SA111320424B1 - Titanium Dioxide Pigment Particles with Doped,Dense SiO2 Skin and Methods for Manufacture - Google Patents
Titanium Dioxide Pigment Particles with Doped,Dense SiO2 Skin and Methods for Manufacture Download PDFInfo
- Publication number
- SA111320424B1 SA111320424B1 SA111320424A SA111320424A SA111320424B1 SA 111320424 B1 SA111320424 B1 SA 111320424B1 SA 111320424 A SA111320424 A SA 111320424A SA 111320424 A SA111320424 A SA 111320424A SA 111320424 B1 SA111320424 B1 SA 111320424B1
- Authority
- SA
- Saudi Arabia
- Prior art keywords
- dense
- titanium dioxide
- layer
- pigment particles
- dioxide
- Prior art date
Links
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 77
- 239000002245 particle Substances 0.000 title claims abstract description 54
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 50
- 239000000049 pigment Substances 0.000 title claims abstract description 45
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 43
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 title claims abstract description 36
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 title claims abstract description 19
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 title claims abstract description 18
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 10
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 10
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 10
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 10
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 12
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims abstract description 5
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 57
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 55
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 44
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 13
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 claims description 11
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 10
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 9
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 9
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 8
- 239000003973 paint Substances 0.000 claims description 7
- 239000000725 suspension Substances 0.000 claims description 6
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims description 5
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 claims description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 4
- 238000007704 wet chemistry method Methods 0.000 claims description 4
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000007771 core particle Substances 0.000 claims 5
- 239000007900 aqueous suspension Substances 0.000 claims 2
- 230000001012 protector Effects 0.000 claims 2
- 229910020816 Sn Pb Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims 1
- FFBHFFJDDLITSX-UHFFFAOYSA-N benzyl N-[2-hydroxy-4-(3-oxomorpholin-4-yl)phenyl]carbamate Chemical compound OC1=C(NC(=O)OCC2=CC=CC=C2)C=CC(=C1)N1CCOCC1=O FFBHFFJDDLITSX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- PBKSAWGZZXKEBJ-UHFFFAOYSA-N cyclopenta-1,3-diene;4-cyclopenta-2,4-dien-1-ylphenol;iron(2+) Chemical compound [Fe+2].C=1C=C[CH-]C=1.C1=CC(O)=CC=C1[C-]1C=CC=C1 PBKSAWGZZXKEBJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 claims 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims 1
- 239000001038 titanium pigment Substances 0.000 claims 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 10
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 abstract 2
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 abstract 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Chemical compound [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 69
- OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N titanium oxide Inorganic materials [Ti]=O OGIDPMRJRNCKJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 29
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 16
- -1 hydroxyl ions Chemical class 0.000 description 12
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 11
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 10
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 8
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 7
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 7
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 6
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 5
- YKYOUMDCQGMQQO-UHFFFAOYSA-L cadmium dichloride Chemical compound Cl[Cd]Cl YKYOUMDCQGMQQO-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 4
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 4
- 238000005755 formation reaction Methods 0.000 description 4
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 3
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OBOSXEWFRARQPU-UHFFFAOYSA-N 2-n,2-n-dimethylpyridine-2,5-diamine Chemical compound CN(C)C1=CC=C(N)C=N1 OBOSXEWFRARQPU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021380 Manganese Chloride Inorganic materials 0.000 description 2
- GLFNIEUTAYBVOC-UHFFFAOYSA-L Manganese chloride Chemical compound Cl[Mn]Cl GLFNIEUTAYBVOC-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- FAPDDOBMIUGHIN-UHFFFAOYSA-K antimony trichloride Chemical compound Cl[Sb](Cl)Cl FAPDDOBMIUGHIN-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L copper(II) chloride Chemical compound Cl[Cu]Cl ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- IJKVHSBPTUYDLN-UHFFFAOYSA-N dihydroxy(oxo)silane Chemical compound O[Si](O)=O IJKVHSBPTUYDLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HNRMPXKDFBEGFZ-UHFFFAOYSA-N ethyl trimethyl methane Natural products CCC(C)(C)C HNRMPXKDFBEGFZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 2
- 150000004677 hydrates Chemical class 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PSCMQHVBLHHWTO-UHFFFAOYSA-K indium(iii) chloride Chemical compound Cl[In](Cl)Cl PSCMQHVBLHHWTO-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 2
- 235000002867 manganese chloride Nutrition 0.000 description 2
- 239000011565 manganese chloride Substances 0.000 description 2
- 229940099607 manganese chloride Drugs 0.000 description 2
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 2
- 229910021645 metal ion Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PDKHNCYLMVRIFV-UHFFFAOYSA-H molybdenum;hexachloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Cl-].[Cl-].[Cl-].[Cl-].[Mo] PDKHNCYLMVRIFV-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 2
- YHBDIEWMOMLKOO-UHFFFAOYSA-I pentachloroniobium Chemical compound Cl[Nb](Cl)(Cl)(Cl)Cl YHBDIEWMOMLKOO-UHFFFAOYSA-I 0.000 description 2
- 230000001699 photocatalysis Effects 0.000 description 2
- 238000013032 photocatalytic reaction Methods 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 2
- JIAARYAFYJHUJI-UHFFFAOYSA-L zinc dichloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Zn+2] JIAARYAFYJHUJI-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical class [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000283707 Capra Species 0.000 description 1
- UKCBKQLNTLMFAA-UHFFFAOYSA-N F.[F] Chemical class F.[F] UKCBKQLNTLMFAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical class F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 102000001554 Hemoglobins Human genes 0.000 description 1
- 108010054147 Hemoglobins Proteins 0.000 description 1
- 229910000846 In alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N Nitrate Chemical compound [O-][N+]([O-])=O NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101150033538 Rala gene Proteins 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052910 alkali metal silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- GUNJVIDCYZYFGV-UHFFFAOYSA-K antimony trifluoride Chemical compound F[Sb](F)F GUNJVIDCYZYFGV-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- LIRSFCJKZQBJRK-UHFFFAOYSA-M antimony(3+);oxygen(2-);chloride Chemical compound [O-2].[Cl-].[Sb+3] LIRSFCJKZQBJRK-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- MVMLTMBYNXHXFI-UHFFFAOYSA-H antimony(3+);trisulfate Chemical compound [Sb+3].[Sb+3].[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O MVMLTMBYNXHXFI-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- 239000008346 aqueous phase Substances 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- JHXKRIRFYBPWGE-UHFFFAOYSA-K bismuth chloride Chemical compound Cl[Bi](Cl)Cl JHXKRIRFYBPWGE-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000012267 brine Substances 0.000 description 1
- QCUOBSQYDGUHHT-UHFFFAOYSA-L cadmium sulfate Chemical compound [Cd+2].[O-]S([O-])(=O)=O QCUOBSQYDGUHHT-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- HSJPMRKMPBAUAU-UHFFFAOYSA-N cerium nitrate Inorganic materials [Ce+3].[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O.[O-][N+]([O-])=O HSJPMRKMPBAUAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYLVYHXQOHJDJL-UHFFFAOYSA-K cerium trichloride Chemical compound Cl[Ce](Cl)Cl VYLVYHXQOHJDJL-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- OZECDDHOAMNMQI-UHFFFAOYSA-H cerium(3+);trisulfate Chemical compound [Ce+3].[Ce+3].[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O OZECDDHOAMNMQI-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- BEQZMQXCOWIHRY-UHFFFAOYSA-H dibismuth;trisulfate Chemical compound [Bi+3].[Bi+3].[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O.[O-]S([O-])(=O)=O BEQZMQXCOWIHRY-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 238000004043 dyeing Methods 0.000 description 1
- 229940014425 exodus Drugs 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- 150000004820 halides Chemical class 0.000 description 1
- GBHRVZIGDIUCJB-UHFFFAOYSA-N hydrogenphosphite Chemical class OP([O-])[O-] GBHRVZIGDIUCJB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RXPAJWPEYBDXOG-UHFFFAOYSA-N hydron;methyl 4-methoxypyridine-2-carboxylate;chloride Chemical compound Cl.COC(=O)C1=CC(OC)=CC=N1 RXPAJWPEYBDXOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TUJKJAMUKRIRHC-UHFFFAOYSA-N hydroxyl Chemical compound [OH] TUJKJAMUKRIRHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000007373 indentation Methods 0.000 description 1
- 239000001023 inorganic pigment Substances 0.000 description 1
- 238000004599 local-density approximation Methods 0.000 description 1
- 235000007079 manganese sulphate Nutrition 0.000 description 1
- 239000011702 manganese sulphate Substances 0.000 description 1
