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WO1998003047A1 - Film-like adhesive for connecting circuit and circuit board - Google Patents

Film-like adhesive for connecting circuit and circuit board Download PDF

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WO1998003047A1
WO1998003047A1 PCT/JP1997/002455 JP9702455W WO9803047A1 WO 1998003047 A1 WO1998003047 A1 WO 1998003047A1 JP 9702455 W JP9702455 W JP 9702455W WO 9803047 A1 WO9803047 A1 WO 9803047A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
adhesive
connection terminal
connection
circuit
film
Prior art date
Application number
PCT/JP1997/002455
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English (en)
French (fr)
Inventor
Itsuo Watanabe
Kenzo Takemura
Osamu Watanabe
Naoyuki Shiozawa
Akira Nagai
Kazuyoshi Kojima
Toshiaki Tanaka
Kazunori Yamamoto
Original Assignee
Hitachi Chemical Company, Ltd.
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Filing date
Publication date
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Application filed by Hitachi Chemical Company, Ltd. filed Critical Hitachi Chemical Company, Ltd.
Priority to JP50585598A priority Critical patent/JP3342703B2/ja
Priority to DE69716270T priority patent/DE69716270T2/de
Priority to US09/230,017 priority patent/US6328844B1/en
Priority to AU34609/97A priority patent/AU3460997A/en
Priority to EP97930803A priority patent/EP0914027B1/en
Publication of WO1998003047A1 publication Critical patent/WO1998003047A1/ja

