particularly limited, for example, N-halogenated succinic acid imide is suitably used.
  • the amount of the halogenating agent to be used is generally 0.8 to 10 molar equivalents, preferably 1 to 5 molar equivalents, relative to the aryl compound.
  • the reaction is usually carried out in an inert solvent under an inert atmosphere such as nitrogen, argon, and helium.
  • the inert solvent used include N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, N-methylpyrrolidone, dimethylsulfoxide, carbon tetrachloride, and carbon tetrachloride.
  • Benzene, dichlorobenzene, etorobenzene, tonolen, xylene methilse sorb, ethylcello sonolev, 7, etc. preferably N, N-dimethylformamide, N-methylpyrrolidone It is.
  • the amount of the solvent to be used is usually 3 to 50 times by weight, preferably 5 to 20 times by weight, relative to the aryl compound.
  • the reaction temperature is usually from 0 ° C to 200 ° C, preferably from 20 ° C to 120 ° C.
  • the boration reaction is carried out by a known method (edited by The Chemical Society of Japan, Experimental Chemistry Course, 4th Edition, Vol. 24, pp. 61-90, J. Org. Chem., Vol. 60, 7508 (1995), etc.). Can be implemented.
  • the reaction is usually carried out under an inert atmosphere such as nitrogen, argon, or helium, An inert solvent is used as a reaction solvent.
  • saturated hydrocarbons such as pentane, hexane, heptane, methoctane, and hexahexane, 1,2-dimethoxetane, getyl ether, methyl-t-butyl ether, tetrahydrofuran, Ethers such as dioxane, and aromatic hydrocarbons such as benzene, toluene and xylene can be used as a single solvent or a mixed solvent, and are preferably getyl ether and toluene.
  • the amount of the solvent to be used is generally 3 to 50 times by weight, preferably 4 to 20 times by weight, relative to the halogenated aryl compound.
  • the lithiating agent examples include alkyl gold such as n-butyllithium, t-butyllithium, phenyllithium, and methyllithium.
  • An amide base such as a genus reagent, lithium diisopropyl amide, lithium bistrimethylsilyl amide, or the like can be used, and is preferably n-butyllithium.
  • the Grignard reagent can be prepared by reacting a nodogenated aryl compound with magnesium metal.
  • the trialkyl borate which is a borate oxidizing agent, include trimethyl borate, triethyl borate, triisopropyl borate and triptyl borate. And preferably trimethylethyl borate or triisopropyl borate.
  • the amounts of the lithiating agent and metallic magnesium used are usually 1 to 10 molar equivalents, preferably 1 to 2 molar equivalents, respectively, based on the halogenated aryl compound, and the trialkyl borate is used.
  • the amount used is usually 1 to 10 molar equivalents, preferably 1 to 5 molar equivalents, based on the halogenated aryl compound.
  • the reaction temperature is usually from 100 to 50 ° C, preferably from 75 to 10 ° C.
  • the organic EL device of the present invention is an organic EL device having at least one organic thin film layer including at least a light-emitting layer between a cathode and an anode, wherein at least one of the organic thin film layers is provided.
  • the light-emitting material for an organic EL device or the material for an organic EL device is contained alone or as a component of a mixture.
  • the light emitting layer contains the light emitting material for an organic EL device or the material for an organic EL device alone or as a component of a mixture.
  • the organic thin film layer contains the light emitting material for an organic EL device or the material for an organic EL device as a host material.
  • the light emitting layer further contains an arylamine compound and / or a styrylamine compound.
  • the styrylamine compound is represented by the following general formula (A) Things are preferred.
  • Ar 3 is a group selected from a phenyl group, a biphenyl group, a terphenyl group, a stilbene group, and a distyrylaryl group
  • Ar 4 and A r 5 is a hydrogen atom or a carbon number Ri DECODING aromatic hydrocarbon ring group der of 6-2 0, respectively, a r 3, a r 4 and a r 5 may be substituted.
  • p is 1 4 is an integer properly favored. of colleagues least for the one also of a r 4 or a r 5 is that substituted by steel Li Le group.
  • examples of the aromatic hydrocarbon ring group having 6 to 20 carbon atoms include a phenyl group, a naphthyl group, an anthranyl group, a phenanthryl group, and a phenyl group.
  • arylamine compound a compound represented by the following general formula (B) is preferable.
  • the aryl group having a nuclear carbon number of 5 to 40 includes, for example, a phenyl group, a naphthyl group, an anthranyl group, a phenanthryl group, a pyrenyl group, a koloninole group, and a biphenyl -, Terfeninole, pyrrolinole, furanyl, thiophenyl, benzothiophenyl, oxaziazolyl, diphenylanthranyl, indolyl, carbazolyl, pyridyl , Benzoquinolyl group, fluoranthenol group, acenaphtho phthalenolanthur group, stinoleben group, perylenyl group, crysenyl group, picenyl group, triphenyleyl group, rubycenyl group, Examples include a benzoanthracenyl group, a phenylanthranyl group,
  • r is an integer of 1 to 3.
  • an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms ethyl group, methyl group, i Monopropyl group, n-propyl group, s-butyl group, t-butylinole group, pentyl group, hexinole group, cyclopentyl group, cyclohexyl group, etc., C1-C6 alkoxy group ( Ethoxy, 'methoxy, i-propoxy, n Mono-propoxy group, s -butoxy group, t -butoxy group, pentoxy group, hexyloxy group, cyclopentoxy group, cyclohexynoleoxy group, etc.), aryl group having 5 to 40 nuclear atoms, An amino group substituted with an aryl group having 5 to 40 nuclear atoms, a ster group having an aryl group having
  • Ar 5 is particularly preferably a substituted or unsubstituted naphthyl group, anthranyl group, a crysenyl group, a pyrenyl group, or a general formula
  • the configuration (8) is usually preferably used, but is not limited thereto.
  • This organic EL device is usually manufactured on a light-transmitting substrate.
  • This light-transmitting substrate is a substrate that supports the organic EL element, and has a light transmittance of at least 50% in the visible region of 400 to 700 nm. things laid desired, Shi preferred to use a smooth substrate to be al Rere 0
  • a translucent substrate for example, a glass plate, a synthetic resin plate or the like is suitably used.
  • the glass plate is formed of soda-lime glass, glass containing strontium, lead glass, aluminum silicate glass, borosilicate glass, glass borosilicate glass, quartz, etc. Plate.
  • the synthetic resin plate include plates such as polycarbonate resin, acrylic resin, poly (ethylene terephthalate) resin, polyether sulfide resin, and polysulfone resin.
  • the anode plays a role of injecting holes into the hole transport layer or the light emitting layer, and it is effective that the anode has a work function of 4.5 eV or more.
  • Specific examples of the anode material used in the present invention include indium tin oxide alloy (ITO), tin oxide (NESA), gold, silver, platinum, and copper.
  • ITO indium tin oxide alloy
  • NESA tin oxide
  • gold gold
  • silver platinum
  • copper copper
  • the cathode a material having a small work function is preferable for the purpose of injecting electrons into the electron transport layer or the light emitting layer.
  • the anode can be manufactured by forming a thin film from these electrode substances by a method such as a vapor deposition method or a sputtering method.
  • the transmittance for light emission is greater than 10%.
  • the sheet resistance of the anode is preferably several hundreds ⁇ / port or less.
  • the thickness of the anode depends on the material, but is usually 1 ⁇ ⁇ ⁇ ! ⁇ 1 / m, preferably in the range of 10 to 200 nm.
  • the light emitting layer comprises:
  • Injection function A function that can inject holes from the anode or hole injection layer when an electric field is applied, and can inject electrons from the cathode or electron injection layer.
  • Transport function function to move injected charges (electrons and holes) by electric field force
  • the light emitting layer As a method for forming the light emitting layer, a known method such as a vapor deposition method, a spin coating method, and an LB method can be applied.
  • the light emitting layer is particularly preferably a molecular deposition film.
  • the molecular deposition film is a thin film formed by deposition from a material compound in a gaseous phase or a film formed by solidification from a material compound in a solution state or a liquid phase state. Films can be distinguished from thin films (molecule accumulation films) formed by the LB method by differences in the aggregated structure and higher-order structure, and the functional differences caused by the differences.
  • a binder such as a resin and a material compound are dissolved in a solvent to form a solution, which is then subjected to a Sincourt method or the like.
  • the light emitting layer can also be formed by thinning the film.
  • the light-emitting layer may contain a known light-emitting material other than the light-emitting material of the present invention as long as the object of the present invention is not impaired.
  • a light emitting layer containing another known light emitting material may be laminated on the light emitting layer containing the light emitting material of the present invention.
  • the hole injecting / transporting layer is a layer that assists hole injection into the light emitting layer and transports it to the light emitting region. It has a high hole mobility, and is usually 5.5 e. V and smaller.
  • Transporting layer and to lay preferred is wood charge of transporting holes to the emitting layer at a lower electric field intensity
  • Ri yo is the hole mobility in Luo, for example 1 0 4 to 1 0 6 when an electric field is applied of VZ cm, least 1 0 also - 6 cm 2 Roh V ⁇ Byodea shall have favored arbitrariness.
  • Such a material may be selected from materials conventionally used as a hole charge transport material in photoconductive materials and known materials used in a hole injection layer of an organic EL device. Any one can be selected and used.
  • the above-mentioned materials can be used, but porphyrin compounds (those disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. Sho 63-2956965, etc.) And aromatic tertiary amine compounds and styrylamine compounds (U.S. Pat. No. 4,127,412, JP-A-53-27033, JP-A-5-23033); Nos.
  • NPD 4,4'-bis (N-(1-naphthyl) -1N —Phenylamino) Biphenyl
  • MT DATA triphenylamine
  • inorganic compounds such as p-type Si and p-type SiC may be used as the material of the hole injection layer.
  • the hole injection / transport layer can be formed by thinning the above-mentioned compound by a known method such as a vacuum evaporation method, a spin coating method, a casting method, and an LB method. .
  • the thickness of the hole injection / transport layer is not particularly limited, but is usually 5 nm to 5 ⁇ m.
  • the hole injection / transport layer may be composed of one or two or more of the above-mentioned materials as long as the compound of the present invention is contained in the hole transport zone. Alternatively, a layer obtained by laminating a hole injection / transport layer made of a different kind of compound from the transport layer may be used.
  • the organic semiconductor layer is a layer that assists hole injection or electron injection into the light emitting layer, and preferably has a conductivity of 10—O SZ cm or more.
  • Examples of the material of such an organic semiconductor layer include conductive oligomers such as thiophene-containing oligomers, such as arylamine-containing oligomers disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. H08-19391, and the like.
  • a conductive dendrimer such as arylamine dendrimer can be used.
  • the electron injection layer / transport layer is a layer that assists the injection of electrons into the light emitting layer and transports it to the light emitting region.
  • the electron mobility is high
  • the adhesion improving layer is the electron injection layer.
  • it is a layer made of a material that adheres particularly well to the cathode.
  • a metal complex dioxaziazole derivative of 8-hydroxyquinoline or a derivative thereof is preferable.
  • metal complex of 8-hydroxyquinoline or a derivative thereof include metal chelate oxoxide compounds including a chelate of oxine (generally, 8_quinolinol or 8-hydroxyquinoline), for example, Tris (8-quinolinol) aluminum can be used as an electron injection material.
  • examples of the oxadiazole derivative include an electron transfer compound represented by the following general formula.
  • Ar 1 ′, Ar 2 ′, Ar 3 ′, Ar 5 ′, Ar 6 ′, and Ar 9 ′ each represent a substituted or unsubstituted aryl group.
  • examples of the aryl group include a phenyl group, a biphenyl group, an anthranyl group, a peryl group, and a pyrenyl group.
  • examples of the arylene group include a phenylene group, a naphthylene group, a biphenylene group, an anthranylene group, a peryleneylene group, a pyrenylene group, and the like.
  • examples of the substituent include an alkyl group having 1 to 10 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 10 carbon atoms, and a cyano group.
  • the electron transfer compound is preferably a thin film-forming compound.
  • a preferred form of the organic EL device of the present invention is a device containing a reducing dopant in a region for transporting electrons or an interface region between a cathode and an organic layer.
  • the reducing dopant is defined as a substance capable of reducing an electron transporting compound. Accordingly, various substances having a certain reducing property are used, for example, alkali metals, alkaline earth metals, rare earth metals, oxides of alkali metals, halides of alkali metals, and alkali metals.
  • preferred reducing dopants include Na (work function: 2.36 eV) and: (work function: 2.28 eV) N At least one alkali metal selected from the group consisting of R b (work function: 2.16 eV) and C s (work function: 1.95 eV); C a (work function: 2 9 e V), S r (work function: 2.0 to 2.5 e V), and Ba (work function: 2.5 2 e V) At least one selected from the group consisting of Particularly preferred are those having a work function of 2.9 eV or less, including two alkaline earth metals.
  • the more preferred reducing dopant is at least one Al metal which is selected from the group consisting of K, R b and C s, and more preferably R b or C s, most preferably C s.
  • Al metals have particularly high reducing ability, and by adding a relatively small amount to the electron injection region, the emission luminance and the life of the organic EL device can be improved.
  • a reducing dopant having a work function of 2.9 eV or less a combination of these two or more kinds of metal alloys is also preferable.
  • a combination containing C s for example, C It is preferable that a certain level is a combination of Cs, Na, and ⁇ , where s and Na, Cs and K, and Cs and Rb.
  • C s By including C s in combination, the reduction ability can be efficiently exhibited, and by adding the compound to the electron injection region, the emission luminance and the life of the organic EL device can be improved.
  • an electron injection layer composed of an insulator or a semiconductor may be further provided between the cathode and the organic layer.
  • an insulator is selected from the group consisting of alkali metal chalcogenides, earth metal chalcogenides, halides of alkali metals and halides of alkaline earth metals. It is preferred to use at least one metal compound. If the electron-injection layer is composed of these metallic chalcogenides, etc. It is preferable because the child injection property can be further improved.
  • alkali metal chalcogenide de correct preferred, for example, L i 2_Rei, L i ⁇ , N a 2 S, N a 2 S e and N a O, and the like, preferred Sile, alk
  • earth metal chalcogenides include CaO ⁇ BaO, Sr ⁇ , BeO, BaS, and CaSe force S
  • metal halides include, for example, ⁇ LiF, NaF, KF, LiCl, KC1, and NaC
  • alkaline earth metal halides include, for example, C a F 2, B a F 2, S r F 2 , and M g F
  • Fluoride such as 2 and BeF 2
  • a halide other than fluoride e.g., 2 and BeF 2
  • the semiconductors constituting the electron transport layer include B a, C a, S r, Y b, A l, G a, In, L i, N a, C d, M g, S i, An oxide, a nitride or an oxynitride containing at least one of Ta, Sb and Zn may be used alone or in combination of two or more.
  • the inorganic compound constituting the electron transport layer is a microcrystalline or amorphous insulating thin film. If the electron transport layer is composed of these insulating thin films, a more uniform thin film is formed, so that pixel defects such as dark spots can be reduced. Examples of such inorganic compounds include the above-mentioned alkaline metal chalcogenides, alkaline earth metal chalcogenides, halides of alkaline metal and halides of alkaline earth metal. No.
  • a metal, an alloy, an electrically conductive compound, or a mixture thereof having a low work function (4 eV or less) as an electrode material is used as a cathode.
  • electrode materials include sodium, sodium-carbon alloys, magnesium, lithium, and magnesium.
  • This cathode can be manufactured by forming a thin film from these electrode materials by a method such as vapor deposition and sputtering.
  • the transmittance of the cathode with respect to the emitted light be greater than 10%.
  • the sheet resistance as the cathode is preferably several hundreds ⁇ or less, and the monthly thickness is usually 10 nm to lim, preferably 50 nm to 200 nm.
  • an organic EL element is liable to cause pixel defects due to leaks and shorts because an electric field is applied to an ultrathin film.
  • an insulating thin film layer may be inserted between the pair of electrodes.
  • Examples of the material used for the insulating layer include aluminum oxide, lithium fluoride, lithium oxide, cesium fluoride, cesium oxide, magnesium oxide, magnesium fluoride, calcium oxide, calcium fluoride, aluminum nitride, and the like.
  • Examples include titanium oxide, silicon oxide, germanium oxide, silicon nitride, boron nitride, molybdenum oxide, ruthenium oxide, and vanadium oxide. These mixtures and laminates may be used.
  • the cathode may be formed. Further, the organic EL device can be manufactured in the reverse order from the cathode to the anode.
  • an organic EL device having a configuration in which an anode hole injection layer / a light emitting layer, an electron injection layer, and a cathode are sequentially provided on a light-transmitting substrate will be described. Will be explained.
  • a thin film made of an anode material is deposited or sputtered so as to have a thickness of 1 ⁇ m or less, preferably in the range of 10 to 200 nm.
  • a hole injection layer is provided on the anode.
  • the hole injection layer can be formed by a vacuum deposition method, a spin coating method, a casting method, an LB method, or the like, but a uniform film is easily obtained.
  • the deposition conditions depend on the compound to be used (the material of the hole injection layer), the crystal structure and the recombination structure of the intended hole injection layer, and the like. Different forces Generally, deposition source temperature 50-450 ° C, degree of vacuum 10-7-10 torr, deposition rate 0.01-50 nm / sec, substrate temperature 150-300 ° C Film thickness 5 n rr! It is preferable to select an appropriate value in the range of 5 to 5 / m.
  • a light emitting layer is provided on the hole injection layer.
  • This light-emitting layer is also formed by thinning the light-emitting material using the light-emitting material according to the present invention by a method such as vacuum evaporation, sputtering, spin coating, or casting. Although it can be formed, it is preferable to form the film by a vacuum deposition method because a homogeneous film is easily obtained and a pinhole is hardly generated.
  • the evaporation conditions vary depending on the compound used, but can be generally selected from the same condition range as the formation of the hole injection layer.
  • the thickness is preferably in the range of 10 to 40 nm.
  • an electron injection layer is provided on the light emitting layer.
  • a vacuum evaporation method like the hole injection layer and the light emitting layer, it is preferable to form the film by a vacuum evaporation method because it is necessary to obtain a uniform film.
  • the vapor deposition conditions can be selected from the same condition ranges as for the hole injection layer and the light emitting layer.
  • an organic EL element can be obtained by laminating a cathode.
  • the cathode is made of metal, and can be formed by a vapor deposition method or sputtering. However, in order to protect the underlying organic layer from damage during film formation, a vacuum deposition method is preferable.
  • the cathode In the production of the organic EL device described above, it is preferable to produce the cathode to the cathode consistently by a single evacuation.
  • the method for forming each layer of the organic EL device of the present invention is not particularly limited. Conventionally known formation methods such as a vacuum deposition method and a spin coating method can be used.
  • the organic thin film layer containing the compound represented by the general formula (1) used in the organic EL device of the present invention may be a vacuum deposition method, a molecular beam deposition method (MBE method), or a date of a solution dissolved in a solvent. It can be formed by a known method such as a coating method such as a bing method, a spin coating method, a casting method, a bar coating method, and a roll coating method.
  • each organic layer of the organic EL device of the present invention is not particularly limited, but is preferably in the range of several nm to 1 ⁇ m in order to improve defects such as pinholes and efficiency.