- SQQMAOCOWKFBNP-UHFFFAOYSA-L manganese(II) sulfate Chemical compound [Mn+2].[O-]S([O-])(=O)=O SQQMAOCOWKFBNP-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 238000013178 mathematical model Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- CRSOQBOWXPBRES-UHFFFAOYSA-N neopentane Chemical compound CC(C)(C)C CRSOQBOWXPBRES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005457 optimization Methods 0.000 description 1
- 239000011146 organic particle Substances 0.000 description 1
- 150000001282 organosilanes Chemical class 0.000 description 1
- 125000005375 organosiloxane group Chemical group 0.000 description 1
- 238000013033 photocatalytic degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000000176 photostabilization Effects 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 230000008092 positive effect Effects 0.000 description 1
- 230000001376 precipitating effect Effects 0.000 description 1
- 238000004886 process control Methods 0.000 description 1
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N silicic acid Chemical compound O[Si](O)(O)O RMAQACBXLXPBSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- HPALAKNZSZLMCH-UHFFFAOYSA-M sodium;chloride;hydrate Chemical compound O.[Na+].[Cl-] HPALAKNZSZLMCH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 150000005846 sugar alcohols Polymers 0.000 description 1
- IEXRMSFAVATTJX-UHFFFAOYSA-N tetrachlorogermane Chemical compound Cl[Ge](Cl)(Cl)Cl IEXRMSFAVATTJX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YOUIDGQAIILFBW-UHFFFAOYSA-J tetrachlorotungsten Chemical compound Cl[W](Cl)(Cl)Cl YOUIDGQAIILFBW-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J tin(iv) chloride Chemical compound Cl[Sn](Cl)(Cl)Cl HPGGPRDJHPYFRM-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J titanium tetrachloride Chemical compound Cl[Ti](Cl)(Cl)Cl XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940105963 yttrium fluoride Drugs 0.000 description 1
- RBORBHYCVONNJH-UHFFFAOYSA-K yttrium(iii) fluoride Chemical compound F[Y](F)F RBORBHYCVONNJH-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 235000005074 zinc chloride Nutrition 0.000 description 1
- 239000011592 zinc chloride Substances 0.000 description 1
- DUNKXUFBGCUVQW-UHFFFAOYSA-J zirconium tetrachloride Chemical compound Cl[Zr](Cl)(Cl)Cl DUNKXUFBGCUVQW-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
Landscapes
- Pigments, Carbon Blacks, Or Wood Stains (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Cosmetics (AREA)
Abstract
Description
—y- جسيمات خضاب ثاني أكسيد التيتانيوم المزوّدة مع طبقة كثيفة ومشابة من ثاني أكسيد السيليكون 8:02 وطرق تصنيعها—y- Titanium Dioxide Pigment Particles Covered with Silicon Dioxide-Like Dense Layer 8:02 and Methods of Manufacturing Them
Titanium dioxide pigment particles with doped,dense SiO; skin and methods for manufacture الوصف الكامل خلفية الاختراع ان هذا الطلب عبارة عن طلب جزئي من الطلب رقم 17080017 والذي تم إيداعه في المملكة ca Yev ١ / YA 1ه الموافق 470/١ / 5 العربية السعودية بتاريخ الذي يزوّد titanium dioxide J pigment particles يتعلق الاختراع الحالي بجسيمات خضاب سطحه بطبقة 5:0 الكثيف المحتوي على عناصر إشابه؛ وطرق تصنيعها. تُظهر جسيمات © . photostability أكبر للضوء Leslie titanium dioxide خضاب ل فهو يستخدّم » titanium dioxide ل high refractive index نظراً لارتقاع معامل اتكسار البلاستيك Jie ؛ sectors في الكثير من القطاعات high-quality pigment كخضاب عالي الجودة وعلى الرغم من ذلك؛ يعتبر fibres والألياف paper والورق » coatings ومواد الطلاء ¢ plastics ؛ أي أن تفاعلات التحفيز الضوئي photoactive متفاعلاً للضوء titanium عقللمثل ٠ تحدث نتيجةً لامتصاص الأشعة فوق البنفسجية Led غير المرغوب photocatalytic reactions : ؛ مما يؤدي إلى تحلل المادة المصبوغة UV absorptionTitanium dioxide pigment particles with doped,dense SiO; skin and methods for manufacture Full description Background of the invention This application is a partial application of Application No. 17080017, which was filed in the Kingdom ca Yev 1 / YA 1 H corresponding to 1/4/470 Saudi Arabia on dated Which provides titanium dioxide J pigment particles The present invention relates to pigment particles whose surface has a thick 5:0 layer containing doping elements; and methods of manufacturing. © . Greater photostability for light. Leslie titanium dioxide pigment for it is used » titanium dioxide for high refractive index due to the high refractive index of plastic Jie sectors in many sectors high-quality pigment As a high-quality pigment, though; fibres, fibers, paper, coatings and coatings ¢ plastics; That is, photocatalytic reactions such as titanium 0 occur as a result of unwanted photocatalytic reactions: ; This leads to UV absorption
The Chemical Nature of Chalking in the Presence of Titanium Dioxide Pigments, H. G.The Chemical Nature of Chalking in the Presence of Titanium Dioxide Pigments, H. G.
Volz, G. Kaempf, H. G. Fitzky, A. Klaeren, ACS Symp. Ser. 1981, 151,Volz, G. Kaempf, H. G. Fitzky, A. Klaeren, ACS Symp. Ser. 1981, 151,
PhofRlegradation and Photostabilization of CoatingsPhofRlegradation and Photostabilization of Coatings
في هذا السياق؛ يمتص titanium dioxide الضوء في نطاق الأشعة فوق البنفسجية UV ؛ مما ينتج عنه أزواج من الثقوب الإلكترونية electron-hole ¢ تؤدي إلى تكوين شقوق فعالة بدرجة كبيرة highly reactive radicals على سطح ثاني أكسيد titanium dioxide surface a stil) . يترتب على الشقوق التي يتم إنتاجها بهذه الطريقة انحلال المادة اللاصقة في وسط عضوي organic media © . تثبت من خلال الدراسات العملية أن hydroxyl ions تلعب دوراً كبيراً في عملية التحفيز الضوئي photocatalytic process Photocatalytic Degradation of Organic Water Contaminants: Mechanism Involving Hyroxyl Radical Attack , C.in this context; titanium dioxide absorbs light in the UVB range; Which results in pairs of electron-hole ¢ leading to the formation of highly reactive radicals on the surface of titanium dioxide surface a stil). The cracks produced in this way result in the dissolution of the adhesive in an organic media © . It is proven through practical studies that hydroxyl ions play a major role in the photocatalytic process Photocatalytic Degradation of Organic Water Contaminants: Mechanism Involving Hydroxyl Radical Attack , C.
S.S.
Turchi, D.Turchi, D.
F.F.
Ollis, Journal of Catalysis 122, 1990, 178- .192 ٠ ومعلوم أنه يمكن تقليل التحفيز الضوثي photoactivity ل TiO, عن طريق خضاب جسيمات TiO; titanium =) مثلا أو بوسيلة dallas عضوية للسطح means of inorganic surface treatment (على سبيل المثال عن طريق الطلاء بمركبات oxides of silicon و/أو aluminium و/أو (zirconium . Industrial Inorganic Pigments, ed. by 6. Buxbaum, VCH, New York 1993, Seite 58 - ٠ .60 وبوجه (ald بينت العديد من براءات الاختراع وضع طبقة 8:02 اللا بللورية lamorphous لأكثر كثافة على سطح الجسيمات particle surface ؛ ويعرف هذا باسم "الطبقة الكثيفة dense skin ". الغرض من هذه الطبقة هو منع تكون الشقوق الحرة free radicals على سطح الجسيمات. تم بيان طرق كيميائية رطبة wet-chemical لإنتاج طبقة كثيفة من :8:0؛ وأيضاً طلاء ALO; 7٠.0Ollis, Journal of Catalysis 122, 1990, 178- 192 0. It is known that photoactivity of TiO can be reduced by dyeing TiO particles; titanium =) for example or by dallas method. Meanings of inorganic surface treatment (eg by coating with oxides of silicon, aluminum, and/or zirconium). Industrial Inorganic Pigments, ed. by 6. Buxbaum, VCH, New York 1993, Seite 58 - 0.60 ald. Several patents have shown the placement of a denser amorphous 8:02 layer on the particle surface; this is known as the "dense layer". dense skin". The purpose of this layer is to prevent the formation of free radicals on the surface of the particles. Wet-chemical methods have been shown to produce a dense film of :8:0; as well as an ALO;70 coating. 0
و المتوفر بالجسيمات العضوية inorganic particles » على الأخص (TiO في براءتي الاختراع رقمي و 1408717 و 4178417 و 17/8148 USRE تشير البراءة الاوروبية رقم ١7206414 BI إلى طريقة يمكن القيام بها في درجات حرارة منخفضة نسبياً تتراوح بين 15 إلى 9٠0 درجة مئوية؛ كنتيجة للإضافة الفورية لمحلول به NaySiOs ومحلول به B03 © يتم أيضاً القيام بمعالجات ذات طبقة كثيفة dense-skin treatments من 8:02 لزيادة مقاومة كشط الألياف الزجاجية glass fibres المغطاة بهذه الطريقة وتقليل خصائص انزلاق الألياف . في المنتجات التي يتم تصنيعها. في هذا الصدد؛ تبين الطلب الامريكي رقم 7917419 طريقة كيميائية رطبة wet-chemical يتم Led ترسيب silicic acid على سطح الجسيمات particle surface مع أيونات معدنية متعددة التكافؤ «Cu Jia ¢ polyvalent metal ions ريف ردق «Sry «Cas «Bes Mgs ٠ ريصتا Nis «Cos Mn «Crs «Pb «Sn Zr «Tis «Als «Cds وفقاً للبراءة الالمانية رقم 646797791 -٠١7٠٠0 )1 ؛ تعمل الطريقة على زيادة مقاومة خضابات ,10 ذات طبقة كثيفة للضوء. فهي تستند إلى دمج 80؛ أو 21 أو Zr في طبقة من 8:0 المستخدم من قبل عملية كيميائية رطبة wet-chemical . بالإضافة إلى الطرق الكيميائية الرطبة - المعروفة لطلاء سطح جسيمات (TiO, هناك أيضاً طرق VO تترسب من خلالها طبقة كثيفة من ,8:0 عند الطور الغازي gas phase . في هذه الحالة؛ أثناء إنتاج titanium dioxide عن طريق عملية chloride ¢ تتم إضافة مركب silicon ¢ ويفضل 4 إلى تيار الجسيمات في درجة حرارة أعلى من ٠٠٠١ درجة مثوية؛ بحيث يتم تكون طبقة كثيفة ومنتظمة من 5:07 على سطح الجسيمات particle surface . تبين من الطلب الاوروبي رقم ٠١47404 طريقة الطور الغازي gas phase لطلاء السطح ب :oxide ٠ 81 و5 أو P أو Mg أو .Ge Nb انIt is available in organic particles »in particular (TiO) in patent numbers 1408717 and 4178417 and 17/8148 USRE European patent No. 17,206414 BI refers to a method that can be carried out at relatively low temperatures. range from 15 to 900°C; as a result of the immediate addition of a solution of NaySiOs and a solution of B03©, dense-skin treatments of 8:02 are also performed to increase the abrasion resistance of the glass fibers Coated in this way and reduce the sliding properties of the fibers in the products that are manufactured.In this regard, US application No. 7917419 shows a wet-chemical method Led to deposit silicic acid on the particle surface. With polyvalent metal ions “Cu Jia ¢ polyvalent metal ions” Rev “Sry” Cas “Bes Mgs 0 Ribs Nis “Cos Mn “Crs” Pb “Sn Zr “Tis “Als” Cds according to German Patent No. 017000-646797791 1 ) ; The method increases the light resistance of dense layer pigments 10. It is based on Merge 80; or 21 or Zr in a layer of 8:0 used by the wet-chemical process. In addition to the well-known wet chemical methods for surface coating of TiO particles, there are also VO methods through which a thick layer of 0:8 is deposited in the gas phase. In this case; during the production of titanium dioxide by By the chloride process ¢ a silicon compound ¢ preferably 4 is added to the particle stream at a temperature higher than 10001 degree so that a dense and uniform layer of 5:7 is formed on the particle surface. European No. 0147404 gas phase method for surface coating with: oxide 0 81 and 5 or P or Mg or Ge Nb.