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Definitions

  • the present invention relates to a circuit connection adhesive and a circuit board used for connecting circuit boards to each other or an electronic component such as an IC chip and a wiring board.
  • an adhesive or an anisotropic conductive adhesive in which conductive particles are dispersed is used. That is, electrical connection can be achieved by disposing these adhesives between the opposing electrodes, connecting the electrodes by heating and pressing, and then imparting conductivity in the pressing direction.
  • Japanese Unexamined Patent Publication No. 3-161647 proposes an adhesive for circuit connection based on an epoxy resin.
  • connection resistance increases in the connection portion and the adhesive is peeled off.
  • the chip when the chip is directly mounted on the board via an adhesive, if a printed circuit board using FR-4 base material or a flexible wiring board based on polyimide / polyester is used as the connection board, the chip after connection will be The chip and the substrate are liable to warp due to internal stress based on the difference in thermal expansion coefficient of the chip.
  • the film-like adhesive for circuit connection according to the present invention is a heat-adhesive adhesive for electrically connecting opposing circuit electrodes by heating and applying pressure, thereby electrically connecting the electrodes in the pressing direction.
  • the elastic modulus at 40 is 100 to 200 OMPa.
  • This adhesive may contain at least an epoxy resin, an acrylic rubber and a latent curing agent, and an acrylic rubber having a glycidyl ether group in a molecule is preferably used.
  • the film-like adhesive for circuit connection of the present invention is a heat-adhesive adhesive for electrically connecting the electrodes in the pressing direction by heating and applying pressure to opposing circuit electrodes, wherein the adhesive is at least epoxy. It is characterized by containing a system resin, acryl rubber having a glycidyl ether group in the molecule, and a latent curing agent.
  • the area of the adhesive after connection is 2.0 to 5.0 times the area before connection.
  • a first circuit member having a first connection terminal
  • a second circuit member having a second connection terminal
  • the first connection terminal and the second connection terminal are arranged facing each other,
  • An adhesive is interposed between the opposed first connection terminal and the second connection terminal, and heated and pressurized to electrically connect the opposed first connection terminal and the second connection terminal.
  • Circuit board
  • the elastic modulus at 40 after the bonding of the adhesive is 100 to 2000 MPa.
  • circuit board of the present invention A first circuit member having a first connection terminal
  • a second circuit member having a second connection terminal
  • the first connection terminal and the second connection terminal are arranged facing each other,
  • An adhesive is interposed between the opposed first connection terminal and the second connection terminal, and heated and pressurized to electrically connect the opposed first connection terminal and the second connection terminal.
  • Circuit board
  • the adhesive is characterized by containing at least an epoxy resin, an acrylic rubber having a glycidyl ether group in a molecule, and a latent curing agent.
  • the first circuit member having the first connection terminal is a semiconductor chip
  • the second circuit member having the second connection terminal has a second connection terminal. It is preferably an organic insulating substrate.
  • a semiconductor chip as a first circuit member having a first connection terminal
  • the second circuit member having the second connection terminal includes a surface insulating layer on which the second connection terminal is formed, a predetermined number of insulating layers, and a predetermined number of wiring layers disposed via the insulating layers.
  • the specified number of insulating layers are made of resin reinforced with a glass base material, and Let the elasticity of the layer measured by the DVE method be E2
  • E 1 0.01 E2 to 0.5 E2
  • a wiring board in which the second connection terminal is embedded on the surface of the insulating substrate is preferably used.
  • FIG. 1 is a graph showing the elastic modulus and the dielectric loss tangent of the cured adhesive film of Example 1.
  • FIG. 2 is a graph showing the elastic modulus and the dielectric loss tangent of the cured adhesive film of Comparative Example 1. BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION
  • the adhesive of the present invention has an elastic modulus at 100 after bonding of 100 to 2000 MPa, and is an epoxy resin and an imidazo resin as adhesives capable of obtaining good fluidity at the time of connection and high connection reliability. And hydrazide, boron trifluoride monoamine complex, sulfonium salt, amine imide, polyamine salt, dicyandiamide, etc. An adhesive containing an acryl rubber having a molecular weight of 200,000 or more so that a is obtained.
  • the elastic modulus at 40 after bonding is 300 to; L80 OMPa is preferred, and 700 to 180 OMPa is more preferred.
  • the elastic modulus of the cured adhesive film corresponding to the stage after bonding of the adhesive is, for example, Rheosctra DVE-4 manufactured by Rheology Co., Ltd. (tensile mode, frequency 10 Hz, temperature rise at 5 t: Zmin, 40 to 250).
  • the curing of the adhesive film is performed under the same conditions as the heating temperature and time during the bonding step, and the curing method can be performed by immersing the adhesive film in an oil bath.
  • Such an adhesive film cured product has completed heat generation of 90% or more of the total curing calorific value measured by DSC.
  • FIG. 1 shows the elastic modulus and dielectric constant of the cured adhesive film prepared in Example 1 as a representative example. The tangent measurement results are shown.
  • the adhesive used in the present invention contains an epoxy resin, an acrylic rubber having a glycidyl ether group in the molecule, and a latent curing agent.
  • Examples of the epoxy resin used in the present invention include bisphenol-type epoxy resins derived from epichlorohydrin and bisphenol A, F, and AD, and epichlorohydrin and phenol novolak and cresol novolak. Two or more glycidyl groups in one molecule of an epoxy novolak resin or a naphthalene-based epoxy resin having a skeleton containing a naphthylene ring, glycidylamine, glycidyl ether, biphenyl, alicyclic, etc. It is possible to use various epoxy compounds or the like alone or as a mixture of two or more.
  • acrylic rubber used in the present invention include polymers or copolymers containing at least one of acrylic acid, acrylic acid ester, methacrylic acid ester and acrylic nitrile as a monomer component, and among them, a glycidyl ether group is preferred.
  • a copolymer acryl rubber containing glycidyl acrylate / glycidyl methacrylate is preferably used.
  • the molecular weight of these acryl rubbers is preferably 200,000 or more from the viewpoint of increasing the cohesive strength of the adhesive. If the amount of the acrylic rubber in the adhesive is less than 15% by weight, the elastic modulus at 40 after bonding exceeds 2000 MPa and exceeds 40% by weight. When this happens, the modulus of elasticity can be reduced, but the melt viscosity at the time of connection increases and the removability of the molten adhesive between the connection electrodes or at the interface between the connection electrode and the conductive particles decreases, so that the conductivity between the connection electrodes or between the connection electrodes and the conductive Electric conduction between particles cannot be secured. Therefore, the blending amount of the acrylic rubber is preferably 10 to 40 wt%.
  • the acrylic rubber compounded in the adhesive has a peak dielectric loss tangent temperature of around 40 to 60 * C due to the rubber component as shown in Fig. 1, so lower the elastic modulus of the adhesive be able to.
  • a thermoplastic resin such as a phenoxy resin, a polyester resin, or a polyamide resin may be added to the adhesive in order to make the film formability easier.
  • phenoxy resin is preferred when the epoxy resin is a base resin, because it has a similar structure to the epoxy resin, and has characteristics such as excellent compatibility with the epoxy resin and adhesion.
  • the film is formed by dissolving or dispersing an adhesive composition comprising at least an epoxy resin, an acrylic rubber, and a latent curing agent in an organic solvent by dissolving or dispersing the composition, applying the liquid on a peelable base material, and activating the curing agent at an activation temperature. This is performed by removing the solvent below.
  • a mixed solvent of an aromatic hydrocarbon type and an oxygen-containing type is preferable because the solubility of the material is improved.
  • conductive particles can also be mixed and dispersed for the purpose of positively imparting anisotropic conductivity in order to absorb height variations of chip bumps and substrate electrodes.
  • the conductive particles are, for example, metal particles such as Au, Ag, Cu, and solder, and conductive particles such as Ni, Cu, Au, and solder are attached to a polymer spherical core material such as polystyrene. Those having a layer are more preferred. Further, a surface layer of S u, A u, solder or the like can be formed on the surface of the conductive particles.
  • the particle size is It is necessary that the distance be smaller than the minimum distance, and if there is a height variation of the electrode, it is preferable that the height be larger than the height variation, and l to 10 / xm is preferable.
  • the amount of the conductive particles dispersed in the adhesive is 0.1 to 30% by volume, and preferably 0.2 to 15% by volume.
  • the adhesive of the present invention is used as a film adhesive.
  • the film adhesive can be obtained by applying an adhesive solution onto a release film with a roll coater, drying, and then peeling off the release film.
  • the adhesive layer can be formed into a multilayer by a film adhesive.
  • a film adhesive For example, a two-layer anisotropic conductive film or a conductive particle, in which an adhesive film filled with conductive particles to impart anisotropic conductivity and an adhesive layer not filled with the conductive particles is laminated.
  • a three-layer anisotropic conductive film in which an adhesive layer not filled with conductive particles on both sides of the adhesive film is laminated.
  • These multi-layered anisotropic conductive films are advantageous for narrow pitch connection because they can efficiently capture conductive particles on connection electrodes.
  • an adhesive film having excellent adhesiveness with respect to the circuit members 1 and 2 can be laminated to form a multilayer.
  • An inorganic filler can be mixed and dispersed in the adhesive of the present invention.
  • the inorganic filler is not particularly limited, and examples thereof include powders such as fused silica, crystalline silica, calcium gayate, alumina, and calcium carbonate.
  • the blending amount of the inorganic filler is preferably from 100 to 200 parts by weight based on 100 parts by weight of the adhesive resin composition, and the lower the thermal expansion coefficient, the more effective the blending amount. However, if a large amount is blended, the adhesion and the rejection of the adhesive at the connection part will decrease. 20 to 90 parts by weight is more preferable because poor conduction failure occurs and the thermal expansion coefficient cannot be sufficiently reduced if the amount is small. Further, the average particle size is preferably set to 3 ⁇ m or less for the purpose of preventing poor conduction at the connection portion.
  • the inorganic filler can be mixed and dispersed with the conductive particles or in the layer where the conductive particles are not used.
  • the area of the adhesive after connection is preferably 2.0 to 5.0 times the area before connection.
  • the ratio of the area after connection of the adhesive to the area before connection is measured by the following means. That is, an adhesive with a thickness of 50 xzm and a size of 5 mm square is sandwiched between two glass plates of a thickness of 1.1 mm and a size of 15 mm square. This is heated and pressed by a heating and pressing machine under the conditions of a heating temperature of 180, pressurization of 18 kgf Zcm 2 , and pressurization time of 20 seconds, and the adhesive area before heating and pressurization (A ) And measuring the adhesive area (B) of the heating and pressurization using an image processing apparatus, the ratio (BZA) of the area after the connection of the adhesive and the area before the connection can be obtained.
  • the ratio (B / A) of the area after the connection of the adhesive to the area before the connection (B / A) is less than 2.0, the exclusion of the molten adhesive between the connection electrodes or at the interface between the connection electrode and the conductive particles is reduced. It becomes difficult to secure electrical conduction between the connection electrodes or between the connection electrodes and the conductive particles.
  • the ratio (BZA) of the area after connection of the adhesive to the area before connection exceeds 5.0, the flowability of the adhesive at the time of connection is too high, so that bubbles are easily generated, resulting in reliability. Tends to decrease.
  • the elastic modulus at 40 after connection like a conventional circuit connection adhesive Adhesives exceeding 200 OMPa may increase the connection resistance at the connection due to internal stresses generated during reliability tests such as thermal shock tests, PCT tests and solder bath immersion tests.
  • the adhesive of the present invention has an elastic modulus of 100 to 200 OMPa at 4, the internal stress generated in the reliability test can be absorbed. There is no increase in the connection resistance and no peeling of the adhesive, and the connection reliability is greatly improved.
  • the circuit member chip components such as a semiconductor chip, a resistor chip, and a capacitor chip, a printed board, a substrate such as a flexible wiring board based on polyimide / polyester, and the like are used.
  • circuit members are usually provided with a large number of connection terminals (in some cases, a single terminal may be used), and at least one set of the circuit members is connected to at least a part of the connection terminals provided on the circuit members.
  • An adhesive is interposed between the opposingly arranged connection terminals, and heated and pressed to electrically connect the opposingly arranged connection terminals to form a circuit board.
  • connection terminals arranged opposite to each other are electrically connected by direct contact or via conductive particles of an anisotropic conductive adhesive.
  • the bumps formed by plating and the tips of the gold wires are melted with a torch or the like to form gold poles.
  • Protruding electrodes such as wire bumps obtained by cutting can be provided and used as connection terminals.
  • solder, etc. are attached to the terminals of the semiconductor chip, and the bumps are used as projecting electrodes, and the tips of metal wires, such as gold and aluminum, are attached to the terminals.
  • Pole bumps, solder poles, and molten solder molding bumps are formed by cutting the metal wire after crimping the poles on the electrode pads of the semiconductor chip where the connection terminals are formed by heat energy.
  • a protruding electrode formed by soldering a column can be used.
  • a semiconductor chip can be mounted on a substrate (chip mounting substrate) on which electrodes (connection terminals) corresponding to the semiconductor chip terminals are formed using the adhesive of the present invention.
  • an organic insulating substrate on which electrodes (connection terminals) corresponding to semiconductor chip terminals are formed is used.
  • a synthetic resin film such as a polyimide resin or a polyester resin, or a glass base material such as glass cloth or nonwoven fabric is impregnated with a synthetic resin such as polyimide resin, polyester resin, or phenol resin.
  • a cured laminate or the like is used.
  • an electrode connected to a chip terminal, a surface insulating layer and a predetermined number of insulating layers on which the electrode is formed, and a predetermined number of wiring layers disposed via the insulating layers are provided. It is possible to use a multilayer wiring board having a conductive hole for electrically connecting the predetermined electrode and wiring layer, wherein the predetermined number of insulating layers are made of a resin reinforced with a glass base material, and the surface insulating is The elastic modulus measured by the DVE method of the layer is E1, and the elastic modulus measured by the DVE method of the insulating layer made of resin reinforced with a glass substrate is E2.
  • E 1 0.01 E2 to 0.5 E2
  • the power factor of the surface insulating layer measured by the DVE method is:
  • a resin film can be used.
  • This resin film is made of epoxy resin, polyimide resin, polyamideimide resin, modified polyphenylene ether resin, phenoxy resin, amide epoxy resin, phenol resin. And films of mixtures and copolymers thereof, and films of heat-resistant thermoplastic engineering plastics such as polysulfone, polyethersulfone, polyetheretherketone, wholly aromatic liquid crystal polyesters, and fluorine resins.
  • a film containing an organic or inorganic filler in such a resin film can be used.
  • the insulating layer made of a resin reinforced with a glass base material a prepreg obtained by impregnating a glass base material such as a glass cloth or a glass nonwoven fabric with a resin such as an epoxy resin or a phenol resin and hardening can be used.
