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TW202039417A - 電子裝置之材料 - Google Patents

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TW202039417A
TW202039417A TW108146128A TW108146128A TW202039417A TW 202039417 A TW202039417 A TW 202039417A TW 108146128 A TW108146128 A TW 108146128A TW 108146128 A TW108146128 A TW 108146128A TW 202039417 A TW202039417 A TW 202039417A
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aromatic ring
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substituted
ring system
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TW108146128A
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艾維拉 蒙地內哥羅
泰瑞莎 穆吉卡佛南
芙羅瑞恩 梅佛
法蘭克 佛格
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德商麥克專利有限公司
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Abstract

本申請案係關於用於電子裝置之材料，關於用於製備該材料的方法，及關於含有該材料之電子裝置。

Description

電子裝置之材料
本申請案係關於各自具有在9位置與在9'位置之不同取代的特定式之茀基胺化合物。該化合物適用於電子裝置。
在本申請案上下文中，電子裝置是指所謂有機電子裝置，其含有有機半導體材料作為功能材料。更特別地，這些有機電子裝置是指OLED(有機電致發光裝置)。術語OLED是指具有一或多個包含有機化合物且在施加電壓時發光之層的電子裝置。OLED的結構與功能之普通原理是本領域之習知技術者已知的。 在電子裝置(尤其是OLED)中，人們在改善性能數據方面表現出很大興趣。在這些態樣中，仍無法找到任何完全令人滿意的解決方案。 發光層與具有電洞傳輸功能的層對電子裝置之性能數據有大影響。也尋求新穎化合物用於這些層，尤其是發光層中電洞傳輸化合物與可以充當電洞傳輸基質材料(尤其是磷光發光體)之化合物。為此目的，尤其是尋求具有高玻璃轉化溫度、高穩定性、與高電洞傳導率之化合物。化合物之高穩定性是達到電子裝置的長壽命之先決條件。 在先前技術中，三芳基胺化合物特別是以用於電子裝置之電洞傳輸材料與電洞傳輸基質材料而出名。以用於電子裝置出名之三芳基胺化合物也包括茀基胺化合物，即其中至少一個芳基是茀基的三芳基胺化合物。 然而，仍然需要適用於電子裝置之代用化合物，尤其是具有上述有利性質中一或多者的化合物。仍然需要當將該化合物用於電子裝置時改善所達到之性能數據，尤其是就裝置的壽命、操作電壓與效率而言。 據發現，特定茀基胺化合物極適用於電子裝置，尤其適用於OLED，甚至更特别地適合作為其中之電洞傳輸材料與電洞傳輸基質材料，尤其是磷光發光體。該化合物導致裝置之高壽命、高效率與低操作電壓。更佳地，該化合物具有高玻璃轉化溫度、高穩定性與高電洞傳導率。
所發現之化合物符合式(I)：
Figure 02_image001
其中存在的變數如下： Z當鍵結至-[Ar1]k -N(Ar2)(Ar3)基時是C，及Z當未鍵結至 -[Ar1]k -N(Ar2)(Ar3)基時在每次出現時是相同或不同且為CR1或N； Ar1在每次出現時是相同或不同且為具有6至40個芳族環原子且經R3基取代之芳族環系統，或具有5至40個芳族環原子且經R3基取代之雜芳族環系統； Ar2是具有6至40個芳族環原子且經R4基取代之芳族環系統，或具有5至40個芳族環原子且經R4基取代之雜芳族環系統； Ar3是具有6至40個芳族環原子且經R4基取代之芳族環系統，或具有5至40個芳族環原子且經R4基取代之雜芳族環系統； Ar4是可經R2基取代之苯基或可經R2基取代之萘基； R1在每次出現時是相同或不同且係選自：H、D、F、Cl、Br、I、C(=O)R5、CN、Si(R5)3 、N(R5)2 、P(=O)(R5)2 、OR5、S(=O)R5、S(=O)2 R5、具有1至20個碳原子之直鏈烷基或烷氧基、具有3至20個碳原子之支鏈或環狀烷基或烷氧基、具有2至20個碳原子之烯基或炔基、具有6至40個芳族環原子之芳族環系統、及具有5至40個芳族環原子之雜芳族環系統；其中二或多個R1基可彼此連接且可形成環；其中上述該烷基、烷氧基、烯基與炔基及上述該芳族環系統與雜芳族環系統各自經R5基取代；及其中上述該烷基、烷氧基、烯基與炔基中一或多個CH2 基可經下列置換： -R5C=CR5-、-C≡C-、Si(R5)2 、C=O、C=NR5、-C(=O)O-、-C(=O)NR5-、NR5、P(=O)(R5)、-O-、-S-、SO或SO2 ； R2在每次出現時是相同或不同且係選自：D、F、CN、Si(R5)3 、N(R5)2 、具有6至40個芳族環原子且經R5基取代之芳族環系統、及具有5至40個芳族環原子且經R5基取代之雜芳族環系統； R3在每次出現時是相同或不同且係選自：H、D、F、Cl、Br、I、C(=O)R5、CN、Si(R5)3 、N(R5)2 、P(=O)(R5)2 、OR5、S(=O)R5、S(=O)2 R5、具有1至20個碳原子之直鏈烷基或烷氧基、具有3至20個碳原子之支鏈或環狀烷基或烷氧基、具有2至20個碳原子之烯基或炔基、具有6至40個芳族環原子之芳族環系統、及具有5至40個芳族環原子之雜芳族環系統；其中二或多個R3基可彼此連接且可形成環；其中上述該烷基、烷氧基、烯基與炔基及上述該芳族環系統與雜芳族環系統各自經R5基取代；及其中上述該烷基、烷氧基、烯基與炔基中一或多個CH2 基可經下列置換： -R5C=CR5-、-C≡C-、Si(R5)2 、C=O、C=NR5、-C(=O)O-、-C(=O)NR5-、NR5、P(=O)(R5)、-O-、-S-、SO或SO2 ； R4在每次出現時是相同或不同且係選自：H、D、F、Cl、Br、I、C(=O)R5、CN、Si(R5)3 、N(R5)2 、P(=O)(R5)2 、OR5、S(=O)R5、S(=O)2 R5、具有1至20個碳原子之直鏈烷基或烷氧基、具有3至20個碳原子之支鏈或環狀烷基或烷氧基、具有2至20個碳原子之烯基或炔基、具有6至40個芳族環原子之芳族環系統、及具有5至40個芳族環原子之雜芳族環系統；其中二或多個R4基可彼此連接且可形成環；其中上述該烷基、烷氧基、烯基與炔基及上述該芳族環系統與雜芳族環系統各自經R5基取代；及其中上述該烷基、烷氧基、烯基與炔基中一或多個CH2 基可經下列置換： -R5C=CR5-、-C≡C-、Si(R5)2 、C=O、C=NR5、-C(=O)O-、-C(=O)NR5-、NR5、P(=O)(R5)、-O-、-S-、SO或SO2 ； R5在每次出現時是相同或不同且係選自：H、D、F、Cl、Br、I、C(=O)R6、CN、Si(R6)3 、N(R6)2 、P(=O)(R6)2 、OR6、S(=O)R6、S(=O)2 R6、具有1至20個碳原子之直鏈烷基或烷氧基、具有3至20個碳原子之支鏈或環狀烷基或烷氧基、具有2至20個碳原子之烯基或炔基、具有6至40個芳族環原子之芳族環系統、及具有5至40個芳族環原子之雜芳族環系統；其中二或多個R5基可彼此連接且可形成環；其中上述該烷基、烷氧基、烯基與炔基及上述該芳族環系統與雜芳族環系統各自經R6基取代；及其中上述該烷基、烷氧基、烯基與炔基中一或多個CH2 基可經下列置換： -R6C=CR6-、-C≡C-、Si(R6)2 、C=O、C=NR6、-C(=O)O-、-C(=O)NR6-、NR6、P(=O)(R6)、-O-、-S-、SO或SO2 ； R6在每次出現時是相同或不同且係選自：H、D、F、Cl、Br、I、CN、具有1至20個碳原子之烷基或烷氧基、具有2至20個碳原子之烯基或炔基、具有6至40個芳族環原子之芳族環系統及具有5至40個芳族環原子之雜芳族環系統；其中上述該烷基、烷氧基、烯基與炔基、芳族環系統與雜芳族環系統可經一或多個選自F與CN的基團取代； k是0、1、2、3或4，其中在k=0情況下，Ar1基不存在且結合至式(I)中的Ar1之基團直接彼此鍵結； i是0、1、2、3、4或5； n是0、1、2、3或4； 其中兩個基團