وAnd
يتم حل هذا الأمر باستخدام جسيمات خضاب pigment particles ل titanium dioxide الذيThis is solved by using pigment particles of titanium dioxide which
يتم طلاء سطحه بطبقة كثيفة من SiO; يتم ترسيبها عند الطور الغازي gas phase واشابتهاIts surface is coated with a dense layer of SiO, which is deposited in the gas phase and impregnated with
بعنصر إشابه doping element واحد على الأقل ؛ حيث يتم من خلالها تحديد عنصر الإشابه منwith at least one doping element; Where the similarity element is determined from
المجموعة المشتملة على «Ins «Shs «Sn بلك رعلا يصلا رتل Mny يفت رمال «Ces «CdsThe collection that includes “Ins” “Shs” “Sn” “Balak Ra’la Asla” Ratl Mny “Yift Rimal” “Ces” CDs
© و 17 و 31 وكذا أخلاط منها.©, 17, and 31, as well as mixtures thereof.
يتم أيضاً حل الأمر باستخدام جسيمات خضاب pigment particles ل titanium dioxide الذيThe matter is also solved by using pigment particles of titanium dioxide which
يتم طلاء سطحه بطبقة كثيفة من 58:0 يتم إنتاجها في عملية كيميائية wet-chemical duh)Its surface is coated with a thick layer of 58:0 produced in a wet-chemical (duh) process
واشابتها بعنصر إشابه doping element واحد على الأقل ؛ والتي يتم من خلالها تحديد aieand doping it with at least one doping element; from which aie is specified
الإشابه من المجموعة المشتملة على «Ys<Gey ny «Sb ولاك «Ce «Mo ¢F 177 و Bi وكذا ٠ أخلاط منها.The homologue is from the group comprising “Ys<Gey ny”Sb and lac “Ce”Mo ¢F 177 and Bi as well as 0 mixtures thereof.
يتم أيضاً حل المادة باستخدام طريقة لتصنيع جسيمات خضاب pigment particles ل titanium doping الذي يتم طلاء سطحه بطبقة كثيفة من 5:0 تتم إشابتها بعنصر إشابه dioxideThe material is also dissolved using a method for manufacturing pigment particles for titanium doping, whose surface is coated with a thick layer of 0:5 doped with a dioxide-like element.
element واحد على JY وتشتمل على الخطوات:element on JY and it includes the steps:
1 تفاعل titanium tetrachloride في الطور الغازي gas phase مع aluminium halide والغاز Yo المحتوي على oxygen في مفاعل عند درجة حرارة أعلى من ١٠١١ درجة مثوية؛ من أجل إنشا ءِِ1 Reaction of titanium tetrachloride in the gas phase with aluminum halide and the oxygen-containing gas Yo in a reactor at a temperature above 1011 °C; in order to create
تيار جسيمات يحتوي على جسيمات «TiO,A particle stream containing TiO particles
ب) ملامسة تيار الجسيمات contacting of the particle stream بمركبين على (JN) حيث يكونb) Contacting the particle stream with two compounds on (JN), where
المركب الأول مركباً منتجاً ل silicon oxide ويتم تحديد المركب الثاني من المجموعة المشتملةThe first compound is a silicon oxide-producing compound, and the second compound is determined from the included group
_ 1 اب على «Y 5 «Ins «Sb «Sn رعلا «Wg «Ces «Cds <Mos «Cus Mn «Zn و Bi والمركبات المنتجة ل 7 وكذا أخلاط منها. ج) تبريد تيار الجسيمات cooling of the particle stream ؛ من أجل إنشاء جسيمات الخضاب pigment particles التي يتم طلاؤها بطبقة كثيفة من SiO; تتم إشابتها بعنصر إشابه doping element © واحد على الأقل من المجموعة المشتملة على Shy «Sn رصا ولت ZnsZrs ول_ 1 Ab on “Y 5” Ins “Sb” Sn Ra’a “Wg” Ces “Cds < Mos” Cus Mn “Zn and Bi and the compounds produced for 7 as well as mixtures thereof. c) cooling of the particle stream; In order to create pigment particles that are coated with a thick layer of SiO, they are doped with at least one doping element © of the Shy “Sn-containing group” and ZnsZrs and
يقال W 5¢«Ces «Cds Mos «Cus و 31 وكذا أخلاط منها. yal هناك حل AT لهذا الأمرء وهو بمثابة طريقة لتصنيع جسيمات خضاب pigment particles ل titanium dioxide الذي يتم طلاء سطحه بطبقة كثيفة من 8:07 تتم إشابتها بعنصر إشابه doping element واحد على الأقل » وتشتمل على الخطوات:It is said W 5 ¢ “Ces “Cds Mos” Cus and 31 as well as mixtures thereof. yal There is a solution AT for this matter, which is a method for manufacturing pigment particles for titanium dioxide, the surface of which is coated with a thick layer of 8:07 doped with at least one doping element »and it includes the steps :
pH الهيدروجيني Lead) التي تزيد قيمة TiO, لجسيمات aqueous solution (Ale توفير محلول 1 ٠٠١ ٠٠ عن ومحلول alkaline silicon لمكون السيليكون القلوي aqueous solution ب إضافة محلول مائي « doping element واحد على الأقل لمكون يحتوي على عنصر إشابه aqueous solution مائي «Fg «Nb 5 ولا «Ge g «Ing 4 Sb Ae لإشابه من المجموعة المشتملة J حيث يثم تحديد عنصرpH (Lead pH) that increases the value of TiO, for aqueous solution particles (Ale) by providing a solution of 1 001 00 for an alkaline silicon solution of an aqueous solution by adding an aqueous solution « doping element at least one of a component containing an aqueous solution “Fg” Nb 5 and no “Ge g “Ing 4 Sb Ae” of an aqueous solution of the group J, where an element is specified
VO وم و 6177© و :3 وكذا أخلاط منها. ج) ترسيب طبقة كثيفة من 5:02 تتم إشابتها بعنصر إشابه doping element واحد على الأقل على سطح الجسيمات particle surface عن طريق تقليل قيمة الرقم الهيدروجيني pH للمعلق إلى قيمة أقل من 9؛ ويفضل أن تكون أقل من oA حيث يتم تحديد عناصر الإشابه من المجموعة المشتملة على «Mo Fy «Nb «Ys «Ge Ing ¢ Sb و Ce Ww و Bi وكذا أخلاط منها .VO, m, 6177©, and 3: as well as mixtures thereof. c) Deposition of a dense film of 5:02 doped with at least one doping element on the particle surface by reducing the pH value of the suspension to a value less than 9; It is preferable to be less than oA, since the dopants are selected from the group comprising “Mo Fy “Nb” Ys “Ge Ing ¢ Sb, Ce Ww and Bi, as well as mixtures thereof.