  • a chip mounting board a wiring board in which electrodes to be connected to chip terminals are embedded on the surface of an insulating substrate is used.
  • a nickel thin layer is formed on a conductive temporary substrate such as a copper foil or a stainless steel plate, and a plating resist is applied to a portion other than a portion where the electrode is to be formed, followed by electrolytic copper plating to form an electrode.
  • an insulating layer such as polyimide film or glass-based epoxy resin pre-predeer on the surface of the electrode, embedding the copper electrode in the insulating layer, and mechanically and chemically peeling off the conductive temporary substrate and the nickel thin layer It can be obtained by removing.
  • a nickel thin layer and a copper layer are formed on a temporary conductive substrate, an etching resist is applied to a portion where an electrode is to be formed, and an electrode is formed by etching. With such a wiring board, the repairability of the semiconductor chip is improved.
  • the adhesive of the present invention since the elastic modulus at 40 after connection is 100 to 2000 MPa, it absorbs internal stress generated in reliability tests such as thermal shock, PCT and solder bath immersion test.
  • the adhesive of the present invention is used to electrically connect only the pressing direction when connecting the LCD panel and TAB, the TAB and the flexible circuit board, the LCD panel and the IC chip, and the IC chip and the print board. It is preferably used.
  • the circuit board of the present invention is excellent in connection reliability even after the reliability test, because there is no increase in connection resistance at the connection portion and no peeling of the adhesive.
  • a liquid epoxy containing a microcapsule-type latent curing agent epoxy equivalent: 185, Novakia HX-3941 manufactured by Asahi Kasei Corporation
  • This solution was dispersed by volume to obtain a film coating solution, which was then separated (separated with silicone-treated polyethylene terephthalate).
  • a film having a thickness of 40 zxm) was applied with a roll coater overnight and dried at 100 ° C. for 10 minutes to produce an adhesive film having a thickness of 45 im.
  • the elastic modulus at 40 of the cured product of the adhesive film measured by a dynamic viscoelasticity analyzer was 800 MPa.
  • a chip with a gold bump area: 80 x 80, space: 30 m, height: 15 tm, number of bumps: 288) (10 x 10 mm, thickness: 0 5 m) and Ni ZAu plated Cu circuit printed circuit board were connected as shown below.
  • connection resistance after the main connection was 1 highest per bump 5IOO, average 8Iotaitaomega, insulation resistance is at least 10 8 Omega, these values - 5 5: Thermal shock test of I 25 1000 cycles treatment, PCT test (121 t: 2 atm) 200 hours, 260 solder baths No change after 10 seconds, showing good connection reliability
  • Example 2 50 g of the phenoxy resin and 175 g of the same acryl rubber as in Example 1 were dissolved in 525 g of ethyl acetate to obtain a 30% solution. Next, 275 g of a liquid epoxy containing a microcapsule-type latent curing agent (epoxy equivalent: 185) was added to this solution, stirred, and nickel particles (diameter: 5 / m) were dispersed by 2% by volume to form a film. A coating solution was obtained. Separate this solution (polyethylene treated with silicone). The film was applied to a lentelephthalate film (thickness: 40 m) with a mouth and mouth and dried at 10 Ot: for 10 minutes to produce an adhesive film having a thickness of 45 m.
  • a liquid epoxy containing a microcapsule-type latent curing agent epoxy equivalent: 185
  • nickel particles dispersed by 2% by volume to form a film.
  • a coating solution was obtained. Separate this solution (polyethylene
  • the elastic modulus of this adhesive film at 40 measured by a cured product dynamic viscoelasticity meter was 40 OMPa.
  • a chip (10 X 10 mm) with gold bumps area: 80 X 80 wm, space 30 m, height: 15 Mm, number of bumps 288) and N i ZAu plating Cu circuit printed circuit board (electrode height: 20 m, thickness: 0.8 mm) was connected as shown below.
  • Adhesive film 2 (1 2 X 12 mm) is applied to Ni-Au plated Cu circuit printed circuit board (electrode height: 20 / m, thickness: 0.8 mm) 80 :, 10 kgf Z cm 2 Then, the separator was peeled off, and the bumps of the chip were aligned with the Ni Au plated Cu circuit printed circuit board. Then, heating and pressurization were performed from above the chip under the conditions of 170 :, 75 gZ bump and 20 seconds, and the connection was made. The warpage of the chip after this connection was 3.8 (warpage convex on the chip side).
  • connection resistance after this connection is 20 ⁇ at the maximum per bump, 12 ⁇ on average, and the insulation resistance is 108 ⁇ or more. These values are ⁇ 55 to 125: Thermal shock test of 1000 cycles, P CT test (121 C, 2 atm) 200 hours, solder bath immersion at 260, no change after 10 seconds, showing good connection reliability.
  • Example 3 Thermal shock test of 1000 cycles, P CT test (121 C, 2 atm) 200 hours, solder bath immersion at 260, no change after 10 seconds, showing good connection reliability.
  • Example 2 50 g of the phenoxy resin and 100 g of the same acrylic rubber as in Example 1 were dissolved in 350 g of ethyl acetate to obtain a 30% solution. Next, 350 g of liquid epoxy containing a microcapsule-type latent curing agent (epoxy equivalent: 185) was added to this solution, stirred, and an Au layer was formed on the surface of the polystyrene core (diameter: 5 m). The conductive particles were dispersed at 5% by volume to obtain a film coating solution.
  • a microcapsule-type latent curing agent epoxy equivalent: 185
  • Adhesive film 3 (1 2 X 12 mm) is applied to the Ni ZAu plated Cu circuit board. After applying C, 10 kgf Zcm2, the separator was peeled off, and the bumps of the chip and the Ni ZAu plated Cu circuit printed circuit board were aligned. Then, heating and pressurization were performed from above the chip under the conditions of 170 :, 75 gZ bump and 20 seconds, and this connection was made. The warpage of the chip after this connection was 5.0 m (warpage convex on the chip side). The connection resistance after the connection, 8Iotaitaomega at maximum per bump, average 3Iotaitaomega, Ze' resistance is at least 10 8 Omega, these values - thermal shock test 1 000 cycle processing. 55 to 125, PCT test (121, 2 atm) No change after 200 hours and 260 seconds of solder bath immersion, indicating good connection reliability.
  • Example 2 50 g of the phenoxy resin and 100 g of the same acryl rubber as in Example 1 were dissolved in 350 g of ethyl acetate to obtain a 30% solution. Next, 350 g of a liquid epoxy containing a microcapsule-type latent curing agent (epoxy equivalent: 185) was added to this solution, stirred, and the polystyrene core (diameter: conductive particles having an Au layer formed on the surface) was added. The solution was dispersed by volume to obtain a film coating solution. Separation (silicone-treated polyethylene terephthalate film, thickness
  • connection resistance after the connection 1 5 0 ⁇ at maximum per bump, average 8 0Paiiotaomega, insulation resistance is at 1 0 8 Omega above, these values one 4 0 to 1 0 Ot: thermal shock test 100 cycles processing, PCT test (105: 1.2 atm) No change even for 100 hours, showing good connection reliability.
  • Example 5
  • Example 2 50 g of the phenoxy resin and 125 g of the same acrylic rubber as in Example 1 were dissolved in 400 g of ethyl acetate to obtain a 30% solution. Next, 32 g of a liquid epoxy containing a microcapsule-type latent curing agent (epoxy equivalent: 18.5) was added to this solution, stirred, and nickel particles (diameter: 5 ium) were dispersed by 2% by volume. A film coating solution was obtained. This solution was applied to a separator (silicone-treated polyethylene terephthalate film, thickness of 40 m) with a roll coater and dried at 100 T for 10 minutes to prepare an adhesive film having a thickness of 25.
  • a separator silicone-treated polyethylene terephthalate film, thickness of 40 m
  • This adhesive fill The elastic modulus of the cured product of the rubber as measured by a dynamic viscoelasticity meter was 100 OMPa.
  • a bumpless chip (10 X 1 Omm, thickness: 0.5 i / m, pad electrode: A pin diameter: 120 wm) and NiZAu on the circuit
  • NiZAu plated Cu bump circuit printed circuit board with plated Cu bumps (diameter: 100 / xm, space 50 m, height: 15 m, number of bumps: 200) is shown below. went.
  • Adhesive film 5 (1 2 X 12 mm) is applied to Ni ZAu plated Cu circuit printed circuit board (electrode height: 20 m, thickness: 0.8 mm) at 80 "C, 10 kgf Z cm 2
  • the separator was peeled off, and the A1 bump of the chip bump and the print substrate with NiZAu plating were aligned with each other. Under the conditions, heating and pressurization were performed from the top of the chip, and the main connection was made. The warpage of the chip after the main connection was 4.8 um (warpage convex on the chip side).
  • connection resistance is 2 ⁇ per bump, the average is 15 ⁇ , and the insulation resistance is 108 ⁇ or more. These values are --55 to 125 thermal shock test 1 000 cycles, PCT test (12 1 ° (: 2 atm) 200 hours, 260 ° C. No change after solder bath immersion for 10 seconds, showing good connection reliability.
  • a liquid epoxy epoxy equivalent: 1885, manufactured by Asahi Kasei, Novakia HX-3941
  • Nickel particles (diameter: 5 m) were dispersed at 2% by volume to obtain a film coating solution. This solution was applied to a separator (silicone-treated polyethylene terephthalate film, thickness 40 m) with a roll coater and dried for 100 and 10 minutes to prepare an adhesive film having a thickness of 45 jum. The elastic modulus at 40 of the cured product of the adhesive film measured with a dynamic viscoelasticity analyzer was 170 OMPa. Next, using the prepared adhesive film, a chip (10X10mm, thickness: 80x80u, space 30m, height: 15 / m, number of bumps 288) with gold bumps was used. 0.5 um) and Ni ZAu plating Cu circuit printed circuit board were connected as shown below.
  • An adhesive film (12 x 12 mm) was adhered to a Ni ZAu plated Cu circuit print substrate (electrode height: 20 / zm, thickness: 0.8 mm) at 80: l O kgf cm 2
  • the separator was peeled off and the chip bumps were aligned with the Ni ZAu plated Cu circuit printed circuit board (thickness: 0.8 mm).
  • heating and pressurization were performed from above the chip under the conditions of 180 ° C, 75 g / bump, and 20 seconds, and the connection was made.
  • the warpage of the chip after this connection was 5.7 m (warpage convex on the chip side).
  • connection resistance after this connection is 7 ⁇ at maximum per bump, 3 ⁇ on average, and the absolute resistance is 10 « ⁇ or more.
  • Example 2 50 g of the phenoxy resin and 75 g of the same acrylic rubber as in Example 1 were dissolved in 350 g of ethyl acetate to obtain a 30% solution. Next, 375 g of a liquid epoxy containing a microcapsule-type latent hardener (epoxy equivalent: 185) was added to this solution. Then, the mixture was stirred, and conductive particles having an Au layer formed on the surface of a polystyrene core (diameter: 5 wm) were dispersed at 5% by volume to obtain a film coating solution. This solution was separated (silicone-treated polyethylene terephthalate film, thickness 4).
  • a film coating solution prepared by the same method except that the conductive particles forming the Au layer were not dispersed was used (a polyethylene terephthalate film treated with silicone). And a thickness of 40 mm), and applied with a coconut overnight, and dried at 100: for 10 minutes to produce an adhesive film b having a thickness of 25. Further, while heating the obtained adhesive films a and b at 40, a two-layered anisotropic conductive adhesive film laminated by roll laminating was produced.
  • the elastic modulus of the cured product of this adhesive film at 40 ° C measured with a dynamic viscoelasticity meter is
  • connection resistance after the connection 7Ganmapaiomega at maximum per bump, average 3 ⁇ 8 ⁇ , insulation resistance is at 1 0 8 Omega above, these values - 5 5-1 2 5 of the thermal shock test 1 000 cycles processing, ⁇ CT test (121 ° C, 2 atm) 200 hours, 260 seconds bath immersion 10 seconds, no change, showing good connection reliability.
  • Example 2 50 g of the phenoxy resin and 100 g of the same acryl rubber as in Example 1 were dissolved in 350 g of ethyl acetate to obtain a 30% solution. Next, 350 g of a liquid epoxy containing a microcapsule-type latent curing agent (epoxy equivalent: 185) was added to this solution, and stirred, and a conductive layer was formed by forming an Au layer on the surface of a polystyrene core (diameter: 5 m). The particles were dispersed at 5% by volume to obtain a film coating solution.
  • a liquid epoxy containing a microcapsule-type latent curing agent epoxy equivalent: 185
  • This solution was applied to a separator (silicone-treated polyethylene terephthalate film, thickness 40 m) with a roll coater and dried at 100 T for 10 minutes to prepare an adhesive film having a thickness of 30 m.
  • the elastic modulus at 40 ° C. of the cured product of the adhesive film measured by a dynamic viscoelasticity analyzer was 1,200 MPa.
  • a chip with a gold bump (area: 80 x 80 m, space: 30 m, height: 15 m, number of pumps: 288) (10 x 10 mm, thickness: 0) 5mm) and NM ZAu plating Cu circuit embedded printed circuit board (electrode thickness: 20 / xm, electrode height: 0m, thickness: 0.8mm) were connected as shown below.
  • Adhesive film (1 2 X 12 mm) is applied to Ni circuit board with Ni-ZAu plating at 10 kgf Zcm2 at 80 kgf Zcm2, then the separation is peeled off, and the chip bump and Ni / Au The alignment of the printed circuit board with the plated Cu circuit was performed.
  • the chip was heated to 200 ° C. for 10 seconds with a stainless steel block with a heater from the chip side, and the chip was peeled off from the substrate by applying a force to the chip. After peeling, the residue of the adhesive film on the substrate surface was rubbed off with a cotton swab dipped in acetone and repaired.
  • a chip having the same specifications as the chip was newly connected to the substrate from which the chip was peeled again by using the adhesive film 3 under the connection conditions.
  • the warpage of the chip after repair connection was 4.3 m (warpage convex on the chip side).
  • the connection resistance after the repair connection 1 6Paiiotaomega at maximum per bump, average 1. 8IEO, insulation resistance is at 1 0 8 Omega above, these values - 5 5: Heat shock at 1 2 5
  • the test showed 1 000 cycles, the PCT test (121, 2 atm), 200 hours, and the solder bath immersion at 260 after 10 seconds, no change, showing good connection reliability. Comparative Example 1
  • the elastic modulus of the cured product of the film measured by a dynamic viscosity meter at 40 ° C. was 2600 MPa.
  • Figure 2 shows the measurement results of the elastic modulus and the dielectric loss tangent of the cured adhesive film.
  • connection resistance after the main connection is, 9IEO at maximum per bump, average 2IEO
  • the insulating resistance was filed in 1 0 8 Omega above, heat ⁇ of these values in one 5 5-1 2 5 Test 200 cycles treatment, PCT test (2 at 1, 2 atm) 40 hours, solder bath immersion at 260 after 10 seconds, electrical continuity became poor.
  • PCT test (2 at 1, 2 atm) 40 hours
  • electrical continuity became poor.
  • interface peeling was observed at a part of the connection part with poor conduction. Comparative Example 2
  • a phenoxy resin 100 g was dissolved in 230 g of ethyl acetate. Next, 186 g of a liquid epoxy containing a microcapsule-type latent curing agent (epoxy equivalent: 1885) was added to the solution, and the mixture was stirred. Further, a polystyrene core (diameter: 5 m) was added. 5% by volume of conductive particles having an Au layer formed on the surface thereof was dispersed to obtain a film coating solution. This solution was applied to a separator overnight (silicone-treated polyethylene terephthalate film, thickness 50 m) using a roll coater and dried at 80 and 10 minutes to prepare an adhesive film having a thickness of 25 m.
  • a separator overnight silicone-treated polyethylene terephthalate film, thickness 50 m
  • the elastic modulus of 4 Ot: of the cured product of the adhesive film measured by a dynamic viscoelasticity meter was 260 MPa.
  • a chip with gold bumps (area: 50 x 50 m, 362 bumps, space: 20 m, height: 15 wm) (1.
  • the connection between 7 X 17 mm, thickness: 0.5 mm) and the ITO glass substrate (thickness: 1.1 mm) was performed as shown below.
  • the adhesive film (2mmX 1 9mm) was affixed by 8 1 0 kgf Bruno cm 2 on a glass substrate with ITO circuit, peeling the separator one evening, were bumps and alignment of the glass substrate with I TO circuit chip .
  • Example 2 50 g of phenoxy resin and 50 g of the same acrylic rubber as in Example 1 were dissolved in 533 g of ethyl acetate to obtain a 30% solution. Next, 200 g of a liquid epoxy containing a microcapsule-type latent curing agent (epoxy equivalent: 1885) was added to this solution, and the mixture was stirred. Further, an Au layer was formed on the surface of the polystyrene core (diameter: 5 wm). The conductive particles thus obtained were dispersed at 5% by volume to obtain a film coating solution.
  • a liquid epoxy containing a microcapsule-type latent curing agent epoxy equivalent: 1885
  • This solution was applied to a separator (silicone-treated polyethylene terephthalate film, thickness 40 wm) with a roll coater and dried for 100 and 10 minutes to prepare an adhesive film having a thickness of 45 / m.
  • the elastic modulus at 40 ° C. of the cured product of the adhesive film measured by a dynamic viscoelasticity analyzer was 70 MPa.
  • a chip with gold bumps (area: 80 x 80 urn. Space 30 / im, height: 15 / xm, number of bumps: 288) was prepared using the prepared adhesive film (12 x 12 mm).

