Nothing Special   »   [go: up one dir, main page]

TWI597863B - 發光元件及其製造方法 - Google Patents

發光元件及其製造方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI597863B
TWI597863B TW102138216A TW102138216A TWI597863B TW I597863 B TWI597863 B TW I597863B TW 102138216 A TW102138216 A TW 102138216A TW 102138216 A TW102138216 A TW 102138216A TW I597863 B TWI597863 B TW I597863B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
semiconductor layer
aluminum
light
layer
hole
Prior art date
Application number
TW102138216A
Other languages
English (en)
Other versions
TW201517305A (zh
Inventor
廖文祿
呂志強
李世昌
鄭鴻達
鍾昕展
林義傑
Original Assignee
晶元光電股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 晶元光電股份有限公司 filed Critical 晶元光電股份有限公司
Priority to TW102138216A priority Critical patent/TWI597863B/zh
Priority to US14/520,067 priority patent/US9847450B2/en
Publication of TW201517305A publication Critical patent/TW201517305A/zh
Priority to US15/686,331 priority patent/US10453995B2/en
Application granted granted Critical
Publication of TWI597863B publication Critical patent/TWI597863B/zh
Priority to US16/568,546 priority patent/US11005007B2/en

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0091—Scattering means in or on the semiconductor body or semiconductor body package
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H01L33/0093—Wafer bonding; Removal of the growth substrate

