Nothing Special   »   [go: up one dir, main page]

KR20190017706A - 화합물, 및 이를 포함하는 유기 광전 소자, 이미지 센서 및 전자 장치 - Google Patents

화합물, 및 이를 포함하는 유기 광전 소자, 이미지 센서 및 전자 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20190017706A
KR20190017706A KR1020180093953A KR20180093953A KR20190017706A KR 20190017706 A KR20190017706 A KR 20190017706A KR 1020180093953 A KR1020180093953 A KR 1020180093953A KR 20180093953 A KR20180093953 A KR 20180093953A KR 20190017706 A KR20190017706 A KR 20190017706A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substituted
unsubstituted
group
hydrogen
independently
Prior art date
Application number
KR1020180093953A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102639296B1 (ko
Inventor
노탁균
카츠노리 시바타
노리히토 이시이
권오규
김상모
박경배
윤성영
임동석
임윤희
진용완
최용석
최종원
최태진
최혜성
허철준
Original Assignee
삼성전자주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성전자주식회사 filed Critical 삼성전자주식회사
Publication of KR20190017706A publication Critical patent/KR20190017706A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102639296B1 publication Critical patent/KR102639296B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D305/00—Heterocyclic compounds containing four-membered rings having one oxygen atom as the only ring hetero atoms
    • C07D305/02—Heterocyclic compounds containing four-membered rings having one oxygen atom as the only ring hetero atoms not condensed with other rings
    • C07D305/04—Heterocyclic compounds containing four-membered rings having one oxygen atom as the only ring hetero atoms not condensed with other rings having no double bonds between ring members or between ring members and non-ring members
    • C07D305/06—Heterocyclic compounds containing four-membered rings having one oxygen atom as the only ring hetero atoms not condensed with other rings having no double bonds between ring members or between ring members and non-ring members with only hydrogen atoms, hydrocarbon or substituted hydrocarbon radicals, directly attached to the ring atoms
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D405/00—Heterocyclic compounds containing both one or more hetero rings having oxygen atoms as the only ring hetero atoms, and one or more rings having nitrogen as the only ring hetero atom
    • C07D405/14—Heterocyclic compounds containing both one or more hetero rings having oxygen atoms as the only ring hetero atoms, and one or more rings having nitrogen as the only ring hetero atom containing three or more hetero rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D409/00—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having sulfur atoms as the only ring hetero atoms
    • C07D409/14—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having sulfur atoms as the only ring hetero atoms containing three or more hetero rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D421/00—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having selenium, tellurium, or halogen atoms as ring hetero atoms
    • C07D421/02—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having selenium, tellurium, or halogen atoms as ring hetero atoms containing two hetero rings
    • C07D421/04—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having selenium, tellurium, or halogen atoms as ring hetero atoms containing two hetero rings directly linked by a ring-member-to-ring-member bond
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07D—HETEROCYCLIC COMPOUNDS
    • C07D421/00—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having selenium, tellurium, or halogen atoms as ring hetero atoms
    • C07D421/14—Heterocyclic compounds containing two or more hetero rings, at least one ring having selenium, tellurium, or halogen atoms as ring hetero atoms containing three or more hetero rings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C07—ORGANIC CHEMISTRY
    • C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
    • C07F5/00—Compounds containing elements of Groups 3 or 13 of the Periodic Table
    • C07F5/02—Boron compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/06—Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing organic luminescent materials
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
    • G01J1/00—Photometry, e.g. photographic exposure meter
    • G01J1/42—Photometry, e.g. photographic exposure meter using electric radiation detectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/1462—Coatings
    • H01L27/14621—Colour filter arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14665—Imagers using a photoconductor layer
    • H01L51/0036—
    • H01L51/008—
    • H01L51/42—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K19/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic element specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, covered by group H10K10/00
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic radiation-sensitive element covered by group H10K30/00
    • H10K39/30—Devices controlled by radiation
    • H10K39/32—Organic image sensors
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10—Organic polymers or oligomers
    • H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
    • H10K85/113—Heteroaromatic compounds comprising sulfur or selene, e.g. polythiophene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
    • H10K85/621—Aromatic anhydride or imide compounds, e.g. perylene tetra-carboxylic dianhydride or perylene tetracarboxylic di-imide
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/649—Aromatic compounds comprising a hetero atom
    • H10K85/657—Polycyclic condensed heteroaromatic hydrocarbons
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/658—Organoboranes
    • G—PHYSICS
    • G21—NUCLEAR PHYSICS; NUCLEAR ENGINEERING
    • G21K—TECHNIQUES FOR HANDLING PARTICLES OR IONISING RADIATION NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; IRRADIATION DEVICES; GAMMA RAY OR X-RAY MICROSCOPES
    • G21K4/00—Conversion screens for the conversion of the spatial distribution of X-rays or particle radiation into visible images, e.g. fluoroscopic screens
    • G21K2004/06—Conversion screens for the conversion of the spatial distribution of X-rays or particle radiation into visible images, e.g. fluoroscopic screens with a phosphor layer
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/10—Transparent electrodes, e.g. using graphene
    • H10K2102/101—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO]
    • H10K2102/103—Transparent electrodes, e.g. using graphene comprising transparent conductive oxides [TCO] comprising indium oxides, e.g. ITO
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/30—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising bulk heterojunctions, e.g. interpenetrating networks of donor and acceptor material domains
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/80—Constructional details
    • H10K30/81—Electrodes
    • H10K30/82—Transparent electrodes, e.g. indium tin oxide [ITO] electrodes
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Heterocyclic Carbon Compounds Containing A Hetero Ring Having Oxygen Or Sulfur (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)

Abstract

하기 화학식 1의 화합물 및 이를 포함하는 유기 광전 소자, 이미지 센서 및 전자장치를 제공한다:
[화학식 1]
Figure pat00075

상기 화학식 1에서, 각 치환기의 정의는 명세서에 기재된 바와 같다.