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Description

明 細 書 回路接続用フィルム状接着剤及び回路板 技術分野
本発明は、 回路基板同士または I Cチップ等の電子部品と配線基板の接続用 いられる回路接続用接着剤及び回路板に関する。 発明の背景
回路基板同士または I Cチップ等の電子部品と回路基板の接続とを電気的に 接続する際には、 接着剤または導電粒子を分散させた異方導電接着剤が用いら れている。 すなわち、 これらの接着剤を相対峙する電極間に配置して、 加熱、 加圧によって電極を接続後、 加圧方向に導電性を持たせることによって、 電気 的接続を行うことができる。 例えば、 特開平 3— 1 6 1 4 7号公報には、 ェポ キシ樹脂をベースとした回路接続用接着剤が提案されている。
しかしながら、 エポキシ樹脂をベース樹脂とした従来の接着剤を用いた接着 剤は、 熱衝撃試験、 P C T試験、 はんだバス浸漬試験等の信頼性試験を行うと 接続基板の熱膨張率差に基づく内部応力によって接続部において接続抵抗の増 大ゃ接着剤の剥離が生じるという問題がある。
特に、 チップを接着剤を介して直接基板に搭載する場合、 接続基板として F R— 4基材を用いたプリント基板、 あるいはポリイミドゃポリエステルを基材 とするフレキシブル配線板を用いると、 接続後チップとの熱膨張率差に基づく 内部応力によってチップ及び基板の反りが発生しやすい。 発明の概要
本発明の回路接続用フィルム状接着剤は、 相対峙する回路電極を加熱、 加 圧によって、 加圧方向の電極間を電気的に接続する加熱接着性接着剤において、 その接着剤の接着後の 4 0でにおける弾性率が 1 0 0〜2 0 0 O M P aである ことを特徴する。
この接着剤は、 少なくともエポキシ樹脂と、 アクリルゴム及び潜在性硬化剤 を含有していることができ、 アクリルゴムが、 分子中にグリシジルェ一テル基 を有するものが好ましく使用される。
又本発明の回路接続用フィルム状接着剤は、 相対峙する回路電極を加熱、 加 圧によって、 加圧方向の電極間を電気的に接続する加熱接着性接着剤において、 その接着剤が少なくともエポキシ系榭脂と、 分子中にグリシジルエーテル基を 有するァクリルゴム及び潜在性硬化剤を含有していることを特徴する。
以上の本発明の回路接続用フィルム状接着剤は、 接続後の接着剤の面積が、 接続する前の面積に対して 2 . 0〜5 . 0倍であるものが好ましい。
本発明の回路板は、
第一の接続端子を有する第一の回路部材と、
第二の接続端子を有する第二の回路部材とを、
第一の接続端子と第二の接続端子を対向して配置し、
前記対向配置した第一の接続端子と第二の接続端子の間に接着剤を介在させ、 加熱加圧して前記対向配置した第一の接続端子と第二の接続端子を電気的に接 続させた回路板であって、
前記接着剤の接着後の 4 0でにおける弾性率が 1 0 0〜2 0 0 0 M P aである ことを特徴する。
又本発明の回路板は、 第一の接続端子を有する第一の回路部材と、
第二の接続端子を有する第二の回路部材とを、
第一の接続端子と第二の接続端子を対向して配置し、
前記対向配置した第一の接続端子と第二の接続端子の間に接着剤を介在させ、 加熱加圧して前記対向配置した第一の接続端子と第二の接続端子を電気的に接 続させた回路板であって、
前記接着剤が少なくともエポキシ榭脂と、 分子中にグリシジルエーテル基を有 するアクリルゴム及び潜在性硬化剤を含有していることを特徴とする。
本発明の回路板は、 第一の接続端子を有する第一の回路部材が、 半導体チッ プであり、 第二の接続端子を有する第二の回路部材が、 第二の接続端子を有す る有機質絶縁基板であることが好ましい。
第一の接続端子を有する第一の回路部材として半導体チップが、
第二の接続端子を有する第二の回路部材として， 第二の接続端子が形成され る表面絶縁層及び所定数層の絶縁層と前期各絶緣層を介して配置される所定数 層の配線層と所定の前期電極 ·配線層間を電気的に接続する導体化された穴を 有する多層配線板であって、 前期所定数層の絶緣層はガラス基材で補強された 樹脂よりなり、 前期表面絶縁層の D V E法で測定される弾性率を E 2とすると
E 1 = 0 . 0 1 E 2〜0 . 5 E 2
である多層配線板又は
第二の接続端子が絶縁基板表面に埋め込まれている配線基板が好ましく使用さ れる。
前記接着剤には 0 . 2〜 1 5体積％の導電粒子を分散することができる。 図面の簡単な説明
図 1は、 実施例 1の接着フィルム硬化物の弾性率および誘電正接を示すグラフ である。
図 2は、 比較例 1の接着フィルム硬化物の弾性率および誘電正接を示すグラフ である。 発明を実施するための最良の形態
本発明の接着剤は、 接着後の 40 での弾性率が 1 00〜2000MP aで あり、 接続時の良好な流動性や高接続信頼性を得られる接着剤として、 ェポキ シ榭脂とイミダゾ一ル系、 ヒドラジド系、 三フッ化ホウ素一アミン錯体、 スル ホニゥム塩、 ァミンイミド、 ポリアミンの塩、 ジシアンジアミ ド等の潜在性硬 化剤の混合物に、 接着後の 40ででの弾性率が 100〜2000MP aになる ように、 分子量 20万以上のァクリルゴムを配合した接着剤が挙げられる。 接着後の 40 での弾性率は、 300〜； L 80 OMP aが好ましく、 700 〜 180 OMP aが更に好ましい。 接着剤の接着後の段階に相当する接着フィルム硬化物の弾性率は、 例えば、 レオロジ （株） 製レオスぺクトラ DVE— 4 (引っ張りモード、 周波数 1 0H z、 5t:Zm i nで昇温、 — 40で〜 250 まで測定） を用いて測定するこ とができる。 なお、 接着フィルムの硬化は、 接着工程時の加熱温度及び時間と 同じ条件で行い、 硬化方法としては、 接着フィルムをオイルバスに浸漬して行 うことができる。 このような接着フィルム硬化物は、 DS Cを用いて測定した 場合の全硬化発熱量の 90 %以上の発熱を終えたものである。
図 1に代表例として実施例 1で作成した接着フィルム硬化物の弾性率及び誘電 正接の測定結果を示した。 また本発明において用いられる接着剤は、 エポキシ榭脂と、 分子中にグリシ ジルエーテル基を有するアクリルゴム及び潜在性硬化剤を含有しているもので ある。
本発明において用いられるエポキシ樹脂としては、 ェピクロルヒドリンとビ スフエノ一ル Aや F、 A D等から誘導されるビスフエノール型エポキシ榭脂、 ェピクロルヒドリンとフエノールノボラックゃクレゾ一ルノボラックから誘導 されるエポキシノボラック樹脂やナフ夕レン環を含んだ骨格を有するナフタレ ン系エポキシ榭脂、 グリシジルァミン、 グリシジルェ一テル、 ビフエニル、 脂 環式等の 1分子内に 2個以上のグリシジル基を有する各種のエポキシ化合物等 を単独にあるいは 2種以上を混合して用いることが可能である。 これらのェポ キシ榭脂は、 不純物イオン （N a +、 C 1 等） や、 加水分解性塩素等を 3 0 0 p m以下に低減した高純度品を用いることがエレクトロンマイグレーシヨン 防止のために好ましい。 本発明で用いるアクリルゴムとしては、 アクリル酸、 アクリル酸エステル、 メタクリル酸エステルまたはアクリル二トリルのうち、 少なくとも一つをモノ マー成分とした重合体または共重合体が挙げられ、 中でもグリシジルエーテル 基を有するグリシジルァクリレートゃグリシジルメタクリレートを含む共重合 体系ァクリルゴムが好適に用いられる。
これらァクリルゴムの分子量は、 接着剤の凝集力を高める点から 2 0万以上 が好ましい。 アクリルゴムの接着剤中の配合量は、 1 5重量％以下では接着後 の 4 0ででの弾性率が 2 0 0 0 M P aを越えてしまい、 また 4 0重量％以上に なると低弾性率化は図れるが接統時の溶融粘度が高くなり接続電極間、 または 接続電極と導電粒子界面の溶融接着剤の排除性が低下するため、 接続電極間ま たは接続電極と導電粒子間の電気的導通を確保できなくなる。 このため、 ァク リルゴムの配合量としては 1 0〜4 O w t %が好ましい。 接着剤に配合されたアクリルゴムは、 図 1に示したようなゴム成分に起因す る誘電正接のピーク温度が 4 0〜 6 0 *C付近にあるため、 接着剤の低弾性率化 を図ることができる。 また、 接着剤にはフィルム形成性をより容易にするため に、 フエノキシ榭脂、 ポリエステル榭脂、 ポリアミド樹脂等の熱可塑性樹脂を 配合することもできる。 特に、 フエノキシ榭脂は、 エポキシ系樹脂をべ一ス榭 脂とした場合、 エポキシ樹脂と構造が類似しているため、 エポキシ樹脂との相 溶性、 接着性に優れる等の特徴を有するので好ましい。 フィルム形成は、 これ ら少なくともエポキシ榭脂、 アクリルゴム、 潜在性硬化剤からなる接着組成物 を有機溶剤に溶解あるいは分散により、 液状化して、 剥離性基材上に塗布し、 硬化剤の活性温度以下で溶剤を除去することにより行われる。 この時用いる溶 剤は、 芳香族炭化水素系と含酸素系の混合溶剤が材料の溶解性を向上させるた め好ましい。 本発明の接着剤には、 チップのバンプや基板電極の高さばらつきを吸収する ために、 異方導電性を積極的に付与する目的で導電粒子を混入 ·分散すること もできる。 本発明において導電粒子は、 例えば A u、 A g、 C uやはんだ等の 金属の粒子であり、 ポリスチレン等の高分子の球状の核材に N i 、 C u、 A u、 はんだ等の導電層を設けたものがより好ましい。 さらに導電性の粒子の表面に S u、 A u、 はんだ等の表面層を形成することもできる。 粒径は基板の電極の 最小の間隔よりも小さいことが必要で、 電極の高さばらつきがある場合、 高さ ばらつきよりも大きいことが好ましく、 l〜 1 0 /x mが好ましい。 また、 接着 剤に分散される導電粒子量は、 0 . 1〜 3 0体積％であり、 好ましくは 0 . 2 〜 1 5体積％である。 本発明の接着剤は、 フィルム状接着剤として使用される。
フィルム状接着剤は、 接着剤溶液を離型性フィルム上にロールコ—夕等で塗 布し、 乾燥させし離型性フィルムから剥離することにより得ることができる。 フィルム状接着剤で接着剤層を多層化することもできる。 例えば、 異方導電 性を付与するために導電粒子を充填させた接着フィルムと導電粒子を充填して いない接着剤層をラミネ一ト化した二層構成異方導電フィルムや導電粒子を充 填させた接着フィルムの両側に導電粒子を充填していない接着剤層をラミネ一 ト化した三層構成異方導電フィルムを用いることができる。 これらの多層構成 異方導電フィルムは接続電極上に効率良く、 導電粒子を捕獲できるため、 狭ピ ツチ接続に有利である。 また、 回路部材との接着性を考慮して、 回路部材 1及 び 2に対してそれぞれ接着性に優れる接着フィルムをラミネ一トして多層化す ることもできる。 本発明の接着剤には、 無機質充填材を混入 ·分散することができる。
無機質充填材としては、 特に限定するものではなく、 例えば、 溶融シリカ、 結晶質シリカ、 ゲイ酸カルシウム、 アルミナ、 炭酸カルシウム等の粉体があげ られる。 無機充填材の配合量は、 接着樹脂組成物 1 0 0重量部に対して 1 0〜 2 0 0重量部が好ましく、 熱膨張係数を低下させるには配合量が大きいほど効 果的であるが、 多量に配合すると接着性や接続部での接着剤の排除性低下に基 づく導通不良が発生するし、 配合量が小さいと熱膨張係数を充分低下できない ため、 2 0〜9 0重量部がさらに好ましい。 また、 その平均粒径は、 接続部で の導通不良を防止する目的で 3ミクロン以下にするのが好ましい。 また接統時 の樹脂の流動性の低下及びチップのパッシべ一ション膜のダメ一ジを防ぐ目的 で球状フイラを用いることが望ましい。 無機質充填材は、 導電粒子と共に又は 導電粒子が使用されない層に混入 ·分散することができる。 本発明の回路接続用フィルム状接着剤は、 接続後の接着剤の面積が、 接続す る前の面積に対して 2 . 0〜5 . 0倍であることが好ましい。
接着剤の接続後の面積と接続前の面積の比は、 以下の手段によって測定する。 すなわち、 厚さ 5 0 xz m、 大きさ 5 mm角の接着剤を厚さ 1 . 1 mm、 大きさ 1 5 mm角のガラス板 2枚に挟んでおく。 これを、 加熱圧着機によって加熱温 度 1 8 0 、 加圧 1 8 k g f Z c m 2、 加圧時間 2 0秒の条件で加熱、 加圧を 行い、 加熱、 加圧前の接着剤面積 （A ) 及び、 加熱、 加圧の接着剤面積 （B ) を画像処理装置を用いて測定することによって、 接着剤の接続後の面積と接続 前の面積の比 （B Z A) を求めることができる。
接着剤の接続後の面積と接続前の面積の比 （B /A) が 2 . 0未満になると、 接続電極間、 または接続電極と導電粒子界面の溶融接着剤の排除性が低下する ため、 接続電極間または接続電極と導電粒子間の電気的導通を確保でき難くな る。 一方、 接着剤の接続後の面積と接続前の面積の比 （B ZA) が 5 . 0を越 えると接続時の接着剤の流動性が高すぎるため、 気泡がでやすく、 結果として 信頼性が低下する傾向がある。 本発明によれば、 従来の回路接続用接着剤のように接続後の 4 0での弾性率 が 2 0 0 O M P aを越える接着剤は、 熱衝擊試験、 P C T試験やはんだバス浸 漬試験等の信頼性試験中に生じる内部応力によって、 接続部での接続抵抗の増 大ゃ接着剤の剥離があるが、 本発明の接着剤は、 4 での弾性率が 1 0 0〜 2 0 0 O M P aのため、 前記信頼性試験において生じる内部応力を吸収できる ため、 信頼性試験後においても接続部での接続抵抗の増大や接着剤の剥離がな く、 接続信頼性が大幅に向上する。 本発明において、 回路部材としては半導体チップ、 抵抗体チップ、 コンデン サチップ等のチップ部品、 プリント基板、 ポリイミドゃポリエステルを基材と したフレキシル配線板等の基板等が用いられる。
これらの回路部材には接続端子が通常は多数 （場合によっては単数でも良 い） 設けられており、 前記回路部材の少なくとも 1組をそれらの回路部材に設 けられた接続端子の少なくとも一部を対向配置し、 対向配置した接続端子間に 接着剤を介在させ、 加熱加圧して対向配置した接続端子どうしを電気的に接続 して回路板とする。
回路部材の少なくとも 1組を加熱加圧することにより、 対向配置した接続端 子どうしは、 直接接触により又は異方導電性接着剤の導電粒子を介して電気的 に接続する。
半導体チップや基板の電極パッド上には、 めっきで形成されるバンプゃ金ヮ ィャの先端をトーチ等により溶融させ、 金ポールを形成し、 このボールを電極 パッド上に圧着した後、 ワイヤを切断して得られるワイヤバンプなどの突起電 極を設け、 接続端子として用いることができる。
