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TW201944144A - 顯示設備及其製造方法 - Google Patents

顯示設備及其製造方法

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TW201944144A
TW201944144A TW108108264A TW108108264A TW201944144A TW 201944144 A TW201944144 A TW 201944144A TW 108108264 A TW108108264 A TW 108108264A TW 108108264 A TW108108264 A TW 108108264A TW 201944144 A TW201944144 A TW 201944144A
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尹汝建
林泰佑
金彰洙
金東佑
金玟銹
朴根佑
李成連
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南韓商三星顯示器有限公司
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Abstract

根據本發明概念的實施例係提供顯示設備，顯示設備係包含配置以產生光的光源；配置以顯示複數個影像的顯示面板；設置以使其至少一個表面與光源相鄰的光導構件；以及設置於光導構件與顯示面板之間的光學構件，其中光學構件係包含設置於光導構件的發光表面上且包含複數個側表面的低折射層；第一覆蓋層，係設置於低折射層上且圍繞低折射層的複數個側表面的至少一部分；以及光轉換層，係設置於第一覆蓋層上，且轉換入射光的波長帶。

Description

顯示設備及其製造方法
相關申請案之交互參照
本非臨時專利申請案主張於2018年04月10日提出之韓國專利申請案第10-2018-0041758號之權益，其揭露內容於此併入全文作為參考。
本揭露於本文中係有關於具有改善的耐用性與顯示質量之顯示設備。
作為下一代高級顯示元件的顯示設備，因具低功率消耗、良好便攜性及高附加價值而漸受矚目。顯示設備包含用於每個像素的薄膜電晶體，使得每個像素的電壓導通/截止可受控制。
同時，顯示設備可包含顯示面板及向顯示面板提供光的背光單元。背光單元可包含光源及導光板。從光源產生的光在導光板內受引導並提供至顯示面板。
本揭露係提供具有改善的耐用性與顯示質量之顯示設備。
本發明概念的實施例提供一種顯示設備，係包含配置以產生光的光源；配置以顯示複數個影像的顯示面板；設置以使其至少一個表面與光源相鄰的光導構件；以及設置於光導構件與顯示面板之間的光學構件，其中光學構件係包含設置於光導構件的發光表面上且包含複數個側表面的低折射層；設置於低折射層上且圍繞低折射層的複數個側表面的至少一部分的第一覆蓋層；以及設置於第一覆蓋層上，且轉換入射光的波長帶的光轉換層。
在一實施例中，第一覆蓋層可包含設置於低折射層的上部，且包含無機材料之阻擋層；以及設置於低折射層與阻擋層之間，且增加低折射層與阻擋層之間的附著力的黏著層。
在一實施例中，阻擋層可與低折射層的上表面接觸，且黏著層可與低折射層的複數個側表面的至少一部分接觸。
在一實施例中，阻擋層可包含氧化矽(silicon oxide，SiOx)及氮化矽(silicon nitride，SiNx)中的至少一種。
在一實施例中，除了與光源相鄰的一個側表面之外，第一覆蓋層可覆蓋低折射層的複數個側表面的側表面。
在一實施例中，第一覆蓋層可覆蓋低折射層的所有複數個側表面。
在一實施例中，光學構件更可包含第二覆蓋層，第二覆蓋層設置於光轉換層上且覆蓋光轉換層。
在一實施例中，第二覆蓋層可包含與第一覆蓋層相同的材料。
在一實施例中，第二覆蓋層可覆蓋光轉換層的側表面的至少一部分。
在一實施例中，光學構件更可包含設置於第二覆蓋層上的第三覆蓋層，且包含有機材料。
在一實施例中，光轉換層可包含複數個量子點。
在一實施例中，低折射層可包含複數個細孔。
在一實施例中，低折射層的折射率可為約1.1至約1.3。
本發明概念的實施例中，顯示設備的製造方法包含製備母基板，母基板係於平面上具有配置以彼此間隔開的複數個第一區域，以及圍繞複數個第一區域的第二區域；形成複數個低折射層圖案於母基板上；形成第一覆蓋層於複數個低折射層圖案上；形成光轉換層於第一覆蓋層上；以及切割母基板，其中複數個低折射層圖案係於平面上設置於複數個第一區域中，以及在切割母基板的過程中，母基板係沿著具有閉合曲線的切割線被切割，且切割線的至少一部分係限定於母基板上以於平面上與第二區域重疊。
在一實施例中，在形成第一覆蓋層的過程中，第一覆蓋層可於平面上形成以與複數個第一區域及第二區域重疊。
在一實施例中，在切割母基板的過程中，母基板可被切割使得複數個低折射層圖案的一個側表面從外部暴露。
在一實施例中，第一覆蓋層可形成為在平面上與複數個第一區域及第二區域重疊。
在一實施例中，可切割母基板使得複數個低折射層圖案的一個側表面從外部暴露。
在一實施例中，切割線的至少一部分可限定於母基板上以與複數個第一區域重疊。
在一實施例中，根據本發明概念的實施例的顯示設備的製造方法更包含沉積第二覆蓋層於光轉換層上。
在一實施例中，光轉換層可包含複數個量子點。
在一實施例中，形成複數個低折射層圖案可包含於母基板上施加預備溶液以與複數個第一區域及第二區域重疊；以及去除於第二區域上形成的預備溶液。
在一實施例中，預備溶液可包含光阻劑。
在一實施例中，預備溶液可藉由邊珠去除(edge bead removal，EBR)製程去除。
在一實施例中，預備溶液可藉由雷射去除。
本發明概念的實施例中，顯示設備的製造方法係包含製備母基板，母基板係於平面上具有配置以彼此間隔開的複數個第一區域，以及圍繞複數個第一區域的第二區域。形成低折射層於母基板上；形成第一覆蓋層於低折射層上；形成光轉換層於第一覆蓋層上；將低折射層、第一覆蓋層以及光轉換層圖案化；形成第二覆蓋層於光轉換層上；以及切割母基板，其中圖案化低折射層、圖案化第一覆蓋層以及圖案化光轉換層係設置於複數個第一區域中，且在切割母基板的過程中，母基板係沿著具有閉合曲線的切割線被切割，且切割線的至少一部分係限定於母基板上以於平面上與第二區域重疊。
在一實施例中，在圖案化的過程中，可將與第二區域重疊的低折射層、第一覆蓋層以及光轉換層去除。
在一實施例中，在圖案化的過程中，可藉由雷射製程將低折射層、第一覆蓋層以及光轉換層去除。
在一實施例中，在形成第二覆蓋層的過程中，第二覆蓋層可於平面上形成以與複數個第一區域及第二區域重疊。
在一實施例中，切割線的至少一部分可限定於母基板上以與複數個第一區域重疊。