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Description

發光元件及其製造方法
本發明係關於一種發光元件及其製造方法；特別是關於一種具有孔洞之發光元件及其製造方法。
發光二極體(Light-Emitting Diode，LED)具有耗能低、低發熱、操作壽命長、防震、體積小、以及反應速度快等良好特性，因此適用於各種照明及顯示用途。由於發光二極體的發光效率為其內部量子效率(internal quantum efficiency)及光取出效率(extraction efficiency)的乘積，故在提昇發光二極體的亮度時，除了可從內部量子效率著手外，改善發光二極體的光取出效率亦是另一個提昇發光二極體亮度的方向。
本發明係揭露一種發光元件及其製造方法。本發明揭露一發光元件，包含：一發光疊層；以及一半導體層具有一第一表面鄰接上述發光疊層、一第二表面相對於上述第一表面，以及一孔洞，上述孔洞包含一底部接近上述第一表面及一開口位於上述第二表面，其中上述孔洞之底部具有一寬度大於上述開口之寬度。本發明揭露 一發光元件之製造方法，包含：提供一基板；形成一發光疊層於上述基板上；形成一半導體層於上述發光疊層上，上述半導體層具有一第一表面鄰接上述發光疊層以及一第二表面相對於上述第一表面；以及形成一孔洞於上述半導體層中，上述孔洞包含一底部接近上述第一表面及一開口位於上述第二表面，其中上述孔洞之底部具有一寬度大於上述開口之寬度。
101‧‧‧基板
102‧‧‧發光疊層
102a‧‧‧第一電性半導體層
102b‧‧‧發光層
102c‧‧‧第二電性半導體層
103‧‧‧半導體層
103a‧‧‧第一半導體層
103b‧‧‧第二半導體層
103a1‧‧‧第一含鋁層
103a2‧‧‧第二含鋁層
103a3‧‧‧第三含鋁層
103a1ce‧‧‧底部凹洞
103a2o‧‧‧穿透部
103bo‧‧‧開口孔洞
103boe‧‧‧開口
103v‧‧‧孔洞
103v’‧‧‧孔洞
104‧‧‧透明導電層
105‧‧‧金屬層
106‧‧‧接合結構
106a1‧‧‧第一接合層
106a2‧‧‧第二接合層
107‧‧‧永久基板
108‧‧‧保護層
109‧‧‧電極
d1‧‧‧開口孔洞103bo之孔洞直徑
d2‧‧‧穿透部103a2o之孔洞直徑
d3‧‧‧凹洞103a1ce之孔洞直徑
L‧‧‧光線
S1‧‧‧第一表面
S2‧‧‧第二表面
第1(a)圖至第1(g)圖所示為本發明第一實施例之發光元件及其製造方法。
第2圖用以說明本發明第二實施例之發光元件及其製造方法。
第3圖用以說明本發明第三實施例之發光元件及其製造方法。
圖1為本發明第一實施例之發光元件及其製造方法，如圖1(a)所示，首先提供一基板101，並於其上形成一發光疊層102，發光疊層102包括一半導體疊層，由下而上依序包括一第一電性半導體層102a；一發光層102b位於第一電性半導體層102a之上；以及一第二電性半導體層102c位於發光層102b之上。第一電性半導體層102a和第二電性半導體層102c電性相異，例如第一電性半導體層102a是n型半導體層，而第二電性半導體層102c是p型半導體層。 第一電性半導體層102a、發光層102b、及第二電性半導體層102c為III-V族材料所形成，例如為磷化鋁鎵銦(AlGaInP)系列材料。
接著，如圖1(b)所示，形成一半導體層103於發光疊層102之上。半導體層103包含一含有鋁之半導體層，例如包含砷化鋁(AlAs)及/或砷化鋁鎵(AlGaAs)，其厚度約為1μm至10μm。半導體層103具有兩相對之表面，第一表面S1鄰接發光疊層102，而第二表面S2則相對於第一表面S1。在本實施例中，半導體層103包含一第一半導體層103a於發光疊層102上及一第二半導體層103b於第一半導體層103a上，且第一半導體層103a之鋁含量大於第二半導體層103b之鋁含量。例如第一半導體層103a包含砷化鋁(AlAs)及/或砷化鋁鎵(AlxGa1-xAs)，在一實施例中，0.5≦x<1，厚度約為3μm；而第二半導體層103b不含鋁，例如包含磷化鎵(GaP)，厚度約為50nm。此外，在本實施例中，第一半導體層103a為兩層結構，即第一半導體層103a包含第一含鋁層103a1及第二含鋁層103a2，兩層中鋁含量不同。在本實施例中，第一含鋁層103a1之鋁含量高於第二含鋁層103a2之鋁含量，例如第一含鋁層103a1為砷化鋁(AlAs)，第二含鋁層103a2為砷化鋁鎵(AlyGa1-yAs，其中0.5≦y<1)。第一含鋁層103a1及第二含鋁層103a2之厚度各約為1.5μm。
接著，進行一孔洞(void)形成步驟，如圖1(c)所示，以一黃光及蝕刻製程在第二半導體層103b中蝕刻出開口孔洞103bo，此開口孔洞103bo作為後續形成之整個孔洞之開口端並提供一開口103boe於第二表面S2上。接著，如圖1(d)所示，以一濕蝕刻製程蝕 刻第一半導體層103a。在本實施例中，採用一酸性溶液進行濕蝕刻製程，例如採用檸檬酸(Citric Acid)或氫氟酸(HF)。此酸性溶液蝕刻並穿透第二含鋁層103a2，形成穿透部103a2o，此穿透部103a2o為最後形成之整個孔洞103v之中間部份。酸性溶液繼續蝕刻第一含鋁層103a1，並在第一含鋁層103a1中蝕刻出底部凹洞103a1ce，此凹洞103a1ce為整個孔洞103v之底部。
值得注意的是，如前所述，因為第一含鋁層103a1和第二含鋁層103a2之鋁含量不同，故酸性溶液對兩層的蝕刻速率不同，鋁含量較高則蝕刻速率較高，故鋁含量較低之第二含鋁層103a2之穿透部103a2o之孔洞直徑d2小於鋁含量較高之第一含鋁層103a1之凹洞103a1ce之孔洞直徑d3。此外，穿透部103a2o係酸性溶液經由其上方之第二半導體層103b之開口孔洞103bo滲入並蝕刻，故穿透部103a2o之孔洞直徑d2大致等於或略大於第二半導體層103b之開口孔洞103bo之孔洞直徑d1。在本實施例中，開口孔洞103bo之孔洞直徑d1及穿透部103a2o之孔洞直徑d2大小約為0.1μm≦d1(或d2)≦20μm，而底部凹洞103a1ce之孔洞直徑d3大小約為1.2×d1≦d3≦10×d1。因而，在孔洞(void)形成步驟完成後，孔洞103v形成於半導體層103中，孔洞103v包含一底部(例如底部凹洞103a1ce)接近第一表面S1及一開口(例如開口103boe)位於第二表面S2，且孔洞103v之底部具有一寬度(d3)大於開口之寬度(d1)。
