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KR920009201A - 고체촬상장치 - Google Patents

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KR920009201A
KR920009201A KR1019910018177A KR910018177A KR920009201A KR 920009201 A KR920009201 A KR 920009201A KR 1019910018177 A KR1019910018177 A KR 1019910018177A KR 910018177 A KR910018177 A KR 910018177A KR 920009201 A KR920009201 A KR 920009201A
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pickup device
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마사하루 하마사끼
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오가 노리오
소니 가부시기가이샤
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Abstract

내용 없음

Description

고체촬상장치
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 본원 발명에 의한 고체촬상장치의 일실시예의 요부만을 도시한 회로도,
제2도는 1유니트셀의 구조를 도시한 단면구조도,
제3도는 제2도의 1유니트셀의 포텐셜 분포도.

Claims (8)

  1. 매트릭스형으로 배열되고, 각각 증폭소자를 가지며, 출력이 대응하는 수직신호선에 연결되는 복수의 화소와, 각각 대응하는 수직신호선에 연결되는 복수의 잡음제거수단과, 상기 잡음제거수단을 거치는 수평블랭킹기간중에 n번째의 수평라인의 출력신호를 수신하는 제1의 신호유지수단과, 상기 잡음제거수단을 거치는 수평블랭킹기간중에 n+1번째의 수평라인의 출력신호를 수신하는 제2의 신호유지수단과, 상기 잡음제거수단의 출력신호를 상기 제1의 신호유지수단 또는 제2의 신호유지수단에 택일적으로 공급하는 스위칭수단으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 증폭소자는 산화금속반도체 전계효과트랜지스터(MOSFET)로 이루어지는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 n번째의 수평라인과 n+1번째의 수평라인은 수직주사 시프트레지스터에 의해 선택되는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 복수의 화소는 각각 상기 수직주사 시프트레지스터로부터 인가되는 리세트드레인펄스에 따라 상기 n번째의 수평라인 또는 상기 n+1번째의 수평라인을 선택하는 리세트드레인영역을 가지는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 잡음제거수단은 각각 상관 2중샘플링(CDS)회로로 이루어지는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
  6. 수평 및 수직방향으로 매트릭스형으로 배열된 복수의 화소의 각 화소마다 설치되고, 기판의 이면측에서 조사되는 입사과량에 따라 축적된 신호전하를 증폭하는 증폭소자를 상기 기판의 표면측에 가진 수광부와, 수직라인마다 설치되어 대응하는 증폭소자의 출력에 포함된 잡음을 제거하는 잡음제거수단과, 상기 잡음제거수단을 거친 수직방향의 인접하는 2화소의 상기 수광부의 증폭출력을 수평블랭킹기간동안 유지하는 제1 및 제2의 신호유지수단과, 상기 제1 및 제2의 신호유지수단의 각 출력을 독립하여 독출하는 신호독출수단으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
  7. 제6항에 있어서, 상기 신호독출수단의 출력신호는 상기 기판의 이면측으로부터 받아들이는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
  8. 제6항에 있어서, 상기 기판의 이면측에는 상기 수광부에 축적된 신호전하를 버리기 위한 리세트트레인전극이 형성되는 것을 특징으로 하는 고체촬상장치.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
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