TW201310318A - 觸控面板基板及光電裝置 - Google Patents

Abstract

本發明之觸控面板基板中，設置於絕緣基板(21)與對向電極(27)之間的感測電極(31)經由絕緣層而與格子狀之金屬橋(35)電性連接。

Description

觸控面板基板及光電裝置

本發明係關於一種於內嵌式(In-cell)觸控面板中使用之觸控面板基板及包括該觸控面板基板之光電裝置。

近年來，為了謀求裝置之小型化，顯示部與輸入部一體化之顯示裝置等光電裝置得到廣泛普及。尤其係於行動電話、PDA(Personal Digital Assistants，個人數位助理)、筆記型個人電腦等移動終端中，廣泛使用有包括若使手指或輸入用的筆接觸顯示表面則可檢測到該接觸位置之觸控面板的顯示裝置。

作為觸控面板，先前已知所謂電阻膜(感壓)方式或靜電電容方式等各種類型之觸控面板。其中，廣泛使用採用靜電電容方式之所謂靜電電容型觸控面板。

於靜電電容型觸控面板中，藉由檢測使手指或輸入用的筆接觸顯示畫面時之靜電電容之變化，而檢測接觸位置。因此，可以簡便之操作來檢測接觸位置。

又，於靜電電容型觸控面板中，由於無需如採用電阻膜方式之觸控面板般經由空氣層而形成2片導電膜，故而空氣層與導電膜之界面上，外部光不會產生界面反射。

然而，另一方面，由於靜電電容型觸控面板係藉由檢測靜電電容之變化而檢測接觸位置，故而，若觸控面板受到來自外部之雜訊之影響，則會因該雜訊而導致電力線變化，從而有無法正確地檢測接觸位置之虞。

先前，作為觸控面板，廣泛使用有搭載於顯示面板外側之外掛式(Out-Cell)或堆疊式(On-Cell)觸控面板(例如參照專利文獻1)。

然而，於將觸控面板設置於顯示面板外側之情形時，當一面進行顯示一面進行觸控面板動作時，自顯示面板產生輻射雜訊，故而存在觸控面板所受到之雜訊量增加之問題。

因此，於將觸控面板設置於顯示面板外側之情形時，SN比(Signal-to-Noise)(信號雜訊比)降低，其結果，觸控面板之檢測性能降低，因此，有誤檢測出接觸位置之虞。

又，於將觸控面板設置於顯示面板外側之情形時，因於顯示面板上重疊設置觸控面板，故而產生裝置整體之厚度或重量增大之問題。

而且，藉由在顯示面板之外側搭載觸控面板，而不僅於觸控面板之表面，且於觸控面板與顯示面板之界面亦將外部光反射，因此，會對於對比度或視認性造成不良影響。又，因於顯示面板之外側搭載觸控面板，故亦會因觸控面板自身而導致視認性降低。

因此，近年來，就薄型輕量化及視認性之提昇、以及因內嵌化所致之零件個數削減等成本優勢之觀點而言，於顯示面板等中之單元內組裝有觸控面板之內嵌(In-Cell)式觸控面板之開發不斷得到發展(例如參照專利文獻2、3、5)。

作為內嵌式觸控面板，可代表性地列舉以下構造，即，於構成顯示面板或顯示裝置等光電裝置的TFT(薄膜電晶 體，Thin Film Transistor)基板等陣列基板、與CF(彩色濾光片，Color Filter)基板等對向基板之間，插入作為檢測物體之接觸位置之位置檢測電極的所謂感測電極。

於專利文獻2、3、5中，作為於CF基板中之絕緣基板、與包含ITO(氧化銦錫，Indium Tin Oxides)之透明的對向電極之間插入感測電極而構成內嵌式觸控面板的觸控面板基板(換言之，內嵌式之觸控面板基板)，係使用CF基板。

圖64係表示專利文獻2所記載之顯示裝置之構成之剖面圖，圖65係自沿圖64所示之H-H線之剖面觀察之感測電極之構成之平面圖。

如圖64所示，專利文獻2所記載之顯示裝置300包括於TFT基板301與CF基板302之間夾持有液晶層303的顯示面板304。

於CF基板302中之絕緣基板311與對向電極319(共通電極)之間，設置有包括遮光部316(BM)、及設置於鄰接之遮光部316間之複數個著色層317(CF)的CF層318。又，於CF層318與絕緣基板311之間設置有第1電極層312及第2電極層314作為感測電極。於第1電極層312與第2電極層314之間設置有絕緣層313。

如圖64及圖65所示，第1電極層312包括沿第1方向延伸之直線狀之管線部312a、及自管線部312a凸出之凸出部312b。又，第2電極層314包括沿與第1方向正交之第2方向延伸之直線狀之管線部314a、及自管線部314a凸出之凸出部314b。

圖66係按照積層順序示意性地表示用作構成內嵌式觸控面板的觸控面板基板之、專利文獻2、3中所記載之顯示裝置300中之CF基板302的主要部分之構成的剖面圖。再者，圖66相當於示意性地表示圖64所示之顯示裝置300中之CF基板302之主要部分之構成的剖面圖。

再者，於專利文獻1中，如圖64所示，於CF層318與對向電極319之間，自CF層318側設置有絕緣層320及屏蔽電極321，但此處，省略了絕緣層320及屏蔽電極321之圖示。又，於圖66中，積層並記載有遮光部316(BM)與著色層317(CF)，但如圖64所示，遮光部316與著色層317係設置於大致同層。

再者，於專利文獻2、3中揭示有，亦可使用例如圖案化成格子狀(網狀)之金屬來代替面狀(片狀)之透明導電體作為第1電極層312及第2電極層314。

又，專利文獻5中揭示有將黑矩陣層用於經由絕緣層而對向配置的構成感測電極的一導電層。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本公開專利公報「特開2010-72584號公報(2010年4月2日公開)」

[專利文獻2]日本公開專利公報「特開2010-72581號公報(2010年4月2日公開)」

[專利文獻3]日本公開專利公報「特開2010-160745號公報(2010年7月22日公開)」

[專利文獻4]美國專利第6452514號(2002年9月17日註冊)

[專利文獻5]日本國專利公報「第3526418號公報(2004年2月27日註冊)」

然而，如圖66或專利文獻5所示，若將感測電極設為包括例如如第1電極層312與第2電極層314之2層構造般經由絕緣層而積層之導電層的2層構造，則第2電極層314與對向電極319之間之距離變近，且寄生電容變大。若寄生電容較大，則有無法正確地進行位置檢測之虞，從而有觸控面板無法正常地動作之虞。

又，若僅利用透明導電體(即透明電極)構成第1電極層312及第2電極層314，則配線電阻變大。因此，CR時間常數(電容×電阻)變大，而有觸控面板無法正常地動作之虞。又，為了使觸控面板可進行動作，存在製程成本較大之課題。

另一方面，於利用格子狀之金屬來形成第1電極層312及第2電極層314之情形時，與利用面狀之透明電極形成第1電極層312及第2電極層314之情形相比，寄生電容變小。然而，即便於該情形時，因將感測電極設為第1電極層312與第2電極層314之2層構造，亦會導致第2電極層314與對向電極319之間之距離較近，寄生電容較大。

又，於利用格子狀之金屬來形成第1電極層312及第2電極層314之情形時，檢測信號變小，而有觸控面板無法正 常地動作之虞。

如上述般，寄生電容或配線電阻會較大地影響觸控面板之性能及動作。

本發明係鑒於上述問題而完成者，其目的在於提供一種位置檢測性能高、可進行穩定之位置檢測動作的、用於內嵌式觸控面板中的觸控面板基板及包括該觸控面板基板之光電裝置。

尤其是，本發明之目的在於提供一種配線電阻較小之觸控面板基板及包括該觸控面板基板之光電裝置。又，本發明之進一步之目的在於提供一種寄生電容較小之觸控面板基板及包括該觸控面板基板之光電裝置。

為了解決上述課題，本發明之觸控面板基板之特徵在於：其用作為夾持光電元件之一對基板中之一基板，設置有根據靜電電容之變化而對檢測對象物之指示座標之位置進行檢測的位置檢測電極，且包括絕緣基板、對上述光電元件施加電場之光電元件驅動電極、及與上述光電元件驅動電極絕緣地設置於上述絕緣基板與光電元件驅動電極之間之上述位置檢測電極，且上述位置檢測電極至少包括於第1方向排列且包含透明之電極的複數個第1電極；至少上述第1電極經由絕緣層而與格子狀之金屬配線電性連接。

根據上述構成，上述位置檢測電極至少包括上述第1電極，藉由使上述第1電極經由絕緣層而與格子狀之金屬配線電性連接，可於確保光之穿透率及透明區域之面積之狀 態下，謀求位置檢測電極之低電阻化。因此，於將顯示面板搭載於上述觸控面板基板上之情形時，可於確保該顯示面板之開口率之狀態下，謀求位置檢測電極之低電阻化。

又，如上所述，由於可使位置檢測電極低電阻化，故而可減小CR時間常數。

因此，根據上述構成，可提供一種位置檢測性能高、且可進行穩定之位置檢測動作之觸控面板基板。

又，為了解決上述課題，本發明之光電裝置之特徵在於包括光電元件、及夾持上述光電元件之一對基板，且上述一對基板中之一基板係上述觸控面板基板。

根據上述構成，藉由將上述觸控面板基板用作上述一對基板中之一基板，可提供一種位置檢測性能高、且可進行穩定之位置檢測動作的包括內嵌式觸控面板的觸控面板一體式光電裝置。

如上所述，本發明之觸控面板基板及光電裝置中，設置於絕緣基板與光電元件驅動電極之間之位置檢測電極至少包括第1電極，藉由使上述第1電極經由絕緣層而與格子狀之金屬配線電性連接，可於確保光之穿透率及透明區域之面積之狀態下，謀求位置檢測電極之低電阻化。因此，於將上述觸控面板基板搭載於顯示面板上之情形時，可於確保該顯示面板之開口率之狀態下，謀求位置檢測電極之低電阻化。

又，如上所述，由於可使位置檢測電極低電阻化，故而 可減小CR時間常數。

因此，根據上述構成，可提供一種位置檢測性能高、且可進行穩定之位置檢測動作的用於內嵌式觸控面板中的觸控面板基板及包括該觸控面板基板之光電裝置。

以下，對本發明之實施形態詳細地進行說明。

[實施形態1]

若基於圖1至圖19之(a)~(e)對本發明之實施之一形態進行說明，則如下所述。

再者，以下，於本實施形態中，作為包括內嵌式觸控面板之光電裝置，以液晶顯示裝置為例進行說明，但本實施形態並不限定於此。

<液晶顯示裝置及液晶面板之概略構成>

圖1係表示本實施形態之液晶顯示裝置之主要部分之概略構成之剖面圖。

如圖1所示，本實施形態之液晶顯示裝置1(顯示裝置)包括液晶面板2(顯示面板)、對液晶面板2照射光之背光裝置3(照明裝置)、及未圖示之驅動電路等。

再者，背光裝置3之構成與先前相同。因此，省略背光裝置3之構成之說明。作為背光裝置3，例如可適當使用邊緣照明(edge light)型或正下方型面光源裝置等。

本實施形態之液晶顯示裝置1係包括於液晶面板2中之液晶單元4(顯示單元)之內部組裝有觸控面板之內嵌式觸控面板的觸控面板一體化式液晶顯示裝置。又，液晶面板2係 包括如上所述般於液晶單元4之內部組裝有觸控面板之內嵌式觸控面板基板的觸控面板一體式液晶面板。液晶面板2兼備圖像顯示功能及靜電電容方式之觸控面板功能。

於液晶單元4之外側，以夾持液晶單元4之方式分別設置有例如於與液晶單元4之間設置有相位差板7、8之偏光板5、6(圓偏光板)。偏光板5、6例如以偏光板5、6之穿透軸方位相互正交之方式配置。

<液晶單元4之概略構成>

液晶單元4包括相互對向設置之一對基板10、20作為電極基板(陣列基板、元件基板)及對向基板。

於該等一對基板10、20間夾持有液晶層50作為光電元件。液晶層50係藉由電場之施加而光學調變之光學調變層之一種，且用作顯示用之介質層。

該等一對基板10、20間由設置於該等基板10、20之端部之密封材料60密封。

顯示面側(觀察者側)之基板20係具有靜電電容方式之觸控面板功能的觸控面板基板，於基板20之密封材料60之外側設置有觸控面板之端子部40。

於端子部40，例如安裝有未圖示之IC(Integrated Circuit，積體電路)晶片作為電子電路，並且安裝有未圖示之FPC(可撓性印刷電路，Flexible Print Circuit)基板等作為用以傳輸圖像顯示用及位置檢測用之信號等的薄膜基板。

IC晶片例如包括設置於基板10上之閘極線或源極線等配 線連接而成的驅動電路、或用以對檢測對象物之座標位置進行檢測的位置檢測電路等。

基板10、20分別包括例如包括透明之玻璃基板之絕緣基板11、21。其中，該等一對基板10、20中之用作觸控面板基板之顯示面側之基板20透明即可，背光裝置3側之基板10中之絕緣基板並非必須透明。又，於基板10、20之相互之對向面，視需要而設置有未圖示之配向膜。

其次，對各基板10、20之構成進行說明。

<基板10>

基板10(第1基板)為陣列基板。例如使用TFT(薄膜電晶體)基板等主動矩陣(active matrix)基板作為基板10。

基板10具有如下構成，即，於絕緣基板11上設置有未圖示之閘極絕緣膜、複數條閘極線及源極線、TFT(薄膜電晶體)等開關元件、層間絕緣膜、像素電極、以及配向膜等。

再者，可使用周知之陣列基板作為上述陣列基板。因此，此處省略其詳細之說明及圖示。

又，上述液晶面板2之驅動方式(顯示方式)並無特別限定，可採用VA(Vertical Alignment，垂直配向)方式、TN(Twisted Nematic，扭轉向列)方式等各種方式。

<基板20>

基板20(第2基板)為與基板10(陣列基板)對向配置之對向基板。例如使用設置有各色之CF(彩色濾光片)層(著色層)之CF基板作為基板20。

基板20包括根據靜電電容之變化而對檢測對象物之指示座標之位置進行檢測的感測電極(位置檢測電極)，且組裝至液晶單元4中，而用作構成內嵌式觸控面板的觸控面板基板。

感測電極藉由根據靜電電容之變化對檢測對象物對液晶面板2之顯示面之接觸進行檢測，而檢測與液晶面板2之顯示面接觸之檢測對象物之指示座標之位置。

因此，作為檢測對象物，只要為引起靜電電容之變化之物體，並無特別限定，例如可使用手指或觸控筆等導體。

圖2係按照積層順序示意性地表示基板20之主要部分之構成之剖面圖。

首先，以下，參照圖1及圖2對基板20之積層構造進行說明。

<積層構造>

如圖1及圖2所示，基板20包括絕緣基板21、觸控面板層23、樹脂層24、對向電極27(光學元件驅動電極、共通電極)、及未圖示之配向膜，且係依序積層該等構成要素(構件)而形成。

如圖1及圖2所示，觸控面板層23包括感測電極31(位置檢測電極)、絕緣層34、及與感測電極31橋接之金屬橋(metal bridge)35(金屬配線)。金屬橋35與感測電極31電性連接。

該等感測電極31、絕緣層34、金屬橋35依序積層於絕緣基板21上。

又，如圖2所示，感測電極31包括複數個島狀之電極32(第1電極)及複數個島狀之電極33(第2電極)。如圖2所示，該等電極32與電極33形成於同一層(同一平面)。

又，如圖2所示，樹脂層24包括CF層26及絕緣層25。

圖3係示意性地表示基板20中之觸控面板層23之主要部分之概略構成之一例之平面圖。再者，圖3表示基板20中之觸控面板之輸入區域(液晶面板2之顯示區域)中之觸控面板層23之概略構成。