  • Synthesis Example 1 (Synthesis of 1-promo-1-4-phenylnaphthalene) Ichikai Tan's 1,4-monaphthalene 1,4 g, 15 g, phenylenoboronic acid 7.7 g, and tetraxtriphenylphosphine palladium 1.8 g were mixed and purged with argon. 200 ml of toluene and 90 ml of a 2 M sodium carbonate aqueous solution were added, and the mixture was heated under reflux for 7 hours.
  • Synthesis Example 4 (Synthesis of 9- (naphthalene-2-yl) anthracene) 22.5 g of 9-bromoanthracene, 15.8 g of 2-naphthaleneboronic acid, and tetrakistriphenylphosphine 2.0 g of n-palladium was mixed and replaced with argon. 150 ml of toluene and 140 ml of a 2 M aqueous solution of sodium carbonate were added, and the mixture was heated under reflux for 7 hours.
  • TPD 2 3 2 film This TPD232 film functions as a hole injection layer.
  • TBDB layer N, N, N,, N 'tetra (4-biphenyl) -diaminobiphenylene layer
  • This film functions as a hole transport layer.
  • the compound AN7 having a film thickness of 41011 ni was deposited to form a film.
  • This film functions as a light emitting layer.
  • An Alq film having a thickness of 10 nm was formed on this film. This functions as an electron injection layer. Thereafter, a reducing dopant Li (Li source: manufactured by SAES Getter Co., Ltd.) and the following A1q are binary-deposited, and an A1q: Li film (as a cathode) is formed as an electron injection layer (or a cathode). A film thickness of 10 nm) was formed. Metal A1 was vapor-deposited on the Alq: Li film to form a metal cathode, thereby producing an organic EL device.
  • Li Li source: manufactured by SAES Getter Co., Ltd.
  • Example 8 (Production of organic EL device)
  • An organic EL device was prepared in the same manner as in Example 1 except that AN 11 was used instead of the compound AN 7 and the amine compound D 2 was used instead of the amine compound D 1 as a material for the light emitting layer. Luminous efficiency and half-life were measured in the same manner as in Example 1. Table 1 shows the results.
  • An organic EL device was prepared in the same manner as in Example 1 except that the following an1 was used instead of the compound AN7 as the material of the light-emitting layer. It was measured. Table 1 shows the results.
  • the organic EL devices of Examples 1 to 8 had higher luminous efficiency and longer life than the device of Comparative Example 1.

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Abstract

特定構造の非対称アントラセン誘導体からなる有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）素子用発光材料及び有機ＥＬ素子用材料、並びに陰極と陽極間に少なくとも発光層を含む一層又は複数層からなる有機薄膜層が挟持されている有機ＥＬ素子において、該有機薄膜層の少なくとも１層が、前記有機ＥＬ素子用材料を単独もしくは混合物の成分として含有する有機ＥＬ素子であり、発光効率が高く、長寿命な有機ＥＬ素子、それを実現する有機ＥＬ素子用発光材料及び有機ＥＬ素子用材料を提供する。　

Description

有機エレク ト 口ルミネッセンス素子用発光材料、それを利用した 有機エ レク ト ロル ミ ネ ッ センス素子及び有機エレク ト ロルミネ ッセンス素子用材料 技術分野
本発明は、 有機エ レク トロルミ ネッセンス素子用発光材料、 そ れを利用 した有機エ レク ト 口ル ミ ネ ッセンス素子及ぴ有機エ レ ク トロルミ ネ ッセンス素子用材料に関し、 さ らに詳しく は、 発光 効率が高く長寿命な有機エ レク ト口ルミ ネ ッセンス素子、それを 実現する有機エ レ ク ト口ルミ ネ ッセ ンス素子用発光材料及ぴ有 機エレク ト口ルミ ネ ッセンス素子用材料に関するものである。
背景技術
有機エ レク ト ロルミ ネ ッセンス素子（以下エ レク ト ロルミ ネ ッ センスを E L と略記することがある） は、 電界を印加するこ と よ り 、陽極よ り注入された正孔と陰極よ り注入された電子の再結合 エネルギーによ り蛍光性物質が発光する原理を利用 した自発光 素子である。 イース トマン ' コダック社の C . W. T a n g らに よる積層型素子による低電圧駆動有機 E L素子の報告 （C.W. T ang, S.A. Vanslyke, アプライ ドフィジックス レターズ（Applie d Physics Letters), 5 1卷、 9 1 3頁、 1 9 8 7年等） 力 Sなさ れて以来、有機材料を構成材料とする有機 E L素子に関する研究 が盛んに行われている。 T a n g らは、 ト リ ス （ 8 —ヒ ドロキシ キノ リ ノールアルミ ニウム） を発光層に、 ト リ フエ二ルジァミ ン 誘導体を正孔輸送層に用いている。 積層構造の利点と しては. 発 光層への正孔の注入効率を高めるこ と、陰極よ り注入された電子 をプロ ック して再結合によ り生成する励起子の生成効率を高め るこ と、発光層内で生成した励起子を閉じ込めるこ と等が挙げら れる。 この例のよ うに有機 E L素子の素子構造と しては、 正孔輸 送 （注入） 層、 電子輸送発光層の 2層型、 または正孔輸送 （注入） 層、発光層、電子輸送（注入）層の 3層型等がよく知られている。 こ う した積層型構造素子では注入された正孔と電子の再結合効 率を高めるため、 素子構造や形成方法の工夫がなされている。
また、 発光材料と しては ト リ ス （ 8—キノ リ ノ ラー ト） アルミ 二ゥム錯体等のキレー ト錯体、 クマリ ン誘導体、 テ トラフ； ニル ブタジエン誘導体、 ビススチリルァ リ ーレン誘導体、 ォキサジァ ゾール誘導体等の発光材料が知られており、それらからは青色か ら赤色までの可視領域の発光が得られるこ とが報告されており 、 カラー表示素子の実現が期待されている （例えば、 特許文献 1、 特許文献 2、 特許文献 3等） 。
また、発光材料と してフエ二ルアン トラセン誘導体を用いた素 子が、 特許文献 4に開示されている。 このよ うなアン トラセン誘 導体は青色発光材料と して用いられるが、素子寿命を伸ばすこ と が望まれていた。 アン トラセンの 9， 1 0位にナフチル基を有す る材料が特許文献 5に、 アン トラセンの 9， 1 0位にフルオラン テン基を有する素子材料が特許文献 6に開示されている。これら のアン トラセン誘導体も青色発光材料と して用いられるが、やは り素子寿命の改善が求められていた。 さ らに、 特許文献 7に種々 のアン ト ラセン誘導体を正孔輸送材料と して用いるこ とが開示 されている。 しかしながら、 発光材料と しての評価は未だ成され ていなかった。
【特許文献 1】 特開平 8 — 2 3 9 6 5 5号公報 【特許文献 2 】 特開平 7 一 1 3 8 5 6 1号公報
【特許文献 3 】 特開平 3 ― 2 0 0 2 8 9号公報
【特許文献 4 】 特開平 8 一 0 1 2 6 0 0号公報
【特許文献 5 】 特開平 1 1 一 3 7 8 2号公報
【特許文献 6 】 特開 2 0 0 1 一 2 5 7 0 7 4号公報
【特許文献 7 】 特開 2 0 0 0 一 1 8 2 7 7 6号公報 発明の開示
本発明は、 前記の課題を解決するためなされたもので、 発光効 率が高く 、 長寿命な有機 E L素子、 それを実現する有機 E L素子 用発光材料及び有機 E L素子用材料を提供するこ と を目的とす る。
本発明者らは、 前記目的を達成するために、 鋭意研究を重ねた 結果、 下記一般式 （ 1 ) で表される非対称型の特定のアン トラセ ン構造を有する化合物を有機 E L素子における発光材料と して 用いると、 発光効率が高く 、 寿命が長い有機 E L素子が得られる こ とを見出し、 本発明を完成するに至った。
すなわち、 本発明は、 下記一般式 （ 1 ) で表される非対称アン トラセン誘導体からなる有機 E L素子用材料、並びに陰極と陽極 間に少なく と も発光層を含む一層又は複数層からなる有機薄膜 層が挟持されている有機 E L素子において、該有機薄膜層の少な く と も 1層が、 前記一般式 （ 1 ) で表される非対称アン トラセン 誘導体を単独も しく は混合物の成分と して含有する有機 E L素 子を提供するものである。
Figure imgf000005_0001
(式中、 A i 及び A 2 は、 それぞれ独立に、 置換も しく は無置換 の核炭素数 1 0 〜 2 0 の縮合芳香族炭化水素環基である。
A r i 及び A r 2 は、 それぞれ独立に、 水素原子、 又は置換も しく は無置換の核炭素数 6〜 5 0 の芳香族炭化水素環基である。
R 1 〜 R 8は、 それぞれ独立に、 水素原子、 置換も しく は無置 換の核炭素数 6 〜 5 0の芳香族炭化水素環基、置換も しく は無置 換の核原子数 5 〜 5 0 の芳香族複素環基、置換も しく は無置換の 炭素数 1 〜 5 0 のアルキル基、置換も しく は無置換の炭素数 3 〜 5 0 のシク ロアルキル基、置換も しく は無置換の炭素数 1 〜 5 0 のアルコキシ基、置換も しく は無置換の炭素数 6〜 5 0 のァラル キル基、置換も しく は無置換の炭素数 5 〜 5 0 のァ リ ールォキシ 基、 置換も しく は無置換の炭素数 5〜 5 0 のァ リ ールチオ基、 置 換も しく は無置換の炭素数 1 〜 5 0 のアルコキシカルボニル基、 置換も しく は無置換のシリル.基、カルボキシル基、ハロゲン原子、 シァノ基、 ニ ト ロ基又はヒ ドロキシル基である。
R 9 及ぴ R は、 それぞれ独立に、 水素原子、 置換も しく は無 W
置換の核炭素数 6〜 5 0 の芳香族炭化水素環基、置換も しく は無 置換の炭素数 1〜 5 0 のアルキル基、置換も しく は無置換の炭素 数 3〜 5 0 のシク ロアルキル基、置換も しく は無置換の炭素数 1 〜 5 0 のアルコキシ基、置換も しく は無置換の炭素数 6〜 5 0 の ァラルキル基、置換も し く は無置換の炭素数 5〜 5 0 のァ リ ール ォキシ基、置換も しく は無置換の炭素数 5〜 5 0 のァ リ一ルチオ 基、置換も しく は無置換の炭素数 1〜 5 0 のアルコキシカルボ二 ル基、 置換も しく は無置換のシリル基、 カルボキシル基、 ハロゲ ン原子、 シァノ基、 ニ ト ロ基、 ヒ ドロキシル基であ り 、 いずれも ァノレケニノレ基である こ とはない。
A r i 、 A r 2 、 R 9 及ぴ R ioは、 それぞれ複数であっても よ く 、隣接するもの同士で飽和も しく は不飽和の環状構造を形成し ていて も よい。
ただし、 一般式 （ 1 ) において、 中心のアン ト ラセンの 9位及 び 1 0位に、該アン ト ラセン上に示す X— Y軸に対して対称型と なる基が結合する場合はない。 ）
また、 本発明は、 下記一般式 （ 1 ' ) で表される非対称アン ト ラセ ン誘導体からなる有機 E L素子用材料を提供する も のであ る。
下記一般式 （ 1 ， ） で表される非対称アン ト ラセン誘導体から なる有機エ レク ト ロルミ ネ ッセンス素子用材料。
Figure imgf000007_0001
(式中、 Ai'及び A2'は、 それぞれ独立に、 置換も しく は無置換 の核炭素数 1 0〜 2 0 の縮合芳香族炭化水素環基であり 、 Ai'及 び A2'の少なく とも一方は、 4位に置換基を有するナフタ レン一 1 一ィル基又は置換も しく は無置換の核炭素数 1 2 〜 2 0の縮 合芳香族炭化水素環基である。
A r i 、 A r 2 、 R i 〜 R ioは、 それぞれ独立に、 前記と同じ。 ただし、 一般式 （ 1 ， ） において、 中心のアン トラセンの 9位 及び 1 0位に、該アン トラセン上に示す X— Y軸に対して対称型 となる基が結合する場合はない。 ）
本発明の非対称ア ン ト ラセン誘導体を有機 E L素子用発光材 料も しく は有機 E L素子用材料と して用いた有機 E L素子は、発 光効率が高く 、 長寿命である。 '
産業上の利用可能性
以上、 詳細に説明したよ う に、 一般式 （ 1 ) で表される非対称 アン トラセン誘導体からなる本発明の有機 E L素子用発光材料 又は有機 E L素子用材料を用いた有機 E L素子は、発光効率が高 く 、 長寿命である。 このため、 長期間の継続使用が想定される有 機 E L素子と して有用である。 発明を実施するための最良の形態
本発明の有機 E L素子用発光材料は、 上記一般式 （ 1 ) で表さ れる非対称アン ト ラセン誘導体からなる。
本発明で用いる一般式 （ 1 ) の非対称アン トラセン誘導体は、 中心のアン ト ラセンの 9位及び 1 0位に、該アン トラセン上に示 す X— Y軸に対して対称型となる基が結合する場合はない。
こ こで、 X _ Y軸に対して対称型となる基が結合する場合がな いと は、 好ま しく は一般式 （ 1 ) において以下のよ う な構造とな つている こ と を言う。
( I ) A 1 と A 2 が異なる。
(II) Ai と A 2 が同 じ場合は、
(II一 i ) A r i と A r 2 が異なる。
(II-ii) R 9 と R 10が異なる。
(II-iii)A r i と A r 2 が同 じかつ R 9 が Rio同 じ場合、
(II-iii- 1 ) A 1 におけるアン ト ラセン環 9位との結合位 置と、 A2 におけるアン ト ラセン環 1 0位との結合位置が異なる。
(II-iii- 2 ) A r 1 及び A r 2 が共に水素原子でない場合、 A 1 における A r 1 の結合位置と、 A 2 における A r 2 の結合位 置が異なる。
(II-iii- 3 ) R 9 及ぴ R ^が共に水素原子でない場合、 Ai における R9 の結合位置と 、 A 2 における R 10の結合位置が異 なる。
一般式 （ 1 ) において、 A1 及び A2 は、 それぞれ独立に、 置 換も しく は無置換の核炭素数 1 0 〜 2 0 (好ま しく は核炭素数 1 0〜 1 6 ) の縮合芳香族炭化水素環基である。
A i 及び A 2 の置換も しく は無置換の縮合芳香族炭化水素環 基と しては、 例えば、 1 _ナフチル基、 2 —ナフチル基、 1 ーァ ン ト リ ル基、 2 —アン ト リル基、 9 一アン ト リ ル基、 1 —フエナ ンス リ ノレ基、 2 —フエナンス リル基、 3 _フエナンス リ ノレ基、 4 —フエナンス リ ノレ基、 9 —フエナンス リ ル基、 1 一ナフタセニル 基、 2 —ナフタセニル基、 9 一ナフタセニル基、 1 一ピレニル基、 2 一 ピレ-ル基、 4 -ピレニル基、 3 —メチルー 2 一ナフチル基、 4 ーメチルー 1 一ナフチル基、 4 —メチル一 1 一アン ト リ ル基等 が挙げられる。