このように半導体チップの端子には、 金、 ニッケル、 ハンダ等をめつきし突 起電極としためつきバンプ、 また 金、 アルミニウム等の金属ワイヤの先端を 熱エネルギによりポール状としこのポールを接続端子が構成される半導体チッ プの電極パッド上に圧着した後前記金属ワイヤを切断して構成された突起電極 であるポールバンプ、 はんだポール、 溶融はんだ成形バンプ、 カラムの半田付 け等による突起電極が使用できる。 本発明の接着剤を用いて半導体チップを半導体チップ端子に対応する電極 (接続端子） が形成された基板 （チップ実装用基板） に実装することができる。 このようなチップ実装用基板として、 半導体チップ端子に対応する電極 （接 続端子） が形成された有機質絶縁基板が使用去れる。 有機質絶縁基板としては、 ポリイミド樹脂、 ポリエステル樹脂等の合成樹脂フィルム、 又は、 ガラスクロ ス、 ガラス不織布等のガラス基材にポリイミ ド榭脂、 ポリエステル樹脂、 フエ ノール榭脂等の合成樹脂を含浸し、 硬化させた積層板等が使用される。
また、 チップ実装用基板として、 チップ端子と接続する電極、 この電極が形 成される表面絶緣層及び所定数層の絶縁層と前記各絶緣層を介して配置される 所定数層の配線層と所定の前記電極 ·配線層間を電気的に接続する導体化され た穴を有する多層配線板が使用でき、 前記所定数層の絶緣層はガラス基材で補 強された樹脂よりなり、 前記表面絶緣層の DVE法で測定される弾性率を E 1、 ガラス基材で補強された榭脂よりなる絶縁層の DVE法で測定される弾性率を E 2とすると
E 1 = 0. 0 1 E 2〜0. 5 E 2
である多層配線板が好ましく使用される。
またこのような多層配線板であって、 表面絶縁層の DVE法で測定される弹 性率は、
2 102〜104MP l O O 1 0 - 1 0 3 M P
であるものが好ましい。
このような多層配線板として、 ガラスクロスを用いた絶緑層により構成され た基材もしくは 1層以上の導体回路を有する配線基板上に絶緣層と導体回路層 とを交互に形成した、 ビルドアップ多雇基板が好ましい。
表面絶緣層は、 樹脂フィルムを用いることができ、 この榭脂フィルムはェポ キシ榭脂、 ポリイミ ド樹脂、 ポリアミドイミド榭脂、 変成ポリフエ二レンエー テル榭脂、 フエノキシ樹脂、 アミドエポキシ樹脂、 フエノール樹脂やこれらの 混合物、 共重合物等のフィルムが、 またポリサルフォン、 ポリエーテルサルフ オン、 ポリエーテルエーテルケトン、 全芳香族液晶ポリエステル、 フッ素系榭 脂などの耐熱性熱可塑性ェンジニヤリングプラスチックのフィルムが使用でき る。
このような榭脂フィルム中に有機もしくは無機のフィラーを含むものが使用 できる。
ガラス基材で補強された榭脂よりなる絶縁層としては、 ガラスクロス、 ガラ ス不織布等のガラス基材にエポキシ榭脂、 フエノール榭脂等の樹脂を含浸し硬 化させたプリプレグが使用できる。 チップ実装用基板として、 チップ端子と接続する電極が絶縁基板表面に埋め 込まれている配線基板が使用される。 このような配線基板は、 銅箔、 ステンレ ス板等の導電性仮基板にニッケル薄層を形成し、 電極が形成される箇所以外に メツキレジス卜を塗布し電気銅めつきを行い電極を形成し、 電極の面にポリィ ミ ドフィルム、 ガラス基材エポキシ樹脂プリプレダ等の絶縁層を押圧し銅電極 を絶縁層中に埋め込み、導電性仮基板、ニッケル薄層を機械的、化学的に剥離 · 除去することにより得ることができる。 また導電性仮基板にニッケル薄層、 銅 層を形成し、 電極が形成される箇所にエッチングレジス卜を塗布しエッチング により電極を形成し、 以降は同様にして得ることもできる。 このような配線基 板では半導体チップのリペア性が向上する。 本発明の接着剤によれば、 接続後の 40ででの弾性率が 1 00〜2000M P aとしたため、 熱衝撃、 PCTやはんだバス浸演試験等の信頼性試験におい て生じる内部応力を吸収でき、 信頼性試験後においても接続部での接続抵抗の 増大や接着剤の剥離がなく、 接続信頼性が向上する。 また、 フィルム状の接着 剤は、 取扱性にも便利である。 したがって、 本発明の接着剤は、 LCDパネ ルと TAB、 TABとフレキシブル回路基板、 L CDパネルと I Cチップ、 I Cチップとプリン卜基板とを接続時の加圧方向にのみ電気的に接続するために 好適に用いられる。 本発明の回路板は、 信頼性試験後においても接続部での 接続抵抗の増大や接着剤の剥離がなく、 接続信頼性に優れる。 実施例 1
フエノキシ樹脂 （ユニオンカーバイ ド社製， PKHC) 50 gと、 アクリル ゴム （プチルァクリレート 40部—ェチルァクリレート 30部—ァクリロニ卜 リル 30部ーグリシジルメ夕クリレート 3部の共重合体、 分子量： 85万） 1 25 gを酢酸ェチル 400 gに溶解し、 30%溶液を得た。 次いで、 マイクロ カプセル型潜在性硬化剤を含有する液状エポキシ （エポキシ当量 1 85、 旭化 成製、 ノバキユア HX— 3941) 325 gをこの溶液に加え、 撹拌し、 さら にニッケル粒子 （直径： を 2容量％分散してフィルム塗工用溶液を得 た。 この溶液をセパレー夕 （シリコーン処理したポリエチレンテレフ夕レート フィルム、 厚み 40 zxm) にロールコ一夕で塗布し、 1 00°C、 1 0分乾燥し 厚み 45 imの接着フィルムを作製した。 この接着フィルムの硬化物の動的粘 弾性測定器で測定した 40での弾性率は、 800MP aであった。 次に、 作 製した接着フィルムを用いて、 金バンプ （面積： 80 X 80 , スペース 3 0 m, 高さ ： 1 5 tm、 バンプ数 288) 付きチップ （1 0 X 1 0mm、 厚 み： 0. 5 m) と N i ZAuめっき C u回路プリント基板の接続を以下に示 すように行った。 接着フィルム （1 2 X 1 2mm) を N i ZAuめっき Cu回 路プリント基板 （電極高さ ： 20 /xm、 厚み： 0. 8mm) に 80 ：、 1 0 k g f Zcm2で貼り付けた後、 セパレー夕を剥離し、 チップのバンプと N i Z A uめっき C u回路プリント基板 （厚み： 0. 8 mm) の位置合わせを行った。 次いで、 1 80° (：、 75 バンプ、 20秒の条件でチップ上方から加熱、 加 圧を行い、 本接続を行った。 本接続後のチップの反りは、 4. 8 wm (チップ 側に凸状の反り） であった。 また、 本接続後の接続抵抗は、 1バンプあたり最 高で 1 5ΙΏΩ、 平均で 8ιηΩ、 絶縁抵抗は 108Ω以上であり、 これらの値は — 5 5〜： I 2 5 の熱衝撃試験 1000サイクル処理、 PCT試験 （ 12 1 t：、 2気圧） 200時間、 260 のはんだバス浸濱 1 0秒後においても変化がな く、 良好な接続信頼性を示した。 実施例 2
フエノキシ樹脂 50 gと、 実施例 1と同じァクリルゴム 1 75 gを酢酸ェチ ル 525 gに溶解し、 30 %溶液を得た。 次いで、 マイクロカプセル型潜在性 硬化剤を含有する液状エポキシ （エポキシ当量 1 85) 275 gをこの溶液に 加え、 撹拌し、 さらにニッケル粒子 （直径： 5 /m) を 2容量％分散してフィ ルム塗工用溶液を得た。 この溶液をセパレー夕 （シリコーン処理したポリェチ レンテレフ夕レートフィルム、 厚み 40 m) に口一ルコ一夕で塗布し、 10 Ot：、 1 0分乾燥し厚み 45 mの接着フィルムを作製した。 この接着フィル ムの硬化物動的粘弾性測定器で測定した 40での弾性率は、 40 OMP aであ つた。 次に、 作製した接着フィルムを用いて、 金バンプ （面積： 80 X 80 wm、 スペース 30 m、 高さ ： 1 5 M m、 バンプ数 288) 付きチップ （ 1 0 X 1 0 mm) と N i ZAuめっき C u回路プリント基板 （電極高さ ： 20 m、 厚み： 0. 8 mm) の接続を以下に示すように行った。 接着フィルム 2 (1 2 X 1 2 mm) を N iノ A uめっき C u回路プリン卜基板 （電極高さ ： 20 / m、 厚み： 0. 8 mm) に 80 ：、 1 0 k g f Z c m 2で貼り付けた後、 セパ レー夕を剥離し、 チップのバンプと N i Auめっき C u回路プリント基板の 位置合わせを行った。 次いで、 1 70 ：、 75 gZバンプ、 20秒の条件でチ ップ上方から加熱、 加圧を行い、 本接続を行った。 本接続後のチップの反りは、 3. 8 (チップ側に凸状の反り） であった。 また、 本接続後の接続抵抗は、 1バンプあたり最高で 20πιΩ、 平均で 12ηιΩ、 絶縁抵抗は 1 08 Ω以上で あり、 これらの値は— 55〜 1 25 :の熱衝撃試験 1000サイクル処理、 P CT試験 （ 1 2 1 C、 2気圧） 200時間、 260でのはんだバス浸演 1 0秒 後においても変化がなく、 良好な接続信頼性を示した。 実施例 3
フエノキシ樹脂 50 gと、 実施例 1と同じアクリルゴム 1 00 gを酢酸ェチ ル 350 gに溶解し、 30%溶液を得た。 次いで、 マイクロカプセル型潜在性 硬化剤を含有する液状エポキシ （エポキシ当量 185) 350 gをこの溶液に 加え、 撹拌し、 さらにポリスチレン系核体 （直径： 5 ; m) の表面に Au層を 形成した導電粒子を 5容量％分散してフィルム塗工用溶液を得た。 この溶液を セパレー夕 （シリコーン処理したポリエチレンテレフタレ一トフイルム、 厚み 40 m) にロールコ一夕で塗布し、 1 00 ：、 10分乾燥し厚み 45 tmの 接着フィルムを作製した。 この接着フィルムの硬化物の動的粘弾性測定器で測 定した 40°Cの弾性率は、 1200MP aであった。 次に、 作製した接着フ イルムを用いて、 金バンプ（面積： 80 X 80 t m、 スぺ一ス 30 m、 高さ ： 1 5 rn, バンプ数 288) 付きチップ （ 1 0 X 10mm, 厚み： 0. 5 mm) と N i A uめっき C u回路プリント基板 （電極高さ ： 20 m、 厚み： 0. 8mm) の接続を以下に示すように行った。 接着フィルム 3 ( 1 2 X 1 2mm) を N i ZAuめっき Cu回路プリン卜基板に 80。C、 1 0 k g f Zcm2で貼 り付けた後、 セパレー夕を剥離し、 チップのバンプと N i ZAuめっき C u回 路プリント基板の位置合わせを行った。 次いで、 1 70 ：、 75 gZバンプ、 20秒の条件でチップ上方から加熱、 加圧を行い、 本接続を行った。 本接続後 のチップの反りは、 5. 0 m (チップ側に凸状の反り） であった。 また、 本 接続後の接続抵抗は、 1バンプあたり最高で 8ιηΩ、 平均で 3ιηΩ、 絶緣抵抗 は 108 Ω以上であり、 これらの値は— 55〜 125 の熱衝撃試験 1 000 サイクル処理、 PCT試験 （1 2 1 、 2気圧） 200時間、 260 のはん だバス浸漬 1 0秒後においても変化がなく、 良好な接続信頼性を示した。 実施例 4
フエノキシ樹脂 50 gと、 実施例 1と同じァクリルゴム 100 gを酢酸ェチ ル 350 gに溶解し、 30 %溶液を得た。 次いで、 マイクロカプセル型潜在性 硬化剤を含有する液状エポキシ （エポキシ当量 185) 350 gをこの溶液に 加え、 撹拌し、 さらにポリスチレン系核体 （直径： の表面に Au層を 形成した導電粒子を 5容量％分散してフィルム塗工用溶液を得た。 この溶液を セパレー夕 （シリコーン処理したポリエチレンテレフ夕レートフィルム、 厚み
4 0 m) に口一ルコ一夕で塗布し、 1 0 0t：、 1 0分乾燥し厚み 2 5 の 接着フィルムを作製した。 この接着フィルムの硬化物の動的粘弾性測定器で測 定した 4 0での弾性率は、 1 2 0 0MP aであった。 次に、 作製した接着フ イルム 4を用いて、 金バンプ （面積： 5 0 X 5 0 rn. スペース 2 0 j m、 高 さ ： 1 5 m、 バンプ数 3 6 2) 付きチップ （ 1. 7 X 1. 7mm、 厚み： 0.
5 urn) と I TO回路付きガラス基板 （厚み： 1. 1 mm) の接続を、 以下に 示すように行った。 接着フィルム 4 ( 1 2 X 1 2 mm) を I TO回路付きガラ ス基板に 8 0で、 1 0 k g f /cm 2で貼り付けた後、 セパレ一夕を剥離し、 チップのバンプと I TO回路付きガラス基板の位置合わせを行った。 次いで、 1 8 0で、 4 0 gZバンプ、 2 0秒の条件でチップ上方から加熱、 加圧を行い、 本接続を行った。 本接続後の接続抵抗は、 1バンプあたり最高で 1 5 0 ΙΉΩ、 平均で 8 0πιΩ、 絶縁抵抗は 1 08Ω以上であり、 これらの値は一 4 0〜 1 0 Ot:の熱衝撃試験 1 0 0 0サイクル処理、 P CT試験 （ 1 0 5 ：、 1. 2気圧） 1 0 0時間においても変化がなく、 良好な接続信頼性を示した。 実施例 5
フエノキシ樹脂 5 0 gと、 実施例 1と同じアクリルゴム 1 2 5 gを酢酸ェチ ル 4 0 0 gに溶解し、 3 0 %溶液を得た。 次いで、 マイクロカプセル型潜在性 硬化剤を含有する液状エポキシ （エポキシ当量 1 8 5) 3 2 5 gをこの溶液に 加え、 撹拌し、 さらにニッケル粒子 （直径： 5 ium) を 2容量％分散してフィ ルム塗工用溶液を得た。 この溶液をセパレー夕 （シリコーン処理したポリェチ レンテレフ夕レートフィルム、 厚み 4 0 m) にロールコ一夕で塗布し、 1 0 0T：、 1 0分乾燥し厚み 2 5 の接着フィルムを作製した。 この接着フィル ムの硬化物の動的粘弾性測定器で測定した 40 の弾性率は、 1 00 OMP a であった。 次に、 作製した接着フィルムを用いて、 バンプレスチップ （ 1 0 X 1 Omm、 厚み： 0. 5 i/m、 パッド電極： Aし ノ ツド径： 1 20 wm) と回路上に N i ZAuめっき C uバンプ （直径： 1 00 /xm、 スペース 50 m、 高さ ： 1 5 m、 バンプ数： 200) を形成した N i ZAuめっき C uバ ンプ回路プリント基板の接続を以下に示すように行った。 接着フィルム 5 (1 2 X 1 2 mm) を N i ZAuめっき C u回路プリント基板 （電極高さ ： 2 0 m、 厚み： 0. 8 mm) に 80"C、 1 0 k g f Z c m 2で貼り付けた後、 セパ レ一夕を剥離し、 チップのバンプの A 1バンプと N i ZAuめっき付きプリン 卜基板の位置合わせを行った。 次いで、 1 8 0 ：、 7 5 gノバンプ、 20秒の 条件でチップ上方から加熱、 加圧を行い、 本接続を行った。 本接続後のチップ の反りは、 4. 8 um (チップ側に凸状の反り） であった。 また、 本接続後の 接続抵抗は、 1バンプあたり最高で 2 ΟιηΩ、 平均で 1 5ΠΊΩ、 絶縁抵抗は 1 08 Ω以上であり、 これらの値は— 5 5〜 1 2 5 の熱衝撃試験 1 000サイ クル処理、 PCT試験 （ 1 2 1° (：、 2気圧） 2 00時間、 260°Cのはんだバ ス浸濱 1 0秒後においても変化がなく、 良好な接続信頼性を示した。 実施例 6