在本發明概念的實施例中，背光單元係包含配置以產生光的光源；設置以使其至少一個表面與光源相鄰的光導構件；以及設置於光導構件上的光學構件；其中光學構件係包含設置於光導構件的發光表面上且包含複數個側表面的低折射層；設置於低折射層上且圍繞低折射層的側表面的至少一部分的第一覆蓋層；以及設置於第一覆蓋層上，且轉換入射光的波長帶的光轉換層。
本發明概念之優點與特徵以及實現其的方法，藉由參考例示性實施例的詳細描述及所附圖式可更容易地理解。然而，本發明概念將以許多不同的形式體現且不限於本文闡述的實施例，而這些實施例也係為了完成本發明概念之揭露，本揭露係提供本發明所屬技術領域之通常知識者以完全傳達本發明構思的概念，且本發明概念僅由所附申請專利範圍限定。在整個說明書中，相似的參考數字代表相似的元件。
若元件(複數個元件)或層係指為位於其它元件或層「上方(above)」、「上(on)」、「之上(over)」，其不僅表示元件或層直接位於其它元件或層上，而且也表示其它層或其它元件設置於中間位置。
另一方面，若元件係指為「直接在...上方(directly above)」、「直接在...上(directly on)」、「直接在...之上(directly over)」，則表示其它元件或層沒有設置於中間位置。如用於本文中，用語「及/或(and/or)」包含一個或以上所提及的項目之任意或所有組合。
空間相對用語，例如「下方(below)」、「向下(down)」、「之下(beneath)」、「底部(bottom)」、「下部(lower)」、「上部(upper)」、「上方(above)」、「頂部(top)」等，可用於簡易描述元件，或者如圖式中所描述，描述元件與其它部件之間或元件之間的相互關係。除了圖式中所示的方向，空間相對用語應理解為包含使用或操作中元件的不同方向的用語。在整個說明書中，相似的參考數字代表相似的元件。
雖然第一(first)、第二(second)等係用於描述各種元件、部件及/或區域，這些元件、部件及/或區域不受這些用語的限制。這些用語僅用來區分一個元件、部件或區域與另一個元件、部件或區域。因此，下述提及之第一元件、第一部件或第一區域可為本發明概念精神範圍內的第二元件、第二部件或第二區域。
於本文中描述之實施例係搭配本發明概念的理想示意平面圖與剖面圖來描述。因此，以圖式等形式的製造技術及/或公差可做變更。本發明概念的實施例不限於所示的特定形式，更包含根據製造過程產生的形式變化。因此，圖式中所示的區域具有示意性質，且圖式中示出的區域形狀旨在示出裝置的區域特定形式，且不旨在限制本發明概念的範圍。
於下文中，將參考所附圖式以更詳細地描述本發明概念的較佳實施例。
第1圖係繪示根據本發明概念的一實施例的顯示設備的分解透視圖；及第2圖係繪示沿第1圖所示之I-I’線的剖面圖；
請參照第1圖及第2圖，根據本發明概念的實施例的顯示設備1000具有矩形形狀，矩形形狀具有沿第一方向DR1的短邊及沿第二方向DR2的長邊。然而，根據本發明概念的另一實施例的顯示設備1000不限於此，且可具有各種形狀。
顯示設備1000包含視窗構件100、顯示構件200、背光單元BLU及接收構件700。
為便於說明，於顯示設備1000中提供之影像的方向定義為上方向，而與上方向相反的方向定義為下方向。於本實施例中，上下方向平行於第三方向DR3，第三方向DR3定義為垂直於第一方向DR1及第二方向DR2的方向。第三方向DR3可為參考方向，此參考方向區分下述之部件的前表面以及後表面。然而，上方向或下方向係為相對概念，且可轉換為另一方向。
視窗構件100包含透射從顯示構件200提供的影像的透光區域TA以及不透射影像的遮光區域CA。透光區域TA在第一方向DR1及第二方向DR2限定的平面上設置於顯示設備1000的中心。遮光區域CA設置於透光區域TA的周圍，且具有圍繞透光區域TA的框架的形狀。然而，本發明概念不限於此。根據本發明概念的另一實施例，視窗構件100僅可包含透光區域TA，於此情況下可省略遮光區域CA。
視窗構件100可由包含玻璃、藍寶石或塑料的材料製成。
顯示構件200設置於視窗構件100的下部。顯示構件200顯示使用從背光單元BLU提供的光的影像。亦即，顯示構件200可包含光接收型(light-receiving type)顯示面板。例如，根據本發明概念的實施例，顯示構件200可包含液晶顯示面板。
在平面上，顯示構件200的表面，係為其上顯示影像的表面，定義為顯示表面。顯示表面包含顯示影像的顯示區域DA，以及不顯示影像的非顯示區域NDA。顯示區域DA限定於平面上的顯示構件200的中心，且可與視窗構件100的透光區域TA重疊。
背光單元BLU設置於顯示構件200的下部，且向顯示構件200提供光。根據本實施例，背光單元BLU可為邊緣型(edge-type)背光單元。然而，本發明概念不限於此。例如，雖未於圖式中示出，根據本發明概念的另一實施例的背光單元BLU可為直下型(direct-type)背光單元。
根據本實施例的背光單元BLU包含光源LS、光導構件300、光學構件400、反射構件500及模框架600。
光源LS於第一方向DR1上與光導構件300的一個側表面相鄰地設置。然而，本發明概念不限於光源LS與其相鄰設置，且光源LS可與光導構件300的側表面的至少任一個側表面相鄰地設置。
光源LS包含複數個光源單元LSU及光源基板LSS。
光源單元LSU產生提供至顯示構件200的光，且將光提供至光導構件300。
根據本實施例，光源單元LSU可產生第一光線。第一光線可具有一第一波長帶。例如，第一波長帶可為約400nm至約500nm。亦即，光源單元LSU基本上可產生藍光。
根據本實施例，光源單元LSU可為使用點光源的發光二極體(LED)的形式。然而，本發明概念不限於光源單元LSU的類型。
另外，本發明概念不限於光源單元LSU的數量。根據本發明概念的另一實施例，光源單元LSU可設置為一個LED作為點光源，而非複數個LED，或可設置為複數個LED組。另外，根據本發明概念的另一實施例，光源單元LSU可為線性光源。
光源單元LSU可安裝於光源基板LSS上。光源基板LSS設置以於第一方向DR1上面向光導構件300的一側，且於第二方向DR2上延伸。然而，本發明概念不特別限於光源LS及光源基板LSS的形狀及配置關係。
光源基板LSS可包含連接至光源單元LSU的光源控制單元(未示出)。光源控制單元(未示出)分析於顯示構件200上顯示的影像以輸出局部調光訊號，且回應於局部調光訊號，控制光源單元LSU產生的光的亮度。在本發明概念的另一個實施例中，光源控制單元(未示出)可設置為安裝於單獨的電路板上，但其位置不受特別限制。
光導構件300包含於可見光區域中具有高透光率的材料。例如，光導構件300可包含玻璃材料。在另一實施例中，光導構件300可由透明聚合物樹脂製成，例如聚甲基丙烯酸甲酯(polymethyl methacrylate，PMMA)。在本實施例中，光導構件300可具有約1.4至約1.55的折射率。
