TW201739968A - 黑化鍍液、導電性基板之製造方法 - Google Patents

Abstract

提供一種黑化鍍液，其含有鎳離子、鋅離子、銅離子、胺基磺酸、以及氨，鋅離子濃度為0.34g/l以上，銅離子濃度為0.20g/l以上。

Description

黑化鍍液、導電性基板之製造方法

本發明涉及一種黑化鍍液、導電性基板之製造方法。

電容式觸控面板藉由對由接近面板表面的物體所引起的電容的變化進行偵測，從而將在面板表面上的接近的物體的位置資訊轉換成電氣信號。由於用於電容式觸控面板的導電性基板設置在顯示器的表面上，因此對於導電性基板的導電層材料要求其反射率較低、難以視覺識別。

因此，作為用於電容式觸控面板的導電層的材料，使用反射率較低、難以視覺識別的材料，在透明基板或透明薄膜上形成配線。

例如，專利文獻1中揭露了一種透明導電性薄膜，其包括由高分子薄膜及在其上利用氣相成膜法設置的金屬氧化物構成的透明導電膜，並且揭露了使用氧化銦錫(ITO)膜作為由金屬氧化物構成的透明導電膜。

另一方面，近些年具有觸控面板的顯示器的大畫面化正在進展，與其對應地，對於觸控面板用的透明導電性薄膜等導電性基板亦尋求大面積化。然而，ITO由於其電阻值較高，因此存在無法對應導電性基板的大面積化的問題。

因此，正在研究使用銅等金屬來代替ITO作為導電層的材料。然而，由於金屬具有金屬光澤，因此存在由於反射而引起的液晶面板 可視性降低的問題。因此，正在研究一種導電性基板，其針對導電層的表面實施了利用乾式法形成由黑色材料構成的層的黑化處理。

然而，為了利用乾式法對導電層表面充分地實施黑化處理需要時間，生產率較低。

因此，本發明的發明人從無需乾式法所要求的真空環境而能夠簡化設備、且生產率優異的角度，研究了利用濕式法來進行黑化處理。具體來說，研究了使用含有Ni及Zn作為主成分的鍍液，利用濕式法來形成黑化層。

<先前技術文獻> <專利文獻>

專利文獻1：日本國特開2003-151358號公報

然而，當進行了使用含有Ni及Zn作為主成分的鍍液利用濕式法、亦即濕式鍍法來形成黑化層的黑化處理時，與作為導電層形成的銅層相比，所形成的黑化層針對蝕刻液的反應性有時較高。並且，當製作具有所期望的配線圖案的導電性基板時，在形成了作為導電層的銅層以及黑化層後，利用蝕刻進行圖案化，但由於銅層和黑化層針對蝕刻液的反應性不同，因此有時難以將黑化層圖案化成所期望的形狀。

鑑於上述先前技術的問題，本發明的一個方面的目的在於提供一種黑化鍍液，其能夠形成黑化層，當對該黑化層與銅層一起進行蝕刻時能夠將該黑化層圖案化成所期望的形狀。

為了解決上述問題，本發明的一個方面提供一種黑化鍍液，其含有鎳離子、鋅離子、銅離子、胺基磺酸、以及氨，鋅離子濃度為0.34g/l以上，銅離子濃度為0.20g/l以上。

依據本發明的一個方面，能夠提供一種黑化鍍液，其能夠形成黑化層，當對該黑化層與銅層一起進行蝕刻時能夠將該黑化層圖案化成所期望的形狀。

10A‧‧‧導電性基板

10B‧‧‧導電性基板

20A‧‧‧導電性基板

20B‧‧‧導電性基板

30‧‧‧導電性基板

11‧‧‧透明基材

11a‧‧‧一個面

11b‧‧‧另一個面

12‧‧‧銅層

12A‧‧‧銅層

12B‧‧‧銅層

13‧‧‧黑化層

13A‧‧‧黑化層

13B‧‧‧黑化層

14‧‧‧黏著層

14A‧‧‧黏著層

14B‧‧‧黏著層

31A‧‧‧配線

31B‧‧‧配線

32A‧‧‧黑化層

32B‧‧‧黑化層

A‧‧‧表面

B‧‧‧黑化層

X、Y‧‧‧X軸、Y軸

圖1A是本發明的實施方式的導電性基板的剖面圖。

圖1B是本發明的實施方式的導電性基板的剖面圖。

圖2A是本發明的實施方式的導電性基板的剖面圖。

圖2B是本發明的實施方式的導電性基板的剖面圖。

圖3是本發明的實施方式的具有網狀的配線的導電性基板的俯視圖。

圖4A是圖3的A-A’線的剖面圖。

圖4B是圖3的A-A’線的剖面圖。

以下，對本發明的黑化鍍液、導電性基板的一個實施方式進行說明。

(黑化鍍液)

本實施方式的黑化鍍液可以含有鎳離子、鋅離子、銅離子、胺基磺酸、 以及氨，可以將鋅離子濃度設為0.34g/l以上，將銅離子濃度設為0.20g/l以上。

如上所述，對於例如使用含有Ni及Zn作為主成分的鍍液利用濕式法所形成的黑化層，其針對蝕刻液的反應性比銅層高，當對該黑化層與銅層一起進行蝕刻時，難以將該黑化層圖案化成所期望的形狀。因此，本發明的發明人針對能夠形成當與銅層一起進行蝕刻時能夠圖案化成所期望的圖案的黑化層的黑化鍍液進行了深入研究。

並且，在針對黑化鍍液進行研究的過程中，本發明的發明人發現藉由將黑化層設為含有鎳、鋅及銅的層，從而能夠抑制黑化層的針對蝕刻液的反應性，並且即使當與銅層同時進行蝕刻時亦能夠形成所期望的形狀。