Figure 02_image003
與
Figure 02_image005
在式(I)中，整體上，包括其取代基的每一者不相同。 i=1情況是指R2基鍵結至在所述之苯環中的僅一個位置。n=1情況是指R2基鍵結至在所述之苯環中的僅一個位置。 i=2、3、4或5情況是指一個R2基鍵結至在所述之苯環中的2、3、4或5不同位置之各者。n=2、3或4情況是指一個R2基鍵結至在所述之苯環中的2、3或4不同位置之各者。 i=0或n=0情況是指沒有R2基而只有鍵結至在所述之苯環的氫原子。 下列定義適用於本申請案中使用之化學基團。該定義是適用的，除非任何更具體之定義被給出。 在本發明上下文中，芳基是指單一芳族環(即苯)或稠合芳族多環(例如萘、菲或蒽)。在本申請案上下文中，稠合芳族多環是由二或多個彼此稠合之單一芳族環組成。這裡環之間的稠合是指環彼此共享至少一個邊。在本發明上下文中，芳基含有6至40個芳族環原子，其中無一者是雜原子。 在本發明上下文中，雜芳基是指單一雜芳族環(例如吡啶、嘧啶或噻吩)或稠合雜芳族多環(例如喹啉或咔唑)。在本申請案上下文中，稠合雜芳族多環是由二或多個彼此稠合之單一芳族環或雜芳族環組成，其中該芳族與雜芳族環中至少一者是雜芳族環。這裡環之間的稠合是指環彼此共享至少一個邊。在本發明上下文中，雜芳基含有5至40個芳族環原子，其中至少一者是雜原子。雜芳基的雜原子較佳地選自N、O與S。 芳基或雜芳基，其各自可經上述基團取代，尤其是指由下列衍生之基團：苯、萘、蒽、菲、芘、二氫芘、䓛、苝、聯伸三苯、苯並苊、苯並蒽、苯並菲、稠四苯、稠五苯、苯並芘、呋喃、苯並呋喃、異苯並呋喃、二苯並呋喃、噻吩、苯並噻吩、異苯並噻吩、二苯並噻吩、吡咯、吲哚、異吲哚、咔唑、吡啶、喹啉、異喹啉、吖啶、啡啶、苯並-5,6-喹啉、苯並-6,7-喹啉、苯並-7,8-喹啉、啡噻𠯤、啡㗁𠯤、吡唑、吲唑、咪唑、苯並咪唑、苯並咪唑並[1,2-a]苯並咪唑、萘並咪唑、菲並咪唑、吡啶並咪唑、吡𠯤並咪唑、喹㗁啉並咪唑、㗁唑、苯並㗁唑、萘並㗁唑、蒽並㗁唑、菲並㗁唑、異㗁唑、1,2-噻唑、1,3-噻唑、苯並噻唑、嗒𠯤、苯並嗒𠯤、嘧啶、苯並嘧啶、喹㗁啉、吡𠯤、啡𠯤、㖠啶、吖咔唑、苯並咔啉、啡啉、1,2,3-三唑、1,2,4-三唑、苯並三唑、1,2,3-㗁二唑、1,2,4-㗁二唑、1,2,5-㗁二唑、1,3,4-㗁二唑、1,2,3-噻二唑、1,2,4-噻二唑、1,2,5-噻二唑、1,3,4-噻二唑、1,3,5-三𠯤、1,2,4-三𠯤、1,2,3-三𠯤、四唑、1,2,4,5-四𠯤、1,2,3,4-四𠯤、1,2,3,5-四𠯤、嘌呤、喋啶、吲𠯤與苯並噻二唑。 在本發明上下文中，芳族環系統是系統，其不必僅含有芳基，而是其還可含有一或多個與至少一個芳基稠合之非芳族環。這些非芳族環僅僅含有碳原子作為環原子。此定義所涵蓋之基團的例子是四氫萘、茀與螺二茀。此外，術語「芳族環系統」包括由二或多個經由單鍵彼此連接之芳族環系統組成的系統，例如聯苯基、聯三苯基、7-苯基-2-茀基、聯四苯基與3,5-二苯基-1-苯基。在本發明上下文中，芳族環系統在環系統中含有6至40個碳原子且沒有雜原子。「芳族環系統」之定義不包括雜芳基。 雜芳族環系統符合上述芳族環系統之定義，不同之處在於其必須含有至少一個雜原子作為環原子。如芳族環系統的情況，雜芳族環系統不必僅僅含有芳基與雜芳基，而是還可含有一或多個與至少一個芳基或雜芳基稠合之非芳族環。非芳族環可僅僅含有碳原子作為環原子，或者其還可含有一或多個雜原子，其中該雜原子較佳地選自N、O與S。這樣的雜芳族環系統之一個例子是苯並吡喃基。此外，術語「雜芳族環系統」是指由二或多個經由單鍵彼此鍵結之芳族或雜芳族環系統組成之系統，例如4,6-二苯基-2-三𠯤基。在本發明上下文中，雜芳族環系統含有5至40個選自碳與雜原子的環原子，其中該環原子中至少一者是雜原子。雜芳族環系統之雜原子較佳地選自N、O與S。 如本申請案中所定義之術語「雜芳族環系統」與「芳族環系統」從而在下列方面彼此不同：芳族環系統不能具有雜原子作為環原子，而雜芳族環系統必須具有至少一個雜原子作為環原子。此雜原子可以非芳族雜環之環原子或以芳族雜環之環原子形式存在。 根據上述定義，術語「芳族環系統」涵蓋任何芳基，及術語「雜芳族環系統」涵蓋任何雜芳基。 具有6至40個芳族環原子之芳族環系統或具有5至40個芳族環原子之雜芳族環系統尤其是指由上述在芳基與雜芳基項下的基團衍生之基團，及由下列衍生之基團：聯苯基、聯三苯基、聯四苯基、茀、螺二茀、二氫菲、二氫芘、四氫芘、茚並茀、參茚並苯、異參茚並苯、螺參茚並苯、螺異參茚並苯、茚並咔唑，或由上述基團之組合衍生的基團。 在本發明上下文中，具有1至20個碳原子之直鏈烷基與具有3至20個碳原子之支鏈或環狀烷基及具有2至40個碳原子之烯基或炔基(其中個別氫原子或CH2 基也可經上述在基團之定義中的基團取代)較佳地是指甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、二級丁基、三級丁基、2-甲基丁基、正戊基、二級戊基、環戊基、新戊基、正己基、環己基、新己基、正庚基、環庚基、正辛基、環辛基、2-乙基己基、三氟甲基、五氟乙基、2,2,2-三氟乙基、乙烯基、丙烯基、丁烯基、戊烯基、環戊烯基、己烯基、環己烯基、庚烯基、環庚烯基、辛烯基、環辛烯基、乙炔基、丙炔基、丁炔基、戊炔基、己炔基或辛炔基。 具有1至20個碳原子之烷氧基或烷硫基(其中個別氫原子或CH2 基也可經上述在基團之定義中的基團置換)較佳地是指甲氧基、三氟甲氧基、乙氧基、正丙氧基、異丙氧基、正丁氧基、異丁氧基、二級丁氧基、三級丁氧基、正戊氧基、二級戊氧基、2-甲基丁氧基、正己氧基、環己氧基、正庚氧基、環庚氧基、正辛氧基、環辛氧基、2-乙基己氧基、五氟乙氧基、2,2,2-三氟乙氧基、甲硫基、乙硫基、正丙硫基、異丙硫基、正丁硫基、異丁硫基、二級丁硫基、三級丁硫基、正戊硫基、二級戊硫基、正己硫基、環己硫基、正庚硫基、環庚硫基、正辛硫基、環辛硫基、2-乙基己硫基、三氟甲硫基、五氟乙硫基、2,2,2-三氟乙硫基、乙烯硫基、丙烯硫基、丁烯硫基、戊烯硫基、環戊烯硫基、己烯硫基、環己烯硫基、庚烯硫基、環庚烯硫基、辛烯硫基、環辛烯硫基、乙炔硫基、丙炔硫基、丁炔硫基、戊炔硫基、己炔硫基、庚炔硫基或辛炔硫基。 在本申請案上下文中，用語二或多個基團可一起形成環尤其應是指二個基團藉由化學鍵彼此連接。此外，然而，上述用語也應是指，若二個基團中之一者是氫，則第二個基團結合至氫原子所鍵結的位置而形成環。 式(I)之化合物較佳為單胺。單胺是指含有一個三芳基胺基且沒有另外的三芳基胺基之化合物，更佳為含有一個胺基且沒有另外的胺基之化合物。 Z當未鍵結至-[Ar1]k -N(Ar2)(Ar3)基時較佳為CR1。 Ar1較佳地選自具有6至20個芳族環原子且可經一或多個R3基取代之芳族環系統，及具有5至20個芳族環原子且可經一或多個R3基取代之雜芳族環系統。特佳Ar1基係選自由下列衍生的二價基團：苯、聯苯基、聯三苯基、萘、茀、茚並茀、茚並咔唑、螺二茀、二苯並呋喃、二苯並噻吩、與咔唑，以上各者可經一或多個R3基取代。最佳地，Ar1是由在各種情況下可經一或多個R3基取代之苯衍生的二價基團。Ar1基在每次出現時可相同或不同地被選出。 較佳地，k係選自0或1；更佳地，k是0。 在k=1情況下，較佳-(Ar1)k -基符合下列式：
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Figure 02_image009
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其中虛線代表鍵結至式(I)之剩餘部分的鍵，且其中在顯示為未經取代之位置的基團各自經R3基取代，其中在這些位置之R3基較佳為H。 較佳地，Ar2與Ar3基在每次出現時是相同或不同且係選自由下列衍生的一價基團：苯、聯苯基、聯三苯基、聯四苯基、萘、茀(尤其是9,9'-二甲基茀與9,9'-二苯基茀)、9-矽茀(9-silafluorene)(尤其是9,9'-二甲基-9-矽茀與9,9'-二苯基-9-矽茀)、苯並茀、螺二茀、茚並茀、茚並咔唑、二苯並呋喃、二苯並噻吩、苯並咔唑、咔唑、苯並呋喃、苯並噻吩、吲哚、喹啉、吡啶、嘧啶、吡𠯤、嗒𠯤與三𠯤，其中該一價基團各自經一或多個R4基取代。或者，Ar2與Ar3基在每次出現時是相同或不同且可較佳地選自由下列衍生之基團的組合：苯、聯苯基、聯三苯基、聯四苯基、萘、茀(尤其是9,9'-二甲基茀與9,9'-二苯基茀)、9-矽茀(尤其是9,9'-二甲基-9-矽茀與9,9'-二苯基-9-矽茀)、苯並茀、螺二茀、茚並茀、茚並咔唑、二苯並呋喃、二苯並噻吩、咔唑、苯並呋喃、苯並噻吩、吲哚、喹啉、吡啶、嘧啶、吡𠯤、嗒𠯤與三𠯤，其中該基團各自經一或多個R4基取代。 特佳Ar2與Ar3基在每次出現時是相同或不同且係選自：苯基、聯苯基、聯三苯基、聯四苯基、萘基、茀基(尤其是9,9'-二甲基茀基與9,9'-二苯基茀基)、苯並茀基、螺二茀基、茚並茀基、茚並咔唑基、二苯並呋喃基、二苯並噻吩基、咔唑基、苯並呋喃基、苯並噻吩基、苯並稠合之二苯並呋喃基、苯並稠合之二苯並噻吩基、經萘基取代之苯基、經茀基取代之苯基、經螺二茀基取代之苯基、經二苯並呋喃基取代之苯基、經二苯並噻吩基取代之苯基、經咔唑基取代之苯基、經吡啶基取代之苯基、經嘧啶基取代之苯基、與經三𠯤基取代之苯基，其中上述基團各自經一或多個R4基取代。 在一個較佳實施方式中，選自Ar2與Ar3基的僅一個基團是經R4基取代的苯基，該R4基較佳地選自H、D、F、CN與具有1至10個碳原子之烷基，且更佳為H。此類化合物具有特別良好的電洞傳輸性。 特佳Ar2與Ar3基是相同或不同且係選自下列式：