YeoYeo
تمت الإشارة إلى نماذج متميزة أخرى من الاختراع في عناصر الحماية الفرعية. يتم طلاء مادة الاختراع بخضابات ثاني أكسيد التيتانيوم titanium dioxide pigments التي يتم تحسينها فيما يتعلق بمقاومتها للضوء. الوصف العام للاختراع o© وفقاً للاختراع الحالي؛ تحتوي الخضابات الموجودة على شكل طبقة كثيفة بسطح جسيم fitanium dioxide على «0عنازه تراوح من ٠.١ إلى 71.0 بالوزن؛ ويفضل من ١.7 إلى 5.٠ بالوزن؛ ويتم حسابه ك موزق؛ وعناصر ala تتراوح من ٠٠٠ إلى ىن بالوزن ¢ ويفضل من ٠,69 إلى ١ بالوزن؛ ويتم حسابها ك oxide أو في Alla استخدام 7 كعنصر dad إلى إجمالي الخضاب total pigment . ٠ في نموذج مفضل؛ يتم طلاء الجسيمات بطبقة إضافية تتراوح من 4,0 إلى 1.0 بالوزن؛ ويفضل من ٠.١ إلى 4,٠ بالوزن» aluminium oxides أكسيد الالمونيوم المائي hydrous aluminium oxide ؛ ويتم حسابه ك ALO; نسبةً إلى إجمالي الخضاب. يفضل أن تكون جسيمات ثاني أكسيد التيتانيوم titanium dioxide particles من نوع rutile . يقصد هنا بكلمة "عنصر إشابه doping element " العنصر الخاص كذرة أو 108 أو مركب خاص VO مثل oxide ؛ حيثما كان ذلك مناسباً. في سياق بيان مواد الطلاء coatings التي يتم إنتاجها باستخدام عملية كيميائية رطبة wet-chemical ؛ يقصد أيضاً هنا بكلمة oxide" " مركبات oxide المتناظرة أو مركبات hydrates المتناظرة. يجب بيان أن كافة البيانات التي يتم الكشف هنا بخصوص قيمة الرقم الهيدروجيني pH ؛ ودرجة الحرارة؛ والتركيز بنسبة 7 بالوزن أو 7 بالحجم؛ إلخ تتضمن كافة القيم التي تقع في نطاق دقة القياس الخاصة بكل منها والتي يعرفها الماهر في YeoOther distinct embodiments of the invention are indicated in the subsidiary claims. The material of the invention is coated with titanium dioxide pigments which are improved in terms of their light resistance. General description of the invention o© according to the present invention; The pigments present in the form of a dense layer on the surface of a fitanium dioxide particle contain “0 goats, ranging from 0.1 to 71.0 by weight; preferably from 1.7 to 5.0 by weight; And he is counted as a distributor; ala elements range from 000 to n wt ¢ and preferably from 0.69 to 1 wt; It is calculated as oxide or in Alla using 7 as the dad element to the total pigment . 0 in preferred form; Particles are coated with an additional layer of 4.0 to 1.0 wt.; preferably from 0.1 to 4.0 by weight” aluminum oxides hydrous aluminum oxide; It is calculated as ALO; relative to total hemoglobin. It is preferable that the titanium dioxide particles be of the rutile type. Here, "doping element" means the special element such as atom or 108 or a special compound VO such as oxide; Where appropriate. In the context of a statement on coatings that are produced using a wet-chemical process; Here, the word “oxide” also means analogous oxide compounds or analogous hydrates. It must be stated that all the data disclosed here regarding the pH value; temperature; concentration by 7 by weight or 7 by volume; etc. Include all values within their respective measurement accuracy range known to a Yeo handyman
م - المجال. ْ يستند الاختراع إلى أنه لزيادة المقاومة للضوء؛ يجب بيان عملية التحفيز الضوئي photocatalytic 5 بطريقة مناسبة؛ بمعنى أنه يجب جعل إنتاج الشقوق الفعالة بدرجة كبيرة باستخدام أزواج الثتقوب الإلكترونية electron-hole المثارة أكثر صعوبة. يمكن تحقيق هذا باستخدام عدة آليات؛ © على سبيل المثال عن طريق زيادة سرعة عودة التحام أزواج الثقوب الإلكترونية electron-hole أو عن طريق تكوين حاجز نشط على سطح الخضاب. تعمل طبقة كثيفة من 58:02 يتم وضعها بنظام بالفعل على تكوين حاجز نشط على سطح TiO; كما يمكن الكشف عن ذلك من خلال كثافة مخففة Ala) الطاقة في نطاق التكافؤ valence band وفي نطاق النقل الخاص بسطح TiO, المطلي؛ مقارنةً بسطح TIO, غير المعالج. من المدهعش ٠ أن إشابه طبقة ,5:0 بعناصر محددة يؤدي إلى تقليل أكبر في حالة ABN ويؤدي هذا إلى رفع الحاجز النشط وبالتالي إلى تحسين مقاومة خضاب TiO, المطلي بهذه الطريقة للضوء. تعمل الحالات الإضافية للطاقة ضمن فجوة النطاق band gap بين نطاق التكافؤ valence band ونطاق النقل على تعزيز عودة التحام أزواج الثقوب الإلكترونية electron-hole . يؤدي إشابه طبقة SiO; بالعناصر المحددة إلى إحداث حالات الطاقة هذه وبالتالي أيضاً التأثير على تحسين ٠ المقاومة للضوء Lie بطبقة SiO; غير المحتوي على عنصر إشابه doping element . هذاء وقد ثبت أن الفلزات «Sn راي يمل «Ys «Gey وى Mog «Cus Mn «Fs Zn Nb «Ces «Cds و7؛ و Bi مكونات إشابه مناسبة. يمكن وضع طبقة .58:0 المحتوية على عناصر إشابه بالطريقة الكيميائية الرطبة wet-chemical وطريقة الطور الغازي gas phase . على الرغم من ذلك؛ من المعلوم أن طريقة الطور الغازي قادرة بوجه عام على وضع طبقة أكثر انتظاماً من ٠ الطريقة الكيميائية الرطبة. Yeom - sphere. The invention is based on the fact that to increase the resistance to light; The photocatalytic process 5 must be appropriately demonstrated; That is, it must be made more difficult to produce highly effective cracks using excited electron-hole pairs. This can be achieved using several mechanisms; © For example by increasing the speed of re-fusion of electron-hole pairs or by creating an active barrier on the surface of the pigment. A dense layer of 58:02 applied in a system does indeed form an active barrier on the TiO surface; this can be revealed by the energy diluted Ala density in the valence band and in the transmission band of the TiO surface. , coated Compared to TIO surface, untreated. Surprisingly, doping the 0:5 layer with specific elements leads to a greater reduction in the ABN state and this raises the active barrier and thus improves the photoresistance of the TiO pigment, coated in this way. Additional states of energy within the band gap between the valence band and the transport band promote the recombination of the electron-hole pairs. The doping of the SiO2 layer with bound elements induces these energy states and thus also influences the improvement of the photoresistance Lie of the non-doping element SiO2 layer. It has been proven that the metals “Sn Ray Eml” Ys “Gey Wei Mog Cus Mn Fs Zn Nb Ces Cds and 7; and Bi are suitable analog components. A layer of 0.58:0 containing dopant elements can be applied by the wet-chemical method and the gas phase method. Nevertheless; It is known that the gas phase method is generally able to lay a more uniform layer than the wet chemical method. Yeo
تم وصف مثال للاختراع الحالي أدناه باستخدام الأشكال من ١ إلى AA شرح مختصر للرسومات الشكل ١ : يبين حالات الطاقة في المرحلة الانتقالية من الذرة إلى الجسم الصلب| solid (الموضحة في: P.A.An example of the present invention is described below using Figures 1 through AA Brief explanation of the drawings FIGURE 1 : Shows the energy states of the phase transition from atom to solid | solid (shown in: P.A.