具體來說，藉由含有鎳和鋅從而能夠形成能夠抑制銅層表面上的光反射的顏色的黑化層。但是，當僅含有鎳和鋅時，如上所述針對蝕刻液的反應性較高，在與銅層一起進行蝕刻時，難以圖案化成所期望的形狀。因此，如上所述，發現了藉由形成進一步含有銅的黑化層，從而能夠抑制黑化層針對蝕刻液的反應性，即使在與銅層一起進行蝕刻時，亦能夠將銅層及黑化層圖案化成所期望的形狀。需要說明的是，這裡所說的同時對銅層和黑化層進行蝕刻時的所期望的形狀是指例如包括配線寬度為10μm以下的配線的形狀、圖案。

因此，本實施方式的黑化鍍液優選為能夠形成含有鎳、鋅及銅作為金屬成分的層的鍍液，本實施方式的黑化鍍液可以含有鎳離子、鋅離子、以及銅離子。

再有，本實施方式的黑化鍍液可以含有起到錯合劑作用的胺基磺酸(amidosulfuric acid)及氨，藉由含有這些成分，從而能夠形成適合抑制銅層表面上的光反射的顏色的黑化層。

對於黑化鍍液中各成分的濃度並無特別限定，鋅離子濃度優選為0.34g/l以上，更優選為0.40g/l以上。

其原因是，當黑化鍍液中的鋅離子濃度為0.34g/l以上時，能夠使黑化層為特別適合抑制銅層表面上的光反射的顏色，並能夠抑制導電性基板的反射率。

對於黑化鍍液中的鋅離子濃度的上限值並無特別限定，例如優選為3.0g/l以下，更優選為1.5g/l以下。

另外，黑化鍍液中的銅離子濃度優選為0.20g/l以上，更優選為0.30g/l以上。其原因是，當黑化鍍液中的銅離子濃度為0.20g/l以上時，能夠抑制黑化層針對蝕刻液的反應性，即使在對黑化層與銅層一起進行蝕刻的情況下，亦能夠圖案化成所期望的形狀。

對於黑化鍍液中的銅離子濃度的上限值並無特別限定，例如優選為2.5g/l以下，更優選為1.5g/l以下。

對於黑化鍍液中的鎳離子濃度並無特別限定，優選為2.0g/l以上，更優選為5.0g/l以上。其原因是，藉由使黑化鍍液中的鎳離子濃度為2.0g/l以上，從而能夠使黑化層為特別適合抑制銅層表面上的光反射的顏色，並能夠抑制導電性基板的反射率。

對於黑化鍍液中的鎳離子濃度的上限值並無特別限定，例如優選為30.0g/l以下，更優選為20.0g/l以下。

在調製黑化鍍液時，對於鎳離子、鋅離子以及銅離子的供給方法並無特別限定，例如可以以鹽的狀態來供給。例如可以優選使用胺基磺酸鹽、或硫酸鹽。需要說明的是，關於鹽的種類，針對各金屬元素可以全部為相同種類的鹽，亦可以同時使用不同種類的鹽。具體來說，例如可以以硫酸鎳、硫酸鋅及硫酸銅的方式使用相同種類的鹽來調製黑化鍍液。另外，例如亦可以以硫酸鎳、硫酸鋅及胺基磺酸銅的方式同時使用不同種類的鹽來調製黑化鍍液。

本實施方式的黑化鍍液除了含有鎳離子、鋅離子及銅離子以外，還可以含有胺基磺酸及氨。對於本實施方式的黑化鍍液中的胺基磺酸及氨的含量並無特別限定，可以根據所形成的黑化層所要求的反射率的抑制程度等任意地選擇。

例如，對於黑化鍍液中的胺基磺酸的濃度並無特別限定，例如優選為1g/l以上50g/l以下，優選為5g/l以上20g/l以下。

另外，氨具有對本實施方式的黑化鍍液的pH值進行調節的作用。換言之，本實施方式的黑化鍍液的pH值可以利用氨來調節。並且，對於本實施方式的黑化鍍液的pH值的範圍並無特別限定，例如優選為4.0以上6.5以下。

其原因是，藉由使黑化鍍液的pH值為4.0以上，從而能夠形成具有能夠特別地抑制光反射的顏色的黑化層。另外，藉由使黑化鍍液的pH值為6.5以下，使得黑化鍍液的一部分成分析出、或當使用該黑化鍍液來形成黑化層時能夠更可靠地抑制在黑化層中產生色斑，因而優選。

因此，優選以使本實施方式的黑化鍍液的pH值為上述範圍 的方式，對黑化鍍液的氨的含量進行調節。

根據上述說明的本實施方式的黑化鍍液，從而能夠形成當與銅層一起進行蝕刻時能夠圖案化成所期望的形狀的黑化層。

另外，本實施方式的黑化層鍍液可以在形成能夠充分地抑制導電性基板的銅層表面上的光反射的黑化層時較好地使用。再有，藉由使用本實施方式的黑化鍍液，從而能夠利用電解鍍法等濕式法來對黑化層進行成膜，因此與以往的利用乾式法所成膜的黑化層相比，能夠以較好的生產率來形成黑化層。

(導電性基板)

接著，對含有使用本實施方式的黑化鍍液所形成的黑化層的導電性基板的一個結構示例進行說明。

本實施方式的導電性基板可以具有透明基材、在透明基材的至少一個面上設置的銅層、以及使用黑化鍍液在銅層上形成的黑化層。

需要說明的是，本實施方式中的所謂的導電性基板包括對銅層等進行圖案化之前的在透明基材的表面上具有銅層及黑化層的基板、以及對銅層等進行了圖案化的基板、亦即配線基板。

在此，首先對導電性基板中所含的各部件進行說明。

作為透明基材並無特別限定，可以優選使用使可見光透射的樹脂基板(樹脂薄膜)或玻璃基板等透明基材。

作為使可見光透射的樹脂基板的材料，例如可優選使用聚醯胺樹脂、聚對苯二甲酸乙二酯樹脂、聚萘二甲酸乙二醇酯樹脂、環烯烴樹脂、聚亞醯胺樹脂、聚碳酸酯樹脂等樹脂。特別地，作為使可見光透射的 樹脂基板的材料，可更優選使用PET(聚對苯二甲酸乙二酯)、COP(環烯烴聚合物)、PEN(聚萘二甲酸乙二醇酯)、聚醯胺、聚亞醯胺、聚碳酸酯等。