光導構件300包含光出射表面TS、底表面(未示出)及複數個側表面。在側表面中，與光源LS相鄰的一個側表面定義為光入射表面IS，面向光入射表面IS的一個表面定義為相對表面OS，且其它表面定義為側表面SS(第2圖及第4圖)。
雖未於圖式中示出，但光導構件300可包含形成於光出射表面TS或底表面（未示出）上的複數個光出射圖案(未示出)。光輸出圖案(未示出)用於折射入射於光出射表面TS或光導構件300的底表面(未示出)上的光，以改變光的反射角。光出射圖案(未示出)可於光出射表面TS或底表面(未示出)上具有凹板或浮雕形狀。
光學構件400設置於光導構件300上。光學構件400的下表面與光導構件300的上表面接觸。下述將參考第4圖至第6圖更詳細地描述光學構件400。
反射構件500設置於光導構件300的下部。反射構件500從光導構件300的下部發射的光沿上方向反射。反射構件500包含反射光的材料。例如，反射構件500可包含鋁或銀。
雖未於圖式中示出，背光單元BLU更可包含設置於光學構件400與顯示構件200之間的至少一個光學片(未示出)。當光學片(未示出)設置有複數個時，複數個光學片(未示出)可包含漫射片、棱鏡片及保護片。漫射片可漫射從光學構件400提供的光。棱鏡片可設置於漫射片的上部，且在垂直於平面的上方向上匯聚由漫射片漫射的光。保護片可保護棱鏡片的棱鏡免受外部摩擦。本發明概念不限於光學片(未示出)的類型及數量。
模框架600設置於顯示構件200與光學構件400之間。在包含上述光學片(未示出)的顯示設備1000的情況下，模框架600可設置於光學片(未示出)及光學構件400之間。
根據本實施例，模框架600具有框架的形狀。具體地，模框架600可設置以對應光學構件400的上表面上的邊緣區域。在此情況下，模框架600不與顯示區域DA重疊。顯示構件200設置於模框架600上。模框架600用於固定顯示構件200及背光單元BLU。
接收構件700設置於顯示設備1000的最下端，且接收背光單元BLU。接收構件700包含底部710及連接至底部710的複數個側壁部分720。在本發明概念的實施例中，可設置光源LS於接收構件700的側壁部分720的任何一個內側表面上。接收構件700可包含具有剛性的金屬。
第3圖係繪示根據本發明概念的一實施例的顯示構件的放大剖面圖。
請參照第3圖，顯示構件200包含第一偏振層POL1及顯示面板PNL。第一偏振層POL1設置於顯示面板PNL與背光單元BLU之間，且偏振從背光單元BLU提供的光的分量。第一偏振層POL1可包含具有預定方向的透射軸(未示出)。
顯示面板PNL設置於第一偏振層POL1的上部，且藉由顯示區域DA顯示影像(第1圖及第2圖)。如上所述，顯示面板PNL可為光接收型顯示面板。例如，根據本發明概念的實施例，顯示面板PNL可為液晶顯示面板。
顯示面板PNL包含第一基板SUB1、第二偏振層POL2、第二基板SUB2及液晶層LC。
第一基板SUB1設置於第一偏振層POL1的上部。第一基板SUB1可由具有高透光率的材料構成，以輕易地透射從背光單元BLU提供的光。例如，第一基板SUB1可為透明玻璃基板、透明塑料基板或透明膜。
儘管未示出，但於平面上，至少一個像素區域(未示出)及相鄰像素區域的至少一個非像素區域(未示出)限定於在第一基板SUB1上。在本實施例中，像素區域設置為複數個，且非像素區域可限定於像素區域之間。
在第一基板SUB1的像素區域上，可分別設置像素(未示出)。像素可包含複數個像素電極(未示出)及電性連接至一一對應的像素電極的複數個薄膜電晶體(未示出)。薄膜電晶體可分別連接至像素電極，且切換提供至每個像素電極的驅動訊號。
第二基板SUB2設置於第一基板SUB1的上部且面向第一基板SUB1。於第二基板SUB2與第一基板SUB1之間，可設置液晶層LC。液晶層LC包含沿預定方向排列的複數個液晶分子LCM。
第二基板SUB2可包含共用電極(未示出)，其形成電場以控制液晶分子LCM與像素電極的配置。顯示構件200驅動液晶層LC且在第三方向DR3上顯示影像，此第三方向DR3係為向上方向。
雖未示出，顯示構件200可設置有提供驅動訊號的驅動晶片、安裝有驅動晶片的帶載體包裝(tape carrier package)以及藉由帶載體包裝電性連接至顯示面板PNL的印刷電路基板。
第二偏振層POL2設置於液晶層LC與第二基板SUB2之間。然而，本發明概念不限於第3圖所示的第二偏振層POL2的位置。例如，根據本發明概念的另一實施例，第二偏振層POL2可以設置於第二基板SUB2的上部。
在本實施例中，第二偏振層POL2可為線柵偏振器(wire grid polarizer)。雖未於圖式中示出，第二偏振層POL2可包含由金屬材料製成的複數個奈米線。然而，本發明概念不限於第二偏振層POL2的具體形狀及材料。
第二偏振層POL2可包含具有預定方向的吸收軸(未示出)。當顯示設備1000的顯示模式處於亮的狀態時，第二偏振層POL2則透射光；且當顯示設備1000的顯示模式處於暗的狀態時，第二偏振層POL2則吸收光。
根據本實施例，根據液晶分子(未示出)的配置模式，可設定第一偏振層POL1的透射軸及第二偏振層POL2的吸收軸。例如，第一偏振層POL1的透射軸可垂直於平面上的第二偏振層POL2的吸收軸。
第4圖係繪示根據本發明概念的一實施例的光導構件及光學構件的放大剖面圖；第5圖係繪示沿第4圖所示之II-II’線的剖面圖；以及第6圖係繪示沿第4圖所示之III-III’線的剖面圖。
請參照第4圖至第6圖，光學構件400包含低折射層410、光轉換層420、第一覆蓋層430及第二覆蓋層440。
低折射層410設置於光導構件300的光出射表面TS上。低折射層410的折射率低於光導構件300的折射率。例如，低折射層410的折射率可為約1.1至約1.3。低折射層410在低折射層410與光導構件300之間的介面處形成折射率差，使得從光源LS提供至光導構件300的光於光導構件300中被全反射。
雖未於圖式中示出，低折射層410可包含複數個細孔。根據細孔的密度，可控制低折射層410的折射率。例如，隨著低折射層410中包含的細孔的數量增加，低折射層410的折射率因此降低。
根據本實施例，在光轉換層420與光導構件300之間形成的典型氣隙(typical air gap)可由低折射層410代替。因此，即使當光導構件300及光轉換層420藉由低折射層410彼此耦接，提供至光導構件300的光可被全反射及被導引。
根據本實施例，低折射層410的厚度可為約0.5μm或更大。不同於本實施例，當提供至光導構件300的光的低折射層410的厚度小於約0.5μm，滿足全反射條件的光未在光導構件300中全反射，且可藉由低折射層410入射至光轉換層420上。