Cox, "The Electronic Structure and Chemistry of Solids", Oxford Science 5 Publications 1987, p. 13 الشكل ؟ 0 a كثافة حالة الطاقة لسطح TIO2 energy state density بطلاء 8:02 أو بدونه. الشكل ؟ : يبين كثافة حالة الطاقة لسطح TiO, بطلاء SiO; وبطلاء SiO, المحتوي على آٍّ عنصر الإشابه Sn ٠ الشكل ؛ : يبين كثافة حالة الطاقة لسطح TiO, بطلاء SiO; وبطلاء SiO, المحتوي على الشكل © : يبين كثافة حالة الطاقة لسطح TiO, بطلاء SiO; وبطلاء SiO, المحتوي على ale ا لإشابه In الشكل ١ : يبين كثافة حالة الطاقة لسطح TiO, بطلاء SiO, وبطلاء SiO, المحتوي على Yo عنصر الإشابه .Ge الشكل 7 : بين كثافة حالة الطاقة لسطح TiO, بطلاء SiO; وبطلاء SiO, المحتوي على عنصر الإشابه ا ٠.5Cox, "The Electronic Structure and Chemistry of Solids", Oxford Science 5 Publications 1987, p. 13 figure? 0 a TIO2 energy state density surface with or without 8:02 coating. the shape ? : shows the energy state density of a TiO surface, with a SiO coating; and with a SiO coating, containing any Sn dopant element 0 Fig. ; : shows the energy state density of a TiO surface, with a SiO coating; and with a SiO coating, containing the figure © : shows the energy state density of a TiO surface, with a SiO coating; and with a SiO coating, containing an ale For In analogue Figure 1: Shows the energy state density of the TiO surface, with SiO coating, and with SiO coating, containing Yo-doping element Ge. Figure 7: Between the energy state density of the In alloy surface TiO, with SiO coating; with SiO coating, containing 0.5% dopant
- ١١ بطلاء 5107 وبطلاء 510 المحتوي على TiO, يبين كثافة حالة الطاقة لسطح : A الشكل المحتوي على SiO; وبطلاء SiO; بطلاء TIO, الشكل 4 : بين كثافة حالة الطاقة لسطح- 11 with coating 5107 and coating 510 containing TiO, showing the energy state density of the surface of: Figure A containing SiO; with SiO coating; With TIO coating, Figure 4: Between the energy state density of a surface
JF عنصر الإشابه المحتوي على SiO; وبطلاء Si0, بطلاء TiO, الطاقة لسطح da يبين كثافة : ٠ الشكل 5 عنصر J لإشابه Mn الشكل ١١ : يبين كثافة حالة الطاقة لسطح TiO, بطلاء SiO; وبطلاء Si0;, المحتوي على عنصر الإشابه .Cu الشكل VY يبين كثافة Alls الطاقة لسطح TiO, بطلاء SiO; وبطلاء 8:0 المحتوي علىJF SiO-containing doppelgänger; And with a coating of Si0, with a coating of TiO, the energy state of a surface da shows the density: 0. Figure 5: element J for Mn analogue. Figure 11: shows the energy state density of a surface of TiO, with a coating SiO, with Si0 coating, containing .Cu dopant. Figure VY shows the Alls surface energy density of TiO, with Si0 coating, and 8:0 containing coating
Mo عنصر الإشابه Yo المحتوي على SiO; وبطلاء SiO; بطلاء TiO, يبين كثافة حالة الطاقة لسطح : ١١ الشكل Cd عنصر الإشابه المحتوي على SiO, وبطلاء SiO, بطلاء TiO, يبين كثافة حالة الطاقة لسطح : VE الشكل . Ce عنصر الإشابه Ve الشكل Vo : يبين كثافة حالة الطاقة لسطح TiO; بطلاء SiO; وبطلاء :8:0 المحتوي على الشكز ٠١ : يبين كثافة حالة الطاقة لسطح TiO, بطلاء SiO, وبطلاء SiO, المحتوي على عنصر الإشابه .BiMo is a Yo-like element containing SiO; with SiO coating; With TiO coating, showing the energy state density of a surface : Fig. 11 Cd SiO-containing doppelgänger, with SiO coating, with TiO coating, showing the energy state density of a surface : Fig. VE ,. Ce doppelgänger Ve Figure Vo: shows the energy state density of a TiO surface; with a SiO coating; and with a coating: 8:0 containing Shic 01: shows the energy state density of a TiO surface, with a coating SiO, with a SiO coating, containing .Bi dopant
الشكل VY : يبين كثافة حالة الطاقة لسطح TIO, بطلاء SiO; وبطلاء SiO, المحتوي على عنصر الإشابه Mg الشكل YA يبين كثافة حالة الطاقة لسطح TiO, بطلاء 510 وبطلاء SiO, المحتوي على © تم حساب قيم كثافة Alla الطاقة حساباً كمياً ميكانيكياً باستخدام حزمة برنامج CASTEP (الإصدار ١ 1 يونيو )٠٠١١ من San Diego .عط #صاء»عه. أجريت هذه الحسابات باستخدام شفرة وظيفية لكثافة CASTEP في (تقريب الكثافة المحلية local density approximation نُشرت معلومات مفصلة من قبل : to 910 895 .م ,)2000( 77 V.Figure VY: shows the energy state density of a TiO surface, with a SiO coating; and a SiO coating, containing Mg dopant. Figure YA shows the energy state density of a TiO surface, with a 510 coating and a SiO coating , containing © Alla energy density values were quantitatively calculated using the CASTEP software package (version 1 1 June 0011) from San Diego. These calculations were performed using the CASTEP density functional code in the local density approximation (detailed information published by: 910 895 A.M. (2000) 77 V.
Milman et al. in; International Journal of Quant.Milman et al. in; International Journal of Quant.
Chemistry Vo تم استخدام حالات التكافؤ التالية؛ بما في ذلك شبه الجوفية 4s 53d 3p. «3s stitanium 4p تم استخدام حالات التكافؤؤ 2s و 2p لل oxygen ؛ وحالات التكافؤٌ 3p 53s لل silicon بالنسبة لعناصر لإشاب ثم تضمين الحا لات aud الجوفية 4d أو 45 و 4p أو indium A 2p ¢ magnesium 5 yttrium 5 . فيما يلي المجموعة القاعدية المستخدمة لعناصر الإشابه: 5s, Sp, 6s, 6p, 5 Sn: 5s, 5p, 6s,6p, 7s Sb: Yo 4d, 5s, 5p, 6s, 6p, 7s In: 4s, 4p, 4d Ge: 4s, 4p, 4d, Ss, Sp Y:Chemistry Vo The following valence states were used; including subterranean 4s 53d 3p. "3s stitanium 4p valence states 2s and 2p were used for oxygen; And the valence states 3p 53s of silicon for doping elements, then include the subterranean aud cases 4d or 45 and 4p or indium A 2p ¢ magnesium 5 yttrium 5 . Here is the base group used for the dopants: 5s, Sp, 6s, 6p, 5 Sn: 5s, 5p, 6s,6p, 7s Sb: Yo 4d, 5s, 5p, 6s, 6p, 7s In: 4s, 4p, 4d Ge: 4s, 4p, 4d, Ss, Sp Y:
Nb: 4s, 4p, 4d, 5s, SpNb: 4s, 4p, 4d, 5s, Sp
F: 2s,2pF: 2s,2p
Mn: 3d, 4s, 4pMn: 3d, 4s, 4p
Cu: 3d,4s,4pCu: 3d, 4s, 4p
Mo: 4s, 4p, 4d, 5s, 5p ©Mo: 4s, 4p, 4d, 5s, 5p©
Cd: 4d, 5s, 5p, 6s, 6pCd: 4d, 5s, 5p, 6s, 6p
Ce: 45 5s, 5p, 6s, 6p, 7s, Tp, 8sCe: 45 5s, 5p, 6s, 6p, 7s, Tp, 8s
W: 5d, 6s, 6pW: 5d, 6s, 6p
Bi: 6s, 6p, 7s, 7p, 8s 2p, 3s,3p Mg: Ye 3s, 3p Al: إلكترون فولت. لم تتحقق الأمثلية الهندسية YA بلغت طاقة الحركة المقطوعة للأمواج المستوية على النتائج التجريبية 85 Ly التركيبية؛ حيث أنه كان يمكن تقييم النموذج الرياضي والتأكد منه كافية لحساب ia وبالتالي؛ توفر حسابات النموذج . (Zn Zr وال و «Sn - المعروفة (الطلاء مقاومة الضوء. ١ انبنت حسابات كثافة الحالة على شبكة وفقاً لمخطط .Monkhorst-Pack تم إجراء حسابات السطح حسب "طريقة نموذج الشرائح" بسمك فراغ يبلغ ٠١ أنجستروم.Bi: 6s, 6p, 7s, 7p, 8s 2p, 3s,3p Mg: Ye 3s, 3p Al: electron volts. Geometric optimization YA was not achieved. The cut-off kinetic energy of the plane waves according to the experimental results was 85 Ly. As it was possible to evaluate the mathematical model and ensure that it is sufficient to calculate ia and thus; Availability of model accounts. (Zn, Zr, and Sn - known (photoresist coatings). 1 State density calculations are based on a grid according to the Monkhorst-Pack scheme. Surface calculations were performed according to the “slice model method” with a blank thickness of 01. Angstrom.