フエノキシ樹脂 （ユニオンカーバイ ド社製， PKHC) 50 gと、 アクリル ゴム （プチルァクリレート 40部一ェチルァクリレー卜 3 0部ーァクリロニト リル 30部ーグリシジルメ夕クリレート 3部の共重合体、 分子量： 8 5万） 5 0 gを酢酸ェチル 2 3 3 gに溶解し、 30 %溶液を得た。 次いで、 マイクロ力 プセル型潜在性硬化剤を含有する液状エポキシ （エポキシ当量 1 8 5、 旭化成 製、 ノバキユア HX— 394 1 ) 400 gをこの溶液に加え、 撹拌し、 さらに ニッケル粒子 （直径： 5 m) を 2容量％分散してフィルム塗工用溶液を得た。 この溶液をセパレー夕 （シリコーン処理したポリエチレンテレフ夕レー卜フィ ルム、 厚み 40 m) にロールコ一夕で塗布し、 1 00 、 1 0分乾燥し厚み 45 jumの接着フィルムを作製した。 この接着フィルムの硬化物の動的粘弾性 測定器で測定した 40での弾性率は、 1 70 OMP aであった。 次に、 作製 した接着フィルムを用いて、 金バンプ （面積： 80 X 8 0 u , スペース 30 m, 高さ ： 1 5 / m、 ノ ンプ数 288) 付きチップ（ 1 0 X 1 0mm、 厚み： 0. 5 um) と N i ZAuめっき C u回路プリント基板の接続を以下に示すよ うに行った。 接着フィルム （ 1 2 X 1 2 mm) を N i ZAuめっき Cu回路プ リント基板 （電極高さ ： 20 /zm、 厚み： 0. 8 mm) に 8 0 ：、 l O k g f cm 2で貼り付けた後、 セパレ一夕を剥離し、 チップのバンプと N i ZAu めっき C u回路プリント基板 （厚み： 0. 8mm) の位置合わせを行った。 次 いで、 1 80°C、 7 5 g/バンプ、 2 0秒の条件でチップ上方から加熱、 加圧 を行い、 本接続を行った。 本接続後のチップの反りは、 5. 7 m (チップ側 に凸状の反り） であった。 また、 本接続後の接続抵抗は、 1バンプあたり最高 で 7ηιΩ, 平均で 3ΙΉΩ、 絶緣抵抗は 1 0 « Ω以上であり、 これらの値は一 5 5〜 1 2 5 °Cの熱衝撃試験 1 000サイクル処理、 P CT試験 （ 1 2 1で、 2 気圧） 20 0時間、 26 O :のはんだバス浸潰 1 0秒後においても変化がなく、 良好な接続信頼性を示した。 実施例 7
フエノキシ樹脂 50 gと、 実施例 1と同じアクリルゴム 7 5 gを酢酸ェチル 3 50 gに溶解し、 30 %溶液を得た。 次いで、 マイクロカプセル型潜在性硬 化剤を含有する液状エポキシ （エポキシ当量 1 8 5) 3 7 5 gをこの溶液に加 え、 撹拌し、 さらにポリスチレン系核体 （直径： 5 wm) の表面に Au層を形 成した導電粒子を 5容量％分散してフィルム塗工用溶液を得た。 この溶液をセ パレー夕 （シリコーン処理したポリエチレンテレフタレ一トフイルム、 厚み 4
0 m) にロールコ一夕で塗布し、 1 00で、 1 0分乾燥し厚み 2 5 imの接 着フィルム aを作製した。
ついで、 前記フィルム塗工用溶液の作製の中で A u層を形成した導電粒子を 分散しない以外は同様な方法で作製したフィルム塗工用溶液をセパレー夕 （シ リコ一ン処理したポリエチレンテレフタレートフィルム、 厚み 40 ΠΊ) に口 ールコ一夕で塗布し、 1 00 ：、 1 0分乾燥し厚み 2 5 の接着フィルム b を作製した。 さらに、 得られた接着フィルム aと bを 40 で加熱しながら、 ロールラミネ一夕でラミネートした二層構成異方導電接着フィルムを作製した。 この接着フィルムの硬化物の動的粘弾性測定器で測定した 40°Cの弾性率は、
1 40 0MP aであった。 次に、 作製した接着フィルム 7を用いて、 金バンプ (面積： 8 0 X 80 //m、 スペース 3 0 /im、 高さ ： 1 5 m、 バンプ数 28
8) 付きチップ （ 1 0 X 1 0mm、 厚み： 0. 5 mm) と N i ZAuめっき C u回路プリント基板 （電極高さ ： 20 zm、 厚み： 0. 8 mm) の接続を以下 に示すように行った。 接着フィルム 3 ( 1 2 X 1 2 mm) を N i ZAuめっき C u回路プリント基板に 8 ΟΤλ 1 0 k g f Zcm2で貼り付けた後、 セパレ —夕を剥離し、 チップのバンプと N i ZAuめっき C u回路プリント基板の位 置合わせを行った。 次いで、 1 7 0t：、 7 5 gZバンプ、 2 0秒の条件でチッ プ上方から加熱、 加圧を行い、 本接続を行った。 本接続後のチップの反りは、 5. 3 //m (チップ側に凸状の反り） であった。 また、 本接続後の接続抵抗は、 1バンプあたり最高で 7ΓΠΩ、 平均で 3· 8πιΩ、 絶縁抵抗は 1 08 Ω以上で あり、 これらの値は— 5 5〜 1 2 5 の熱衝撃試験 1 000サイクル処理、 Ρ CT試験 （ 1 2 1°C、 2気圧） 200時間、 260 のはんだバス浸漬 1 0秒 後においても変化がなく、 良好な接続信頼性を示した。 実施例 8
フエノキシ榭脂 50 gと、 実施例 1と同じァクリルゴム 1 00 gを酢酸ェチ ル 350 gに溶解し、 30%溶液を得た。 次いで、 マイクロカプセル型潜在性 硬化剤を含有する液状エポキシ （エポキシ当量 185) 350 gをこの溶液に 加え、 撹拌し、 さらにポリスチレン系核体 （直径： 5 m) の表面に Au層を 形成した導電粒子を 5容量％分散してフィルム塗工用溶液を得た。 この溶液を セパレー夕 （シリコーン処理したポリエチレンテレフタレ一トフイルム、 厚み 40 m) にロールコ一夕で塗布し、 100T、 1 0分乾燥し厚み 30 mの 接着フィルムを作製した。 この接着フィルムの硬化物の動的粘弾性測定器で測 定した 40°Cの弾性率は、 1 200MP aであった。
次に、 作製した接着フィルムを用いて、 金バンプ （面積： 80 X 80 m、 スペース 30 m、 高さ ： 1 5 m、 ノ 'ンプ数 288) 付きチップ （1 0 X 1 0mm、 厚み： 0. 5mm) と NM ZA uめっき C u回路埋め込みプリント基 板 （電極厚み： 20 /xm、 電極高さ ： 0 m、 厚み： 0. 8mm) の接続を以 下に示すように行った。 接着フィルム （ 1 2 X 1 2 mm) を N i ZAuめっき C u回路プリン卜基板に 80で、 1 0 k g f Zcm2で貼り付けた後、 セパレ 一夕を剥離し、 チップのバンプと N i /Auめっき Cu回路埋め込みプリン卜 基板の位置合わせを行った。 次いで、 1 70°C、 75 gZバンプ、 20秒の条 件でチップ上方から加熱、 加圧を行い、 本接続を行った。 本接続後のチップの 反りは、 4. 0 urn (チップ側に凸状の反り） であった。 また、 本接続後の接 続抵抗は、 1バンプあたり最高で 5πιΩ、 平均で 1. 5111 、 絶緣抵抗は1 08 Ω以上であった。 ついで、 チップ側からヒータ付ステンレスブロックでチップ を 1 0秒間、 2 00°Cに加熱し、 チップに対してせんだん力を加えてチップを 基板から剥離した。 剥離後基板表面の接着フィルムの残さをアセトンを染みこ ました綿棒でこすり除去しリペアをおこなった。 再びチップを剥離した基板に 前記接着フィルム 3を用いて前記チップと同仕様のチップを新たに前記接続条 件で本接続を行った。 リペア接続後のチップの反りは、 4. 3 m (チップ側 に凸状の反り） であった。 また、 リペア接続後の接続抵抗は、 1バンプあたり 最高で 6πιΩ、 平均で 1. 8ΙΉΩ、 絶縁抵抗は 1 0 8 Ω以上であり、 これらの 値は— 5 5〜： 1 2 5での熱衝撃試験 1 000サイクル処理、 PCT試験 （ 1 2 1で、 2気圧） 2 00時間、 260でのはんだバス浸漬 1 0秒後においても変 化がなく、 良好な接続信頼性を示した。 比較例 1
フエノキシ樹脂 1 00 gを酢酸ェチル 2 30 gに溶解し、 30 %溶液を得 た。 次いで、 マイクロカプセル型潜在性硬化剤を含有する液状エポキシ （ェポ キシ当量 1 8 5) 1 86 gをこの溶液に加え、撹拌し、 さらにニッケル粒子（直 径： 5 ;^m) を 2容量％分散してフィルム塗工用溶液を得た。 この溶液をセパ レー夕 （シリコーン処理したポリエチレンテレフタレ一トフイルム、 厚み 40 m) にロールコ一夕で塗布し、 1 00 ：、 1 0分乾燥し厚み 45 "mの接着 フィルムを作製した。 この接着フィルムの硬化物の動的粘弹性測定器で測定し た 40°Cの弾性率は、 2600MP aであった。 図 2にこの接着フィルム硬化 物の弾性率及び誘電正接を測定した結果を示した。 次に、 作製した接着フィ ルムを用いて、 金バンプ （面積： 8 0 X 80 im, スペース 30 m、 高さ ： 1 5 am, バンプ数 28 8) 付きチップ （1 0 X 1 0mm、 厚み： 0. 5 mm) と N i ZAuめっき Cu回路プリン卜基板の接続を以下に示すように行った。 接着フィルム（ 1 2 X 1 2 mm)を N i ZAuめっき Cu回路プリント基板（電 極高さ ： 2 0 m、 厚み： 0. 8mm) に 80T：、 1 0 k g f Zcm2で貼り 付けた後、 セパレー夕を剥離し、 チップのバンプと N i ZAuめっき C u回路 プリン卜基板の位置合わせを行った。 次いで、 1 70 、 7 5 gZバンプ、 2 0秒の条件でチップ上方から加熱、 加圧を行い、 本接続を行った。 本接続後の チップの反りは、 6. 4 m (チップ側に凸状の反り） であった。 また、 本接 続後の接続抵抗は、 1バンプあたり最高で 9ΙΉΩ、 平均で 2ΙΉΩ、 絶縁抵抗は 1 0 8 Ω以上であつたが、 これらの値は一 5 5〜 1 2 5での熱衝擊試験 200 サイクル処理、 P CT試験 （ 1 2 1で、 2気圧） 40時間、 26 0でのはんだ バス浸漬 1 0秒後において、 電気的導通が不良になった。 接続部の断面観察の 結果、 導通不良の接続部の一部で界面剥離が観察された。 比較例 2
フエノキシ樹脂 1 0 0 gを 23 0 gの酢酸ェチルに溶解した。 ついで、 この 溶液にマイクロカプセル型潜在性硬化剤を含有する液状エポキシ （エポキシ当 量 1 8 5) 1 8 6 gをこの溶液に加え、撹拌し、 さらにポリスチレン系核体（直 径： 5 m) の表面に Au層を形成した導電粒子を 5容量％分散して、 フィル ム塗工用溶液を得た。 この溶液をセパレ一夕 （シリコーン処理したポリエチレ ンテレフ夕レートフィルム、 厚み 50 m) にロールコ一夕で塗布し、 80 、 1 0分乾燥し厚み 2 5 mの接着フィルムを作製した。 この接着フィルムの硬 化物の動的粘弾性測定器で測定した 4 Ot:の弾性率は、 26 00MP aであつ た。 次に、 作製した接着フィルムを用いて、 金バンプ （面積： 50 X 5 0 m、 36 2バンプ、 スペース ： 20 m、 高さ ： 1 5 wm) 付きチップ （ 1. 7 X 1 7 mm, 厚み： 0. 5mm) と I TOガラス基板 （厚み： 1. 1 mm) の接続を以下に示すように行った。 接着フィルム （2mmX 1 9mm) を I T O回路付ガラス基板に 8 1 0 k g f ノ cm2で貼り付けた後、 セパレ一 夕を剥離し、 チップのバンプと I TO回路付ガラス基板の位置合わせを行った。 次いで、 1 70 、 40 gZバンプ、 20秒の条件でチップ上方から加熱、 加 圧を行い、 本接続を行った。 本接続後の接練抵抗は、 1バンプあたり最高で 1 8 ΟπιΩ. 平均で 90ιηΩ、 絶緣抵抗は 1 0 8 Q以上であり、 これらの値は一 40〜 1 00°Cの熱衝撃試験 1 000サイクル処理後は殆ど変化はなかったが、 PCT試験 （ 1 0 5°C、 1. 2気圧） 1 00時間では電気的導通が不良になつ た。 接続部の断面観察の結果、 異方導電フィルムノガラス基板界面に導通不良 の接続部の一部で界面剥離が観察された。 比較例 3
フエノキシ樹脂 50 gと、 実施例 1と同じアクリルゴム 2 50 gを酢酸ェチ ル 53 3 gに溶解し， 30 %溶液を得た。 次いで、 マイクロカプセル型潜在性 硬化剤を含有する液状エポキシ （エポキシ当量 1 8 5) 200 gをこの溶液に 加え、 撹拌し、 さらにポリスチレン系核体 （直径： 5 wm) の表面に Au層を 形成した導電粒子を 5容量％分散してフィルム塗工用溶液を得た。 この溶液を セパレー夕 （シリコーン処理したポリエチレンテレフ夕レートフィルム、 厚み 40 wm) にロールコ一夕で塗布し、 1 00 、 1 0分乾燥し厚み 45 / mの 接着フィルムを作製した。 この接着フィルムの硬化物の動的粘弾性測定器で測 定した 40°Cの弾性率は、 70MP aであった。 次に、 作製した接着フィル ム （ 1 2 X 1 2 mm) を用いて、 金バンプ （面積： 80 X 80 urn. スペース 30 /im、 高さ ： 1 5 /xm、 バンプ数 288) 付きチップ （ 1 0 X 1 0 mm, 厚み： 0. 5 / m) と N i / Auめっき C u回路プリン卜基板 （電極高さ ： 2 0 ^11：、 厚み： 0. 8mm) に 8 0 ：、 1 0 k g f / c m 2で張り付けた後、 セパレ一夕を剥離し、 チップのバンプと N i /Auめっき C u回路プリント基 板の位置合わせを行った。 次いで、 1 80T：、 7 5 gZバンプ、 20秒の条件 でチップ上方から加熱、 加圧を行い、 本接続を行った。 本接続後のチップの反 りは、 1. 6 m (チップ側に凸状の反り） であった。 また、 本接続後の接続 抵抗を測定したところ、 一部のバンプで接着剤の排除性低下に基づく導通不良 があった。