これらの中でも好ま しく は、 1 一ナフチル基、 2 —ナフチル基、 9 —フエナンス リ ノレ基である。
一般式（ 1 ) において、 A r 1 及び A r 2 は、 それぞれ独立に、 水素原子、 又は置換も しく は無置換の核炭素数 6 〜 5 0 (好ま し く は核炭素数 6〜 1 6 ) の芳香族炭化水素環基である。
A r i と A r 2 の置換も しく は無置換の芳香族炭化水素環基 と しては、 例えば、 フエニル基、 1 一ナフチル基、 2 _ナフチル 基、 1 一アン ト リ ル基、 2 —アン ト リル基、 9 一アン ト リ ル基、 1 一フエナンス リ ル基、 2 —フエナンス リル基、 3 _フエナンス リ ル基、 4 —フエナンス リ ル基、 9 ーフヱナンス リノレ基、 1 —ナ フタセニル基、 2 —ナフタセニル基、 9 _ナフタセニル基、 1 一 ピレニノレ基、 2 —ピレニル基、 4 —ピレニル基、 2 — ビフエ二ル ィル基、 3 —ビフエ二ルイル基、 4 ービフエ二ルイル基、 p —タ 一フ エ ニノレー 4 — イ ノレ基、 p —ター フ ェ 二ノレ一 3 —ィ ノレ基、 p - ター フ ェ ニノレー 2 —ィ ノレ基、 m—ター フ ェ ニノレー 4 ーィノレ基、 m 一ターフェ二ルー 3 —ィル基、 m—ターフェ二ルー 2 —ィル基、 o — ト リ ノレ基、 m— ト リ ノレ基、 ρ — ト リノレ基、 p — t —ブチノレフ ェニル基、 p — ( 2 —フ エニルプロ ピル） フ エニル基、 3 —メチ ル一 2 —ナフチノレ基、 4 一メ チル一 1 一ナフチノレ基、 4 —メ チル 一 1 一アン ト リ ル基、 4 ' ーメチルビフエ二ルイ ノレ基、 4，， 一 t ーブチルー p —ターフェ二ルー 4 一ィル基等が挙げられる。
これらの中でも好ま しく は、 フエニル基、 1 一ナフチル基、 2 一ナフチル基、 9 一フエナンス リ ル基、 1 一ナフタセニノレ基、 2 一ナフタセ -ル基、 9 一ナフタセエル基、 1 ー ピ レニル基、 2 — ピレニル基、 4 ー ピレニル基、 2 — ビフエ二ルイル基、 3 — ビフ ェニルイ ノレ基、 4 — ビフ エ二ルイル基、 o — ト リ ル基、 m— ト リ ノレ基、 p — ト リノレ基、 p — t —ブチルフエニル基である。
一般式 （ 1 ) において、 R i 〜 R 8は、 それぞれ独立に、 水素 原子、置換も しく は無置換の核炭素数 6 〜 5 0 の'芳香族炭化水素 環基、置換も しく は無置換の核原子数 5 〜 5 0 の芳香族複素環基、 置換も しく は無置換の炭素数 1 〜 5 0 のアルキル基、置換も しく は無置換の炭素数 3 〜 5 0 のシク 口アルキル基、置換も しく は無 置換の炭素数 1 〜 5 0 のアルコキシ基、置換も しく は無置換の炭 素数 6 〜 5 0 のァラルキル基、置換も しく は無置換の炭素数 5 〜 5 0のァ リ ールォキシ基、置換も しく は無置換の炭素数 5 〜 5 0 のァ リ ールチオ基、置換も しく は無置換の炭素数 1 〜 5 0 のアル コキシカルボニル基、 置換も しく は無置換のシリ ル基、 カルボキ シル基、 ハロゲン原子、 シァノ基、 ニ ト ロ基又はヒ ドロキシル基 である。
R 9 及び R i Qは、 それぞれ独立に、 水素原子、 置換も しく は無 置換の核炭素数 6 〜 5 0 の芳香族炭化水素環基、置換も しく は無 置換の炭素数 1 〜 5 0 のアルキル基、置換も しく は無置換の炭素 数 3 〜 5 0 のシク ロアルキル基、置換も しく は無置換の炭素数 1 〜 5 0 のアルコキシ基、置換も しく は無置換の炭素数 6〜 5 0 の ァラルキル基、置換も しく は無置換の炭素数 5〜 5 0 のァ リ ール ォキシ基、置換も しく は無置換の炭素数 5〜 5 0 のァ リ ールチオ 基、置換も しく は無置換の炭素数 1〜 5 0 のアルコキシカルボ二 ル基、 置換も しく は無置換のシリル基、 カルボキシル基、 ハロゲ ン原子、 シァ ノ基、 ニ ト ロ基、 ヒ ドロキシル基であ り 、 いずれも アルケニル基である こ と はない。
R 1 〜 R i oの置換も しく は無置換の芳香族炭化水素環基の例 と しては、 フエニル基、 1 一ナフチル基、 2 —ナフチル基、 1 一 ア ン ト リ ル基、 2 —アン ト リ ル基、 9 一ア ン ト リ ル基、 1 一フエ ナンス リ ノレ基、 2 — フ エナンス リ ノレ基、 3 —フ エナンス リ ル基、 4 一フエナンス リ ル基、 9 一フエナンス リ ノレ基、 1 一ナフタセニ ノレ基、 2 —ナフタセニノレ基、 9 一ナフタセニノレ基、 1 —ピレニノレ 基、 2 —ピレニル基、 4 ーピレニル基、 2 — ビフエ二ルイル基、 3 — ビ フ エ ュノレイ ノレ基、 4 — ビフ エ ニノレイ ノレ基、 p —ター フ ェ - ノレ一 4 一イ ノレ基、 p —ター フ ェ 二ノレ一 3 — ィ ノレ基、 p —ター フ ェ ニノレー 2 —ィ ノレ基、 m—ター フ ェ ニノレー 4 ー ィ ノレ基、 m—ターフ ェ ニノレ一 3 —ィ ノレ基、 m—ター フ ェ 二ノレ一 2 —ィ ノレ基、 o — ト リ ノレ基、 m _ ト リ ノレ基、 p — ト リ ノレ基、 p — t —プチノレフエ二ノレ基、 P - ( 2 —フエ -ノレプロ ピル） フエニル基、 3 —メチノレー 2 —ナ フチル基、 4 ーメ チルー 1 一ナフチル基、 4 一メ チル一 1 一アン ト リ ル基、 4 ， 一メ チルビフエ二ルイル基、 4，， 一 t 一プチルー p —ター フ ェ二ルー 4 一ィル基等が挙げられる。
R 1 〜 R 8の置換も しく は無置換の芳香族複素環基の例と して は、 1 —ピロ リ ノレ基、 2 —ピロ リ ル基、 3 —ピロ リ ル基、 ピラジ ニル基、 2 —ピリ ジニル基、 3 — ピ リ ジニル基、 4 — ピ リ ジニル 基、 1 一イ ン ドリ ル基、 2 —イ ン ドリル基、 3 —イ ン ドリル基、 4 一イ ン ド リ ル基、 5 —イ ン ド リ ル基、 6 —イ ン ド リ ノレ基、 7 — イ ン ド リ ル基、 1 一イ ソイ ン ド リ ル基、 2 —イ ソイ ン ド リ ル基、 3 —イ ソイ ン ド リ ル基、 4 一イ ソイ ン ド リ ル基、 5 —イ ソイ ン ド リ ノレ基、 6 —イ ソイ ン ド リ ノレ基、 7 —イ ソイ ン ド リ ル基、 2 —フ リ ノレ基、 3 — フ リ ノレ基、 2 —べンゾフ ラニル基、 3 _ベンゾフ ラ 二ノレ基、 4 一ベンゾフラ二ノレ基、 5 —ベンゾフラ二ノレ基、 6 —ベ ンゾフ ラ ニル基、 7 —ベンゾフ ラ二ノレ基、 1 一イ ソベンゾフ ラ 二 ル基、 3 —イ ソベンゾフ ラ 二ノレ基、 4 一イ ソべンゾフ ラ ニル基、 5 —イ ソべンゾフ ラニル基、 6 —イ ソべンゾフ ラエル基、 7 —ィ ソベンゾフ ラエル基、 キノ リ ル基、 3 —キノ リ ル基、 4 ーキノ リ ル基、 5 —キノ リ ル基、 6 —キノ リ ル基、 7 —キノ リ ル基、 8 _ キノ リ ノレ基、 1 一イ ソ キノ リ ル基、 3 —イ ソキノ リ ル基、 4 —ィ ソキノ リ ノレ基、 5 —イ ソ キノ リ ル基、 6 _イ ソキノ リ ル基、 7 — イ ソ キノ リ ル基、 8 _イ ソ キノ リ ル基、 2 —キノ キサ リ ニル基、 5 —キノ キサ リ ニル基、 6 —キノ キサ リ ニル基、 1 一力ルバゾ リ ル基、 2 —カル/くゾ リ ノレ基、 3 —カルノ ゾ リ ル基、 4 —カルパゾ リ ル基、 9 一力ルバゾ リ ル基、 1 —フエナンス リ ジニル基、 2 — フ エナンス リ ジ二ノレ基、 3 —フエナンス リ ジ二ノレ基、 4 — フ エナ ンス リ ジニル基、 6 —フエナンス リ ジニル基、 7 —フエナンス リ ジニノレ基、 8 — フ エナンス リ ジニル基、 9 一 フ エナンス リ ジ二ノレ 基、 1 0 —フ エナンス リ ジ-ル基、 1 —アタ リ ジニル基、 2 —ァ タ リ ジニル基、 3 —アタ リ ジニル基、 4 —アタ リ ジニル基、 9 一 ア タ リ ジニル基、 1 , 7 —フ エナンス ロ リ ン一 2 —ィル基、 1 ，
7 — フエナンス ロ リ ン一 3 —ィル基、 1， 7 —フ エナンス ロ リ ン 一 4 ーィノレ基、 1 ， 7 —フ エナンス ロ リ ン一 5 —ィ ル基、 1 ， 7 — フ エナンス ロ リ ン一 6 —ィル基、 1 , 7 —フ エナンス ロ リ ン一
8 —ィ ル基、 1 ， 7 —フ エナンス ロ リ ン一 9 ーィル基、 1 , 7 — フ エナンス リ ンー 1 0 —ィ ル基、 1 , 8 —フエナンス 卩 y ン一
2 一ィル基 、 1 , 8 —フ エナンス π y ンー 3 —ィル基、 1 8 一 フ エナンス n y ン一 4 —イノレ基、 1 8 —フエナンス ロ ジ ン一 5 ーィ ル基、 1 8 一フ エナンス ロ y ン • _ 6 —ィル基、 1 8 一フ ェナンス ロ ジ ン — 7 —ィル基、 1 8 一フエナンス ロ リ ン一 9 一 ィル基、 1 ， 8 ーフ ヱナンス ロ リ ン ― 1 0 —ィル基、 1 9 一フ ェナンス ロ ジ ン — 2 —ィル基、 1 9 一フ エナンス ロ リ ン一 3 一 ィル基、 1 9 一フエナンス ロ リ ン ― 4 ーィル基、 1 ， 9 ―フェ ナンス ロ リ ン 5 —ィル基、 1 , 9 一フ エナンス ロ リ ン一 6 - 4' ル基、 1 ， 9 フエナンス ロ リ ン ― 7 —ィル基、 1 ， 9 ―フ ェナ ンス ロ リ ン ― 8 ーィル基、 1 , 9 一フェナンス ロ リ ンー 1 0 一ィ ル基、 1 ， 1 0 一フエナンス ロ リ ン一 2 —ィル基、 1 , 1 0 一フ ェナンス π V ン一 3 —ィル基、 1ラ 1 0 —フエナンス ロ ジ ン一 4 ーィ ル基、 1 1 0 —フ エナンス ジ ンー 5 —ィル基、 2 9 一 フ エナンス π ン— 1 ーィル基、 2 9 _フ エナンス ロ V ン一 3 ーィル基、 2 9 —フ エナンス ロ ン一 4 ーィル基、 2 9. 一フ ェナンス ロ V ン一 5 —ィ ル基、 2 ， 9 一フ エナンス ロ リ ン ― 6 - ィ ル基、 2 9 一フエナンス ロ リ ン一 7 —ィル基、 2， 9 ―フ ェ ナンス ロ リ ン一 8 —ィ ル基、 2 , 9 フ エナンス ロ リ ン ― 1 0 一 ィル基、 2 8 一フエナンス ロ リ ン一 1 ーィル基、 2 , 8 一フ ェ ナンス ロ リ ン一 3 —ィル基、 2 , 8 フエナンス ロ リ ン一 4 ーィ ル基、 2 , 8 フ エナンス ロ リ ン一 5 ーィル基、 2 , 8 一フ ェナ ンス ロ リ ン一 6 ーィル基、 2 , 8■ フ ェナンス ロ リ ン一 7 一ィ ノレ 基、 2， 8 -一フ .ェナンス ロ リ ンー 9 ―ィル基、 2， 8 —フェナン ス ロ リ ン一 1 0 ーィル基、 2， 7 -一フェナンス ロ リ ンー 1 一ィ ノレ 基、 2， 7 - フ .ェナンス ロ リ ン一 3 一ィル基、 2 , 7—フェナン ス ロ リ ン一 4 一イノレ基、 2， 7 —フ工ナンス ロ リ ン一 5 - -ィル基、 2， 7 — フ エナンスロ リ ン一 6 —イノレ基、 2 , 7 —フエナンス ロ リ ン一 8 —ィル基、 2 , 7 —フエナンス ロ リ ン一 9 ーィル基、 2 , 7 —フエナンス ロ リ ン一 1 0 —ィル基、 1 —フエナジ-ル基、 2 一フエナジ-ル基、 1 ーフエノチアジニル基、 2 —フエノチアジ ニル基、 3 —フエノチアジニル基、 4 ーフエノチアジニル基、 1
0 —フエノ チアジニル基、 1 —フエノ キサジ-ノレ基、 2 —フエノ キサジニル基、 3 —フエノキサジニル基、 4 一フエノ キサジニル 基、 1 0 —フエノ キサジニル基、 2 —ォキサゾリノレ基、 4 ーォキ サゾリ ル基、 5 —ォキサゾリ ル基、 2 —ォキサジァゾリ ル基、 5 —ォキサジァゾリル基、 3 —フラザ-ル基、 2 —チェニル基、 3 —チェュル基、 2 —メチルビロール一 1 ーィル基、 2 —メ チルビ ローノレ一 3 —ィノレ基、 2 —メチルピロ一ノレ一 4 ーィル基、 2 —メ チノレ ピ ロ ーノレ一 5 — イ ノレ基、 3 —メ チノレ ピ ロ一ノレ一 1 ー ィ ノレ基、 3 ーメチルピロ一ノレ一 2 —ィル基、 3 一メ チノレピローノレ一 4 —ィ ノレ基、 3 —メチノレピロ一ルー 5 —ィ ノレ基、 2 — t —プチノレピロ 一 ノレ一 4 —イ ノレ基、 3 — （ 2 —フエ二ノレプロ ピノレ） ピロ一ノレ一 1 一 ィル基、 2 —メチルー 1 一イ ン ドリ ノレ基、 4 一メチル一 1 一イ ン ド リ ル基、 2 —メ チル一 3 —イ ン ドリル基、 4 一メ チル一 3 —ィ ン ド リ ノレ基、 2 — t 一ブチル 1 — イ ン ド リ ノレ基、 4 — t —ブチノレ
1 —イ ン ドリ ル基、 2 — t —ブチル 3 —イ ン ドリ ル基、 4 一 t 一 ブチル 3 —イ ン ドリ ル基等が挙げられる。 ，
R 1 〜R i oの置換も しく は無置換のアルキル基の例と しては、 メチル基、 ェチル基、 プロ ピル基、 イ ソプロ ピル基、 n —ブチル 基、 s —プチル基、 イ ソブチル基、 t 一プチル基、 n —ペンチル 基、 n —へキシノレ基、 n —へプチル基、 n —ォクチノレ基、 ヒ ドロ キシメ チノレ基、 1 ーヒ ドロキシェチル基、 2 —ヒ ドロキシェチ/レ 基、 2 — ヒ ドロキシイ ソブチル基、 1 , 2 —ジヒ ドロキシェチノレ 基、 1 , 3 —ジヒ ドロキシイ ソプロ ピル基、 2 , 3 —ジヒ ドロキ シー t 一ブチル基、 1 , 2， 3 — ト リ ヒ ドロキシプロ ピル基、 ク ロ ロメチノレ基、 1 一ク ロ ロェチノレ基、 2 —ク ロ ロェチノレ基、 2 - ク ロ 口イ ソブチル基、 1 , 2—ジク ロ 口ェチル基、 1 , 3 —ジク ロ ロイ ソプロ ピル基、 2 , 3 —ジク ロ ロ ー t —ブチル基、 1 , 2， 3 - ト リ ク ロ 口プロ ピル基、 ブロモメチル基、 1 —ブロモェチル 基、 2—ブロモェチル基、 2—プロモイ ソブチル基、 1 , 2—ジ ブロモェチノレ基、 1 ， 3 —ジブロモイ ソプロ ピル基、 2 , 3—ジ プロモ ー t ーブチノレ基、 1 , 2 , 3 — ト リ ブロモプロ ピル基、 ョ 一 ドメチノレ基、 1 ーョー ドエチル基、 2—ョー ドエチル基、 2 - ョー ドイ ソプチノレ基、 1 , 2—ジョー ドエチノレ基、 1 , 3 —ジョ ー ドイ ソプロ ピル基、 2 , 3 —ジョー ド一 t 一プチル基、 1 , 2 , 3 — ト リ ョー ドプロ ピル基、 ア ミ ノ メチル基、 1 一ア ミ ノエチル 基、 2—ア ミ ノエチル基、 2—ァ ミ ノイ ソブチル基、 1 , 2—ジ ア ミ ノエチル基、 1 , 3 —ジァ ミ ノイ ソプロ ピル基、 2 , 3 —ジ ア ミ ノ ー t 一ブチル基、 1 , 2 , 3 — ト リ アミ ノ プロ ピル基、 シ ァノ メチル基、 1 —シァノエチル基、 2—シァノエチル基、 2 — シァノイ ソブチル基、 1 ， 2—ジシァノエチル基、 1 ， 3 —ジシ ァノイ ソプロ ピル基、 2 , 3—ジシァノ ー t 一ブチル基、 1 ， 2， 3 — ト リ シアノ プロ ピル基、 ニ ト ロメチル基、 1 一 - ト ロェチル 基、 2 —二 ト ロェチル基、 2— - ト ロイ ソブチル基、 1 ， 2—ジ ニ ト ロェチル基、 1 , 3 —ジニ ト ロイ ソプロ ピル基、 2 , 3 —ジ ニ ト ロ一 t 一ブチル基、 1 ， 2 , 3 — ト リ ニ ト ロプロ ピル基等が 挙げられる。
R 1 〜 R 10の置換も しく は無置換のシク 口 アルキル基の例と しては、 例えば、 シク ロプロ ピル基、 シク ロブチル基、 シク ロぺ ンチル基、 シク ロへキシル基、 4ーメチルシク ロへキシル基、 1 ーァダマンチル基、 2 —ァダマンチル基、 1 —ノノレボノレ -ル基、
2 一ノルポルニル基等が挙げられる。
R 1 〜R 10の置換も しく は無置換のアルコキシ基は、 一〇 Yで 表される基であり 、 Υの例と しては、 メ チル基、 ェチル基、 プロ ピル基、 イ ソプロ ピル基、 η —ブチル基、 s —ブチル基、 イ ソブ チノレ基、 t 一ブチル基、 n —ペンチノレ基、 n —へキシノレ基、 n— ヘプチル基、 n —ォクチル基、 ヒ ドロキシメチル基、 1 —ヒ ドロ キシェチル基、 2 —ヒ ドロキシェチル基、 2 —ヒ ドロキシイ ソブ チノレ基、 1 , 2 —ジヒ ドロキシェチル基、 1 , 3 —ジヒ ドロキシ イ ソプロ ピル基、 2， 3 —ジヒ ドロキシ一 t 一ブチル基、 1 , 2，