由上述實施例之教示，熟習本領域技藝之人士當了解，藉由控制半導體層103在其形成方向上之鋁含量不同，可以調整孔洞之 剖面形狀，例如上例中藉由第一含鋁層103a1之鋁含量高於第二含鋁層103a2之鋁含量，而蝕刻出底部寬度大於開口寬度之孔洞。故在一變化的實施例中，可以不形成第二含鋁層103a2，而其餘則和上述實施例方法相同。而在另一變化的實施例中，亦可以不形成第二半導體層103b，而在第一半導體層103a(之第二含鋁層103a2)上覆蓋光阻及曝光顯影形成具圓形開孔之圖案於光阻上，並以酸性溶液蝕刻第二含鋁層103a2及第一含鋁層103a1以形成孔洞。這些形成的孔洞可以有效改善發光二極體的光取出效率，提昇發光二極體的亮度。
接著，如圖1(e)所示，形成一透明導電層104位於第二表面S2上並封閉開口103boe。透明導電層104例如是透明導電氧化層，例如包含一材料選自氧化銦錫(Indium Tin Oxide,ITO)、氧化鋁鋅(Aluminum Zinc Oxide,AZO)、氧化鎘錫、氧化銻錫、氧化鋅(ZnO)、及氧化鋅錫所構成之材料群組。
接著，將圖1(e)上下旋轉180度顯示，如圖1(f)所示，在透明導電層104上形成一金屬層105與透明導電層104相接，並形成一第一接合層106a1與金屬層105相接。金屬層105為具高反射率之金屬，例如金(Au)，銀(Ag)，或鋁(Al)，以作為反射鏡。然後，提供一永久基板107，永久基板107為一導電基板，例如矽(Si)基板或碳化矽(SiC)基板，接著形成一第二接合層106a2於永久基板107上。第一接合層106a1與第二接合層106a2例如是金(Au)，銦(In)或二者之合金，使第一接合層106a1與第二接合層106a2相接後，形成接合結構106。之後移除基板101，並形成電極109於第一電性半導體層 102a上並與其歐姆接觸，如圖1(g)所示。此外，可選擇性地對第一電性半導體層102a實施一粗化步驟，以使第一電性半導體層102a具有一粗化表面以增加出光。最後，形成保護層108於第一電性半導體層102a上以保護發光元件。由於半導體層103含有鋁，容易與空氣中之水氣反應，故為提高元件可靠度，可於發光元件形成保護層108時一併覆蓋半導體層103之側壁。具體實施方式如圖1(g)所示，即對發光元件施以一微影及蝕刻製程，以移除發光疊層102及半導體層103之部份側壁，以使保護層108形成時一併覆蓋半導體層103之側壁。而由於本實施例中第二半導體層103b不含鋁，故上述蝕刻製程可僅蝕刻至第一半導體層103a，曝露出不含鋁之第二半導體層103b。如圖1(g)中所示，發光疊層102所發出之光線L行進至孔洞103v時，將產生反射及散射之效果，可以有效改善發光二極體的光取出效率，提昇發光二極體的亮度及在正向出光面之均勻性。
圖2說明本發明第二實施例之發光元件及其製造方法，本實施例為上述第一實施例之變化型，如圖1(d)中所提及，藉由控制半導體層103在其形成方向上之鋁含量不同，可以調整孔洞之剖面形狀，本實施例僅改變第一實施例之半導體層103。在本實施例中，將第一實施例之第一含鋁層103a1及第二含鋁層103a2順序對調，即先形成第二含鋁層103a2，再形成第一含鋁層103a1。與第一實施例相同，第一含鋁層103a1為砷化鋁(AlAs)，第二含鋁層103a2為砷化鋁鎵(AlyGa1-yAs，其中0.5≦y<1)。由於鋁含量較高之第一含鋁層103a1在第二半導體層103b下方，故以酸性溶液蝕刻時，蝕刻之時間可設 定較第一實施例短，僅蝕刻第一含鋁層103a1並形成底部凹洞103a1ce，此凹洞103a1ce為整個孔洞103v’之底部。孔洞103v’包含一底部(例如底部凹洞103a1ce)接近第一表面S1及一開口(例如開口103boe)位於第二表面S2，且孔洞103v’之底部具有一寬度(d3)大於開口之寬度(d1)。至於後續步驟，與第一實施例相同，故不再贅述。相較於第一實施例以鋁含量較高之第一含鋁層103a1與發光疊層102相接，此實施例由於以鋁含量較低之第二含鋁層103a2與發光疊層102相接，故相較於第一實施例，可以有較低之正向電壓(forward voltage,Vf)。
圖3說明本發明第三實施例之發光元件及其製造方法，本實施例亦為上述第一實施例之變化型，本實施例亦僅改變第一實施例之半導體層103。在本實施例中，於第一實施例之半導體層103再增加一第三含鋁層103a3，即先形成第三含鋁層103a3後，再如同第一實施例依續形成第一半導體層103a的第一含鋁層103a1、第二含鋁層103a2，及第二半導體層103b。在本實施例中，第三含鋁層103a3與第二含鋁層103a2相同，為砷化鋁鎵(AlyGa1-yAs，其中0.5≦y<1)，厚度亦約為1.5μm。至於後續步驟，與第一實施例相同，故不再贅述。相較於第一實施例，本實施例以鋁含量較高之第三含鋁層103a3與發光疊層102相接，故相較於第一實施例，可以有較低之正向電壓(forward voltage,Vf)；此外，在孔洞之剖面形狀上，相較於第二實施例，本實施例之孔洞103v與第一實施例之孔洞103v相同，具有穿透部103a2o成為孔洞103v之中間部份，可增加光的反射之機率， 故本實施例同時具有上述兩實施例之優點。
上述實施例僅為例示性說明本發明之原理及其功效，而非用於限制本發明。任何本發明所屬技術領域中具有通常知識者均可在不違背本發明之技術原理及精神的情況下，對上述實施例進行修改及變化。因此本發明之權利保護範圍如後述之申請專利範圍所列。
102‧‧‧發光疊層
102a‧‧‧第一電性半導體層
102b‧‧‧發光層
102c‧‧‧第二電性半導體層
103‧‧‧半導體層
103a‧‧‧第一半導體層
103b‧‧‧第二半導體層
103a1‧‧‧第一含鋁層
103a2‧‧‧第二含鋁層
103a1ce‧‧‧底部凹洞
103a2o‧‧‧穿透部
103bo‧‧‧開口孔洞
103boe‧‧‧開口
103v‧‧‧孔洞
104‧‧‧透明導電層
105‧‧‧金屬層
106‧‧‧接合結構
106a1‧‧‧第一接合層
106a2‧‧‧第二接合層
107‧‧‧永久基板
108‧‧‧保護層
109‧‧‧電極
L‧‧‧光線