Claims

請 求 の 範 囲
1. 相対峙する回路電極を加熱、 加圧によって、 加圧方向の電極間を電気的に 接続する加熱接着性接着剤において、 その接着剤の接着後の 40でにおける弾 性率が 100〜200 OMP aであることを特徴とする回路接続用フィルム状 接着剤。
2. 前記接着剤が少なくともエポキシ榭脂と、 アクリルゴム及び潜在性硬化剤 を含有している請求項 1記載の回路接続用フィルム状接着剤。
3. アクリルゴムが、 分子中にグリシジルェ一テル基を有するものである請求 項 2記載の回路接続用フィルム状接着剤。
4. 相対峙する回路電極を加熱、 加圧によって、 加圧方向の電極間を電気的に 接続する加熱接着性接着剤において、 その接着剤が少なくともエポキシ系榭脂 と、 分子中にグリシジルエーテル基を有するアクリルゴム及び潜在性硬化剤を 含有していることを特徴とする回路接続用フィルム状接着剤。
5. 接着剤に 0. 2〜 1 5体積％の導電粒子が分散されている請求項 1〜4各 項記載の回路接続用フィルム状接着剤。
6. 接続後の接着剤の面積が、 接続する前の面積に対して 2. 0〜5. 0倍で ある請求項 1〜 5各項記載の回路接続用フィルム状接着剤。
7 .
第一の接続端子を有する第一の回路部材と、
第二の接続端子を有する第二の回路部材とを、
第一の接続端子と第二の接続端子を対向して配置し、
前記対向配置した第一の接続端子と第二の接続端子の間に接着剤を介在させ, 加熱加圧して前記対向配置した第一の接続端子と第二の接続端子を電気的に接 続させた回路板であって、
前記接着剤の接着後の 4 0 °Cにおける弾性率が 1 0 0〜 2 0 0 0 M P aである ことを特徴とする回路板。
8 .
第一の接続端子を有する第一の回路部材と、
第二の接続端子を有する第二の回路部材とを，
第一の接続端子と第二の接続端子を対向して配置し、
前記対向配置した第一の接続端子と第二の接続端子の間に接着剤を介在させ、 加熱加圧して前記対向配置した第一の接続端子と第二の接続端子を電気的に接 続させた回路板であって、
前記接着剤が少なくともエポキシ樹脂と、 分子中にグリシジルエーテル基を有 するァクリルゴム及び潜在性硬化剤を含有していることを特徴する回路板。
9 .
第一の接続端子を有する第一の回路部材が、 半導体チップであり、
第二の接続端子を有する第二の回路部材が、 第二の接続端子を有する有機質 絶縁基板である請求項 7又は 8記載の回路板。
1 0.
第一の接続端子を有する第一の回路部材が半導体チップであり、
第二の接続端子を有する第二の回路部材が、 第二の接続端子が形成される表 面絶緣層及び所定数層の絶縁層と前記各絶緣層を介して配置される所定数層の 配線層と所定の前記電極 ·配線層間を電気的に接続する導体化された穴を有す る多層配線板であって、 前記所定数層の絶緣層はガラス基材で補強された榭脂 よりなり、 前記表面絶縁層の DVE法で測定される弾性率を E 1、 ガラス基材 で補強された樹脂よりなる絶緣層の DVE法で測定される弾性率を E 2とする と
E 1 = 0. 0 1 E 2〜0. 5 E 2
である多層配線板である請求項 7、 8又は 9記載の回路板。
1 1.
第一の接続端子を有する第一の回路部材が半導体チップであり、
第二の接続端子を有する第二の回路部材が、 第二の接続端子が絶緣基板表面 に埋め込まれている配線基板である請求項 7、 8又は 9記載の回路板。
1 2. 接着剤に 0. 2〜 1 5体積％の導電粒子が分散されている請求項 7〜 1 1各項記載の回路板。
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Cited By (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2000001782A1 (de) * 1998-07-04 2000-01-13 Beiersdorf Ag Elektrisch leitfähige, thermoplastische und hitzeaktivierbare klebstofffolie
EP1002844A2 (de) * 1998-11-21 2000-05-24 Beiersdorf Aktiengesellschaft Elektrisch leitfähige, thermoplastische und hitzeaktivierbare Klebstofffolie
JP2000256635A (ja) * 1999-03-09 2000-09-19 Hitachi Chem Co Ltd アクリル樹脂を用いた接着剤層付き基材及び接着フィルム
JP2001064619A (ja) * 1999-09-01 2001-03-13 Hitachi Chem Co Ltd 回路接続用フィルム状接着剤
JP2001081438A (ja) * 1999-09-14 2001-03-27 Sony Chem Corp 接続材料
JP2001152107A (ja) * 1999-11-25 2001-06-05 Hitachi Chem Co Ltd 積層接着フィルム、半導体チップ搭載用基板及び半導体装置
JP2002097439A (ja) * 2000-09-21 2002-04-02 Hitachi Chem Co Ltd 接着剤組成物、回路接続材料、回路接続用接着剤組成物、接続体及び半導体装置
JP2003055638A (ja) * 2001-08-21 2003-02-26 Three Bond Co Ltd フィルム状接着剤
JP2004328000A (ja) * 2004-04-30 2004-11-18 Sony Chem Corp 接続材料
JP2005194413A (ja) * 2004-01-08 2005-07-21 Hitachi Chem Co Ltd 回路接続用接着フィルム及び回路接続構造体
JP2005200521A (ja) * 2004-01-15 2005-07-28 Sony Chem Corp 接着フィルム、接着フィルムの製造方法
JP2007009022A (ja) * 2005-06-29 2007-01-18 Sekisui Chem Co Ltd シート状接着剤、電子部品装置の製造方法及び電子部品装置
US7247381B1 (en) * 1998-08-13 2007-07-24 Hitachi Chemical Company, Ltd. Adhesive for bonding circuit members, circuit board, and method of producing the same
JP2007297636A (ja) * 2007-06-14 2007-11-15 Nippon Zeon Co Ltd 異方性導電用樹脂組成物
WO2008026356A1 (en) * 2006-08-29 2008-03-06 Hitachi Chemical Company, Ltd. Conductive adhesive film and solar cell module
WO2008069035A1 (ja) * 2006-11-28 2008-06-12 Sanyo Electric Co., Ltd. 太陽電池モジュール
WO2008123087A1 (ja) * 2007-03-19 2008-10-16 Namics Coropration 異方性導電ペースト
JP2008300849A (ja) * 2008-06-16 2008-12-11 Sony Chemical & Information Device Corp 接続材料
JP2009147361A (ja) * 2009-02-16 2009-07-02 Hitachi Chem Co Ltd 回路部材接続用接着剤並びに回路板及びその製造方法
WO2010002007A1 (ja) * 2008-07-01 2010-01-07 株式会社スリーボンド エポキシ樹脂組成物
JP2010016383A (ja) * 2009-07-03 2010-01-21 Hitachi Chem Co Ltd 回路部材接続用接着剤、回路板、及びその製造方法
KR100969899B1 (ko) * 1999-09-14 2010-07-13 소니 케미카루 앤드 인포메이션 디바이스 가부시키가이샤 Ｃｏｇ 실장품 및 접속재료
JP4631998B1 (ja) * 2010-09-21 2011-02-23 日立化成工業株式会社 回路部材接続用接着剤、回路板、及びその製造方法
US7901768B2 (en) * 2003-09-12 2011-03-08 Sony Corporation Multilayer anisotropic conductive adhesive and connection structure using the same
JP2011105861A (ja) * 2009-11-18 2011-06-02 Hitachi Chem Co Ltd 回路接続材料及び接続構造体
JP2011205126A (ja) * 2011-06-08 2011-10-13 Sony Chemical & Information Device Corp 電気装置
JP2012151486A (ja) * 2006-01-16 2012-08-09 Hitachi Chem Co Ltd 導電性接着フィルム
WO2012137335A1 (ja) * 2011-04-07 2012-10-11 日立化成工業株式会社 回路接続材料及びその使用並びに接続構造体及びその製造方法

Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6404068B1 (en) 1998-08-21 2002-06-11 Hitachi Chemical Company, Ltd. Paste composition, and protective film and semiconductor device both obtained with the same
ATE316560T1 (de) * 1999-06-18 2006-02-15 Hitachi Chemical Co Ltd Klebstoff, klebstoffgegenstand, schaltungssubstrat für halbleitermontage mit einem klebstoff und eine halbleiteranordnung die diesen enthält
US6555762B2 (en) * 1999-07-01 2003-04-29 International Business Machines Corporation Electronic package having substrate with electrically conductive through holes filled with polymer and conductive composition
JP3371894B2 (ja) 1999-09-17 2003-01-27 ソニーケミカル株式会社 接続材料
JP3491595B2 (ja) * 2000-02-25 2004-01-26 ソニーケミカル株式会社 異方導電性接着フィルム
JP3738655B2 (ja) 2000-03-31 2006-01-25 ソニーケミカル株式会社 異方性導電接着材料及び接続方法
DE10059765A1 (de) * 2000-11-30 2002-06-06 Koninkl Philips Electronics Nv Baugruppe mit Verbindungsstruktur
JP3842548B2 (ja) * 2000-12-12 2006-11-08 富士通株式会社 半導体装置の製造方法及び半導体装置
JP4107417B2 (ja) 2002-10-15 2008-06-25 日東電工株式会社 チップ状ワークの固定方法
JP4238124B2 (ja) * 2003-01-07 2009-03-11 積水化学工業株式会社 硬化性樹脂組成物、接着性エポキシ樹脂ペースト、接着性エポキシ樹脂シート、導電接続ペースト、導電接続シート及び電子部品接合体
KR100688857B1 (ko) * 2004-12-17 2007-03-02 삼성전기주식회사 윈도우를 구비한 볼 그리드 어레이 기판 및 그 제조방법
CN101194540B (zh) * 2005-04-11 2010-06-16 3M创新有限公司 导电产品的连接方法和具有由该连接方法连接的部分的电气或电子元件
JP4800694B2 (ja) * 2005-07-26 2011-10-26 日東電工株式会社 ダイシング・ダイボンドフィルム
US20080035548A1 (en) * 2006-08-01 2008-02-14 Quos, Inc. Multi-functional filtration and ultra-pure water generator
US20080073288A1 (en) * 2006-04-21 2008-03-27 Qinbai Fan Multifunctional filtration and water purification systems
US20080029395A1 (en) * 2006-08-01 2008-02-07 Gas Technology Institute Multi-functional filtration and ultra-pure water generator
WO2008032367A1 (fr) * 2006-09-12 2008-03-20 Nitto Denko Corporation Feuille de decoupage en puces/fixation de puces
JP5394066B2 (ja) * 2006-10-03 2014-01-22 住友ベークライト株式会社 接着テープ
KR101100442B1 (ko) * 2006-11-10 2011-12-29 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 접착 필름, 및 회로 부재의 접속 구조 및 접속 방법
KR100844383B1 (ko) * 2007-03-13 2008-07-07 도레이새한 주식회사 반도체 칩 적층용 접착 필름
CN101669258B (zh) * 2007-05-09 2016-04-13 日立化成株式会社 导电体的连接方法、导电体连接用部件、连接结构及太阳能电池模块
KR101101464B1 (ko) * 2007-05-09 2012-01-03 히다치 가세고교 가부시끼가이샤 도전체 접속용 부재, 접속 구조 및 태양 전지 모듈
JP5499448B2 (ja) * 2008-07-16 2014-05-21 デクセリアルズ株式会社 異方性導電接着剤
DE102009011538A1 (de) 2009-03-03 2010-09-09 Pp-Mid Gmbh Leiterplatten-Anordnung, sowie Verfahren zu deren Herstellung
DE102008061051A1 (de) 2008-12-08 2010-06-10 Pp-Mid Gmbh Leiterplatten-Anordnung und leitfähige Klebstoffe zum Verbinden von Bauteilen mit der Leiterplatte sowie Verfahren zu deren Herstellung
US8067484B2 (en) * 2010-03-12 2011-11-29 Trillion Science, Inc. Latent hardener with improved barrier properties and compatibility
US8044154B2 (en) * 2009-06-12 2011-10-25 Trillion Science, Inc. Latent hardener for epoxy compositions
EP2524953A4 (en) * 2010-01-15 2015-08-12 Dexerials Corp ANISOTROPES, ELECTRICALLY CONDUCTIVE ADHESIVE
US9475963B2 (en) 2011-09-15 2016-10-25 Trillion Science, Inc. Fixed array ACFs with multi-tier partially embedded particle morphology and their manufacturing processes
DE102016207540A1 (de) 2016-05-02 2017-11-02 Tesa Se Wasserdampfsperrende Klebemasse mit hochfunktionalisiertem Poly(meth)acrylat
DE102016207550A1 (de) 2016-05-02 2017-11-02 Tesa Se Funktionalisierte (Co)Polymere für Klebesysteme und Klebebänder
DE102016207548A1 (de) 2016-05-02 2017-11-02 Tesa Se Härtbare Klebemasse und darauf basierende Reaktivklebebänder

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0316147A (ja) * 1989-03-09 1991-01-24 Hitachi Chem Co Ltd 回路の接続方法及びそれに用いる接着剤フィルム
JPH05160200A (ja) * 1991-12-09 1993-06-25 Hitachi Ltd 半導体素子の接続構造及び接続方法並びに液晶表示パネル
JPH06203627A (ja) * 1992-12-28 1994-07-22 Dai Ichi Kogyo Seiyaku Co Ltd 導電性組成物
JPH06260533A (ja) * 1993-03-08 1994-09-16 Sony Chem Corp Ｉｃチップ実装方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AU572615B2 (en) * 1983-12-27 1988-05-12 Sony Corporation Electrically conductive adhesive sheet circuit board and electrical connection structure
JPS61173471A (ja) 1985-01-28 1986-08-05 シャープ株式会社 熱圧着コネクタ−
US4999136A (en) 1988-08-23 1991-03-12 Westinghouse Electric Corp. Ultraviolet curable conductive resin

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0316147A (ja) * 1989-03-09 1991-01-24 Hitachi Chem Co Ltd 回路の接続方法及びそれに用いる接着剤フィルム
JPH05160200A (ja) * 1991-12-09 1993-06-25 Hitachi Ltd 半導体素子の接続構造及び接続方法並びに液晶表示パネル
JPH06203627A (ja) * 1992-12-28 1994-07-22 Dai Ichi Kogyo Seiyaku Co Ltd 導電性組成物
JPH06260533A (ja) * 1993-03-08 1994-09-16 Sony Chem Corp Ｉｃチップ実装方法

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
See also references of EP0914027A4 *

Cited By (46)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8273458B2 (en) 1997-02-14 2012-09-25 Hitachi Chemical Company, Ltd. Adhesive for bonding circuit members, circuit board and process for its production
US6861138B1 (en) 1998-07-04 2005-03-01 Tesa Ag Electrically conductive, thermoplastic, heat-activated adhesive film
WO2000001782A1 (de) * 1998-07-04 2000-01-13 Beiersdorf Ag Elektrisch leitfähige, thermoplastische und hitzeaktivierbare klebstofffolie
US8252419B2 (en) 1998-08-13 2012-08-28 Hitachi Chemical Company, Ltd. Adhesive for bonding circuit members, circuit board and process for its production
US8273457B2 (en) 1998-08-13 2012-09-25 Hitachi Chemical Company, Ltd. Adhesive for bonding circuit members, circuit board and process for its production
US7879445B2 (en) 1998-08-13 2011-02-01 Hitachi Chemical Company, Ltd. Adhesive for bonding circuit members, circuit board and process for its production
US7247381B1 (en) * 1998-08-13 2007-07-24 Hitachi Chemical Company, Ltd. Adhesive for bonding circuit members, circuit board, and method of producing the same
EP1002844A2 (de) * 1998-11-21 2000-05-24 Beiersdorf Aktiengesellschaft Elektrisch leitfähige, thermoplastische und hitzeaktivierbare Klebstofffolie
EP1002844A3 (de) * 1998-11-21 2000-10-11 Beiersdorf Aktiengesellschaft Elektrisch leitfähige, thermoplastische und hitzeaktivierbare Klebstofffolie
JP2000256635A (ja) * 1999-03-09 2000-09-19 Hitachi Chem Co Ltd アクリル樹脂を用いた接着剤層付き基材及び接着フィルム
JP2001064619A (ja) * 1999-09-01 2001-03-13 Hitachi Chem Co Ltd 回路接続用フィルム状接着剤
KR100969898B1 (ko) * 1999-09-14 2010-07-13 소니 케미카루 앤드 인포메이션 디바이스 가부시키가이샤 접속재료
KR100969899B1 (ko) * 1999-09-14 2010-07-13 소니 케미카루 앤드 인포메이션 디바이스 가부시키가이샤 Ｃｏｇ 실장품 및 접속재료
JP2001081438A (ja) * 1999-09-14 2001-03-27 Sony Chem Corp 接続材料
JP2001152107A (ja) * 1999-11-25 2001-06-05 Hitachi Chem Co Ltd 積層接着フィルム、半導体チップ搭載用基板及び半導体装置
JP2002097439A (ja) * 2000-09-21 2002-04-02 Hitachi Chem Co Ltd 接着剤組成物、回路接続材料、回路接続用接着剤組成物、接続体及び半導体装置
JP2003055638A (ja) * 2001-08-21 2003-02-26 Three Bond Co Ltd フィルム状接着剤
US7901768B2 (en) * 2003-09-12 2011-03-08 Sony Corporation Multilayer anisotropic conductive adhesive and connection structure using the same
JP2005194413A (ja) * 2004-01-08 2005-07-21 Hitachi Chem Co Ltd 回路接続用接着フィルム及び回路接続構造体
JP2005200521A (ja) * 2004-01-15 2005-07-28 Sony Chem Corp 接着フィルム、接着フィルムの製造方法
JP2004328000A (ja) * 2004-04-30 2004-11-18 Sony Chem Corp 接続材料
JP2007009022A (ja) * 2005-06-29 2007-01-18 Sekisui Chem Co Ltd シート状接着剤、電子部品装置の製造方法及び電子部品装置
JP2012151486A (ja) * 2006-01-16 2012-08-09 Hitachi Chem Co Ltd 導電性接着フィルム
US9173302B2 (en) 2006-08-29 2015-10-27 Hitachi Chemical Company, Ltd. Conductive adhesive film and solar cell module
WO2008026356A1 (en) * 2006-08-29 2008-03-06 Hitachi Chemical Company, Ltd. Conductive adhesive film and solar cell module
JP5171641B2 (ja) * 2006-11-28 2013-03-27 三洋電機株式会社 太陽電池モジュール
JPWO2008069035A1 (ja) * 2006-11-28 2010-03-18 三洋電機株式会社 太陽電池モジュール
WO2008069035A1 (ja) * 2006-11-28 2008-06-12 Sanyo Electric Co., Ltd. 太陽電池モジュール
US8754324B2 (en) 2006-11-28 2014-06-17 Sanyo Electric Co., Ltd. Solar cell module
WO2008123087A1 (ja) * 2007-03-19 2008-10-16 Namics Coropration 異方性導電ペースト
JP5491856B2 (ja) * 2007-03-19 2014-05-14 ナミックス株式会社 異方性導電ペースト
JP2007297636A (ja) * 2007-06-14 2007-11-15 Nippon Zeon Co Ltd 異方性導電用樹脂組成物
JP4735606B2 (ja) * 2007-06-14 2011-07-27 日本ゼオン株式会社 異方性導電材
JP2008300849A (ja) * 2008-06-16 2008-12-11 Sony Chemical & Information Device Corp 接続材料
JP4702566B2 (ja) * 2008-06-16 2011-06-15 ソニーケミカル＆インフォメーションデバイス株式会社 接続材料
WO2010002007A1 (ja) * 2008-07-01 2010-01-07 株式会社スリーボンド エポキシ樹脂組成物
JP2010013493A (ja) * 2008-07-01 2010-01-21 Three Bond Co Ltd エポキシ樹脂組成物
JP4631979B2 (ja) * 2009-02-16 2011-02-16 日立化成工業株式会社 回路部材接続用接着剤並びに回路板及びその製造方法
JP2009147361A (ja) * 2009-02-16 2009-07-02 Hitachi Chem Co Ltd 回路部材接続用接着剤並びに回路板及びその製造方法
JP2010016383A (ja) * 2009-07-03 2010-01-21 Hitachi Chem Co Ltd 回路部材接続用接着剤、回路板、及びその製造方法
JP4631984B2 (ja) * 2009-07-03 2011-02-16 日立化成工業株式会社 回路部材接続用接着剤、回路板、及びその製造方法
JP2011105861A (ja) * 2009-11-18 2011-06-02 Hitachi Chem Co Ltd 回路接続材料及び接続構造体
JP2011071514A (ja) * 2010-09-21 2011-04-07 Hitachi Chem Co Ltd 回路部材接続用接着剤、回路板、及びその製造方法
JP4631998B1 (ja) * 2010-09-21 2011-02-23 日立化成工業株式会社 回路部材接続用接着剤、回路板、及びその製造方法
WO2012137335A1 (ja) * 2011-04-07 2012-10-11 日立化成工業株式会社 回路接続材料及びその使用並びに接続構造体及びその製造方法
JP2011205126A (ja) * 2011-06-08 2011-10-13 Sony Chemical & Information Device Corp 電気装置

Also Published As

Publication number Publication date
AU3460997A (en) 1998-02-09
EP0914027A4 (en) 1999-10-06
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EP0914027B1 (en) 2002-10-09
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EP0914027A1 (en) 1999-05-06
US6328844B1 (en) 2001-12-11
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TW505686B (en) 2002-10-11

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