圖4係放大表示圖3所示之觸控面板層23之一部分之平面圖。

圖5(a)係表示沿Y1-Y1線切斷圖4所示之觸控面板層23時的基板20之主要部分之剖面之圖，圖5(b)係表示沿X2-X2線切斷圖4所示之觸控面板層23時的基板20之主要部分之剖面之圖。再者，圖1表示沿X1-X1線切斷圖4所示之觸控面板層23時的液晶面板2之主要部分之剖面。

又，圖6係表示圖4所示之金屬橋35之概略構成之平面圖。

於圖3及圖4所示之觸控面板層23中，感測電極31具有包括俯視時為矩形狀(於圖3及圖4所示之例中為正方形狀)之面狀圖案(平面圖案)的複數個電極作為島狀之電極32、33。

該等電極32、33中之電極32係沿某固定之方向(第1方向，於本例中為Y軸方向)相互間隔地排列有複數個。

又，電極33係沿與電極32之排列方向交叉之方向(第2方 向，於本例中為與作為第1方向的Y軸方向正交之X軸方向)相互間隔地排列有複數個。

再者，於圖3及圖4所示之例中，以矩形狀之各電極32、33之對角線分別沿X軸方向及Y軸方向延伸之方式配置有各電極32、33。因此，如圖3所示，電極32、33於自傾斜方向觀察時相互不同地配置成棋盤格狀。

該等電極32、33為透明之電極，例如由氧化物等透明導電材料形成。作為上述透明導電材料，例如可列舉ITO(銦錫氧化物)、IZO(銦鋅氧化物，indium zinc oxide)、氧化鋅、氧化錫等。

又，電極32、33亦可為石墨等金屬薄膜電極、或薄膜之碳電極等藉由設為薄膜而具有透明狀態之透明之電極。

再者，由於穿透率與背光裝置3之消耗電力為折衷之關係，故而較為理想的是電極32、33以穿透率為70%以上之方式形成。

如上述般，於本實施形態中，藉由利用具有面狀圖案之透明電極形成該等電極32、33，而確保光之穿透率及透明區域之面積。

又，如圖3及圖4所示，於X軸方向上鄰接之電極33藉由連接配線36(中繼電極)而分別電性連接。藉此，各電極33以於X軸方向上相連之方式設置。

連接配線36例如可使用與電極32、33相同之材料。

藉此，連接配線36可作為連接各電極33之連接部而與電極33形成於同一層，且與電極33同時形成。

但，並非必須如上所述般藉由包含與電極33相同之材料的連接配線36進行於X軸方向上鄰接之電極33之電性連接，只要於X軸方向上鄰接之電極33彼此電性連接，其連接方法及連接機構並無特別限定。

另一方面，如圖3及圖4所示，於電極32、33之形成面內，各電極32分別孤立地配置於Y軸方向。

於電極32、33及連接配線36上經由絕緣層25(參照圖1及圖2)而設置有金屬橋35。

於圖3及圖4中，使用格子狀之金屬配線作為金屬橋35。再者，於圖3及圖4中，作為格子狀之金屬配線，表示了使用複數條線狀配線沿Y軸方向及X軸方向形成為網狀的網狀之金屬配線(金屬網，metal mesh)之例。

本實施形態之金屬橋35兼作覆蓋像素間之遮光層。因此，於本實施形態中，未設置黑矩陣(BM，black matrix)。因此，根據本實施形態，可以與一層BM之量相當地削減製程成本。

再者，以下，將沿Y軸方向配置之線狀配線稱為Y配線(縱配線)，將沿X軸方向配置之線狀配線稱為X配線(橫配線)。

於電極32、33上，絕緣層34以覆蓋該等電極32、33整體之方式例如在絕緣基板21中之觸控面板層23之積層面整個面上設置成固體狀。

於絕緣層34中設置有將沿Y軸方向排列之各電極32與金屬橋35電性連接之接觸孔37。

相對於1個電極32，至少形成有1個(於圖4所示之例中為1個)接觸孔37。

金屬橋35藉由分別設置於該等電極32中之接觸孔37而分別將沿Y軸方向排列之電極32間橋接。

又，於絕緣層34中設置有將電極33與金屬橋35分別電性連接之接觸孔38。

相對於1個電極33，至少形成有1個(於圖4所示之例中為2個)接觸孔38。

金屬橋35藉由接觸孔38而分別與電極33橋接。

根據本實施形態，金屬橋35藉由設置於絕緣層34中之至少1個接觸孔而將電極33間橋接，藉此，如上所述，藉由格子狀之金屬橋35，可容易地進行橋接。因此，可簡化製程，且可削減製程成本。

金屬橋35之鄰接之電極32與電極33之間以電極32與電極33不通電之方式斷線。

於金屬橋35之沿Y軸方向排列之電極32與同該等電極32於X軸方向上鄰接之電極33之間，沿該等電極32、33之圖案分別每1條地設置有中斷線39。

如圖3、圖4及圖6所示，中斷線39將金屬橋35分斷成與電極32電性連接之金屬配線部35a、及與電極33電性連接之金屬配線部35b。

電極32、33藉由接觸孔37、38而分別與金屬橋35電性連接，但其中，僅沿Y軸方向排列之電極32藉由金屬橋35而於Y軸方向上實現電極間連接。電極32、33間及經由電極 33而沿X軸方向鄰接之電極32間藉由設置於電極32、33間之中斷線39而相互絕緣。

因此，沿Y軸方向排列之電極32藉由金屬橋35而分別連接於Y軸方向。又，沿X軸方向排列之電極33藉由連接配線36而分別連接於X軸方向。

連接於Y軸方向上之電極32列、及連接於X軸方向上之電極33列分別設為沿Y軸方向延伸之Y電極列及沿X軸方向延伸之X電極列，且於各電極32、33之連接部相互交叉。再者，於X軸方向上排列有複數個作為Y電極列之電極32列。又，於Y軸方向上排列有複數個作為X電極列之電極33列。

將電極32、33中之一者用作驅動(drive)電極(驅動電極、發送電極)，將另一者用作感測電極(檢測電極、接收電極)。即，將電極32列及電極33列中之一者用作驅動線(drive line)，將另一者用作感測線。

<位置檢測動作>

其次，對上述觸控面板之檢測對象物之位置檢測動作進行說明。

圖7(a)係示意性地表示檢測對象物未與基板20接觸時的感測電極31之電力線之圖，圖7(b)係示意性地表示使檢測對象物與基板20接觸時的感測電極31之電力線之圖。再者，於圖7(b)中，顯示使例如指尖作為檢測對象物與基板20接觸時之電力線。

再者，金屬橋35與感測電極31電性連接，且不對感測電 極31之電力線賦予影響。因此，於圖7(a)、(b)中，省略觸控面板層23中之絕緣層34及金屬橋35、CF層26、對向電極27等之圖示。

分別自未圖示之驅動電路部對電極32、33施加驅動電壓。將電極32、33中之一者(例如電極33)用作驅動電極，將另一者(例如電極32)用作感測電極。

若對該等電極32、33施加驅動電壓，則於該等電極32與電極33之間，經由絕緣基板21及絕緣層25等而形成靜電電容，且形成如圖7(a)所示之電力線。

於上述狀態下，如圖7(b)所示，若作為檢測對象物而使導體即指尖70與基板20之表面接觸，則於人體(指尖70)與電極32、33之間分別形成靜電電容71，電力線之一部分經由指尖70而接地。該情況表示指尖70接觸之部分之電極32、33間之靜電電容出現大幅變化，藉由檢測該變化，可檢測指尖70所接觸之位置。

即，藉由沿Y軸方向延伸且構成沿X軸方向排列之電極32列的電極32，檢測基板20之表面之指尖70之X座標。又，藉由沿X軸方向延伸且構成沿Y軸方向排列之電極33列的電極33，檢測基板20之表面之指尖70之Y座標。

<驅動電路>

於本實施形態中，作為用以對檢測對象物之座標位置進行檢測之位置檢測電路，可使用周知之電路(例如參照專利文獻4)，並無特別限定。

以下，作為本實施形態之液晶顯示裝置1所具備之位置 檢測電路之一例，參照圖8~圖11對使用靜電電容方式之觸控面板之主流即相互電容方式之位置檢測電路之一例進行說明。

圖8係表示本實施形態之液晶顯示裝置1所具備之位置檢測電路之一例之電路圖。

於圖8中，圖3及圖4所示之電極33列對應於驅動線DL1、DL2…DLn，電極32列分別對應於感測線(n)。

於各驅動線DL1、DL2…DLn與各感測線(n)交叉之部位，藉由檢測對象物即指尖70等之接觸，形成其電容(C_x)變化之可變電容。

圖8所示之位置檢測電路100包括驅動線驅動電路101、感測線驅動電路102、觸控面板控制器(觸控面板之控制電路)103、及液晶面板2之時序控制器104。

如圖8所示，驅動線驅動電路101依序對驅動線DL1、DL2…DLn施加具有特定波形之信號。驅動線驅動電路101以逐次驅動依序對驅動線DL1至驅動線DLn施加具有特定波形之信號。

圖9係表示對各驅動線DL1、DL2…DLn施加之各信號之時序圖。

又，感測線驅動電路102於各感測線(n)中之每一條上包括採樣電路111、蓄積電容112、輸出放大器113、重設開關(reset switch)114、及測定機構115。

觸控面板控制器103自液晶面板2之時序控制器104接收閘極時脈GCK(Gate Clock)及閘極開始時脈GSP(Gate Start Pluse)，判斷液晶面板2側為寫入期間或停止期間，於為停止期間之情形時，向驅動線驅動電路101發送用以依序開始對各驅動線DL1、DL2…DLn施加具有特定波形之信號的開始信號。

又，觸控面板控制器103分別對採樣電路111輸出採樣信號，對重設開關114輸出重設信號。

圖10係表示液晶顯示裝置1中包括之上述內嵌式觸控面板之驅動時序之時序圖。

於圖10中，於對驅動線DL1施加之信號及採樣信號成為高位準之前之時序，使重設信號為高位準，使蓄積電容112接地，而重設蓄積電容112。

而且，於重設信號成為低位準後，於對DL1施加之信號成為高位準前之期間，使採樣信號為高位準，使採樣電路111自0狀態成為1狀態，經由採樣電路111而將來自感測線(n)之輸出供給至蓄積電容112。

於採樣信號為高位準之狀態下，若對驅動線DL1施加之信號成為高位準，那麼產生朝蓄積電容112之電荷移動，於對驅動線DL1施加之信號為高位準之狀態下，藉由將採樣信號設為低位準之狀態，即便對驅動線DL1施加之信號成為低位準，亦可直接維持(保持)上述電荷。

於本實施形態中，如圖8所圖示般，由於將積分次數Nint設為4次，故而於重複進行4次電荷移動及維持(保持)後，利用測定機構115，經由輸出放大器113而測定電容。

於測定後，再次使重設信號為高位準，使蓄積電容112 接地，而重設蓄積電容112。

圖11係用以說明各步驟中之採樣電路111及重設開關114之狀態之圖。

如圖11所示，步驟A係重設整體之情形，於該情形時，採樣電路111成為0之狀態，使感測線(n)接地，重設開關114使蓄積電容112接地，而重設蓄積電容112。

步驟B係自重設信號稱為低位準時起至採樣信號成為高位準為止之死區時間(DEADTIME)。

步驟C表示採樣電路111成為1之狀態、且經由採樣電路111而將來自感測線(n)之輸出供給至蓄積電容112之狀態下之電荷移動狀態。

步驟D係於採樣信號成為低位準後對驅動線DL1施加之信號成為低位準之前之死區時間(DEADTIME)。

步驟E表示採樣電路111成為0之狀態、且感測線(n)與蓄積電容112電性分離之維持(保持)。

而且，重複進行4次上述步驟B~E後，於步驟F中，於採樣電路111維持0之狀態下，於感測線(n)與蓄積電容112電性分離之狀態下，利用測定機構115，經由輸出放大器113而測定電容。

<寄生電容>

其次，參照圖12~圖14對形成於感測電極(位置檢測電極)與對向電極之間的寄生電容對觸控面板之性能造成的影響進行說明。

圖12係示意性地表示先前之顯示面板之剖面圖，圖13係 表示靜電電容方式之觸控面板之驅動電路之圖，圖14係表示該驅動電路之動作之概要之模擬波形圖。再者，於上述模擬中使用MSC Software股份有限公司製造之「Patran」(商品名)。

於圖12及圖13中，C_D-S係形成於觸控面板之驅動電極(例如第1電極層)與感測電極(例如第2電極層)之間的觸控檢測用之靜電電容，由於當指尖等與觸控面板接觸時及未接觸時，該電容表現出變化，故而記作可變之靜電電容。

再者，於圖13中，驅動線相當於驅動電極之輸出端子，感測線相當於感測電極之輸出端子，西途(CITO)線相當於於對向電極之輸出端子。

位置檢測電路具有包括運算放大器及靜電電容C_INT之積分電路，指尖等是否接觸之輸出係作為V_OUT而自該積分電路獲得。C_D-C係形成於驅動電極與對向電極之間的寄生電容，C_C-S係形成於感測電極與對向電極之間的寄生電容。R_sence係位置檢測電極(感測電極)之電阻，R_CITO係對向電極之電阻。

於觸控面板設置於顯示面板之外部之構造(所謂外掛型)中，電流之路徑係以圖13之箭頭F1表示之路徑具有支配性，但於如本實施形態般觸控面板設置於顯示面板(於本實施形態中為液晶面板2)之內部之內嵌型中，進而存在以箭頭F2表示之寄生之電流路徑。

於圖14(a)、(b)中，粗實線P表示驅動線之電壓波形，細線Q表示輸出電壓V_OUT之電壓波形。如圖14(a)、(b)所示， 判斷出於對向電極之電阻較高之情形(例如R_CITO=390 Ω)時，因以圖13之箭頭F2所示之寄生之電流路徑之影響，而使CR時間常數(電容×電阻)變大，因此，收斂為本來之輸出電壓之前之時間變長(參照圖14(b))。因此，積分時間變長，積分次數減少，因此，SN比(信號對雜訊比)降低。由此，觸控面板之檢測性能降低。

因此，於內嵌式觸控面板中，為提昇觸控面板之檢測性能，必須使形成於驅動電極與對向電極之間之寄生電容C_D-C、形成於感測電極與對向電極之間之寄生電容C_C-S、位置檢測電極之電阻(例如感測電極之電阻R_sence)、對向電極之電阻R_CITO中之任一者減小。

對此，於本實施形態中，藉由將電極32與電極33形成於同一面內，而爭取電極32、33與對向電極27之間之距離。藉此，與如先前般將用作驅動電極及感測電極之X電極及Y電極設為第1電極層及第2電極層而分別設置於不同之層之情形相比，可減小感測電極與對向電極之間之寄生電容。

因此，根據本實施形態，可提供一種位置檢測性能高、且可進行穩定之位置檢測動作之內嵌式觸控面板，及作為用於該內嵌式觸控面板之位置檢測性能高、且可進行穩定之位置檢測動作之觸控面板基板的基板20。

又，根據本實施形態，藉由將電極32、33形成於同一面內，可以同一材料同時形成電極32、33。因此，可降低製程成本。

<感測電極之面積與檢測信號之關係>

其次，以下參照圖15~圖18對感測電極(位置檢測電極)之面積與檢測信號(位置檢測信號)之關係進行說明。

圖15~圖18分別概括地表示電極條件、及藉由模擬獲得之檢測信號波形之圖。

於本模擬中，如圖15~圖18所示，分別測定於覆蓋玻璃上設置感測電極及驅動電極、並且經由絕緣層而與感測電極及驅動電極對向地設置包含ITO之對向電極(對向ITO電極)之情形的位置檢測信號。