低折射層410設置成與光導構件300的光出射表面TS上的區域的一部分重疊。低折射層410的上表面的面積可小於光導構件300的光出射表面TS的面積。因此，於光導構件300的光出射表面TS上的區域的一部分中，未設置低折射層410的區域的一部分可藉由低折射層410在平面上暴露。暴露區域可與光導構件300的光出射表面TS上的邊緣區域重疊。
光轉換層420設置於低折射層410的上部。光轉換層420的折射率高於光導構件300的折射率。例如，光轉換層420的折射率可為約1.65或更大。
光轉換層420用於轉換入射光的波長帶。根據本發明概念的實施例的光轉換層420可包含複數個光轉換粒子。每個光轉換粒子吸收入射光的至少一部分，且發射或透射具有特定顏色的光。
當入射於光轉換層420上的光具有足夠的能量以激發其中一個光轉換粒子，光轉換粒子吸收至少一部分的入射光且被激發，接著在穩定的同時發射具有特定顏色的光。可選地，當入射光具有難以激發轉換粒子的能量，入射光可穿過光轉換層420，且從外部變得可見。
具體地，根據轉換顆粒的粒徑，可確定由轉換粒子發射的光的顏色。一般而言，粒徑越大，產生的光波長則越長。粒徑越小，產生光波長則越短。
例如，每個光轉換粒子可為量子點。從光轉換層420的光轉換粒子發射的光可在各個方向上發射。
具體地，光轉換粒子包含第一量子點QD1及第二量子點QD2。每個第一量子點QD1吸收且可將第一光線轉換為具有第二波長帶的第二光線。第二波長帶的中心波長大於第一波長帶的中心波長。例如，第二波長帶可為約640nm至約780nm。亦即，每個第一量子點QD1基本上可將藍光轉換為紅光。
每個第二量子點QD2吸收第一光線且可將第一光線轉換為具有第三波長帶的第三光。第三波長帶的中心波長大於第一波長帶的中心波長，且小於第二波長帶的中心波長。例如，第三波長帶可為約480nm至約560nm。亦即，每個第二量子點QD2基本上可將藍光轉換為綠光。
如上所述，根據光轉換粒子的粒徑，藉由對應的光轉換粒子，可確定產生的光的波長。根據本實施例，每個第一量子點QD1的尺寸可大於每個第二量子點QD2的尺寸。
雖未於圖式中示出，光轉換層420更可包含散射體(scatterers)(未示出)。散射體(未示出)可為與第一量子點QD1及第二量子點QD2混合的形式。
第一覆蓋層430設置於低折射層410與光轉換層420之間。第一覆蓋層430設置於低折射層410的上部，且與低折射層410直接接觸。具體地，第一覆蓋層430覆蓋低折射層410的上表面及側表面。根據本實施例的第一覆蓋層430可包含無機材料。例如，第一覆蓋層430可包含氧化矽(SiOx)或氮化矽(SiNx)。
根據本實施例，第一覆蓋層430可覆蓋低折射層410的側表面的一部分。具體地，低折射層410的一個側表面，亦即鄰近光源LS的表面，亦即光入射表面IS，未被第一覆蓋層430覆蓋。除了一個側表面之外的低折射層410的側表面被第一覆蓋層430覆蓋。
光導構件300的光出射表面TS上，不與低折射層410重疊的區域的一部分係被第一覆蓋層430覆蓋。此區域的部分與第一覆蓋層430直接接觸。
不同於本發明概念的實施例，低折射層410的側表面未被第一覆蓋層430覆蓋，而是暴露於外部、空氣、濕氣等，可穿過低折射層410的側表面。穿過低折射層410的空氣、濕氣等可穿透設置於其上部的第一覆蓋層430，接著穿過光轉換層420，且因此光轉換層420的光轉換粒子可能劣化。亦即，可降低顯示設備1000的顯示質量。然而，根據本發明概念的實施例，由於低折射層410的側表面的至少一部分被第一覆蓋層430覆蓋，空氣或濕氣穿過低折射層410的側表面的現象可因此減輕。亦即，根據本發明概念的實施例，可減輕光轉換層420因通過低折射層的空氣或濕氣而劣化的現象。
另外，根據本實施例，由於光導構件300的光出射表面TS上的邊緣部分，亦即不與低折射層410重疊的部分，與第一覆蓋層430直接接觸，因此可減輕低折射層410被剝離的現象，其耐久性已被細孔(未示出)削弱。
第二覆蓋層440可設置於光轉換層420上。第二覆蓋層440與光轉換層420的上表面直接接觸。第二覆蓋層440可包含無機材料。例如，第二覆蓋層440可包含氧化矽(SiOx)或氮化矽(SiNx)。第二覆蓋層440保護光轉換層420免受外部影響，且可防止光轉換層410的光轉換粒子發生劣化的現象。
在本實施例中，第二覆蓋層440包含與第一覆蓋層430相同的材料。然而，本發明概念不限於此。根據本發明概念的另一實施例，第一覆蓋層430及第二覆蓋層440可包含彼此不同的無機材料。
第7圖係繪示根據本發明概念的另一實施例的光學構件的放大剖面圖。
為便於說明，將主要描述與本發明概念的實施例的不同之處，且對於省略的部分描述，可在本發明概念的先前實施例中找到參考內容。另外，上述構成元件由相同的參考數字表示，且省略對構成元件的多餘描述。
第7圖係繪示對應於第4圖所示的線II-II’的剖面圖，且對應於線III-III’的剖面圖與第6圖中所示的剖面圖相同；因此，其圖式可予以省略。
請參照第7圖，根據本發明概念的另一實施例的低折射層410-1可設置於光出射表面TS上的區域的中心區域上。因此，光出射表面TS上的區域，亦即不與低折射層410-1重疊的區域，可具有框架的形狀。
第一覆蓋層430-1設置於低折射層410-1上。第一覆蓋層430-1覆蓋低折射層410-1的上表面及所有側表面。另外，第一覆蓋層430-1可與光導構件300的光出射表面TS上的邊緣區域直接接觸，此區域不與低折射層410-1重疊。
在本實施例中，從光源LS提供至光導構件300的光沒有設置於相鄰邊緣區域的光源LS的區域ED上。具體地，相鄰邊緣區域的光源LS的區域ED寬度定義為光入射表面IS與平面上的低折射層410-1之間的距離。寬度可設定於不提供從光源LS產生的光的範圍內。不同於本實施例，當於相鄰導光構件300的邊緣區域的光源LS的區域ED上提供光時，由於第一覆蓋層430-1與導光構件300之間的折射率差異相對較小，在從光源LS提供至光導構件300內部的光的情況下，滿足全反射條件的光可不從光出射表面TS反射而是穿透，且入射在第一覆蓋層430-1上。在此情況下，光洩漏可能發生於光入射區域中。
根據本實施例，由於低折射層410-1的所有側表面都被第一覆蓋層430-1覆蓋，因此可更有效地防止光轉換層420的劣化。
第8圖係繪示根據本發明概念的另一實施例的光學構件的放大剖面圖；第8圖係對應於沿第4圖所示的線II-II’截取的剖面圖。
為便於說明，將主要描述與本發明概念的實施例的不同之處，且對於省略的部分描述，可在本發明概念的先前實施例中找到參考內容。另外，上述構成元件由相同的參考數字表示，且省略對構成元件的多餘描述。
請參照第8圖，根據本發明概念的另一實施例的光學構件400-2更可包含第三覆蓋層450。第三覆蓋層450設置於第二覆蓋層440的上部，且覆蓋第二覆蓋層440的上表面。第三覆蓋層450可包含有機材料。第三覆蓋層450用於覆蓋可形成在第二覆蓋層440中的空間。因此，根據本實施例，可更有效地保護光轉換層420。