對於透明基材的厚度並無特別限定，可根據作為導電性基板時所要求的強度、電容、或光的透射率等任意選擇。作為透明基材的厚度，例如可以設為10μm以上200μm以下。特別是用於液晶觸控面板的用途時，透明基材的厚度優選設為20μm以上120μm以下，更優選設為20μm以上100μm以下。在用於液晶觸控面板的用途的情形下，例如特別是當尋求對液晶觸控面板整體的厚度進行薄化的用途時，透明基材的厚度優選為20μm以上50μm以下。

透明基材的全透光率優選較高者，例如全透光率優選為30%以上，更優選為60%以上。藉由使透明基材的全透光率為上述範圍，從而能夠充分地確保例如用於液晶觸控面板的用途時的顯示器的可視性。

需要說明的是，透明基材的全透光率可利用JIS K 7361-1中規定的方法來評價。

接著，對銅層進行說明。

對於在透明基材上形成銅層的方法並無特別限定，為了降低光的透射率，優選不在透明基材與銅層之間配置黏著劑。換言之，優選銅層直接形成在透明基材的至少一個面上。需要說明的是，當如下所述在透明基材與銅層之間配置黏著層時，優選銅層直接形成在黏著層的上表面。

為了在透明基材的上表面上直接形成銅層，優選銅層具有銅薄膜層。另外，銅層可具有銅薄膜層和銅鍍層。

例如可以利用乾式鍍覆法在透明基材上形成銅薄膜層，以該 銅薄膜層為銅層。由此，能夠不經由黏著劑而直接在透明基材上形成銅層。需要說明的是，作為乾式鍍覆法，例如可優選使用濺射法、蒸鍍法、或離子鍍覆法等。

另外，當對銅層的膜厚進行增厚時，亦可以藉由以銅薄膜層為供電層利用作為濕式鍍覆法的一種的電鍍法來形成銅鍍層，從而形成具有銅薄膜層和銅鍍層的銅層。藉由使銅層具有銅薄膜層和銅鍍層，從而在此情形中亦能夠不經由黏著劑而在透明基材上直接形成銅層。

對於銅層的厚度並無特別限定，當將銅層用作配線時，可根據向該配線供給的電流大小或配線寬度等來任意選擇。

但是，若銅層變厚，則有時會產生在為了形成配線圖案而進行蝕刻時由於蝕刻需要時間因此容易產生側邊蝕刻、難以形成細線等的問題。因此，銅層的厚度優選為5μm以下，更優選為3μm以下。

另外，從降低導電性基板的阻抗值、可充分地供給電流的觀點來看，例如銅層的厚度優選為50nm以上，更優選為60nm以上，進一步優選為150nm以上。

需要說明的是，當銅層如上所述具有銅薄膜層和銅鍍層時，優選銅薄膜層的厚度和銅鍍層的厚度的合計為上述範圍。

不論銅層由銅薄膜層構成的情況、或是由銅薄膜層和銅鍍層構成的情況，對銅薄膜層的厚度均無特別限定，例如優選為50nm以上500nm以下。

如下所述例如可以藉由將銅層圖案化成所期望的配線圖案而用作配線。並且，由於銅層能夠比以往的用作透明導電膜的ITO進一步 降低表面電阻值，因此可藉由設置銅層來減小導電性基板的表面電阻值。

接著對黑化層進行說明。

黑化層可以使用上述黑化鍍液來進行成膜。因此，例如在形成銅層後，可以利用電鍍法等濕式法在銅層的上表面上形成。

對於黑化鍍液由於上面已經說明，因此在此省略說明。

對於黑化層的厚度並無特別限定，例如優選為30nm以上，更優選為50nm以上。其原因是，藉由使黑化層的厚度為30nm以上從而能夠特別地抑制銅層表面上的光的反射。

對於黑化層的厚度的上限值並無特別限定，即使加厚至必要以上的厚度，成膜所需的時間或形成配線時的蝕刻所需的時間也會變長，從而招致成本的上升。因此，黑化層厚度優選設為120nm以下，更優選設為90nm以下。

需要說明的是，當使用上述的黑化鍍液來對黑化層進行成膜時，能夠使黑化層為含有鎳、鋅及銅的層。另外，亦可以一並含有來源於上述黑化鍍液中所包含各種添加成分的成分。

另外，導電性基板除了設置上述透明基材、銅層、黑化層以外，還可以設置任意的層。例如可以設置黏著層。

對黏著層的結構示例進行說明。

如上所述銅層可以形成在透明基材上，但當在透明基材上直接形成銅層時，透明基材與銅層的黏著性有時並不充分。因此，當在透明基材上直接形成銅層時，在製造過程中或使用時有時銅層會從透明基材上剝離。

因此，在本實施方式的導電性基板中，為了提高透明基材與銅層的黏著性，可以在透明基材上設置黏著層。換言之，可以設為在透明基材與銅層之間具有黏著層的導電性基板。

藉由在透明基材與銅層之間設置黏著層，從而能夠提高透明基材與銅層的黏著性，能夠抑制銅層從透明基材上剝離。

另外，黏著層亦能夠起到黑化層的作用。因此，從而亦能夠抑制來自銅層的下表面側、亦即來自透明基材側的光所引起的在銅層的光的反射。

對於構成黏著層的材料並無特別限定，可根據透明基材與銅層的黏著力或所要求的銅層表面上的光的反射的抑制程度、以及針對導電性基板的使用環境(例如濕度或溫度)的穩定性程度等來任意地選擇。

黏著層優選含有例如選自Ni、Zn、Mo、Ta、Ti、V、Cr、Fe、Co、W、Cu、Sn、Mn的至少1種以上的金屬。另外，黏著層亦可進一步含有選自碳、氧、氫、氮的1種以上的元素。