根據圖15~圖18所示之結果，判斷出於將感測電極形成於對向ITO電極上之情形時，感測電極之密度(感測電極及驅動電極之密度)越降低，檢測信號之大小(強度)越降低。

因此，為確保檢測信號之大小，如圖15所示，較為理想的是使感測電極為固體狀之平面圖案。

又，於如上述般使感測電極為固體狀之平面圖案之情形時，為確保顯示之開口率，較為理想的是利用透明之電極形成感測電極。

然而，包含透明導電材料之電極與金屬電極相比電阻較高。又，石墨等金屬薄膜電極為確保透明性而予以薄膜化，因而電阻高於非透明狀態之金屬電極。

因此，於本實施形態中，如上所述，使電極32、33經由絕緣層34而與包括格子狀之金屬配線的金屬橋35電性連接。

金屬橋35兼備作為BM之遮光功能及感測電極31之低電 阻化功能。根據本實施形態，因無BM故可謀求製程成本之降低，並且可於確保光之穿透率及透明區域之面積之狀態下謀求電極32、33之低電阻化。因此，於將基板20搭載於顯示面板上之情形時，可於確保該顯示面板之開口率之狀態下謀求電極32、33之低電阻化。

又，如上所述，由於使電極32、33低電阻化，故而可減小CR時間常數。

因此，根據本實施形態，可提供一種位置檢測性能高、且可進行穩定之位置檢測動作的內嵌式觸控面板及觸控面板基板。

又，於本實施形態中，藉由將電極32、33形成於同一面內，而爭取電極32、33與對向電極27之間之距離，因此，即便於如上所述般使電極32、33為平面圖案之情形時，亦可使電極32、33與對向電極27之間之寄生電容減小。因此，可於確保檢測信號之大小之狀態下減小上述寄生電容。

又，由於金屬橋35具有配線形狀(線狀圖案)，故而金屬橋35與對向電極27之間之寄生電容較小。因此，如圖1及圖2所示，藉由將金屬橋35設置於較感測電極31更靠對向電極27側，可提供一種位置檢測性能高、且可進行穩定之位置檢測動作的內嵌式觸控面板及觸控面板基板。

<液晶面板2之製造方法>

其次，對本實施形態之液晶面板2之製造方法進行說明。

<基板10之製作步驟>

基板10例如為主動矩陣基板，利用周知之技術，於絕緣基板11上形成閘極線、源極線、TFT、像素電極等後，視需要而形成配向膜。

再者，由於此種主動矩陣基板之製造步驟可應用周知之技術，故而此處省略詳細之說明。

<基板20之製作步驟>

其次，以下，參照圖19(a)~(e)對基板20之製作步驟進行說明。再者，圖19(a)~(e)係按照步驟順序表示基板20之製作步驟之剖面圖，且均與圖4之Y1-Y1線剖面對應。

首先，於絕緣基板21上，利用濺鍍法使透明導電材料、或石墨、碳等藉由薄膜化而獲得透明狀態之金屬材料等導電材料成膜後，積層未圖示之光阻劑，利用例如光微影法等進行圖案化。藉此，如圖19(a)所示，於絕緣基板21上形成電極32、33、及連接配線36(參照圖3、圖4)。

再者，作為絕緣基板11、21，例如可使用玻璃基板、塑膠基板等。

又，作為上述透明導電材料，如上所述，例如可使用ITO、IZO、氧化鋅、氧化錫等透明導電材料。

再者，電極32、33之厚度及電極面積根據所使用之電極材料適當設定即可，並無特別限定。於將透明導電材料用於電極32、33之情形時，電極32、33之厚度及電極面積例如可與先前同樣地設定。

又，於將石墨、碳等藉由薄膜化而獲得透明狀態之金屬 材料等導電材料用於電極32、33之情形時，為確保光之穿透率及透明區域之面積，而以可獲得透明狀態之方式設定電極32、33之厚度。

其次，以覆蓋形成有上述電極32、33等之絕緣基板21之該等電極32、33之形成面整個面之方式，利用CVD(Chemical Vapor Deposition，化學氣相沈積)法(化學蒸鍍法)、旋轉塗佈法等形成絕緣層34。其後，藉由於絕緣層34上積層未圖示之光阻劑，且利用光微影法等進行圖案化，而如圖19(b)所示，於絕緣層34中形成成為接觸孔之開口部34a。

作為上述絕緣層34之材料，例如可使用丙烯酸系樹脂、環氧系樹脂、聚胺基甲酸酯系樹脂、聚醯亞胺系樹脂等有機絕緣材料(感光性樹脂)、或SiNx膜(氮化矽膜)等具有絕緣性之透明之無機絕緣材料。其中，作為上述絕緣層34之材料，較佳為使用感光性樹脂等包含有機絕緣材料之樹脂，上述絕緣層34較佳為包括所謂有機絕緣膜之有機絕緣層。

有機絕緣膜與無機絕緣膜相比可實現厚膜化，又，與無機絕緣膜相比，比介電係數較低。例如，氮化矽之比介電係數ε為6.9，與此相對，丙烯酸樹脂之比介電係數ε為3.7。又，有機絕緣膜由於透明度較高，故而可實現厚膜化。

因此，於絕緣層34為有機絕緣層之情形時，就厚膜化及低介電係數化之兩者之觀點而言，可減小感測電極31與對 向電極27之間之寄生電容。

再者，若絕緣層34之厚度過薄，則感測電極31與對向電極27之間之寄生電容增加。另一方面，若絕緣層34之厚度過厚，則不易形成接觸孔37、38。因此，絕緣層34之厚度較佳為1 μm~3.5 μm之範圍內。

其次，於形成有成為接觸孔之開口部34a之絕緣層34上，形成包含鈦(Ti)、銅(Cu)、金(Au)、鋁(Al)、鎢(W)、鋅(Zn)、鎳(Ni)、錫(Sn)、鉻(Cr)、鉬(Mo)、鉭(Ta)等電阻較低之金屬及其金屬化合物以及金屬矽化物等金屬材料之金屬配線。此時，藉由於開口部34a內亦形成包含上述金屬材料之金屬配線，而如圖19(d)所示，形成包括上述金屬配線之金屬橋35及接觸孔37、38。

其後，藉由利用光微影等將金屬橋35圖案化，而如圖3及圖4所示般於金屬橋35上形成中斷線39。再者，就低電阻化之觀點而言，較為理想的是金屬橋35之厚度為100 nm以上，為確保對向電極27之平坦性，並且抑制製程成本，較為理想的是金屬橋35之厚度為300 nm以下。

又，作為於金屬橋35中形成中斷線39之方法，並不限定於利用光微影等的圖案化，只要可使金屬橋35部分性地斷線(電性切斷)，並無特別限定。

其次，如圖19(d)所示，以覆蓋形成有金屬橋35之絕緣基板21之該等電極32、33之形成面整個面之方式形成絕緣層25。

作為絕緣層25之材料及成膜方法，可使用例如與絕緣層 34之材料及成膜方法相同之材料及成膜方法。

此時，與絕緣層34同樣地，於絕緣層25為有機絕緣層之情形時，就厚膜化及低介電係數化之兩者之觀點而言，可減小感測電極31與對向電極27之間之寄生電容。

再者，與絕緣層34同樣地，若絕緣層25之厚度過薄，則感測電極31與對向電極27之間之寄生電容增加。另一方面，若絕緣層25之厚度過厚，則如下述實施形態所示，於對絕緣層25形成接觸孔之情形時，不易形成該接觸孔。因此，與絕緣層34同樣地，絕緣層25之厚度較佳為1 μm~3.5 μm之範圍內。

其次，如圖19(d)所示，利用使用光微影之圖案化、或者噴墨印刷法或層壓法等周知之方法，於上述絕緣層25上形成例如紅(R)、綠(G)、藍(B)等複數種顏色之CF層26。

其後，如圖19(e)所示，藉由於CF層26上利用濺鍍法等使包含ITO、IZO、氧化鋅、氧化錫等透明導電材料之透明導電膜成膜，而形成對向電極27。

最後，藉由於對向電極27上視需要形成未圖示之配向膜，可製造基板20。

再者，CF層26、對向電極27、配向膜等之厚度並無特別限定，可與先前同樣地設定。

<基板貼合步驟>

其次，對基板10、20之貼合步驟(即液晶面板2之組裝步驟)進行說明。

首先，於基板10、20之一者上，利用絲網印刷等或分注 器等，將密封材料60(參照圖1)塗佈成缺少液晶注入口之部分之框狀圖案，對另一基板散佈具有與液晶層50之厚度相當之直徑、且包含塑膠或二氧化矽等之球狀之間隔物。再者，亦可於基板20之對向電極27上或基板10之金屬配線上形成間隔物，而代替散佈間隔物。

其次，貼合基板10、20，且使密封材料60硬化後，例如利用真空注入法將液晶材料注入至由基板10、20及密封材料60包圍之空間。其後，於液晶注入口塗佈UV(ultraviolet，紫外線)硬化樹脂，藉由利用UV照射密封液晶材料，而形成液晶層50。

或者，藉由利用滴下法將液晶材料滴下至將密封材料60塗佈成框狀之基板上，而將液晶材料填充至由密封材料60包圍之空間，其後，貼合基板10、20，藉此，於基板10、20間形成液晶層50。

作為上述密封材料60，例如可使用含有未圖示之導電性粒子及黑色顏料等之紫外線硬化性樹脂或熱硬化性樹脂、紫外線硬化與熱硬化併用型樹脂等。作為上述導電性粒子，例如可使用金珠。

可以如上方式製造本實施形態之液晶面板2。

<變形例>

其次，以下，對本實施形態之光電裝置中之各構成要素之變形例進行說明。

<連接配線36之連接方向>

再者，於本實施形態中，如圖3及圖4所示，以沿X軸方 向排列之電極33分別由與電極33形成於同一層之連接配線36連接之情形為例進行了說明。

然而，本實施形態並不限定於此，亦可為沿Y軸方向排列之電極32分別由與電極32形成於同一層之連接配線36連接，且沿X軸方向排列之電極33具有孤立圖案。

因此，電極32、33中之任一者具有孤立圖案均可，於一電極由透明之連接配線36連接之情形時，較佳為沿絕緣基板21之長邊側排列之電極具有孤立圖案。藉此，可使僅利用透明之連接配線36形成之通電區域減小，且可使感測電極31低電阻化，因此，可減小CR時間常數。

<絕緣層34>

又，於本實施形態中，於電極32、33上，絕緣層34以覆蓋該等電極32、33整體之方式於絕緣基板21之觸控面板層23之積層面整個面上設置成固體狀。

然而，本實施形態並不限定於此。絕緣層34只要以經由金屬橋35且電極32、33不導通之方式設置即可。因此，絕緣層34至少形成於金屬橋35、與電極32、33及連接配線36之間(即俯視下金屬橋35之配設區域)即可。

<電極圖案形狀>

又，於本實施形態中，以於電極32、33之形成面內電極32、33中之一電極具有孤立圖案、另一電極由連接配線36連接之情形為例進行了說明。

然而，電極32、33中之至少一電極於與另一電極之排列方向交叉之方向上具有孤立的孤立圖案即可，亦可兩者均 具有孤立圖案。

於電極32、33之形成面內，藉由電極32、33中之至少一電極具有孤立圖案，可利用金屬橋以不使電極32、33相互接觸、且電極32、33相互不通電之方式將各電極32間或各電極33間連接。

即，關於電極32、33，該等電極32、33中之至少一電極間係由金屬橋以橫跨於與另一電極之排列方向交叉之方向之方式橋接。藉此，可以電極32、33相互不通電之方式將各電極32間或各電極33間連接。

再者，於電極32、33之形成面內，電極32、33中之至少一電極間由連接配線連接，另一電極於與上述一電極之排列方向交叉之方向上具有孤立的孤立圖案，且至少於上述孤立圖案之排列方向上形成有金屬橋，藉此，可以電極32、33相互不通電之方式將各電極32間或各電極33間連接，並且可簡單且容易地將各電極間連接。

<利用金屬橋35之連接>

又，於本實施形態中，如圖3及圖4所示，以中斷線39於俯視時沿該等電極32、33之圖案形成於沿Y軸方向排列之電極32與同該等電極32於X軸方向上鄰接之電極33之間之情形為例進行了圖示。

然而，中斷線39只要以電極32與電極33不通電之方式進行電性切斷即可。

因此，中斷線39並非必須形成於電極32、33之圖案間，於俯視時，只要形成在設置於各電極32、33中之接觸孔 37、38間即可。

又，於本實施形態中，如圖3~圖5(a)、(b)所示，以電極32、33分別與金屬橋35電性連接之情形為例進行了說明。

然而，亦可僅電極32、33中之未由連接配線36連接之一電極(例如於圖3及圖4所示之例中為電極33)與包括金屬網之金屬橋35電性連接。

於該情形時，藉由於金屬橋35與另一電極之間設置絕緣層34，例如可將經由電極33且於X軸方向上鄰接之電極32間電性切斷，而並非必須於電極32、33間設置中斷線39。

又，於該情形時，中斷線39只要於俯視時形成於分別設置於經由電極33且於X軸方向上分別鄰接之電極32中的接觸孔37間即可。

<中斷線39>

再者，於本實施形態中，以於鄰接之電極32、33間每1條地形成中斷線39之情形為例進行了說明。然而，中斷線39於鄰接之電極32、33間至少形成1條即可，亦可形成2條以上。

<光電裝置>

再者，於本實施形態中，以於一對基板10、20間夾持液晶層30作為光電元件(光學調變層)之情形為例進行了說明。然而，本實施形態並不限定於此。作為上述光電元件，例如可為介電液體，亦可為有機EL(電致發光，electroluminescence)層。

又，作為本實施形態之顯示面板及顯示裝置，並不限定 於液晶面板及液晶顯示裝置，例如亦可為有機EL顯示面板、電泳顯示面板、及使用該等顯示面板之顯示裝置。

又，於使用有機EL顯示面板等自發光型顯示面板代替液晶面板2之情形時，當然不需要背光裝置3等照明裝置。

又，於本實施形態中，如上所述，以觸控面板基板為用於顯示面板之基板、且光電裝置為顯示裝置之情形為例進行了說明。

然而，上述觸控面板基板可應用於包括光電元件驅動電極及位置檢測電極之光電裝置整體。例如上述光電裝置例如亦可應用於與顯示面板重疊配置之視角控制面板等。

又，於本實施形態中，以作為對向基板的基板10為CF基板之情形為例進行了說明，但本實施形態並不限定於此，亦可於陣列基板側設置CF。

[實施形態2]

若基於圖20~圖22對本發明之其他實施形態進行說明，則如下所述。再者，於說明之方便上，對與於實施形態1中使用之構成要素具有同一功能之構成要素標註同一符號，並省略其說明。

圖20係表示本實施形態之基板20之觸控面板層23之主要部分之構成之平面圖。又，圖21(a)係表示沿Y2-Y2線切斷圖20所示之觸控面板層23時的基板20之剖面之圖，圖21(b)係表示沿X3-X3線切斷圖20所示之觸控面板層23時的基板20之剖面之圖。