Claims (10)

  1. 一發光元件，包含：一發光疊層；以及一半導體層具有一第一表面鄰接該發光疊層、一第二表面相對於該第一表面，以及一孔洞，該孔洞包含一底部接近該第一表面及一開口位於該第二表面，其中該孔洞之底部具有一最大寬度大於該開口之最大寬度，其中該半導體層包含一第一半導體層及一第二半導體層，其中該第二半導體層較該第一半導體層接近該第二表面，且該第一半導體層之鋁含量大於該第二半導體層之鋁含量。
  2. 如請求項第1項所述的發光元件，更包含一透明導電層位於該第二表面上並封閉該開口。
  3. 如請求項第1項所述的發光元件，其中該半導體層含有鋁。
  4. 如請求項第1項所述的發光元件，其中該半導體層包含砷化鋁(AlAs)及/或砷化鋁鎵(AlGaAs)。
  5. 如請求項第1項所述的發光元件，其中該第一半導體層包含砷化鋁(AlAs)及/或砷化鋁鎵(AlxGa1-xAs，其中0.5≦x<1)。
  6. 如請求項第1項所述的發光元件，其中該第二半導體層不含鋁。
  7. 如請求項第1項所述的發光元件，其中該開口之最大寬度約為d，該孔洞底部之最大寬度約為D，且1.2×d≦D≦10×d，其中0.1μm≦d≦20μm。
  8. 如請求項第1項所述的發光元件，其中該半導體層包含複數層鋁 含量不同之半導體層。
  9. 一發光元件之製造方法，包含：提供一基板；形成一發光疊層於該基板上；形成一半導體層於該發光疊層上，該半導體層具有一第一表面鄰接該發光疊層以及一第二表面相對於該第一表面；以及形成一孔洞於該半導體層中，該孔洞包含一底部接近該第一表面及一開口位於該第二表面，其中該孔洞之底部具有一最大寬度大於該開口之最大寬度，其中該半導體層包含一第一半導體層於該發光疊層上及一第二半導體層於該第一半導體層上，且該第一半導體層含鋁，而該第二半導體層鋁含量少於該第一半導體層。
  10. 如請求項第9項所述的發光元件之製造方法，其中其中該第一半導體層包含砷化鋁(AlAs)及/或砷化鋁鎵(AlxGa1-xAs，其中0.5≦x<1)，且該第二半導體層不含鋁。
TW102138216A 2013-10-22 2013-10-22 發光元件及其製造方法 TWI597863B (zh)

Priority Applications (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW102138216A TWI597863B (zh) 2013-10-22 2013-10-22 發光元件及其製造方法
US14/520,067 US9847450B2 (en) 2013-10-22 2014-10-21 Light-emitting device and manufacturing method thereof
US15/686,331 US10453995B2 (en) 2013-10-22 2017-08-25 Light-emitting device and manufacturing method thereof
US16/568,546 US11005007B2 (en) 2013-10-22 2019-09-12 Light-emitting device and manufacturing method thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
TW102138216A TWI597863B (zh) 2013-10-22 2013-10-22 發光元件及其製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201517305A TW201517305A (zh) 2015-05-01
TWI597863B true TWI597863B (zh) 2017-09-01

Family

ID=52825410

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW102138216A TWI597863B (zh) 2013-10-22 2013-10-22 發光元件及其製造方法

Country Status (2)

Country Link
US (3) US9847450B2 (zh)
TW (1) TWI597863B (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI597863B (zh) * 2013-10-22 2017-09-01 晶元光電股份有限公司 發光元件及其製造方法
US9847454B2 (en) 2015-10-02 2017-12-19 Epistar Corporation Light-emitting device
US10461221B2 (en) * 2016-01-18 2019-10-29 Sensor Electronic Technology, Inc. Semiconductor device with improved light propagation
DE102022119108A1 (de) 2022-07-29 2024-02-01 Ams-Osram International Gmbh Optoelektronisches halbleiterbauelement und verfahren zur herstellung zumindest eines optoelektronischen halbleiterbauelements