第9圖係繪示根據本發明概念的另一實施例的光學構件的放大剖面圖；第9圖係對應於沿第4圖所示的線II-II’截取的剖面圖。
為便於說明，將主要描述與本發明概念的實施例的不同之處，且對於省略的部分描述，可在本發明概念的先前實施例中找到參考內容。另外，上述構成元件由相同的參考數字表示，且省略對構成元件的多餘描述。
請參照第9圖，根據本發明概念的另一實施例的光學構件400-3的第一覆蓋層430-3包含黏著層431及阻擋層432。
黏著層431設置於低折射層410上。黏著層431覆蓋低折射層410的上表面及側表面的至少一部分。另外，黏著層431覆蓋光導構件300的光出射表面TS的邊緣區域的一部分。黏著層431可包含具有附著力的材料。例如，黏著層431可包含有機材料。黏著層431可與光導構件300的區域的一部分直接接觸。
阻擋層432設置於黏著層431的上部。阻擋層432可可包含無機材料。例如，阻擋層432可包含氧化矽(SiOx)或氮化矽(SiNx)。
根據本實施例，由於黏著層431設置於阻擋層432與光導構件300之間，且增加阻擋層432與導光構件300之間的附著力，因此可進一步提高顯示設備的耐久性。
第10圖與第11圖係繪示根據本發明概念的另一實施例的光學構件的剖面圖；第10圖係對應於沿第4圖所示的線II-II’截取的剖面圖；且第11圖係對應於沿第4圖所示的線II-II’截取的剖面圖。
為便於說明，將主要描述與本發明概念的實施例的不同之處，且對於省略的部分描述，可在本發明概念的先前實施例中找到參考內容。另外，上述構成元件由相同的參考數字表示，且省略對構成元件的多餘描述。
請參照第10圖及第11圖，根據發明概念的另一實施例的光學構件400-4包含黏著層431及阻擋層432。
黏著層431設置為以圍繞光導構件300的光出射表面TS上的低折射層410-4的側表面。在本實施例中，黏著層431不覆蓋低折射層410-4的上表面。
阻擋層432設置於低折射層410-4及黏著層431上。阻擋層432覆蓋低折射層410-4的上表面、黏著層431的上表面以及黏著層431的外圓周表面。
根據本實施例，由於黏著層431增加了光導構件300與阻擋層432之間的附著力，因此可進一步提高顯示設備的耐久性。
第12圖係繪示根據本發明概念的另一實施例的光學構件的放大剖面圖；第12圖係對應於沿第4圖所示的線II-II’截取的橫截面剖面圖。
為便於說明，將主要描述與本發明概念的實施例的不同之處，且對於省略的部分描述，可在本發明概念的先前實施例中找到參考內容。另外，上述構成元件由相同的參考數字表示，且省略對構成元件的多餘描述。
請參照第12圖，根據本發明概念的另一實施例的光學構件400-5的光轉換層420-5設置以與光導構件300的光出射表面TS上的區域的一部分重疊。光轉換層420-5可於平面上與低折射層410重疊。於平面上，光轉換層420-5的面積可小於光導構件300的光出射表面TS的整個面積。
第二覆蓋層440設置於光轉換層420-5的上部。第二覆蓋層440覆蓋光轉換層420-5的上表面及側表面。根據本實施例，第二覆蓋層440可覆蓋光轉換層420-5的側表面的一部分。具體地，光轉換層420-5的一個側表面，亦即與光源LS相鄰的表面，可不被第二覆蓋層440覆蓋。除了一個側表面之外的光轉換層420-5的側表面被第二覆蓋層440覆蓋。
根據本實施例，由於第二覆蓋層440不僅覆蓋光轉換層420-5的上表面而且覆蓋其側表面，因此可更有效地保護光轉換層420-5。
第13圖係繪示根據本發明概念的一實施例的光學構件製造方法的流程圖；第14A圖至第21B圖係繪示於第13圖所示之光學構件製造方法的示意圖。
第14A圖、第15A圖、第16A圖、第18A圖、第19A圖、第20A圖及第21A圖係為光導構件300的母基板300’的平面圖；第14B圖、第15B圖、第16B圖、第19B圖及第20B圖係為沿著第14A圖、第15A圖、第16A圖、第18A圖、第19A圖及第20A圖所示的線IV-IV’截取的剖面圖。
在下文中，請參照第13圖以及第14A圖至第20B圖，將描述根據本發明概念的實施例的光學構件400的製造方法。
如第14A圖及第14B圖所示，首先製備母基板300’。在母基板300’上，可限定第一區域AR1及第二區域AR2。第一區域AR1配置以於母基板300’上彼此間隔開。第一區域AR1可以矩陣形式配置。具體地，第一區域AR1可配置於第一方向DR1及第二方向DR2上。
第二區域AR2定義為除了第一區域AR1之外的母基板300’上的區域。第二區域AR2圍繞複數個第一區域AR1。
為了便於說明，於第14A圖至第20A圖中，係示出於母基板300’上配置成三行及兩列的複數個第一區域AR1。然而，本發明概念不特別限於母基板300’的尺寸，以及第一區域AR1的配置關係及形狀。
此後，如第15A圖及第15B圖所示，將預備溶液410’施加至母基板300’上。
預備溶液410’可施加至母基板300’的整個上表面上。預備溶液410’可為低折射層410的材料。例如，預備溶液410’可包含中空二氧化矽(hollow silica)或二氧化矽聚合物(silica polymer)。
此後，如第16A圖及第16B圖所示，去除設置於第二區域AR2上的預備溶液410’。未去除的預備溶液410’設置於第一區域AR1上。
根據本發明概念，可藉由光刻製程(photolithography process)、EBR製程及雷射製程中的任何一種去除第二區域AR2的預備溶液410’。
首先，如第17圖所示，根據本發明概念的實施例，第二區域AR2的預備溶液410’可藉由光刻製程去除。
具體地，預備溶液410’可包含光阻劑(photoresist)。例如，預備溶液410’可包含正性光阻劑。
根據光刻製程的預備溶液410’的圖案化製程如下。具有掩模圖案(mask pattern)的掩模MSK設置於預備溶液410’上，且光照射於掩模MSK上。藉由掩模MSK的圖案，光於每個第一區域AR1中透射，且光於第二區域AR2中受阻擋。因此，藉由掩模MSK的圖案，光照射於對應第一區域AR1的預備溶液410’上。在光照射之後，第二區域AR2的預備溶液410’可藉由顯影及蝕刻製程去除。
另外，如第17B圖所示，根據本發明概念的實施例，第二區域AR2的預備溶液410’可藉由邊珠去除(EBR)製程去除。
具體地，可使用第一噴嘴NZ1將氣體CS噴在第二區域AR2上。由於從第一噴嘴NZ1噴出的氣體CS的壓力，第二區域AR2上的預備溶液410’可分散於第二區域AR2周圍。因此，預備溶液410’沒有設置於第二區域AR2上。
在本實施例中，去除預備溶液410’的製程更可包含使用第二噴嘴NZ2吸取預備溶液410’的製程。第二噴嘴NZ2與第一噴嘴NZ1相鄰設置，且可與第一噴嘴NZ1同時操作。第二噴嘴NZ2吸取第二區域AR2周圍存在的材料。