Description

화합물, 및 이를 포함하는 유기 광전 소자, 이미지 센서 및 전자 장치{COMPOUND AND ORGANIC PHOTOELECTRIC DEVICE, IMAGE SENSOR AND ELECTRONIC DEVICE INCLUDING THE SAME}
화합물 및 이를 포함하는 유기 광전 소자, 이미지 센서 및 전자 장치에 관한 것이다.
광전 소자는 광전 효과를 이용하여 빛을 전기 신호로 변환시키는 소자로, 광 다이오드 및 광 트랜지스터 등을 포함하며, 이미지 센서 등에 적용될 수 있다.
광 다이오드를 포함하는 이미지 센서는 날이 갈수록 해상도가 높아지고 있으며, 이에 따라 화소 크기가 작아지고 있다. 현재 주로 사용하는 실리콘 광 다이오드의 경우 화소의 크기가 작아지면서 흡수 면적이 줄어들기 때문에 감도 저하가 발생할 수 있다. 이에 따라 실리콘을 대체할 수 있는 유기 물질이 연구되고 있다.
유기 물질은 흡광 계수가 크고 분자 구조에 따라 특정 파장 영역의 빛을 선택적으로 흡수할 수 있으므로, 광 다이오드와 색 필터를 동시에 대체할 수 있어서 감도 개선 및 고집적에 매우 유리하다.
일 구현예는 녹색 파장 영역의 빛을 선택적으로 흡수할 수 있고 증착 안정성, 내열성 및 내산화성이 우수한 화합물을 제공한다.
다른 구현예는 녹색 파장 영역의 빛을 선택적으로 흡수하고 효율을 개선할 수 있는 유기 광전 소자를 제공한다.
또 다른 구현예는 상기 유기 광전 소자를 포함하는 이미지 센서를 제공한다.
또 다른 구현예는 상기 이미지 센서를 포함하는 전자 장치를 제공한다.
일 구현예에 따르면, 하기 화학식 1로 표현되는 화합물을 제공한다.
[화학식 1]
Figure pat00001
상기 화학식 1에서,
X1은 S, Se, Te, O, S(=O), S(=O)2, NRa1, SiRb1Rc1 및 GeRd1Re1에서 선택되고(여기에서 Ra1, Rb1, Rc1, Rd1 및 Re1는 각각 독립적으로 수소 및 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기에서 선택됨),
Ar은 N과 X2를 포함하는 방향족 고리기이고(여기에서 X2는 S, Se, Te, O, S(=O), S(=O)2, N, NRa2, CRb2, CRc2Rd2, SiRe2Rf2 및 GeRg2Rh2에서 선택되고, Ra2, Rb2, Rc2, Rd2, Re2, Rf2, Rg2 및 Rh2는 각각 독립적으로 수소 및 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기에서 선택됨),
R1 내지 R3는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 아실기, 할로겐, 시아노기(-CN), 시아노 함유기, 니트로기, -SiRaRbRc (여기에서 Ra, Rb 및 Rc는 각각 독립적으로 수소 및 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기에서 선택됨) 및 이들의 조합에서 선택되고,
Y는 하기 화학식 2A 또는 화학식 2B로 표현되는 작용기이다.
[화학식 2A]
Figure pat00002
상기 화학식 2A에서,
Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기 및 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로아릴기에서 선택된다.
[화학식 2B]
Figure pat00003
상기 화학식 2B에서,
Ar3 및 Ar4는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기 및 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로아릴렌기에서 선택되고,
G는 단일결합, S, Se, Te, O, NRa3, (CRb3Rc3)n, (C(Rd3)=C(Re3)), SiRf3Rg3, 및 GeRh3Ri3에서 선택된다 (여기에서 Ra3, Rb3, Rc3, Rd3, Re3, Rf3, Rg3, Rh3 및 Ri3는 각각 독립적으로 수소, 할로겐, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기 및 치환 또는 비치환된 C6 내지 C10 아릴기에서 선택되고, 선택적으로 Rd3와 Re3는 독립적으로 존재하거나 서로 연결되어 융합링을 형성할 수 있고, n은 1 또는 2임).
상기 화학식 1에서, Ar은 하기 화학식 3A 내지 화학식 3E중 어느 하나로 표현될 수 있다.
[화학식 3A]
Figure pat00004
상기 화학식 3A에서,
X2a는 S, Se, Te, O, S(=O), S(=O)2, NRa2, CRc2Rd2, SiRe2Rf2 및 GeRg2Rh2에서 선택되고(여기에서, Ra2, Rc2, Rd2, Re2, Rf2, Rg2 및 Rh2는 각각 독립적으로 수소 및 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기에서 선택됨),
R11 내지 R16는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 아실기, 할로겐, 시아노기(-CN), 시아노 함유기, 니트로기, -SiRaRbRc (여기에서 Ra, Rb 및 Rc는 각각 독립적으로 수소 및 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기에서 선택됨) 및 이들의 조합에서 선택되고, 또는 R11 내지 R16중 인접하는 두 개는 독립적으로 존재하거나 서로 연결되어 융합링을 형성할 수 있다.
[화학식 3B]
Figure pat00005
상기 화학식 3B에서,
X2b는 N 및 CRb2에서 선택되고(여기에서, Rb2는 수소 및 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기에서 선택됨),
R11 내지 R17는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 아실기, 할로겐, 시아노기(-CN), 시아노 함유기, 니트로기, -SiRaRbRc (여기에서 Ra, Rb 및 Rc는 각각 독립적으로 수소 및 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기에서 선택됨) 및 이들의 조합에서 선택되고, 또는 R11 내지 R17 및 Rb2중 인접하는 두 개는 독립적으로 존재하거나 서로 연결되어 융합링을 형성할 수 있다.
[화학식 3C]
Figure pat00006
상기 화학식 3C에서,
X2b는 N 및 CRb2에서 선택되고(여기에서, Rb2는 수소 및 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기에서 선택됨),
R11 내지 R17는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 아실기, 할로겐, 시아노기(-CN), 시아노 함유기, 니트로기, -SiRaRbRc (여기에서 Ra, Rb 및 Rc는 각각 독립적으로 수소 및 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기에서 선택됨) 및 이들의 조합에서 선택되고, 또는 R11 내지 R17 및 Rb2중 인접하는 두 개는 독립적으로 존재하거나 서로 연결되어 융합링을 형성할 수 있다.
[화학식 3D]
Figure pat00007
상기 화학식 3D에서,
X2b는 N 및 CRb2에서 선택되고(여기에서, Rb2는 수소 및 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기에서 선택됨),
R11 내지 R17는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 아실기, 할로겐, 시아노기(-CN), 시아노 함유기, 니트로기, -SiRaRbRc (여기에서 Ra, Rb 및 Rc는 각각 독립적으로 수소 및 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기에서 선택됨) 및 이들의 조합에서 선택되고, 또는 R11 내지 R17 및 Rb2중 인접하는 두 개는 독립적으로 존재하거나 서로 연결되어 융합링을 형성할 수 있다.
[화학식 3E]
Figure pat00008
상기 화학식 3E에서,
R11 및 R12는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 아실기, 할로겐, 시아노기(-CN), 시아노 함유기, 니트로기, -SiRaRbRc (여기에서 Ra, Rb 및 Rc는 각각 독립적으로 수소 및 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기에서 선택됨) 및 이들의 조합에서 선택된다.
상기 화학식 2A에서, Ar1 및 Ar2중 적어도 하나는 질소(N), 황(S) 및 셀레늄(Se)에서 선택되는 헤테로 원자를 포함할 수 있다.
상기 화학식 2B에서, Ar3 및 Ar4중 적어도 하나는 질소(N), 황(S) 및 셀레늄(Se)에서 선택되는 헤테로 원자를 포함할 수 있다.
상기 화학식 1에서, Y는 하기 화학식 2A-1, 화학식 2A-2, 화학식 2B-1 또는 화학식 2B-2로 표현되는 작용기일 수 있다.
[화학식 2A-1]
Figure pat00009
상기 화학식 2A-1에서,
X3a, X3b, X3c, X4a, X4b 및 X4c는 각각 독립적으로 N 및 CRa에서 선택되고(여기에서 Ra는 수소 및 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기에서 선택됨),
R21, R22, R23 및 R24는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로아릴기, 할로겐, 시아노기(-CN), 시아노 함유기 및 이들의 조합에서 선택되고,
a 및 b는 각각 독립적으로 0 또는 1의 정수이다.
[화학식 2A-2]
Figure pat00010
상기 화학식 2A-2에서,
X3a, X3b, X4a 및 X4b는 각각 독립적으로 N 및 CRa에서 선택되고(여기에서 Ra는 수소 및 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기에서 선택됨),
R21, R22, R23, R24, R25 및 R26은 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로아릴기, 할로겐, 시아노기(-CN), 시아노 함유기 및 이들의 조합에서 선택되고,
a 및 b는 각각 독립적으로 0 또는 1의 정수이다.
[화학식 2B-1]
Figure pat00011
상기 화학식 2B-1에서,
X3a, X3b, X4a 및 X4b는 각각 독립적으로 N 및 CRa에서 선택되고(여기에서 Ra는 수소 및 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기에서 선택됨),
R21, R22, R23 및 R24는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로아릴기, 할로겐, 시아노기(-CN), 시아노 함유기 및 이들의 조합에서 선택되고,
a 및 b는 각각 독립적으로 0 또는 1의 정수이고,
G는 단일결합, S, Se, Te, O, NRa3, (CRb3Rc3)n, (C(Rd3)=C(Re3)), SiRf3Rg3, 및 GeRh3Ri3에서 선택된다 (여기에서 Ra3, Rb3, Rc3, Rd3, Re3, Rf3, Rg3, Rh3 및 Ri3는 각각 독립적으로 수소, 할로겐, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기 및 치환 또는 비치환된 C6 내지 C10 아릴기에서 선택되고, 선택적으로 Rd3와 Re3는 독립적으로 존재하거나 서로 연결되어 융합링을 형성할 수 있고, n은 1 또는 2임).
[화학식 2B-2]
Figure pat00012
상기 화학식 2B-2에서,
X3a, X3b, X4a 및 X4b는 각각 독립적으로 N 및 CRa에서 선택되고(여기에서 Ra는 수소 및 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기에서 선택됨),
R21, R22, R23 및 R24는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로아릴기, 할로겐, 시아노기(-CN), 시아노 함유기 및 이들의 조합에서 선택되고,
a 및 b는 각각 독립적으로 0 또는 1의 정수이고,
G는 단일결합, S, Se, Te, O, NRa3, (CRb3Rc3)n, (C(Rd3)=C(Re3)), SiRf3Rg3, 및 GeRh3Ri3에서 선택된다 (여기에서 Ra3, Rb3, Rc3, Rd3, Re3, Rf3, Rg3, Rh3 및 Ri3는 각각 독립적으로 수소, 할로겐, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기 및 치환 또는 비치환된 C6 내지 C10 아릴기에서 선택되고, 선택적으로 Rd3와 Re3는 독립적으로 존재하거나 서로 연결되어 융합링을 형성할 수 있고, n은 1 또는 2임).
상기 화합물은 박막 상태에서 약 500 nm 이상 약 560 nm 이하, 예를 들어 약 510 nm 내지 약 550 nm의 파장 범위에서 최대 흡수 파장(λmax)을 가질 수 있다.
상기 화합물은 박막 상태에서 약 50 nm 내지 약 120 nm 의 반치폭(full width at half maximum, FWHM)을 가지는 흡광 곡선을 나타낼 수 있다.
상기 화합물의 초기 중량의 10 중량%가 손실(loss)되는 온도(증착 온도) 가 약 230 ℃ 이상일 수 있다.
다른 구현예에 따르면, 서로 마주하는 제1 전극과 제2 전극, 그리고 상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 위치하고 상기 화학식 1로 표현되는 화합물을 포함하는 활성층을 포함하는 유기 광전 소자를 제공한다.
상기 활성층은 약 500 nm 이상 약 560 nm 이하, 예를 들어 약 510 nm 내지 약 550 nm의 파장 범위에서 최대 흡수 파장(λmax)을 가질 수 있다.
상기 활성층은 50 nm 내지 약 120 nm 의 반치폭(FWHM)을 가지는 흡광 곡선을 나타낼 수 있다.
또 다른 구현예에 따르면, 상기 유기 광전 소자를 포함하는 이미지 센서를 제공한다.
상기 이미지 센서는 청색 파장 영역의 광을 감지하는 복수의 제1 광 감지 소자 및 적색 파장 영역의 광을 감지하는 복수의 제2 광 감지 소자가 집적되어 있는 반도체 기판, 그리고 상기 반도체 기판의 상부에 위치하고 녹색 파장 영역의 광을 감지하는 상기 유기 광전 소자를 포함할 수 있다.
상기 제1 광 감지 소자와 상기 제2 광 감지 소자는 반도체 기판에서 수직 방향으로 적층되어 있을 수 있다.
상기 이미지 센서는 상기 반도체 기판과 상기 유기 광전 소자의 사이에 위치하고 청색 파장 영역의 광을 선택적으로 투과하는 청색 필터와 적색 파장 영역의 광을 선택적으로 투과하는 적색 필터를 포함하는 색 필터 층을 더 포함할 수 있다.
상기 이미지 센서는 상기 유기 광전 소자인 녹색 광전 소자, 청색 파장 영역의 광을 감지하는 청색 광전 소자 및 적색 파장 영역의 광을 감지하는 적색 광전 소자가 적층되어 있을 수 있다.
또 다른 구현예에 따르면, 상기 이미지 센서를 포함하는 전자 장치를 제공한다.
녹색 파장 영역의 빛을 선택적으로 흡수할 수 있고 증착 안정성, 내열성 및 내산화성이 우수한 화합물을 제공하고 상기 화합물에 의해 녹색 파장 영역의 파장 선택성을 높여 개선된 효율을 가지는 유기 광전 소자, 이미지 센서 및 전자 장치를 제공한다.
도 1은 일 구현예에 따른 유기 광전 소자를 도시한 단면도이고,
도 2는 다른 구현예에 따른 유기 광전 소자를 도시한 단면도이고,
도 3은 일 구현예에 따른 유기 CMOS 이미지 센서를 개략적으로 도시한 평면도이고,
도 4는 도 3의 유기 CMOS 이미지 센서의 단면도이고,
도 5는 다른 구현예에 따른 유기 CMOS 이미지 센서를 개략적으로 도시한 단면도이고,
도 6은 또 다른 구현예에 따른 유기 CMOS 이미지 센서의 단면도이고,
도 7은 또 다른 구현예에 따른 유기 CMOS 이미지 센서를 개략적으로 도시한 개략도이고,
도 8은 일 구현예에 따른 이미지 센서를 포함하는 디지털 카메라의 블록 다이어그램이다.