Family Cites Families (164)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2741483B1 (fr) * 1995-11-21 1998-01-02 Thomson Csf Dispositif optoelectronique a puits quantiques
JPH1098233A (ja) * 1996-09-25 1998-04-14 Rohm Co Ltd 半導体レーザおよびその製法
JP3776661B2 (ja) 2000-02-01 2006-05-17 Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 液晶表示装置の製造方法及び液晶表示装置
WO2001069663A1 (fr) * 2000-03-14 2001-09-20 Toyoda Gosei Co., Ltd. Procede de production de semiconducteur a base de compose de nitrure iii et element en semiconducteur a base de compose de nitrure iii
DE10012869C2 (de) * 2000-03-16 2002-05-29 Infineon Technologies Ag Vertikalresonator-Laserdiode mit koplanaren elektrischen Anschlußkontakten und Verfahren zu ihrer Herstellung
US6420732B1 (en) * 2000-06-26 2002-07-16 Luxnet Corporation Light emitting diode of improved current blocking and light extraction structure
DE10033496A1 (de) * 2000-07-10 2002-01-31 Osram Opto Semiconductors Gmbh Halbleiterchip für die Optoelektronik
US6990135B2 (en) * 2002-10-28 2006-01-24 Finisar Corporation Distributed bragg reflector for optoelectronic device
WO2002056434A1 (fr) * 2001-01-04 2002-07-18 Sharp Kabushiki Kaisha Puce d'element electroluminescent a semiconducteur au nitrure et dispositif dans lequel elle est incorporee
US6984841B2 (en) * 2001-02-15 2006-01-10 Sharp Kabushiki Kaisha Nitride semiconductor light emitting element and production thereof
US6765232B2 (en) * 2001-03-27 2004-07-20 Ricoh Company, Ltd. Semiconductor light-emitting device, surface-emission laser diode, and production apparatus thereof, production method, optical module and optical telecommunication system
US6784462B2 (en) * 2001-12-13 2004-08-31 Rensselaer Polytechnic Institute Light-emitting diode with planar omni-directional reflector
US6841409B2 (en) * 2002-01-17 2005-01-11 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Group III-V compound semiconductor and group III-V compound semiconductor device using the same
CN100405619C (zh) * 2002-01-28 2008-07-23 日亚化学工业株式会社 具有支持衬底的氮化物半导体器件及其制造方法
JP2004039663A (ja) * 2002-06-28 2004-02-05 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体発光素子
US7054345B2 (en) * 2003-06-27 2006-05-30 Finisar Corporation Enhanced lateral oxidation
US7123638B2 (en) * 2003-10-17 2006-10-17 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Tunnel-junction structure incorporating N-type layer comprising nitrogen and a group VI dopant
US7012279B2 (en) * 2003-10-21 2006-03-14 Lumileds Lighting U.S., Llc Photonic crystal light emitting device
US9524869B2 (en) * 2004-03-11 2016-12-20 Epistar Corporation Nitride-based semiconductor light-emitting device
US7419912B2 (en) * 2004-04-01 2008-09-02 Cree, Inc. Laser patterning of light emitting devices
US7157297B2 (en) * 2004-05-10 2007-01-02 Sharp Kabushiki Kaisha Method for fabrication of semiconductor device
JP2005327979A (ja) * 2004-05-17 2005-11-24 Toshiba Corp 半導体発光素子および半導体発光装置
CN1993835A (zh) * 2004-06-14 2007-07-04 三菱电线工业株式会社 氮化物半导体发光器件
KR100616596B1 (ko) * 2004-07-09 2006-08-28 삼성전기주식회사 질화물 반도체 소자 및 제조방법
US7442964B2 (en) * 2004-08-04 2008-10-28 Philips Lumileds Lighting Company, Llc Photonic crystal light emitting device with multiple lattices
JP2006086516A (ja) * 2004-08-20 2006-03-30 Showa Denko Kk 半導体発光素子の製造方法
TWM261838U (en) * 2004-09-16 2005-04-11 Super Nova Optoelectronics Cor Structure for GaN based LED with high light extraction efficiency
US20060223211A1 (en) * 2004-12-02 2006-10-05 The Regents Of The University Of California Semiconductor devices based on coalesced nano-rod arrays
JP4854275B2 (ja) * 2004-12-08 2012-01-18 シャープ株式会社 窒化物半導体発光素子およびその製造方法
TWI352437B (en) * 2007-08-27 2011-11-11 Epistar Corp Optoelectronic semiconductor device
US7335920B2 (en) * 2005-01-24 2008-02-26 Cree, Inc. LED with current confinement structure and surface roughening
US8097897B2 (en) * 2005-06-21 2012-01-17 Epistar Corporation High-efficiency light-emitting device and manufacturing method thereof
JP2006310721A (ja) * 2005-03-28 2006-11-09 Yokohama National Univ 自発光デバイス
US8101498B2 (en) * 2005-04-21 2012-01-24 Pinnington Thomas Henry Bonded intermediate substrate and method of making same
JP5082278B2 (ja) * 2005-05-16 2012-11-28 ソニー株式会社 発光ダイオードの製造方法、集積型発光ダイオードの製造方法および窒化物系ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体の成長方法
TWI251357B (en) 2005-06-21 2006-03-11 Epitech Technology Corp Light-emitting diode and method for manufacturing the same
TWI255055B (en) * 2005-06-29 2006-05-11 Chunghwa Picture Tubes Ltd Light emitting diode and method for improving luminescence efficiency thereof
KR100610639B1 (ko) * 2005-07-22 2006-08-09 삼성전기주식회사 수직 구조 질화갈륨계 발광다이오드 소자 및 그 제조방법
JP4462249B2 (ja) * 2005-09-22 2010-05-12 ソニー株式会社 発光ダイオードの製造方法、集積型発光ダイオードの製造方法および窒化物系ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体の成長方法
KR100862505B1 (ko) 2006-02-01 2008-10-08 삼성전기주식회사 발광 다이오드 소자 및 그 제조방법
TWI288491B (en) * 2006-03-02 2007-10-11 Nat Univ Chung Hsing High extraction efficiency of solid-state light emitting device
US7692203B2 (en) * 2006-10-20 2010-04-06 Hitachi Cable, Ltd. Semiconductor light emitting device
JP5171016B2 (ja) * 2006-10-27 2013-03-27 キヤノン株式会社 半導体部材、半導体物品の製造方法、その製造方法を用いたｌｅｄアレイ
US20090121250A1 (en) * 2006-11-15 2009-05-14 Denbaars Steven P High light extraction efficiency light emitting diode (led) using glass packaging
JP2008140918A (ja) * 2006-11-30 2008-06-19 Eudyna Devices Inc 発光素子の製造方法
JP4765916B2 (ja) * 2006-12-04 2011-09-07 サンケン電気株式会社 半導体発光素子
US8110838B2 (en) * 2006-12-08 2012-02-07 Luminus Devices, Inc. Spatial localization of light-generating portions in LEDs