又，圖22係表示圖20所示之金屬橋35之概略構成之平面 圖。

於實施形態1中，於電極32、33分別與金屬橋35電性連接之情形時，分別於1個部位切斷金屬橋35之鄰接之電極32與電極33之間之區域。

與此相對，於本實施形態中，如圖20及圖22所示，分別於2個部位切斷金屬橋35之鄰接之電極32與電極33之間之區域。

因此，於金屬橋35之沿Y軸方向排列之電極32與同該等電極32於X軸方向上鄰接之電極33之間，每2條地設置有中斷線39。

因此，於金屬橋35之沿Y軸方向排列之電極32與同該等電極32於X軸方向上鄰接之電極33之間，利用中斷線39，形成有與電極32、33中之任一者均未電性連接之電性上為浮島狀之金屬配線部35c。

因此，金屬橋35包括與電極32電性連接之金屬配線部35a、與電極33電性連接之金屬配線部35b、及電性上為浮島狀之金屬配線部35c。

而且，至少於金屬配線部35a與金屬配線部35b之間設置有金屬配線部35c。

因此，根據本實施形態，可確實地防止金屬配線部35a與金屬配線部35b之短路，且可抑制因上述短路而導致之良率之降低。

又，藉由於金屬配線部35a與金屬配線部35b之間設置金屬配線部35c，可使形成於電極32與電極33之間的不根據 檢測對象物之接觸之有無而伴有電容變化之電容(交叉電容)減小。

因此，可使CR時間常數減小，且可使觸控面板之位置檢測動作更容易。

<變形例>

其次，以下，對本實施形態之光電裝置中之各構成要素之變形例進行說明。

<利用金屬橋35之連接>

於本實施形態中，如圖20及圖22所示，以中斷線39於俯視時沿該等電極32、33之圖案形成於沿Y軸方向排列之電極32與同該等電極32於X軸方向上鄰接之電極33之間之情形為例進行了圖示。

然而，中斷線39只要以電極32與電極33不通電之方式進行電性切斷即可。

因此，中斷線39並非必須形成於電極32、33之圖案間，只要於俯視時形成在設置於各電極32、33中之接觸孔37、38間即可。

又，於本實施形態中，以電極32、33分別與金屬橋35電性連接之情形為例進行了說明。

然而，亦可僅電極32、33中之未由連接配線36連接之一電極(例如於圖20所示之例中為電極33)與包括金屬網之金屬橋35電性連接。

於該情形時，藉由於金屬橋35與另一電極之間設置絕緣層34，而並非必須於電極32、33間設置中斷線39。

例如藉由於經由電極33且於X軸方向上鄰接之電極32間設置2條中斷線39，可將經由電極33且於X軸方向上鄰接之電極32間電性切斷。又，可於經由電極33且於X軸方向上鄰接之電極32之電極列間(即鄰接之金屬配線部35a間)形成電性上為浮島狀之金屬配線部35c。

又，於該情形時，中斷線39只要於俯視時形成於分別設置於經由電極33且於X軸方向上分別鄰接之電極32中的接觸孔37間即可。

[實施形態3]

若基於圖23~圖28對本發明中之進而其他之實施形態進行說明，則如下所述。再者，於說明之方便上，對與於實施形態1中使用之構成要素具有同一功能之構成要素標註同一符號，並省略其說明。

圖23係表示本實施形態之基板20之觸控面板層23之主要部分之構成之平面圖。又，圖24係表示沿X4-X4線切斷圖23所示之觸控面板層23時的基板20之剖面之圖。

又，圖25係表示圖23所示之金屬橋35之概略構成之平面圖。

於實施形態2中，藉由於金屬橋35之沿Y軸方向排列之電極32與同該等電極32於X軸方向上鄰接之電極33之間每2條地形成中斷線39，而於金屬橋35之金屬配線部35a與金屬配線部35b之間形成電性上為浮島狀之金屬配線部35c。

於本實施形態中，如圖23及圖25所示，在設置於電極32中之接觸孔37與設置於電極33中之接觸孔38之間，沿電極 32、33之排列方向以與電極32、33交叉之方式形成有中斷線39。

於圖23及圖25所示之例中，沿將沿Y軸方向排列之電極32間連接之中央幹線35A，於Y軸方向上以經由設置於各電極32中之接觸孔37之方式形成有中斷線39，並且於X軸方向上以經由設置於各電極33中之接觸孔38之方式形成有中斷線39。

藉此，於金屬橋35上，於與電極32電性連接之金屬配線部35a、與同電極33電性連接之金屬配線部35b之間設置有未與電極32、33電性連接之金屬配線部35c。

又，如圖23及圖24所示，於積層於金屬橋35之金屬配線部35c上之樹脂層24(絕緣層25及CF層26)中，設置有將金屬橋35之金屬配線部35c與對向電極27電性連接之接觸孔28。

相對於1個金屬配線部35c，至少形成有1個(於圖23所示之例中為2個)接觸孔28。

根據本實施形態，如上述般，藉由將金屬橋35之未與電極32、33電性連接之金屬配線部35c與對向電極27電性連接，可謀求對向電極27之低電阻化。因此，可減小CR時間常數。又，於將基板20搭載於液晶面板2上之情形時，可謀求上述對向電極27之低電阻化，因此，可減小CR時間常數，且可提昇SN比。

<基板20之製作步驟>

再者，此處，僅對與實施形態1之不同之處進行說明。

於本實施形態中，於實施形態1中，當於圖19(c)中於金屬橋35上形成中斷線39時，如圖23及圖25所示，形成中斷線39。

又，如圖19(d)所示，於金屬橋35上形成絕緣層25及CF層26後，使用未圖示之光阻劑，利用光微影法等對該等絕緣層25及CF層26進行圖案化。藉此，如圖24所示，於絕緣層25及CF層26中形成成為接觸孔28之開口部。

其後，於圖19(e)所示之步驟中，藉由於形成於絕緣層25及CF層26中之開口部內亦形成透明導電膜，而形成對向電極27及接觸孔28。

再者，其他步驟與實施形態1相同。藉此，可製造本實施形態之基板20及包括該基板20之液晶面板2。

<變形例>

其次，以下，對本實施形態之光電裝置中之各構成要素之變形例進行說明。

圖26係表示本實施形態之其他基板20之觸控面板層23之主要部分之構成之平面圖。又，圖27(a)係沿Y3-Y3線切斷圖26所示之觸控面板層23時的基板20之剖面之圖，圖27(b)係表示沿X5-X5線切斷圖26所示之觸控面板層23時的基板20之剖面之圖。又，圖27(c)係表示沿X6-X6線切斷圖26所示之觸控面板層23時的基板20之剖面之圖。

又，圖28係表示圖26所示之金屬橋35之概略構成之平面圖。

於圖23所示之例中，於電極32之中央設置有1個具有與 連接配線36之寬度同等程度之大小之接觸孔37。因此，於沿Y軸方向以經由設置於各電極32中之接觸孔37之方式形成中斷線39時，藉由該中斷線39通過形成於在X軸方向上鄰接之電極中之接觸孔38間之內側，而於金屬橋35上分別形成矩形狀之電極配線部35a、35b、35c。

於圖26所示之例中，藉由於電極32上對X軸方向設置2個接觸孔37，而形成圖28所示之形狀之電極配線部35a、35b、35c。

如上述般，電極配線部35a、35b、35c之形狀及大小根據形成於各電極32、33中之接觸孔37、38之大小或數量適當設定即可。

根據本實施形態，如圖23~圖28所示，於俯視時，以包圍利用各接觸孔37、38的電極32、33與金屬橋35之連接部(具體而言，各電極32上之各接觸孔37間之區域及各電極33上之各接觸孔38間之區域)之方式形成中斷線39。

因此，與於金屬橋35上之沿Y軸方向排列之電極32與同該等電極32於X軸方向上鄰接之電極33之間沿電極32、33之圖案形成中斷線39之情形相比，可使金屬配線部35c之面積(即與對向電極27連接之金屬橋35之面積)變大。因此，可使對向電極27低電阻化。

又，根據本實施形態，藉由利用中斷線39將金屬橋35電性切斷，可形成與電極32、33絕緣之金屬配線部，而無需另行形成金屬層。換言之，可不使零件個數或基板20之厚度增加地形成與電極32、33絕緣之金屬配線部。

[實施形態4]

若基於圖29~圖36對本發明之進而其他之實施形態進行說明，則如下所述。再者，於說明之方便上，對與於實施形態1~3中使用之構成要素具有同一功能之構成要素標註同一符號，並省略其說明。

於本實施形態中，以接觸孔37為例，對將感測電極31與金屬橋35連接之接觸孔37之變形例進行說明。

<接觸孔之數量>

圖29係表示本實施形態之基板20之觸控面板層23之主要部分之構成之平面圖。又，圖30(a)係表示沿Y4-Y4線切斷圖29所示之觸控面板層23時的基板20之剖面之圖，圖30(b)係表示沿X7-X7線切斷圖29所示之觸控面板層23時的基板20之剖面之圖。

於實施形態1、2中之圖3、圖4、圖20、圖23中，以電極32例如於各電極32之中央部具有1個接觸孔37、且利用該接觸孔37與金屬橋35電性連接之情形為例進行了圖示。

然而，例如如圖29所示，較佳為相對於1個電極而配置有複數個接觸孔37。

沿Y軸方向排列之電極32間由金屬橋35橋接。因此，藉由於各電極32上設置與金屬橋35連接之複數個接觸孔37，即便於在任一接觸孔37中產生中斷線等之連接不良之情形時，亦可確保電極32間之電性連接。因此，可使良率提昇。

又，較佳為相對於1個電極而配置有複數個用以將用作 感測電極31之各電極32、33而不限於利用金屬橋35實現電極間連接之電極32與金屬橋35連接之接觸孔37、38。

藉此，可確保金屬橋35與各電極32、33之連接部之面積，且可使各電極32、33低電阻化。

<用於電極間連接之接觸孔之配置>

又，圖31係表示本實施形態之其他基板20中之觸控面板層23之主要部分之構成之平面圖。再者，於圖31中，以於金屬橋35上之沿Y軸方向排列之電極32與同該等電極32於X軸方向上鄰接之電極33之間設置有1條中斷線39之情形為例進行了圖示。

另一方面，圖32係表示於金屬橋35上之沿Y軸方向排列之電極32與同該等電極32於X軸方向上鄰接之電極33之間設置有2條中斷線39時的觸控面板層23之主要部分之構成之平面圖。

又，圖33(a)係表示沿Y5-Y5線切斷圖32所示之觸控面板層23時的基板20之剖面之圖，圖33(b)係表示沿X8-X8線切斷圖32所示之觸控面板層23時的基板20之剖面之圖。圖33(c)係表示沿X9-X9線切斷圖32所示之觸控面板層23時的基板20之剖面之圖。

於圖3、圖4、圖20、圖23及圖29中，以接觸孔37設置於金屬橋35之通過電極32之Y軸方向之對角線上的中央幹線35A(參照圖31及圖32，圖31中為以兩點鏈線包圍之配線)上而不拘泥於接觸孔37之數量之情形為例進行了圖示。

於圖31及圖32中，接觸孔37形成於金屬橋35之與中央幹 線35A交叉之支線部35B，而非電極32之中央幹線35A上。

如上述般，藉由接觸孔37形成於支線部35B而非中央幹線35A上，可防止斷線，從而可使良率提昇。

再者，於圖31及圖32中，以利用金屬橋35之中央幹線35A將沿Y軸方向排列之電極32間電性連接、且金屬橋35之除中央幹線35A以外之沿Y軸方向延伸之配線於沿Y軸方向排列之電極32間斷線之情形為例進行圖示。

然而，如於實施形態2中所說明般，中斷線39只要於俯視時形成在設置於各電極32、33中之接觸孔37、38間即可，而非必須形成於電極32、33之圖案間。因此，沿Y軸方向排列之電極32間亦可由除中央幹線35A以外之沿Y軸方向延伸之配線(幹線)連接。

因此，較佳為接觸孔37形成於金屬橋35上之與將由金屬橋35連接之電極間(本實施形態中為電極32間)連結之幹線交叉之支線部，而不限定於與中央幹線35A交叉之支線部35B。藉此，可防止斷線，且可使良率提昇。

<用於與由連接配線連接之電極之連接的接觸孔之配置>

圖34係表示本實施形態之進而其他之基板20之觸控面板層23之主要部分之構成之平面圖，圖35係表示圖34所示之觸控面板層23中之電極32列與電極33列之交叉部附近之構成之平面圖。再者，圖35放大表示圖34中以粗實線包圍之區域81。

於圖34及圖35中，排列方向交叉之電極32、33中之一電極由透明之連接配線36連接，而非孤立圖案。

再者，以下，以電極32、33中之電極33由透明之連接配線36連接之情形為例進行說明。

於該情形時，如圖34及圖35所示，較佳為於由透明之連接配線36連接之電極33的各電極列之交叉部附近(即由透明之連接配線36連接之電極33之端部)設置有接觸孔38。

於該情形時，可使僅利用透明之連接配線36形成之通電區域減小。因此，可使由透明之連接配線36連接之電極33低電阻化，故而可減小CR時間常數。

<接觸孔之形狀及面積>

圖36係概括地表示本實施形態之基板20之觸控面板層23中之接觸孔之變形例之平面圖。再者，於圖36中，以接觸孔37為例進行表示。

為確保金屬橋35與電極32之連接部之面積，較佳為使相對於1個電極32的接觸孔37之形成面積充分大。

表示有如下例，即，於圖36中以兩點鏈線表示之區域82中，於電極32之Y軸方向之各角部附近，以與構成金屬橋35之網狀金屬之各配線交叉部(格子部分)分別對應之方式設置有複數個接觸孔37。

藉由以如上方式使接觸孔37之數量增加，可使接觸孔37之形成面積充分大。

又，表示有如下例，即，於圖36中以兩點鏈線表示之區域83中，於電極32上設置有與作為金屬橋35之連接方向的Y軸方向交叉之於X軸方向上較長之橫長之接觸孔37。

表示有如下例，即，於圖36中以兩點鏈線所示之區域84 中，於電極32上設置有橫跨於構成金屬橋35之網狀金屬中之複數個配線交叉部(格子部分)的大型之接觸孔37。

區域83、84之接觸孔37藉由如上所述般形成為橫長或大型，而以橫跨於金屬橋35之與中央幹線35A並行之(例如與中央幹線35A平行之)複數條配線上之方式形成。

如上所述，金屬橋35兼作覆蓋像素間之遮光層(BM)。

因此，區域83、84之接觸孔37以橫跨於複數個像素中之方式形成。

亦可藉由使接觸孔37之尺寸增大代替以如上方式使接觸孔37之數量增加，而使接觸孔37之形成面積增大。

[實施形態5]

若基於圖37至圖40(a)~(e)對本發明之其他實施形態進行說明，則如下所述。再者，於說明之方便上，對與於實施形態1~4中使用之構成要素具有同一功能之構成要素標註同一符號，並省略其說明。

於實施形態1~4中，對金屬橋35兼作BM(遮光層)而無BM之情形為例進行了說明。於本實施形態中，以金屬橋35兼作BM(遮光層)、並且與金屬橋35不同地進而另行設置有遮光層之情形為例進行說明。

再者，此處，所謂金屬橋35兼作遮光層係表示金屬橋35兼作將基板20組裝至液晶單元4內時所需之遮光層(BM)。具體而言，表示於將基板20搭載於液晶面板2上之情形時，例如以兼作設置於各像素間之格子狀之遮光層之方式，與形成遮光層之區域對應地形成有金屬橋35。

圖37係按照積層順序示意性地表示本實施形態之基板20之主要部分之構成之剖面圖。

如圖37所示，本實施形態之基板20係依序積層絕緣基板21、觸控面板層23、絕緣層25、遮光層22(BM)、CF層26、對向電極27而形成。

再者，觸控面板層23之構成如上所述。本實施形態之基板20除設置有遮光層22之方面以外，其他具有與實施形態1~4之基板20相同之構成。

遮光層22以覆蓋像素間之方式於俯視時重疊形成於金屬橋35上。

換言之，遮光層22於俯視時覆蓋金屬橋35。藉此，根據本實施形態，可藉由遮光層22遮蔽金屬橋35之形成區域，並且可遮蔽自金屬橋35之側方之漏光或因金屬橋35而產生之反射光。