當僅操作第一噴嘴NZ1時，由於設置於第二區域AR2上的預備溶液410’藉由第一噴嘴NZ1移動至相鄰的第一區域AR1，每個第一區域AR1的預備溶液410’的厚度可變得不均勻。然而，當第二噴嘴NZ2與第一噴嘴NZ1同時操作時，由於藉由第一噴嘴NZ1圍繞第二區域AR2分散的預備溶液410’被第二噴嘴NZ2吸取，對應於每個第一區域AR1變得不均勻的預備溶液410’的厚度及形狀之現象可予以預防。
如第17C圖所示，根據本發明概念的另一實施例，第二區域AR2的預備溶液410’可藉由雷射製程去除。
具體地，可使用雷射產生器LG於第二區域AR2上照射雷射。藉由雷射，可去除設置於第二區域AR2上的預備溶液410’。
去除第二區域AR2上的預備溶液410’之後，低折射層410的圖案可藉由後處理(post-treatment)製程S1形成於第一區域AR1上。例如，後處理製程S1可為進行熱處理或添加另一種溶液的製程。透過後處理製程S1，可於低折射層410的圖案上形成複數個細孔(未示出)。藉由控制包含在低折射層410的圖案中的細孔(未示出)的密度，可設定低折射層410的圖案的折射率。
在本實施例中，在預備溶液410’圖案化後，執行後處理製程S1。然而，本發明概念不限於此。根據本發明概念的另一實施例，可首先對施加於母基板300’的整個區域上的預備溶液410’執行後處理製程S1；接著，透過蝕刻製程、劃線製程等執行圖案化，可形成低折射層410的圖案。
如第18A圖及第18B圖所示，可藉由一製程S2形成第一覆蓋層430於低折射層410的圖案上。第一覆蓋層430與母基板300’的整個區域重疊。第一覆蓋層430覆蓋低折射層410的圖案的上表面及所有側表面。第一覆蓋層430包含無機材料。例如，第一覆蓋層430可包含氧化矽(SiOx)或氮化矽(SiNx)。然而，本發明概念不特別限於第一覆蓋層430的材料。
如第19A圖及第19B圖所示，光轉換層420藉由一製程S3形成於第一覆蓋層430上。光轉換層420完全與第一覆蓋層430重疊。光轉換層420包括複數個光轉換粒子。例如，光轉換粒子可為量子點。
如第20A圖及第20B圖所示，第二覆蓋層440藉由一製程S4形成於光轉換層420上。第二覆蓋層440完全與光轉換層420重疊。第二覆蓋層440可包含無機材料。例如，第二覆蓋層440可包含氧化矽(SiOx)或氮化矽(SiNx)。然而，本發明概念不特別限於第二覆蓋層440的材料。
此後，如第21A圖所示，母基板300’可藉由一製程S5沿著母基板300’上限定的複數條切割線CL切割。藉由切割母基板300’，可製造複數個單元基板SU。每條切割線CL可在母基板300’上具有閉合曲線的形狀。例如，切割線CL於平面上具有矩形形狀。
根據本實施例，每條切割線CL與第一區域AR1部分重疊。具體地，每條切割線CL包含第一部分及第二部分。第一部分設置於第一區域AR1的外側，且第二部分可與第一區域AR1重疊。
透過由切割線CL的第二部分切割的單元基板SU的一個側表面，低折射層410及光轉換層420可暴露於外部。於單元基板SU的側表面中，由切割線CL的第一部分切割的其餘側表面不暴露低折射層410及光轉換層420。
第21B圖示例性地繪示切割單元基板SU中的其中一個，其具有與上述第5圖的相同的形狀。亦即，由切割線CL的第二部分切割的單元基板SU的一側可設置為與光源LS相鄰。
第22圖係繪示根據本發明概念的一實施例的光學構件製造方法的流程圖，而第23A圖至第23E圖及第24圖係繪示於第22圖所示之光學構件製造方法的示意圖。
為便於說明，將主要描述與本發明概念的實施例的不同之處，且對於省略的部分描述，可在本發明概念的先前實施例中找到參考內容。另外，上述構成元件由相同的參考數字表示，且省略對構成元件的多餘描述。
在下文中，請參照第22圖以及第23A圖至第23E圖，將描述根據本發明概念的另一實施例的光學構件的製造方法。
在製備母基板300’之後，如第23A圖所示，藉由一製程S1’形成低折射層410。此時，低折射層410未被圖案化。亦即，低折射層410可完全設置於母基板300’上。
此後，如第23B圖所示，第一覆蓋層430藉由一製程S2’形成於低折射層410上。
第一覆蓋層430包含無機材料。可透過沉積製程形成第一覆蓋層430。第一覆蓋層430完全設置於低折射層410上。
此後，如第23C圖所示，光轉換層420藉由製程S3’形成於第一覆蓋層430上。光轉換層420完全與第一覆蓋層430重疊。
此後，如第23D圖所示，具有低折射層410、第一覆蓋層430及光轉換層依序層疊於其上的層疊體(laminated body)藉由一製程S4’圖案化。根據本實施例，層疊體可藉由雷射製程圖案化。具體地，由雷射產生器LG產生的雷射照射於第二區域AR2上。因此，可去除對應於第二區域AR2的層疊體的一部分。亦即，層疊體可僅設置於母基板300’上的第一區域AR1上。
此後，如第23E圖所示，第二覆蓋層440藉由一製程S5’形成於層疊體上。第二覆蓋層440可包含無機材料。第二覆蓋層440與母基板300’的整個區域重疊。亦即，第二覆蓋層440可覆蓋設置於每個第一區域AR1上的層疊體的圖案的側表面。
此後，藉由一製程S6’切割母基板300’。根據本實施例的切割母基板300’的製程與上述參照第21A圖描述的製程相同；因此，其描述可予以省略。
第24圖係例示性地繪示根據本實施例切割的單元基板之一。當第一覆蓋層430及第二覆蓋層440由相同的材料製成，第24圖所示的單元基板具有與第12圖所示的光學構件400-5(第12圖)相同的形狀。
根據本實施例，由於不僅覆蓋光轉換層420的上表面且也覆蓋側表面，因此可更有效地保護光轉換層420。
根據本發明概念的實施例，顯示設備的耐用性及顯示質量可有所提高。
所屬技術領域中具有通常知識者將能理解，在不脫離所附申請專利範圍限定的發明概念的精神及範圍的情況下，可在其中進行形式及細節上的各種變更。另外，在本發明概念中揭露之實施例不旨在限制本發明概念的技術精神，且在下述申請專利範圍及其等效物的範圍內之所有技術構想應被解釋為落入本發明概念的範圍內。
100‧‧‧視窗構件
1000‧‧‧顯示設備
200‧‧‧顯示構件
300‧‧‧光導構件
300’‧‧‧母基板
400‧‧‧光學構件
410‧‧‧低折射層
410’‧‧‧預備溶液
420‧‧‧光轉換層
430‧‧‧第一覆蓋層
431‧‧‧黏著層
432‧‧‧阻擋層
440‧‧‧第二覆蓋層
450‧‧‧第三覆蓋層
500‧‧‧反射構件
600‧‧‧模框架
700‧‧‧接收構件
710‧‧‧底部
720‧‧‧側壁部分
AR1‧‧‧第一區域
AR2‧‧‧第二區域
BLU‧‧‧背光單元
CA‧‧‧遮光區域
CL‧‧‧切割線
CS‧‧‧氣體
DA‧‧‧顯示區域
DR1‧‧‧第一方向
DR2‧‧‧第二方向