WO2008082097A1 (en) * 2006-12-28 2008-07-10 Seoul Opto Device Co., Ltd. Light emitting device and fabrication method thereof
CN101222009A (zh) * 2007-01-12 2008-07-16 清华大学 发光二极管
US8080833B2 (en) * 2007-01-26 2011-12-20 Crystal Is, Inc. Thick pseudomorphic nitride epitaxial layers
US7713769B2 (en) * 2007-12-21 2010-05-11 Tekcore Co., Ltd. Method for fabricating light emitting diode structure having irregular serrations
TW200929601A (en) * 2007-12-26 2009-07-01 Epistar Corp Semiconductor device
US9859457B2 (en) * 2008-03-27 2018-01-02 Nitek, Inc. Semiconductor and template for growing semiconductors
WO2009120998A2 (en) * 2008-03-27 2009-10-01 Nitek, Inc. Low resistance ultraviolet light emitting device and method of fabricating the same
US8373152B2 (en) * 2008-03-27 2013-02-12 Lg Innotek Co., Ltd. Light-emitting element and a production method therefor
KR101092079B1 (ko) * 2008-04-24 2011-12-12 엘지이노텍 주식회사 반도체 발광소자 및 그 제조방법
KR101506264B1 (ko) * 2008-06-13 2015-03-30 삼성전자주식회사 발광 소자, 발광 장치 및 상기 발광 소자의 제조 방법
KR20100003321A (ko) * 2008-06-24 2010-01-08 삼성전자주식회사 발광 소자, 이를 포함하는 발광 장치, 상기 발광 소자 및발광 장치의 제조 방법
TWI420693B (zh) * 2008-07-17 2013-12-21 Advanced Optoelectronic Tech 發光二極體及其製程
TWI381551B (zh) * 2008-08-01 2013-01-01 Epistar Corp 一種包含複合電鍍基板之發光元件
JP5057398B2 (ja) * 2008-08-05 2012-10-24 シャープ株式会社 窒化物半導体発光素子およびその製造方法
US20100117070A1 (en) * 2008-09-18 2010-05-13 Lumenz Llc Textured semiconductor light-emitting devices
KR101009651B1 (ko) * 2008-10-15 2011-01-19 박은현 3족 질화물 반도체 발광소자
WO2010056083A2 (ko) * 2008-11-14 2010-05-20 삼성엘이디 주식회사 반도체 발광소자
US8124993B2 (en) * 2008-12-17 2012-02-28 Palo Alto Research Center Incorporated Selective decomposition of nitride semiconductors to enhance LED light extraction
JP5312988B2 (ja) 2009-03-04 2013-10-09 スタンレー電気株式会社 光半導体装置及びその製造方法
TW201034238A (en) * 2009-03-06 2010-09-16 Advanced Optoelectronic Tech Semiconductor optoelectronic device with enhanced light extraction efficiency and fabricating method thereof
KR100969160B1 (ko) * 2009-03-10 2010-07-21 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 그 제조방법
TW201034241A (en) * 2009-03-11 2010-09-16 Chi Mei Lighting Tech Corp Light-emitting diode and method for manufacturing the same
JP5196403B2 (ja) * 2009-03-23 2013-05-15 国立大学法人山口大学 サファイア基板の製造方法、および半導体装置
US8207539B2 (en) * 2009-06-09 2012-06-26 Epistar Corporation Light-emitting device having a thinned structure and the manufacturing method thereof
TWI487141B (zh) * 2009-07-15 2015-06-01 Advanced Optoelectronic Tech 提高光萃取效率之半導體光電結構及其製造方法
WO2011013363A1 (ja) 2009-07-30 2011-02-03 キヤノン株式会社 微細構造の製造方法
KR101154750B1 (ko) * 2009-09-10 2012-06-08 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 그 제조방법
KR101007139B1 (ko) * 2009-09-10 2011-01-10 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 그 제조방법
KR101125395B1 (ko) * 2009-10-28 2012-03-27 엘지이노텍 주식회사 발광소자 및 그 제조방법
CN102054911B (zh) * 2009-10-29 2013-03-13 比亚迪股份有限公司 发光二极管芯片及其制作方法和具有该芯片的发光二极管
US8476658B2 (en) * 2009-11-25 2013-07-02 Jing Jie Dai Semiconductor light-emitting devices
EP2341558B1 (en) * 2009-12-30 2019-04-24 IMEC vzw Method of manufacturing a semiconductor device
KR101658838B1 (ko) * 2010-02-04 2016-10-04 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 그 제조방법
US9640728B2 (en) * 2010-02-09 2017-05-02 Epistar Corporation Optoelectronic device and the manufacturing method thereof
US10205059B2 (en) * 2010-02-09 2019-02-12 Epistar Corporation Optoelectronic device and the manufacturing method thereof
CN102859723B (zh) * 2010-02-19 2015-09-09 夏普株式会社 氮化物半导体发光元件及氮化物半导体发光元件的制造方法
US8378367B2 (en) * 2010-04-16 2013-02-19 Invenlux Limited Light-emitting devices with vertical light-extraction mechanism and method for fabricating the same
EP2381488A1 (en) * 2010-04-22 2011-10-26 Imec Method of manufacturing a light emitting diode
US8154042B2 (en) * 2010-04-29 2012-04-10 Koninklijke Philips Electronics N V Light emitting device with trenches and a top contact
US20150179857A1 (en) * 2010-05-12 2015-06-25 Epistar Corporation Semiconductor epitaxial structures and semiconductor optoelectronic devices comprising the same
TW201203602A (en) * 2010-07-09 2012-01-16 Epistar Corp A light emitting device with a single quantum well rod
KR101761385B1 (ko) * 2010-07-12 2017-08-04 엘지이노텍 주식회사 발광 소자
JP5699819B2 (ja) * 2010-07-21 2015-04-15 株式会社村田製作所 セラミック電子部品
US20120018755A1 (en) * 2010-07-23 2012-01-26 The Regents Of The University Of California Light emitting devices with embedded void-gap structures through bonding of structured materials on active devices
DE102010032041A1 (de) * 2010-07-23 2012-01-26 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierendes Bauelement und Verfahren zur Herstellung von strahlungsemittierenden Bauelemnenten
JP5687858B2 (ja) * 2010-07-30 2015-03-25 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置
US20120049179A1 (en) * 2010-08-25 2012-03-01 Walsin Lihwa Corporation Group-iii nitride-based light emitting device having enhanced light extraction efficiency and manufacturing method thereof
US8890178B2 (en) * 2010-09-13 2014-11-18 Epistar Corporation Light-emitting element
US8765509B2 (en) * 2010-09-30 2014-07-01 Toyoda Gosei Co., Ltd. Method for producing group III nitride semiconductor light-emitting device
CN102447026B (zh) * 2010-10-11 2014-11-05 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管磊晶结构
TW201216503A (en) * 2010-10-12 2012-04-16 Tekcore Co Ltd Method for fabricating a vertical light-emitting diode with high brightness