需要說明的是，黏著層亦可以含有金屬合金，該金屬合金含有選自Ni、Zn、Mo、Ta、Ti、V、Cr、Fe、Co、W、Cu、Sn、Mn的至少2種以上的金屬。即使在此情況下，黏著層亦可以進一步含有選自碳、氧、氫、氮的1種以上的元素。此時，作為含有選自Ni、Zn、Mo、Ta、Ti、V、Cr、Fe、Co、W、Cu、Sn、Mn的至少2種以上的金屬的金屬合金，例如優選使用Cu-Ti-Fe合金、Cu-Ni-Fe合金、Ni-Cu合金、Ni-Zn合金、Ni-Ti合金、Ni-W合金、Ni-Cr合金、Ni-Cu-Cr合金。

對於黏著層的成膜方法不無特別限定，優選利用乾式鍍覆法 來進行成膜。作為乾式鍍覆法，例如可優選使用濺射法、離子鍍覆法、或蒸鍍法等。由於利用乾式法對黏著層進行成膜時容易控制膜厚，因此更優選使用濺射法。需要說明的是，亦可以在黏著層中添加如上所述選自碳、氧、氫、氮的1種以上的元素，此時可更優選使用反應性濺射法。

當黏著層含有選自碳、氧、氫、氮的1種以上的元素時，可藉由在對黏著層進行成膜時的環境中預先添加含有選自碳、氧、氫、氮的1種以上的元素的氣體，從而將其添加在黏著層中。例如，當在黏著層中添加碳時可預先在進行乾式鍍覆時的環境中添加一氧化碳氣體及/或二氧化碳氣體，當在黏著層中添加氧時可預先在該環境中添加氧氣，當在黏著層中添加氫時可預先在該環境中添加氫氣及/或水，當在黏著層中添加氮時可預先在該環境中添加氮氣。

對於含有選自碳、氧、氫、氮的1種以上元素的氣體，優選將其添加在惰性氣體中，使其為乾式鍍覆時的環境氣體。作為惰性氣體並無特別限定，例如可優選使用氬。

藉由如上所述利用乾式鍍覆法來對黏著層進行成膜，從而能夠提高透明基材與黏著層的黏著性。並且，黏著層由於例如可含有金屬作為主成分因此與銅層的黏著性較高。因此，藉由在透明基材與銅層之間設置黏著層，從而能夠抑制銅層的剝離。

對於黏著層的厚度並不特別限定，例如優選設為3nm以上50nm以下，更優選設為3nm以上35nm以下，進一步優選設為3nm以上33nm以下。

當黏著層亦起到黑化層的作用時、亦即利用黏著層抑制銅層 上的光的反射時，優選將黏著層的厚度如上所述設為3nm以上。

對於黏著層的厚度的上限值並無特別限定，即使加厚至必要以上的厚度，成膜所需的時間或形成配線時的蝕刻所需的時間亦會變長，從而招致成本的上升。因此，黏著層的厚度優選如上所述設為50nm以下，更優選設為35nm以下，進一步優選設為33nm以下。

接著，對導電性基板的結構示例進行說明。

如上所述，本實施方式的導電性基板可以具有透明基材、銅層以及黑化層。另外，亦可以任意地具有黏著層等層。

關於具體的結構示例，以下使用圖1A、圖1B來進行說明。圖1A、圖1B示出了本實施方式的與透明基材、銅層、黑化層的疊層方向平行的面上的剖面圖的例子。

本實施方式的導電性基板可以具有例如在透明基材的至少一個面上從透明基材側按照銅層、黑化層的順序依次將其疊層的構造。

具體來說，例如，如圖1A所示的導電性基板10A，可在透明基材11的一個面11a側將銅層12、黑化層13逐層地依次疊層。另外，如圖1B所示的導電性基板10B，也可以在透明基材11的一個面11a側和另一個面(其他面)11b側分別將銅層12A、12B、黑化層13A、13B逐層地依次疊層。

另外，進一步作為任意的層，亦可以設置例如黏著層。此時，例如可以為在透明基材的至少一個面上從透明基材側依次形成了黏著層、銅層、黑化層的構造。

具體來說，例如如圖2A所示的導電性基板20A，可以在透 明基材11的一個面11a側，依次疊層黏著層14、銅層12、以及黑化層13。

此時亦可以為在透明基材11的兩面上疊層了黏著層、銅層、黑化層的結構。具體來說，如圖2B所示的導電性基板20B，可在透明基材11的一個面11a側以及另一個面11b側，分別依次疊層黏著層14A、14B、銅層12A、12B、以及黑化層13A、13B。

需要說明的是，在圖1B、圖2B中，表示出了當在透明基材的兩面上疊層銅層和黑化層時，以透明基材11為對稱面以在透明基材11的上下所疊層的層對稱的方式進行配置的例子，但並不限定於該形態。例如，可以在圖2B中，使透明基材11的一個表面11a側的結構與圖1B的結構同樣，設為不設置黏著層14A而依次疊層銅層12A和黑化層13A的形態，使在透明基材11上下所疊層的層為非對稱的結構。

另一方面，藉由在本實施方式的導電性基板中在透明基材上設置了銅層和黑化層，因此能抑制由於銅層所引起的光的反射，抑制導電性基板的反射率。

對於本實施方式的導電性基板的反射的程度並無特別限定，例如為了提高用作液晶觸控面板用的導電性基板時的顯示器的可視性，反射率較低者為佳。例如，優選波長400nm以上且700nm以下的光的平均反射率為40%以下，更優選為35%以下。

對於反射率的測量，可以藉由對導電性基板的黑化層照射光來進行測量。具體來說，例如當如圖1A所示在透明基材11的一個面11a側依次疊層銅層12、黑化層13時，以向黑化層13照射光的方式對黑化層13的表面A照射光並進行測量。在測量時可以按照例如波長1nm的間隔如 上所述對導電性基板的黑化層13照射波長400nm以上且700nm以下的光，將所測量的值的平均值作為該導電性基板的反射率。