YeoYeo
Y —_ \ — الأمثلة تم بيان الاختراع استناداً إلى الأمثلة من ١ إلى VE (إشابه طبقة SIO; بعنصر من عناصر الإشابه «Sb «Sn وصل Nb ¢Y«Gey ول رعلا «(Bis (Ws «Ces «Cdy Moy «Cus ومثال المقارنة ١ (طبقة نقية من (SiO, ومثال المقارنة y (إشابه SiO; ب (Mg ومثال المقارنة © (شابه 8:0 ب (Al يستند حساب المثال المرجعي ١ على تغطية سطح )١١١( TiO; بأحادي الطبقة 8:02 كاملاً. في هذا السياق؛ تشتمل الخلية الوحدية على OY ذرة (118518036). عند تطبيق التغطية أحادية الجزئ المحسوبة ب 5:0 يبلغ ded طبقته ١,7 نانو متر تقريباً على الخضاب؛ فإنه يؤدي تقريباً إلى نسبة ZY بالوزن من 8:0؛ نسبةً إلى TiO; ٠ تم حساب النسبة المئوية بالوزن استناداً إلى القيم التالية: القيمة النمطية للسطح النوعي (نسبةً إلى 7) الخاصة بجسيمات THO; التي يتم تصنيعها باستخدام عملية chloride : 1,7 م "/ج؛ dela الطبقة أحادية الجزئ: LY نانو متر؛ كثافة طبقة (810: 1,7 جسم ". تبين الأمتلة من ١ إلى VE ومثالا المقارنة ¥ و3 تغطية سطح TIO, بطبقة ,8:0 أحادية الجزئ محتوية على عنصر إشابه doping element بنسبة ذرية تتراوح من ١ (عنصر الإشابه Vo: (X VO (ن8)؛ بمعنى أن الخلية الوحدية تشتمل على 1188:7721036. عند وضعها على خضاب (TiO; يؤدي هذا إلى النسب التالية الوزن من عناصر الإشابه؛ المحسوبة ك oxide والمنسوبة إلى 1102: مثال ٠,٠١ :١ 7 تقريباً بالوزن من S05 مثال 2 70.04 تقريباً بالوزن من Sby03 مثال “: 0,٠4 7 تقريباً بالوزن من و0ره]؛ ممY —_ \ — Examples The invention is demonstrated based on Examples 1 to VE (doping the SIO layer; with an element of the “Sb” Sn doppelgänger Nb ¢Y”Gey bond and Rala Bis (Ws “Ces” Cdy Moy “Cus) and comparator example 1 (pure layer of SiO), comparator y (homologous to SiO; b (Mg) and comparator example © (Collection 8: 0 b (Al) Calculation of reference example 1 is based on covering the surface of TiO;(111) in the entire 8:02 monolayer. In this context, the unit cell contains an OY atom (118518036). When coverage is applied Monomolecular calculated with 5:0 ded has a layer of approximately 1.7 nm on the pigment; it results in approximately a ZY-by-weight ratio of 8:0; relative to TiO; 0 percent calculated by weight based on the following values: Typical specific surface value (relative to 7) for THO particles; manufactured using the chloride process: 1.7 m"/g; monolayer delamination: LY nano meter; layer density (810: 1.7 body). Models from 1 to VE and comparison examples ¥ and 3 show TIO surface coverage, with a monomolecular 0:8 layer containing a doping element at an atomic ratio ranges from 1 (domain element Vo: (X VO (n8); Meaning that the unit cell contains 1188:7721036. When applied to the pigment (TiO; this results in the following ratios by weight of the alloy elements; calculated as oxide and attributed to 1102: Ex 0.01 : 1 approx 7 by weight of S05 Ex 2 approx 70.04 by weight From Sby03 example “: 0.04 7 wt. 0 approx]; mm
و١ مثال 4: ١7 ,. 7 تقريباً بالوزن من «GeO, مثال £20 )+ تقريباً بالوزن من 505 مثال 7: ٠.09 تقريباً بالوزن من NbyOs مثال 7: ٠,0٠ تقريباً بالوزن من ل © مثال 8: 0,1 تقريباً بالوزن من MnO, مثال 9: 70,056 تقريباً بالوزن من (CuO مثال 70,٠0 :٠١ تقريباً بالوزن من (MoO; مثال :١١ 7,04 تقريباً بالوزن من 040 ؛ مثال Y VY 0+ تقريباً بالوزن من ي0ه؛ Ye مثال 17: 2,11 تقريباً بالوزن من WO; مثال VE 70,04 تقريباً بالوزن من و3120 المثال المرجعي 7: 0,07 7 تقريباً بالوزن من MgO المثال المرجعي 3: 4 0,٠ 7 تقريباً بالوزن من ر0راخ النتائج yo تعتبر نتيجة حسابات :08511 الميكانيكية الكمية هي البنية الإلكترونية electronic structure يمكن تحليل هذا على شكل بنيات النطاق (نطاقات الطاقة المحلولة مكانياً energy bands ميمAnd 1 Exodus 4:17. 7 wt. of “GeO, eg. 20 lbs.) + approx. wt. of 505 Example 7: approx. 0.09 wt. of NbyOs. Example 7: approx. 0.00 wt. of l©. Example 8: 0.1 by weight of MnO, ex 9: 70.056 by weight of CuO approx 0.1 : 70.00 by weight of MoO; ex: 11 7.04 by weight from 040; ex y VY 0 + approx wt y 0 e; ye approx 17: 2,11 wt WO; ex VE 70.04 approx wt 3120 reference 7: 0,07 7 wt. of MgO Reference Example 3: 4 0.0 7 wt. Spatially resolved energy energy bands
Vo — - (spatially resolved أو قيم كثافة الحالة (حالات الطاقة المتكاملة (integrated energy states الشكل ١ يبين رسم تخطيطي مبسط (d) للبنية الإلكترونية .electronic structure يُظهر الرسم التخطيطي عرض نطاق الطاقة وموضعه فقط. تُستخدم كثافة الحالة (©) لتوزيع حالة الطاقة في © نطاق الطاقة .energy band الشكل 7 يبين تأثير طلاء .8:0 النقي؛ غير المحتوي على عنصر إشابه doping element (المثال المرجعي )١ على مقاومة TIO, للضوء: يتم إظهار كثافة density الحالة المحسوبة لسطح )١١١( THO, النقي كخط متكسّر؛ ولسطح المطلي ب SiO) كخط مصمت. يستند التأثير الإيجابي لطلاء 8i0, على المقاومة للضوء photostability is partly Wits إلى تقليل كثافة ٠ الحالة في نطاق النقل (08)؛ مقارنة بسطح TiO, غير المطلي؛ مما يؤدي إلى تقليل انتقال أزواج الثقوب الإلكترونية electron-hole إلى المصفوفة المجاورة. وفي الوقت نفسه؛ يتم تكثيف التأثير لإيجابي بسبب الانخفاض الإضافي في AES الحالة في نطاق التكافؤ valence band . يبين الشكل 7 تأثير إشابه طبقة ,8:0 ب Sn (المثال )١ في قيم كثافة الحالة؛ مقارنة بطلاء S10; التقي. في هذه الحالة؛ ستنخفض بشكل أكبر كثافة حالة نطاق التكافؤ ؛ مما يؤدي إلى توفر ٠ مقاومة أكبر للضوء .improved photostability تبين الأشكال من ؛ إلى + التأثير الخاص بإشابه طبقة 5:02 ب 85 (المثال oY الشكل 4؛)؛ في (المثال oY الشكل ©(« Ge (المثال ؛؛ Jal 1(« و 7 (المثال co الشكل (v و طلا (مثال 1 الشكل L(A من المدهش أنه يمكن ظهور الانخفاض في كثافة حالة نطاق التكافؤ في كل حالة؛ أيVo — - spatially resolved or integrated energy states. Figure 1 shows a simplified schematic diagram (d) of the electronic structure. The schematic diagram shows the energy bandwidth The state density (©) is used to distribute the energy state in the © energy band. TIO, for light: The calculated state density of the pure (111) THO surface is shown as a broken line; and for the SiO-coated surface as a solid line. The positive effect of the 8i0 coating is based on the photostability. partly Wits reduces the 0-state density in the (08) transmission band compared to the uncoated TiO surface, resulting in less transmission of electron-hole pairs into the adjacent matrix.At the same time, the effect is intensified to positive due to the additional decrease in AES the case in the value band Figure 7 shows the effect of doping the 8:0 layer with Sn (Example 1) on the state intensity values compared to the S10 coating; . In this case; The intensity of the valence band state will decrease further; Which results in providing 0 greater resistance to light. improved photostability showing shapes from ; to + the effect of 5:02 layer analogy with 85 (example oY Fig. 4;); In (example oY Fig. ©) Ge (example Jal 1) and 7 (example co Fig. v) and tla (example 1 Fig. L(A) it is surprising that it can The appearance of the decrease in the valence band state intensity in each case; ie
أن مواد الطلاء coatings هذه تؤدي إلى زيادة المقاومة الطلاء. كما يؤدي إشابه طبقة :5:0 بعنصر 2# أو 20 إلى ثبات أكبر مقارنةً Adda 8:0 غير المطلية. تبين الأشكال من 9 إلى ١١ التأثير الخاص بإشابه طبقة 8:02 ب F (المثال oY الشكل 1)؛ و Mn © (المثال eA الشكل ١٠)؛ و ed Jul) Cu الشكل Mos )١١ (مثال ١٠؛ الشكل ١١)؛ و CdThese coatings lead to increased paint resistance. Doping the 5:0 layer with element #2 or 20 also results in greater stability compared to the uncoated Adda 8:0. Figures 9-11 show the effect of analogizing the 8:02 layer with F (example oY Fig. 1); and Mn© (Example eA Fig. 10); Cu (ed Jul) Fig. Mos) 11 (Example 10; Fig. 11); and Cd
(المثال ony الشكل Ce 1 VY (المثال ٠؛ الشكل ye 1 و لأ (المثال ٠ء yo Jal ( و Bi (المتال ؛٠؛ الشكل .)١١ من المدهش أن إشابه طبقة ,8:0 ب !» أو Mn أو «Cu أو م40 أو 0©؛ أو ce 177 أو Bi إلى حالات طاقة إضافية في فجوة النطاق band gap التي تعمل كمراكز التحام أزواج الثقوب الإلكترونية electron-hole وبالتالي إلى مقاومة أكبر للضوء.(Example ony Fig. Ce 1 VY (Example 0; Fig. ye 1 and A (Example 0- yo Jal) and Bi (Example 0; Fig. 11). It is amazing. The analogy of a layer of 8:0b!”, Mn, Cu, M40, 0©, ce 177, or Bi to additional energy states in the band gap that act as centers for fusion pairs. electron-hole and thus to a greater resistance to light.