이하, 구현예에 대하여 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 실제 적용되는 구조는 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 구현예에 한정되지 않는다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우 뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.
도면에서 본 구현예를 명확하게 설명하기 위하여 설명과 관계없는 부분은 생략하였으며, 명세서 전체를 통하여 동일 또는 유사한 구성 요소에 대해서는 동일한 도면 부호를 사용하였다.
본 명세서에서 별도의 정의가 없는 한, "치환된"이란, 화합물 중의 수소 원자가 할로겐 원자(F, Br, Cl 또는 I), 히드록시기, 니트로기, 시아노기, 아미노기, 아지도기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, 카르보닐기, 카르바밀기, 티올기, 에스테르기, 카르복실기나 그의 염, 술폰산기나 그의 염, 인산기나 그의 염, C1 내지 C20 알킬기, C1 내지 C20 알콕시기, C2 내지 C20 알케닐기, C2 내지 C20 알키닐기, C6 내지 C30 아릴기, C7 내지 C30 아릴알킬기, C2 내지 C20 헤테로아릴기, C3 내지 C20 헤테로아릴알킬기, C3 내지 C30 사이클로알킬기, C3 내지 C15 사이클로알케닐기, C6 내지 C15 사이클로알키닐기, C2 내지 C20 헤테로사이클로알킬기 및 이들의 조합에서 선택된 치환기로 치환된 것을 의미한다.
또한, 본 명세서에서 별도의 정의가 없는 한, "헤테로"란, N, O, S, P 및 Si에서 선택된 헤테로 원자를 1 내지 3개 함유한 것을 의미한다.
본 명세서에서 알킬기는 예를 들어 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, n-부틸기, 이소부틸기, t-부틸기, 펜틸기, 헥실기 등을 들 수 있다.
본 명세서에서 "사이클로알킬기"는, 시클로프로필기, 시클로부틸기, 시클로펜틸기, 시클로헥실기 등일 수 있다.
본 명세서에서 "아릴(aryl)기"는 환형인 치환기의 모든 원소가 p-오비탈을 가지고 있으며, 이들 p-오비탈이 공액(conjugation)을 형성하고 있는 치환기를 의미하고, 모노시클릭, 폴리시클릭 또는 융합 고리 폴리시클릭(즉, 탄소원자들의 인접한 쌍들을 나눠 가지는 고리) 작용기를 포함한다.
본 명세서에서 별도의 정의가 없는 한, "시아노 함유기"는 C1 내지 C30 알킬기, C2 내지 C30 알케닐기 또는 C2 내지 C30 알키닐기의 적어도 하나의 수소가 시아노기로 치환된 1가의 작용기를 의미할 수 있다. 또한 상기 시아노 함유기는 =CRx'-(CRxRy)p-CRy'(CN)2로 표현되는 디시아노알케닐기와 같은 2가의 작용기를 포함할 수 있으며 여기에서 Rx, Ry, Rx' 및 Ry'는 각각 독립적으로 수소 또는 C1 내지 C10 알킬기이고 p는 0 내지 10의 정수이다. 상기 시아노 함유기의 구체적인 예로는 디시아노메틸기(dicyanomethyl group), 디시아노비닐기(dicyanovinyl group), 시아노에티닐기(cyanoethynyl group) 등이 있다.
본 명세서에서 별도의 정의가 없는 한, "조합"이란 하나의 치환기가 다른 치환기에 치환되거나, 서로 융합하여 존재하거나, 단일결합이나 C1 내지 C10 알킬렌기에 의해 서로 연결된 치환기들을 의미한다.
이하, 일 구현예에 따른 화합물을 설명한다. 상기 화합물은 하기 화학식 1로 표현된다.
[화학식 1]
Figure pat00013
상기 화학식 1에서,
X1은 S, Se, Te, O, S(=O), S(=O)2, NRa1, SiRb1Rc1 및 GeRd1Re1에서 선택되고(여기에서 Ra1, Rb1, Rc1, Rd1 및 Re1는 각각 독립적으로 수소 및 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기에서 선택됨),
Ar은 N과 X2를 포함하는 방향족 고리기이고(여기에서 X2는 S, Se, Te, O, S(=O), S(=O)2, N, NRa2, CRb2, CRc2Rd2, SiRe2Rf2 및 GeRg2Rh2에서 선택되고, Ra2, Rb2, Rc2, Rd2, Re2, Rf2, Rg2 및 Rh2는 각각 독립적으로 수소 및 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기에서 선택됨),
R1 내지 R3는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 아실기, 할로겐, 시아노기(-CN), 시아노 함유기, 니트로기, -SiRaRbRc (여기에서 Ra, Rb 및 Rc는 각각 독립적으로 수소 및 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기에서 선택됨) 및 이들의 조합에서 선택되고,
Y는 하기 화학식 2A 또는 화학식 2B로 표현되는 작용기이다.
[화학식 2A]
Figure pat00014
상기 화학식 2A에서,
Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기 및 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로아릴기에서 선택된다.
[화학식 2B]
Figure pat00015
상기 화학식 2B에서,
Ar3 및 Ar4는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기 및 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로아릴렌기에서 선택되고,
G는 단일결합, S, Se, Te, O, NRa3, (CRb3Rc3)n, (C(Rd3)=C(Re3)), SiRf3Rg3, 및 GeRh3Ri3에서 선택된다 (여기에서 Ra3, Rb3, Rc3, Rd3, Re3, Rf3, Rg3, Rh3 및 Ri3는 각각 독립적으로 수소, 할로겐, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기 및 치환 또는 비치환된 C6 내지 C10 아릴기에서 선택되고, 선택적으로 Rd3와 Re3는 독립적으로 존재하거나 서로 연결되어 융합링을 형성할 수 있고, n은 1 또는 2임).
상기 화학식 1로 표현되는 화합물은 Y로 표현되는 전자 도너 부분(electron donor moiety); X1-함유 5원 고리를 포함하는 링커; 그리고 불포화 니트릴 및 N과 X2를 포함하는 방향족 고리기(Ar)의 전자 어셉터 부분(electron acceptor moiety);을 포함한다.
상기 화학식 1에서, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기의 구체적인 예로는 할로알킬기를 들 수 있으며, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 아실기의 구체적인 예로는 아세틸기를 들 수 있으며, 할로겐의 구체적인 예로는 F, Cl, Br 또는 I가 있다.
상기 화학식 1에서, Ar은 하기 화학식 3A 내지 화학식 3E중 어느 하나로 표현될 수 있다.
[화학식 3A]
Figure pat00016
상기 화학식 3A에서,
X2a는 S, Se, Te, O, S(=O), S(=O)2, NRa2, CRc2Rd2, SiRe2Rf2 및 GeRg2Rh2에서 선택되고(여기에서, Ra2, Rc2, Rd2, Re2, Rf2, Rg2 및 Rh2는 각각 독립적으로 수소 및 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기에서 선택됨),
R11 내지 R16는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 아실기, 할로겐, 시아노기(-CN), 시아노 함유기, 니트로기, -SiRaRbRc (여기에서 Ra, Rb 및 Rc는 각각 독립적으로 수소 및 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기에서 선택됨) 및 이들의 조합에서 선택되고, 또는 R11 내지 R16, Ra2, Rc2, Rd2, Re2, Rf2, Rg2 및 Rh2중 인접하는 두 개는 독립적으로 존재하거나 서로 연결되어 융합링을 형성할 수 있다. 상기 치환된 C1 내지 C30 알킬기는 C1 내지 C30 플루오로알킬기 또는 C1 내지 C30 퍼플루오로알킬기일 수 있다.
[화학식 3B]
Figure pat00017
상기 화학식 3B에서,
X2b는 N 및 CRb2에서 선택되고(여기에서, Rb2는 수소 및 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기에서 선택됨),
R11 내지 R17는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 아실기, 할로겐, 시아노기(-CN), 시아노 함유기, 니트로기, -SiRaRbRc (여기에서 Ra, Rb 및 Rc는 각각 독립적으로 수소 및 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기에서 선택됨) 및 이들의 조합에서 선택되고, 또는 R11 내지 R17 및 Rb2중 인접하는 두 개는 독립적으로 존재하거나 서로 연결되어 융합링을 형성할 수 있다. 상기 치환된 C1 내지 C30 알킬기는 C1 내지 C30 플루오로알킬기 또는 C1 내지 C30 퍼플루오로알킬기일 수 있다.
[화학식 3C]
Figure pat00018
상기 화학식 3C에서,
X2b는 N 및 CRb2에서 선택되고(여기에서, Rb2는 수소 및 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기에서 선택됨),
R11 내지 R17는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 아실기, 할로겐, 시아노기(-CN), 시아노 함유기, 니트로기, -SiRaRbRc (여기에서 Ra, Rb 및 Rc는 각각 독립적으로 수소 및 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기에서 선택됨) 및 이들의 조합에서 선택되고, 또는 R11 내지 R17 및 Rb2중 인접하는 두 개는 독립적으로 존재하거나 서로 연결되어 융합링을 형성할 수 있다. 상기 치환된 C1 내지 C30 알킬기는 C1 내지 C30 플루오로알킬기 또는 C1 내지 C30 퍼플루오로알킬기일 수 있다.
[화학식 3D]
Figure pat00019
상기 화학식 3D에서,
X2b는 N 및 CRb2에서 선택되고(여기에서, Rb2는 수소 및 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기에서 선택됨),
R11 내지 R17는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 아실기, 할로겐, 시아노기(-CN), 시아노 함유기, 니트로기, -SiRaRbRc (여기에서 Ra, Rb 및 Rc는 각각 독립적으로 수소 및 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기에서 선택됨) 및 이들의 조합에서 선택되고, 또는 R11 내지 R17 및 Rb2중 인접하는 두 개는 독립적으로 존재하거나 서로 연결되어 융합링을 형성할 수 있다. 상기 치환된 C1 내지 C30 알킬기는 C1 내지 C30 플루오로알킬기 또는 C1 내지 C30 퍼플루오로알킬기일 수 있다.
[화학식 3E]
Figure pat00020
상기 화학식 3E에서,
R11 및 R12는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 아실기, 할로겐, 시아노기(-CN), 시아노 함유기, 니트로기, -SiRaRbRc (여기에서 Ra, Rb 및 Rc는 각각 독립적으로 수소 및 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기에서 선택됨) 및 이들의 조합에서 선택된다. 상기 치환된 C1 내지 C30 알킬기는 C1 내지 C30 플루오로알킬기 또는 C1 내지 C30 퍼플루오로알킬기일 수 있다.
상기 화학식 3A 내지 3E에서, 융합링이란 화학식 3A의 R11 내지 R16, Ra2, Rc2, Rd2, Re2, Rf2, Rg2 및 Rh2중 인접하는 두 개가 서로 연결되어 형성된 고리 또는 화학식 3B 내지 3D의 R11 내지 R17 및 Rb2중 인접하는 두 개가 서로 연결되어 형성된 고리가 화학식 3A 내지 3E의 화학식에 존재하는 방향족 고리와 융합되어 형성된 것으로, 두 개 이상의 5-원 또는 6원 고리기를 포함할 수 있으며 융합링 내에 방향족 5-원 또는 6원 고리기 또는 비방향족 5-원 또는 6원 고리기를 포함할 수도 있다.
상기 화학식 3A의 R11 내지 R16, Ra2, Rc2, Rd2, Re2, Rf2, Rg2 및 Rh2중 인접하는 두 개가 서로 연결되어 형성된 고리는 2개 이상 형성될 수 있으며, 화학식 3B 내지 3D의 R11 내지 R17 및 Rb2중 인접하는 두 개가 서로 연결되어 형성된 고리도 2개 이상 형성될 수 있다.
또한 상기 융합링은 헤테로 원자를 포함할 수 있으며, 상기 헤테로 원자는 질소(N), 황(S), 셀레늄(Se), 텔루륨(Te), 산소(O), 게르마늄(Ge) 및 실리콘(Si)에서 선택될 수 있다.
상기 화학식 2A에서, Ar1 및 Ar2중 적어도 하나는 질소(N), 황(S) 및 셀레늄(Se)에서 선택되는 헤테로 원자를 포함할 수 있다.
Ar1 및 Ar2는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로아릴기일 수 있고, 예를 들어 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴기 또는 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 헤테로아릴기일 수 있다.
일 구현예에서, 상기 아릴기는 페닐기, 나프틸기 및 안트라세닐기에서 선택될 수 있으며, 상기 헤테로아릴기는 피롤릴(pyrrolyl)기, 피라졸릴(prazolyl)기, 이미다졸릴(imidazolyl)기, 옥사졸릴(oxazolyl)기, 이소옥사졸릴(isoxazolyl)기, 티아졸릴(thiazolyl)기, 이소티아졸릴(isothiazolyl)기, 피리디닐(pyridinyl)기, 피리다지닐(pyridazinyl)기, 피리미디닐(pyrimidinyl)기, 피라지닐(pyrazinyl)기, 인돌일(indolyl)기, 퀴놀리닐(quinolinyl)기, 이소퀴놀리닐(isoquinolinyl)기, 나프티리디닐(naphthyridinyl)기, 시놀리닐(cinnolinyl)기, 퀴나졸리닐(quinazolinyl)기, 프탈라지닐(phthalazinyl)기, 벤조트리아지닐(benzotriazinyl)기, 피리도피라지닐(pyridopyrazinyl)기, 피리도피리미디닐(pyridopyrimidinyl)기, 피리도피리다지닐(pyridopyridazinyl)기, 티에닐(thienyl)기, 벤조티에닐(benzothienyl)기, 셀레노페닐(selenophenyl)기 및 벤조 셀레노페닐(benzoselenophenyl)기에서 선택될 수 있다.
상기 화학식 2B에서, Ar3 및 Ar4중 적어도 하나는 질소(N), 황(S) 및 셀레늄(Se)에서 선택되는 헤테로 원자를 포함할 수 있다.
Ar3 및 Ar4는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기 또는 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로아릴렌기일 수 있고, 예를 들어 치환 또는 비치환된 C6 내지 C20 아릴렌기 또는 치환 또는 비치환된 C3 내지 C20 헤테로아릴렌기일 수 있다.
일 구현예에서, 상기 아릴렌기는 페닐렌기, 나프탈렌기 및 안트라센기에서 선택될 수 있으며, 상기 아릴렌기는 피롤릴렌(pyrrolylene)기, 피라졸릴렌(prazolylene)기, 이미다졸릴렌(imidazolylene)기, 옥사졸릴렌(oxazolylene)기, 이소옥사졸릴렌(isoxazolylene)기, 티아졸릴렌(thiazolylene)기, 이소티아졸릴렌 (isothiazolylene)기, 피리디닐렌(pyridinylene)기, 피리다지닐렌(pyridazinylene)기, 피리미디닐렌(pyrimidinylene)기, 피라지닐렌(pyrazinylene)기, 인돌일렌(indolylene)기, 퀴놀리닐렌(quinolinylene)기, 이소퀴놀리닐렌(isoquinolinylene)기, 나프티리디닐렌(naphthyridinylene)기, 시놀리닐렌(cinnolinylene)기, 퀴나졸리닐렌(quinazolinylene)기, 프탈라지닐렌(phthalazinylene)기, 벤조트리아지닐렌(benzotriazinylene)기, 피리도피라지닐렌(pyridopyrazinylene)기, 피리도피리미디닐렌(pyridopyrimidinylene)기, 피리도피리다지닐렌(pyridopyridazinylene)기, 티에닐렌(thienylene)기, 벤조티에닐렌(benzothienylene)기, 셀레노페닐렌(selenophenylene)기 및 벤조셀레노페닐렌(benzoselenophenylene)기에서 선택될 수 있다.