本實施方式的導電性基板可以優選用作液晶觸控面板用的導電性基板。此時導電性基板可以為具有網(mesh)狀的配線的結構。

具有網狀配線的導電性基板可以藉由對上述本實施方式的導電性基板的銅層及黑化層進行蝕刻來得到。

例如，可以利用兩層的配線來形成網狀的配線。具體的結構例如圖3所示。圖3表示出從銅層等的疊層方向的上面側觀察具有網狀配線的導電性基板30的圖，為了容易分辨配線圖案，省略了透明基材、以及將銅層圖案化所形成的配線31A、31B以外的層。另外，亦表示出透過透明基材11所能看到的配線31B。

圖3所示的導電性基板30具有透明基材11、平行於圖中Y軸方向的複數條配線31A、及平行於X軸方向的配線31B。需要說明的是，配線31A、31B藉由蝕刻銅層而形成，在該配線31A、31B的上表面及/或下表面上形成未示出的黑化層。另外，將黑化層蝕刻成與配線31A、31B相同的形狀。

對透明基材11和配線31A、31B的配置並無特別限定。透明基材11和配線的配置的結構示例如圖4A、圖4B所示。圖4A、圖4B相當於圖3的A-A’線上的剖面圖。

首先，如圖4A所示，可以在透明基材11的上下表面分別設置配線31A、31B。需要說明的是，在圖4A中，在配線31A的上表面及31B的下表面，設置有被蝕刻成與配線相同形狀的黑化層32A、32B。

另外，如圖4B所示，可以使用1組透明基材11，夾著一個透明基材11A並在上下表面設置配線31A、31B，並且將一個配線31B設置在透明基材11之間。此時在配線31A、31B的上表面亦設置有被蝕刻成與配線相同形狀的黑化層32A、32B。需要說明的是，如上所述，除了銅層和黑化層以外亦可以設置黏著層。因此，在圖4A、圖4B任意一個情形中，例如亦可以在配線31A及/或配線31B與透明基材11之間設置黏著層。當設置黏著層時，優選可以將黏著層亦蝕刻為與配線31A、31B相同的形狀。

圖3及圖4A所示的具有網狀配線的導電性基板例如可以由如圖1B所示在透明基材11的兩面上具有銅層12A、12B、黑化層13A、13B的導電性基板形成。

若以使用圖1B的導電性基板來形成的情形為例進行說明，則首先以平行於圖1B中Y軸方向的複數個線狀的圖案沿X軸方向空出預定間隔來配置的方式，對透明基材11的一個面11a側的銅層12A及黑化層13A進行蝕刻。需要說明的是，圖1B中的X軸方向意味著與各層的寬度方向平行的方向。另外，圖1B中的Y軸方向意味著與圖1B中的紙面垂直的方向。

接著，以平行於圖1B中X軸方向的複數個線狀的圖案空出預定間隔來沿Y軸方向配置的方式，對透明基材11的另一個面11b側的銅層12B及黑化層13B進行蝕刻。

藉由以上操作，能夠形成如圖3、圖4A所示的具有網狀配線的導電性基板。需要說明的是，亦可以對透明基材11的兩面同時進行蝕刻。換言之，可以同時進行銅層12A、12B、黑化層13A、13B的蝕刻。另 外，在圖4A中，對於具有在配線31A、31B與透明基材11之間進一步被圖案化成與配線31A、31B相同形狀的黏著層的導電性基板，可藉由使用圖2B所示的導電性基板同樣進行蝕刻來製作。

圖3所示的具有網狀配線的導電性基板亦可以使用2片圖1A或圖2A所示的導電性基板而形成。若以使用2片圖1A的導電性基板來形成的情形為例進行說明，則針對2片圖1A所示的2片導電性基板，以平行於X軸方向的複數個線狀圖案空出預定間隔而沿Y軸方向配置的方式，分別對銅層12及黑化層13進行蝕刻。接著，可以藉由以利用上述蝕刻處理而在各導電性基板上所形成的線狀的圖案相互交叉的方式對準方向而將2片導電性基板貼合，從而形成具有網狀配線的導電性基板。對於將2片導電性基板貼合時的貼合面並無特別限定。例如，亦可以將疊層有銅層12等的圖1A中的表面A、與未疊層有銅層12等的圖1A中的另一個面11b貼合，從而形成圖4B所示的構造。

另外，亦可以例如將透明基材11的未疊層有銅層12等的圖1A中的另一面11b彼此貼合而使剖面為圖4A所示的構造。

需要說明的是，在圖4A、圖4B中，對於在配線31A、31B與透明基材11之間進一步具有被圖案化成與配線31A、31B相同形狀的黏著層的導電性基板，可以使用圖2A所示的導電性基板來代替圖1A所示的導電性基板而進行製作。

對於圖3、圖4A、圖4B所示的具有網狀配線的導電性基板中的配線的寬度、或配線間的距離並無特別限定，例如可以根據配線中流動的電流量等來選擇。

但是，根據本實施方式的導電性基板，具有使用上述黑化鍍液所形成的黑化層，即使對黑化層和銅層同時進行蝕刻、圖案化，亦能夠將黑化層及銅層圖案化成所期望的形狀。具體來說，例如能夠形成配線寬度為10μm以下的配線。因此，本實施方式的導電性基板優選包含配線寬度為10μm以下的配線。對於配線寬度的下限值並無特別限定，例如可以為3μm以上。

另外，在圖3、圖4A、圖4B中，示出了將直線形狀的配線31A、31B組合而形成網狀的配線(配線圖案)的例子，但並不限定於該形態，構成配線圖案的配線可以為任意的形狀。例如，亦可以以與顯示器的圖像之間不產生疊紋(干涉環)的方式，將構成網狀配線圖案的配線的形狀分別形成為呈鋸齒狀彎曲的線(鋸齒形直線)等各種形狀。