TWI532214B (zh) 2010-10-12 2016-05-01 Ｌｇ伊諾特股份有限公司 發光元件及其封裝
CN102024898B (zh) * 2010-11-03 2013-03-27 西安神光安瑞光电科技有限公司 发光二极管及其制造方法
JP2012114204A (ja) * 2010-11-24 2012-06-14 Toyoda Gosei Co Ltd Ｉｉｉ族窒化物半導体発光素子およびその製造方法
US20120235115A1 (en) * 2011-01-24 2012-09-20 Applied Materials, Inc. Growth of iii-v led stacks using nano masks
CN102623579A (zh) * 2011-01-28 2012-08-01 展晶科技(深圳)有限公司 半导体发光芯片制造方法
CN102623600A (zh) * 2011-01-31 2012-08-01 隆达电子股份有限公司 半导体发光结构
KR20120092325A (ko) * 2011-02-11 2012-08-21 서울옵토디바이스주식회사 광 결정 구조를 갖는 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법
JP5603812B2 (ja) * 2011-03-11 2014-10-08 スタンレー電気株式会社 半導体素子の製造方法
JP5612516B2 (ja) * 2011-03-11 2014-10-22 スタンレー電気株式会社 半導体素子の製造方法
CN102760798B (zh) * 2011-04-29 2015-03-11 清华大学 一种发光二极管的制备方法
KR101773091B1 (ko) * 2011-05-20 2017-08-30 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 및 그 제조 방법
JP5095842B2 (ja) * 2011-05-24 2012-12-12 株式会社東芝 半導体発光素子、窒化物半導体層成長用基板及び窒化物半導体ウェーハ
CN103636290A (zh) * 2011-06-24 2014-03-12 昭和电工株式会社 有机发光元件和有机发光元件的制造方法
JP2013016651A (ja) * 2011-07-04 2013-01-24 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体光素子の製造方法
KR101990095B1 (ko) * 2011-07-11 2019-06-18 엘지이노텍 주식회사 발광소자, 발광 소자 제조방법 및 발광 소자 패키지
DE102011109568A1 (de) * 2011-08-05 2013-02-07 Rena Gmbh Abluftsystem und Verfahren dazu
US8686433B2 (en) * 2011-09-01 2014-04-01 Rohm Co., Ltd. Light emitting device and light emitting device package
US9653313B2 (en) * 2013-05-01 2017-05-16 Sensor Electronic Technology, Inc. Stress relieving semiconductor layer
JP5162016B1 (ja) * 2011-09-15 2013-03-13 株式会社東芝 半導体素子、ウェーハ、半導体素子の製造方法及びウェーハの製造方法
US9806228B2 (en) * 2011-10-10 2017-10-31 Sensor Electronic Technology, Inc. Patterned layer design for group III nitride layer growth
US9397260B2 (en) * 2011-10-10 2016-07-19 Sensor Electronic Technology, Inc. Patterned layer design for group III nitride layer growth
CN104011886B (zh) * 2011-12-23 2017-03-08 首尔伟傲世有限公司 发光二极管及其制造方法
TWI455304B (zh) * 2012-01-30 2014-10-01 Lextar Electronics Corp 圖案化基板及堆疊發光二極體結構
JP5953155B2 (ja) * 2012-02-24 2016-07-20 スタンレー電気株式会社 半導体発光装置
WO2013150984A1 (ja) * 2012-04-02 2013-10-10 旭化成株式会社 光学基板、半導体発光素子及び半導体発光素子の製造方法
TWI528579B (zh) * 2012-04-18 2016-04-01 新世紀光電股份有限公司 發光二極體元件
KR101944409B1 (ko) * 2012-06-08 2019-04-17 엘지이노텍 주식회사 발광 소자 패키지
US9312303B2 (en) * 2012-06-14 2016-04-12 Epistar Corporation Light-emitting device and method for manufacturing the same
JP2014007252A (ja) * 2012-06-22 2014-01-16 Stanley Electric Co Ltd 半導体発光素子、および、半導体発光素子の製造方法
CN103514350A (zh) * 2012-06-27 2014-01-15 富泰华工业（深圳）有限公司 具有虚拟试衣功能的电子装置及虚拟试衣方法
CN102810609B (zh) * 2012-08-16 2015-01-21 厦门市三安光电科技有限公司 一种紫外半导体发光器件及其制造方法
US9000415B2 (en) * 2012-09-12 2015-04-07 Lg Innotek Co., Ltd. Light emitting device
TW201415666A (zh) * 2012-10-09 2014-04-16 Alpha Plus Epi Inc 半導體元件
TWI565094B (zh) * 2012-11-15 2017-01-01 財團法人工業技術研究院 氮化物半導體結構
KR20140095392A (ko) * 2013-01-24 2014-08-01 삼성전자주식회사 질화물 반도체 발광소자
TWI590488B (zh) * 2013-01-25 2017-07-01 晶元光電股份有限公司 具有高效能反射結構之發光元件
WO2014129688A1 (ko) * 2013-02-25 2014-08-28 서울바이오시스 주식회사 복수의 발광요소를 갖는 발광 다이오드 및 그것을 제조하는 방법
TWI604632B (zh) 2013-04-25 2017-11-01 晶元光電股份有限公司 發光二極體裝置
CN104134729B (zh) * 2013-05-03 2017-04-26 展晶科技(深圳)有限公司 发光芯片及其制造方法
TWI575776B (zh) 2013-05-24 2017-03-21 晶元光電股份有限公司 具有高效率反射結構之發光元件
KR102053388B1 (ko) * 2013-06-11 2019-12-06 엘지이노텍 주식회사 발광소자
US9318663B2 (en) * 2013-07-10 2016-04-19 Epistar Corporation Light-emitting element
US20150325741A1 (en) * 2013-08-21 2015-11-12 Sharp Kabushiki Kaisha Nitride semiconductor light emitting device
TWI616004B (zh) * 2013-11-27 2018-02-21 晶元光電股份有限公司 半導體發光元件
US20160197235A1 (en) * 2013-09-02 2016-07-07 Lg Innotek Co., Ltd. Light-emitting element
TWI504018B (zh) * 2013-10-03 2015-10-11 Univ Nat Taiwan 半導體元件及其製造方法
TWI635772B (zh) * 2013-10-15 2018-09-11 晶元光電股份有限公司 發光元件
TW201517298A (zh) * 2013-10-17 2015-05-01 Lextar Electronics Corp 發光結構的製造方法
TWI597863B (zh) * 2013-10-22 2017-09-01 晶元光電股份有限公司 發光元件及其製造方法
TWI591848B (zh) * 2013-11-28 2017-07-11 晶元光電股份有限公司 發光元件及其製造方法
US9159871B2 (en) * 2014-01-13 2015-10-13 Epistar Corporation Light-emitting device having a reflective structure and a metal mesa and the manufacturing method thereof
KR20150086689A (ko) * 2014-01-20 2015-07-29 삼성전자주식회사 반도체 발광소자
JP6684541B2 (ja) * 2014-01-20 2020-04-22 ローム株式会社 発光素子
US9153944B2 (en) * 2014-02-05 2015-10-06 Epistar Corporation Light-emitting array
US9287459B2 (en) * 2014-02-14 2016-03-15 Epistar Corporation Light-emitting device
US9356189B2 (en) * 2014-03-24 2016-05-31 Epistar Corporation Light-emitting device and method for manufacturing the same
US9306115B1 (en) * 2015-02-10 2016-04-05 Epistar Corporation Light-emitting device
GB2535197B (en) * 2015-02-12 2019-11-06 Toshiba Res Europe Limited An optical device and a method of fabricating an optical device
US9472719B2 (en) * 2015-02-18 2016-10-18 Epistar Corporation Light-emitting diode
US10069037B2 (en) * 2015-04-20 2018-09-04 Epistar Corporation Light-emitting device and manufacturing method thereof
US20160336482A1 (en) * 2015-05-12 2016-11-17 Epistar Corporation Light-emitting device
US20170069791A1 (en) * 2015-09-08 2017-03-09 Epistar Corporation Light-emitting device and method of manufacturing thereof
JP2017204640A (ja) * 2016-05-11 2017-11-16 晶元光電股▲ふん▼有限公司Ｅｐｉｓｔａｒ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ 発光デバイス及びその製造方法
US10243099B2 (en) * 2017-05-16 2019-03-26 Epistar Corporation Light-emitting device
US10156335B1 (en) * 2017-08-01 2018-12-18 Epistar Corporation Light-emitting device
TWI731163B (zh) * 2017-09-13 2021-06-21 晶元光電股份有限公司 半導體元件