又，藉由遮光層22具有與金屬橋35對應之形狀，可於遮光層22之形成與金屬橋35之形成中使用相同之遮罩圖案。因此，可削減遮罩片數，且可降低製程成本。

<基板20之構成例1>

圖38(a)、(b)係表示於基板20中設置有圖4所示之觸控面板層23時的基板20之概略構成之剖面圖。再者，由於觸控面板層23及金屬橋35之構成與圖4及圖6相同，故而於本例示中省略觸控面板層23及金屬橋35之平面圖。

圖38(a)對應於沿Y1-Y1線切斷圖4所示之觸控面板層23時的基板20之剖面。又，圖38(b)對應於沿X2-X2線切斷圖 4所示之觸控面板層23時的基板20之剖面。

<基板20之構成例2>

圖39(a)、(b)係表示於基板20中設置有圖20所示之觸控面板層23時的基板20之概略構成之剖面圖。再者，由於觸控面板層23及金屬橋35之構成與圖20及圖22相同，故而於本例示中省略觸控面板層23及金屬橋35之平面圖。

圖39(a)對應於沿Y2-Y2線切斷圖20所示之觸控面板層23時的基板20之剖面。又，圖39(b)對應於沿X3-X3線切斷圖20所示之觸控面板層23時的基板20之剖面。

再者，作為遮光層22，例如可使用周知之樹脂BM(具有遮光性之樹脂)。

如上所述，於金屬橋35兼作遮光層之情形時，並非必須另行設置遮光層。因此，例如如實施形態1般，於未另外形成遮光層之情形時，可削減零件個數，且降低製程成本。

然而，如上所述，於金屬橋35分別與電極32、33連接之情形時，因於金屬橋35上以電極32、33間不導通之方式設置有中斷線39，故而藉由與金屬橋35不同地另行配置遮光層22，可抑制自金屬橋35之網狀切斷面等的漏光。

再者，圖37~圖39(a)、(b)所示之遮光層22之配置為一例，遮光層22之配置並不限定於絕緣層25與CF層26之間。

再者，藉由如圖37~圖39(a)、(b)所示般於絕緣層25與CF層26之間設置有遮光層22，於以遮光層22位於各色之CF層26間之方式形成遮光層22時，可容易地進行遮光層22與CF 層26之位置對準。

又，此時，藉由於金屬橋35與對向電極27之間設置有遮光層22，可爭取感測電極31與對向電極27之間之距離。藉此，可使感測電極31與對向電極27之間之寄生電容減小。

<基板20之製作步驟>

其次，以下，參照圖40(a)~(e)對基板20之製作步驟進行說明。再者，沿圖4所示之Y1-Y1線切斷圖38(a)、(b)所示之基板20時的切斷面與沿圖20所示之Y2-Y2線切斷圖39(a)、(b)所示之基板20時的切斷面相同。因此，以下，概括地對圖38(a)、(b)及圖39(a)、(b)所示之基板20之製作步驟進行說明。

圖40(a)~(e)係按照步驟順序表示基板20之製作步驟之剖面圖，且如上所述，對應於圖4之Y1-Y1線剖面或圖20之Y2-Y2線剖面。

再者，圖40(a)~(c)所示之步驟除於圖38(a)、(b)所示之基板20與圖39(a)、(b)所示之基板20內中斷線39之條數不同以外，其他與圖19(a)、(b)所示之步驟相同。

因此，此處，省略圖40(a)~(c)所示之步驟之說明。

於圖40(d)所示之步驟中，以覆蓋形成有金屬橋35之絕緣基板21之該等電極32、33之形成面整個面之方式，與圖19(d)同樣地形成絕緣層25。

其後，藉由於絕緣層25上使包含具有遮光性之材料的膜成膜，並進行圖案化，而於絕緣基板21上形成遮光層22(BM)。

作為遮光層22之材料，例如可列舉分散有黑色顏料等之感光性樹脂等。再者，作為上述感光性樹脂，可使用丙烯酸系之感光性樹脂等周知之感光性樹脂。

又，作為遮光層22之形成方法，可使用周知之方法。例如利用旋轉塗佈法於絕緣層25上塗佈分散有黑色顏料之感光性樹脂，經由光罩曝光該經塗佈之感光性樹脂後進行顯影，藉此可形成遮光層22。

或者，亦可藉由於絕緣層25之表面層壓包括黑色之樹脂膜之乾膜，且剝離覆蓋薄膜，而轉印黑色之樹脂膜之後，利用光罩進行曝光、顯影，藉此形成遮光層22。

此時，遮光層22與金屬橋35同樣地，於面板化時以覆蓋基板10之開關元件、或閘極線、源極線、輔助電容線等配線之方式得到圖案化。再者，可將相同之光罩用於遮光層22之圖案遮罩及金屬橋35之圖案遮罩。

其次，如圖40(e)所示，利用使用光微影之圖案化、或者噴墨印刷法或層壓法、顏料分散法等周知之方法，於上述遮光層22之間隙處形成例如紅(R)、綠(G)、藍(B)等複數種顏色之CF層26。

其後，如圖40(e)所示，與圖19(e)同樣地形成對向電極27。

最後，藉由於對向電極27上視需要形成未圖示之配向膜，可製造本實施形態之基板20。

再者，於本實施形態中，遮光層22、CF層26、對向電極27、配向膜等之厚度並無特別限定，亦可與先前同樣地設 定。

[實施形態6]

若基於圖41對本發明之其他實施形態進行說明，則如下所述。再者，於說明之方便上，對與於實施形態1~5中使用之構成要素具有同一功能之構成要素標註同一符號，並省略其說明。

圖41係表示本實施形態之基板20之觸控面板層23之主要部分之構成之平面圖。

於實施形態1~5中，以電極32、33於俯視時為矩形狀(例如正方形狀)、且以各電極32、33之對角線分別沿X軸方向及Y軸方向延伸之方式配置各電極32、33之情形為例進行了說明。

與此相對，於本實施形態中，如圖41所示，電極32、33於俯視時具有矩形狀(於圖41所示之例中為長方形狀)之圖案，且以各電極32、33之各邊分別沿X軸方向及Y軸方向延伸之方式配置有各電極32、33。

又，於本實施形態中，沿X軸方向排列之電極33亦由沿X軸方向配置之連接配線36相互連接。再者，於以同一材料形成連接配線36及電極33之情形時，電極33與連接配線36可於同一層形成為一體。

於圖41所示之例中，沿X軸方向排列之電極33於X軸方向之邊上由連接配線36連接。因此，電極33列形成為梳齒狀。

另一方面，沿Y軸方向排列之電極32具有以下構造， 即，包括於X軸方向上鄰接之2個矩形狀之電極部32a，且該等電極部32a於X軸方向之邊上由沿X軸方向配置之連接部32b連接。

因此，電極32以與電極33列之梳齒圖案齒合之方式形成為凹狀。

電極32藉由設置於各電極部32a之接觸孔37而與包括網狀金屬之金屬橋35電性連接。

金屬橋35上之鄰接之電極32與電極33之間以電極32與電極33不通電之方式斷線。

因此，於本實施形態中，於俯視時以包括各電極33之方式於金屬橋35上設置中斷線39。

藉此，可使電極32與金屬橋35電性連接，而不使電極32、33通電，因此，可減小CR時間常數。

再者，於僅使電極32與金屬橋35連接之情形時，可於由中斷線39包圍之區域中形成電性上為浮島狀之金屬配線部35c。於該情形時，上述金屬配線部35c可與對向電極27電性連接。

另一方面，藉由於電極33上如以兩點鏈線所示般形成接觸孔38，以使電極33與金屬橋連接，可於由中斷線39包圍之區域內形成與電極33電性連接之金屬配線部35b。

[實施形態7]

若基於圖42~圖49對本發明之其他實施形態進行說明，則如下所述。再者，於說明之方便上，對與於實施形態1~6中使用之構成要素具有同一功能之構成要素標註同一 符號，並省略其說明。

<基板20之構成>

圖42係表示本實施形態之基板20之觸控面板層23之主要部分之構成之平面圖。又，圖43(a)係表示沿Y6-Y6線切斷圖42所示之觸控面板層23時的基板20之剖面之圖，圖43(b)係表示沿X10-X10線切斷圖42所示之觸控面板層23時的基板20之剖面之圖。

又，圖44係表示圖42所示之金屬橋35之概略構成之平面圖。

<基板20之構成>

於實施形態1~6中，感測電極31具備矩形狀之電極32、33作為X電極及Y電極，該等電極32、33形成為同一平面狀。

於本實施形態中，如圖42所示，感測電極31包括俯視時具有矩形狀(長方形狀)之面狀圖案(平面圖案)的複數個電極132(第1電極)作為沿Y軸方向延伸之Y電極，而代替電極32列。

如圖42所示，該等電極132分別孤立地配置，且沿X軸方向並列配置有複數個且呈條紋狀。再者，未設置X電極。於各電極132上分別設置有未圖示之引出配線，且於端子部40與位置檢測電路等連接。

於本實施形態中，將鄰接之電極132中之一者用作構成驅動線之驅動電極(發送電極)，將另一者用作構成檢測線之檢測電極(接收電極)。

該等電極132與電極32、33同樣地為透明之電極，作為該等電極132之材料，可使用與電極32、33相同之材料。

如上述般，於本實施形態中，藉由利用具有面狀圖案之透明電極形成該等電極32、33，而確保光之穿透率及透明區域之面積。

如圖42及圖43(a)、(b)所示，於電極132上經由絕緣層34而設置有包括網狀金屬之金屬橋35。

於絕緣層34中設置有分別將電極132與金屬橋35電性連接之接觸孔137。

相對於1個電極132至少形成有1個(於圖42所示之例中為2個)接觸孔137。

金屬橋35藉由接觸孔137而與各電極132橋接。

金屬橋35上之於X軸方向上鄰接之電極132間，以使該等電極132間不通電之方式斷線。

於金屬橋35上之於X軸方向上鄰接之電極132間，沿該等電極132分別各設有1條中斷線39。

中斷線39將金屬橋35分斷成分別與於X軸方向上鄰接之電極132電性連接之複數個金屬配線部35d。於X軸方向上鄰接之電極132間藉由設置於各電極132之中斷線39而相互絕緣。

如上所述，於本實施形態中，藉由電極132經由絕緣層34而與包括格子狀之金屬配線的金屬橋35電性連接，藉此可於確保光之穿透率及透明區域之面積之狀態下謀求感測電極31之低電阻化。因此，於將上述基板20作為觸控面板 基板而搭載於液晶面板2上之情形時，可於確保液晶面板2之開口率之狀態下謀求感測電極31之低電阻化。

又，如上所述，由於可使感測電極31低電阻化，故而可減小CR時間常數。

因此，於本實施形態中，亦可提供一種位置檢測性能高、且可進行穩定之位置檢測動作的觸控面板基板及光電裝置。

根據本實施形態，由於沿X軸方向排列有複數個作為Y電極之電極132，且未設置X電極，故而僅檢測X軸方向之檢測對象物之座標位置。

<基板20之製作步驟>

其次，以下參照圖45(a)~(e)對基板20之製作步驟進行說明。

圖45(a)~(e)係按照步驟順序表示基板20之製作步驟之剖面圖，且均與圖42之Y6-Y6線剖面對應。

首先，如圖45(a)所示，除使用遮罩圖案與於實施形態1中用於電極32、33、及連接配線36之形成的光罩不同之光罩以外，其他與圖19(a)之步驟同樣地，於絕緣基板21上形成如圖42所示般沿Y軸方向延伸之條紋狀之電極132。

其次，如圖45(a)所示，與圖19(b)同樣地形成絕緣層34。其後，如圖45(a)所示，與圖19(b)同樣地，於絕緣層34中與各電極132對應地形成圖42所示之成為接觸孔137之開口部34a。

其次，如圖45(c)所示，於上述絕緣層34上與圖19(c)同 樣地形成金屬橋35及接觸孔137後，沿電極132將於X軸方向上鄰接之電極132間與圖19(c)同樣地電性切斷。

藉此，於在X軸方向上鄰接之電極132間形成條紋狀之中斷線39。藉此，可於金屬橋35上形成與各電極132電性連接之複數個金屬配線部35d，且於X軸方向上鄰接之電極132間不通電。

其次，如圖45(d)所示，以覆蓋形成有金屬橋35之絕緣基板21之電極132之形成面整個面之方式，與圖19(d)同樣地形成絕緣層25及CF層26。

其後，如圖45(e)所示，與圖19(e)同樣地形成對向電極27。

最後，藉由於對向電極27上視需要形成未圖示之配向膜，可製造本實施形態之基板20。

再者，於本實施形態中，遮光層22、CF層26、對向電極27、配向膜等之厚度並無特別限定，可與先前同樣地設定。

<變形例>

其次，以下，對本實施形態之光電裝置中之各構成要素之變形例進行說明。

<利用金屬橋35之連接>

於本實施形態中，如圖42所示，以中斷線39俯視時沿該等電極132形成於在X軸方向上鄰接之電極132間之情形為例進行了圖示。

然而，中斷線39只要以於X軸方向上鄰接之電極132不通 電之方式進行電性切斷即可。

因此，中斷線39並非必須形成於在X軸方向上鄰接之電極132之圖案間，於俯視時形成在設置於各電極132中之接觸孔137間即可。

<電極132之排列方向>

又，於本實施形態中，如上所述，以僅設置有Y電極而未設置X電極之情形為例進行了說明，但本實施形態並不限定於此。例如亦可僅設置X電極，而不設置Y電極。

於該情形時，藉由將電極132沿X軸方向延設代替沿Y軸方向延設、且沿Y軸方向排列複數個，可僅檢測Y軸方向之檢測對象物之座標位置。

<電極132之形狀>

又，於本實施形態中，以如圖42所示般設置沿Y軸方向延伸之條紋狀之電極132作為Y電極之情形為例進行了說明。然而，本實施形態並不限定於此。

例如亦可為如下構成，即，如實施形態1般，沿X軸方向或Y軸方向排列複數個於X軸方向及Y軸方向上具有對角線之矩形狀(例如正方形狀)之電極32代替條紋狀之電極132。

再者，於該情形時，電極32可於X軸方向及Y軸方向上具有孤立的孤立圖案，也可設為於X軸方向及Y軸方向中之任一方向上由連接配線36連結之構成。於該情形時，與實施形態1同樣地，金屬橋35藉由設置於各電極32上之接觸孔37而將各電極32間橋接。

<遮光層22>

又，於本實施形態中，與實施形態5同樣地，亦可於基板20上設置遮光層22(BM)。

<遮光層22之配置例1>

圖46(a)、(b)係表示於絕緣層25與CF層26之間設置有遮光層22時的基板20之主要部分之概略構成之剖面圖。再者，圖46(a)對應於沿圖42所示之Y6-Y6線切斷基板20時的基板20之剖面，圖46(b)對應於沿圖42所示之X10-X10線切斷基板20時的基板20之剖面。

再者，由於觸控面板層23及金屬橋35之構成與圖42相同，故而，此處省略觸控面板層23及金屬橋35之平面圖。

圖46(a)、(b)所示之基板20可藉由如下方式製作，即，於圖45(a)~(e)所示之步驟中之圖45(d)所示之步驟中，藉由如圖40(d)所示般於絕緣層25上使包含具有遮光性之材料的膜成膜並進行圖案化，而於絕緣基板21上形成遮光層22(BM)後，形成CF層26。