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其中在顯示為未經取代的位置之基團經R4基取代，其中在這些位置的R4較佳為H，且其中虛線鍵鍵結至胺氮原子。 在一個較佳實施方式中，在式(I)中的Ar2與Ar3不同地被選出。 Ar4較佳為可經R2基取代之苯基或可經R2基取代之1-萘基，更佳為其可經R2基取代之苯基。最佳地，Ar4是未經取代之苯基或1-萘基，最佳為未經取代之苯基。 R1在每次出現時較佳為相同或不同且係選自：H、D、F、CN、Si(R5)3 、N(R5)2 、具有1至20個碳原子之直鏈烷基或烷氧基、具有3至20個碳原子之支鏈或環狀烷基或烷氧基、具有6至40個芳族環原子之芳族環系統、及具有5至40個芳族環原子之雜芳族環系統；其中上述該烷基與烷氧基、上述該芳族環系統與上述該雜芳族環系統各自經R5基取代；及其中上述該烷基或烷氧基中一或多個CH2 基可經下列置換：-C≡C-、-R5C=CR5-、Si(R5)2 、C=O、 C=NR5、-NR5-、-O-、-S-、-C(=O)O-或-C(=O)NR5-。更佳地，R1在每次出現時是相同或不同且係選自：H、具有6至40個芳族環原子之芳族環系統、及具有5至40個芳族環原子之雜芳族環系統，其中該芳族環系統與雜芳族環系統各自經R5基取代。最佳地，R1是H。 在一個較佳實施方式中，一或二個且較佳為一個R1基係選自具有6至40個芳族環原子且經R5基取代之芳族環系統、及具有5至40個芳族環原子且經R5基取代之雜芳族環系統、及其餘R1基是H。在這種情況下芳族與雜芳族環系統如R1基之特佳實施方式是苯基、聯苯基、聯三苯基、茀基、萘基、二苯並呋喃基、二苯並噻吩基及N-苯基咔唑基(各自經R5基取代)，其中這些R5基較佳為H。較佳地，選自式(I)中的芳族或雜芳族環系統之R1基鍵結至在式(I)的選自位置5至8(更佳為位置5)之位置的茀。 較佳地，R1不是N(R5)2 。更佳地，包括取代基的R1基不含有胺基。 R2在每次出現時較佳為相同或不同且係選自：具有6至40個芳族環原子且經R5基取代之芳族環系統、及具有5至40個芳族環原子且經R5基取代之雜芳族環系統。更佳地，R2係選自具有6至40個芳族環原子且經R5基取代之芳族環系統；最佳地，R2係選自苯基、茀基(尤其是9,9'-二甲基茀基與9,9'-二苯基茀基)、及萘基，其中上述基團各自經R5基取代，在該情況下R5較佳為H。 R3在每次出現時較佳為相同或不同且係選自：H、D、F、CN、Si(R5)3 、N(R5)2 、具有1至20個碳原子之直鏈烷基或烷氧基、具有3至20個碳原子之支鏈或環狀烷基或烷氧基、具有6至40個芳族環原子之芳族環系統、及具有5至40個芳族環原子之雜芳族環系統；其中上述該烷基與烷氧基、上述該芳族環系統與上述該雜芳族環系統各自經R5基取代；及其中上述該烷基或烷氧基中一或多個CH2 基可經下列置換：-C≡C-、-R5C=CR5-、Si(R5)2 、C=O、 C=NR5、-NR5-、-O-、-S-、-C(=O)O-或-C(=O)NR5-。更佳地，R3在每次出現時是相同或不同且係選自：H、N(R5)2 、具有1至20個碳原子之直鏈烷基、具有3至20個碳原子之支鏈或環狀烷基、具有6至40個芳族環原子之芳族環系統、及具有5至40個芳族環原子之雜芳族環系統，其中該烷基、芳族環系統與雜芳族環系統各自經R5基取代。最佳地，R3是H。 R4在每次出現時較佳為相同或不同且係選自：H、D、F、CN、Si(R5)3 、N(R5)2 、具有1至20個碳原子之直鏈烷基或烷氧基、具有3至20個碳原子之支鏈或環狀烷基或烷氧基、具有6至40個芳族環原子之芳族環系統、及具有5至40個芳族環原子之雜芳族環系統；其中上述該烷基與烷氧基、上述該芳族環系統與上述該雜芳族環系統各自經R5基取代；及其中上述該烷基或烷氧基中一或多個CH2 基可經下列置換：-C≡C-、-R5C=CR5-、Si(R5)2 、C=O、 C=NR5、-NR5-、-O-、-S-、-C(=O)O-或-C(=O)NR5-。更佳地，R4在每次出現時是相同或不同且係選自：H、N(R5)2 、具有1至20個碳原子之直鏈烷基、具有3至20個碳原子之支鏈或環狀烷基、具有6至40個芳族環原子之芳族環系統、及具有5至40個芳族環原子之雜芳族環系統，其中該烷基、芳族環系統與雜芳族環系統各自經R5基取代。最佳地，R4是H。 R5在每次出現時較佳為相同或不同且係選自：H、D、F、CN、Si(R6)3 、N(R6)2 、具有1至20個碳原子之直鏈烷基或烷氧基、具有3至20個碳原子之支鏈或環狀烷基或烷氧基、具有6至40個芳族環原子之芳族環系統、及具有5至40個芳族環原子之雜芳族環系統；其中上述該烷基與烷氧基、上述該芳族環系統與上述該雜芳族環系統各自經R6基取代；及其中上述該烷基或烷氧基中一或多個CH2 基可經下列置換：-C≡C-、-R6C=CR6-、Si(R6)2 、C=O、 C=NR6、-NR6-、-O-、-S-、-C(=O)O-或-C(=O)NR6-。更佳地，R5在每次出現時是相同或不同且係選自：H、具有1至20個碳原子之直鏈烷基、具有3至20個碳原子之支鏈或環狀烷基、具有6至40個芳族環原子之芳族環系統、及具有5至40個芳族環原子之雜芳族環系統，其中該烷基、芳族環系統與雜芳族環系統各自經R6基取代。最佳地，R5是H。 在一個較佳實施方式中，i=0。在一個較佳實施方式中，n=0。更佳地，i與n各為0。 較佳為-[Ar1]k -N(Ar2)(Ar3)基鍵結至在式(I)的1位置、2位置或4位置之茀基。更佳地在2位置或4位置鍵結，最佳地在4位置鍵結。 式(I)之較佳實施方式符合下列式：
Figure 02_image057
Figure 02_image059
其中存在之符號與標誌係如以上所定義，且其中經鍵結的R1基是指在所述之苯環上顯示為未經取代的所有位置皆經R1基取代。尤其佳地，在上述式中，i=0與n=0。更佳為當R2係選自具有6至40個芳族環原子且經R5基取代之芳族環系統時。又更佳為當R1是H時。又更佳為當Ar4是苯基或1-萘基，較佳為苯基時，以上各者可經R2基取代，且較佳為未經取代。 在上述式(I-A)至(I-H)中，較佳為式(I-A)至(I-D)與(I-G)與(I-H)，甚至更佳為式(I-C)、(I-D)、(I-G)與(I-H)。最佳為式(I-C)與(I-D)。 式(I)之較佳實施方式符合下列式：
Figure 02_image061
其中存在之符號與標誌係如以上所定義，且其中經鍵結的R1基是指在所述之苯環上顯示為未經取代的所有位置皆經R1基取代。尤其佳地，在上述式中，n=0。更佳為當R2係選自具有6至40個芳族環原子且經R5基取代之芳族環系統時。更佳為R1是H。更佳為當Ar4是苯基或1-萘基，較佳為苯基時，以上各者可經R2基取代，且較佳為未經取代。 在上述式(I-1)至(I-3)中，較佳為式(I-1)與(I-2)。 式(I)之較佳實施方式符合下列式：
Figure 02_image063
Figure 02_image065
Figure 02_image067
Figure 02_image069
Figure 02_image071
Figure 02_image073
其中存在之符號與標誌係如以上所定義，且其中經鍵結的R1基是指在所述之苯環上顯示為未經取代的所有位置皆經R1基取代。較佳地，R1是H。尤其佳為Ar1係選自由下列衍生之二價基團：苯、聯苯基、聯三苯基、萘、茀、茚並茀、茚並咔唑、螺二茀、二苯並呋喃、二苯並噻吩、與咔唑，以上各者可經一或多個R3基取代。更佳為Ar2與Ar3基在每次出現時是相同或不同且係選自如以上所定義之式(Ar-1)至(Ar-256)的基團。 在上述式中，特佳為式(I-A-1)、(I-A-2)、(I-B-1)、(I-B-2)、(I-C-1)、(I-C-2)、(I-D-1)、(I-D-2)、(I-E-1)、(I-E-2)、(I-F-1)、(I-F-2)、(I-G-1)、(I-G-2)、(I-H-1)與(I-H-2)。 式(I)之化合物的較佳實施方式顯示於下：