具有如此由2層配線構成的網狀的配線的導電性基板例如可以優選用作投影型電容式的觸控面板用的導電性基板。

依據上述的本實施方式的導電性基板，具有在銅層上疊層黑化層的構造，該銅層形成在透明基材的至少一個面上。並且，由於使用上述黑化鍍液來形成黑化層，因此如上所述，當利用蝕刻對銅層和黑化層進行圖案化時，能夠容易地將黑化層圖案化成所期望的形狀。

另外，本實施方式的導電性基板中所包含的黑化層能夠充分地抑制銅層表面上的光反射，並能夠形成抑制了反射率的導電性基板。另外，例如當用於觸控面板等用途時能夠提高顯示器的可視性。

再有，由於能夠使用上述黑化鍍液利用濕式法來形成黑化層，因此與以往的利用乾式法對黑化層進行成膜的情況相比，能夠以較好 的生產率來生產導電性基板。

(導電性基板之製造方法)

接著，對本實施方式的導電性基板之製造方法的一個構成示例進行說明。

本實施方式的導電性基板之製造方法具有以下步驟。

在透明基材的至少一個面上形成銅層的銅層形成步驟。

使用黑化鍍液在銅層上形成黑化層的黑化層形成步驟。

需要說明的是，作為黑化鍍液，可以使用上述的黑化鍍液，具體來說含有鎳離子、鋅離子、銅離子、胺基磺酸以及氨，鋅離子濃度為0.34g/l以上，銅離子濃度為0.20g/l以上的黑化鍍液。

以下對本實施方式的導電性基板之製造方法具體進行說明。

需要說明的是，可利用本實施方式的導電性基板之製造方法來良好地製造上述導電性基板。因此，由於除了以下說明的點以外均為與上述導電性基板的情況同樣的結構因此省略一部分說明。

可以預先準備用於銅層形成步驟的透明基材。對於使用的透明基材的種類並無特別限定，如上所述可優選使用使可見光透射的樹脂基板(樹脂薄膜)或玻璃基板等透明基材。亦可根據需要將透明基材預先切割成任意的尺寸。

並且，如上所述，銅層優選具有銅薄膜層。另外，銅層亦可具有銅薄膜層和銅鍍層。因此，銅層形成步驟例如可具有利用乾式鍍覆法形成銅薄膜層的步驟。另外，銅層形成步驟可具有利用乾式鍍覆法形成銅薄膜層的步驟、以及藉由以銅薄膜層為供電層利用作為濕式鍍覆法的一種 的電鍍法來形成銅鍍層的步驟。

作為用於形成銅薄膜層的步驟的乾式鍍覆法，並無特別限定，例如可使用蒸鍍法、濺射法、或離子鍍覆法等。需要說明的是，作為蒸鍍法，可以優選使用真空蒸鍍法。作為用於形成銅薄膜層的步驟的乾式鍍覆法，特別是從容易控制膜厚的觀點來看，更優選使用濺射法。

接著對形成銅鍍層的步驟進行說明。對於利用濕式鍍覆法形成銅鍍層的步驟中的條件、亦即電鍍處理的條件並無特別限定，採用根據常法的諸條件即可。例如，可藉由向注入有銅鍍液的鍍槽中供給形成有銅薄膜層的基材，並對電流密度或基材的輸送速度進行控制來形成銅鍍層。

接著，對黑化層形成步驟進行說明。

在黑化層形成步驟中，可以使用上述的含有鎳離子、鋅離子、銅離子、胺基磺酸、以及氨，鋅離子濃度為0.34g/l以上，銅離子濃度為0.20g/l以上的黑化鍍液來形成黑化層。

黑化層可以利用濕式法來形成。具體來說，例如可以使用銅層作為供電層，在含有上述黑化鍍液的鍍槽內，利用電鍍法在銅層上形成黑化層。藉由這樣以銅層為供電層利用電鍍法來形成黑化層，從而能夠在銅層的與透明基材相對的面的相反側的面的整面上形成黑化層。

對於黑化鍍液上面已經說明，因此省略說明。

在本實施方式的導電性基板之製造方法中，除了上述步驟以外，亦可以實施任意的步驟。

例如當在透明基材與銅層之間形成黏著層時，可以實施在透明基材的形成有銅層的面上形成黏著層的黏著層形成步驟。當實施黏著層 形成步驟時，銅層形成步驟可在黏著層形成步驟之後實施，在銅層形成步驟中，可以在本步驟中在透明基材上形成有黏著層的基材上形成銅薄膜層。

在黏著層形成步驟中，對於黏著層的成膜方法不無特別限定，優選利用乾式鍍覆法來進行成膜。作為乾式鍍覆法，例如可優選使用濺射法、離子鍍覆法、或蒸鍍法等。當利用乾式法來對黏著層進行成膜時，從易於控制膜厚的觀點來看，可更優選使用濺射法。需要說明的是，如上所述可以在黏著層中添加選自碳、氧、氫、氮的1種以上的元素，此時可進一步優選使用反應性濺射法。

由本實施方式的導電性基板之製造方法得到的導電性基板例如可用於觸控面板等各種用途。並且，用於各種用途時，優選對本實施方式的導電性基板中包含的銅層及黑化層進行圖案化。需要說明的是，當設有黏著層時，優選對黏著層亦進行圖案化。對於銅層、黑化層、有時還有黏著層，例如可以按照所期望的配線圖案來進行圖案化，優選將銅層、黑化層、有時還有黏著層圖案化成相同形狀。

因此，本實施方式的導電性基板之製造方法可具有對銅層及黑化層進行圖案化的圖案化步驟。需要說明的是，當形成有黏著層時，圖案化步驟可以為對黏著層、銅層、及黑化層進行圖案化的步驟。

對於圖案化步驟的具體工序並無特別限定，可利用任意工序來實施。例如，如圖1A所示，當為在透明基材11上疊層有銅層12及黑化層13的導電性基板10A時，首先可實施在黑化層13上的表面A上設置具有所期望圖案的抗蝕劑的抗蝕劑設置步驟。接著，可實施向黑化層13的上表面、亦即設置有抗蝕劑的一面側供給蝕刻液的蝕刻步驟。