於本實施形態中，如圖46(a)、(b)所示，藉由於金屬橋35與對向電極27之間設置有遮光層22，亦可爭取感測電極31(即電極132)與對向電極27之間之距離。藉此，可減小感測電極31與對向電極27之間之寄生電容。

又，此時，如圖46(a)、(b)所示，藉由於絕緣層25與CF層26之間設置有遮光層22，於以遮光層22位於各色之CF層26間之方式形成遮光層22時，可容易地進行遮光層22與CF層26之位置對準。

<遮光層22之配置例2>

又，與實施形態5同樣地，於本實施形態中，圖46(a)、(b)所示之遮光層22之配置為一例，遮光層22之配置並不限定於絕緣層25與CF層26之間。

圖47係示意性地表示本實施形態之其他基板20之概略構成之剖面圖。又，圖48(a)、(b)係表示於絕緣基板21與電極132之間設置有遮光層22時的基板20之主要部分之概略構成之剖面圖。

如圖47及圖48(a)、(b)所示，遮光層22亦可設置於絕緣基板21與電極132之間。

圖48(a)、(b)所示之基板20可以如下方式製作。

首先，藉由於絕緣基板21上使包含具有遮光性之材料的膜成膜並進行圖案化，而於絕緣基板21上形成遮光層22(BM)。其後，於形成有上述遮光層22之絕緣基板21上，與圖45(a)~(e)所示之步驟同樣地，依序形成電極132、絕緣層34、金屬橋35、絕緣層25、CF層26、對向電極27。再者，遮光層22除形成於絕緣基板21上而非絕緣層25上之外，其他可與圖40(d)所示之步驟同樣地形成。

於本實施形態中，如圖43(a)、(b)所示，藉由金屬橋35兼作遮光層，亦並非必須另行設置遮光層。因此，例如於如圖43(a)、(b)所示般另外形成遮光層之情形時，可削減零件個數，且降低製程成本。

然而，如上所述，因於金屬橋35上以鄰接之電極132間不導通之方式設置有中斷線39，故而藉由與金屬橋35不同地另行配置遮光層22，可抑制自金屬橋35之網狀切斷面等 的漏光。

<中斷線39之形成例1>

於本實施形態中，以於鄰接之電極132間每1條地形成中斷線39之情形為例進行了說明。然而，中斷線39於鄰接之電極132間至少形成1條即可，亦可形成2條以上。

例如雖未圖示，但於本實施形態中，與實施形態2、3同樣地，亦可於金屬橋35上之於X軸方向上鄰接之電極132間每2條地設置有中斷線39。

藉此，於金屬橋35上之於X軸方向上鄰接之電極132間(更嚴格而言，與該等電極132電性連接之金屬配線部35d間)，藉由中斷線39而形成未與電極132電性連接之電性上為浮島狀之金屬配線部(未圖示)。

藉此，可確實地防止於X軸方向上鄰接之金屬配線部35d間之短路，且可抑制因上述短路而導致之良率之降低。

又，藉由於金屬配線部35d間設置未與電極132電性連接之金屬配線部，可使不根據檢測對象物之接觸之有無而伴有電容變化之電容減小。

因此，可使CR時間常數減小，且可使觸控面板之位置檢測動作更容易。

<中斷線39之形成例2>

圖49係表示圖42所示之金屬橋35上之中斷線39之其他形成例之平面圖。再者，於圖49中，為表示金屬橋35之各金屬配線部與接觸孔137之位置關係，而以兩點鏈線表示接觸孔137及電極132。

於圖49所示之例中，於1個電極132上沿Y軸方向形成複數個(於圖49所示之例中為4個)接觸孔137，並且於電極132之Y軸方向之端部側沿Y軸方向分別每2個地形成接觸孔137。

而且，於金屬橋35上之該等接觸孔137中之位於電極132之內側之2個接觸孔間，沿X軸方向形成有2條中斷線39，並且於Y軸方向上之該等沿X軸方向形成之中斷線39之外側之區域，沿鄰接之電極132，於Y軸方向上進而形成有中斷線39。即，於圖49中，以各中斷線39之梳齒之部分相互朝相反方向之方式形成梳齒狀之2條中斷線39。

藉此，於圖49所示之例中，於金屬橋35上之沿X軸方向形成之2條中斷線39間，形成有未與電極132電性連接之金屬配線部35e。

如上述般，藉由於金屬橋35上之藉由接觸孔137而與電極132電性連接之金屬配線部35e間，形成未與電極132電性連接之金屬配線部35e，且使該金屬配線部35e如實施形態3所示般與對向電極27電性連接，可謀求對向電極27之低電阻化。

[實施形態8]

若基於圖50(a)、(b)~圖52對本發明中之其他實施形態進行說明，則如下所述。再者，於說明之方便上，對與於實施形態1~7中使用之構成要素具有同一功能之構成要素標註同一符號，並省略其說明。

圖50(a)係表示本實施形態之基板20之概略構成之平面 圖，圖50(b)係表示圖50(a)所示之基板20之I-I線剖面圖。

又，圖51(a)係表示本實施形態之液晶面板2之概略構成之平面圖，圖51(b)係表示圖51(a)所示之液晶面板2之II-II線剖面圖。

如圖50(b)及圖51(b)所示，金屬橋35上之成為基板20與基板10之連接部(密封部)的外周部90(外周端部)自電極32、33電性切斷。

於本實施形態中，對向電極27與金屬橋35之外周部90(屏蔽線)電性連接。即，如圖51(b)所示，對向電極27於設置有密封材料60之密封部與金屬橋35之屏蔽線電性連接。藉此，於密封部亦可謀求對向電極27之低電阻化。因此，可減小CR時間常數。

又，於如上所述般將基板20搭載於液晶面板2上之情形時，由於可如上所述般謀求對向電極27之低電阻化，故而可使液晶面板2之顯示性能提昇。

又，藉由將對向電極27與屏蔽線連接，例如可防止來自TFT用之配線等的雜訊。

又，於本實施形態中，如圖50(b)及圖51(b)所示，藉由於基板20之外周部，於金屬橋35上形成(成膜)對向電極27，而將金屬橋35與對向電極27電性連接。

因此，根據本實施形態，可省略用以將金屬橋35與對向電極27電性連接之製造步驟、即用以將金屬橋35之未與電極32、33電性連接之金屬配線部35c與對向電極27電性連接的接觸孔28之形成步驟。因此，可謀求基板20之製造步 驟之簡化及製造成本之降低化。

再者，觸控面板層23之各引出配線(未圖示)經由包含於密封材料60中之金珠等導電性粒子而與基板10中之主動矩陣層12(TFT像素部)之配線圖案(未圖示)連接。

<變形例>

圖52係表示本實施形態之液晶面板2之概略構成之剖面圖。再者，圖52相當於圖51(a)所示之液晶面板2之II-II線剖面圖。

於圖51中，以CF層26經由對向電極27而鄰接設置於密封材料60之配設區域之情形為例進行了圖示。

於圖52中表示了CF層26形成於利用遮光層22之遮光區域之情形。藉此，CF層26之周緣部之周圍由密封材料60遮蔽，而可抑制CF層26之周端部之漏光。

[實施形態9]

若基於圖53及圖54(a)~(d)對本發明中之其他實施形態進行說明，則如下所述。再者，於說明之方便上，對與於實施形態1~8中使用之構成要素具有同一功能之構成要素標註同一符號，並省略其說明。

於本實施形態中，尤其係以如實施形態7般遮光層22為包含金屬的金屬BM、且遮光層22與對向電極27電性連接之情形為例進行說明。

因此，按照積層順序示意性地表示本實施形態之基板20之主要部分之構成之剖面圖與圖37相同，且按照圖37所示之順序積層各層。

圖53係表示遮光層22與對向電極27之連接關係之平面圖。又，圖54(a)係圖53之Y7-Y7線剖面圖，圖54(b)係圖53之Y8-Y8線剖面圖，圖54(c)係圖53之X10-X10線剖面圖，圖54(d)係圖53之X11-X11線剖面圖。

再者，於圖53及圖54(a)~(d)中部分性地表示有電極32、33及金屬橋35。又，對向電極27由於為固體狀之透明電極，於圖53中表示為外周之虛線區域。

遮光層22係利用低電阻之導電膜形成。又，如圖53所示，遮光層22以於俯視時與金屬橋35重疊之方式形成，進而，如圖53及圖54(a)、(c)所示，遮光層22經由複數個接觸孔29而與對向電極27電性連接。

<基板20之製作步驟>

其次，以下，參照圖55(a)~(f)對本實施形態之基板20之製作步驟進行說明。再者，圖55(a)~(f)係按照步驟順序示意性地表示基板20之製作步驟之剖面圖，且均與圖53之Y7-Y7線剖面對應。

再者，圖55(a)~(c)所示之步驟與圖19(a)~(c)所示之步驟相同。因此，此處，省略圖55(a)~(c)所示之步驟之說明。

於圖55(d)所示之步驟中，以覆蓋形成有金屬橋35之絕緣基板21的該等電極32、33之形成面整個面之方式，與圖19(d)同樣地形成絕緣層25。

其後，藉由於絕緣層25上利用濺鍍等使包含金屬材料之金屬膜成膜，且利用光微影法等進行圖案化，而於絕緣基板21上形成遮光層22(BM)。

再者，作為用於遮光層22之金屬材料，例如可列舉鈦(Ti)、銅(Cu)、金(Au)、鋁(Al)、鎢(W)、鋅(Zn)、鎳(Ni)、錫(Sn)、鉻(Cr)、鉬(Mo)、鉭(Ta)等電阻較低之金屬及其金屬化合物以及金屬矽化物等。

再者，於本實施形態中，遮光層22與金屬橋35同樣地，亦於面板化時以覆蓋基板10之開關元件、或閘極線、源極線、輔助電容線等配線之方式得到圖案化。於本實施形態中，亦可將相同之光罩用於遮光層22之圖案遮罩及金屬橋35之圖案遮罩。

其次，利用使用光微影之圖案化、或者噴墨印刷法或層壓法、顏料分散法等周知之方法，如圖55(d)所示，於上述遮光層22之間隙處形成例如紅(R)、綠(G)、藍(B)等複數種顏色之CF層26。

其後，利用光微影法等進行CF層26之圖案化，如圖55(e)所示，蝕刻CF層26，而形成成為接觸孔29之開口部26a。

其後，如圖55(f)所示，與圖19(e)同樣地形成對向電極27。此時，藉由於開口部26a內亦形成與對向電極27包括包含相同之透明導電材料之透明導電膜的金屬配線，而如圖55(f)所示，形成包括上述透明導電膜之對向電極27及接觸孔29。

最後，藉由於對向電極27上視需要形成未圖示之配向膜，可製造基板20。

再者，CF層26、遮光層22、對向電極27、配向膜等之厚 度並無特別限定，可與先前同樣地設定。

如上述般，根據本實施形態，藉由使包括金屬等低電阻之導電體之遮光層22與對向電極27電性連接，可使對向電極27低電阻化。藉此，可減小CR時間常數，且可提昇SN比。因此，可提供一種位置檢測性能高、且可進行穩定之位置檢測動作的觸控面板基板及光電裝置。

[實施形態10]

若基於圖56(a)、(b)對本發明中之其他實施形態進行說明，則如下所述。再者，於說明之方便上，對與於實施形態1~9中使用之構成要素具有同一功能之構成要素標註同一符號，並省略其說明。

圖56(a)係表示本實施形態之基板20之概略構成之平面圖，圖56(b)係圖56(a)之III-III線剖面圖。

本實施形態之基板20係與實施形態9同樣地於絕緣基板21上依序積層有感測電極31(電極32、33)、絕緣層34、金屬橋35、絕緣層25、包括金屬等低電阻之導電體之遮光層22、CF層26、對向電極27。

於本實施形態中，對向電極27於當面板化時用作密封部的液晶面板2之外周部(外周端部)與遮光層22電性連接。藉此，於密封部，可謀求對向電極27之低電阻化。因此，可減小CR時間常數。

又，根據本實施形態，由於可省略用以將遮光層22與對向電極27電性連接之製造步驟、即基板20中之接觸孔29之形成步驟，故而可謀求基板20之製造步驟之簡化及製造成 本之降低化。

[實施形態11]

若基於圖57(a)、(b)至圖58(a)~(f)對本發明中之其他實施形態進行說明，則如下所述。再者，於說明之方便上，對與於實施形態1~10中使用之構成要素具有同一功能之構成要素標註同一符號，並省略其說明。

圖57(a)、(b)係表示本實施形態之基板20之概略構成之剖面圖，圖57(a)對應於圖4之Y1-Y1線剖面圖，圖57(b)對應於圖4之X2-X2剖面圖。

如圖57(a)、(b)所示，基板20係於絕緣基板21上依序積層有感測電極31(電極32、33)、絕緣層34、金屬橋35、絕緣層25、CF層26、包括金屬等低電阻之導電體的遮光層22、對向電極27。

圖58(a)~(f)係按照步驟順序表示本實施形態之基板20之製作步驟之剖面圖，且均與圖4之Y1-Y1線剖面對應。

於本實施形態中，如圖57(a)、(b)及圖58(a)~(f)所示，於CF層26上形成有遮光層22，於遮光層22上形成有對向電極27。

藉此，於本實施形態中，遮光層22與對向電極27直接電性連接。

因此，根據本實施形態，由於可省略用以將遮光層22與對向電極27電性連接之製造步驟、即接觸孔29之形成步驟，故而可謀求基板20之製造步驟之簡化及製造成本之降低化。

[實施形態12]

若基於圖59(a)、(b)至圖60(a)~(f)對本發明中之其他實施形態進行說明，則如下所述。再者，於說明之方便上，對與於實施形態1~11中使用之構成要素具有同一功能之構成要素標註同一符號，並省略其說明。

圖59(a)、(b)係表示本實施形態之基板20之概略構成之剖面圖，圖59(a)對應於圖4之Y1-Y1線剖面圖，圖59(b)對應於圖4之X2-X2剖面圖。

如圖59(a)、(b)所示，基板20係於絕緣基板21上依序積層有感測電極31(電極32、33)、絕緣層34、金屬橋35、絕緣層25、包括金屬等低電阻之導電體的遮光層22、CF層26、金屬層151、對向電極27。金屬層151與對向電極27電性連接。又，遮光層22經由設置於CF層26及金屬層151中之接觸孔152而與金屬層151及對向電極27電性連接。

圖60(a)~(f)係按照步驟順序表示本實施形態之基板20之製作步驟之剖面圖，且均對應於圖4之Y1-Y1線剖面。

於本實施形態中，如圖60(e)所示，於實施形態11中之圖58(d)所示之步驟中形成CF層26後，於CF層26上，利用濺鍍等例如以與遮光層22相同之圖案形成低電阻之金屬層151。

其後，利用光微影法等進行CF層26及金屬層151之圖案化，如圖60(e)所示，蝕刻CF層26及金屬層151，而形成成為接觸孔152之開口部141。

其後，於圖60(e)所示之步驟中，藉由於形成有CF層26 及金屬層151之開口部141內亦形成透明導電膜，而形成對向電極27及接觸孔152。

再者，作為金屬層151，可與遮光層22使用相同之低電阻之金屬材料等導電體。

根據本實施形態，由於使包括導電體之遮光層22及金屬層151與對向電極27電性連接，故而可使對向電極27之電阻與實施形態9~11相比進一步降低。藉此，可進一步提昇觸控面板之位置檢測性能，且可進行穩定之位置檢測動作。

[實施形態13]