Figure 02_image075
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Figure 02_image081
Figure 02_image083
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Figure 02_image113
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Figure 02_image117
式(I)之化合物可以藉助有機化學中的慣用合成方法，例如Buchwald偶合反應與Suzuki偶合反應製得。 根據本申請案之化合物的較佳合成路線顯示於下。本領域之習知技術者將能夠在其一般技術知識範圍內修改此合成路線。
Figure 02_image119
在第一步驟中，這裡將金屬有機基加到帶有經苯基或萘基取代之苯基與苯基的羰基衍生物上。此金屬有機基係由經兩個反應性基團取代之聯苯基形成，其中該反應性基團中至少一者鍵結至聯苯基之鄰位。在加完後，在酸性條件下進行環化作用。這提供茀基衍生物，其含有在橋頭碳原子上的苯基與經苯基或萘基取代之苯基，及在其苯環的一者上帶有反應性基團。在Buchwald反應中經由此反應性基團可以導入二芳基胺基，或者在二步驟反應中可以導入二芳基胺基鍵結之芳族或雜芳族環系統。該二步驟反應包含Suzuki反應，其中在反應性基團位置導入帶有反應性基團之芳族或雜芳族環系統，及Buchwald反應，其中在芳族或雜芳族環系統中的反應性基團位置導入二芳基胺基。 該反應性基團較佳地選自Cl、Br與I，且更佳為Br。 R基在每次出現時較佳為相同或不同且係選自H、F、具有5至40個芳族環原子之雜芳基及具有6至40個芳族環原子之芳基。一或多個R基可能存在於苯環上。 在以上顯示的圖式中，芳基Ar4較佳地選自苯基，其較佳為未經取代。 本申請案從而提供一種用於製備式(I)之化合物的方法，其特徵在於將帶有兩個反應性基團之聯苯基衍生物(其中至少一者是在鄰位)金屬化，然後加到含有經苯基或萘基取代之苯基及鍵結至羰基之苯基的羰基衍生物上。該方法較佳地特徵在於隨後在酸性條件下實現環化作用，其提供帶有在其橋頭碳原子上的苯基及經苯基或萘基取代之苯基且經反應性基團取代的茀基衍生物。較佳地，然後在Buchwald反應中將此茀基衍生物與具有兩個選自芳族與雜芳族環系統之取代基的二級胺反應以獲得式(I)之化合物。在一個替代的同樣較佳實施方式中，在Suzuki反應中將該茀基衍生物與具有兩個反應性基團之芳族或雜芳族環系統反應。在此實施方式中，然後在Buchwald反應中將該茀基衍生物與具有兩個選自芳族與雜芳族環系統之取代基的二級胺反應以獲得式(I)之化合物。 上述本發明之化合物，尤其是經反應性脫離基(比如溴、碘、氯、硼酸或硼酸酯)取代的化合物可作為用於製造對應寡聚物、樹枝狀聚合物或聚合物之單體。合適反應性脫離基是例如溴、碘、氯、硼酸類、硼酸酯類、胺類、具有末端C-C雙鍵或C-C參鍵之烯基或炔基、環氧乙烷類、氧呾類、進入環加成作用(例如1,3-偶極環加成作用)的基團，例如二烯類或疊氮化物類、羧酸衍生物、醇類與矽烷類。 本發明因此另外提供含有一或多種式(I)之化合物的寡聚物、聚合物或樹枝狀聚合物，其中鍵結至該聚合物、寡聚物或樹枝狀聚合物之鍵可位於式(I)中經R1、R2、R3或R4取代的任何所欲位置。根據式(I)之化合物的鍵聯，該化合物是該寡聚物或聚合物之側鏈的一部分或主鏈的一部分。在本發明上下文中，寡聚物是指由至少三個單體單元形成之化合物。在本發明上下文中，聚合物是指由至少十個單體單元形成的化合物。本發明之聚合物、寡聚物或樹枝狀聚合物可為共軛、部分共軛或非共軛的。本發明之寡聚物或聚合物可為直鏈、支鏈或樹枝狀的。在具有線型鍵聯之結構中，式(I)之單元可直接彼此連接，或者可經由二價基團(例如經由經取代或未經取代伸烷基)，經由雜原子或經由二價芳族或雜芳族基團彼此連接。在支鏈與樹枝狀結構中，例如三或多個式(I)之單元可以經由三價或較高價基團，例如經由三價或較高價芳族或雜芳族基團連接，以給出支鏈或樹枝狀寡聚物或聚合物。 對在寡聚物、樹枝狀聚合物與聚合物中的式(I)之重複單元而言，與上述相同的優選適用於式(I)之化合物。 對寡聚物或聚合物製備而言，將本發明之單體均聚合或與另外的單體共聚合。合適且較佳共聚單體係選自：茀類、螺二茀類、對次酚類、咔唑類、噻吩類、二氫菲類、順-與反-茚並茀類、酮類、菲類或上述單元之二或多者。聚合物、寡聚物與樹枝狀聚合物典型上還含有另外的單元，例如發光(螢光或磷光)單元，例如乙烯基三芳基胺類或磷光金屬錯合物，與/或電荷傳輸單元，尤其是以三芳基胺類為基礎者。 本發明之聚合物、寡聚物與樹枝狀聚合物具有有利性質，尤其是高壽命、高效率與良好色坐標。 本發明之聚合物與寡聚物一般是藉由將一或多種單體類型聚合所製得，其中至少一種單體導致聚合物中的式(I)之重複單元。合適聚合反應是本領域之習知技術者已知的且在文獻中描述。導致C-C與C-N偶合反應的特別合適且特佳聚合反應如下： (A) SUZUKI聚合反應； (B) YAMAMOTO聚合反應； (C) STILLE聚合反應；及 (D) HARTWIG-BUCHWALD聚合反應。 藉由這些方法可以如何進行聚合反應及然後可以如何從反應介質分離聚合物並純化是本領域之習知技術者已知的且在文獻中詳細描述。 對例如藉由旋塗法或藉由印刷法經由液相加工本發明之化合物而言，需要本發明之化合物的調合物。這些調合物可為例如溶液、分散體或乳液。為此目的，可能較佳地使用二或多種溶劑之混合物。合適且較佳溶劑是例如甲苯、苯甲醚、鄰-、間-或對-二甲苯、苯甲酸甲酯、三甲苯、四氫萘、藜蘆醚、THF、甲基-THF、THP、氯苯、二㗁烷、苯氧基甲苯(尤其是3-苯氧基甲苯)、(-)-葑酮、1,2,3,5-四甲苯、1,2,4,5-四甲苯、1-甲基萘、2-甲基苯並噻唑、2-苯氧乙醇、2-吡咯啶酮、3-甲基苯甲醚、4-甲基苯甲醚、3,4-二甲基苯甲醚、3,5-二甲基苯甲醚、苯乙酮、α-萜品醇、苯並噻唑、苯甲酸丁酯、異丙苯、環己醇、環己酮、環己苯、十氫萘、十二基苯、苯甲酸乙酯、二氫茚、苯甲酸甲酯、NMP、對異丙基甲苯、苯乙醚、1,4-二異丙苯、二苄基醚、二乙二醇丁基甲醚、三乙二醇丁基甲醚、二乙二醇二丁醚、三乙二醇二甲醚、二乙二醇一丁醚、三丙二醇二甲醚、四乙二醇二甲醚、2-異丙基萘、戊苯、己苯、庚苯、辛苯、1,1-雙(3,4-二甲基苯基)乙烷、或上述溶劑之混合物。 本發明因此另外提供調合物，尤其是溶液、分散體或乳液，其包含至少一種式(I)之化合物或至少一種聚合物、寡聚物與樹枝狀聚合物，其含有至少一種式(I)之化合物與至少一種溶劑，較佳為有機溶劑。可以製得這類溶液的方式是本領域之習知技術者已知的。 式(I)之化合物適用於電子裝置，尤其是有機電致發光裝置(OLED)。視取代而定，式(I)之化合物可以用於不同功能與層。較佳地作為電洞傳輸層中的電洞傳輸材料與/或發光層中的基質材料，更佳地合併磷光發光體。 本發明因此另外提供式(I)之化合物用於電子裝置。此電子裝置較佳地選自由下列所組成的群組：有機積體電路(OIC)、有機場效電晶體(OFET)、有機薄膜電晶體(OTFT)、有機發光電晶體(OLET)、有機太陽能電池(OSC)、有機光學檢測器、有機感光器、有機場淬熄裝置(OFQD)、有機發光電化學電池(OLEC)、有機雷射二極體(O-laser)，且更佳為有機電致發光裝置(OLED)。 本發明另外提供包含至少一種式(I)之化合物的電子裝置。此電子裝置較佳地選自上述裝置。 特佳為包含陽極、陰極與至少一個發光層的有機電致發光裝置，其中包含至少一種式(I)之化合物的至少一個有機層係存在於該裝置中。較佳為包含陽極、陰極與至少一個發光層之有機電致發光裝置，其中該裝置中選自電洞傳輸層與發光層的至少一個發光層包含至少一種式(I)之化合物。 這裡電洞傳輸層是指配置於陽極與發光層之間的所有層，較佳為電洞注入層、電洞傳輸層與電子阻擋層。這裡電洞注入層是指直接鄰接陽極之層。這裡電洞傳輸層是指在陽極與發光層之間但不直接鄰接陽極，且較佳地不直接鄰接發光層之層。這裡電子阻擋層是指在陽極與發光層之間且直接鄰接發光層之層。電子阻擋層較佳地具有高能LUMO，從而防止電子從發光層離開。 除陰極、陽極與發光層之外，電子裝置還可包含另外的層。在各種情況下，這些層係選自例如一或多個電洞注入層、電洞傳輸層、電洞阻擋層、電子傳輸層、電子注入層、電子阻擋層、激子阻擋層、中間層、電荷產生層與/或有機或無機P/N接面。