상기 화학식 1에서, Y는 하기 화학식 2A-1, 화학식 2A-2, 화학식 2B-1 또는 화학식 2B-2로 표현되는 작용기이다.
[화학식 2A-1]
Figure pat00021
상기 화학식 2A-1에서,
X3a, X3b, X3c, X4a, X4b 및 X4c는 각각 독립적으로 N 및 CRa에서 선택되고(여기에서 Ra는 수소 및 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기에서 선택됨),
R21, R22, R23 및 R24는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로아릴기, 할로겐, 시아노기(-CN), 시아노 함유기 및 이들의 조합에서 선택되고,
a 및 b는 각각 독립적으로 0 또는 1의 정수이다.
[화학식 2A-2]
Figure pat00022
상기 화학식 2A-2에서,
X3a, X3b, X4a 및 X4b는 각각 독립적으로 N 및 CRa에서 선택되고(여기에서 Ra는 수소 및 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기에서 선택됨),
R21, R22, R23, R24, R25 및 R26은 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로아릴기, 할로겐, 시아노기(-CN), 시아노 함유기 및 이들의 조합에서 선택되고,
a 및 b는 각각 독립적으로 0 또는 1의 정수이다.
[화학식 2B-1]
Figure pat00023
상기 화학식 2B-1에서,
X3a, X3b, X4a 및 X4b는 각각 독립적으로 N 및 CRa에서 선택되고(여기에서 Ra는 수소 및 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기에서 선택됨),
R21, R22, R23 및 R24는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로아릴기, 할로겐, 시아노기(-CN), 시아노 함유기 및 이들의 조합에서 선택되고,
a 및 b는 각각 독립적으로 0 또는 1의 정수이고,
G는 단일결합, S, Se, Te, O, NRa3, (CRb3Rc3)n, (C(Rd3)=C(Re3)), SiRf3Rg3, 및 GeRh3Ri3에서 선택된다 (여기에서 Ra3, Rb3, Rc3, Rd3, Re3, Rf3, Rg3, Rh3 및 Ri3는 각각 독립적으로 수소, 할로겐, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기 및 치환 또는 비치환된 C6 내지 C10 아릴기에서 선택되고, 선택적으로 Rd3와 Re3는 독립적으로 존재하거나 서로 연결되어 융합링을 형성할 수 있고, n은 1 또는 2임).
[화학식 2B-2]
Figure pat00024
상기 화학식 2B-2에서,
X3a, X3b, X4a 및 X4b는 각각 독립적으로 N 및 CRa에서 선택되고(여기에서 Ra는 수소 및 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기에서 선택됨),
R21, R22, R23 및 R24는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로아릴기, 할로겐, 시아노기(-CN), 시아노 함유기 및 이들의 조합에서 선택되고,
a 및 b는 각각 독립적으로 0 또는 1의 정수이고,
G는 단일결합, S, Se, Te, O, NRa3, (CRb3Rc3)n, (C(Rd3)=C(Re3)), SiRf3Rg3, 및 GeRh3Ri3에서 선택된다 (여기에서 Ra3, Rb3, Rc3, Rd3, Re3, Rf3, Rg3, Rh3 및 Ri3는 각각 독립적으로 수소, 할로겐, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기 및 치환 또는 비치환된 C6 내지 C10 아릴기에서 선택되고, 선택적으로 Rd3와 Re3는 독립적으로 존재하거나 서로 연결되어 융합링을 형성할 수 있고, n은 1 또는 2임).
상기 화학식 1의 화합물의 구체적인 예로는 하기 화학식 4-1의 화합물을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
[화학식 4-1]
Figure pat00025
상기 화학식 4-1에서, X1, X2, R1 내지 R3, R11 내지 R16 및 R21 내지 R24는 전술한 바와 같다.
상기 화학식 1의 화합물의 구체적인 예로는 하기 화학식 4-1A 또는 화학식 4-2A의 화합물을 들 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
[화학식 4-1A]
Figure pat00026
Figure pat00027
Figure pat00028
상기 화학식 4-1A에서,
각각의 방향족 링에 존재하는 수소는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로아릴기, 할로겐(F, Cl, Br 또는 I), 시아노기(-CN), 시아노 함유기 및 이들의 조합에서 선택되는 치환기로 치환될 수 있다.
[화학식 4-2A]
Figure pat00029
상기 화학식 4-2A에서,
각각의 방향족 링에 존재하는 수소는 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로아릴기, 할로겐(F, Cl, Br 또는 I), 시아노기(-CN), 시아노 함유기 및 이들의 조합에서 선택되는 치환기로 치환될 수 있다.
상기 화합물은 녹색 파장 영역의 광을 선택적으로 흡수하는 화합물로, 약 500 nm 이상, 예를 들어 약 505 nm 이상, 약 510 nm 이상, 약 515 nm 이상 또는 약 520 nm 이상의 파장 범위에서 최대 흡수 파장(λmax)을 가질 수 있다. 또한 상기 화합물은 약 560 nm 이하, 예를 들어 약 555 nm 이하, 약 550 nm 이하, 약 545 nm 이하 또는 약 540 nm 이하의 파장 범위에서 최대 흡수 파장(λmax)을 가질 수 있다.
상기 화합물은 박막 상태에서 약 50 nm 이상 및 약 120 nm 이하, 예를 들어 약 110 nm 이하의 반치폭(full width at half maximum, FWHM)을 가지는 흡광 곡선을 나타낼 수 있다. 여기에서 반치폭은 최대 흡광 지점의 반(half)에 대응하는 파장의 폭(width)으로, 반치폭이 작으면 좁은 파장 영역의 빛을 선택적으로 흡수하여 파장 선택성이 높다는 것을 의미한다. 상기 범위의 반치폭을 가짐으로써 녹색 파장 영역에 대한 선택성을 높일 수 있다. 상기 박막은 진공 조건에서 증착된 박막일 수 있다.
상기 화합물은 증착에 의하여 박막으로 형성될 수 있다. 증착법은 균일한 박막 형성이 가능하고 불순물 혼입 가능성이 적어 유리한 점이 있으나 화합물의 융점이 증착 온도보다 낮은 경우 화합물의 분해물이 증착될 수 있어 소자의 성능을 저해할 수 있다. 따라서 증착 온도보다 화합물의 융점이 더 높은 것이 바람직하다. 이런 점에서 상기 화합물은 증착 온도보다 높은, 예를 들어 약 3 ℃ 이상, 약 10 ℃ 이상 높은 융점을 가지므로 증착 공정에 바람직하게 사용될 수 있다.
좀 더 상세히 설명하면 상기 화학식 1의 구조로 표현되는 도너-어셉터형 재료는 재료의 융점(Tm)에서 열분해될 수 있다. 따라서 진공 증착에 의해 제막하는 온도(승화 온도 Ts)가 Tm보다 높은 온도라면 승화(증착)보다 분해가 우선적으로 발생하여 정상적인 소자를 제작할 수 없다. 이러한 재료로는 안정적인 이미지 센서 생산이 불가능하기 때문에 Tm은 Ts보다 높아야 하며, 더 바람직한 조건으로는 Tm-Ts=3℃가 되어야 한다.
또한 상기 화합물의 초기 중량의 10 중량%가 손실(loss)되는 온도(증착 온도)가 약 230 ℃ 이상, 예를 들어 240 ℃이상일 수 있다.
상기 화합물은 불포화 니트릴의 -CN 기와 방향족 고리기(Ar)의 -C=N-기를 가짐으로써 증착 안정성과 내열성이 우수하여 연속적으로 증착을 실시하여도 박막의 순도가 우수하며 이에 따라 소자의 성능도 증착 회수에 따라 감소되지 않는다.
또한 이미지 센서를 제작할 경우 빛의 집광을 위해 마이크로렌즈 어레이(MLA)를 소자 제작 후에 형성할 필요가 있다. 이 마이크로렌즈 어레이는 형성 시에 비교적 고온(약 160℃ 정도)을 필요로 하는데, 유기 광전 소자는 이러한 열처리 공정에서 성능이 열화되어서는 안된다. MLA 열처리 공정에서 유기 광전 소자가 열화하는 것은 유기 물질이 화학적으로 분해하는 것이 아니라 모폴로지 변화에 의해 발생하는 것이다. 모폴로지 변화는 일반적으로는 열처리에 의해 물질의 열운동이 시작되면서 생기기 시작하며 견고한 분자 구조를 갖는 경우에는 이러한 열진동이 발생하기 어려워져 열처리에 따른 열화를 방지할 수 있게 된다. 상기 화합물은 불포화 니트릴의 -CN 기와 방향족 고리기(Ar)의 -C=N-기를 가짐으로써 내열성이 우수하여 MLA 열처리 공정에서도 안정하게 유지될 수 있으며, 이로써 공정안정성을 확보할 수 있다.
상기 화합물은 p형 반도체로 작용하므로 혼합 사용하는 n형 반도체에 비해 LUMO 레벨의 위치가 높으면 적절하게 사용할 수 있다. 예를 들어 풀러렌과 같은 n형 재료와 혼합 사용하는 경우, 풀러렌의 LUMO 레벨이 4.2　eV이므로, 4.2 eV보다 높은 LUMO 레벨을 가지면 된다. 그리고 적절한 HOMO-LUMO 레벨의 경우, 상기 화합물은 HOMO 레벨이 약 5.0 내지 약 5.8 eV이고, 약 1.9 내지 약 2.3 eV의 에너지 밴드갭을 가지게 되면, LUMO 레벨이 약 3.9 내지 약 2.7 eV사이에 위치하게 된다. 상기 범위의 HOMO 레벨과 LUMO 레벨　및 에너지 밴드갭을 가짐으로써 녹색 파장 영역에서 광을 효과적으로 흡수하는 p형 반도체 화합물로 적용될 수 있고 그에 따라 높은 외부 양자 효율(external quantum efficiency, EQE)을 가질 수 있어 광전 변환 효율을 개선할 수 있다.
일 구현예에서 증착에 의해 박막을 형성하는 관점에서 안정적으로 증착가능한 화합물이 사용되는 것이 좋으므로 약 300 내지 약 1500의 분자량을 가지는 화합물이 증착 공정에 사용될 수 있다. 그러나 상기 범위 외라 하더라도 증착가능한 화합물이라면 제한없이 사용될 수 있다. 또한 도포 공정으로 박막을 형성하는 경우 용매에 용해되고, 도포가능한 화합물이라면 제한없이 사용될 수 있다.
상기 화합물은 p 형 반도체 화합물일 수 있다.
이하 상기 화합물을 포함하는 일 구현예에 따른 유기 광전 소자에 대하여 도면을 참고하여 설명한다.
도 1은 일 구현예에 따른 유기 광전 소자를 도시한 단면도이다.
도 1을 참고하면, 일 구현예에 따른 유기 광전 소자(100)는 서로 마주하는 제1 전극(10)과 제2 전극(20), 그리고 제1 전극(10)과 제2 전극(20) 사이에 위치하는 활성층(30)을 포함한다.
제1 전극(10)과 제2 전극(20) 중 어느 하나는 애노드(anode)이고 다른 하나는 캐소드(cathode)이다. 제1 전극(10)과 제2 전극(20) 중 적어도 하나는 투광 전극일 수 있고, 상기 투광 전극은 예컨대 인듐 틴 옥사이드(indium tin oxide, ITO) 또는 인듐 아연 옥사이드(indium zinc oxide, IZO)와 같은 투명 도전체, 또는 얇은 두께의 단일층 또는 복수층의 금속 박막으로 만들어질 수 있다. 제1 전극(10)과 제2 전극(20) 중 하나가 불투광 전극인 경우 예컨대 알루미늄(Al)과 같은 불투명 도전체로 만들어질 수 있다.
상기 활성층(30)은 p형 반도체 화합물과 n형 반도체 화합물이 포함되어 pn 접합(pn junction)을 형성하는 층으로, 외부에서 빛을 받아 엑시톤(exciton)을 생성한 후 생성된 엑시톤을 정공과 전자로 분리하는 층이다.
상기 활성층(30)은 상기 화학식 1로 표현되는 화합물을 포함한다. 상기 화합물은 활성층(30)에서 p형 반도체 화합물로 적용될 수 있다.
상기 화합물은 녹색 파장 영역의 광을 선택적으로 흡수하는 화합물로, 상기 화합물을 포함하는 활성층(30)은 약 500 nm 이상, 예를 들어 약 505 nm 이상, 약 510 nm 이상, 약 515 nm 이상 또는 약 520 nm 이상 및 약 560 nm 이하, 예를 들어 약 555 nm 이하, 약 550 nm 이하, 약 545 nm 이하 또는 약 540 nm 이하의 파장 범위에서 최대 흡수 파장(λmax)을 가지는 녹색 파장의 광을 선택적으로 흡수할 수 있다.
상기 활성층(30)은 약 50 nm 내지 약 120 nm, 구체적으로 약 50 nm 내지 약 110 nm의 비교적 작은 반치폭(FWHM)을 가지는 흡광 곡선을 나타낼 수 있다. 이에 따라 활성층(30)은 녹색 파장 영역의 광에 대하여 높은 선택성을 가질 수 있다.
상기 활성층은 상기 화합물과 C60을 약 0.9:1 내지 약 1.1:1, 예를 들어 1:1의 부피비로 포함하고 약 5.5X104 cm-1 이상, 예를 들어 약 5.8X104 cm-1 내지 약 10X104 cm-1 또는 약 7.0X104 cm-1 내지 약 10X104 cm-1의 흡수 계수를 가질 수 있다.
상기 활성층(30)은 pn접합을 형성하기 위한 n형 반도체 화합물을 더 포함할 수 있다.
상기 n형 반도체 화합물은 서브프탈로시아닌 또는 서브프탈로시아닌 유도체, 플러렌 또는 플러렌 유도체, 티오펜 또는 티오펜 유도체 또는 이들의 조합일 수 있다.
상기 플러렌의 예로는 C60, C70, C76, C78, C80, C82, C84, C90, C96, C240, C540, 이들의 혼합물, 플러렌 나노튜브 등이 있다. 상기 플러렌 유도체는 상기 플러렌에 치환기를 가지는 화합물을 의미한다. 상기 플러렌 유도체는 알킬기, 아릴기, 헤테로고리기 등의 치환기를 포함할 수 있다. 상기 아릴기와 헤테로고리기의 예로는 벤젠고리, 나프탈렌 고리, 안트라센 고리, 페난트렌 고리, 플루오렌 고리, 트리페닐렌 고리, 나프타센 고리, 바이페닐 고리, 피롤 고리, 퓨란(furan) 고리, 티오펜 고리, 이미다졸 고리, 옥사졸 고리, 티아졸 고리, 피리딘 고리, 피라진 고리, 피리미딘 고리, 피리다진 고리, 인돌진(indolizine) 고리, 인돌 고리, 벤조퓨란 고리, 벤조티오펜 고리, 이소벤조퓨란(isobenzofuran) 고리, 벤즈이미다졸 고리, 이미다조피리딘(imidazopyridine) 고리, 퀴놀리진(quinolizidine) 고리, 퀴놀린 고리, 프탈진(phthalazine) 고리, 나프티리진(naphthyridine) 고리, 퀴녹살린(quinoxaline)고리, 퀴녹사졸린(quinoxazoline) 고리, 이소퀴놀린(isoquinoline) 고리, 카바졸(carbazole) 고리, 페나트리딘(phenanthridine) 고리, 아크리딘(acridine) 고리, 페난트롤린(phenanthroline) 고리, 티아트렌(thianthrene) 고리, 크로멘(chromene) 고리, 잔텐(xanthene) 고리, 페녹사틴(phenoxathin) 고리, 페노티아진(phenothiazine) 고리 또는 페나진(phenazine) 고리가 있다.
상기 서브프탈로시아닌 또는 서브프탈로시아닌 유도체는 하기 화학식 5로 표현될 수 있다.
[화학식 5]
Figure pat00030
상기 화학식 5에서,
R31 내지 R33은 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 아실기, 할로겐, 할로겐 함유기 및 이들의 조합에서 선택되고,
a, b 및 c는 1 내지 3의 정수이고,
Z는 1가의 치환기이다.
일 예로, Z는 할로겐 또는 할로겐 함유기일 수 있으며, 예를 들어 F, Cl, F 함유기 또는 Cl 함유기일 수 있다.
상기 할로겐은 F, Cl, Br 또는 I를 의미할 수 있으며 할로겐 함유기는 알킬기의 수소중 적어도 하나가 F, Cl, Br 또는 I로 치환된 것을 의미할 수 있다.
상기 티오펜 유도체는 예컨대 하기 화학식 6 또는 화학식 7로 표현될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