對於在蝕刻步驟中使用的蝕刻液並無特別限定。但是，由本實施方式的導電性基板之製造方法所形成的黑化層顯示出與銅層大致同樣的針對蝕刻液的反應性。因此，對於在蝕刻步驟中所使用的蝕刻液並無特別限定，可以優選使用一般用於銅層蝕刻的蝕刻液。

作為蝕刻液，例如可以優選使用含有選自硫酸、過氧化氫(過氧化氫水)、鹽酸、氯化銅、氯化鐵的1種以上的混合水溶液。對於蝕刻液中各成分的含量並無特別限定。

蝕刻液亦可以在室溫下使用，但為了提高反應性可以加熱後使用，例如可以加熱至40℃以上50℃以下使用。

另外，如圖1B所示，可實施對在透明基材11的一個面11a、另一個面11b上疊層有銅層12A、12B、黑化層13A、13B的導電性基板10B亦進行圖案化的圖案化步驟。此時，例如可實施在黑化層13A、13B上的表面A、表面B上設置具有所期望的圖案的抗蝕劑的抗蝕劑設置步驟。接著，可實施向黑化層13A、13B上的表面A及表面B、亦即設置有抗蝕劑的面側供給蝕刻液的蝕刻步驟。

對於在蝕刻步驟中形成的圖案並無特別限定，其可以為任意的形狀。例如在圖1A所示的導電性基板10A的情況中，可以如上所述以包含複數條直線或呈鋸齒狀彎曲的線(鋸齒形直線)的方式對銅層12及黑化層13形成圖案。

另外，在圖1B所示的導電性基板10B的情況中，可以設為網狀配線的方式在銅層12A和銅層12B上形成圖案。此時，優選以黑化層13A為與銅層12A同樣的形狀、黑化層13B為與銅層12B同樣的形狀的方 式來分別進行圖案化。

另外，例如亦可以在圖案化工程中對上述導電性基板10A的銅層12等進行了圖案化後，實施將圖案化的2片以上的導電性基板疊層的疊層步驟。進行疊層時，例如亦可以藉由以各導電性基板的銅層的圖案交叉的方式進行疊層，從而得到具有網狀配線的疊層導電性基板。

關於對疊層了2片以上的導電性基板進行固定的方法並無特別限定，例如可以利用黏接劑等來進行固定。

利用上述的本實施方式的導電性基板之製造方法所得到的導電性基板具有在銅層上疊層黑化層的構造，該銅層形成在透明基材的至少一個面上。並且，由於使用上述黑化鍍液來形成黑化層，因此如上所述，當利用蝕刻對銅層和黑化層進行圖案化時，能夠容易地將黑化層圖案化成所期望的形狀。

另外，利用本實施方式的導電性基板之製造方法所得到的導電性基板中所包含的黑化層能夠充分地抑制銅層表面上的光反射，並能夠形成抑制了反射率的導電性基板。另外，例如當用於觸控面板等用途時能夠提高顯示器的可視性。

再有，由於能夠使用上述黑化鍍液利用濕式法來形成黑化層，因此與以往的利用乾式法對黑化層進行成膜的情況相比，能夠以較好的生產率來生產導電性基板。

<實施例>

以下，列舉具體的實施例及比較例來進行說明，但本發明並不限定於這些實施例。

(評價方法)

首先，對所得到的導電性基板的評價方法進行說明。

(1)反射率

在紫外線可見光分光光度計(島津製作所股份有限公司製，型號：UV-2600)設置反射率測量單元來進行了測量。

如下所述，在各實驗例中製作了具有圖1A所示構造的導電性基板。因此，針對圖1A所示的導電性基板10A的黑化層13的表面A以入射角5°、受光角5°，以波長1nm間隔照射波長400nm以上且700nm以下的光並測量反射率(鏡面反射率)，將其平均值作為該導電性基板的波長400nm以上且700nm以下的光的平均反射率(平均反射率)。

(2)蝕刻特性

首先，利用貼合法在以下實驗例中所得到的導電性基板的黑化層表面上黏貼乾薄膜抗蝕劑(日立化成RY3310)。接著，透過光掩膜進行紫外線曝光，並進一步利用1%碳酸鈉水溶液將抗蝕劑溶解並顯影。由此，製作了具有抗蝕劑寬度在3.0μm以上10.0μm以下的範圍內按每0.5μm不同的圖案的樣品。換言之，形成了抗蝕劑寬度為3.0μm、3.5μm、4.0μm…9.5μm、10.0μm的按每0.5μm不同的15種線狀的圖案。

接著，將樣品在由硫酸10重量%、過氧化氫3重量%組成的30℃的蝕刻液中浸漬40秒鐘，之後用氫氧化鈉水溶液將乾薄膜抗蝕劑剝離並除去。

用200倍的顯微鏡觀察所得到的樣品，求出在導電性基板中殘留的金屬配線的配線寬度的最小值。

在剝離抗蝕劑之後，在導電性基板中殘留的金屬配線的配線寬度的最小值越小，則意味著銅層與黑化層的針對蝕刻液的反應性越接近相同，當殘留的金屬配線的配線寬度的最小值為10μm以下時，可以視為合格。另外，當未能形成配線寬度為10μm的金屬配線時為不合格，在表2中表示為“>10μm”。

(樣品的製作條件)

在以下的各實驗例中，按照下述的條件製作導電性基板，利用上述評價方法進行了評價。

實驗例1~實驗例13是實施例，實驗例14、實驗例15為比較例。

[實驗例1]

(1)黑化鍍液

在實驗例1中，調製含有鎳離子、鋅離子、銅離子、胺基磺酸、氨的黑化鍍液。需要說明的是，在黑化鍍液中，藉由添加硫酸鎳六水合物、硫酸鋅七水合物、硫酸銅五水合物來供給鎳離子、鋅離子、銅離子。