然而，應當指出這些層並非每個都必須存在，並且這些層之選擇總是取決於使用之化合物，並且尤其也取決於裝置是否是電致螢光裝置或電致磷光裝置。 電子裝置中之疊層順序較佳如下： -陽極- -電洞注入層- -電洞傳輸層- -隨意另外的電洞傳輸層- -發光層- -隨意電洞阻擋層- -電子傳輸層- -電子注入層- -陰極-。 同時，應當再度指出並非全部的上述層都需要存在與/或另外的層也可能存在。 本發明之有機電致發光裝置可含有二或多個發光層。更佳地，這些發光層具有在整體380 nm與750 nm之間的幾個最大發光波長，使得整體結果是白光發光；換言之，將可發螢光或發磷光且發射藍、綠、黃、橙或紅光的各種發光化合物用於發光層。尤其佳為三層系統，即具有三個發光層之系統，其中在各種情況下該三層中之一者顯示藍光發光，在各種情況下該三層中之一者顯示綠光發光，及在各種情況下該三層中之一者顯示橙光或紅光發光。這裡本發明之化合物較佳地存在於電洞傳輸層或發光層。應當注意的是，對製造白光而非複數種顏色發光化合物而言，在廣大波長範圍發光的個別使用之發光化合物也可能合適。 較佳為將式(I)之化合物作為電洞傳輸材料。這裡發光層可為螢光發光層，或者可為磷光發光層。該發光層較佳為發藍螢光層或發綠磷光層。 當含有式(I)之化合物的裝置含有磷光發光層時，較佳為此層含有二或多種，較佳為僅二種不同基質材料(混合基質系統)。混合基質系統之較佳實施方式在以下更詳細描述。 若將式(I)之化合物作為在電洞傳輸層、電洞注入層或電子阻擋層中的電洞傳輸材料，則在電洞傳輸層中式(I)之化合物可以作為純材料(即100%的比例)，或者可以和一或多種另外的化合物併用。 在一個較佳實施方式中，包含式(I)之化合物的電洞傳輸層還包含一或多種另外之電洞傳輸化合物。這些另外之電洞傳輸化合物較佳地選自三芳基胺化合物，更佳地選自單三芳基胺化合物。非常特佳地該化合物係選自以下表示的電洞傳輸材料之較佳實施方式。在上述較佳實施方式中，式(I)之化合物與一或多種另外之電洞傳輸化合物較佳地各自以至少10%的比例，更佳地各自以至少20%的比例存在。 在一個較佳實施方式中，包含式(I)之化合物的電洞傳輸層還含有一或多種P型摻雜劑。根據本發明使用的P型摻雜劑較佳為能夠氧化混合物中之其餘化合物的一或多者之有機電子受體化合物。 特佳P型摻雜劑是醌二甲烷化合物類、氮雜茚並茀二酮類、吖萉類、氮雜聯伸三苯類、I2 、金屬鹵化物類(較佳為過渡金屬鹵化物類)、金屬氧化物類(較佳為包含至少一種過渡金屬或第3主族之金屬的金屬氧化物類)、及過渡金屬錯合物類(較佳為Cu、Co、Ni、Pd與Pt與含有至少一個氧原子作為結合位置之配位基的錯合物類)。另外較佳為過渡金屬氧化物類作為摻雜劑，較佳為錸、鉬與鎢之氧化物，更佳為Re2 O7 、MoO3 、WO3 與ReO3 。又更佳為(III)氧化態之鉍錯合物類，更特別地具有缺電子配位基(更特別為羧酸根配位基)之鉍(III)錯合物。 P型摻雜劑較佳地在P型摻雜層中實質均勻分布。這可以例如藉由將P型摻雜劑與電洞傳輸材料基質共蒸發而達到。P型摻雜劑較佳地以1%至10%的比例存在於P型摻雜層中。 較佳P型摻雜劑尤其是下列化合物：
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在一個較佳實施方式中，符合下列實施方式中之一者的電洞注入層係存在於裝置中：a)其含有三芳基胺與P型摻雜劑；或b)其含有單一缺電子材料(電子受體)。在實施方式a)之一個較佳實施方式中，三芳基胺是單三芳基胺，尤其是下述較佳三芳基胺衍生物中之一者。在實施方式b)之一個較佳實施方式中，缺電子材料是如 US 2007/0092755中所述的六氮雜聯伸三苯衍生物。 式(I)之化合物可存在於裝置之電洞注入層、電洞傳輸層與/或電子阻擋層中。當該化合物係存在於電洞注入層或電洞傳輸層中時，其較佳為P型摻雜的，這是指其在層中是與P型摻雜劑混合之形式，如上所述。 更佳地，式(I)之化合物係存在於電子阻擋層中。在這種情況下，其較佳地不是P型摻雜的。更佳地，在這種情況下，其較佳地在不加入另外的化合物下，在層中是單一化合物形式。 在一個替代較佳實施方式中，式(I)之化合物係作為基質材料與一或多種發光化合物(較佳為磷光發光化合物)併用於發光層中。該磷光發光化合物較佳地選自發紅磷光化合物與發綠磷光化合物。 在這種情況下，發光層中基質材料之比例是在50.0體積%與99.9體積%之間，較佳為在80.0體積%與99.5體積%之間，且更佳為在85.0體積%與97.0體積%之間。 相應地，發光化合物之比例是在0.1體積%與50.0體積%之間，較佳為在0.5體積%與20.0體積%之間，且更佳為在3.0體積%與15.0體積%之間。 有機電致發光裝置之發光層也可含有包含複數種基質材料(混合基質系統)與/或複數種發光化合物的系統。在這種情況下，該發光化合物一般是系統中具有較小比例之化合物及該基質材料是系統中具有較大比例之化合物。在個別情況下，然而，在系統中單一基質材料之比例可少於單一發光化合物之比例。 較佳為式(I)之化合物係作為混合基質系統的組分，較佳地用於磷光發光體。該混合基質系統較佳地包含二或三種不同基質材料，更佳為二種不同基質材料。較佳地，在這種情況下，兩種材料中之一者是具有電洞傳輸性之材料及另一種材料是具有電子傳輸性之材料。更佳為當材料中的一者係選自在HOMO與LUMO之間有大能量差的化合物(寬能隙材料)時。在混合基質系統中式(I)之化合物較佳為具有電洞傳輸性的基質材料。相應地，當式(I)之化合物係作為OLED的發光層中之磷光發光體的基質材料時，具有電子傳輸性之第二基質化合物係存在於發光層中。這裡兩種不同基質材料可以1:50至1:1，較佳為1:20至1:1，更佳為1:10至1:1及最佳為1:4至1:1的比率存在。 然而，混合基質組分之所欲電子傳輸性與電洞傳輸性也可大部分地或完全地結合在單一混合基質組分中，在這種情況下，另外的混合基質組分實現其他功能。 較佳為將下列材料種類用於裝置之上述層： 磷光發光體： 術語「磷光發光體」典型上包含化合物，其中透過自旋禁止躍遷來實現發光，例如從激發三重態或具有較高自旋量子數之狀態(例如五重態)躍遷。 合適磷光發光體尤其是化合物，其當適當地激發時發光(較佳為可見光區)，及也含有至少一個原子序大於20(較佳為大於38)且少於84，更佳為大於56且少於80之原子。較佳為使用含有銅、鉬、鎢、錸、釕、鋨、銠、銥、鈀、鉑、銀、金或銪之化合物類，尤其是含有銥、鉑或銅之化合物類作為磷光發光體。 在本發明上下文中，所有發光銥、鉑或銅錯合物類都被認為是磷光化合物。 一般來說，根據先前技術之磷光OLED使用的及有機電致發光裝置領域之習知技術者已知的所有磷光錯合物類都適用於本發明之裝置。下表顯示合適磷光發光體之另外例子：
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螢光發光體： 較佳螢光發光化合物係選自芳基胺類。在本發明上下文中，芳基胺或芳族胺是指含有三個直接鍵結至氮之經取代或未經取代芳族或雜芳族環系統的化合物。較佳地，這些芳族或雜芳族環系統中至少一者是稠合環系統，更佳為具有至少14個芳族環原子。上述環系統之較佳例子是芳族蒽胺類、芳族蒽二胺類、芳族芘胺類、芳族芘二胺類、芳族䓛胺類或芳族䓛二胺類。芳族蒽胺是指其中二芳基胺基直接鍵結至蒽基(較佳地在9位置)之化合物。芳族蒽二胺是指其中兩個二芳基胺基直接鍵結至蒽基(較佳地在9、10位置)之化合物。芳族芘胺類、芘二胺類、䓛胺類與䓛二胺類被類似地定義，其中二芳基胺基鍵結至芘(較佳地在1位置或1、6位置)。另外的較佳發光化合物是茚並茀胺類或茚並茀二胺類、苯並茚並茀胺類或苯並茚並茀二胺類、與二苯並茚並茀胺類或二苯並茚並茀二胺類、及具有稠合芳基之茚並茀衍生物。同樣較佳為芘芳基胺類。同樣較佳為苯並茚並茀胺類、苯並茀胺類、伸長苯並茚並茀類、啡㗁𠯤類、與連接至呋喃單元或噻吩單元之茀衍生物。下表繪示螢光發光體之例子：
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用於螢光發光體之基質材料： 較佳用於螢光發光體之基質材料係選自：寡聚伸芳基類(例如2,2'、7,7'-四苯基螺二茀)，尤其是含有稠合芳族基的寡聚伸芳基類、寡聚伸芳基伸乙烯基類、多足金屬錯合物類、電洞傳導化合物類、電子傳導化合物類、尤其是酮類、膦氧化物類與亞碸類；構型異構物、硼酸衍生物或苯並蒽類。特佳基質材料係選自：包含萘、蒽、苯並蒽與/或芘之寡聚伸芳基類或這些化合物之構型異構物、寡聚伸芳基伸乙烯基、酮類、膦氧化物類與亞碸類。非常特佳基質材料係選自：包含蒽、苯並蒽、苯並菲與/或芘之寡聚伸芳基類或這些化合物的構型異構物。在本發明上下文中，寡聚伸芳基應是指其中至少三個芳基或伸芳基彼此鍵結之化合物。下表繪示較佳用於螢光發光體之基質材料：