Also Published As

Publication number Publication date
TW201517305A (zh) 2015-05-01
US20200006595A1 (en) 2020-01-02
US11005007B2 (en) 2021-05-11
US9847450B2 (en) 2017-12-19
US20170352782A1 (en) 2017-12-07
US20150108494A1 (en) 2015-04-23
US10453995B2 (en) 2019-10-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN114695609B (zh) 一种发光二极管芯片结构及其制作方法
US20040188791A1 (en) Light emitting diode and method for producing the same
US11005007B2 (en) Light-emitting device and manufacturing method thereof
WO2015101068A1 (zh) 发光二极管芯片及其制作方法
JP5174064B2 (ja) 半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法
WO2011030789A1 (ja) 発光装置
JP2007281037A (ja) 半導体発光素子及びその製造方法
JP2006013500A (ja) 発光装置
JP2017204640A (ja) 発光デバイス及びその製造方法
TWI533472B (zh) 半導體發光元件及其製造方法
US9209356B2 (en) Light-emitting element including a light-emitting stack with an uneven upper surface
TWI569471B (zh) 半導體發光結構及其製造方法
TWI446571B (zh) 發光二極體晶片及其製作方法
CN117650212A (zh) 一种发光二极管及发光装置
TWI619267B (zh) 發光元件及其製造方法
TWI642205B (zh) 發光元件及其製造方法
JP2009252826A (ja) 半導体発光素子およびその製造方法
JP4439271B2 (ja) ＩＩＩ族窒化物半導体発光素子用のｐ型電極とその製造方法
TWI738766B (zh) 發光元件及其製造方法
TWI449219B (zh) 發光二極體裝置及其製造方法
CN104600161B (zh) 发光元件及其制造方法
TWI523259B (zh) The electrode contact structure of the light emitting diode
KR101251340B1 (ko) 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법
CN110571319A (zh) 一种多堆栈odr的倒装led结构及制作方法
CN118943266A (zh) 发光二极管及发光装置