[화학식 6]
Figure pat00031
[화학식 7]
Figure pat00032
상기 화학식 6과 7에서,
T1, T2 및 T3는 치환 또는 비치환된 티오펜부를 가지는 방향족 고리이고,
T1, T2 및 T3는 각각 독립적으로 존재하거나 융합되어 있을 수 있고,
X3 내지 X8은 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로고리기, 시아노기 또는 이들의 조합이고,
EWG1 및 EWG2는 각각 독립적으로 전자흡인기(electron withdrawing group)일 수 있다.
일 예로, 상기 화학식 6에서, X3 내지 X8 중 적어도 하나는 전자 흡인기, 예를 들어 시아노기 또는 시아노 함유기일 수 있다.
상기 활성층(30)은 녹색광을 선택적으로 흡수하는 제2의 p형 반도체 화합물을 더 포함할 수 있다. 상기 p형 반도체 화합물로는 하기 화학식 8의 화합물을 들 수 있다.
[화학식 8]
Figure pat00033
상기 화학식 8에서,
R41 내지 R43는 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 지방족 탄화수소기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 방향족 탄화수소기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 지방족 헤테로고리기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 방향족 헤테로고리기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴옥시기, 티올기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 알킬티오기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴티오기, 시아노기, 시아노 함유기, 할로겐기, 할로겐 함유기, 치환 또는 비치환된 설포닐기(예를 들어, 치환 또는 비치환된 C0 내지 C30 아미노설포닐기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬설포닐기 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴설포닐기) 또는 이들의 조합이고, 또는 R41 내지 R43는 인접한 두 개가 연결되어 융합고리를 형성하고,
L1 내지 L3은 각각 독립적으로 단일 결합, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기, 2가의 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로고리기 또는 이들의 조합이고,
R51 내지 R53는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로고리기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 아민기(예를 들어, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬아민기 또는 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴아민기), 치환 또는 비치환된 실릴기 또는 이들의 조합이고,
a 내지 c는 각각 독립적으로 0 내지 4의 정수이다.
상기 녹색광을 선택적으로 흡수하는 제2의 p형 반도체 화합물은 상기 화학식 1의 화합물 100 중량부에 대하여 약 500 내지 약 1500 중량부로 포함되는 것이 좋다.
상기 활성층(30)은 단일 층일 수도 있고 복수 층일 수도 있다. 활성층(30)은 예컨대 진성층(instrinsic layer, I층), p형 층/I층, I층/n형 층, p형 층/I층/n형 층, p형 층/n형 층 등 다양한 조합일 수 있다.
상기 진성층(I층)은 상기 화학식 1의 화합물과 상기 n형 반도체 화합물이 약 1:100 내지 약 100:1의 두께 비로 혼합되어 포함될 수 있다. 상기 범위 내에서 약 1:50 내지 50:1의 두께 비로 포함될 수 있으며, 상기 범위 내에서 약 1:10 내지 10:1의 두께 비로 포함될 수 있으며, 상기 범위 내에서 약 1:1의 두께 비로 포함될 수 있다. 상기 범위의 조성비를 가짐으로써 효과적인 엑시톤 생성 및 pn 접합 형성에 유리하다.
상기 p형 층은 상기 화학식 1의 화합물을 포함할 수 있고, 상기 n형 층은 상기 n형 반도체 화합물을 포함할 수 있다.
상기 활성층(30)은 약 1 nm 내지 약 500 nm의 두께를 가질 수 있다. 상기 범위 내에서 약 5 nm 내지 300 nm의 두께를 가질 수 있다. 상기 범위의 두께를 가짐으로써 빛을 효과적으로 흡수하고 정공과 전자를 효과적으로 분리 및 전달함으로써 광전 변환 효율을 효과적으로 개선할 수 있다. 최적의 막 두께는 예컨대 활성층(30)의 흡수 계수를 고려하여 결정할 수 있으며, 예컨대 적어도 약 70% 이상, 예컨대 약 80% 이상, 예컨대 약 90%의 빛을 흡수할 수 있는 두께를 가질 수 있다.
유기 광전 소자(100)는 제1 전극(10) 및/또는 제2 전극(20) 측으로부터 빛이 입사되어 활성층(30)이 소정 파장 영역의 빛을 흡수하면 내부에서 엑시톤이 생성될 수 있다. 엑시톤은 활성층(30)에서 정공과 전자로 분리되고, 분리된 정공은 제1 전극(10)과 제2 전극(20) 중 하나인 애노드 측으로 이동하고 분리된 전자는 제1 전극(10)과 제2 전극(20) 중 다른 하나인 캐소드 측으로 이동하여 유기 광전 소자에 전류가 흐를 수 있게 된다.
이하 도 2를 참고하여 다른 구현예에 따른 유기 광전 소자에 대하여 설명한다.
도 2는 다른 구현예에 따른 유기 광전 소자를 도시한 단면도이다.
도 2를 참고하면, 본 구현예에 따른 유기 광전 소자(100)는 전술한 구현예와 마찬가지로 서로 마주하는 제1 전극(10)과 제2 전극(20), 그리고 제1 전극(10)과 제2 전극(20) 사이에 위치하는 활성층(30)을 포함한다.
그러나 본 구현예에 따른 유기 광전 소자(100)는 전술한 구현예와 달리 제1 전극(10)과 활성층(30) 사이 및 제2 전극(20)과 활성층(30) 사이에 각각 전하 보조층(40, 45)을 더 포함한다. 전하 보조층(40, 45)은 활성층(30)에서 분리된 정공과 전자의 이동을 용이하게 하여 효율을 높일 수 있다.
전하 보조층(40, 45)은 정공의 주입을 용이하게 하는 정공 주입층(hole injecting layer, HIL), 정공의 수송을 용이하게 하는 정공 수송층(hole transporting layer, HTL), 전자의 이동을 저지하는 전자 차단층(electron blocking layer, EBL), 전자의 주입을 용이하게 하는 전자 주입층(electron injecting layer, EIL), 전자의 수송을 용이하게 하는 전자 수송층(electron transporting layer, ETL) 및 정공의 이동을 저지하는 정공 차단층(hole blocking layer, HBL)에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다.
전하 보조층(40, 45)은 예컨대 유기물, 무기물 또는 유무기물을 포함할 수 있다. 상기 유기물은 정공 또는 전자 특성을 가지는 유기 화합물일 수 있고, 상기 무기물은 예컨대 몰리브덴 산화물, 텅스텐 산화물, 니켈 산화물과 같은 금속 산화물일 수 있다.
상기 정공 수송층(HTL)은 예컨대 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜):폴리(스티렌술포네이트)(poly(3,4-ethylenedioxythiophene):poly(styrenesulfonate), PEDOT:PSS), 폴리아릴아민, 폴리(N-비닐카바졸)(poly(N-vinylcarbazole), 폴리아닐린(polyaniline), 폴리피롤(polypyrrole), N,N,N',N'-테트라키스(4-메톡시페닐)-벤지딘(N,N,N',N'-tetrakis(4-methoxyphenyl)-benzidine, TPD), 4,4'-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐-아미노]비페닐(4,4'-bis[N-(1-naphthyl)-N-phenyl-amino]biphenyl, α-NPD), m-MTDATA, 4,4'4"-트리스(N-카바졸릴)-트리페닐아민(4,4',4"-tris(N-carbazolyl)-triphenylamine, TCTA) 및 이들의 조합에서 선택되는 하나를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 전자 차단층(EBL)은 예컨대 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜):폴리(스티렌술포네이트)(poly(3,4-ethylenedioxythiophene):poly(styrenesulfonate), PEDOT:PSS), 폴리아릴아민, 폴리(N-비닐카바졸)(poly(N-vinylcarbazole), 폴리아닐린(polyaniline), 폴리피롤(polypyrrole), N,N,N',N'-테트라키스(4-메톡시페닐)-벤지딘(N,N,N',N'-tetrakis(4-methoxyphenyl)-benzidine, TPD), 4,4'-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐-아미노]비페닐(4,4'-bis[N-(1-naphthyl)-N-phenyl-amino]biphenyl, α-NPD), m-MTDATA, 4,4',4"-트리스(N-카바졸릴)-트리페닐아민(4,4',4"-tris(N-carbazolyl)-triphenylamine, TCTA) 및 이들의 조합에서 선택되는 하나를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 전자 수송층(ETL)은 예컨대 1,4,5,8-나프탈렌-테트라카르복실릭 디안하이드라이드(1,4,5,8-naphthalene-tetracarboxylic dianhydride, NTCDA), 바소쿠프로인(bathocuproine, BCP), LiF, Alq3, Gaq3, Inq3, Znq2, Zn(BTZ)2, BeBq2 및 이들의 조합에서 선택되는 하나를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 정공 차단층(HBL)은 예컨대 1,4,5,8-나프탈렌-테트라카르복실릭 디안하이드라이드(1,4,5,8-naphthalene-tetracarboxylic dianhydride, NTCDA), 바소쿠프로인(BCP), LiF, Alq3, Gaq3, Inq3, Znq2, Zn(BTZ)2, BeBq2 및 이들의 조합에서 선택되는 하나를 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 전하 보조층(40, 45) 중 하나는 생략될 수 있다.
상기 유기 광전 소자는 태양 전지, 이미지 센서, 광 검출기, 광 센서 및 유기발광다이오드 등에 적용될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
이하 상기 유기 광전 소자를 적용한 이미지 센서의 일 예에 대하여 도면을 참고하여 설명한다. 여기서는 이미지 센서의 일 예로 유기 CMOS 이미지 센서에 대하여 설명한다.
도 3은 일 구현예에 따른 유기 CMOS 이미지 센서를 개략적으로 도시한 평면도이고, 도 4는 도 3의 유기 CMOS 이미지 센서의 단면도이다.
도 3 및 도 4를 참고하면, 일 구현예에 따른 유기 CMOS 이미지 센서(300)는 광 감지 소자(50B, 50R), 전송 트랜지스터(도시하지 않음) 및 전하 저장소(55)가 집적되어 있는 반도체 기판(310), 하부 절연층(60), 색 필터 층(70), 상부 절연층(80) 및 유기 광전 소자(100)를 포함한다.
반도체 기판(310)은 실리콘 기판일 수 있으며, 광 감지 소자(50B, 50R), 전송 트랜지스터(도시하지 않음) 및 전하 저장소(55)가 집적되어 있다. 광 감지 소자(50R, 50B)는 광 다이오드일 수 있다.
광 감지 소자(50B, 50R), 전송 트랜지스터 및/또는 전하 저장소(55)는 각 화소마다 집적되어 있을 수 있으며, 일 예로 도면에서 보는 바와 같이 광 감지 소자(50B, 50R)는 청색 화소 및 적색 화소에 포함될 수 있고 전하 저장소(55)는 녹색 화소에 포함될 수 있다.
광 감지 소자(50B, 50R)는 빛을 센싱하고 센싱된 정보는 전송 트랜지스터에 의해 전달될 수 있고, 전하 저장소(55)는 후술하는 유기 광전 소자(100)와 전기적으로 연결되어 있고 전하 저장소(55)의 정보는 전송 트랜지스터에 의해 전달될 수 있다.
도면에서는 광 감지 소자(50B, 50R)가 나란히 배열된 구조를 예시적으로 도시하였으나 이에 한정되지 않고 청색 광 감지 소자(50B)와 적색 광 감지 소자(50R)가 수직으로 적층되어 있을 수도 있다.
반도체 기판(310) 위에는 또한 금속 배선(도시하지 않음) 및 패드(도시하지 않음)가 형성되어 있다. 금속 배선 및 패드는 신호 지연을 줄이기 위하여 낮은 비저항을 가지는 금속, 예컨대 알루미늄(Al), 구리(Cu), 은(g) 및 이들의 합금으로 만들어질 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 그러나 상기 구조에 한정되지 않고, 금속 배선 및 패드가 광 감지 소자(50B, 50R)의 하부에 위치할 수도 있다.
금속 배선 및 패드 위에는 하부 절연층(60)이 형성되어 있다. 하부 절연층(60)은 산화규소 및/또는 질화규소와 같은 무기 절연 물질 또는 SiC, SiCOH, SiCO 및 SiOF와 같은 저유전율(low K) 물질로 만들어질 수 있다. 하부 절연층(60)은 전하 저장소(55)를 드러내는 트렌치를 가진다. 트렌치는 충전재로 채워져 있을 수 있다.
하부 절연막(60) 위에는 색 필터 층(70)이 형성되어 있다. 색 필터 층(70)은 청색 화소에 형성되어 청색 광을 선택적으로 투과하는 청색 필터(70B)와 적색 화소에 형성되어 적색 광을 선택적으로 투과하는 적색 필터(70R)를 포함한다. 본 구현예에서는 녹색 필터를 구비하지 않은 예를 설명하지만, 경우에 따라 녹색 필터를 구비할 수도 있다.
색 필터 층(70)은 경우에 따라 생략될 수 있으며, 일 예로 청색 광 감지 소자(50B)와 적색 광 감지 소자(50R)가 수직으로 적층되어 있는 구조에서는 청색 광 감지 소자(50B)와 적색 광 감지 소자(50R)가 적층 깊이에 따라 각 파장 영역의 광을 선택적으로 흡수 및/또는 감지할 수 있으므로 색 필터 층(70)을 구비하지 않을 수도 있다.
색 필터 층(70) 위에는 상부 절연층(80)이 형성되어 있다. 상부 절연층(80)은 색 필터 층(70)에 의한 단차를 제거하고 평탄화한다. 상부 절연층(80) 및 하부 절연층(60)은 패드를 드러내는 접촉구(도시하지 않음)와 녹색 화소의 전하 저장소(55)를 드러내는 관통구(85)를 가진다.
상부 절연층(80) 위에는 전술한 유기 광전 소자(100)가 형성되어 있다. 유기 광전 소자(100)는 전술한 바와 같이 제1 전극(10), 활성층(30) 및 제2 전극(20)을 포함한다.
제1 전극(10)과 제2 전극(20)은 모두 투명 전극일 수 있으며, 활성층(30)은 전술한 바와 같다. 활성층(30)은 녹색 파장 영역의 광을 선택적으로 흡수 및/또는 감지할 수 있으며 녹색 화소의 색 필터를 대체할 수 있다.
제2 전극(20) 측으로부터 입사된 광은 활성층(30)에서 녹색 파장 영역의 빛이 주로 흡수되어 광전 변환될 수 있고 나머지 파장 영역의 빛은 제1 전극(10)을 통과하여 광 감지 소자(50B, 50R)에 센싱될 수 있다.
상기와 같이 녹색 파장 영역의 광을 선택적으로 흡수 및/또는 감지하는 유기 광전 소자가 적층된 구조를 가짐으로써 이미지 센서의 크기를 줄여 소형화 이미지 센서를 구현할 수 있다.
또한 전술한 바와 같이 상기 화학식 1로 표현되는 화합물을 p형 반도체 화합물로서 포함함으로써 박막 상태에서도 화합물들 사이의 응집이 발생하는 것을 방지하여 파장에 따른 흡광 특성을 유지할 수 있다. 이에 따라 녹색 파장 선택성을 그대로 유지할 수 있고 그에 따라 녹색 이외의 파장 영역의 광을 불필요하게 흡수하여 발생하는 크로스토크를 줄이고 감도를 높일 수 있다.