Ve يبين الشكل ١١7 تأثير إشابه طبقة SiO; ب Mg (مثال المقارنة (Y على قيم كثافة Alla الطاقة. في هذه الحالة؛ ستزداد كثافة حالة نطاق التكانؤ valence band « أي أن إشابه طبقة 810 ب Mg سيؤدي إلى عدم المقاومة لالضوء . يبين الشكل YA تأثير إشابه طبقة SiO; ب AL (مثال المقارنة ؟) في قيم كثافة حالة الطاقة. في هذه الحالة؛ ستزداد كثافة Ala نطاق التكافؤ » أي أن إشابه طبقة 58:02 ب Al سيؤدي إلى عدمFigure 117 shows the effect of doping the SiO layer with Mg (comparison example (Y) on the Alla energy density values. In this case, the valence band state density will increase, meaning that Doping the 810 layer with Mg will lead to non-photoresistance Figure YA shows the effect of doping the SiO layer with AL (comparative example?) on the energy state density values. In this case, the Ala density will increase The equivalence range » that is, the similarity of the 58:02 layer with Al will lead to no
٠ المقاومة لالضوء. التحكم في العملية تم بيان طرق طلاء جسيمات ثاني أكسيد التيتانيوم titanium dioxide particles بطبقة كثيفة من 510 . تعمل | لعمليات التقليدية من خلال المرحلة المائية. لتحقيق هذه الغاية؛ يتم إنتاج معلق جسيم0 Photoresistance. Process control Methods for coating titanium dioxide particles with a thick layer of 510 were shown. working | for conventional processes through the aqueous phase. To this end; A particulate suspension is produced
٠.00.0
١7 - - «TiO, وخلطة بمادة مشتتة حيثما كان ذلك Lilie وطحنه وهو رطب حيثما كان ذلك مناسباً. يتم Gale ترسيب طبقة كثيفة من 5102 بإضافة محاليل السيليكات الفلزية القلوية alkali metal- silicate solutions وعنصر تحكم مناسب في قيمة الرقم الهيدروجيني 11م . تتم إضافة عنصر الإشابه على شكل محلول ملحي مقترناً بمحلول السيليكات silicate solutions © أو منفصلاً قبل أو بعد إضافة محلول silicate يدرك الماهر في المجال المركبات المناسبة17 - - “TiO, and mix it with a dispersant material wherever that is Lilie and grind it wet where appropriate. Gale is precipitating a thick layer of 5102 by adding alkali metal- silicate solutions and an appropriate control element at the pH value of 11m. The doping element is added in the form of brine combined with silicate solutions © or separately before or after adding the silicate solution Skilled in the art knows the appropriate compounds
والكميات اللازمة للتحكم في قيمة الرقم الهيدروجيني pH لإنتاج طبقة كثيفة. وفقاً لهذا الاختراع؛ يمكن القيام بإشابه طبقة كثيفة من 8:02 بإضافة الأملاح التالية إلى المعلق؛ على ألا يفهم من هذه التوليفة أن الاختراع قاصر عليها. الإشابه ب :SbAnd the quantities needed to control the pH value to produce a dense layer. According to this invention; The imitation of a thick layer of 8:02 can be done by adding the following salts to the suspension; Provided that it is not understood from this combination that the invention is limited to it. Similarity to: Sb
antimony chloride, antimony chloride oxide, antimony fluoride, antimony sulphate AK indium chloride, indium sulphate :In الإشايه ب germanium chloride, germanates :Ge الإشابه ب yttrium chloride, yttrium fluoride :Y الإشابه ب niobium chloride, niobates :Nb الإشابه بantimony chloride, antimony chloride oxide, antimony fluoride, antimony sulphate AK indium chloride, indium sulphateIn: Ge: germanium chloride, germanates: Ge: yttrium chloride, yttrium fluoride: Y: niobium chloride, niobates: Y Similarity: Nb b
flourine hydrogen, fluorides :F الإشابه ب ٠ manganese chloride, manganese sulphate :Mn الإشابه ب copper chloride, copper sulphate :Cu الإشابه ب molybdenum chloride, molybdates :Mo الإشابه ب cadmium chloride, cadmium sulphate :Cd الإشابه بFlorine hydrogen, fluorides: F Component B: manganese chloride, manganese sulphate: Mn Component: copper chloride, copper sulphate: Cu Component: molybdenum chloride, molybdates: Mo Component: cadmium chloride, cadmium sulphate: Cd analogy b
YeoYeo
ض - YA - الإشابه ب cerium nitrate, cerium sulphate :Ce الإشابه ب wolframates :W الإشابه ب bismuth nitrate, bismuth sulphate :Bi في نموذج مفضل بشكل خاص ؛ يتم بشكل تقليدي وضع طبقة خارجية من aluminium oxide © المائي على الجسيمات بالطرق المعروفة. في نموذج آخر من الاختراع؛ يتم ترسيب طبقة كثيفة من Si0; على السطح من الطور الغازي gas phase . هناك العديد من الطرق المعروفة لهذا الغرض. على سبيل المثال؛ يمكن الطلاء طبقة مميعة عند درجات حرارة أقل من ٠٠٠١ درجة مئوية تقريباً. تم وصف هذه الطرق في البراءة الامريكية رقم Yoovado او البراءة البريطانية رقم ١ ٠7 او البراءة الامريكية رقم E ا ا Yau, من ذلك؛ يحدث الطلاء في مفاعل أنبوبي يتبع مباشرة تكوين جسيمات TIO; عملية chloride ¢ تم وصف هذه الطرق؛ على سبيل المثال» في براءات الاختراع أو تطبيقات براءات الاختراع الطلب الدولي رقم 48/077441 - ١ ؛ والبراءة الأوربية رقم 7197784» ١بء والبراءة الأوربية رقم 74507 ١٠١٠-٠١ب والطلب الدولي ١1/08141١ - ؟أ. للطلاء في مفاعل أنبوبي؛ ٠ عادة ما يكون المركب المنتج ل 8102 هو silicon halide ؛ خصوصاً (SiCly الذي يتم بوجه عام إدخاله بعد النقطة التي يتم عندها تجميع مادتي التفاعل TCL و AIC بالغاز المحتوي على oxygen . على سبيل (JU) يشير الطلب الدولي IY - 01/08141١ أنه تتم إضافة silicon vie halide النقطة التي عندها يكتمل تفاعل تكوين TIO) بنسبة 7299 على الأقل. في أي Als يجب أن تزيد درجات الحرارة عند نقطة الإدخال عن ٠٠٠١ درجة مئوية؛ ويفضل ٠7٠١ درجة Yo مثوية. تتم أكسدة المركب المنتج ل 8102 وترسيبها على سطح جسيمات TIO, في شكل طبقة كثيفة مz - YA - cerium nitrate, cerium sulphate: C, wolframates: W, bismuth nitrate, bismuth sulphate: Bi in a particularly favored embodiment; Traditionally, an outer layer of aqueous aluminum oxide© is applied to the particles by the usual methods. In another embodiment of the invention; A dense layer of Si0; is deposited on the surface of the gas phase. There are many known methods for this. For example; Fluidized bed coating is possible at temperatures below approximately 1,000°C. These methods are described in US Patent No. Yoovado or UK Patent No. 1 07 or US Patent No. E A A Yau, of that; The coating takes place in a tubular reactor immediately following the formation of TIO particles;the chloride process ¢ These methods are described; For example »in patents or patent applications International Application No. 48/077441 - 1; EP No. 7197784” 1B, EP No. 74507 1010-01b, EP 081411/11 - ?a. for plating in a tubular reactor; 0 The compound produced for 8102 is usually silicon halide; In particular (SiCly) which is generally introduced after the point at which the reactants TCL and AIC are combined with the oxygen-containing gas. For example (JU) International Application IY - 01/081411 indicates that Silicon vie halide is added (the point at which the TIO formation reaction is complete) with a ratio of at least 7299. In any Als the temperatures at the entry point must be greater than 10001°C; 0701 degrees Yo is preferred. The producing compound of 8102 is oxidized and deposited on the surface of the TIO particles, in the form of a dense film.
من silicon dioxide . على العكس من الطريقة الكيميائية الرطبة ewet-chemical يتم تكون طبقات الأكسيد الخالية free oxide layers من الماء والهيدرات hydrate أثناء المعالجة في الحالة الغازية gas-phase treatment « مؤديةً إلى امتصاص hydroxyl ions وجزيئات الماء water Jad molecules على السطح. © كما تتم إضافة تيار الجسيمات particle stream كمركب منتج؛ إما بالتوازي مع المركب منتج ل 2 أو قبله أو بعده. كما يجب أن تزيد درجة الحرارة لتيار الجسيمات عند نقطة الإدخال عن Agia ia ٠١١ ويفضل YY vo درجة مثوية. المركبات التالية في مركب منتج مناسب لمركبات metal oxides » على ألا يفهم من هذه التوليفة أنها قاصرة على هذا الاختراع. الإشابه ب as tin chloride Jie ¢ tin halide :Sn ٠ الإشابه ب antimony halide :Sb ¢ مثل antimony chloride الإشابه ب indium chloride Jie ¢ indium halide :In الإشابه ب : yttrium chloride Jie ¢ yttrium halide الإشابه ب zirconium halide :Zr ¢ مثل zirconium chloride الإشابه ب zinc chloride Jie ¢ zinc halide :Zn ٠ الإشابه ب niobium chloride Jie ¢ niobium halide :Nb الإشابه ب fluorine, fluorine hydrogen, fluorides :F الإشابه ب manganese chloride :Mnfrom silicon dioxide. In contrast to the ewet-chemical method, free oxide layers of water and hydrates are formed during gas-phase treatment, leading to the absorption of hydroxyl ions and water molecules. Jad molecules on the surface. © A particle stream is also added as a product compound; Either parallel to, before, or after the compound product of 2. The temperature of the particle stream at the point of entry must be greater than Agia ia 011 preferably YY vo degree. The following compounds in a product compound suitable for metal oxides compounds » provided that this combination is not understood to be exclusive to this invention. Similarity to as tin chloride Jie ¢ tin halide: Sn 0 Similarity to antimony halide: Sb ¢ Like antimony chloride Similarity to indium chloride Jie ¢ indium halide: In Similarity to: yttrium chloride Jie ¢ yttrium halide Similar to zirconium halide: Zr ¢ Like zirconium chloride Similar to zinc chloride Jie ¢ zinc halide: Zn 0 Similar to niobium chloride Jie ¢ niobium halide: Nb Similar to fluorine, fluorine hydrogen, fluorides: F, resemblance to manganese chloride: Mn
ولا الإشابه ب copper chloride :Cu الإشابه ب molybdenum chloride :Mo الإشابه ب cadmium chloride :Cd الإشابه ب cerium chloride :Ce © الإشابه ب tungsten chloride :W الإشابه ب bismuth chloride :Bi في نموذج مفضل بشكل خاص؛ يتم بشكل تقليدي وضع طبقة خارجية من aluminium oxide على الجسيمات بالطرق المعروفة بإدخال مركب منتج مناسب ل oxide aluminium ؛ Jie «AlCl; إلى مأ بعد تيار الد لجسيمات.Nor the analogy with copper chloride:Cu the analogy with molybdenum chloride:Mo the analogy with cadmium chloride:Cd the analogy with cerium chloride:Ce© the analogy with tungsten chloride:W the analogy with bismuth chloride:Bi in a particularly favored form; Traditionally, an outer layer of aluminum oxide is applied to the particles by the methods known by the introduction of a suitable product compound for aluminum oxide; Jie “AlCl; is a particle post-stream.