3 — ト リ ヒ ドロキシプロ ピル基、 ク ロ ロ メチル基、 1 一ク ロ ロェ チノレ基、 2 —ク ロ ロェチノレ基、 2 —ク ロ 口イ ソブチル基、 1 , 2 ージク ロ 口ェチル基、 1， 3 —ジク ロ ロイ ソプロ ピル基、 2 , 3 ージク ロ ロ 一 t ーブチノレ基、 1 , 2 , 3 — ト リ ク ロ 口プロ ピノレ基、 プロモメ チル基、 1 一プロモェチノレ基、 2 —プロモェチノレ基、 2 一ブロモイ ソブチル基、 1， 2 _ジブ口モェチノレ基、 1 , 3 —ジ プロモイ ソプロ ピノレ基、 2 , 3 —ジプロモ ー t 一プチノレ基、 1， 2 , 3 — ト リ ブロモプロ ピノレ基、 ョー ドメ チル基、 1 ー ョ ー ドエ チル基、 2 —ョー ドエチル基、 2 — ョー ドイ ソブチル基、 1 , 2 一ジョー ドエチル基、 1， 3 —ジョー ドイ ソプロ ピル基、 2 ， 3 —ジョ一 ドー t 一ブチル基、 1 , 2 , 3 一 ト リ ョー ドプロ ピル基、 ア ミ ノ メ チル基、 1 —ア ミ ノエチル基、 2 —ア ミ ノエチル基、 2 ーァ ミ ノイ ソブチル基、 1， 2 —ジア ミ ノエチル基、 1， 3 —ジ ァ ミ ノイ ソプロ ピル基、 2， 3 —ジアミ ノ ー t —プチル基、 1 , 2 , 3 — ト リ ア ミ ノプロ ピル基、 シァノ メチル基、 1 ーシァノエ チル基、 2 —シァノエチル基、 2 —シァノイ ソプチル基、 1 , 2 一ジシァノエチル基、 1 , 3 —ジシァノイ ソプロ ピル基、 2 , 3 —ジシァノ ー t —プチル基、 1 , 2 , 3 — ト リ シァノプロ ピル基、 ニ ト ロ メ チノレ基、 1 一 - ト ロェチノレ基、 2 — 二 ト ロェチノレ基、 2 一二 ト ロイ ソブチル基、 1 ， 2 —ジニ ト ロェチル基、 1 ， 3 —ジ ニ ト ロイ ソプロ ピル基、 2， 3 —ジニ ト ロ一 t 一ブチル基、 1 ， 2 , 3 — ト リ ニ ト ロプロ ピル基等が挙げられる。
R 1 〜 R i oの置換も しく は無置換のァラルキル基の例 と して は、ベンジル基、 1 一フエニルェチル基、 2 —フエニルェチル基、 1 一フエ -ルイ ソプロ ピル基、 2 —フエニルイ ソプロ ピノレ基、 フ ェニノレー t ーブチノレ基、 a —ナフチノレメチノレ基、 1 一 CK 一ナフチ ルェチノレ基、 2 — α —ナフチルェチル基、 1 — α —ナフチルイ ソ プロ ピノレ基、 2 — a —ナフチルイ ソプロ ピル基、 β —ナフチルメ チル基、 1 一 β 一ナフチルェチル基、 2 — β 一ナフチルェチル基、 1 一 β —ナフチルイ ソプロ ピノレ基、 2 - β —ナフチルイ ソプロ ピ ル基、 1 —ピロ リ ルメチル基、 2 — （ 1 一 ピロ リノレ） ェチル基、 Ρ ーメチノレべンジノレ基、 m—メ チノレべンジノレ基、 o ーメ チノレベン ンノレ基、 p —ク ロ 口べンジノレ基、 m—ク ロ 口べンジノレ基、 0 —ク 口 口べンジノレ基、 p —ブロモベンジノレ基、 m—ブロモペンジノレ基、 o —ブロモベンジノレ基、 p — ョー ドベンジノレ基、 m— ョー ドベン ジノレ基、 o — ョ ー ドベ ンジノレ基、 p — ヒ ド ロキシベンジノレ基、 m — ヒ ドロ キシベンジル基、 o —ヒ ドロキシベンジル基、 p 一ア ミ ノベンジノレ基、 m—ァ ミ ノべンジノレ基、 o —ァ ミ ノべンジル基、 P —二 ト 口 べンジノレ基、 m—二 ト 口 べンジノレ基、 o 一二 ト 口 べ ン ジノレ基、 p —シァノベンジル基、 m—シァノベンジル基、 o —シ ァノベンジル基、 1 ーヒ ドロキシ一 2 —フエ二ルイ ソプロ ピル基 1 ―ク 口 口 一 2 一フヱニルイ ソプロ ピル基等が挙げられる。
R 1 〜 R 10の置換も しく は無置換のァ リ ールォキシ基は、 — Ο Y ' と表され、 Y ' の例と してはフエ二ル基、 1 一ナフチル基- 2 —ナフチル基、 1 一アン ト リル基、 2 —アン ト リ ル基、 9 ーァ ン ト リ ノレ基、 1 ーフヱナンス リル基、 2 —フエナンス リ ル基、 3 一フエナンス リ ノレ基、 4 —フエナンス リ ノレ基、 9 一フエナンス リ ル基、 1 一ナフタセニル基、 2 _ナフタセニル基、 9 —ナフタセ ニル基、 1 —ピレニル基、 2 —ピレニル基、 4 ーピレニル基、 2 ー ビフ エ -ルイ ノレ基、 3 — ビフ エ二ルイ ノレ基、 4 — ビフ エ -ノレィ ノレ基、 p —ターフ ェ ニノレー 4 ーィ ノレ基、 p —ターフ ェ ニノレー 3 — イ ノレ基、 p —ター フ ェニノレー 2 —ィ ノレ基、 m—ターフ ェ -ノレ一 4 ーィ ル基、 m—ターフ ェ 二ルー 3 —ィ ル基、 m—ターフ ェ ニノレー 2 —ィ ル基、 o — ト リ ル基、 m— ト リ ル基、 p — ト リ ル基、 ρ — t ーブチノレフ エ二ノレ基、 p — ( 2 — フ エ二ノレプロ ピル） フ エ二ノレ 基、 3 —メ チルー 2 —ナフチル基、 4 —メチルー 1 一ナフチル基、 4 ーメ チル一 1 —アン ト リル基、 4 ， 一メ チルビフエ二ルイル基、 4 " 一 t ーブチノレ _ p —ターフェ二ノレ一 4 —イ ノレ基、 2 —ピロ リ ル基、 3 — ピロ リ ル基、 ピラジュル基、 2 —ピリ ジニル基、 3 — ピリ ジニル基、 4 一 ピリ ジニル基、 2 —イ ン ドリ ル基、 3 —イ ン ド リ ノレ基、 4 一イ ン ド リ ル基、 5 —イ ン ド リ ノレ基、 6 —イ ン ド リ ル基、 7 —イ ン ドリ ル基、 1 一イ ソイ ン ドリル基、 3 —イ ソイ ン ドリ ル基、 4 一イ ソイ ン ドリル基、 5 —イ ソイ ン ドリル基、 6 — イ ソイ ン ド リ ル基、 7 —イ ソイ ン ド リ ル基、 2 — フ リ ル基、 3 — フ リ ル基、 2 —べンゾフラニル基、 3 —ベンゾフラニル基、 4 — ベンゾフラ二ノレ基、 5 —ベンゾフラ二ノレ基、 6 —べンゾフラ -ノレ 基、 7 —べンゾフラニル基、 1 —イ ソべンゾフラニル基、 3 —ィ ソベンゾフラニル基、 4 一イ ソべンゾフラエル基、 5 —イ ソベン ゾフラニル基、 6 —イ ソべンゾフラニル基、 7 —イ ソベンゾフラ ニル基、 2 —キノ リ ル基、 3 —キノ リ ノレ基、 4 一キノ リル基、 5 一キノ リ ル基、 6 —キノ リ ル基、 7 —キノ リ ル基、 8 —キノ リ ノレ 基、 1 _イ ソキノ リ ル基、 3 —イ ソキノ リ ル基、 4 一イ ソキノ リ ル基、 5 —イ ソキノ リ ル基、 6 —イ ソ キノ リ ノレ基、 7 —イ ソキノ リ ル基、 8 —イ ソキノ リ ル基、 2 —キノ キサ リ ニル基、 5 —キノ キサ リ ニル基、 6 —キノ キサ リ ニル基、 1 一力ルバゾ リ ル基、 2 一力ルノ ゾ リ ノレ基、 3 —力ルノ ゾ リ ノレ基、 4 —力ノレノ ゾ リ ノレ基、
1 一フエナンス リ ジニル基、 2 一フエナンス リ ジニ -ル基、 3 —フ ェナンス リ ジニル基、 4 ーフェナンス リ ジニル基、 6 —フエナン ス リ ジ二ノレ基、 7 — フエナンス リ ジ-ノレ基、 8 — フ ェナンス リ ジ ニル基、 9 _フ エナンス リ ジ二ル基、 1 0 —フ エナンス リ ジニル 基、 1 ―アタ リ ジニル基、 2 一ア タ リ ジニル基、 3 一アタ リ ジニ ル基、 4 —ァ ク リ ジニル基、 9 —ァク リ ジニル基、 1， 7 —フエ ナンス ロ リ ン一 2 —ィル基、 1 ， 7 —フ エナンス ロ リ ン一 3 —ィ ル基、 1 , 7 — フ エナンス ロ ジ ン— 4 —ィ ル基、 1 ， 7 — フ エナ ンス ロ リ ン— 5 —ィ ル基、 1 7 —フエナンス ロ リ ン一 6 —ィル 基、 1， 7 —フ エナンス ロ リ ン一 8 —ィル基、 1， 7 —フ エナン ス ロ リ ン一 9 ーィ ル基、 1， 7 一フ エナンス ロ リ ン一 1 0 —ィ ル 基、 1， 8 —フ エナンス ロ リ ン一 2 —ィ ル基、 1 , 8 —フ エナン ス ロ リ ン — 3 —ィル基、 1， 8 -フ エナンス ロ リ ン - - 4 —ィル基、
1 , 8 -フエナンス ロ リ ンー 5 —ィル基、 1 , 8 —フ エナンス ロ リ ン一 6 —イ ノレ基、 1， 8 —フエナンス ロ リ ン一 7 —ィル基、 1， 8 — フエナンス ロ リ ン一 9 ーィル基、 1 , 8 —フエナンス ロ リ ン 一 1 0 — イ ノレ基、 1， 9 —フエナンス ロ リ ン一 2 —ィル基、 1 , 9 一フエナンス ロ リ ン一 3 —ィル基、 1 , 9 —フ エナンス ロ リ ン — 4 ーィノレ基、 1 , 9 一フ エナンス ロ リ ン一 5 —ィル基、 1 , 9 —フエナンス ロ リ ン一 6 —ィル基、 1， 9 一 フエナンス ロ リ ン一 7 —ィル基、 1 , 9 一フエナンス ロ リ ン一 8 —ィル基、 1 , 9 — フ エナンス ロ リ ン一 1 0 —ィル基、 1 , 1 0 —フエナンス ロ リ ン 一 2 —イ ノレ基、 1 , 1 0 —フエナンス ロ リ ン一 3 —ィ ル基、 1 ,
1 0 -フ エナンス ロ リ ン一 4 —ィル基、 1， 1 0 —フ エナンス π リ ン一 5 ーィル基、 2， 9 一フエナンス ロ リ ン一 1 ーィル基、 2
9 ーフェナンス ロ リ ン一 3 —ィル基、 2， 9 一フ エナンス ロ ジ ン
_ 4 一ィ ル基、 2 , 9 —フ エナンス ロ リ ン— 5 —ィル基、 2 9
—フエナンス ロ リ ン一 6 —ィル基、 2， 9 一フ エナンス ロ リ ン ―
7 —ィル基、 2， 9 —フ エナンス ロ リ ン一 8 —ィ ル基、 2， 9 ― フ ヱナンス ロ リ ン一 1 0 —ィル基、 2 , 8 —フエナンス ロ リ ン ―
1 ーィ ル基、 2 , 8 —フ エナンス ロ リ ン一 3 —ィ ノレ基、 2 , 8 一 フ エナンス ロ リ ン一 4 —イノレ基、 2 , 8 —フ エナンス ロ リ ン一 5 ーィル基、 2 , 8 —フエナンス ロ リ ン一 6 —ィノレ基、 2 , 8 ―フ ナンス ロ リ ン一 7 —イノレ基、 2 , 8 —フエナンス ロ リ ン一 9 ― イ ノレ基 、 2， 8 —フ エナンス ロ リ ン一 1 0 —ィノレ基、 2 , 7 一フ ェナンス ロ リ ン一 1 —ィノレ基、 2 , 7 —フエナンス ロ リ ン一 3 ― ィ ル基 、 2 , 7 — フエナンス ロ リ ン _ 4 ーィル基、 2 , 7 -フ ェ ナンス 口 リ ン _ 5 —イノレ基、 2 , 7 —フエナンス ロ リ ン一 6 ―ィ ル基、 2 , 7 —フ エナンス ロ リ ン一 8 —ィル基、 2 , 7 —フ ェナ ンス ロ リ ン一 9 —ィル基、 2 , 7 _フ エナンス ロ リ ン一 1 0 一ィ ル基、 1 一 フ エナジニル基、 2 — フエナジニル基、 1 —フエ ノ チ ァ シニル基、 2 —フエ ノ チアジ-ル基、 3 —フエ ノ チアジニル基、 4 ーフエノチアジニル基、 1 一フエノ キサジニル基、 2 —フエノ キサジニル基、 3 一フエノ キサジニル基、 4 一フエノ キサジ-ル 基、 2 —ォキサゾリ ル基、 4 ーォキサゾリ ル基、 5 —ォキサゾリ ル基、 2 —ォキサジァゾリ ル基、 5 —ォキサジァゾリル基、 3 — フラザニル基、 2 —チェニル基、 3 —チェニル基、 2 —メチルビ ロ ーノレ一 1 —イ ノレ基、 2 —メ チノレピロ一ノレ一 3 —イ ノレ基、 2 —メ チルピロール— 4 ーィル基、 2 —メ チルビロール一 5 —ィル基、 3 —メ チルピロール一 1 —ィ ル基、 3 —メ チルピロ一ノレ一 2 —ィ ノレ基、 3 —メ チルピロ一ノレ一 4 ー ィ ノレ基、 3 —メ チルピロ一ノレ一 5 —ィ ル基、 2 — t —プチルビロール— 4 ーィ ル基、 3 — （ 2 — フ エ 二ノレプロ ピル） ピロ一ノレ一 1 ー ィ ノレ基、 2 —メチノレー 1 ーィ ン ド リ ル基、 4 ー メ チルー 1 — イ ン ド リ ル基、 2 —メ チノレー 3 — イ ン ド リ ル基、 4 ーメ チルー 3 —イ ン ド リ ル基、 2 — t 一ブチル 1 一イ ン ド リ ル基、 4 一 t 一ブチル 1 一イ ン ド リ ル基、 2 — t 一 ブチル 3 —イ ン ド リ ル基、 4 一 t 一プチル 3 —イ ン ド リ ル基等が 挙げられる。
R 1 〜 1。の置換も し く は無置換のァ リ ールチオ基は、 一 S Y " 'と表 され、 Y " の例と してはフ エ -ル基、 1 一ナフチル基、 2 —ナフチル基、 1 _アン ト リ ル基、 2 —アン ト リ ル基、 9 ーァ ン ト リ ノレ基、 1 一フ エナンス リ ル基、 2 —フエナンス リ ル基、 3 — フ エナンス リ ル基、 4 一フエナンス リ ノレ基、 9 ー フ ヱナンス リ ル基、 1 一ナフタセニル基、' 2 —ナフタセニル基、 9 —ナフタセ ニル基、 1 ー ピレニル基、 2 — ピ レニル基、 4 ー ピレニル基、 2 ー ビフ エニノレイル基、 3 — ビフエニノレイノレ基、 4 ー ビフエ二ルイ ノレ基、 ρ —ター フ ェ 二ノレ一 4 ーィ ノレ基、 p —ター フ ェ 二ノレ一 3 — イ ノレ基、 p —ター フ ェ 二ルー 2 —ィル基、 m—ター フ ェ 二ノレ一 4 ー ィ ノレ基、 m—ター フ ェ ニノレー 3 — ィ ノレ基、 m—ター フ ェ ニノレー 2 —ィル基、 o — ト リ ル基、 m— ト リ ル基、 p — ト リ ル基、 p — t 一ブチルフ エニル基、 p — ( 2 —フエニルプロ ピル） フ エ二ノレ 基、 3 — メ チルー 2 —ナフチル基、 4 —メ チルー 1 —ナフチル基、
4 —メ チルー 1 —アン ト リ ル基、 4 ' —メ チルビフエ二ルイル基、 4 " 一 t 一プチル一 p —ターフェ二ルー 4 —ィノレ基、 2 — ピロ リ ル基、 3 — ピロ リ ル基、 ビラ ジニル基、 2 — ピリ ジニル基、 3 — ピ リ ジニル基、 4 一 ピリ ジニル基、 2 —イ ン ドリル基、 3 —イ ン ド リ ル基、 4 一イ ン ド リ ル基、 5 —イ ン ド リ ル基、 6 —イ ン ド リ ル基、 7 —イ ン ド リ ル基、 1 一イ ソイ ン ド リ ル基、 3 —イ ソイ ン ド リ ル基、 4 一イ ソイ ン ドリル基、 5 —イ ソイ ン ド リ ル基、 6 — イ ソイ ン ド リ ル基、 7 —イ ソイ ン ド リ ノレ基、 2 — フ リ ル基、 3 — フ リ ル基、 2 —べンゾフラ -ル基、 3 —ベンゾフラエル基、 4 一 ベンゾフラ二ノレ基、 5 —べンゾフラニル基、 6 —ベンゾフラ二ノレ 基、 7 —ベンゾフラニル基、 1 一イ ソべンゾフラニル基、 3 —ィ ソベンゾフラニル基、 4 —イ ソべンゾフラニル基、 5 —イ ソベン ゾフラ二ノレ基、 6 —イ ソベンゾフラ二ノレ基、 7 —イ ソベンゾフラ ニル基、 2 —キノ リ ル基、 3 —キノ リ ル基、 4 一キノ リ ル基、 5 —キノ リ ノレ基、 6 —キノ リノレ基、 7 —キノ リル基、 8 —キノ リ ル 基、 1 一イ ソキノ リル基、 3 _イ ソキノ リル基、 4 一イ ソキノ リ ル基、 5 —イ ソキノ リル基、 6 —イ ソキノ リル基、 7 —イ ソキノ リ ル基、 8 —イ ソキノ リ ノレ基、 2 —キノ キサリ ニル基、 5 — キ ノ キサリ ニル基、 6 —キノ キサリ ニル基、 1 一力ノレノ ゾ リ ル基、 2 一力ルバゾ リ ル基、 3 _力ノレノ ゾリ ル基、 4 —力ノレノ ゾ リ ル基、 1 一フエナンス リ ジニル基、 2 —フエナンス リ ジニル基、 3 —フ ェナンス リ ジニル基、 4 —フエナンス リ ジ-ル基、 6 — フ エナン ス リ ジ二ノレ基、 7 —フエナンス リ ジニル基、 8 —フヱナンス リ ジ 二ノレ基、 9 — フ エナンス リ ジ二ノレ基、 1 0 — フ エナンス リ ジ二ノレ 基、 1 一アタ リ ジニル基、 2 —アタ リ ジニル基、 3 —アタ リ ジニ ル基、 4 —アタ リ ジニル基、 9 —アタ リ ジニル基、 1 ， 7 —フエ ナンス ロ リ ン一 2 —ィル基、 1， 7 —フエナンス ロ リ ン一 3 —ィ ル基、 1 ， 7 —フエナンスロ リ ン一 4 ーィル基、 1 ， 7 —フエナ ンス ロ リ ン一 5 —ィル基、 1 , 7 —フエナンスロ'リ ン一 6 —ィル 基、 1 ， 7 —フエナンスロ リ ン一 8 —ィル基、 1 ， 7 —フエナン ス ロ リ ン一 9 ーィ ル基、 1 , 7 — フ エナンス ロ リ ン一 1 0 —ィ ル 基、 1 , 8 —フ エナンス ロ リ ン一 2 —ィル基、 1 ， 8 —フ エナン ス ロ リ ンー 3 —ィノレ基、 1 , 8 —フ エナンス ロ リ ン一 4 —ィル基、 1 ， 8 —フ エナンス ロ リ ン一 5 —ィル基、 1 , 8 —フ エナンス ロ リ ンー 6 —ィノレ基、 1 ， 8 —フエナンス ロ リ ンー 7 —ィル基、 1 ，
8 —フエナンス ロ リ ン一 9 ーィル基、 1， 8 —フ エナンス ロ リ ン — 1 0 —イノレ基、 1 , 9 一フエナンス ロ リ ン一 2 —ィル基、 1 ， 9 一フ エナンス ロ リ ン一 3 —イノレ基、 1 , 9 一フ エナンス ロ リ ン 一 4 ーィノレ.基、 1 ， 9 一 フエナンス ロ リ ン一 5 —ィノレ基、 1 , 9 一フ エナンス ロ リ ン一 6 —イ ノレ基、 1 , 9 —フ エナンス ロ リ ン一 7 —イ ノレ基、 1 , 9 一フ エナンス ロ リ ン一 8 —ィ ル基、 1 , 9 - フ エナンス ロ リ ン一 1 0 —ィル基、 1 , 1 0 —フ エナンス ロ リ ン — 2 —ィノレ基、 1 , 1 0 —フエナンス ロ リ ン一 3 —ィル基、 1 , 1 0 —フ エナンス ロ リ ン一 4 ーィノレ基、 1 , 1 0 —フエナンス ロ リ ン一 5 —ィル基、 2 , 9 —フエナンス ロ リ ンー 1 —ィル基、 2 ,