若基於圖61(a)、(b)~圖63對本發明中之其他實施形態進行說明，則如下所述。再者，於說明之方便上，對與於實施形態1~12中使用之構成要素具有同一功能之構成要素標註同一符號，並省略其說明。

圖61(a)係表示液晶面板2之顯示驅動用端子及觸控面板用端子之平面圖，圖61(b)係圖61(a)所示之觸控面板用端子之部分(以圓包圍之區域)之放大圖。

又，圖62及圖63分別係表示液晶面板2之顯示驅動用端子及觸控面板用端子之其他平面圖。

如圖61(a)所示，液晶面板2係以顯示驅動用端子之表面與觸控面板用端子之表面成為同一方向(圖61(a)中之紙面鉛垂向上)之方式構成。

如圖61(b)所示，設置於觸控面板之表面之端子經由接觸部而與背面之信號配線(觸控面板用配線)連接。具體而 言，觸控面板用端子與背面之信號配線係於接觸部藉由設置於密封部內之金珠等導電性粒子而電性連接。

藉此，由於可將顯示驅動用端子與觸控面板用端子形成為相同之朝向，故而可於基板10、20中之一基板側、即基板10側，進行顯示驅動用端子及觸控面板用端子與電路之連接。

但，液晶面板2之邊緣區域之端子部並不限定於上述構成，例如亦可設為圖62或圖63所示之構成。

於圖62所示之液晶面板2中，構成為藉由將基板10、20之端子部傾斜地切割並錯開配置，而使觸控面板用端子之表面與顯示驅動用端子之表面對向。

又，於圖63所示之液晶面板2中，藉由相互朝相反方向引出並錯開配置基板10、20，而分別對基板10、20形成端子部。藉此，於圖63所示之液晶面板2中，構成為觸控面板用端子之表面與顯示驅動用端子之表面相互對向，並且關於液晶面板2之中心對稱。

再者，上述端子部之構成可共通地應用於上述各實施形態之基板20。

<變形例>

再者，於上述各實施形態中，以觸控面板層23設置於對向基板、尤其係CF基板中之情形為例進行了說明。然而，本發明並不限定於此，亦可於主動矩陣基板等陣列基板中設置觸控面板層23。

但，由於藉由將觸控面板層23設置於對向基板中，可使 陣列基板上之圖像顯示用之信號線(閘極線或源極線)與觸控面板層23間隔，故而與觸控面板層23設置於陣列基板中之情形相比，可抑制雜訊之產生，且可使觸控面板之感度提昇。

<要點概要>

如上所述，本發明之一態樣之觸控面板基板用作夾持光電元件之一對基板中之一基板，且設置有根據靜電電容之變化而對檢測對象物之指示座標之位置進行檢測的位置檢測電極，該觸控面板基板包括絕緣基板、對上述光電元件施加電場之光電元件驅動電極、及與上述光電元件驅動電極絕緣地設置於上述絕緣基板與光電元件驅動電極之間之上述位置檢測電極，且上述位置檢測電極至少包括沿第1方向排列且包含透明之電極的複數個第1電極，且至少上述第1電極經由絕緣層而與格子狀之金屬配線電性連接。

根據上述構成，可於確保光之穿透率及透明區域之面積之狀態下謀求位置檢測電極之低電阻化。因此，於將上述觸控面板基板搭載於顯示面板上之情形時，可於確保該顯示面板之開口率之狀態下謀求位置檢測電極之低電阻化。

又，如上所述，由於使位置檢測電極低電阻化，故而可減小CR時間常數。

因此，根據上述構成，可提供一種位置檢測性能高、且可進行穩定之位置檢測動作的觸控面板基板。

於上述觸控面板基板中，較佳為上述金屬配線兼作遮光層。

根據上述構成，藉由上述金屬配線兼作遮光層，而並非必須另行設置遮光層。因此，於未另外形成遮光層之情形時，可削減零件個數，且降低製程成本。

再者，所謂「上述金屬配線兼作遮光層」係表示上述金屬配線兼作將上述觸控面板基板組裝至顯示面板或顯示裝置等光電裝置之單元內時所需之遮光層。具體而言，於將上述觸控面板基板搭載於顯示面板上之情形時，表示例如以兼作設置於各像素間之格子狀之遮光層之方式，與上述遮光層形成為相同之形狀等與形成遮光層之區域對應地形成上述金屬配線。

再者，上述金屬配線較佳為設置於上述位置檢測電極與上述光電元件驅動電極之間。

藉由將上述金屬配線設置於較上述位置檢測電極更靠光電元件驅動電極側，可爭取上述位置檢測電極與光電元件驅動電極之間之距離，且可使上述位置檢測電極與光電元件驅動電極之間之寄生電容減小。而且，由於金屬配線具有配線形狀(線狀圖案)，故而金屬配線與光電元件驅動電極之間之寄生電容較小。因此，可提供一種位置檢測性能高、且可進行穩定之位置檢測動作之用於內嵌式觸控面板的觸控面板基板。

又，較佳為於上述金屬配線與位置檢測電極之間、及上述金屬配線與上述光電元件驅動電極之間中之至少任一處，設置有有機絕緣層作為絕緣層。

有機絕緣膜與無機絕緣膜相比可實現厚膜化，又，與無 機絕緣膜相比，比介電係數較低。

因此，藉由於上述金屬配線與上述位置檢測電極之間、及上述金屬配線與上述光電元件驅動電極之間中之至少一者處設置有機絕緣層(包括有機絕緣膜之層)，就厚膜化及低介電係數化之兩者之觀點而言，可減小上述位置檢測電極與光電元件驅動電極之間之寄生電容。

又，於上述觸控面板基板中，較佳為上述位置檢測電極更包括沿與上述第1方向交叉之第2方向與上述第1電極絕緣地排列且包含透明之電極的複數個第2電極，且上述第1電極與第2電極形成於同一面內。

根據上述構成，藉由將上述第1電極與第2電極形成於同一面內，即便於上述位置檢測電極包括第1電極及第2電極之情形時，亦可爭取第1電極及第2電極與光電元件驅動電極之間之距離。因此，與將第1電極與第2電極設置於不同層之情形相比，可減小第1電極及第2電極與光電元件驅動電極之間之寄生電容(即位置檢測電極與光電元件驅動電極之間之寄生電容)。

又，根據上述構成，由於藉由將上述第1電極與第2電極形成於同一面內，可爭取第1電極及第2電極與光電元件驅動電極之間之距離，故而即便於將第1電極及第2電極設為面狀圖案(平面圖案)之情形時，亦可減小上述寄生電容。因此，可於確保檢測信號之大小之狀態下減小上述寄生電容。

又，根據上述構成，藉由將第1電極與第2電極形成於同 一面內，可以同一材料同時形成第1電極與第2電極。因此，可降低製程成本。

又，上述觸控面板基板較佳為具有如下構成，即於上述第1電極及第2電極之形成面內，上述第1電極及第2電極中之至少第1電極係於與另一電極之排列方向交叉之方向上具有孤立的孤立圖案，且上述金屬配線係以橫跨於與另一電極之排列方向交叉之方向之方式，將上述第1電極及第2電極中之至少第1電極間橋接。

根據上述構成，藉由利用金屬配線以橫跨於與另一電極之排列方向交叉之方向之方式將第1電極及第2電極中之至少一電極間橋接，可以第1電極與第2電極相互不通電之方式將各電極間連接。

又，藉由第1電極及第2電極為透明電極，且如上所述般利用金屬配線將第1電極及第2電極中之一電極間橋接，可於確保透明區域之面積之狀態下謀求位置檢測電極之低電阻化。因此，於將上述觸控面板基板搭載於顯示面板上之情形時，可於確保該顯示面板之開口率之狀態下謀求位置檢測電極之低電阻化。

又，如上所述，由於可使位置檢測電極低電阻化，故而可減小CR時間常數。

又，較佳為上述金屬配線係藉由設置於上述金屬配線與由該金屬配線連接之電極之間的絕緣層中所形成之至少1個接觸孔而將上述電極間橋接。

根據上述構成，藉由上述格子狀之金屬配線，可容易地 進行橋接。因此，可簡化製程，且可削減製程成本。

又，較佳為上述接觸孔係形成於上述金屬配線之、與將由上述金屬配線連接之電極間連結的幹線交叉之支線部。

根據上述構成，藉由將上述接觸孔形成於支線部而非上述金屬配線之幹線上，可防止斷線，且可使良率提昇。

又，較佳為相對於1個電極而配置有複數個上述接觸孔。

根據上述構成，由於可確保上述金屬配線與電極之連接部之面積，且可使上述位置檢測電極低電阻化，故而可減小CR時間常數。

又，較佳為上述接觸孔係以橫跨於上述金屬配線中之與將由上述金屬配線連接之電極間連結之幹線並行之複數條配線上之方式形成。

此時，例如較佳為上述接觸孔係以橫跨於上述金屬配線之複數個格子部分之方式形成。

根據上述構成，由於可確保上述金屬配線與電極之連接部之面積，且可使上述位置檢測電極低電阻化，故而可減小CR時間常數。

又，較佳為上述觸控面板基板具有如下構成，即，於上述第1電極及第2電極之形成面內，上述第2電極由透明之連接配線連接，並且上述第1電極及第2電極經由上述接觸孔而分別與上述金屬配線電性連接，且上述金屬配線係在設置於上述第1電極中之上述接觸孔與設置於上述第2電極中之接觸孔之間，以上述第1電極與第2電極不通電之方式 斷線。

例如較佳為上述金屬配線係在設置於上述第1電極中之上述接觸孔與設置於上述第2電極中之上述接觸孔之間，包括將上述金屬配線分斷成複數個金屬配線部之中斷線，藉由上述中斷線，而將上述金屬配線分斷成與上述第1電極連接之金屬配線部及與上述第2電極連接之金屬配線部。

根據上述構成，可使上述第1電極及第2電極分別與上述金屬配線電性連接，而不使上述第1電極與第2電極通電。因此，可使上述位置檢測電極低電阻化，故而可減小CR時間常數。

又，較佳為於上述第2電極之由上述連接配線連接之電極端部設置有上述接觸孔。

根據上述構成，可使僅利用上述透明之連接配線形成之通電區域減小。因此，可使上述位置檢測電極低電阻化，故而可減小CR時間常數。

又，較佳為上述金屬配線(1)係在設置於上述第1電極中之上述接觸孔與設置於上述第2電極中之接觸孔之間，包括將上述金屬配線分斷成複數個金屬配線部的至少1條中斷線，且(2)在設置於上述第1電極中之上述接觸孔與設置於上述第2電極中之上述接觸孔之間，包括由上述中斷線分斷且未與上述位置檢測電極電性連接之金屬配線部。

根據上述構成，在設置於上述第1電極中之上述接觸孔與設置於上述第2電極中之上述接觸孔之間，可形成利用 未與上述位置檢測電極電性連接之金屬配線部(即與上述第1電極及第2電極中之任一者均未電性連接之金屬配線部)的浮島。

因此，可防止上述金屬配線之與上述第1電極連接之金屬配線部與同上述第2電極連接之金屬配線部之短路。因此，可抑制因上述短路而導致之良率之降低。

又，根據上述構成，藉由上述浮島(未與位置檢測電極電性連接之金屬配線部)，可使形成於上述第1電極與第2電極之間之交叉電容(不根據檢測對象物之接觸之有無而伴有電容變化之電容)減小。因此，可減小CR時間常數，且可使觸控面板之位置檢測動作更容易。

進而，根據上述構成，可形成未與上述位置檢測電極電性連接之金屬配線部，且無需另行形成金屬層。換言之，可不使零件個數或層厚增加地形成未與上述位置檢測電極電性連接之金屬配線部。

又，於上述觸控面板基板中，亦可為上述位置檢測電極僅包括上述複數個第1電極，於上述金屬配線與上述第1電極之間設置有絕緣層，上述第1電極係經由設置於上述絕緣層中之至少1個接觸孔而分別與上述金屬配線電性連接，且上述金屬配線係在分別設置於鄰接之第1電極之接觸孔彼此之間，以鄰接之第1電極彼此不通電之方式斷線。

根據上述構成，可使上述第1電極分別與上述金屬配線電性連接，而不使鄰接之第1電極彼此通電。因此，可使 上述位置檢測電極低電阻化，故而可減小CR時間常數。

又，於上述位置檢測電極僅包括上述複數個第1電極之情形時，較佳為上述金屬配線(1)係在分別設置於鄰接之第1電極中之接觸孔彼此之間，包括將上述金屬配線分斷成複數個金屬配線部的至少1條中斷線，且(2)在分別設置於鄰接之第1電極中之接觸孔彼此之間，包括由上述中斷線分斷且未與上述位置檢測電極電性連接之金屬配線部。

根據上述構成，於分別設置於鄰接之第1電極中之接觸孔彼此之間，可形成利用未與上述位置檢測電極電性連接之金屬配線部(即未與上述第1電極電性連接之金屬配線部)的浮島。

因此，可防止上述金屬配線上之鄰接之第1電極彼此之短路。因此，可抑制因上述短路而導致之良率之降低。

又，根據上述構成，藉由上述浮島(未與位置檢測電極電性連接之金屬配線部)，可使不根據檢測對象物之接觸之有無而伴有電容變化之電容減小。因此，可減小CR時間常數，且可使觸控面板之位置檢測動作更容易。

進而，根據上述構成，可形成未與上述位置檢測電極電性連接之金屬配線部，而無需另行形成金屬層。換言之，可不使零件個數或層厚增加地形成未與上述位置檢測電極電性連接之金屬配線部。

又，較佳為未與上述位置電極配線連接之金屬配線部係與上述光電元件驅動電極電性連接。

根據上述構成，藉由未與上述位置電極配線連接之金屬 配線部與上述光電元件驅動電極電性連接，可謀求上述光電元件驅動電極之低電阻化。因此，可減小CR時間常數。又，於將上述觸控面板基板搭載於顯示面板上之情形時，由於可謀求上述光電元件驅動電極之低電阻化，故而可使上述顯示面板之顯示性能提昇。

又，較佳為上述金屬配線之、成為與上述一對基板中之另一基板之連接部的外周部係與上述位置檢測電極電性切斷，且上述光電元件驅動電極係與上述金屬配線之外周部電性連接。

根據上述構成，可謀求上述光電元件驅動電極之低電阻化。因此，可CR減小時間常數。又，於將上述觸控面板基板搭載於顯示面板上之情形時，由於可謀求上述光電元件驅動電極之低電阻化，故而可使上述顯示面板之顯示性能提昇。

又，較佳為上述金屬配線係設置於上述位置檢測電極與上述光電元件驅動電極之間，且於上述金屬配線與位置檢測電極之間設置有複數種顏色之彩色濾光片。

根據上述構成，於設置彩色濾光片之情形時，藉由如上所述般於上述金屬配線與位置檢測電極之間形成彩色濾光片，可爭取上述位置檢測電極與光電元件驅動電極之間之距離。因此，可減小上述位置檢測電極與光電元件驅動電極之間之寄生電容。

又，如上所述，本發明之一態樣之光電裝置包括光電元件、及夾持上述光電元件之一對基板，且上述一對基板中 之一基板係上述觸控面板基板。

根據上述構成，藉由使用上述觸控面板基板作為上述一對基板中之一基板，可提供一種位置檢測性能高、且可進行穩定之位置檢測動作之包括內嵌式觸控面板的觸控面板一體式光電裝置。

本發明並不限定於上述各實施形態，可於技術方案所示之範圍內進行各種變更，適當組合不同之實施形態分別所揭示之技術手段而獲得之實施形態亦包含於本發明之技術範圍內。

[產業上之可利用性]