٠١ أخيراً يمكن أيضاً معالجة خضابات ثاني أكسيد التيتانيوم titanium dioxide pigments التي يتم توفيرها مع طبقة محتوية على عناصر إشابه كثيفة من 8:02 بالطرق Ag peal بصرف النظر Lee إذا كانت قد تم طلاؤها في معلق أو في الطور الغازي gas phase . على سبيل المثال؛ يمكن أيضاً وضع طبقات غير عضوية inorganic layers من واحد أو أكثر من مركبات metal oxides ile . على ذلك ؛» يمكن القيام بمعالجة أخرى للسطح ب nitrate و/أو بمعالجة عضوية للسطح01 Finally, titanium dioxide pigments that are provided with a layer containing densely linked elements of 8:02 can also be processed by methods Ag peal regardless of Lee if they have been coated in suspension or in phase gaseous gas phase . For example; It is also possible to put inorganic layers of one or more metal oxides on it. Further surface treatment can be done with nitrate and/or organic surface treatment
organic surface treatment Vo تعتبر المركبات المعروفة لدى الماهر في المجال للمعالجة العضوية لسطح جسيمات خضاب pigment particles ل titanium dioxide مناسبة أيضاً للمعالجة العضوية لسطح الجسيمات Wy particle surface للاختراع الحالي؛ على سبيل JE) مركبات السيلان العضوية 265 + ومركبات السيلوكسان العضوية organosiloxanes ¢ ومركبات الفسفونات العضوية organophosphonates « إلخ؛ أو مركبات الكحول المتعددة polyalcohols ؛Organic surface treatment Vo compounds known to a skilled artisan for the organic surface treatment of pigment particles of titanium dioxide are also suitable for the organic surface treatment of the Wy particle surface of the present invention; for example JE) organosilane 265+, organosiloxanes ¢, organophosphonates “etc; or polyalcohols;
trimethylethane (TME) Jie أو «trimethylpropane (TMP) إلخ. وفقاً للاختراع الحالي؛ فإن جسيمات خضاب pigment particles ل titanium dioxide صالحة لاستخدامها في مواد الدهان paints ؛ والطلاء والورق. يمكن أيضا استخدامها كقاعدة بادئة فيtrimethylethane (TME) Jie or “trimethylpropane (TMP) etc. According to the present invention; The pigment particles of titanium dioxide are suitable for use in paints; And paint and paper. It can also be used as an indentation
معلق لإنتاج؛ على سبيل المثال؛ الورق أو مواد الطلاء coatings .production hold For example; Paper or coatings.
Claims (1)
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102006004345 | 2006-01-30 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SA111320424B1 true SA111320424B1 (en) | 2014-05-11 |
Family
ID=40332787
Family Applications (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SA111320424A SA111320424B1 (en) | 2006-01-30 | 2007-01-28 | Titanium Dioxide Pigment Particles with Doped,Dense SiO2 Skin and Methods for Manufacture |
SA07280012A SA07280012B1 (en) | 2006-01-30 | 2007-01-28 | Titanium Dioxide Pigment Particles with Doped,Dense SiO2 Skin and Methods for their Manufacture |
SA111320359A SA111320359B1 (en) | 2006-01-30 | 2011-04-09 | Titanium Dioxide Pigment Particles with Doped, Dense SiO2 Skin and Methods for Manufacture |
Family Applications After (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SA07280012A SA07280012B1 (en) | 2006-01-30 | 2007-01-28 | Titanium Dioxide Pigment Particles with Doped,Dense SiO2 Skin and Methods for their Manufacture |
SA111320359A SA111320359B1 (en) | 2006-01-30 | 2011-04-09 | Titanium Dioxide Pigment Particles with Doped, Dense SiO2 Skin and Methods for Manufacture |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN101360794B (en) |
SA (3) | SA111320424B1 (en) |
TW (1) | TWI475079B (en) |
ZA (1) | ZA200805246B (en) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108165052B (en) * | 2017-12-14 | 2020-11-24 | 华南理工大学 | Ceramic pigment with near-infrared reflection function and preparation method thereof |
CN108033486B (en) * | 2017-12-15 | 2019-11-05 | 河北麦森钛白粉有限公司 | A kind of preparation method of conductive mesoporous nano titanium dioxide |
CN108767241A (en) * | 2018-06-15 | 2018-11-06 | 中国民航大学 | Magnesium adulterates Si oxide, preparation method and the application in secondary lithium battery |
CN110106570A (en) * | 2019-06-13 | 2019-08-09 | 南京市雨花台区绿宝工业设计服务中心 | A kind of preparation method of composite titania material |
US20230018717A1 (en) * | 2019-11-29 | 2023-01-19 | Merck Patent Gmbh | Particulate filler, preparation and use thereof |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2913419A (en) * | 1956-04-18 | 1959-11-17 | Du Pont | Chemical process and composition |
GB2108097B (en) * | 1981-10-30 | 1985-01-03 | Tioxide Group Plc | Improved pigments and their preparation |
CA1304995C (en) * | 1988-04-15 | 1992-07-14 | John R. Brand | Process for producing durable titanium dioxide pigments |
US5922120A (en) * | 1997-12-23 | 1999-07-13 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Process for producing coated TiO2 pigment using cooxidation to provide hydrous oxide coatings |
DE102004037271A1 (en) * | 2004-07-31 | 2006-03-23 | Kronos International, Inc. | Weathering stable titanium dioxide pigment and process for its preparation |
-
2007
- 2007-01-28 SA SA111320424A patent/SA111320424B1/en unknown
- 2007-01-28 SA SA07280012A patent/SA07280012B1/en unknown
- 2007-01-29 TW TW096103160A patent/TWI475079B/en not_active IP Right Cessation
- 2007-01-30 CN CN2007800016898A patent/CN101360794B/en not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-06-17 ZA ZA200805246A patent/ZA200805246B/en unknown
-
2011
- 2011-04-09 SA SA111320359A patent/SA111320359B1/en unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101360794A (en) | 2009-02-04 |
CN101360794B (en) | 2012-06-13 |
TWI475079B (en) | 2015-03-01 |
TW200740927A (en) | 2007-11-01 |
ZA200805246B (en) | 2009-02-25 |
SA07280012B1 (en) | 2011-08-20 |
SA111320359B1 (en) | 2014-06-25 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7988780B2 (en) | Titanium dioxide pigment particles with doped, dense SiO2 skin and methods for their manufacture | |
JP5255270B2 (en) | Inorganic oxide fine particles having a core-shell structure, dispersed sol containing the fine particles, and coating solution for optical substrate | |
US7905953B2 (en) | Titanium dioxide pigment particles with doped, dense SiO2 skin and methods for their manufacture | |
JP5557662B2 (en) | Dispersion of core-shell type inorganic oxide fine particles, process for producing the same, and coating composition containing the dispersion | |
US7575731B2 (en) | Fine particles of tin-modified rutile-type titanium dioxide and method of making thereof | |
EP2138462B1 (en) | Sol of surface-coated titanium oxide, process for producing the same, and coating composition containing the same | |
JP7060583B2 (en) | Method for producing iron-containing rutile-type titanium oxide fine particle dispersion, iron-containing rutile-type titanium oxide fine particles and their uses | |
US7763110B2 (en) | Titanium dioxide pigment particles with doped, dense SiO2 skin and methods for their manufacture | |
SA111320424B1 (en) | Titanium Dioxide Pigment Particles with Doped,Dense SiO2 Skin and Methods for Manufacture | |
JP2007246351A (en) | Surface-treated titanium oxide sol and method for producing the same | |
KR20140042830A (en) | Metal oxide particles containing titanium oxide coated with silicon dioxide-tin(iv) oxide complex oxide | |
JP6972147B2 (en) | Lamella particles with a functional coating | |
WO2021200135A1 (en) | Method for producing zirconia-coated titanium oxide microparticles, zirconia-coated titanium oxide microparticles and use thereof | |
JP4111701B2 (en) | Modified titanium oxide particles | |
JP7262853B2 (en) | Toner external additive safe to the human body and toner manufactured using the same | |
JP4195254B2 (en) | Rutile type titanium dioxide fine particles and method for producing the same | |
WO2024106401A1 (en) | Titanium oxide particles, liquid dispersion, coating solution for coating film formation use, coating film, and substrate with coating film | |
JP2004002563A (en) | Transparent ultraviolet barrier coating film | |
DE102007005477A1 (en) | Titanium dioxide pigment particles useful in e.g. plastics comprises dense silicon dioxide skin covering titanium dioxide core particles, where dense skin is produced in wet-chemical process and is doped with doping element such as fluorine | |
Baidins et al. | High gloss durable TiO 2 pigment |