DR3‧‧‧第三方向
ED‧‧‧區域
IS‧‧‧光入射表面
LC‧‧‧液晶層
LCM‧‧‧液晶分子
LG‧‧‧雷射產生器
LS‧‧‧光源
LSS‧‧‧光源基板
LSU‧‧‧光源單元
MSK‧‧‧掩模
NDA‧‧‧非顯示區域
NZ1‧‧‧第一噴嘴
OS‧‧‧相對表面
PNL‧‧‧顯示面板
POL1‧‧‧第一偏振層
POL2‧‧‧第二偏振層
QD1‧‧‧第一量子點
QD2‧‧‧第二量子點
S1’、S2、S2’、S3、S3’、S4、S4’、S5、S5’、S6’‧‧‧製程
S1‧‧‧後處理製程
SS‧‧‧側表面
SU‧‧‧單元基板
SUB1‧‧‧第一基板
SUB2‧‧‧第二基板
TA‧‧‧透光區域
TS‧‧‧光出射表面
所附圖式包含以提供本發明概念的進一步了解，且併入於本說明書中並構成本說明書的一部分。圖式係說明本發明概念的例示性實施例，且配合相關描述一同用於解釋本發明概念之原理。圖式中：
第1圖係繪示根據本發明概念的一實施例的顯示設備的分解透視圖；
第2圖係繪示沿第1圖所示之I-I’線的剖面圖；
第3圖係繪示根據本發明概念的一實施例的顯示構件的放大剖面圖；
第4圖係繪示根據本發明概念的一實施例的光導構件及光學構件的放大剖面圖；
第5圖係繪示沿第4圖所示之II-II’線的剖面圖；
第6圖係繪示沿第4圖所示之III-III’線的剖面圖；
第7圖係繪示根據本發明概念的另一實施例的光學構件的放大剖面圖；
第8圖係繪示根據本發明概念的另一實施例的光學構件的放大剖面圖；
第9圖係繪示根據本發明概念的另一實施例的光學構件的放大剖面圖；
第10圖與第11圖係繪示根據本發明概念的另一實施例的光學構件的剖面圖；
第12圖係繪示根據本發明概念的另一實施例的光學構件的放大剖面圖；
第13圖係繪示根據本發明概念的一實施例的光學構件製造方法的流程圖；
第14A圖至第21B圖係繪示於第13圖所示之光學構件製造方法的示意圖；
第22圖係繪示根據本發明概念的另一實施例的光學構件製造方法的流程圖；
第23A圖至第23E圖係繪示於第22圖所示之光學構件製造方法的示意圖。

Claims (28)

  1. 一種顯示設備，係包含： 一光源，係配置以產生光； 一顯示面板，係配置以顯示複數個影像； 一光導構件，係設置以使其至少一個表面與該光源相鄰；以及 一光學構件，係設置於該光導構件與該顯示面板之間，其中該光學構件係包含： 一低折射層，係設置於該光導構件的一發光表面上且包含複數個側表面； 一第一覆蓋層，係設置於該低折射層上且圍繞該低折射層的該複數個側表面的至少一部分；以及 一光轉換層，係設置於該第一覆蓋層上，且轉換一入射光的一波長帶。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之顯示設備，其中該第一覆蓋層係包含： 一阻擋層，係設置於該低折射層的上部，且包含一無機材料；以及 一黏著層，係設置於該低折射層與該阻擋層之間，且增加該低折射層與該阻擋層之間的附著力。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之顯示設備，其中該阻擋層係與該低折射層的上表面接觸，且該黏著層係與該低折射層的該複數個側表面的至少一部分接觸。
  4. 如申請專利範圍第2項所述之顯示設備，其中該阻擋層係包含氧化矽(silicon oxide，SiOx)及氮化矽(silicon nitride，SiNx)中的至少一種。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之顯示設備，其中除了與該光源相鄰的一個側表面之外，該第一覆蓋層係覆蓋該低折射層的該複數個側表面的側表面。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之顯示設備，其中該第一覆蓋層係覆蓋該低折射層的所有該複數個側表面。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之顯示設備，其中該光學構件更包含一第二覆蓋層，該第二覆蓋層係設置於該光轉換層上且覆蓋該光轉換層。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之顯示設備，其中該第二覆蓋層係包含與該第一覆蓋層相同的材料。
  9. 如申請專利範圍第7項所述之顯示設備，其中該第二覆蓋層係覆蓋該光轉換層的側表面的至少一部分。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之顯示設備，其中該光學構件更包含設置於該第二覆蓋層上的一第三覆蓋層，且包含一有機材料。
  11. 如申請專利範圍第1項所述之顯示設備，其中該光轉換層係包含複數個量子點。
  12. 如申請專利範圍第1項所述之顯示設備，其中該低折射層係包含複數個細孔。
  13. 如申請專利範圍第1項所述之顯示設備，其中該低折射層的一折射率係為約1.1至約1.3。
  14. 一種顯示設備的製造方法，係包含： 製備一母基板，該母基板係於一平面上具有配置以彼此間隔開的複數個第一區域，以及圍繞該複數個第一區域的一第二區域； 形成複數個低折射層圖案於該母基板上； 形成一第一覆蓋層於該複數個低折射層圖案上； 形成一光轉換層於該第一覆蓋層上；以及 切割該母基板，其中 該複數個低折射層圖案係於一平面上設置於該複數個第一區域中，以及 在切割該母基板的過程中，該母基板係沿著具有一閉合曲線的一切割線被切割，且該切割線的至少一部分係限定於該母基板上以於一平面上與該第二區域重疊。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之製造方法，其中 在形成一第一覆蓋層的過程中，該第一覆蓋層係於一平面上形成以與該複數個第一區域及該第二區域重疊。
  16. 如申請專利範圍第15項所述之製造方法，其中 在切割一母基板的過程中，該母基板係被切割使得該複數個低折射層圖案的一個側表面從外部暴露。
  17. 如申請專利範圍第15項所述之製造方法，其中該切割線的至少一部分係限定於該母基板上以與各該複數個第一區域重疊。
  18. 如申請專利範圍第14項所述之製造方法，更包含沉積一第二覆蓋層於該光轉換層上。
  19. 如申請專利範圍第17項所述之製造方法，其中該光轉換層係包含複數個量子點。
  20. 如申請專利範圍第16項所述之製造方法，其中 形成複數個低折射層圖案係包含： 於該母基板上施加一預備溶液以與該複數個第一區域及該第二區域重疊；以及 去除於該第二區域上形成的該預備溶液。
  21. 如申請專利範圍第20項所述之製造方法，其中該預備溶液係包含一光阻劑。
  22. 如申請專利範圍第20項所述之製造方法，其中該預備溶液係藉由一邊珠去除(edge bead removal，EBR)製程去除。