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用於磷光發光體之基質材料： 除式(I)之化合物之外，較佳用於磷光發光體之基質材料是芳族酮類、芳族膦氧化物類或芳族亞碸類或碸類、三芳基胺類、咔唑衍生物(例如CBP(N,N-雙咔唑基聯苯基)、吲哚並咔唑衍生物、茚並咔唑衍生物、氮雜咔唑衍生物)、雙極性基質材料類、矽烷類、氮雜硼呃類或硼酸酯類、三𠯤衍生物、鋅錯合物類、二氮雜矽呃或四氮雜矽呃衍生物、二氮雜磷呃衍生物、橋聯咔唑衍生物、聯伸三苯衍生物、或內醯胺類。 電子傳輸材料： 合適電子傳輸材料是例如Y. Shirota et al., Chem. Rev. 2007, 107(4), 953-1010所揭露之化合物，或根據先前技術的層中使用之其他材料。 用於電子傳輸層之材料可為根據先前技術的作為電子傳輸層中之電子傳輸材料的任何材料。尤其合適為鋁錯合物(例如Alq3 )、鋯錯合物(例如Zrq4 )、鋰錯合物(例如Liq)、苯並咪唑衍生物、三𠯤衍生物、嘧啶衍生物、吡啶衍生物、吡𠯤衍生物、喹㗁啉衍生物、喹啉衍生物、㗁二唑衍生物、芳族酮類、內醯胺類、硼烷類、二氮雜磷呃衍生物與膦氧化物衍生物。下表顯示較佳電子傳輸化合物：
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電洞傳輸材料： 除式(I)之化合物之外，較佳用於本發明之OLED的電洞傳輸層之另外的化合物是茚並茀胺衍生物、胺衍生物、六氮雜聯伸三苯衍生物、具有稠合芳族系統的胺衍生物、單苯並茚並茀胺類、二苯並茚並茀胺類、螺二茀胺類、茀胺類、螺二苯並吡喃胺類、二氫吖啶衍生物、螺二苯並呋喃類與螺二苯並噻吩類、菲二芳基胺類、螺三苯並䓬酚酮類、具有間苯二胺基之螺二茀類、螺雙吖啶類、呫噸二芳基胺類、及具有二芳基胺基之9,10-二氫蒽螺化合物。下表顯示較佳電洞傳輸化合物：
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陰極： 較佳電子裝置之陰極是具有低功函數的金屬、由各種金屬構成之金屬合金或多層結構，該各種金屬例如鹼土金屬、鹼金屬、主族金屬或鑭系元素(例如Ca、Ba、Mg、Al、In、Mg、Yb、Sm等)。此外合適為由鹼金屬或鹼土金屬與銀構成之合金，例如由鎂與銀構成的合金。在多層結構情況下，除上述金屬之外，也可以使用具有相對高功函數之另外的金屬(例如Ag或Al)，在該情況下一般使用例如金屬組合(比如Ca/Ag、Mg/Ag或Ba/Ag)。也可能較佳地在金屬陰極與有機半導體之間導入具有高介電常數的材料之薄中間層。為此目的可用材料之例子是鹼金屬或鹼土金屬氟化物，還有對應氧化物或碳酸鹽(例如LiF、Li2 O、BaF2 、MgO、NaF、CsF、Cs2 CO3 等)。為此目的也可以使用喹啉酸鋰(LiQ)。此層厚度較佳為0.5與5 nm之間。 陽極： 較佳陽極是具有高功函數之材料。較佳地，陽極具有大於4.5 eV的功函數(相對於真空)。第一，具有高氧化還原電位之金屬適合此目的，例如Ag、Pt或Au。第二，金屬/金屬氧化物電極(例如Al/Ni/NiOx 、Al/PtOx )也可能是較佳的。對某些應用而言，電極中至少一者必須是透明的或部分透明的以便輻射照射有機材料(有機太陽能電池)或發光(OLED、O-LASER)。這裡較佳陽極材料是導電混合金屬氧化物。特佳為銦錫氧化物(ITO)或銦鋅氧化物(IZO)。另外較佳為導電性摻雜型有機材料，尤其是導電性摻雜型聚合物。此外，陽極也可能是由二或多層組成，例如ITO中間層與金屬氧化物(較佳為鎢氧化物、鉬氧化物或釩氧化物)外層。 在一個較佳實施方式中，電子裝置特徵在於藉由昇華法塗布一或多層。在這種情況下，在真空昇華系統中在少於10-5 mbar，較佳為少於10-6 mbar的初壓力下藉由氣相沉積法施加材料。在這種情況下，然而，初壓力也可能更低，例如少於10-7 mbar。 同樣較佳為電子裝置，其中藉由OVPD(有機氣相沉積)方法或借助載體氣體昇華法塗布一或多層。在這種情況下，在10-5 mbar與1 bar之間的壓力下施加材料。此方法之特例是OVJP(有機蒸氣噴射印刷)方法，其中藉由噴嘴直接施加材料從而結構化(例如M. S. Arnold et al., Appl. Phys. Lett. 2008, 92, 053301)。 另外較佳為電子裝置，其中經由溶液(例如藉由旋塗法)，或藉由任何印刷方法(例如藉由網版印刷法、柔版印刷法、噴嘴印刷法或平版印刷法，而更佳為LITI(光誘致熱成像法、熱轉移印刷法)或噴墨印刷法)製得一或多層。為此目的，需要可溶性式(I)之化合物。藉由合適取代化合物可以達到高溶解度。 更佳為本發明之電子裝置係經由溶液施加一或多層及藉由昇華方法施加一或多層而製得。 在施加層後，根據用途，將裝置結構化、接觸連接及最後密封，以防止水與空氣之損害效應。 根據本發明，可以將包含一或多種式(I)之化合物的電子裝置用於顯示器，在照明應用中作為光源及在醫藥與/或美容應用中作為光源。
A) 合成實施例 實施例 1-1 ： N,9 ‐ 雙 ({[1,1' ‐ 聯苯基 ] ‐ 4 ‐ 基 }) ‐ N ‐ (9,9 ‐ 二甲基 ‐ 9H ‐ 茀 ‐ 2 ‐ 基 ) ‐ 9 ‐ 苯基 ‐ 9H ‐ 茀 ‐ 4 ‐ 胺
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9 ‐ {[1,1' ‐ 聯苯基 ] ‐ 4 ‐ 基 } ‐ 4 ‐ 溴 ‐ 9 ‐ 苯基茀 在烘乾之燒瓶中將14.5 g (46.3 mmol)的2,2'-二溴聯苯溶於150 ml乾THF中。將反應混合物冷卻至-78℃。在此溫度下，慢慢逐滴加入20.5 ml之2.3 M n-BuLi之己烷溶液(46.3  mmol)。在-70℃下攪拌混合物1小時。隨後，將11.4 g的聯苯基-4-基(苯基)甲酮(44.13 mmol)溶於80 ml之THF並在-70℃下逐滴加入。在加完後，將反應混合物逐漸升溫至室溫，與NH4 Cl混合，然後以旋轉蒸發器濃縮。將200 ml乙酸小心地加至濃溶液，然後加入50 ml發煙HCl。將混合物加熱至75℃並保持6小時。在此期間，白色固體沉澱。然後使混合物冷卻至室溫，吸濾出沉澱固體並用甲醇清洗。在40℃下減壓乾燥殘留物。產量19.5 g(41 mmol) (理論值的90%)。 以類似方式製備下列化合物。這裡產率是在40%與90%之間。
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N,9 ‐ 雙 ({[1,1' ‐ 聯苯基 ] ‐ 4 ‐ 基 }) ‐ N ‐ (9,9 ‐ 二甲基 ‐ 9H ‐ 茀 ‐ 2 ‐ 基 ) ‐ 9 ‐ 苯基 ‐ 9H ‐ 茀 ‐ 4 ‐ 胺 將10.0 g N‐{1,1'‐聯苯基]‐4‐基}‐9,9‐二甲基茀‐2‐胺(27.7 mmol)與13.1 g 9‐{[1,1'‐聯苯基]‐4‐基}‐4‐溴‐9‐苯基茀(27.7 mol)溶於300 ml甲苯中。將溶液脫氣並用N2 使其飽和。之後，加入340 mg (0.83 mmol)之S-Phos與250 mg (0.28 mmol)之Pd2 (dba)3 ，然後加入4.6 g三級丁醇鈉(41.5 mmol)。在保護性氣氛下將反應混合物加熱至沸騰3 h。隨後將混合物在甲苯和水之間分配，與用水清洗有機相三次及以Na2 SO4 乾燥並以旋轉蒸發法濃縮。在將粗製品用甲苯透過矽膠過濾後，用庚烷/甲苯把剩下之殘留物再結晶。產量是16.7 g(理論值的80%)。最後將物質在高真空下昇華；純度是99.9%。 以類似方式製得下列化合物。這裡產率是在65%與90%之間。
Figure 02_image195
Figure 02_image197
Figure 02_image199
Figure 02_image201
實施例 2-1 ： N ‐ {[1,1' ‐ 聯苯基 ] ‐ 4 ‐ 基 } ‐ N ‐ [4 ‐ (9 ‐ {[1,1' ‐ 聯苯基 ] ‐ 4 ‐ 基 } ‐ 9 ‐ 苯基 ‐ 9H ‐ 茀 ‐ 4 ‐ 基 ) 苯基 ] ‐ 9,9 ‐ 二甲基 ‐ 9H ‐ 茀 ‐ 2 ‐ 胺
Figure 02_image203
中間物 III-1 ： 9 ‐ {[1,1' ‐ 聯苯基 ] ‐ 4 ‐ 基 } ‐ 4 ‐ (4 ‐ 氯苯基 ) ‐ 9 ‐ 苯基茀 將5.90 g(37.7 mmol)之4-氯苯基硼酸與15 g(37.7 mmol)之中間物I-1懸浮於200 ml THF與38 ml的2 M碳酸鉀溶液(75.5 mmol)中。將0.87 g(0.76 mmol)之肆(三苯膦)鈀加到此懸浮液，及將反應混合物於回流下加熱12 h。在冷卻後，移除有機相，透過矽膠過濾，用100 ml水清洗三次，然後濃縮至乾。在將粗製品用甲苯透過矽膠過濾後，獲得15.46 g(95%)的中間物III-1。 以類似方式製得下列化合物。這裡產率是在40%與90%之間。