도 4에서는 도 1의 유기 광전 소자(100)를 포함하는 예를 도시하였지만 이에 한정되지 않고 도 2의 유기 광전 소자(200)를 포함하는 경우에도 동일하게 적용할 수 있다. 도 5는 도 2의 유기 광전 소자(200)을 적용한 유기 CMOS 이미지 센서(400)를 도시한 단면도이다.
도 6은 또 다른 구현예에 따른 유기 CMOS 이미지 센서를 개략적으로 도시한 단면도이다.
도 6을 참고하면, 본 구현예에 따른 유기 CMOS 이미지 센서(500)는 전술한 구현예와 마찬가지로 광 감지 소자(50B, 50R), 전송 트랜지스터(도시하지 않음) 및 전하 저장소(55)가 집적되어 있는 반도체 기판(310), 절연층(80) 및 유기 광전 소자(100)를 포함한다.
그러나 본 구현예에 따른 유기 CMOS 이미지 센서(500)는 전술한 구현예와 달리, 청색 광 감지 소자(50B)와 적색 광 감지 소자(50R)가 적층되어 있고 색 필터 층(70)이 생략될 수 있다. 청색 광 감지 소자(50B)와 적색 광 감지 소자(50R)는 전하 저장소와 전기적으로 연결되어 있고 전송 트랜지스터(도시하지 않음)에 의해 전달될 수 있다. 청색 광 감지 소자(50B)와 적색 광 감지 소자(50R)는 적층 깊이에 따라 각 파장 영역의 광을 선택적으로 흡수 및/또는 감지할 수 있다.
상기와 같이 녹색 파장 영역의 광을 선택적으로 흡수 및/또는 감지하는 유기 광전 소자가 적층된 구조를 가지고 적색 광 감지 소자와 청색 광 감지 소자가 적층된 구조를 가짐으로써 이미지 센서의 크기를 더욱 줄여 소형화 이미지 센서를 구현할 수 있다. 또한 전술한 바와 같이 유기 광전 소자(100)는 녹색 파장 선택성을 높임으로써 녹색 이외의 파장 영역의 광을 불필요하게 흡수하여 발생하는 크로스토크를 줄이고 감도를 높일 수 있다.
도 6에서는 도 1의 유기 광전 소자(100)를 포함하는 예를 도시하였지만 이에 한정되지 않고 도 2의 유기 광전 소자(200)를 포함하는 경우에도 동일하게 적용할 수 있다.
도 7은 또 다른 구현예에 따른 유기 CMOS 이미지 센서를 개략적으로 도시한 개략도이다.
도 7을 참고하면, 본 구현예에 따른 유기 CMOS 이미지 센서는 녹색 파장 영역의 광을 선택적으로 흡수 및/또는 감지하는 녹색 광전 소자(G), 청색 파장 영역의 광을 선택적으로 흡수 및/또는 감지하는 청색 광전 소자(B) 및 적색 파장 영역의 광을 선택적으로 흡수 및/또는 감지하는 적색 광전 소자(R)가 적층되어 있는 구조이다.
도면에서는 적색 광전 소자(R), 청색 광전 소자(B) 및 녹색 광전 소자(G)가 차례로 적층된 구조를 도시하였지만, 이에 한정되지 않고 적층 순서는 다양하게 바뀔 수 있다.
상기 녹색 광전 소자(G)는 전술한 유기 광전 소자(100)일 수 있고, 상기 청색 광전 소자(B)는 서로 마주하는 전극들과 그 사이에 개재되어 있는 청색 파장 영역의 광을 선택적으로 흡수하는 유기 물질을 포함하는 활성층을 포함할 수 있으며, 상기 적색 광전 소자(R)는 서로 마주하는 전극들과 그 사이에 개재되어 있는 적색 파장 영역의 광을 선택적으로 흡수하는 유기 물질을 포함하는 활성층을 포함할 수 있다.
상기와 같이 녹색 파장 영역의 광을 선택적으로 흡수 및/또는 감지하는 유기 광전 소자(G), 청색 파장 영역의 광을 선택적으로 흡수 및/또는 감지하는 유기 광전 소자(B) 및 적색 파장 영역의 광을 선택적으로 흡수 및/또는 감지하는 유기 광전 소자(R)가 적층된 구조를 가짐으로써 이미지 센서의 크기를 더욱 줄여 소형화 이미지 센서를 구현할 수 있는 동시에 감도를 높이고 크로스토크를 줄일 수 있다.
상기 이미지 센서는 적절한 파장 영역의 흡수를 가짐으로써 적층형 구조를 가지면서도 감도(YSNR10)와 색 재현성(
Figure pat00034
E*ab)을 모두 개선할 수 있다.
여기에서 말하는 YSNR10이란 이미지 센서의 감도를 나타내는 수치이며 2007년 International Image Sensor Workshop(Ogunquit Maine, USA)의 개요집에 기재된 Juha Alakarhu의 "Image Sensors and Image Quality in Mobile Phones" 방법으로 측정된 수치이나 시그널과 노이즈의 비가 10이 되는 최소 조도를 lux로 표현한 것이다. 따라서 YSNR10의 값은 작으면 작을수록 감도가 높다고 할 수 있다.
한편 색 재현성(
Figure pat00035
E*ab)은 X-Rite 차트의 표준색에 대해 어느 정도 차이가 있는지를 나타내는 수치이며
ΔE*ab는 CIE（국제조명위원회）가 1976년에 L*a*b* 색공간상의 2 점간의 거리를 나타내는 수치로 규정한 것이다. 예를 들어 상기 색차는 하기 수학식 1에 의하여 계산될 수 있다.
[수학식 1]
Figure pat00036
상기 수학식 1에서,
ΔL*는 상온(20 ℃ 내지 25 ℃)에서의 색 좌표 L*와 비교할 때 색 좌표 L*의 변화를 나타내고,
Δa*는 상온에서의 색 좌표 a*와 비교할 때 색 좌표 a*의 변화를 나타내며,
Δb*는 상온에서의 색 좌표 b*와 비교할 때 색 좌표 b*의 변화를 나타낸다.
고감도에서 색재현성이 높은 이미지 센서를 만들기 위해서는
Figure pat00037
E*ab?3에서 YSNR10=100lux 이하일 필요가 있는데 상기 화합물을 사용할 경우
Figure pat00038
E*ab?3에서 YSNR10=100lux의 감도와 색재현성을 구현할 수 있다.
상기 이미지 센서는 다양한 전자 장치에 적용될 수 있으며, 예컨대 모바일 폰, 디지털 카메라 등에 적용될 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다.
도 8은 일 구현예에 따른 이미지 센서를 포함하는 디지털 카메라의 블록 다이어그램이다.
도 8을 참고하면, 디지털 카메라(1000)는 렌즈(1010), 이미지 센서(1020), 모터 유닛(1030) 및 엔진 유닛(1040)을 포함한다. 상기 이미지 센서(1020)는 상기 도 2 내지 도 7에 도시된 구현예들에 따른 이미지 센서중 어느 하나일 수 있다.
상기 렌즈(1010)는 입사광을 이미지 센서(1020)에 집광한다. 상기 이미지 센서(1020)는 렌즈(1010)을 통하여 수광된 빛에 대하여 RGB 데이터를 생성한다.
일부 구현예에서, 상기 이미지 센서(1020)는 엔진 유닛(1040)과 인터페이스할 수 있다.
상기 모터 유닛(1030)은 렌즈(1010)의 촛점을 조절하거나 엔진 유닛(1040)으로부터 받은 콘트롤 신호에 대응하여 셔터를 조절할 수 있다. 상기 엔진 유닛(1040)은 이미지 센서(1020)와 모터 유닛(1030)을 조절할 수 있다.
상기 엔진 유닛(1040)은 호스트/어플리케이션(1050)에 연결될 수 있다.
이하 실시예를 통하여 상술한 구현예를 보다 상세하게 설명한다. 다만 하기의 실시예는 단지 설명의 목적을 위한 것이며 범위를 제한하는 것은 아니다.
합성예 1: 화합물 1((E)-3-(5-10H-phenoselenazin-10-yl)selenophen-2-yl)-2-(benzo[d]thiazol-2-yl)acrylonitrile)의 합성
[반응식 1]
Figure pat00039
(1) 화합물 (1-2)의 합성
[반응식 1A]
Figure pat00040
(i) 화합물 (i)의 합성
2-요오도셀레노펜(2-iodoselenophene, 화합물 (i))은 Efficient Synthesis of 2-Iodo and 2-Dicyanomethyl Derivatives of Thiophene, Selenophene, Tellurophene, and Thieno[3,2-b]thiophene,　Takahashi, K.; Tarutani, S. Heterocycles 1996, 43, 1927-1935에 기재된 방법으로 합성하였다.
(ii) 화합물 (ii)의 합성
2-요오도셀레노펜 13.6ｇ(52.8 mmol) 및 10H-페노셀레나진(10H-phenoselenazine) 10.0ｇ(40.6 mmol)을 무수 톨루엔 100 ml중에서 5 mol%의 Pd(dba)2, 5 mol%의 P(tBu)3 및 4.29ｇ(44.7 mmol)의 NaOtBu 존재 하에서, 2시간 가열 환류하였다. 얻어진 생성물을 실리카겔 칼럼 크로마토그래피에 의해 분리 정제(톨루엔:헥산=1:4 부피비)하여 화합물 (ii)(10-(selenophen-2-yl)-10H-phenoselenazine) 6.89 g (수율: 45.2％)을 얻었다.
(iii) 화합물 (1-2)의 합성
6.8 ml의 N,N-다이메틸포름아마이드(N,N-dimethylformamide)에 2.2 ml의 염화포스포릴(phosphoryl chloride)를 -15 ℃에서 적하한 후 상온(24 ℃)에서 2시간 동안 교반하였다. 이를 180 ml의 디클로로메탄(dichloromethane)와 6.84 g의 화합물 (ii)를 섞은 것에 -15 ℃에서 천천히 적하한 후 상온에서 30분간 교반하고 감압 농축하였다. 여기에 100 ml의 물을 추가하고 pH 값이 14가 될 때까지 수산화나트륨 수용액(aqueous sodium hydroxide solution)를 추가한 후 상온(24 ℃)에서 2시간 교반하였다. 에틸 아세테이트(ethyl acetate)로 추출한 유기층을 염화나트륨 수용액(aqueous sodium chloride solution)로 세정(wash)한 후 무수 황산마그네슘(anhydrous magnesium sulfate)를 넣어 건조시켰다. 얻어진 생성물을 실리카겔 칼럼 크로마토그래피(헥산 : 다이클로로메탄=3:2의 부피비)에 의해 분리 정제하여 화합물 (1-2)(5-(10H-phenoselenazin-10-yl)selenophene-2-carbaldehyde) 5.16 g (수율: 70.4%)을 얻었다.
(2) 화합물 1의 합성
질소분위기하에서 2-벤조티아졸로아세토니트릴(2-benzothiazoleacetonitrile, 화합물 (1-1)) (1.00 g, 5.74 mmol)과 화합물 (1-2)를 에탄올에 현탁했다. 피페리딘(0.59 g, 6.89 mmol)을 첨가해서 60 ℃에 12시간 교반하였다. 실온(24 ℃)으로 냉각하고, 석출한 고체를 여과하고, 에탄올로 세정했다. 클로로포름에 가열 용해하고, 헥산을 첨가한 후 실온으로 냉각했다. 석출한 고체를 건조해서 화합물 1(1.94 g, 수율: 60 %)을 얻었다.
MS (m/z); 560.93[M + H]+
합성예 2: 화합물 2((E)-3-(5-10H-phenoselenazin-10-yl)selenophen-2-yl)-2-(benzo[d]thiazol-2-yl)acrylonitrile)-d)의 합성
[반응식 2]
Figure pat00041
질소분위기하에서 2-벤조티아졸로아세토니트릴(2-benzothiazoleacetonitrile, 화합물 (1-1)) (1.00 g, 5.74 mmol)과 화합물 (1-2D)을 에탄올에 현탁했다. 피레리딘 (0.59 g, 6.89 mmol)을 첨가해서 60 ℃에 12시간 교반하였다. 실온으로 냉각하고, 석출한 고체를 여과하고, 에탄올로 세정했다. 클로로포름에 가열 용해하고, 헥산을 첨가한 후 실온으로 냉각했다. 석출한 고체를 건조해서 화합물 2(2.25 g, 수율 70 %)를 얻었다.
MS (m/z); 561.94[M + H]+
합성예 3: 화합물 3((E)-3-(5-10H-phenoselenazin-10-yl)selenophen-2-yl)-2-(naphtho[2,3-d]thiazol-2-yl)acrylonitrile)의 합성
[반응식 3]
Figure pat00042
(1) 화합물 (3-4)의 합성
반응 용기내의 기체를 아르곤 가스로 치환하고, 3-아이오도나프탈렌-2-아민(3-iodonaphtalen-2-amine, 화합물 (3-1))(1.00g, 3.72 mmol), 아이오딘화 구리(copper iodide) (0.21g, 1.11 mmol), 탄산 칼륨(1.02 g, 7.44 mmol) 및 디메틸설폭사이드(DMSO)(37 ml)을 첨가하여 교반하였다. 여기에 벤조일티오시아네이트(benzoylthiocyanate, 화합물 (3-2)) (1.81 g, 11.15 mmol)를 첨가하여 90 ℃에서 12시간 교반하였다. 실온으로 냉각한 후 물을 첨가하고 에틸 아세테이트로 추출하고, 유기층을 무수황산 나트륨으로 건조한 후, 용매를 감압증류하여 제거하였다. 얻어진 잔류물을 실리카겔 칼럼 크로마토그래피(헥산:에틸 아세테이트(5:1의 부피비))로 정제함으로써, N-(나프토[2,3-d]티아졸-2-일)벤즈아미드(N-(naphtho[2,3-d]thiazol-2-yl)benzamide, 화합물 (3-3)) (0.60 g)을 얻었다. 이 고체를 메탄올(35 ml)에 용해했다. 2 N 수산화 나트륨 수용액을 10 ml 더해서 하룻밤동안 가열 교반했다. 물을 100 ml 첨가하여 석출한 고체를 여과하여 얻었다. 물(30 ml)로 2번 세정한 후 건조하여 나프토[2,3-d]티아졸-2-아민(naphtho[2,3-d]thiazol-2-amine, 화합물 (3-4)) (0.26 g, 수율 35 %)을 얻었다.
1H NMR (300 MHz, CDCl 3): δ 8.05 (s, 1H), 7.94 (s, 1H), 7.88 (d, 1H), 7.81 (d, 1H), 7.36-7.49 (m, 2H), 5.37 (bs, 2H).
(2) 화합물 (3-5)의 합성
건조시킨 염화 구리(II) (0.65 g, 4.79 mmol)와 아질산이소아밀(isoamyl nitrite) (0.70g, 5.99 mmol)를, 아르곤 분위기하에서, 실온에서 아세토니트릴(20 mL)에 첨가한 후, 나프토[2,3-d]티아졸-2-아민(화합물 (3-4)) (0.80 g, 3.99 mmol)의 아세토니트릴(60 mL) 용액을, 실온에서 첨가하였다. 얻은 혼합물을, 65℃로 가열하고, 이 온도를 유지하면서 아르곤 분위기하에서 4시간 교반했다.
반응 혼합물을 실온까지 식힌 후, 2 M HCl(10 mL)을 첨가하고, 클로로포름(50 mL)으로 3번 추출했다. 얻어진 유기층을 무수 황산 나트륨으로 건조한 후, 용매를 감압증류하여 제거하였다. 얻어진 찌꺼기를, 실리카겔 칼럼 크로마토그래피 (헥산:에틸 아세테이트(2:1의 부피비))로 정제함으로써, 2-클로로나프토[2,3-d]티아졸(2-chloronaphtho[2,3-d]thiazole, 화합물 (3-5)) (0.36 g, 수율 40 %)을 얻었다.
1H NMR (300 MHz, CDCl3); δ 8.43 (s, 1H), 8.25 (s, 1H), 8.01 (d, 1H), 7.91 (d, 1H), 7.51-7.56 (m, 2H).
(3) 화합물 (3-6)의 합성
시아노아세트산 t-부틸에스테르(cyanoacetic acid tert-butyl ester) (0.308 g, 2.18 mmol)를 디메틸포름아미드(DMF) (5ml)용액에 용해했다. 0 ℃에서 60% 수소화 나트륨 (0.11 g, 2.73 mmol)을 조금씩 가해서 10분간 교반하였다. 여기에 2-클로로나프토[2,3-d]티아졸(화합물 (3-5)) (0.40 g, 2.18 mmol)의 DMF(5 ml) 용액을 첨가하여, 실온에서 15분간 교반하고, 이어서 120 ℃에 2시간 교반하였다. 반응 용액에 1N 염산 수용액을 첨가하고, 에틸 아세테이트로 추출했다. 유기층을 물로 세정하고, 무수 황산 나트륨으로 건조해서 감압 농축했다. 얻어진 잔류물을 헥산으로 세정하고, 얻어진 고형물을 톨루엔(10 ml)에 투입하고, p-톨루엔술폰산 일수화물(p-toluenesulfonic acid monohydrate) (0.10g)을 첨가한 다음 100℃에서 3시간 교반하였다. 반응액에 에틸 아세테이트를 첨가하고, 포화 탄산수소 나트륨 수용액을 가해서 중화하였다. 유기층을 무수 황산 나트륨으로 건조 후, 감압 농축했다. 얻어진 잔류물을 실리카겔 칼럼 크로마토그래피(헥산:에틸 아세테이트(3:1의 부피비))로 정제함으로써, 2-(나프토[2,3-d]티아졸-2-일)아세토니트릴(2-(naphtho[2,3-d]thiazol-2-yl)acetonitrile, 화합물 (3-6)) (0.25 g, 수율 46%)을 얻었다.
1H NMR (300 MHz, CDCl3); δ 8.54 (s, 1H), 8.38 (s, 1H), 8.05 (d, 1H), 7.94 (d, 1H), 7.52-7.57 (m, 2H), 4.28 (s, 2H).
(4) 화합물 3의 합성