  23. 如申請專利範圍第20項所述之製造方法，其中該預備溶液係藉由一雷射去除。
  24. 一種顯示設備的製造方法，係包含： 製備一母基板，該母基板係於一平面上具有配置以彼此間隔開的複數個第一區域，以及圍繞該複數個第一區域的一第二區域； 形成一低折射層於該母基板上； 形成一第一覆蓋層於該低折射層上； 形成一光轉換層於該第一覆蓋層上； 將該低折射層、該第一覆蓋層以及該光轉換層圖案化； 形成一第二覆蓋層於該光轉換層上；以及 切割該母基板，其中 一圖案化低折射層、一圖案化第一覆蓋層以及一圖案化光轉層係設置於該複數個第一區域中，且 在切割一母基板的過程中，該母基板係沿著具有一閉合曲線的一切割線被切割，且該切割線的至少一部分係限定於該母基板上以於一平面上與該第二區域重疊。
  25. 如申請專利範圍第24項所述之製造方法，其中 在圖像化的過程中，將與該第二區域重疊的該低折射層、該第一覆蓋層以及該光轉換層去除。
  26. 如申請專利範圍第25項所述之製造方法，其中 在圖案化的過程中，藉由一雷射製程將該低折射層、該第一覆蓋層以及該光轉換層去除。
  27. 如申請專利範圍第24項所述之製造方法，其中 在形成一第二覆蓋層的過程中，該第二覆蓋層係於一平面上形成以與該複數個第一區域及該第二區域重疊。
  28. 如申請專利範圍第24項所述之製造方法，其中 該切割線的至少一部分係限定於該母基板上以與該複數個第一區域重疊。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102518416B1 (ko) 2018-07-31 2023-04-06 삼성디스플레이 주식회사 저굴절층 및 이를 포함하는 전자 장치
KR102546678B1 (ko) 2018-09-18 2023-06-23 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
CN115295542A (zh) * 2022-08-18 2022-11-04 友达光电（苏州）有限公司 背光模块及其制造方法

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100508240B1 (ko) * 2003-03-13 2005-08-17 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시모듈
TWI356255B (en) 2004-03-26 2012-01-11 Chimei Innolux Corp A reflective in-plane switching type lcd
JP2010040621A (ja) * 2008-08-01 2010-02-18 Toshiba Corp 固体撮像デバイス及びその製造方法
EP3540300B1 (en) * 2010-11-10 2024-05-08 Shoei Chemical Inc. Quantum dot films, lighting devices, and lighting methods
KR101210163B1 (ko) 2011-04-05 2012-12-07 엘지이노텍 주식회사 광학 시트 및 이를 포함하는 표시장치
KR101210180B1 (ko) * 2011-04-21 2012-12-07 엘지이노텍 주식회사 광학 부재 및 이의 제조방법
KR20160038325A (ko) 2014-09-30 2016-04-07 코닝정밀소재 주식회사 색변환용 기판, 그 제조방법 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
JP2016102999A (ja) * 2014-11-14 2016-06-02 富士フイルム株式会社 波長変換部材及びそれを備えたバックライトユニット、液晶表示装置
US9618681B2 (en) 2014-12-01 2017-04-11 Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. Quantum dot backlight module and display device
CN104566015B (zh) 2014-12-01 2016-07-06 深圳市华星光电技术有限公司 一种量子点背光模组以及显示装置
JP6363487B2 (ja) * 2014-12-10 2018-07-25 富士フイルム株式会社 波長変換部材、バックライトユニット、液晶表示装置、および波長変換部材の製造方法
EP3053874B1 (en) 2015-02-04 2017-11-22 LG Electronics Inc. Light conversion member, and backlight unit and display device including the same
KR101660163B1 (ko) * 2015-02-04 2016-09-26 엘지전자 주식회사 광 변환 부재, 이를 포함하는 백라이트 유닛 및 디스플레이 장치
TWI544257B (zh) * 2015-05-25 2016-08-01 鴻海精密工業股份有限公司 背光模組、導光板結構及顯示裝置
CN107615113B (zh) * 2015-05-29 2020-02-14 富士胶片株式会社 波长转换部件及具备该波长转换部件的背光单元、液晶显示装置
KR102367759B1 (ko) 2015-06-12 2022-02-28 삼성전자주식회사 백 라이트 유닛 및 이를 포함하는 디스플레이 장치
JP6951847B2 (ja) 2016-03-18 2021-10-20 日東電工株式会社 光学部材、ならびに、該光学部材を用いたバックライトユニットおよび液晶表示装置
KR102022817B1 (ko) 2016-03-25 2019-09-18 도레이 카부시키가이샤 광원 유닛, 적층 부재, 그리고 그것들을 사용한 디스플레이 및 조명 장치
KR102527931B1 (ko) 2016-08-02 2023-05-03 삼성디스플레이 주식회사 백라이트 유닛 및 이를 포함하는 표시 장치
KR101725023B1 (ko) * 2016-10-20 2017-04-10 엘지이노텍 주식회사 광학 부재 및 표시장치
WO2018186300A1 (ja) * 2017-04-04 2018-10-11 富士フイルム株式会社 蛍光体含有フィルムおよびバックライトユニット

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