9 —フエナンス ロ リ ン一 3 —ィル基、 2 , 9 —フ エナンス ロ リ ン 一 4 ーィル基、 2 , 9 —フ エナンス ロ リ ン一 5 —イ ノレ基、 2 , 9 —フエナンス ロ リ ン一 6 —イノレ基、 2， 9 —フ エナンス ロ リ ン一
7 —ィル基、 2， 9 ー フ ヱナンス ロ リ ン一 8 —ィル基、 2， 9 — フエナンス ロ リ ン一 1 0 —ィル基、 2， 8 —フエナンス ロ リ ン一
1 ーィル基、 2， 8 —フ エナンス ロ リ ン一 3 —ィ ル基、 2 , 8 — フ エナンス ロ リ ン一 4 ーィル基、 2 , 8 —フエナンス ロ リ ン一 5 —ィノレ基、 2 , 8 —フ エナンス ロ リ ン一 6 —イ ノレ基、 2 , 8 — フ ェナンス ロ リ ン一 7 —ィノレ基、 2 , 8 —フエナンス ロ リ ン一 9 一 ィル基、 2 , 8 —フ エナンス ロ リ ン一 1 0 —ィル基、 2 , 7 —フ ェナンス ロ リ ン一 1 ーィル基、 2， 7 —フエナンス ロ リ ン一 3 — イ ノレ基、 2 , 7 —フ エナンス ロ リ ン一 4 ーィル基、 2 , 7 —フェ ナンス ロ リ ン一 5 —ィ ノレ基、 2 , 7 —フエナンス ロ リ ン一 6 —ィ ル基、 2， 7 _フエナンス ロ リ ン _ 8 —ィル基、 2 , 7 —フエナ ンス ロ リ ン一 9 ーィル基、 2 , 7 —フ エナンス ロ リ ン一 1 0 —ィ ノレ基、 1 一フエナジ二ノレ基、 2 _フエナジ二ノレ基、 1 一フ エノチ アジニル基、 2 —フエノチアジニル基、 3 —フエノチアジニル基、 4 ーフエノチアジニル基、 1 一フエノ キサジニル基、 2 —フエノ キサジニル基、 3 —フエノ キサジニル基、 4 —フエノ キサジニル 基、 2 —ォキサゾ リ ル基、 4 ーォキサゾリ ル基、 5 —ォキサゾリ ル基、 2 —ォキサジァゾリ ル基、 5 —ォキサジァゾリ ル基、 3 — フラザニル基、 2 —チェニル基、 3 —チェニル基、 2 —メ チルビ ローノレ一 1 — ィ ノレ基、 2 —メ チルピロ一ノレ一 3 —ィノレ基、 2 —メ チノレピロール一 4 —ィル基、 2 —メ チルピロール一 5 —ィル基、 3 ーメ チノレビローノレ 一 1 ーィル基、 3 —メ チルピロール一 2 ーィ ノレ基、 3 —メチルピロール一 4 — イ ノレ基、 3 —メ チノレピロ一ノレ一 5 —ィノレ基、 2 — t —ブチノレピロ一ルー 4 一イ ノレ基、 3 — ( 2 — フ エ 二ノレプロ ピノレ） ピロ一ノレ一 1 — ィ ノレ基、 2 —メチノレ ー 1 —ィ ン ド リ ル基、 4 ーメ チルー 1 —イ ン ドリノレ基、 2 —メ チルー 3 — イ ン ドリ ル基、 4 —メ チル一 3 _イ ン ドリ ル基、 2 — t —ブチノレ 1 一イ ン ド リ ル基、 4 — t 一プチル 1 一イ ン ド リ ノレ基、 2 — t — プチル 3 _イ ン ド リ ル基、 4 — t —プチル 3 —イ ン ド リ ル基等が 挙げられる。
R 1 〜 R i oの置換も しく は無置換のアルコキシカルボニル基 は一 C〇 O Z と表され、 Zの例と してはメチル基、 ェチル基、 プ 口 ピル基、 イ ソプロ ピル基、 n —ブチル基、 s _ブチル基、 イ ソ プチノレ基、 t ーブチノレ基、 n —ペンチル基、 n —へキシル基、 n 一へプチル基、 n —ォクチル基、 ヒ ドロキシメチル基、 1 ーヒ ド ロキシェチル基、 2 — ヒ ドロキシェチル基、 2 —ヒ ドロキシイ ソ プチノレ基、 1 ， 2 —ジヒ ドロキシェチル基、 1 ， 3 —ジヒ ドロキ シイ ソプロ ピル基、 2 , 3 —ジヒ ドロキシー t 一ブチル基、 1， 2 , 3 — ト リ ヒ ドロキシプロ ピル基、 ク ロ ロメ チル基、 1 一ク ロ ロェチノレ基、 2 ―ク 口 ロェチノレ基、 2 一ク 口 ロイ ソプチル基、 1，
2 —ジク ロ 口ェチル基、 1， 3 —ジク ロ ロイ ソプロ ピル基、 2 ,
3 —ジク ロ 口 一 t —プチノレ基、 1， 2， 3 _ ト リ ク ロ 口プロ ピノレ 基、ブロモメチル基、 1 一ブロモェチル基、 2 —プロモェチノレ基、 2 —ブロモイ ソブチル基、 1 , 2 —ジブロモェチル基、 1 , 3 — ジブ口モイ ソプロ ピル基、 2 , 3 —ジブロモ一 t 一ブチル基、 1 , 2 , 3 — ト リ ブロモプロ ピノレ基、 ョー ドメチル基、 1 ーョー ドエ チル基、 2—ョードエチル基、 2 — ョー ドイ ソブチル基、 1 , 2 一ジョー ドエチノレ基、 1 , 3 —ジョー ドイ ソプロ ピル基、 2， 3 一ジョー ドー t 一プチノレ基、 1 , 2， 3 一 ト リ ョー ドプロ ピノレ基、 ア ミ ノ メ チル基、 1 _ア ミ ノエチル基、 2 —ア ミ ノエチル基、 2 —ァ ミ ノイ ソブチル基、 1 , 2 —ジアミ ノエチル基、 1， 3 —ジ ァ ミ ノイ ソプロ ピル基、 2 , 3 —ジァ ミ ノ 一 t —プチル基、 1， 2 , 3 — ト リ ア ミ ノ プロ ピル基、 シァノ メ チル基、 1 ーシァノエ チル基、 2 —シァノエチル基、 2 —シァノイ ソプチル基、 1， 2 —ジシァノエチル基、 1 , 3 —ジシァノイ ソプロ ピル基、 2 , 3 —ジシァノ ー t 一ブチル基、 1 , 2， 3 — ト リ シァノプロ ピル基、 ニ ト ロメ チノレ基、 1 _ニ ト ロェチル基、 2 —二 ト ロェチル基、 2 一二 ト ロイ ソブチル基、 1 , 2 —ジニ ト ロェチル基、 1 , 3 —ジ ニ ト ロイ ソプロ ピル基、 2 , 3 —ジニ ト ロ一 t —プチル基、 1 , 2， 3 — ト リ ニ ト ロプロ ピル基等が挙げられる。
R 1 〜R 1 0のハロゲン原子と しては、 フ ッ素、 塩素、 臭素、 ョ ゥ素等が挙げられる。
前記 A r i 、 A I- 2 及び R i 〜R 10の示す基における置換基と しては、 ハロゲン原子、 ヒ ドロキシル基、 ニ ト ロ基、 シァノ基、 アルキル基、 ァ リ ール基、 シク ロ アルキル基、 アルコ キシ基、 ァ ラルキル基、 ァ リ ールォキシ基、 ァ リ ールチオ基、 アルコキシ力 ルポ二ル基、 又はカルボキシル基などが挙げられる。
A r 1 、 A r 2 、 R 9 及ぴ R 10は、 それぞれ複数であってもよ く 、隣接するもの同士で飽和も しく は不飽和の環状構造を形成し ていてもよく 、 環状構造と しては、 ベンゼン環等の不飽和 6員環 の他、飽和も しく は不飽和の 5員環又は 7員環構造等が挙げられ る。
また、 本発明において、 前記一般式 （ 1 ) で表される非対称ァ ン ト ラセン誘導体が、 4位に置換基を有するナフタ レン一 1 ーィ ル基及び Z又は置換も しく は無置換の核炭素数 1 2 〜 2 0の縮 合芳香族炭化水素環基を有すると好ま しい。この置換基と しては、 前記前記 A r i 、 A r 2 及び R i 〜 R ιοの示す基における置換基 と同様のものが挙げられる。
本発明の有機 E L素子用材料は、 上記一般式 （ 1 ' ) で表され る非对称アン ト ラセン誘導体からなる。
—般式 （ 1 ' ) は、 前記一般式 （ 1 ) において、 Ai'及び A 2' が、 それぞれ独立に、 置換も しく は無置換の核炭素数 1 0 〜 2 0 の縮合芳香族炭化水素環基であり 、 A 及ぴ A 2'の少なく と も一 方は、 4位に置換基を有するナフタ レン一 1 一ィル基又は置換も しく は無置換の核炭素数 1 2〜 2 0 の縮合芳香族炭化水素環基 であると限定したものであり、 A r 1 、 A r 2 、 R i 〜 R i。は、 それぞれ独立に、 前記と同じであるため、 これら各基の具体例、 好ま しい基、 置換基の例は、 前記で説明したものと同じである。 また、 一般式 （ 1 ) 同様に、 一般式 （ 1 ， ） において、 中心のァ ン ト ラセンの 9位及ぴ 1 0位に、該アン トラセン上に示す X— Y 軸に対して対称型となる基が結合する場合はない。 一般式 （ 1 ' ) は一般式 （ 1 ) に含まれるので、 以下単に一般 式 （ 1 ) と言った場合には一般式 （ 1 ' ) も含んでいる。
本発明における一般式 （ 1 ) で表される非対称アン トラセン誘 導体の具体例を以下に示すが、これら例示化合物に限定されるも のではない。
さ otdT/lud
/S0S OAV
Figure imgf000028_0001
O/S00iAV 9S90vD/ifcId 68Ϊ0さ o
Figure imgf000029_0001
Figure imgf000030_0001
AN45 AN46
本発明の一般式（ 1 )で表される非対称アン ト ラセン誘導体は、 公知の方法によ り ノ、ロゲン化ァ リ ール化合物とアン ト ラセンボ ロ ン酸化合物を出発原料と して、 鈴木カ ツプリ ング反応 · ハロ ゲ ン化反応 · ホウ酸化反応を適宜組み合わせて、 合成する こ とがで き る。 以下にその合成スキームを示す。
Figure imgf000031_0001
鈴木カ ップリ ング反応は、 これまでに数多く の報告 （Chem.R ev.，Vol.95 , No .7 , 2457 ( 1995) 等） がなされており 、 これらに記 載の反応条件で実施するこ とができ る。
反応は、 通常、 常圧下、 窒素、 アルゴン、 ヘリ ゥム等の不活性 雰囲気下で実施されるが、必要に応じて加圧条件下に実施するこ と も出来る。 反応温度は 1 5〜 3 0 0 °Cの範囲であるが、 特に好 ま しく は 3 0〜 2 0 0 °Cである。
反応溶媒と しては、 水、 ベンゼン、 トルエン、 キシレン等の芳 香族炭化水素類、 1， 2 —ジメ トキシェタ ン、ジェチルエーテル、 メチルー t 一プチノレエーテル、 テ ト ラ ヒ ドロ フラン、 ジォキサン 等のエーテノレ類、 ペンタン、 へキサン、 ヘプタン、 オクタ ン、 シ ク ロへキサン等の飽和炭化水素類、 ジク ロ ロ メ タン、 ク ロ 口ホル ム、 四塩化炭素、 1 , 2 —ジク ロ ロェタン、 1 , 1， 1 — ト リ ク ロ ロェタ ンなどのノヽロゲン類、 ァセ トニ ト リ ノレ、 ベンゾニ ト リ ノレ 等の - ト リ ル類、 酢酸ェチル、 酢酸メ チル、 酢酸プチル等のエス テル類、 N , N—ジメチルホルムア ミ ド、 N , N—ジメチルァセ トア ミ ド、 N—メチルピロ リ ドン等のア ミ ド類などを単一又は混 合して使用するこ とができる。 これらの中で、 好ま しく は、 トル ェン、 1， 2 —ジメ トキシェタン、 ジォキサン、 水である。 溶媒 の使用量はァ リ ールボロ ン酸又はその誘導体に対して、通常 3〜 5 0重量倍、 好ま しく は 4〜 2 0重量倍である。
反応に用いる塩基と しては、 例えば、 炭酸ナ ト リ ゥム、 炭酸力 リ ゥム、水酸化ナ ト リ ゥム水酸化カ リ ゥム、炭酸水素ナ ト リ ゥム、 炭酸水素カ リ ゥム、 炭酸マグネシウム、 炭酸リ チウム、 ふつ化力 リ ゥム、 フ ッ化セシウム、 塩化セシウム、 臭化セシウム、 炭酸セ シゥム、 リ ン酸カ リ ウム、 メ トキシナ ト リ ウム、 t 一ブ トキシカ リ ウム、 t —ブ トキシナ ト リ ウム、 t 一ブ トキシリ チウム等が挙 げられ、 好ま しく は炭酸ナ ト リ ゥムである。 これらの塩基の使用 量は、 ァ リ ールボロ ン酸又はその誘導体に対して、 通常 0 . 7 〜 1 0 モル当量、 好ま しく は 0 . 9 〜 6 モル当量である。
反応に用いる触媒と しては、 例えば、 テ ト ラキス （ ト リ フエ二 ノレホス フ ィ ン） パラ ジウム、 ジク ロ ロ ビス （ ト リ フ エニノレホスフ イ ン） ノ、。ラ ジウム、 ジク ロ ロ [ ビス （ジフエニルホス フイ ノ） ェ タ ン] ノ、。ラ ジウム、 ジク ロ ロ [ ビス (ジフ エニルホス フィ ノ ） プ ロ ノくン] ノヽ。ラ ジウム、 ジク ロ ロ [ ビス （ジフ エニノレホスフイ ノ） ブタ ン] ノ ラ ジウム、 ジク ロ ロ [ ビス （ジフ エニルホスフ イ ノ） フ エ 口セン] ノ、。ラ ジウム等のパラ ジウム触媒、 テ ト ラキス （ ト リ フ エ二ノレホス フ ィ ン） ニ ッ ケノレ、 ジク ロ ロ ビス （ ト リ フエニノレホ ス フ イ ン） ニ ッケノレ、 ジク ロ ロ [ ビス （ジフエ二/レホス フ イ ノ ) ェタ ン] ニ ッケル、 ジク ロ ロ [ ビス （ジフエニルホス フ イ ノ ） プ ロ ノ ン] ニ ッケル、 ジク ロ ロ [ ビス （ジフエニルホス フ イ ノ ） ブ タ ン] ニ ッケル、 ジク ロ ロ [ ビス （ジフエニノレホス フ イ ノ ） フ エ 口セン] ニッケル等のニッケル触媒等が挙げられ、好ま しく はテ ト ラキス （ ト リ フエ -ルホスフ ィ ン） ノ《ラジウムである。 これら の触媒の使用量はハロゲン化ァ リ ール化合物に対して、 通常 0 . 0 0 1 〜 1 モル当量、 好ま しく は 0 . 0 1 〜 0 . 1 モル当量であ る。
ハロゲン化ァ リ ール化合物のハロゲンと しては、 例えば、 ョ ゥ 素原子、 臭素原子、 塩素原子等が挙げられ、 好ま しく はヨ ウ素原 子、 臭素原子である。
ハロゲン化反応におけるハロゲン化剤は特に限定される もの ではないが、 例えば、 N—ハロゲン化コハク酸ィ ミ ドが好適に用 いられる。 ハロゲン化剤の使用量はァ リ ール化合物に対し、 通常 0 . 8 〜 1 0 モル当量、 好ま しく は 1 〜 5 モル当量である。 反応は、通常、窒素、 アルゴン、ヘリ ゥム等の不活性雰囲気下、 不活性溶媒中で実施される。 使用される不活性溶媒と しては、 例 えば、 N , N —ジメチルホルムア ミ ド、 N , N —ジメ チルァセ ト ア ミ ド、 N—メチルピロ リ ドン、 ジメチルスルホキシ ド、 四塩化 炭素、 ク ロ 口ベンゼン、 ジク ロ ロべンゼン、 エ ト ロベンゼン、 ト ノレェン、 キシレンメ チルセ 口 ソルプ、 ェチルセ ロ ソノレブ、 7 等が 挙げられ、 好ま しく は N , N—ジメ チルホルムア ミ ド、 N —メチ ルピロ リ ドンである。 溶媒の使用量はァ リ ール化合物に対し、 通 常 3 〜 5 0重量倍、 好ま しく は 5〜 2 0重量倍である。 反応温度 は、 通常 0 °C〜 2 0 0 °Cで実施され、 好ま しく は 2 0 °C〜 1 2 0 °Cである。
ホ ウ酸化反応は、 既知の方法 （日本化学会編 · 実験化学講座第 4版 2 4卷 6 1 〜 9 0頁や J. Org. Chem. ,Vol .60 , 7508 ( 1995 ) 等） によ り 実施する こ とが可能である。 例えば、 ノ、ロ ゲン化ァ リ ール化合物の リ チォ化も しく はダリ 二ヤール反応を経由する反 応の場合、 通常、 窒素、 アルゴン、 ヘリ ゥム等の不活性雰囲気下 で実施され、反応溶媒と しては不活性溶媒が用いられる。例えば、 ペンタ ン、 へキサン、 ヘプタ ン、 才ク タ ン、 シク 口へキサン等の 飽和炭化水素類、 1 , 2 —ジメ トキシェタン、ジェチルエーテル、 メ チルー t 一ブチルエーテル、 テ ト ラ ヒ ドロフラン、 ジォキサン 等のエーテル類、 ベンゼン、 トルエン、 キシレン等の芳香族炭化 水素類を単一も しく は混合溶媒と して用いるこ とができ、好ま し く はジェチルエーテル、 トルエンである。 溶媒の使用量は、 ハロ ゲン化ァ リ ール化合物に対し通常 3 〜 5 0重量倍、好ま しく は 4 〜 2 0重量倍である。
リ チォ化剤と しては、 例えば、 n —プチルリ チウム、 t——プチ ルリ チウム、 フヱニルリ チウム、 メ チルリ チウム等のアルキル金 属試薬、 リ チウムジイ ソプロ ピルア ミ ド、 リ チウムビス ト リ メチ ルシリ ルア ミ ド等のア ミ ド塩基を用いるこ とができ、好ま しく は n —ブチルリ チウムである。 また、 グリ ニャール試薬は、 ノヽロゲ ン化ァ リ ール化合物と金属マグネシウムの反応によ り 調製する こ とができ る。 ホウ酸化剤であるホ ウ酸 ト リ アルキルと しては、 例えば、 ホウ酸 ト リ メ チル、 ホウ酸 ト リ エチル、 ホウ酸 ト リ イ ソ プロ ピル、 ホウ酸 ト リ プチル等を使用する こ とができ、 好ま しく はホウ酸 ト リ メ チル、 ホウ酸 ト リ イ ソプロ ピルである。
リ チォ化剤及び金属マグネシウムの使用量は、それぞれハロゲ ン化ァ リ ール化合物に対し、 通常 1 〜 1 0モル当量、 好ま しく は 1 〜 2 モル当量であ り 、 ホウ酸 ト リ アルキルの使用量は、 ハロゲ ン化ァ リ ール化合物に対し、 通常 1 〜 1 0 モル当量、 好ま しく は 1 〜 5 モル当量である。 反応温度は、 通常一 1 0 0 〜 5 0 °C、 好 ま しく は一 7 5 〜 1 0 °Cである。
本発明の有機 E L素子は、陰極と陽極間に少なく と も発光層を 含む一層又は複数層からなる有機薄膜層が挟持されている有機 E L素子において、 該有機薄膜層の少なく と も 1層が、 前記有機 E L素子用発光材料又は有機 E L素子用材料を単独も しく は混 合物の成分と して含有する。
前記発光層が、前記有機 E L素子用発光材料又は有機 E L素子 用材料を単独も しく は混合物の成分と して含有する と好ま しレ、。
前記有機薄膜層が、前記有機 E L素子用発光材料又は有機 E L 素子用材料をホス ト材料と して含有する と好ま しい。
また、 本発明の有機 E L素子は、 前記発光層が、 さ らにァ リ ー ルァ ミ ン化合物及び/又はスチ リ ルア ミ ン化合物を含有する と 好ま しい。