질소분위기 하에서 2-(naphtho[2,3-d]thiazol-2-yl)acetonitrile (0.25 g, 1.11 mmol)과 화합물 (1-2)을 에탄올에 현탁했다. 여기에 피페리딘 (0.11g, 1.34 mmol)을 첨가해서 60 ℃에서 12시간 교반하였다. 실온으로 냉각하고, 석출한 고체를 여과하고, 에탄올로 세정했다. 클로로포름에 가열 용해하고, 헥산을 첨가한 후 실온으로 냉각했다. 석출한 고체를 여과하여 얻은 후 건조해서 화합물 3 (0.38g, 수율 56%)을 얻었다.
MS (m/z); 611.99[M + H]+
합성예 4: 화합물 4((E)-3-(5-10H-phenoselenazin-10-yl)selenophen-2-yl)-2-(naphtho[2,3-d]thiazol-2-yl)acrylonitrile-d)의 합성
[반응식 4]
Figure pat00043
질소분위기하에서 2-(나프토[2,3-d]티아졸-2-일)아세토니트릴(화합물 3-6) (1.00 g, 5.74 mmol)과 화합물 (1-2D)을 에탄올에 현탁했다. 피레리딘 (0.59 g, 6.89 mmol)을 첨가해서 60 ℃에서 12시간 교반하였다. 실온으로 냉각하고, 석출한 고체를 여과하고, 에탄올로 세정했다. 클로로포름에 가열 용해하고, 헥산을 첨가한 후 실온으로 냉각했다. 석출한 고체를 여과하여 얻은 후 건조해서 화합물 4(2.43 g, 수율 69 %)을 얻었다.
합성예 5: 화합물 5의 합성
[반응식 5]
Figure pat00044
질소분위기하에서 2-(6-(트리플루오로메틸)벤조[d]티아졸-2-일)아세토니트릴 (2-(6-(trifluoromethyl)benzo[d]thiazol-2-yl)acetonitrile, 화합물 (5-1)) (1.00 g)과 화합물 (1-2D)를 에탄올에 현탁했다. 피페리딘(0.59 g, 6.89 mmol)을 첨가해서 60 ℃에 12시간 교반하였다. 실온(24 ℃)으로 냉각하고, 석출한 고체를 여과하고, 에탄올로 세정했다. 클로로포름에 가열 용해하고, 헥산을 첨가한 후 실온으로 냉각했다. 석출한 고체를 건조해서 화합물 5(1.94 g, 수율: 60 %)을 얻었다.
MS (m/z); 0.43g >99.99(97.24+2.76)%
참고합성예 1: 화합물 6(2-((5-(10H-phenoselenazin-10-yl)selenophen-2-yl)methylene)-1H-cyclopenta[b]naphthalene-1,3(2H)-dione)의 합성
[반응식 6]
Figure pat00045
(1) 화합물 (6-1)의 합성
2-요오도셀레노펜(2-iodoselenophene)은 Efficient Synthesis of 2-Iodo and 2-Dicyanomethyl Derivatives of Thiophene, Selenophene, Tellurophene, and Thieno[3,2-b]thiophene,　Takahashi, K.; Tarutani, S. Heterocycles 1996, 43, 1927-1935에 기재된 방법으로 합성하였다.
(2) 화합물 (6-2)의 합성
2-요오도셀레노펜 13.6ｇ(52.8 mmol) 및 10H-페노셀레나진(10H-phenoselenazine) 10.0ｇ(40.6 mmol)을 무수 톨루엔 100 ml중에서 5 mol%의 Pd(dba)2, 5 mol%의 P(tBu)3 및 4.29ｇ(44.7 mmol)의 NaOtBu 존재 하에서, 2시간 가열 환류하였다. 얻어진 생성물을 실리카겔 칼럼 크로마토그래피에 의해 분리 정제(톨루엔 : 헥산=1:4 부피비)하여 화합물 (6-2)(10-(selenophen-2-yl)-10H-phenoselenazine, 6.89 g, 수율: 45.2％)을 얻었다.
(3) 화합물 (6-3)의 합성
6.8 ml의 N,N-다이메틸포름아마이드(N,N-dimethylformamide)에 2.2 ml의 염화포스포릴(phosphoryl chloride)를 -15 ℃에서 적하한 후 상온(24 ℃)에서 2시간 동안 교반하였다. 이를 180 ml의 디클로로메탄(dichloromethane)와 6.84 g의 화합물 (6-2)를 섞은 것에 -15 ℃에서 천천히 적하한 후 상온(24 ℃)에서 30분간 교반하고 감압 농축하였다. 여기에 100 ml의 물을 추가하고 pH 값이 14가 될 때까지 수산화나트륨 수용액(aqueous sodium hydroxide solution)을 추가한 후 상온에서 2시간 교반하였다. 에틸 아세테이트(ethyl acetate)로 추출한 유기층을 염화나트륨 수용액(aqueous sodium chloride)로 세정(wash)한 후 무수 황산마그네슘(anhydrous magnesium sulfate)를 넣어 건조시켰다. 얻어진 생성물을 실리카겔 칼럼 크로마토그래피에 의해 분리 정제 (헥산 : 다이클로로메탄=3:2의 부피비)하여 화합물 (6-3)(5-(10H-phenoselenazin-10-yl)selenophene-2-carbaldehyde, 5.16 g, 수율: 70.4%)을 얻었다.
(4) 화합물 6의 합성
얻어진 화합물 (6-3) 2.00 g (4.96 mmol)를 에탄올에 현탁시키고, 여기에 1H-cyclopenta[b]naphthalene-1,3(2H)-dione 1.46 g (7.44 mmol)을 첨가하여, 50 ℃에서 2시간 반응시켜 화합물 6 (2.62 g, 수율: 72.4％)을 얻었다. 얻어진 화합물 6을 승화 정제하여 순도 99.8％까지 정제하였다.
1H NMR ppm (DMSO) 8.34(s)-1H, 8.32(s)-1H, 8.27(s)-1H, 8.24-8.16(m)-3H, 7.98(dd)-2H, 7.88(dd)-2H, 7.71(m)2H, 7.61(t)-2H, 7.45(t)-2H, 6.61(d)-1H
참고합성예 2: 화합물 7의 합성
[화합물 7]
Figure pat00046
[반응식 7]
Figure pat00047
참고합성예 1에서 화합물 (6-3) 대신 화합물 (7-3)을 사용한 것을 제외하고 참고합성예 1과 동일한 방법으로 반응식 7에 따라 화합물 7을 합성하였다.
참고합성예 3: 화합물 8 (5-((5-(9,9-dimethylacridin-10(9H)-yl)selenophen-2-yl)methylene)-1,3-dimethyl-2-thioxodihydropyrimidine-4,6(1H,5H)-dione)의 합성
[반응식 8]
Figure pat00048
(1) 화합물 (8-1)의 합성
2-요오도셀레노펜(2-iodoselenophene)은 Efficient Synthesis of 2-Iodo and 2-Dicyanomethyl Derivatives of Thiophene, Selenophene, Tellurophene, and Thieno[3,2-b]thiophene,　Takahashi, K.; Tarutani, S. Heterocycles 1996, 43, 1927-1935에 기재된 방법으로 합성하였다.
(2) 화합물 (8-2)의 합성
2-요오도셀레노펜 4.8ｇ(17mmol) 및 9,10-디히드로-9,9-디메틸아크리딘(9,10-dihydro-9,9-dimethylacridine) 2.72ｇ(13 mmol)을 무수 톨루엔 25 ml중에서 5 mol%의 Pd(dba)2, 5 mol%의 P(tBu)3 및 1.37ｇ(14.3 mmol)의 NaOtBu 존재하에서, 2시간 가열 환류하였다. 얻어진 생성물을 실리카겔 칼럼 크로마토그래피에 의해 분리 정제(톨루엔: 헥산 = 1:4 부피비)하여 화합물 (8-2)(9,9-디메틸-10-(셀레노펜-2-일)-9,10-디히드로아크리딘(9,9-dimethyl-10-(selenophen-2-yl)-9,10-dihydroacridine), 2.5 g, 수율: 57％)을 얻었다.
(3) 화합물 (8-3)의 합성
2.64 ml의 N,N-다이메틸포름아마이드(N,N-dimethylformamide)에 0.85 ml의 염화포스포릴(phosphoryl chloride)를 -15 ℃에서 적하한 후 상온(24 ℃)에서 2시간 동안 교반하였다. 이를 50 ml의 디클로로메탄(dichloromethane)와 2.40g의 화합물 (8-2)을 혼합한 혼합물에 -15 ℃에서 천천히 적하한 후 상온(24 ℃)에서 30 분간 교반하고 감압 농축하였다. 여기에 5 ml의 물을 추가하고 pH 값이 14가 될 때까지 수산화나트륨 수용액(sodium hydroxide aqueous solution)을 추가한 후 상온(24 ℃)에서 2시간 교반하였다. 에틸 아세테이트(ethyl acetate)로 추출한 유기층을 염화나트륨 수용액(sodium chloride aqueous solution)로 세정(wash)한 후 무수 황산마그네슘(anhydrous magnesium sulfate)를 넣어 건조시킨다. 얻어진 생성물을 실리카겔 칼럼 크로마토그래피에 의해 분리 정제(헥산:다이클로로메탄 = 3:2 부피비)하여 화합물 (8-3)(5-(9,9-디메틸아크리딘-10(9H)-일)셀레노펜-2-카브알데히드(5-(9,9-dimethylacridin-10(9H)-yl)selenophene-2-carbaldehyde, 1.48 g, 수율: 57%)을 얻었다.
(4) 화합물 8의 합성
얻어진 화합물 (8-3) 0.09g (0.25 mmol)를 에탄올에 현탁시키고, J. Pharmacol., 1944, 82, 292.의 4417page에 기재된 방법에 따라 합성된 1,3-디메틸-2-티오바비투릭 에시드(1,3-dimethyl-2-thiobarbituric acid) 0.05g (0.29 mmol)을 첨가하여, 50 ℃에서 2시간 반응시켜 0.1 g (수율: 99％)의 화합물 8을 얻었다. 얻어진 화합물 8을 승화 정제하여 순도 99.5％까지 정제하였다.
1H NMR ppm (CDCl3) 8.5(s)-1H, 7.9(d)-1H, 7.8(d)-2H, 7.6(d)-2H, 7.4(m)-4H, 7.1(d)-1H, 3.8(d)-6H, 1.6(s)-6H
화합물의 흡광 특성 평가
합성예 1 내지 5에 따른 각각의 화합물과 C60을 1:1 부피비로 공증착하여 박막을 형성한다. 각각 박막에 대하여 Cary 5000 UV spectroscopy (Varian 사 제조)를 사용하여 자외선-가시광선(UV-Vis) 영역에서 흡광 특성을 평가한다. 그 결과는 표 1과 같다.
λmax (nm)
합성예 1 500
합성예 2 500
합성예 3 520
합성예 4 520
합성예 5 510
표 1을 참고하면, 합성예 1 내지 5에 따른 화합물을 포함하는 박막은 녹색 파장 영역에서 높은 흡광 특성 및 양호한 파장 선택성을 가짐을 확인할 수 있다.
화합물의 증착 안정성 평가
합성예 1 내지 5의 화합물 및 참고합성예 1 내지 3의 화합물을 증착하여 박막을 형성할 경우 연속 증착회수에 따른 박막의 순도를 측정하여 증착 안정성을 평가한다. 상기 순도는 UPLC(Ultra Performance Liquid Chromatography)로 평가한다. 이중 합성예 2 및 참고합성예 2 및 3의 결과를 하기 표 2에 기재한다.
합성예 2 참고합성예 2 참고합성예 3
2회 증착 99.85% 99.91% 99.30%
6회 증착 99.94% 96.09% 89.16%
표 2를 참고하면, 합성예 2의 화합물은 연속 증착회수가 증가하여도 순도가 감소되지 않으므로 증착 후 산화되지 않음을 알 수 있으며 이로부터 증착 안정성과 내산화성이 우수한 것을 알 수 있다. 즉 합성예 2에 따른 화합물은 증착공정을 반복하여도 화합물이 분해되지 않으므로 소자의 성능을 저해하지 않음을 예측할 수 있다. 이에 비하여 참고합성예 2와 3의 화합물은 연속 증착회수가 증가할수록 순도가 저하되는 것을 확인할 수 있다. 참고합성예 2와 3의 화합물은 증착 공정이 반복될 경우 분해물 증가로 순도가 저하되고 이로써 소자의 성능이 저하됨을 예측할 수 있다.
화합물의 증착 온도 측정
합성예 1 내지 5의 화합물 및 참고합성예 1 내지 3의 화합물의 열안정성을 평가하기 위하여 10 Pa에서 10 중량% 손실 온도(Ts, 증착 온도)를 측정한다. 상기 손실 온도는 열중량 분석(thermal gravimetric analysis, TGA) 방법으로 측정한다. 이중 합성예 2 및 참고합성예 2의 결과를 하기 표 3에 기재한다.
합성예 2 참고합성예 2
증착 온도 241 ℃ 276 ℃
표 3을 참고하면 합성예 2에 따른 화합물의 증착 온도가 참고합성예 2에 따른 화합물에 비하여 낮으므로 낮은 온도에서도 화합물의 분해없이 증착가능하므로 공정안정성을 확보할 수 있음을 알 수 있다.
실시예 1: 유기 광전 소자 (1) 내지 (6)의 제작
유리 기판 위에 ITO를 스퍼터링으로 적층하여 약 150 nm 두께의 애노드를 형성하고 그 위에 합성예 1에 따른 화합물 1(p형 반도체 화합물)과 C60(n형 반도체 화합물)을 1:1 두께비로 공증착하여 100 nm 두께의 활성층을 형성한다. 그 위에 전하 보조층으로 몰리브덴 산화물(MoOx, 0<x=3) 박막을 10 nm 두께로 적층한다. 이어서 몰리브덴 산화물 박막 위에 ITO를 스퍼터링으로 적층하여 7 nm 두께의 캐소드를 형성하여 유기 광전 소자 (1)를 제작한다.
유기 광전 소자 (1)를 제작한 후 동일한 증착 설비를 이용하여 상기와 동일한 방법으로 유기 광전 소자 (2) 내지 (6)을 제작한다.
실시예 2 내지 5: 유기 광전 소자의 제작
상기 합성예 1의 화합물 대신 합성예 2 내지 5에 따른 화합물을 사용한 것을 제외하고 실시예 1과 동일한 방법으로 실시예 2 내지 5의 유기 광전 소자를 제작한다. 마찬가지로 증착 공정을 연속적으로 6회 실시하여 각각 6개의 유기 광전 소자를 제작한다.
참고예 1 내지 3: 유기 광전 소자의 제작
상기 합성예 1의 화합물 대신 참고합성예 1 내지 3에 따른 화합물을 각각사용한 것을 제외하고 실시예 1과 동일한 방법으로 참고예 1 내지 3의 유기 광전 소자를 제작한다. 마찬가지로 증착 공정을 연속적으로 6회 실시하여 각각 6개의 유기 광전 소자를 제작한다.
유기 광전 소자의 외부 양자 효율(EQE)
실시예 1 내지 5 및 참고예 1 내지 3에 따른 유기 광전 소자의 증착회수에 따른 외부 양자 효율(EQE), 암전류(DC) 및 응답시간(response time, lag time)을 평가한다.
외부 양자 효율과 암전류는 IPCE measurement system(McScience사, 한국) 설비를 이용하여 측정한다. 먼저, Si 광 다이오드(Hamamatsu사, 일본)를 이용하여 설비를 보정(calibration)한 후 실시예 1 내지 5 및 참고예 1 내지 3에 따른 유기 광전 소자를 설비에 장착한 후 파장범위 약 350 내지 약 750 nm 영역에서 EQE와 암전류를 측정한다.
응답시간(Lag, response time)은 실시예 1 내지 5 및 참고예 1 내지 3에 따른 유기 광전 소자에 중심파장 530 nm의 LED 빛을 상부 전극(캐소드)측에서 입사하고, 상기 유기 광전 소자에 3V/100nm 의 전계강도로 인가하고, 입사한 LED 빛을 끄고 0.1초 후에 잔상전류값을 측정하여 평가하였다. 이중 실시예 2 및 참고예 2와 3의 결과를 하기 표 4에 기재한다.
증착회수 EQE(%) DC(h/s) Response time(msec)
합성예 2
(화합물 2)		 1회 53.2 1 82
6회 56.5 1 91
참고합성예 2
(화합물 6)		 1회 65.0 3 110
6회 18.6 5 848
참고합성예 3
(화합물 7)		 1회 64.3 4 650
5회 측정불가 측정불가 측정불가
표 4를 참고하면, 합성예 2에 따른 화합물은 증착회수가 증가하여도 EQE와 암전류 특성이 저하되지 않으며 응답속도 또한 우수하게 유지됨을 알 수 있다. 이에 비하여 참고합성예 2의 화합물은 증착회수가 증가함에 따라 EQE와 응답속도가 현저히 저하되고 암전류 특성도 나빠짐을 알 수 있다. 한편 참고합성예 3의 화합물은 5회 증착시 거의 분해되어서 증착공정을 진행할 수 없었다.이상에서 실시예들에 대하여 상세하게 설명하였지만 실제 구현되는 구조는 이에 한정되는 것이 아니고 다음의 청구 범위에서 정의하고 있는 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 권리 범위에 속하는 것이다.
10: 제1 전극 20: 제2 전극
30: 활성층 40, 45: 전하 보조층
100, 200: 유기 광전 소자 300, 400, 500: 유기 CMOS 이미지 센서
310: 반도체 기판 70B: 청색 필터 70R: 적색 필터
70: 색 필터 층 85: 관통구
60: 하부 절연층 80: 상부 절연층
50B, 50R: 광 감지 소자 55: 전하 저장소