Figure 02_image205
Figure 02_image207
Figure 02_image209
Figure 02_image211
N ‐ {[1,1' ‐ 聯苯基 ] ‐ 4 ‐ 基 } ‐ N ‐ [4 ‐ (9 ‐ {[1,1' ‐ 聯苯基 ] ‐ 4 ‐ 基 } ‐ 9 ‐ 苯基 ‐ 9H ‐ 茀 ‐ 4 ‐ 基 ) 苯基 ] ‐ 9,9 ‐ 二甲基 ‐ 9H ‐ 茀 ‐ 2 ‐ 胺 類似於實施例1-1，製備N‐{[1,1'‐聯苯基]‐4‐基}‐N‐[4‐(9‐{[1,1'‐聯苯基]‐4‐基}‐9‐苯基‐9H‐茀‐4‐基)苯基]‐9,9‐二甲基‐9H‐茀‐2‐胺(化合物2-1)與下列化合物。這裡產率是在40%與85%之間。
Figure 02_image213
Figure 02_image215
Figure 02_image217
B) 裝置實施例 1) OLED之一般製造程序與OLED之特性化 厚度50 nm之經塗布結構化ITO(銦錫氧化物)的玻璃基板是施加OLED之基板。 OLED基本上具有下列層結構：基板/電洞注入層(HIL)/電洞傳輸層(HTL)/電子阻擋層(EBL)/發光層(EML)/電子傳輸層(ETL)/電子注入層(EIL)及最後的陰極。陰極是由厚度100 nm之鋁層形成。OLED的精確結構可以在下表中找到。下表顯示製造OLED所需要之材料。 在真空室中藉由熱蒸氣沉積法施加所有材料。在這種情況下，發光層是由至少一種基質材料(主體材料)與發光摻雜劑(發光體)組成，該發光摻雜劑係藉由共蒸發法以特定體積比例加到基質材料。這裡以H:SEB(95%:5%)形式給出之細節是指材料H係以95體積%的比例與SEB係以5%的比例存在於層中。 在類似方式中，電子傳輸層與電洞注入層也是由兩種材料之混合物組成。表3顯示用於OLED的材料結構。 以標準方式特徵化OLED。為此目的，測定電致發光光譜，外部量子效率(EQE，以%計)作為發光強度之函數(其係從假定藍伯特輻射特性的電流-電壓-發光強度特性計算出)，和壽命。參數EQE @ 10 mA/cm²是指在10 mA/cm²達到之外部量子效率。參數U @ 10 mA/cm2 是指在10 mA/cm²的操作電壓。壽命LT被定義為在以定電流密度操作期間，在發光強度從起始發光強度下降到某個比例之時間。這裡LT80數字是指所報告的壽命對應於發光強度下降到其起始值之80%的時間。這裡數字@ 60或40 mA/cm²是指所述之壽命是在60或40 mA/cm²測得。 2) 本發明之化合物用於發藍螢光裝置與發綠磷光裝置的HIL/HTL與EBL之用途 製造具有下列結構之OLED：
Figure 02_image219
OLED I1與I14顯示根據本申請案之化合物HTM-4與HTM-7用於發藍螢光OLED的HIL(P型摻雜)與HTL之用途。 OLED I2至I7顯示根據本申請案之化合物HTM-1至HTM-6用於發藍螢光OLED的EBL之用途。 OLED I8至I13顯示根據本申請案之化合物HTM-1至HTM-6用於發綠磷光OLED的EBL之用途。 OLED顯示下列操作電壓、EQE與壽命之值：
Figure 02_image221
OLED顯示良好壽命、高效率與低操作電壓。此結果是在使用之全部三種OLED結構中及從以上使用之根據本申請案的所有化合物獲得。
Figure 02_image223
Figure 02_image225
3) 化合物HTM-4與Ref-1比較實驗 將根據本申請案之化合物HTM-4與參考化合物Ref-1比較。化合物只在茀的橋頭碳之取代基上不同而另外在下列相同：在HTM-4情況下，有苯基與間聯苯基取代基的不對稱取代。在Ref-1中，在上述位置有兩個苯基之對稱取代。 使用OLED堆疊(如部分2也使用的)，其中化合物係存在於發藍螢光堆疊中的EBL中。這裡Ref-1顯示3.7 V之在10 mA/cm²的電壓及8.5%之在10 mA/cm²的EQE。在等效結構I5中HTM-4顯示在相似電壓(3.8 V)之8.9%的更佳EQE。 這顯示與兩個苯基之對稱取代比較，起因於使用在橋頭碳原子之不對稱取代(尤其是在橋頭碳原子上的聯苯基與苯基取代)之優點。
Figure 02_image227
4) 化合物HTM-7與Ref-2比較實驗 將根據本申請案之化合物HTM-7與參考化合物Ref-2比較。化合物只在茀的橋頭碳原子之取代基上不同：Ref-2具有在苯基上的上述橋頭碳原子之烷基取代，而HTM-7沒有烷基取代。 使用OLED結構(如部分2也使用的)，其中化合物係存在於發藍螢光堆疊中的HIL與HTL。 這裡參考化合物Ref-2顯示4.2 V之在10 mA/cm²的電壓。在60 mA/cm²測得之壽命LT80是150 h。相對地，在等效結構中，HTM-7顯示在可相比擬的電壓(4.3 V)之310 h的顯著較佳LT80。 這顯示起因於在橋頭碳原子之取代基上省略烷基之改善。此改善不限於所顯示的結構，而是普遍地發生。
Figure 02_image229
Figure 108146128-A0101-11-0002-1

Claims (21)

  1. 一種式(I)之化合物：
    Figure 03_image001
    其中存在的變數如下： Z當鍵結至-[Ar1]k -N(Ar2)(Ar3)基時是C，及Z當未鍵結至 -[Ar1]k -N(Ar2)(Ar3)基時在每次出現時是相同或不同且為CR1或N； Ar1在每次出現時是相同或不同且為具有6至40個芳族環原子且經R3基取代之芳族環系統，或具有5至40個芳族環原子且經R3基取代之雜芳族環系統； Ar2是具有6至40個芳族環原子且經R4基取代之芳族環系統，或具有5至40個芳族環原子且經R4基取代之雜芳族環系統； Ar3是具有6至40個芳族環原子且經R4基取代之芳族環系統，或具有5至40個芳族環原子且經R4基取代之雜芳族環系統； Ar4是可經R2基取代之苯基或可經R2基取代之萘基； R1在每次出現時是相同或不同且係選自：H、D、F、Cl、Br、I、C(=O)R5、CN、Si(R5)3 、N(R5)2 、P(=O)(R5)2 、OR5、S(=O)R5、S(=O)2 R5、具有1至20個碳原子之直鏈烷基或烷氧基、具有3至20個碳原子之支鏈或環狀烷基或烷氧基、具有2至20個碳原子之烯基或炔基、具有6至40個芳族環原子之芳族環系統、及具有5至40個芳族環原子之雜芳族環系統；其中二或多個R1基可彼此連接且可形成環；其中上述該烷基、烷氧基、烯基與炔基及上述該芳族環系統與雜芳族環系統各自經R5基取代；及其中上述該烷基、烷氧基、烯基與炔基中一或多個CH2 基可經下列置換： -R5C=CR5-、-C≡C-、Si(R5)2 、C=O、C=NR5、 -C(=O)O-、-C(=O)NR5-、NR5、P(=O)(R5)、-O-、-S-、SO或SO2 ； R2在每次出現時是相同或不同且係選自：D、F、CN、Si(R5)3 、N(R5)2 、具有6至40個芳族環原子且經R5基取代之芳族環系統、及具有5至40個芳族環原子且經R5基取代之雜芳族環系統； R3在每次出現時是相同或不同且係選自：H、D、F、Cl、Br、I、C(=O)R5、CN、Si(R5)3 、N(R5)2 、P(=O)(R5)2 、OR5、S(=O)R5、S(=O)2 R5、具有1至20個碳原子之直鏈烷基或烷氧基、具有3至20個碳原子之支鏈或環狀烷基或烷氧基、具有2至20個碳原子之烯基或炔基、具有6至40個芳族環原子之芳族環系統、及具有5至40個芳族環原子之雜芳族環系統；其中二或多個R3基可彼此連接且可形成環；其中上述該烷基、烷氧基、烯基與炔基及上述該芳族環系統與雜芳族環系統各自經R5基取代；及其中上述該烷基、烷氧基、烯基與炔基中一或多個CH2 基可經下列置換： -R5C=CR5-、-C≡C-、Si(R5)2 、C=O、C=NR5、 -C(=O)O-、-C(=O)NR5-、NR5、P(=O)(R5)、-O-、-S-、SO或SO2 ； R4在每次出現時是相同或不同且係選自：H、D、F、Cl、Br、I、C(=O)R5、CN、Si(R5)3 、N(R5)2 、P(=O)(R5)2 、OR5、S(=O)R5、S(=O)2 R5、具有1至20個碳原子之直鏈烷基或烷氧基、具有3至20個碳原子之支鏈或環狀烷基或烷氧基、具有2至20個碳原子之烯基或炔基、具有6至40個芳族環原子之芳族環系統、及具有5至40個芳族環原子之雜芳族環系統；其中二或多個R4基可彼此連接且可形成環；其中上述該烷基、烷氧基、烯基與炔基及上述該芳族環系統與雜芳族環系統各自經R5基取代；及其中上述該烷基、烷氧基、烯基與炔基中一或多個CH2 