並且，以黑化鍍液中的鎳離子的濃度為9.9g/l、鋅離子的濃度為1.09g/l、銅離子的濃度為0.20g/l、胺基磺酸的濃度為11g/l的方式添加調製各成分。

另外，在黑化鍍液中添加氨水，將黑化鍍液的pH值調節為6。

(2)導電性基板

(銅層形成步驟)

在長度100m、寬度500mm、厚度100μm的細長狀的聚對苯二甲酸乙二酯樹脂(PET)製的透明基材的一個面上進行成膜形成銅層。需要說明的是，對於用作透明基材的聚對苯二甲酸乙二酯樹脂製的透明基材，當利用JIS K 7361-1所規定的方法對全光線透射率進行評價後為97%。

在銅層形成步驟中，實施了銅薄膜層形成步驟、以及銅鍍層形成步驟。

首先，對銅薄膜層形成步驟進行說明。

在銅薄膜層形成步驟中，使用上述透明基材作為基材，在透明基材的一個面上形成銅薄膜層。

在銅薄膜層形成步驟中，首先，將預先加熱至60℃除去水分的上述透明基材設置在濺射裝置的腔室內。

接著，將腔室內排氣至1×10^-3Pa後，導入氬氣，使腔室內的壓力為1.3Pa。

向在濺射裝置的陰極上預先設置的銅靶供給電力，以厚度為0.2μm的方式在透明基材的一個面上進行成膜形成銅薄膜層。

接著，在銅鍍層形成步驟中形成銅鍍層。對於銅鍍層，利用電鍍法以銅鍍層的厚度為0.3μm的方式進行成膜。

藉由實施以上的銅薄膜層形成步驟以及銅鍍層形成步驟，從而形成厚度0.5μm的銅層作為銅層。

將在銅層形成步驟中所製作的在透明基材上形成有0.5μm的銅層的基板浸漬到20g/l的硫酸中30秒，在清洗之後實施以下的黑化層形成步驟。

(黑化層形成步驟)

在黑化層形成步驟中，使用上述的本實驗例的黑化鍍液利用電鍍法在銅層的一個面上形成黑化層。需要說明的是，在黑化層形成步驟中以黑化鍍液的溫度為40℃、電流密度為0.2A/dm²、鍍覆時間為100秒的條件進行電鍍，形成黑化層。

所形成的黑化層的膜厚為70nm。

針對利用上述步驟所得到的導電性基板實施了上述的反射率及蝕刻特性的評價。結果如表2、表3所示。需要說明的是，表2是蝕刻特性的評價結果，表示出金屬配線殘留的最小抗蝕劑寬度。另外，表3表示出反射率的評價結果。

在表2、表3中與表1所示的實驗例的號碼對應的地方表示出各實驗例的結果。例如作為在表1中作為實驗例1所示出的鋅離子濃度為1.09g/l、並且銅離子濃度為0.20g/l的地方，在表2、表3中亦表示出實驗例1的結果。

[實驗例2~實驗例15]

除了在調製黑化鍍液時針對各實驗例將黑化鍍液內的鋅離子的濃度及銅離子的濃度變更為表1所示的值以外，與實驗例1同樣地調製了黑化鍍液。

需要說明的是，例如對於實驗例2的情況，鋅離子的濃度為0.34g/l，銅離子的濃度為0.31g/l。

另外，除了在形成黑化層時使用在各實驗例中所製作的黑化鍍液以外，與實驗例1同樣地製作導電性基板，並進行了評價。

結果如表2、3所示。

根據表2所示的結果能夠確認，使用作為含有鎳離子、鋅離子、銅離子、胺基磺酸、以及氨、並且鋅離子濃度為0.34g/l以上，銅離子濃度為 0.20g/l以上的實驗例1~實驗例13的黑化鍍液形成黑化層、在蝕刻後所殘留的金屬配線的圖案的配線寬度的最小值為10μm以下。因此能夠確認，當使用這些黑化鍍液進行黑化層的成膜的情況下，能夠形成當與銅層一起進行蝕刻時能夠圖案化成所期望圖案的黑化層。另外，根據表3所示的結果能夠確認，使用實驗例1~實驗例13的黑化鍍液形成了黑化層的導電性基板的波長400nm以上700nm以下的光的鏡面反射率的平均值(反射率)亦為40%以下。

相對於此，能夠確認，在作為比較例的實驗例14、15中，未能形成配線寬度為10μm的金屬配線。因此能夠確認，當使用這些黑化鍍液進行黑化層的成膜、並與銅層一起進行蝕刻時，難以將黑化層圖案化成所期望的圖案。另外，能夠確認，對於實驗例15，波長400nm以上700nm以下的光的鏡面反射率的平均值(反射率)亦超過40%。

以上藉由實施方式及實施例等對黑化鍍液、導電性基板之製造方法進行了說明，但本發明並不限定上述實施方式及實施例等。在申請專利範圍所記載的本發明的主旨的範圍內，可進行各種變形、變更。

本申請案係主張基於2016年1月29日向日本國特許廳申請的日本專利申請案第2016-016585號的優先權，該日本專利申請案第2016-016585號的全部內容係藉由參照而併入本國際申請中。

10A‧‧‧導電性基板

11‧‧‧透明基材

11a‧‧‧一個面

11b‧‧‧另一個面

12‧‧‧銅層

13‧‧‧黑化層

Claims (3)

1. 一種黑化鍍液，其含有鎳離子、鋅離子、銅離子、胺基磺酸、以及氨，鋅離子濃度為0.34g/l以上，銅離子濃度為0.20g/l以上。
2. 如申請專利範圍第1項之黑化鍍液，其pH值為4.0以上6.5以下。
3. 一種導電性基板之製造方法，其具有如下步驟：銅層形成步驟：在透明基材的至少一個面上形成銅層；與黑化層形成步驟：使用申請專利範圍第1或2項之黑化鍍液在該銅層上形成黑化層。