本發明可於用於內嵌式觸控面板的觸控面板基板及包括該觸控面板基板之光電裝置中加以利用。作為上述光電裝置，例如可列舉液晶面板、有機EL顯示面板、電泳顯示面板等顯示面板、及使用該等顯示面板之顯示裝置、或視角控制面板等。

1‧‧‧液晶顯示裝置(光電裝置)

2‧‧‧液晶面板(光電裝置)

3‧‧‧背光裝置

4‧‧‧液晶單元

5‧‧‧偏光板

6‧‧‧偏光板

7‧‧‧相位差板

8‧‧‧相位差板

10‧‧‧基板

11‧‧‧絕緣基板

12‧‧‧主動矩陣層

20‧‧‧基板(觸控面板基板)

21‧‧‧絕緣基板

22‧‧‧遮光層

23‧‧‧觸控面板層

24‧‧‧樹脂層

25‧‧‧絕緣層

26‧‧‧CF層(彩色濾光片)

26a‧‧‧開口部

27‧‧‧對向電極

28‧‧‧接觸孔

30‧‧‧液晶層(光電元件)

31‧‧‧感測電極(位置檢測電極)

32‧‧‧電極(位置檢測電極)

32a‧‧‧電極部

32b‧‧‧連接部

33‧‧‧電極(位置檢測電極)

34‧‧‧絕緣層

34a‧‧‧開口部

35‧‧‧金屬橋

35A‧‧‧中央幹線

35a‧‧‧電極配線部

35B‧‧‧支線部

35b‧‧‧金屬配線部

35c‧‧‧金屬配線部

35d‧‧‧金屬配線部

35e‧‧‧金屬配線部

36‧‧‧連接配線

37‧‧‧接觸孔

38‧‧‧接觸孔

39‧‧‧中斷線

40‧‧‧端子部

50‧‧‧液晶層

60‧‧‧密封材料

70‧‧‧指尖

71‧‧‧靜電電容

90‧‧‧外周部

100‧‧‧位置檢測電路

101‧‧‧驅動線驅動電路

102‧‧‧感測線驅動電路

103‧‧‧觸控面板控制器

104‧‧‧時序控制器

111‧‧‧採樣電路

112‧‧‧蓄積電容

113‧‧‧輸出放大器

114‧‧‧重設開關

115‧‧‧測定機構

132‧‧‧電極(位置檢測電極)

137‧‧‧接觸孔

141‧‧‧開口部

151‧‧‧金屬層

152‧‧‧接觸孔

X、Y‧‧‧軸

X1‧‧‧線

X2‧‧‧線

Y1‧‧‧線

圖1係表示實施形態1之液晶顯示裝置之主要部分之概略構成之剖面圖。

圖2係按照積層順序示意性地表示實施形態1之觸控面板基板之主要部分之構成之剖面圖。

圖3係示意性地表示實施形態1之觸控面板基板中之觸控面板層之主要部分之概略構成之一例之平面圖。

圖4係放大表示圖3所示之觸控面板層之一部分之平面圖。

圖5(a)係表示沿Y1-Y1線切斷圖4所示之觸控面板層時的觸控面板基板之主要部分之剖面之圖，(b)係沿X2-X2線切斷圖4所示之觸控面板層時的觸控面板基板之主要部分之剖面之圖。

圖6係表示圖4所示之金屬橋之概略構成之平面圖。

圖7(a)係示意性地表示檢測對象物未與實施形態1之觸控面板基板接觸時的感測電極之電力線之圖，(b)係示意性地表示使檢測對象物與上述觸控面板基板接觸時的感測電極之電力線之圖。

圖8係表示實施形態1之液晶顯示裝置中包括之位置檢測電路之一例之電路圖。

圖9係表示對實施形態1之液晶顯示裝置中之各驅動線施加之各信號之時序圖。

圖10係表示實施形態1之液晶顯示裝置中包括之內嵌式觸控面板之驅動時序之時序圖。

圖11係用以說明實施形態1之採樣電路及重設開關之各步驟中之狀態之圖。

圖12係示意性地表示先前之顯示面板之剖面圖。

圖13係表示靜電電容方式之觸控面板之驅動電路之圖。

圖14(a)、(b)係表示圖13所示之驅動電路之動作之概要之模擬波形圖。

圖15係概括地表示觸控面板基板中之電極條件、及藉由模擬獲得之檢測信號波形之圖。

圖16係概括地表示觸控面板基板中之電極條件、及藉由 模擬獲得之檢測信號波形之其他圖。

圖17係概括地表示觸控面板基板中之電極條件、及藉由模擬獲得之檢測信號波形之圖。

圖18係概括地表示觸控面板基板中之電極條件、及藉由模擬獲得之檢測信號波形之圖。

圖19(a)~(e)係按照步驟順序表示實施形態1之觸控面板基板之製作步驟之剖面圖。

圖20係表示實施形態2之觸控面板基板之觸控面板層之主要部分之構成之平面圖。

圖21(a)係表示沿Y2-Y2線切斷圖20所示之觸控面板層時的觸控面板基板之剖面之圖，(b)係表示沿X3-X3線切斷圖20所示之觸控面板層時的觸控面板基板之剖面之圖。

圖22係表示圖20所示之金屬橋之概略構成之平面圖。

圖23係表示實施形態3之觸控面板基板之觸控面板層之主要部分之構成之平面圖。

圖24係表示沿X4-X4線切斷圖23所示之觸控面板層時的觸控面板基板之剖面之圖。

圖25係表示圖23所示之金屬橋之概略構成之平面圖。

圖26係表示實施形態3之其他觸控面板基板之觸控面板層之主要部分之構成之平面圖。

圖27(a)係表示沿Y3-Y3線切斷圖26所示之觸控面板層時的觸控面板基板之剖面之圖，(b)係表示沿X5-X5線切斷圖26所示之觸控面板層時的觸控面板基板之剖面之圖，(c)係表示沿X6-X6線切斷圖26所示之觸控面板層時的觸控面板 基板之剖面之圖。

圖28係表示圖26所示之金屬橋之概略構成之平面圖。

圖29係表示實施形態4之觸控面板基板之觸控面板層之主要部分之構成之平面圖。

圖30(a)係表示沿Y4-Y4線切斷圖29所示之觸控面板層時的觸控面板基板之剖面之圖，(b)係表示沿X7-X7線切斷圖29所示之觸控面板層時的觸控面板基板之剖面之圖。

圖31係表示實施形態4之其他觸控面板基板中之觸控面板層之主要部分之構成之平面圖。

圖32係表示於金屬橋上之沿Y軸方向排列之電極與同該等電極於X軸方向上鄰接之電極之間設置有2條中斷線時的觸控面板層之主要部分之構成之平面圖。

圖33(a)係表示沿Y5-Y5線切斷圖32所示之觸控面板層時的觸控面板基板之剖面之圖，(b)係表示沿X8-X8線切斷圖32所示之觸控面板層時的觸控面板基板之剖面之圖，(c)係表示沿X9-X9線切斷圖32所示之觸控面板層時的觸控面板基板之剖面之圖。

圖34係表示實施形態4之進而其他觸控面板基板之觸控面板層之主要部分之構成之進而其他之平面圖。

圖35係表示圖34所示之觸控面板層中之沿Y軸方向排列之電極列與該電極列之交叉部附近之構成之平面圖。

圖36係概括地表示實施形態4之觸控面板基板之觸控面板層中之接觸孔之變形例之平面圖。

圖37係按照積層順序示意性地表示實施形態5之觸控面 板基板之主要部分之構成之剖面圖。

圖38(a)、(b)係表示於圖37所示之觸控面板基板上設置有圖4所示之觸控面板層23時的概略構成之其他剖面圖。

圖39(a)、(b)係表示於圖37所示之觸控面板基板上設置有圖20所示之觸控面板層23時的基板20之概略構成之剖面圖。

圖40(a)~(e)係按照步驟順序表示實施形態5之觸控面板基板之製作步驟之剖面圖。

圖41係表示實施形態6之觸控面板基板之觸控面板層之主要部分之構成之平面圖。

圖42係表示實施形態6之其他觸控面板基板之觸控面板層之主要部分之構成之平面圖。

圖43(a)係表示沿Y6-Y6線切斷圖42所示之觸控面板層時的觸控面板基板之剖面之圖，(b)係表示沿X10-X10線切斷圖42所示之觸控面板層時的觸控面板基板之剖面之圖。

圖44係表示圖42所示之金屬橋之概略構成之平面圖。

圖45(a)~(e)係按照步驟順序表示實施形態7之觸控面板基板之製作步驟之剖面圖。

圖46(a)、(b)係表示於絕緣層與CF層之間設置有遮光層時的實施形態7之觸控面板基板之主要部分之概略構成之剖面圖。

圖47係示意性地表示實施形態7之其他觸控面板基板之概略構成之剖面圖。

圖48(a)、(b)係表示於絕緣基板與感測電極之間設置有 遮光層時的實施形態7之觸控面板基板之主要部分之概略構成之剖面圖。

圖49係表示圖42所示之金屬橋之中斷線之其他形成例之平面圖。

圖50(a)係表示實施形態8之觸控面板基板之概略構成之平面圖，(b)係表示(a)所示之觸控面板基板之I-I線剖面圖。

圖51(a)係表示實施形態8之液晶面板之概略構成之平面圖，(b)係表示(a)所示之液晶面板之II-II線剖面圖。

圖52係表示實施形態8之其他液晶面板之概略構成之剖面圖。

圖53係表示形態9之遮光層22與對向電極27之連接關係之平面圖。

圖54(a)係圖53之Y7-Y7線剖面圖，(b)係圖53之Y8-Y8線剖面圖，(c)係圖53之X10-X10線剖面圖，(d)係圖53之X11-X11線剖面圖。

圖55(a)~(f)係按照步驟順序示意性地表示實施形態9之觸控面板基板之製作步驟之剖面圖。

圖56(a)係表示實施形態10之觸控面板基板之概略構成之平面圖，(b)係(a)之III-III線剖面圖。

圖57(a)、(b)係表示實施形態11之觸控面板基板之概略構成之剖面圖。

圖58(a)~(f)係按照步驟順序表示實施形態11之觸控面板基板之製作步驟之剖面圖。

圖59(a)、(b)係表示實施形態12之觸控面板基板之概略構成之剖面圖。

圖60(a)~(f)係按照步驟順序表示實施形態12之觸控面板基板之製作步驟之剖面圖。

圖61(a)係表示實施形態12之液晶面板之顯示驅動用端子及觸控面板用端子之平面圖，(b)係(a)所示之觸控面板用端子之以圓包圍之區域之放大圖。

圖62係表示實施形態12之液晶面板之顯示驅動用端子及觸控面板用端子之其他平面圖。

圖63係表示實施形態12之液晶面板之顯示驅動用端子及觸控面板用端子之進而其他之平面圖。

圖64係表示專利文獻2所記載之顯示裝置之構成之剖面圖。

圖65係表示自沿圖64所示之H-H線之剖面觀察之感測電極之構成之平面圖。

圖66係按照積層順序示意性地表示專利文獻2、3所記載之顯示裝置中之彩色濾光片基板之主要部分之構成的剖面圖。

23‧‧‧觸控面板層

31‧‧‧感測電極(位置檢測電極)

32‧‧‧電極(位置檢測電極)

33‧‧‧電極(位置檢測電極)

35‧‧‧金屬橋

35a‧‧‧電極配線部

35b‧‧‧金屬配線部

36‧‧‧連接配線

37‧‧‧接觸孔

38‧‧‧接觸孔

39‧‧‧中斷線

X、Y‧‧‧軸

X1‧‧‧線

X2‧‧‧線

Y1‧‧‧線

Claims (16)

1. 一種觸控面板基板，其特徵在於：其用作為夾持光電元件之一對基板中之一基板，設置有根據靜電電容之變化而對檢測對象物之指示座標之位置進行檢測的位置檢測電極，且包括：絕緣基板、對上述光電元件施加電場之光電元件驅動電極、及與上述光電元件驅動電極絕緣地設置於上述絕緣基板與光電元件驅動電極之間之上述位置檢測電極，且上述位置檢測電極至少包括於第1方向排列且包含透明之電極的複數個第1電極，至少上述第1電極經由絕緣層而與格子狀之金屬配線電性連接。
2. 如請求項1之觸控面板基板，其中上述金屬配線兼作遮光層。
3. 如請求項1或2之觸控面板基板，其中上述金屬配線設置於上述位置檢測電極與上述光電元件驅動電極之間。
4. 如請求項3之觸控面板基板，其中於上述金屬配線與上述位置檢測電極之間、及上述金屬配線與上述光電元件驅動電極之間中之至少一者，設置有有機絕緣層作為絕緣層。
5. 如請求項1至4中任一項之觸控面板基板，其中上述位置檢測電極更包括於與上述第1方向交叉之第2方向上與上述第1電極絕緣地排列且包含透明之電極的複數個第2電極，且 上述第1電極與第2電極形成於同一面內。
6. 如請求項5之觸控面板基板，其中於上述第1電極及第2電極之形成面內，上述第1電極及第2電極中之至少第1電極於與另一電極之排列方向交叉之方向上具有孤立的孤立圖案，且上述金屬配線係以橫跨於與另一電極之排列方向交叉之方向之方式，將上述第1電極及第2電極中之至少第1電極間橋接。
7. 如請求項6之觸控面板基板，其中上述金屬配線係藉由設置於上述金屬配線與由該金屬配線連接之電極之間的絕緣層中所形成之至少1個接觸孔，而將上述電極間橋接。
8. 如請求項7之觸控面板基板，其中上述接觸孔係形成於上述金屬配線之、與將由上述金屬配線連接之電極間連結的幹線交叉之支線部。
9. 如請求項7或8之觸控面板基板，其中相對於1個電極而配置有複數個上述接觸孔。
10. 如請求項7至9中任一項之觸控面板基板，其中於上述第1電極及第2電極之形成面內，上述第2電極由透明之連接配線而連接，並且上述第1電極及第2電極經由上述接觸孔而分別與上述金屬配線電性連接，且上述金屬配線係在設置於上述第1電極之上述接觸孔與設置於上述第2電極之接觸孔之間，以使上述第1電極 與第2電極不通電之方式斷線。
11. 如請求項10之觸控面板基板，其中於上述第2電極中，在由上述連接配線連接之電極端部設置有上述接觸孔。
12. 如請求項10或11之觸控面板基板，其中上述金屬配線係在設置於上述第1電極之上述接觸孔與設置於上述第2電極之接觸孔之間，包括將上述金屬配線分斷成複數個金屬配線部的至少1條中斷線，且在設置於上述第1電極之上述接觸孔與設置於上述第2電極之上述接觸孔之間，包括由上述中斷線予以分斷且未與上述位置檢測電極電性連接之金屬配線部。
13. 如請求項1至3中任一項之觸控面板基板，其中上述位置檢測電極僅具備上述複數個第1電極，於上述金屬配線與上述第1電極之間設置有絕緣層，上述第1電極係經由設置於上述絕緣層中之至少1個接觸孔而分別與上述金屬配線電性連接，且上述金屬配線係在分別設置於鄰接之第1電極之接觸孔彼此之間，以使鄰接之第1電極彼此不通電之方式斷線。
14. 如請求項12之觸控面板基板，其中未與上述位置檢測電極連接之金屬配線部係與上述光電元件驅動電極電性連接。
15. 如請求項1至14中任一項之觸控面板基板，其中上述金屬配線之、成為與上述一對基板中之另一基板之連接部的外周部係自上述位置檢測電極電性切斷，且上述光電 元件驅動電極係與上述金屬配線之外周部電性連接。
16. 一種光電裝置，其特徵在於包括光電元件、及夾持上述光電元件之一對基板，且上述一對基板中之一基板係如請求項1至15中任一項之觸控面板基板。