基可經下列置換： -R5C=CR5-、-C≡C-、Si(R5)2 、C=O、C=NR5、 -C(=O)O-、-C(=O)NR5-、NR5、P(=O)(R5)、-O-、-S-、SO或SO2 ； R5在每次出現時是相同或不同且係選自：H、D、F、Cl、Br、I、C(=O)R6、CN、Si(R6)3 、N(R6)2 、P(=O)(R6)2 、OR6、S(=O)R6、S(=O)2 R6、具有1至20個碳原子之直鏈烷基或烷氧基、具有3至20個碳原子之支鏈或環狀烷基或烷氧基、具有2至20個碳原子之烯基或炔基、具有6至40個芳族環原子之芳族環系統、及具有5至40個芳族環原子之雜芳族環系統；其中二或多個R5基可彼此連接且可形成環；其中上述該烷基、烷氧基、烯基與炔基及上述該芳族環系統與雜芳族環系統各自經R6基取代；及其中上述該烷基、烷氧基、烯基與炔基中一或多個CH2 基可經下列置換： -R6C=CR6-、-C≡C-、Si(R6)2 、C=O、C=NR6、 -C(=O)O-、-C(=O)NR6-、NR6、P(=O)(R6)、-O-、-S-、SO或SO2 ； R6在每次出現時是相同或不同且係選自：H、D、F、Cl、Br、I、CN、具有1至20個碳原子之烷基或烷氧基、具有2至20個碳原子之烯基或炔基、具有6至40個芳族環原子之芳族環系統及具有5至40個芳族環原子之雜芳族環系統；其中上述該烷基、烷氧基、烯基與炔基、芳族環系統與雜芳族環系統可經一或多個選自F與CN的基團取代； k是0、1、2、3或4，其中在k=0情況下，Ar1基不存在且結合至式(I)中的Ar1之基團直接彼此鍵結； i是0、1、2、3、4或5； n是0、1、2、3或4； 其中兩個基團
    Figure 03_image003
    與
    Figure 03_image005
    在式(I)中，整體上，包括其取代基的每一者不相同。
  2. 如請求項1之化合物，其中其是單胺。
  3. 如請求項1或2之化合物，其中Z當未鍵結至-[Ar1]k -N(Ar2)(Ar3)基時是CR1。
  4. 如請求項1或2之化合物，其中k是0。
  5. 如請求項1或2之化合物，其中若k=1，該-(Ar1)k -基對應於下列式中之一者：
    Figure 03_image007
    Figure 03_image009
    Figure 03_image011
    Figure 03_image013
    Figure 03_image015
    Figure 03_image017
    其中虛線代表鍵結至式(I)之剩餘部分的鍵，且其中在顯示為未經取代之位置的基團各自經R3基取代，其中在這些位置之R3基較佳為H。
  6. 如請求項1或2之化合物，其中Ar2與Ar3在每次出現時是相同或不同且係選自：苯基、聯苯基、聯三苯基、聯四苯基、萘基、茀基(尤其是9,9'-二甲基茀基與9,9'-二苯基茀基)、苯並茀基、螺二茀基、茚並茀基、茚並咔唑基、二苯並呋喃基、二苯並噻吩基、咔唑基、苯並呋喃基、苯並噻吩基、苯並稠合之二苯並呋喃基、苯並稠合之二苯並噻吩基、經萘基取代之苯基、經茀基取代之苯基、經螺二茀基取代之苯基、經二苯並呋喃基取代之苯基、經二苯並噻吩基取代之苯基、經咔唑基取代之苯基、經吡啶基取代之苯基、經嘧啶基取代之苯基、與經三𠯤基取代之苯基，其中上述基團各自經一或多個R4基取代。
  7. 如請求項1或2之化合物，其中選自Ar2與Ar3基的僅一個基團是經R4基取代的苯基，該R4基較佳地選自H、D、F、CN與具有1至10個碳原子之烷基，且更佳為H。
  8. 如請求項1或2之化合物，其中Ar2與Ar3是相同或不同且係選自下列式：
    Figure 03_image019
    Figure 03_image021
    Figure 03_image023
    Figure 03_image025
    Figure 03_image027
    Figure 03_image029
    Figure 03_image031
    Figure 03_image033
    Figure 03_image035
    Figure 03_image037
    Figure 03_image039
    Figure 03_image041
    Figure 03_image043
    Figure 03_image045
    Figure 03_image047
    Figure 03_image049
    Figure 03_image051
    Figure 03_image053
    Figure 03_image055
    其中在顯示為未經取代的位置之基團經R4基取代，其中在這些位置的R4較佳為H，且其中虛線鍵鍵結至胺氮原子。
  9. 如請求項1或2之化合物，其中Ar4是可經R2基取代之苯基。
  10. 如請求項1或2之化合物，其中： R1在每次出現時是相同或不同且係選自：H、具有6至40個芳族環原子之芳族環系統及具有5至40個芳族環原子之雜芳族環系統，其中該芳族環系統與該雜芳族環系統各自經R5基取代；及 R2係選自具有6至40個芳族環原子且經R5基取代之芳族環系統；及 R3在每次出現時是相同或不同且係選自：H、N(R5)2 、具有1至20個碳原子之直鏈烷基、具有3至20個碳原子之支鏈或環狀烷基、具有6至40個芳族環原子之芳族環系統及具有5至40個芳族環原子之雜芳族環系統，其中該烷基、該芳族環系統與該雜芳族環系統各自經R5基取代；及 R4在每次出現時是相同或不同且係選自：H、N(R5)2 、具有1至20個碳原子之直鏈烷基、具有3至20個碳原子之支鏈或環狀烷基、具有6至40個芳族環原子之芳族環系統及具有5至40個芳族環原子之雜芳族環系統，其中該烷基、該芳族環系統與該雜芳族環系統各自經R5基取代；及 R5在每次出現時是相同或不同且係選自：H、具有1至20個碳原子之直鏈烷基、具有3至20個碳原子之支鏈或環狀烷基、具有6至40個芳族環原子之芳族環系統及具有5至40個芳族環原子之雜芳族環系統，其中該烷基、該芳族環系統與該雜芳族環系統各自經R6基取代。
  11. 如請求項1或2之化合物，其中一或二個R1基係選自具有6至40個芳族環原子且經R5基取代之芳族環系統，及具有5至40個芳族環原子且經R5基取代之雜芳族環系統，及其餘R1基是H。
  12. 如請求項1或2之化合物，其中i與n是0。
  13. 如請求項1或2之化合物，其中該 -[Ar1]k -N(Ar2)(Ar3)基鍵結至在式(I)的2位置或4位置之茀基。
  14. 如請求項1或2之化合物，其中其對應於下列式中之一者：
    Figure 03_image057
    Figure 03_image059
    Figure 03_image061
    Figure 03_image063
    Figure 03_image065
    Figure 03_image067
    Figure 03_image069
    其中存在的符號與標誌係如請求項1至13中任一項所定義，且其中經鍵結的R1基是指在所述的苯環上顯示為未經取代的所有位置皆經R1基取代。
  15. 一種用於製備如請求項1至14中任一項之化合物的方法，其特徵在於將帶有兩個反應性基團之聯苯基衍生物(其中至少一者是在鄰位)金屬化，然後加到含有經苯基或萘基取代之苯基及鍵結至羰基之苯基的羰基衍生物上。
  16. 一種含有一或多種如請求項1至14中任一項之化合物的寡聚物、聚合物或樹枝狀聚合物，其中鍵結至該聚合物、寡聚物或樹枝狀聚合物之鍵可位於式(I)中經R1、R2、R3或R4取代的任何所欲位置。
  17. 一種調合物，其包含至少一種如請求項1至14中任一項之化合物，或至少一種如請求項16之聚合物、寡聚物或樹枝狀聚合物，及至少一種溶劑。
  18. 一種電子裝置，其包含至少一種如請求項1至14中任一項之化合物或至少一種如請求項16之聚合物、寡聚物或樹枝狀聚合物。
  19. 如請求項18之電子裝置，其中其是有機電致發光裝置且包含陽極、陰極與至少一個發光層，及該化合物係存在於該裝置的電洞傳輸層或發光層中。
  20. 如請求項19之有機電致發光裝置，其中該化合物係存在於電洞傳輸層中，該電洞傳輸層是電洞傳輸層或電子阻擋層。
  21. 一種如請求項1至14中任一項之化合物的用途，其係用於電子裝置。
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