スチリ ルァ ミ ン化合物と しては、 下記一般式 （A ) で表される ものが好ま しい。
Figure imgf000036_0001
p
' (A)
(式中、 A r 3 は、 フ エ 二ノレ基、 ビフ エ 二ノレ基、 ターフ ェ 二ノレ基、 ス チルベン基、 ジスチリ ルァ リ ール基から選ばれる基であ り 、 A r 4 及び A r 5 は、 それぞれ水素原子又は炭素数が 6〜 2 0 の复 香族炭化水素環基であ り 、 A r 3 、 A r 4 及び A r 5 は置換され ていても よい。 p は 1〜4の整数である。 さ らに好ま しく は A r 4 又は A r 5 の少な く と も一方はスチ リ ル基で置換されてい る。 ）
こ こで、 炭素数が 6〜 2 0の芳香族炭化水素環基と しては、 フ ェニル基、 ナフチル基、 ア ン トラニル基、 フエナンス リ ル基、 タ 一フエ -ル基等が挙げられる。
ァ リ ールァ ミ ン化合物と しては、 下記一般式 （ B ) で表される ものが好ま しい。
Figure imgf000036_0002
q
(B) (式中、 A I- 6 〜A r 8 は、 置換も しく は無置換の核炭素数 5〜 4 0 のァリーノレ基である。 qは 1〜4 の整数である。 ）
ここで、 核炭素数が 5〜 4 0 のァリ ール基と しては、 例えば、 フエ二ノレ基、 ナフチル基、 ア ン ト ラニル基、 フエナンス リル基、 ピレニル基、 コ ロニノレ基、 ビフエ -ル基、 ターフェ二ノレ基、 ピロ 一リノレ基、フラニル基、チオフェニル基、ベンゾチォ 'フエ二ル基、 ォキサジァゾリ ル基、ジフエ二ルアン ト ラニル基、ィ ン ドリル基、 カルバゾリ ル基、 ピリ ジル基、 ベンゾキノ リ ル基、 フルオランテ 二ノレ基、 ァセナフ ト フノレオランテュル基、 スチノレベン基、 ペ リ レ ニル基、. ク リ セ二ル基、 ピセニル基、 ト リ フエユレ-ル基、 ルビ セニル基、 ベンゾアン ト ラセニル基、 フエ二ルアン ト ラニル基、 ビスア ン トラセニル基、 又は下記一般式 （ C ) , ( D ) で示され るァリール基等が挙げられる。
Figure imgf000037_0001
(一般式 （ C ) において、 r は 1〜 3の整数である。 ） なお、 前記ァ リール基の好ましい置換基と しては、 炭素数 1〜 6 のアルキル基 （ェチル基、 メチル基、 i 一プロ ピル基、 n —プ 口 ピル基、 s —ブチル基、 t —プチノレ基、 ペンチル基、 へキシノレ 基、 シク ロペンチル基、 シク ロへキシル基等） 、 炭素数 1〜 6 の アルコキシ基 （エ トキシ基、'メ トキシ基、 i 一プロポキシ基、 n 一プロ-ポキシ基、 s —ブトキシ基、 t 一ブトキシ基、 ペン トキシ 基、 へキシルォキシ基、 シク ロペン トキシ基、 シク ロへキシノレオ キシ基等） 、 核原子数 5〜 4 0 のァ リール基、 核原子数 5〜 4 0 のァ リ ール基で置換されたアミ ノ基、核原子数 5〜4 0のァリ一 ル基を有する ステル基、炭素数 1〜 6のアルキル基を有するェ ステル基、 シァノ基、 ニ トロ基、 ハロゲン原子等が挙げられる。
A r 5は特に好ましく は、 それぞれ置換も しく は無置換の、 ナフ チル基、 アン トラニル基、 ク リセ二ル基、 ピレニル基、 又は一般式
(D ) で示されるァリール基である。
以下、 本発明の有機 E L素子の素子構成について説明する。
本発明の有機 E L素子の代表的な素子構成と しては、
( 1 ) 陽極ノ発光層 Z陰極
( 2 ) 陽極ノ正孔注入層 Z発光層 Z陰極
( 3 ) 陽極/発光層 Z電子注入層 陰極
( 4 ) 陽極ノ正孔注入層 Z発光層 Z電子注入層 Z陰極
( 5 ) 陽極 Z有機半導体層 Z発光層 Z陰極
( 6 ) 陽極 有機半導体層 Z電子障壁層/発光層 陰極
( 7 ) 陽極ノ有機半導体層/発光層 付着改善層 陰極
( 8 )陽極 z正孔注入層 Z正孔輸送層/発光層/電子注入層 Z陰 極
( 9 ) 陽極 Z絶縁層 Z発光 /絶縁層 陰極
( 1 0 ) 陽極/無機半導体層/絶縁層/発光層/絶縁層/陰極
( 1 1 ) 陽極 有機半導体層/絶縁層 Z発光層/絶縁層 Z陰極
( 1 2 )陽極/絶縁層 Z正孔注入層/正孔輸送層 発光層 絶縁 層/陰極
( 1 3 )陽極 絶縁層ノ正孔注入層/正孔輸送層 発光層/電子 注入層/陰極
などの構造を挙げる こ とができ る。
これらの中で通常 （ 8 ) の構成が好ま しく 用いられるが、 これ らに限定される ものではない。
この有機 E L素子は、 通常透光性の基板上に作製する。 この透 光性基板は有機 E L素子を支持する基板であ り 、その透光性につ いては、 4 0 0 〜 7 0 0 n mの可視領域の光の透過率が 5 0 %以 上である ものが望ま しく 、 さ らに平滑な基板を用いるのが好ま し レヽ 0
このよ う な透光性基板と しては、 例えば、 ガラス板、 合成樹脂 板などが好適に用いられる。 ガラス板と しては、 特にソーダ石灰 ガラス、 バリ ゥム · ス ト ロ ンチウム含有ガラス、 鉛ガラス、 アル ミ ノ ケィ酸ガラス、 ホウケィ酸ガラス、 ノ リ ゥムホウケィ酸ガラ ス、 石英などで成形された板が挙げられる。 また、 合成樹脂 板 と しては、 ポリ カーボネー ト樹脂、 アク リ ル樹脂、 ポリ エチレン テ レフタ レー ト樹脂、 ポリ エーテルサルフアイ ド樹脂、 ポリ サル フォン樹脂などの板か挙げられる。
次に、 陽極は、 正孔を正孔輸送層または発光層に注入する役割 を担う ものであ り 、 4 . 5 e V以上の仕事関数を有する こ とが効 果的である。 本発明に用いられる陽極材料の具体例と しては、 酸 化イ ンジウム錫合金 （ I T O ) 、 酸化錫 （N E S A ) 、 金、 銀、 白金、 銅等が適用できる。 また陰極と しては、 電子輸送層または 発光層に電子を注入する 目的で、仕事関数の小さい材料が好ま し レ、。
陽極はこれらの電極物質を蒸着法ゃスパッタ リ ング法等の方 法で薄膜を形成させるこ とによ り作製する こ とができる。
このよ う に発光層からの発光を陽極から取り 出す場合、陽極の 発光に対する透過率が 1 0 %よ り大き くするこ とが好ましい。ま た陽極のシー ト抵抗は、 数百 Ω /口以下が好ま しい。 陽極の膜厚 は材料にもよるが、 通常 1 Ο η π！〜 1 / m、 好ま しく は 1 0〜 2 0 0 n mの範囲で選択される。
本発明の有機 E L素子においては、 発光層は、
( i ) 注入機能；電界印加時に陽極又は正孔注入層よ り正孔を注 入するこ とができ、陰極又は電子注入層よ り電子を注入するこ と ができる機能
( ii ) 輸送機能 ； 注入した電荷 （電子と正孔） を電界の力で移動 させる機能
(iii) 発光機能 ； 電子と正孔の再結合の場を提供し、 これを発光 につなげる機能
を有する。
この発光層を形成する方法と しては、 例えば蒸着法、 ス ピンコ ー ト法、 L B法等の公知の方法を適用するこ とができる。 発光層 は、 特に分子堆積膜であるこ とが好ま しい。 ここで分子堆積膜と は、 気相状態の材料化合物から沈着され形成された薄膜や、 溶液 状態または液相状態の材料化合物から固体化され形成された膜 のこ とであり 、 通常この分子堆積膜は、 L B法によ り形成された 薄膜 （分子累積膜） とは凝集構造、 高次構造の相違や、 それに起 因する機能的な相違によ り 区分することができる。
また特開昭 5 7 - 5 1 7 8 1号公報に開示されているよ う に、 樹脂等の結着剤と材料化合物とを溶剤に溶かして溶液と した後、 これをスビンコ一ト法等によ り薄膜化するこ とによっても、発光 層を形成することができる。
本発明の目的が損なわれない範囲で、 所望によ り 、 発光層に、 本発明の発光材料以外の他の公知の発光材料を含有させても よ く 、 また、 本発明の発光材料を含む発光層に、 他の公知の発光材 料を含む発光層を積層してもよい。
次に、 正孔注入 ·輸送層は、 発光層への正孔注入を助け、 発光 領域まで輸送する層であって、 正孔移動度が大き く 、 イ オン化工 ネルギ一が通常 5 . 5 e V以下と小さい。 このよ う な正孔注入 . 輸送層と してはよ り低い電界強度で正孔を発光層に輸送する材 料が好ま しく 、 さ らに正孔の移動度が、 例えば 1 04 〜 1 06 V Z c mの電界印加時に、 少なく と も 1 0 -6 c m 2 ノ V · 秒であ るものが好ま しい。 このよ うな材料と しては、 従来、 光導伝材料 において正孔の電荷輸送材料と して慣用されているものや、有機 E L素子の正孔注入層に使用されている公知のものの中から任 意のものを選択して用いることができる。
具体例と しては、 例えば、 ト リ ァゾール誘導体 （米国特許 3， 1 1 2 , 1 9 7号明細書等参照） 、 ォキサジァゾール誘導体 （米 国特許 3， 1 8 9 , 4 4 7号明細書等参照） 、 イ ミ ダゾール誘導 体 （特公昭 3 7 - 1 6 0 9 6号公報等参照） 、 ポリ アリールアル カ ン誘導体 （米国特許 3， 6 1 5 , 4 0 2号明細書、 同第 3 , 8 2 0， 9 8 9号明細書、 同第 3， 5 4 2 , 5 4 4号明細書、 特公 昭 4 5 - 5 5 5号公報、 同 5 1 — 1 0 9 8 3号公報、 特開昭 5 1 一 9 3 2 2 4号公報、 同 5 5 - 1 7 1 0 5号公報、 同 5 6 — 4 1 4 8号公報、 同 5 5 — 1 0 8 6 6 7号公報、 同 5 5 — 1 5 6 9 5 3号公報、 同 5 6 — 3 6 6 5 6号公報等参照） 、 ビラゾリ ン誘導 体およびピラゾロ ン誘導体 .（米国特許第 3， 1 8 0， 7 2 9号明 細書、 同第 4 , 2 7 8 , 7 4 6号明細書、 特開昭 5 5 — 8 8 0 6 4号公報、 同 5 5 — 8 8 0 6 5号公報、 同 4 9 一 1 0 5 5 3 7号 公報、 同 5 5 — 5 1 0 8 6号公報、 同 5 6 — 8 0 0 5 1号公報、 同 5 6 — 8 8 1 4 1号公報、 同 5 7 — 4 5 5 4 5号公報、 同 5 4 — 1 1 2 6 3 7号公報、 同 5 5 — 7 4 5 4 6号公報等参照） 、 フ ェニ レンジァミ ン誘導体 （米国特許第 3 , 6 1 5 , 4 0 4号明細 書、 特公昭 5 1 — 1 0 1 0 5号公報、 同 4 6 - 3 7 1 2号公報、 同 4 7 - 2 5 3 3 6号公報、 特開昭 5 4 — 5 3 4 3 5号公報、 同 5 4 - 1 1 0 5 3 6号公報、 同 5 4 — 1 1 9 9 2 5号公報等参 照） 、 ァ リールァミ ン誘導体 （米国特許第 3， 5 6 7 , 4 5 0号 明細書、 同第 3 , 1 8 0， 7 0 3号明細書、 同第 3 , 2 4 0 , 5 9 7号明細書、 同第 3 , 6 5 8， 5 2 0号明細書、 同第 4， 2 3 2， 1 0 3号明細書、 同第 4， 1 7 5， 9 6 1 号明細書、 同第 4 , 0 1 2 , 3 7 6号明細書、 特公昭 4 9 - 3 5 7 0 2号公報、 同 3 9 - 2 7 5 7 7号公報、 特開昭 5 5 - 1 4 4 2 5 0号公報、 同 5 6 - 1 1 9 1 3 2号公報、 同 5 6 - 2 2 4 3 7号公報、 西独特許 第 1 , 1 1 0 , 5 1 8号明細書等参照） 、 ァミ ノ置換カルコン誘 導体 （米国特許第 3， 5 2 6 , 5 0 1号明細書等参照） 、 ォキサ ゾール誘導体 （米国特許第 3 , 2 5 7， 2 0 3号明細書等に開示 の もの） 、 スチリルアン トラセン誘導体 （特開昭 5 6 - 4 6 2 3 4号公報等参照） 、 フルォレノ ン誘導体 （特開昭 5 4 — 1 1 0 8
3 7号公報等参照）、 ヒ ドラ ゾン誘導体（米国特許第 3 , 7 1 7，
4 6 2号明細書、 特開昭 5 4 - 5 9 1 4 3号公報、 同 5 5 - 5 2 0 6 3号公報、 同 5 5 - 5 2 0 6 4号公報、 同 5 5 — 4 6 7 6 0 号公報、同 5 5 - 8 5 4 9 5号公報、同 5 7 — 1 1 3 5 0号公報、 同 5 7 — 1 4 8 7 4 9号公報、特開平 2 — 3 1 1 5 9 1号公報等 参照） 、 スチルベン誘導体 （特開昭 6 1 — 2 1 0 3 6 3号公報、 同第 6 1 - 2 2 8 4 5 1号公報、 同 6 1 — 1 4 6 4 2号公報、 同 6 1 — 7 2 2 5 5号公報、 同 6 2 — 4 7 6 4 6号公報、 同 6 2 — 3 6 6 7 4号公報、 同 6 2 — 1 0 6 5 2号公報、 同 6 2 — 3 0 2
5 5号公報、 同 6 0 - 9 3 4 5 5号公報、 同 6 0 — 9 4 4 6 2号 公報、 同 6 0 — 1 7 4 7 4 9号公報、 同 6 0 — 1 7 5 0 5 2号公 報等参照） 、 シラザン誘導体 （米国特許第 4 , 9 5 0 , 9 5 0号 明細書） 、 ポリ シラン系 （特開平 2 — 2 0 4 9 9 6号公報） 、 ァ 二リ ン系共重合体 （特開平 2 — 2 8 2 2 6 3号公報） 、 特開平 1 一 2 1 1 3 9 9号公報に開示されている導電性高分子オリ ゴマ 一 （特にチォフェンオリ ゴマー） 等を挙げるこ とができる。
正孔注入層の材料と しては上記のものを使用するこ とができ るが、 ポルフ ィ リ ン化合物 （特開昭 6 3 - 2 9 5 6 9 6 5号公報 等に開示のもの） 、 芳香族第三級ァミ ン化合物おょぴスチリルァ ミ ン化合物 （米国特許第 4， 1 2 7 , 4 1 2号明細書、 特開昭 5 3 - 2 7 0 3 3号公報、 同 5 4 — 5 8 4 4 5号公報、 同 5 4 — 1 4 9 6 3 4号公報、 同 5 4 — 6 4 2 9 9号公報、 同 5 5 — 7 9 4 5 0号公報、 同 5 5 — 1 4 4 2 5 0号公報、 同 5 6 — 1 1 9 1 3 2号公報、 同 6 1 — 2 9 5 5 5 8号公報、 同 6 1 一 9 8 3 5 3号 公報、 同 6 3 - 2 9 5 6 9 5号公報等参照） 、 特に芳香族第三級 ァミ ン化合物を用いるこ とが好ま しい。
また米国特許第 5， 0 6 1 , 5 6 9号に記載されている 2個の縮 合芳香族環を分子内に有する、 例えば 4 , 4 ' 一ビス （ N— （ 1 一ナフチル） 一 N—フエニルァミ ノ） ビフエニル （以下 N P D と 略記する） 、 また特開平 4 — 3 0 8 6 8 8号公報に記載されてい る ト リ フエニルァ ミ ンュニッ トが 3つス ターバース ト型に連結 された 4， 4 ' , 4 " ー ト リ ス （N— ( 3 —メ チルフエニル） 一 N—フ エ -ルア ミ ノ ） ト リ フ エニルア ミ ン （以下 MT D A T Aと 略記する） 等を挙げるこ とができる。
また、発光層の材料と して示した前述の芳香族ジメチリディ ン 系化合物の他、 p型 S i 、 p型 S i C等の無機化合物も正孔注入 層の材料と して使用するこ とができる。 正孔注入、 輸送層は上述した化合物を、 例えば真空蒸着法、 ス ピンコー ト法、 キャス ト法、 L B法等の公知の方法によ り薄膜化 するこ とによ り形成するこ とができる。 正孔注入、 輸送層と して の膜厚は特に制限はないが、 通常は 5 n m〜 5 ； u mである。 この 正孔注入、輸送層は正孔輸送帯域に本発明の化合物を含有してい れば、上述した材料の一種または二種以上からなる一層で構成さ れてもよいし、 または前記正孔注入、 輸送層とは別種の化合物か らなる正孔注入、 輸送層を積層したものであってもよい。
また、有機半導体層は発光層への正孔注入または電子注入を助 ける層であって、 1 0— O S Z c m以上の導電率を有するものが 好適である。 このよ うな有機半導体層の材料と しては、 含チオフ ヱ ンオリ ゴマーゃ特開平 8 — 1 9 3 1 9 1号公報に開示してあ る含ァリールァミ ンオリ ゴマ一等の導電性オリ ゴマー、含ァリ ー ルアミ ンデン ドリ マー等の導電性デン ドリ マー等を用いるこ と ができる。
次に、 電子注入層 · 輸送層は、 発光層への電子の注入を助け、 発光領域まで輸送する層であって、 電子移動度が大き く 、 また付 着改善層は、こ の電子注入層の中で特に陰極との付着が良い材料 からなる層である。 電子注入層に用いられる材料と しては、 8 — ヒ ドロキシキノ リ ンまたはその誘導体の金属錯体ゃォキサジァ ゾール誘導体が好適である。上記 8—ヒ ドロキシキノ リ ンまたは その誘導体の金属錯体の具体例と しては、 ォキシン （一般に 8 _ キノ リ ノール又は 8 —ヒ ドロキシキノ リ ン）のキレー トを含む金 属キレー トォキシノィ ド化合物、 例えばト リス （ 8 —キノ リ ノ一 ル） アルミニウムを電子注入材料と して用いるこ とができる。
一方、 ォキサジァゾール誘導体と しては、 以下の一般式で表さ れる電子伝達化合物が挙げられる。
Figure imgf000045_0001
(式中 A r 1', A r 2', A r 3', A r 5'， A r 6', A r 9'はそれぞれ 置換または無置換のァ リ一ル基を示し、それぞれ互いに同一であ つても異なっていてもよい。 また A r 4'， A r 7', A r 8'は置換ま たは無置換のァ リ一レン基を示し、それぞれ同一であっても異な つていても よい） .
こ こでァ リ ール基と してはフ エ二ノレ基、 ビフ エ二ル基、 アン ト ラニル基、 ペリ レ -ル基、 ピレ -ル基が挙げられる。 またァ リ ー レン基と してはフ エ二レン基、 ナフチ レン基、 ビフエ二 レン基、 ア ン ト ラニレ ン基、 ペリ レニ レン基、 ピレニ レン基などが挙げら れる。 また置換基と しては炭素数 1〜 1 0 のアルキル基、 炭素数 1〜 1 0 のアルコキシ基またはシァノ基等が挙げられる。 この電 子伝達化合物は薄膜形成性のものが好ま しい。
上記電子伝達性化合物の具体例と しては下記のものを挙げる こ と ができ る。
Figure imgf000046_0001
本発明の有機 E L素子の好ま しい形態に、電子を輸送する領域 または陰極と有機層の界面領域に、還元性ドーパン トを含有する 素子がある。 ここで、 還元性ドーパン ト とは、 電子輸送性化合物 を還元ができる物質と定義される。 したがって、 一定の還元性を 有するものであれば、 様々なものが用いられ、 例えば、 アルカ リ 金属、 アルカ リ 土類金属、 希土類金属、 アルカ リ金属の酸化物、 アルカ リ金属のハロゲン化物、 アルカ リ土類金属の酸化物、 アル カ リ土類金属のハロゲン化物、希土類金属の酸化物または希土類 金属のハロゲン化物、 アルカ リ金属の有機錯体、 アルカ リ 土類金 属の有機錯体、希土類金属の有機錯体からなる群から選択される 少なく と も一つの物質を好適に使用するこ とができる。
また、 よ り具体的に、 好ましい還元性 ドーパン ト と しては、 N a (仕事関数： 2 . 3 6 e V ) 、 ： (仕事関数： 2 . 2 8 e V ) N R b (仕事関数 ： 2 . 1 6 e V ) および C s (仕事関数 ： 1 . 9 5 e V)からなる群から選択される少なく とも一つのアルカリ金 属ゃ、 C a (仕事関数 ： 2. 9 e V) 、 S r (仕事関数 ： 2. 0 〜 2 . 5 e V) 、 および B a (仕事関数 ： 2 . 5 2 e V) 力 らな る群から選択される少なく と も一つのアルカ リ 土類金属が挙げ られる仕事関数が 2 . 9 e V以下のものが特に好ま しい。 これら の う ち、 よ り好ま しい還元性ドーパン トは、 K、 R bおよび C s からなる群から選択される少なく と も一つのアル力 リ 金属であ り 、さ らに好ま しく は、 R bまたは C s であり 、最も好ま しのは、 C s である。 これらのアルカ リ金属は、 特に還元能力が高く 、 電 子注入域への比較的少量の添加によ り、有機 E L素子における発 光輝度の向上や長寿命化が図られる。 また、 仕事関数が 2. 9 e V以下の還元性 ドーパン ト と して、これら 2種以上のアル力 リ金 属の組合わせも好ま しく 、 特に、 C s を含んだ組み合わせ、 例え ば、 C s と N a 、 C s と K、 C s と R b あるレヽは C s と N a と Κ との組み合わせであるこ とが好ま しい。 C s を組み合わせて含む こ とによ り 、 還元能力を効率的に発揮するこ とができ、 電子注入 域への添加によ り、有機 E L素子における発光輝度の向上や長寿 命化が図られる。
本発明においては陰極と有機層の間に絶縁体や半導体で構成 される電子注入層をさ らに設けても良い。 この時、 電流のリーク を有効に防止して、 電子注入性を向上させるこ とができる。 この よ うな絶縁体と しては、 アル力 リ金属カルコゲナイ ド、 アル力 リ 土類金属カルコゲナイ ド、アル力 リ金属のハロゲン化物およびァ ルカ リ 土類金属のハロゲン化物からなる群から選択される少な く とも一つの金属化合物を使用するのが好ましい。電子注入層が これらのアル力 リ金属カルコゲナイ ド等で構成されていれば、電 子注入性をさ らに向上させる こ とができ る点で好ま しい。具体的 に、 好ま しいアルカ リ 金属カルコゲナイ ドと しては、 例えば、 L i 2〇、 L i 〇、 N a 2S 、 N a 2 S e および N a Oが挙げられ、 好ま しレ、アルカ リ 土類金属カルコゲナイ ドと しては、 例えば、 C a Oヽ B a O、 S r 〇、 B e O、 B a S、 およぴ C a S e 力 S挙げ られる ο また、 好ま しいアル力 リ 金属のハロゲン化物と しては、 例えばヽ L i F、 N a F、 K F、 L i C l 、 K C 1 および N a C
1 等が挙げられる。 また、 好ま しいアル力 リ 土類金属のハロゲン 化物と しては、 例えば、 C a F 2 、 B a F 2 、 S r F 2 、 M g F
2 およぴ B e F 2 といったフッ化物や、 フッ化物以外のハロゲン 化物が挙げられる。
またヽ 電子輸送層を構成する半導体と しては、 B a 、 C a 、 S r 、 Y b 、 A l 、 G a 、 I n、 L i 、 N a 、 C d、 M g 、 S i 、 T a 、 S bおよび Z n の少なく と も一つの元素を含む酸化物、 窒 化物または酸化窒化物等の一種単独または二種以上の組み合わ せが挙げられる。 また、 電子輸送層を構成する無機化合物が、 微 結晶または非晶質の絶縁性薄膜である こ とが好ま しい。電子輸送 層がこれらの絶縁性薄膜で構成されていれば、よ り 均質な薄膜が 形成されるために、ダークスポッ ト等の画素欠陥を減少させる こ とができ る。 なお、 このよ う な無機化合物と しては、 上述したァ ルカ リ 金属カルコゲナイ ド、 アルカ リ土類金属カルコゲナイ ド、 アル力 リ 金属のハロゲン化物およびアル力 リ 土類金属のハロゲ ン化物等が挙げられる。
次に、 陰極と しては、 仕事関数の小さい （ 4 e V以下） 金属、 合金、電気伝導性化合物及びこれらの混合物を電極物質とする も のが用いられる。 このよ う な電極物質の具体例と しては、 ナ ト リ ゥム， ナ ト リ ウム一カ リ ウム合金、 マグネシウム， リ チウム， マ グネシゥム .銀合金， アルミニウム Z酸ィヒアルミニウム， A 1 / L i 2〇， A 1 / L i O 2 , A l / L i F , アルミ ニウム ' リ チ ゥム合金， イ ンジウム， 希土類金属などが挙げられる。
この陰極はこれらの電極物質を蒸着ゃスパッタ リ ング等の方 法によ り薄膜を形成させることによ り 、 作製するこ とができる。
こ こで、 発光層からの発光を陰極から取り 出す場合、 陰極の発 光に対する透過率は 1 0 %よ り大きくすることが好ま しい。また、 陰極と してのシー ト抵抗は数百 Ω Ζ口以下が好ま しく 、 さ らに、 月莫厚は通常 1 0 n m〜 l i m、好ましく は 5 0〜 2 0 0 n mであ る。
また、 一般に、 有機 E L素子は、 超薄膜に電界を印可するため に、 リークやショー トによる画素欠陥が生じやすい。 これを防止 するために、 一対の電極間に絶縁性の薄膜層を挿入しても良い。
絶縁層に用いられる材料と しては、例えば、酸化アルミニウム、 弗化リチウム、 酸化リ チウム、 弗化セシウム、 酸化セシウム、 酸 化マグネシウム、 弗化マグネシウム、 酸化カルシウム、 弗化カル シゥム、 窒化アルミニウム、 酸化チタン、 酸化珪素、 酸化ゲルマ 二ゥム、 窒化珪素、 窒化ホウ素、 酸化モリ プデン、 酸化ルテニゥ ム、 酸化バナジウム等が挙げられる。 これらの混合物や積層物を 用いてもよい。
次に、 本発明の有機 E L素子を作製する方法については、 例え ば上記の材料及び方法によ り 陽極、 発光層、 必要に応じて正孔注 入層、 及び必要に応じて電子注入層を形成し、 最後に陰極を形成 すればよい。 また、 陰極から陽極へ、 前記と逆の順序で有機 E L 素子を作製するこ と もできる。
以下、 透光性基板上に、 陽極ノ正孔注入層/発光層 電子注入 層 陰極が順次設けられた構成の有機 E L素子の作製例につい て説明する。
まず、 適当な透光性基板上に、 陽極材料からなる薄膜を 1 μ m 以下、 好ま しく は 1 0〜 2 0 0 n mの範囲の膜厚になるよ う に、 蒸着法あるいはスパッタ リ ング法によ り形成し、 陽極とする。 次 に、 この陽極上に正孔注入層を設ける。 正孔注入層の形成は、 前 述したよ う に真空蒸着法、 ス ピンコー ト法、 キャス ト法、 L B法 等の方法によ り行う こ とができるが、 均質な膜が得られやすく 、 かつピンホールが発生しにく い等の点から真空蒸着法によ り形 成するこ とが好ま しい。真空蒸着法によ り正孔注入層を形成する 場合、 その蒸着条件は使用する化合物 （正孔注入層の材料） 、 目 的とする正孔注入層の結晶構造や再結合構造等によ り異なる力 一般に蒸着源温度 5 0〜 4 5 0 °C、 真空度 1 0 - 7〜 1 0 t o r r 、蒸着速度 0 . 0 1 〜 5 0 n m /秒、基板温度一 5 0〜 3 0 0 °C 膜厚 5 n rr！〜 5 / mの範囲で適宜選択するこ とが好ま しい。
次に、 この正孔注入層上に発光層を設ける。 この発光層の形成 も、本発明に係る発光材料を用いて真空蒸着法、スパッタ リ ング、 ス ピンコー ト法、 キャス ト法等の方法によ り 、 発光材料を薄膜化 するこ とによ り形成できるが、 均質な膜が得られやすく 、 かつピ ンホールが発生しにく い等の点から真空蒸着法によ り形成する こ とが好ま しい。 真空蒸着法によ り発光層を形成する場合、 その 蒸着条件は使用する化合物によ り異なるが、一般的に正孔注入層 の形成と同様な条件範囲の中から選択するこ とができる。膜厚は 1 0〜 4 0 n mの範囲が好ましい。
次に、 この発光層上に電子注入層を設ける。 この場合にも正孔 注入層、 発光層と同様、 均質な膜を得る必要から真空蒸着法によ り形成するこ とが好ま しい。 蒸着条件は正孔注入層、 発光層と同 様の条件範囲から選択することができる。 そして、最後に陰極を積層して有機 E L素子を得ることができ る。 陰極は金属から構成されるもので、 蒸着法、 スパッ タ リ ング を用いることができる。 しかし、 下地の有機物層を製膜時の損傷 から守るためには真空蒸着法が好ましい。
以上の有機 E L素子の作製は、 一回の真空引きで、 一貫して陽 極から陰極まで作製するこ とが好ましい。
本発明の有機 E L素子の各層の形成方法は特に限定されない。 従来公知の真空蒸着法、ス ピンコーティ ング法等による形成方法 を用いるこ とができる。 本発明の有機 E L素子に用いる、 前記一 般式 （ 1 ) で示される化合物を含有する有機薄膜層は、 真空蒸着 法、 分子線蒸着法 （M B E法） あるいは溶媒に解かした溶液のデ イ ツ ビング法、 ス ピンコーティ ング法、 キャステ ィ ング法、 バー コー ト法、ロールコー ト法等の塗布法による公知の方法で形成す るこ とができる。
本発明の有機 E L素子の各有機層の膜厚は特に制限されない が、 ピンホール等の欠陥や、 効率を良くするため、 通常は数 n m から 1 μ mの範囲が好ま しい。
なお、 有機 E L素子に直流電圧を印加する場合、 陽極を十、 陰 極を一の極性にして、 5 〜 4 0 Vの電圧を印加すると発光が観測 できる。 また逆の極性で電圧を印加しても電流は流れず、 発光は 全く 生じない。 さ らに交流電圧を印加した場合には陽極が +、 陰 極が一の極性になった時のみ均一な発光が観測される。印加する 交流の波形は任意でよい。
【実施例】
次に、 本発明を実施例によ り さ らに詳細に説明するが、 本発明 は、 これらの例によってなんら限定されるものではない。
合成例 1 ( 1 一プロモ一 4 —フエ二ルナフタ レンの合成） 市貝反の 1 , 4 一ジブ口モナフタ レン 15g 、 フエ二ノレボロ ン酸 7.7g 、 及びテ トラキス ト リ フエニルホスフ ィ ンパラジウム 1.8g を混合し、 アルゴン置換した。 トルエ ン 200ml 、 及び 2 M 炭酸 ナ ト リ ウム水溶液 90mlを加え、 7時間加熱還流した。
放冷後、 トルエンで有機層を抽出し、 水 ·飽和食塩水で洗浄し た。有機層を無水硫酸ナ ト リ ゥムで乾燥した後、溶媒を留去した。 生成物をシリ 力ゲルカ ラムク ロマ ト グラフィ 一にて精製する こ と によ り 、 目的の 1 —ブロモー 4 一フ エニルナフタ レン 8.9g (収 率 60 % ) を白色結晶と して得た。 合成例 2 ( 1 —プロモー 4 _ (ナフタ レン一 2 —ィ ノレ） ナフタ レ ンの合成）
合成例 1 において、フエニルボロン酸の代わり に 2 —ナフタ レ ンボロン酸を用いた以外は同様の方法によ り 、 目的の 1 一ブロモ 一 4 一 （ナフタ レン一 2 —ィノレ） ナフタ レン 7.5g (収率 43% ) を 白色結晶と して得た。 合成例 3 ( 2 - ( ビフ エ ニノレー 2 —ィ ル） 一 6 —ブロモナフタ レ ンの合成）
市販の 2， 6 —ジブ口モナフタ レン 15g , 2 — ビフエ -ルポ ロ ン酸 12.5g、及ぴテ ト ラキス ト リ フエニルホスフィ ンパラジゥ ム 1.8gを混合し、 アルゴン置換した。 トルエ ン 250ml 、 及び 2 M 炭酸ナ ト リ ゥム水溶液 90mlを加え、 7時間加熱還流した。
放冷後、 トルエ ンで有機層を抽出し、 水 ·飽和食塩水で洗浄し た。有機層を無水硫酸ナ ト リ ウムで乾燥した後、溶媒を留去した。 生成物をシリ 力ゲルカ ラムク ロマ ト グラフィ 一にて精製する こ と によ り 、 目的の 2 _ (ビフエ二ルー 2 —ィル） 一 6 —プロモナ フタ レン 10.9g (収率 58%) を白色結晶と して得た。 合成例 4 ( 9 一 (ナフ タ レン一 2 —ィル) アン トラセンの合成） 9 一ブロモアン ト ラセン 22.5g ， 2—ナフ タ レンボロ ン酸 15. 8g 、 及びテ ト ラキス ト リ フ エニルホス フ ィ ンパラジゥム 2.0gを 混合し、 アルゴン置換した。 トルエン 150ml 、 及び 2 M 炭酸ナ ト リ ウム水溶液 140ml を加え、 7時間加熱還流した。
放冷後、 析出晶を濾別しエタノール， トルエンにて洗浄した。 得られた結晶を トルエンから再結晶、ろ過 ·乾燥するこ とによ り 、 目 的の 9 一 （ナフタ レン一 2 —ィル） アン ト ラセン 23.1g を得た (収率 87%) 。 合成例 5 ( 9 ーブロモー 1 0 ― (ナフタ レン一 2 —ィノレ） アン ト ラセンの合成）
9 一（ナフタ レン一 2 —ィル）アン ト ラセン 23.1g を DMF (シ メチルホルムアミ ド） 250ml に分散し、 室温で N B S ( —ブ 口モス ク シンイ ミ ド） 14.9g DM F溶液 （150ml ) を滴下した。 室温で 7時間攪拌した後、 一晩放置した。 水 200ml を加え、 析 出晶を濾別、 エタノールで十分に洗浄、 乾燥するこ とによ り 、 目 的の 9 ーブロモー 1 0— (ナフタ レン一 2 —ィル） アン ト ラセン 28.8g をベージュ色結晶と して得た （収率 99%) 。 合成例 6 ( 1 0 — (ナフタ レン一 2—ィノレ） アン ト ラセン一 9 一 ポロン酸の合成）
アルゴン雰囲気下、 9 一ブロモ— 1 0— (ナフタ レン一 2 —ィ ル） アン ト ラセン 28.8g に脱水 トルェン 150ml 、 脱水エーテル 1 50ml を加え、 — 63°Cに冷却した。 1.58M—ノ ルマルプチルリ チ ゥムへキサン溶液 58mlを滴下し、 _ 63°Cで 30分間攪拌後、一 10°C まで昇温した。 再び一 70 °Cまで冷却し、 ボロ ン酸 ト リ メ チルェ ステル 23.4ml脱水エーテル溶液を徐々に滴下した。 一 70°Cにて 2時間攪拌した後、 徐々 に室温まで昇温した。 一晩放置後、 10 % 塩酸水溶液で酸性化し、 トルエンで 2回抽出 した。 有機層を飽和 食塩水で洗浄し、無水硫酸ナ ト リ ゥムで乾燥した。溶媒を留去し、 トルエン/へキサンから結晶化、 ろ過 ' 乾燥する こ とで目的の 1
0 —（ ナフタ レン一 2 —ィ ノレ）アン ト ラセン一 9 一ポロ ン酸 17g をベージュ色結晶と して得た （収率 65 % ) 。 合成例 7 ( 9 —フ エナンス レンボロ ン酸の合成）
9 —ブロ モフ エナンス レン 38.6g に脱水 トルエン 80ml、 脱水 T H F (テ トラ ヒ ドロ フラ ン） 160ml を加え、 一40°Cに冷却し た。 1.58Mノルマルプチルリ チウムへキサン溶液 106ml を滴下 し、 一 40°Cで 3 0分間攪拌後、 一 10°Cまで昇温した。 再び一 70°C まで冷却し、 ボロ ン酸 ト リ メ チルエステル 50.0ml脱水 T H F溶 液を徐々 に滴下した。 一 70 °Cにて 2 時間攪拌した後、 徐々 に室 温まで昇温した。 ー晚放置後、 10 %塩酸水溶液 100ml を加えて 攪拌し、 トルエンで 2 回抽出した。有機層を飽和食塩水で洗浄し、 無水硫酸ナ ト リ ゥムで乾燥した。 溶媒を留去し、 トルエン Zへキ サンから結晶化、 ろ過 ' 乾燥するこ とで目的の 9 —フエナンス レ ンボロ ン酸 21.5 g を淡茶色結晶と して得た （収率 64 % ) 。 合成例 8 ( 1 0 - (フ エナンス レン一 9 一ィル） アン ト ラセン一 9 一ボ ロ ン酸の合成）
合成例 4〜 6 において、出発原料と して 2 —ナフタ レンボロ ン 酸の代わり に 9 一フエナンス レンボロ ン酸を用いた以外は、同様 の方法によ り 1 0 — （フ エナンス レン一 9 —ィル） アン ト ラセン 一 9 一ボロン酸を合成した。 製造例 1 (化合物 AN 7の合成）
1 一プロモー 4一フエ -ルナフタ レン 5.0g , 1 0 — (ナフタ レン一 2 —ィル） アン トラセン一 9 ーボロン酸 7.38g 、 及びテ ト ラキス ト リ フ エ -ノレホス フ ィ ンパラジゥム 0.61g を混合し、ァノレ ゴン置換した。 DME (ジメ ト キシェタ ン） 100ml 及び 2 M 炭 酸ナ ト リ ウム水溶液 30ml を加え、 10時間加熱還流した。
放冷後、 析出晶を濾別し、 水、 メ タノール， トルエンにて洗浄 した。 得られた結晶を トルエンから再結晶、 ろ過 ··乾燥するこ と によ り、 目的の化合物 AN 7 6.37gをク リーム色結晶と して得た (収率 71%) 。
こ の化合物の； FD - MS (フ ィ ール ドディ ソープシ ョ ンマス分 析） は、 C4oH26 = 5 0 6 に対し、 m Z z (測定値） = 5 ◦ 6であ るこ とから、 目的化合物であると確認した。 製造例 2 (化合物 A N 8の合成）
製造例 1 におレ、て、 1 一プロモー 4一フ エ -ルナフタ レンの代 わ り に 1 一プロモ一 4 一 (ナフタ レン一 2 —ィノレ） ナフタ レンを 用いた以外は、同様の方法によ り 目的の化合物 A N 8 をク リーム 色結晶と して得た （収率 63% ) 。
こ の化合物の FD - MSは、
Figure imgf000055_0001
5 5 6 に対し、 πιΖ ζ - δ 5 6 であるこ とから、 目的化合物である と確認した。 製造例 3 (化合物 A N 1 1 の合成）
製造例 1 において、 1 一プロモー 4—フエ二ルナフタ レンの代 わ り に 2 —ブロモナフタ レンを、 1 0 —（ナフタ レン一 2 —ィ ノレ） ア ン ト ラセン一 9 一ボロ ン酸の代わり に 1 0 — （フ エナンス レン 一 9 一ィル） アン ト ラセン一 9 一ボロ ン酸を用いた以外は、 同様 の方法によ り 目 的の化合物 A N 1 1 をク リ ーム色結晶 と して得 た （収率 67%) 。
こ の化合物の FD - MSは、 C38H24 = 4 8 0 に対し、 m/ z = 4 8 0 を与えた。 製造例 4 (化合物 A N 1 3 の合成）
製造例 1 において、 1 —プロモ一 4 一フエ二ルナフタ レンの代 わ り に 2 —（ビフエ二ルー 2 —ィノレ）一 6 —ブロモナフタ レンを、 1 0 - (ナフタ レン一 2 —ィル) アン ト ラセン一 9 —ボロ ン酸の 代わり に 1 0 — (フ エナンス レン一 9 —ィ ル） アン ト ラセン一 9 一ボロ ン酸を用いた以外は、'同様の方法によ り 目的の化合物 A N 1 3 をク リ ーム色結晶と して得た （収率 67 % ) 。
この化合物の FD - MSは、 C5oH32 = 6 3 2 に対し、 m/ z = 6 3 2 を与えた。 製造例 5 (化合物 A N 4 4の合成）
製造例 1 において、 1 —ブロモー 4 一フエ二ルナフタ レンの代 わ り に 1 —プロモナフタ レンを用いた以外は、同様の方法によ り 目的の化合物 A N 4 4 をク リ ーム色結晶 と して得た （収率 69% ) こ の化合物の FD - MSは、 C34H22 = 4 3 0 に対し、 m/ z = 4 3 0 を与えた。 製造例 6 (化合物 A N 6 の合成）
製造例 1 において、 1 —プロモ一 4 一フエ二ルナフタ レンの代 わり に 2—ブロモ一 6 —フエ二ルナフタ レンを用いた以外は、同 様の方法によ り 目的の化合物 A N 6 をク リ ーム色結晶と して得 た （収率 54%) 。
この化合物の FD - MSは、
Figure imgf000057_0001
5 0 6 を与えた。 製造例 7 (化合物 AN 1 2の合成）
製造例 1 におレ、て、 1 ーブロモー 4—フエ -ルナフタ レンの代 わ り に 2 —ブロモー 6—フエ二ルナフタ レンを、 1 0 - (ナフタ レン一 2 —ィ ノレ） ア ン トラセ ン一 9 一ボロン酸の代わ り に 1 0 — (フエナンス レン一 9 —ィル）アン ト ラセン一 9 —ポロン酸用い た以外は、同様の方法によ り 目的の化合物 A N 1 3 をク リーム色 結晶と して得た （収率 60%) 。
このィ匕合物の FD - MSは、
Figure imgf000057_0002
5 5 6 を与えた。 実施例 1 (有機 E L素子の製造）
2 5 m m X 7 5 m m X 1 . 1 mm厚の I T O透明電極付きガラ ス基板 （ジォマティ ック社製） をイ ソプロ ピルアルコール中で超 音波洗浄を 5分間行なった後、 U Vオゾン洗浄を 3 0分間行なつ た。洗浄後の透明電極ライン付きガラス基板を真空蒸着装置の基 板ホルダーに装着し、まず透明電極ラインが形成されている側の 面上に前記透明電極を覆う よ う にして膜厚 6 0 n mの下記 N , N ' 一 ビス （N, N， 一ジフエ二ルー 4ーァミ ノ フエニル） 一 N , N—ジフエニル,一 4， 4 ' —ジア ミ ノ ー 1 , 1 ， 一ビフエニル膜
(以下「T P D 2 3 2膜」） を成膜した。 この T P D 2 3 2膜は、 正孔注入層と して機能する。 次に、 この T P D 2 3 2膜上に膜厚 2 0 n mの下記 N , N， N， , N ' ーテ トラ （ 4 —ビフエ二ノレ） —ジアミ ノ ビフエ二レン層 （以下 「 T B D B層」 ） を成膜した。 この膜は正孔輸送層と して機能する。さ らに膜厚 4 0 11 niの前記 化合物 A N 7 を蒸着し成膜した。 同時に発光材料と して、 下記の スチリル基を有するァミ ン化合物 D 1 を A N 7に対し、重量比 A N 7 ： D 1 = 4 0 ： 3で蒸着した。 この膜は、 発光層と して機能 する。 この膜上に膜厚 1 0 n mの A l q膜を成膜した。 これは、 電子注入層と して機能する。 この後、 還元性ドーパン トである L i ( L i 源：サエスゲッター社製）と下記 A 1 q を二元蒸着させ、 電子注入層 （又は陰極） と して A 1 q ： L i 膜 （膜厚 1 0 n m ) を形成した。 この A l q : L i 膜上に金属 A 1 を蒸着させ金属陰 極を形成し有機 E L素子を作製した。
得られた有機 E L素子について、 発光効率を測定し、 さ らに初 期輝度を 1 0 0 0 n i t と して半減寿命を測定した。その結果を 表 1 に示す。
Figure imgf000058_0001
TPD232 TBDB
Figure imgf000059_0001
Dl Alq 実施例 2〜 7 (有機 E L素子の製造）
実施例 1 において、発光層の材料と して化合物 AN 7の代わり に表 1 に記載の化合物を用いた以外は同様にして有機 E L素子 を作製し、実施例 1 と同様にして発光効率及び半減寿命を測定し た。 それらの結果を表 1 に示す。 実施例 8 (有機 E L素子の製造）
実施例 1 において、発光層の材料と して化合物 AN 7の代わり に AN 1 1 を、アミン化合物 D 1の代わり にアミン化合物 D 2を用い た以外は同様にして有機 E L素子を作成し、実施例 1 と同様にして 発光効率及び半減寿命を測定した。 それらの結果を表 1 に示す。
Figure imgf000059_0002
比較例 1
実施例 1 において、発光層の材料と して化合物 A N 7の代わり に下記 a n 1 を用いた以外は同様に して有機 E L素子を作製し、 実施例 1 と 同様にして発光効率及び半減寿命を測定した。それら の結果を表 1 に示す。
Figure imgf000060_0001
an 表 1
Figure imgf000060_0002
表 1 に示したよ う に、 実施例 1 〜 8 の有機 E L素子は、 比較例 1 の素子に対して、 発光効率が高く 、 長寿命であった。

Claims

O 2005/061656 請求の範囲
1 . 下記一般式 （ 1 ) で表される非対称アン トラセン誘導体から なる有機エ レク トロルミ ネ ッセンス素子用発光材料。
Figure imgf000061_0001
(式中、 Ai 及び A2 は、 それぞれ独立に、 置換も しくは無置換 の核炭素数 1 0〜 2 0の縮合芳香族炭化水素環基である。
A r 1 及び A r 2 は、 それぞれ独立に、 水素原子、 又は置換も しく は無置換の核炭素数 6 〜 5 0の芳香族炭化水素環棊である。
R 1 〜 R8は、 それぞれ独立に、 水素原子、 置換も しく は無置 換の核炭素数 6〜 5 0の芳香族炭化水素環基、置換も しく は無置 換の核原子数 5〜 5 0の芳香族複素環基、置換も しく は無置換の 炭素数 1 〜 5 0のアルキル基、置換も しく は無置換の炭素数 3 〜 5 0のシク ロアルキル基、置換も しく は無置換の炭素数 1 〜 5 0 のアルコキシ基、置換も しく は無置換の炭素数 6 〜 5 0のァラル キル基、置換も しく は無置換の炭素数 5 〜 5 0 のァ リ ールォキシ 基、 置換も しく は無置換の炭素数 5 〜 5 0 のァ リ ール ォ基、 置 換も しく は無置換の炭素数 1 〜 5 0 のアルコキシカルボ二ル基、 置換も しく は無置換のシリ ル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、 シァノ基、 ニ ト ロ基又はヒ ドロキシル基である。
R 9 及び R 10は、 それぞれ独立に、 水素原子、 置換も しく は無 置換の核炭素数 6 〜 5 0 の芳香族炭化水素環基、置換も しく は無 置換の炭素数 1 〜 5 0 のアルキル基、置換も しく は無置換の炭素 数 3 〜 5 0 のシク ロアルキル基、置換も しく は無置換の炭素数 1 〜 5 0 のアルコキシ基、置換も しく は無置換の炭素数 6 〜 5 0 の ァラルキル基、置換も しく は無置換の炭素数 5 〜 5 0 のァ リ ール ォキシ基、置換も しく は無置換の炭素数 5 〜 5 0 のァ リ ールチオ 基、置換も しく は無置換の炭素数 1 〜 5 0 のアルコキシカルボ二 ル基、 置換も しく は無置換のシリ ル基、 カルボキシル基、 ハロゲ ン原子、 シァ ノ基、 ュ ト ロ基、 ヒ ドロキシル基であ り 、 いずれも アルケニル基である こ とはない。
A r 1 、 A r 2 、 R 9 及び R ioは、 それぞれ複数であっても よ く 、隣接する もの同士で飽和も しく は不飽和の環状構造を形成し ていてもよい。 ，
ただし、 一般式 （ 1 ) において、 中心のアン ト ラセンの 9位及 ぴ 1 0位に、該アン ト ラセン上に示す X— Y軸に対して対称型と なる基が結合する場合はない。 ） .
2 . 一般式（ 1 ) において、 前記 A 1 及ぴ A 2 がそれぞれ独立に、 1 一ナフチル基、 2 —ナフチル基、 1 一アン ト リ ル基、. 2 —アン ト リノレ基、 9 一アン ト リ ル基、 1 —フ エナンス リ ノレ基、 2 —フ エ ナンス リ ノレ基、 3 — フ エナンス リ ル基、 4 —フ エナンス リ ル基、 9 一フ エナンス リ ノレ基、 1 一ナフタセニル基、 2 —ナフタセ -ル 基、 9 —ナフタセニル基、 1 ー ピレニル基、 2 — ピレニル基、 4 — ピレニル基、 3 —メ チル _ 2 _ナフチル基、 4 ーメ チルー 1 一 ナフチル基及び 4 ー メ チル— 1 一ア ン ト リ ル基のいずれかであ る請求項 1 に記載の有機エ レク ト ロル ミ ネ ッセンス素子用発光 材料。 -
3 . —般式（ 1 ) において、前記 A 1 及び A 2 がそれぞれ独立に、 1 一ナフチル基、 2 —ナフチル基及び 9 —フ エナンス リ レ基のい ずれかである請求項 1 に記載の有機エ レク ト ロル ミ ネ ッ セ ンス 素子用発光材料。
4 . 一般式 （ 1 ) において、 更に前記 A r i 及ぴ A r 2 がそれぞ れ独立に、 水素原子、 フヱニル基、 1 一ナフチル基、 2 —ナフチ ル基、 1 —アン ト リ ノレ基、 2 —アン ト リ ル基、 9 一ア ン ト リ ル基、
1 —フ エナンス リ ル基、 2—フエナンス リ ル基、 3—フ エナンス リ ル基、 4 一フエナンス リ ル基、 9 —フ ヱナンス リ ノレ基、 1 —ナ フタセニル基、 2 —ナフタセニル基、 9 —ナフタセニ 基、 1 一 ピレニル基、 2—ピ レニル基、 4 ー ピレニル基、 2—ビフ エニル ィ ル基、 3 — ビフ ヱ二ルイル基、 4 — ビフヱ二ルイル基、 p —タ 一フ エ二ノレ一 4 ーィ ノレ基、 p —ターフ ェ 二ノレ一 3 —イ ノレ基、 - ターフ ェ ニノレー 2—ィ ノレ基、 m—ターフ ェニノレー 4 ーィ ノレ基、 m —ターフェ二ルー 3—ィル基、 m—ターフェ二ルー 2—ィ ル基、 o — ト リ ノレ基、 m— ト リ ノレ基、 p — ト リノレ基、 p — t —プチノレフ ェニル基、 p — （ 2 — フエニルプロ ピル） フ エニル基、 3 —メ チ ル一 2 —ナフチル基、 4 一メ チル一 1 —ナフチル基、 4 一メ チル 一 1 一アン ト リ ル基、 4 ' —メチルビフ エ二ルイル基及ぴ 4 " 一 t —ブチノレー p —ターフェ -ルー 4 —ィル基のいずれかである 請求項 2 に記載の有機エ レク ト 口ル ミ ネ ッセ ンス素子用発光材 料。
5 . 一般式 （ 1 ) において、 更に前記 A r 1 及び A r 2 がそれぞ れ独立に、 水素原子、 1 —ナフチル基、 2 —ナフチル基及び 9 一 フ エナンス リ ノレ基のいずれかである請求項 3 に記載の有機エ レ ク ト ロルミ ネ ッセンス素子用発光材料。
6 . 前記非対称ア ン トラセン誘導体が、 4位に置換基を有するナ フタ レン一 1 一ィル基及び 又は置換も しく は無置換の核炭素 数 1 2〜 2 0 の縮合芳香族炭化水素環基を有する請求項 1 に記 載の有機ヱ レク ト 口ルミ ネ ッセンス素子用材料。
7 .陰極と陽極間に少なく とも発光層を含む一層又は複数層から なる有機薄膜層が挟持されている有機エ レク ト 口ル ミ.ネッセン ス素子において、 発光帯域が、 請求項 1 に記載の有機エ レク トロ ルミ ネ ッ セ ンス素子用発光材料を単独も しく は混合物の成分と して含有する有機エ レク ト ロルミ ネ ッセンス素子。
8 . 前記発光層が、 前記有機エ レク ト ロルミ ネ ッセンス素子用発 光材料を単独も しく は混合物の成分と して含有する請求項 7 に 記載の有機エ レク トロルミ ネ ッセンス素子。
9 . 前記有機薄膜層が、 前記有機エ レク トロルミ ネ ッセンス素子 用発光材料をホス ト材料と して含有する請求項 7に記載の有機 エ レク ト ロノレミネッセンス素子
1 0 . 前記発光層が、 さ らにァリールァミ ン化合物を含有する請 求項 7 〜 9 のいずれかに記載の有機エ レク ト 口ル ミ ネッセンス 素子。
1 1 . 前記発光層が、 さ らにスチリルアミ ン化合物を含有する請 求項 7 〜 9 のいずれかに記載の有機エ レク ト 口ルミ ネ ッセンス 素子。
1 2. 下記一般式 （ 1 ' ) で表される非対称アン トラセン誘導体 からなる有機エ レク トロルミ ネ ッセンス素子用材料。
Figure imgf000065_0001
(式中、 A 1'及び A 2'は、 それぞれ独立に、 置換も しく は無置換 の核炭素数 1 0 〜 2 0の縮合芳香族炭化水素環基であり、 Ai'及 び A2'の少なく と も一方は、 4位に置換基を有するナフタ レン一 1 一ィル基又は置換も しく は無置換の核炭素数 1 2〜 2 0の縮 合芳香族炭化水素環基である。
A r i 及ぴ A r 2 は、 それぞれ独立に、 永素原子、 又は置換も しく は無置換の核炭素数 6 〜 5 0 の芳香族炭化水素環基である。
R 1 〜 R 8は、 それぞれ独立に、 水素原子、 置換も しく は無置 換の核炭素数 6 〜 5 0 の芳香族炭化水素環基、置換も しく は無置 換の核原子数 5 〜 5 0 の芳香族複素環基、置換も しく は無置換の 炭素数 1 〜 5 0 のアルキル基、置換も しく は無置換の炭素数 3 〜 5 0 のシク ロアルキル基、置換も しく は無置換の炭素数 1 〜 5 0 のアルコキシ基、置換も しく は無置換の炭素数 6 〜 5 0 のァラル キル基、置換も しく は無置換の炭素数 5 〜 5 0のァ リ ールォキシ 基、 置換も しく は無置換の炭素数 5 〜 5 0 のァ リ ールチオ基、 置 換も し く は無置換の炭素数 1 〜 5 0 のアルコキシカルボニル基、 置換も しく は無置換のシリル基、カルボキシル基、ハロゲン原子、 シァノ基、 ニ ト ロ基又はヒ ドロキシル基である。
R 9 及び R は、 それぞれ独立に、 水素原子、 置換も しく は無 置換の核炭素数 6 〜 5 0 の芳香族炭化水素環基、置換も しく は無 置換の炭素数 1 〜 5 0のアルキル基、置換も しく は無置換の炭素 数 3 〜 5 0 のシク ロアルキル基、置換も しく は無置換の炭素数 1 〜 5 0 のアルコキシ基、置換も しく は無置換の炭素数 6 〜 5 0 の ァラルキル基、置換も しく は無置換の炭素数 5 〜 5 0 のァ リ ール ォキシ基、置換も しく は無置換の炭素数 5 〜 5 0 のァ リ ールチオ 基、置換も しく は無置換の炭素数 1 〜 5 0のアルコキシカルボ二 ル基、 置換も しく は無置換のシリ ル基、 カルボキシル基、 ノ、ロゲ ン原子、 シァノ基、 ニ ト ロ基、 ヒ ドロキシル基であ り 、 いずれも アルケニル基であるこ と はない。
A r 1 、 A r 2 、 R 9 及び R i。は、 それぞれ複数であっても よ く 、隣接する もの同士で飽和も しく は不飽和の環状構造を形成し ていてもよい。 - ただし、 一般式 （ 1 ' ) において、 中心のアン トラセンの 9位 及び 1 0位に、該アン トラセン上に示す X— Y軸に対して対称型 となる基が結合する場合はない。 ） ·
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