Claims (35)

  1. 하기 화학식 1로 표현되는 화합물:
    [화학식 1]
    Figure pat00049

    상기 화학식 1에서,
    X1은 S, Se, Te, O, S(=O), S(=O)2, NRa1, SiRb1Rc1 및 GeRd1Re1에서 선택되고(여기에서 Ra1, Rb1, Rc1, Rd1 및 Re1는 각각 독립적으로 수소 및 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기에서 선택됨),
    Ar은 N과 X2를 포함하는 방향족 고리기이고(여기에서 X2는 S, Se, Te, O, S(=O), S(=O)2, N, NRa2, CRb2, CRc2Rd2, SiRe2Rf2 및 GeRg2Rh2에서 선택되고, Ra2, Rb2, Rc2, Rd2, Re2, Rf2, Rg2 및 Rh2는 각각 독립적으로 수소 및 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기에서 선택됨),
    R1 내지 R3는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 아실기, 할로겐, 시아노기(-CN), 시아노 함유기, 니트로기, -SiRaRbRc (여기에서 Ra, Rb 및 Rc는 각각 독립적으로 수소 및 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기에서 선택됨) 및 이들의 조합에서 선택되고,
    Y는 하기 화학식 2A 또는 화학식 2B로 표현되는 작용기이고,
    [화학식 2A]
    Figure pat00050

    상기 화학식 2A에서,
    Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기 및 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로아릴기에서 선택되고,
    [화학식 2B]
    Figure pat00051

    상기 화학식 2B에서,
    Ar3 및 Ar4는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기 및 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로아릴렌기에서 선택되고,
    G는 단일결합, S, Se, Te, O, NRa3, (CRb3Rc3)n, (C(Rd3)=C(Re3)), SiRf3Rg3, 및 GeRh3Ri3에서 선택된다 (여기에서 Ra3, Rb3, Rc3, Rd3, Re3, Rf3, Rg3, Rh3 및 Ri3는 각각 독립적으로 수소, 할로겐, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기 및 치환 또는 비치환된 C6 내지 C10 아릴기에서 선택되고, 선택적으로 Rd3와 Re3는 독립적으로 존재하거나 서로 연결되어 융합링을 형성할 수 있고, n은 1 또는 2임).
  2. 제1항에서,
    상기 화학식 1에서, Ar은 하기 화학식 3A로 표현되는 화합물:
    [화학식 3A]
    Figure pat00052

    상기 화학식 3A에서,
    X2a는 S, Se, Te, O, S(=O), S(=O)2, NRa2, CRc2Rd2, SiRe2Rf2 및 GeRg2Rh2에서 선택되고(여기에서, Ra2, Rc2, Rd2, Re2, Rf2, Rg2 및 Rh2는 각각 독립적으로 수소 및 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기에서 선택됨),
    R11 내지 R16는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 아실기, 할로겐, 시아노기(-CN), 시아노 함유기, 니트로기, -SiRaRbRc (여기에서 Ra, Rb 및 Rc는 각각 독립적으로 수소 및 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기에서 선택됨) 및 이들의 조합에서 선택되고, 또는 R11 내지 R16중 인접하는 두 개는 독립적으로 존재하거나 서로 연결되어 융합링을 형성한다.
  3. 제1항에서,
    상기 화학식 1에서, Ar은 하기 화학식 3B로 표현되는 화합물:
    [화학식 3B]
    Figure pat00053

    상기 화학식 3B에서,
    X2b는 N 및 CRb2에서 선택되고(여기에서, Rb2는 수소 및 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기에서 선택됨),
    R11 내지 R17는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 아실기, 할로겐, 시아노기(-CN), 시아노 함유기, 니트로기, -SiRaRbRc (여기에서 Ra, Rb 및 Rc는 각각 독립적으로 수소 및 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기에서 선택됨) 및 이들의 조합에서 선택되고, 또는 R11 내지 R17중 인접하는 두 개는 독립적으로 존재하거나 서로 연결되어 융합링을 형성한다.
  4. 제1항에서,
    상기 화학식 1에서, Ar은 하기 화학식 3C로 표현되는 화합물:
    [화학식 3C]
    Figure pat00054

    상기 화학식 3C에서,
    X2b는 N이고,
    R11 내지 R17는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 아실기, 할로겐, 시아노기(-CN), 시아노 함유기, 니트로기, -SiRaRbRc (여기에서 Ra, Rb 및 Rc는 각각 독립적으로 수소 및 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기에서 선택됨) 및 이들의 조합에서 선택되고, 또는 R11 내지 R17중 인접하는 두 개는 독립적으로 존재하거나 서로 연결되어 융합링을 형성한다.
  5. 제1항에서,
    상기 화학식 1에서, Ar은 하기 화학식 3D로 표현되는 화합물:
    [화학식 3D]
    Figure pat00055

    상기 화학식 3D에서,
    X2b는 N이고,
    R11 내지 R17는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 아실기, 할로겐, 시아노기(-CN), 시아노 함유기, 니트로기, -SiRaRbRc (여기에서 Ra, Rb 및 Rc는 각각 독립적으로 수소 및 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기에서 선택됨) 및 이들의 조합에서 선택되고, 또는 R11 내지 R17중 인접하는 두 개는 독립적으로 존재하거나 서로 연결되어 융합링을 형성한다.
  6. 제1항에서,
    상기 화학식 1에서, Ar은 하기 화학식 3E로 표현되는 화합물:
    [화학식 3E]
    Figure pat00056

    상기 화학식 3E에서,
    R11 및 R12는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 아실기, 할로겐, 시아노기(-CN), 시아노 함유기, 니트로기, -SiRaRbRc (여기에서 Ra, Rb 및 Rc는 각각 독립적으로 수소 및 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기에서 선택됨) 및 이들의 조합에서 선택된다.
  7. 제1항에서,
    상기 화학식 2A에서, Ar1 및 Ar2중 적어도 하나는 질소(N), 황(S) 및 셀레늄(Se)에서 선택되는 헤테로 원자를 포함하는 화합물.
  8. 제1항에서,
    상기 화학식 2B에서, Ar3 및 Ar4중 적어도 하나는 질소(N), 황(S) 및 셀레늄(Se)에서 선택되는 헤테로 원자를 포함하는 화합물.
  9. 제1항에서,
    상기 화학식 1에서, Y는 하기 화학식 2A-1 또는 화학식 2A-2로 표현되는 화합물:
    [화학식 2A-1]
    Figure pat00057

    상기 화학식 2A-1에서,
    X3a, X3b, X3c, X4a, X4b 및 X4c는 각각 독립적으로 N 및 CRa에서 선택되고(여기에서 Ra는 수소 및 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기에서 선택됨),
    R21, R22, R23 및 R24는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로아릴기, 할로겐, 시아노기(-CN), 시아노 함유기 및 이들의 조합에서 선택되고,
    a 및 b는 각각 독립적으로 0 또는 1의 정수이다.
    [화학식 2A-2]
    Figure pat00058

    상기 화학식 2A-2에서,
    X3a, X3b, X4a 및 X4b는 각각 독립적으로 N 및 CRa에서 선택되고(여기에서 Ra는 수소 및 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기에서 선택됨),
    R21, R22, R23, R24 및 R25는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로아릴기, 할로겐, 시아노기(-CN), 시아노 함유기 및 이들의 조합에서 선택되고,
    a 및 b는 각각 독립적으로 0 또는 1의 정수이다.
  10. 제1항에서,
    상기 화학식 1에서, Y는 하기 화학식 2B-1 또는 화학식 2B-2로 표현되는 화합물:
    [화학식 2B-1]
    Figure pat00059

    상기 화학식 2B-1에서,
    X3a, X3b, X4a 및 X4b는 각각 독립적으로 N 및 CRa에서 선택되고(여기에서 Ra는 수소 및 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기에서 선택됨),
    R21, R22, R23 및 R24는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로아릴기, 할로겐, 시아노기(-CN), 시아노 함유기 및 이들의 조합에서 선택되고,
    a 및 b는 각각 독립적으로 0 또는 1의 정수이고,
    G는 단일결합, S, Se, Te, O, NRa3, (CRb3Rc3)n, (C(Rd3)=C(Re3)), SiRf3Rg3, 및 GeRh3Ri3에서 선택된다 (여기에서 Ra3, Rb3, Rc3, Rd3, Re3, Rf3, Rg3, Rh3 및 Ri3는 각각 독립적으로 수소, 할로겐, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기 및 치환 또는 비치환된 C6 내지 C10 아릴기에서 선택되고, 선택적으로 Rd3와 Re3는 독립적으로 존재하거나 서로 연결되어 융합링을 형성할 수 있고, n은 1 또는 2임),
    [화학식 2B-2]
    Figure pat00060

    상기 화학식 2B-2에서,
    X3a, X3b, X4a 및 X4b는 각각 독립적으로 N 및 CRa에서 선택되고(여기에서 Ra는 수소 및 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기에서 선택됨),
    R21, R22, R23 및 R24는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로아릴기, 할로겐, 시아노기(-CN), 시아노 함유기 및 이들의 조합에서 선택되고,
    a 및 b는 각각 독립적으로 0 또는 1의 정수이고,
    G는 단일결합, S, Se, Te, O, NRa3, (CRb3Rc3)n, (C(Rd3)=C(Re3)), SiRf3Rg3, 및 GeRh3Ri3에서 선택된다 (여기에서 Ra3, Rb3, Rc3, Rd3, Re3, Rf3, Rg3, Rh3 및 Ri3는 각각 독립적으로 수소, 할로겐, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기 및 치환 또는 비치환된 C6 내지 C10 아릴기에서 선택되고, 선택적으로 Rd3와 Re3는 독립적으로 존재하거나 서로 연결되어 융합링을 형성할 수 있고, n은 1 또는 2임).
  11. 제1항에서,
    하기 화학식 4-1로 표현되는 화합물:
    [화학식 4-1]
    Figure pat00061

    상기 화학식 4-1에서,
    X1은 S, Se, Te, O, S(=O), S(=O)2, NRa1, SiRb1Rc1 및 GeRd1Re1에서 선택되고(여기에서 Ra1, Rb1, Rc1, Rd1 및 Re1는 각각 독립적으로 수소 및 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기에서 선택됨),
    X2는 S, Se, Te, O, S(=O), S(=O)2, N, NRa2, CRb2, CRc2Rd2, SiRe2Rf2 및 GeRg2Rh2에서 선택되고(여기에서 Ra2, Rb2, Rc2, Rd2, Re2, Rf2, Rg2 및 Rh2는 각각 독립적으로 수소 및 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기에서 선택됨),
    R1 내지 R3는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 아실기, 할로겐, 시아노기(-CN), 시아노 함유기, 니트로기, -SiRaRbRc (여기에서 Ra, Rb 및 Rc는 각각 독립적으로 수소 및 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기에서 선택됨) 및 이들의 조합에서 선택되고,
    R11 내지 R16는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 아실기, 할로겐, 시아노기(-CN), 시아노 함유기, 니트로기, -SiRaRbRc (여기에서 Ra, Rb 및 Rc는 각각 독립적으로 수소 및 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기에서 선택됨) 및 이들의 조합에서 선택되고, 또는 R11 내지 R16중 인접하는 두 개는 독립적으로 존재하거나 서로 연결되어 융합링을 형성하고,
    G는 단일결합, S, Se, Te, O, NRa3, (CRb3Rc3)n, (C(Rd3)=C(Re3)), SiRf3Rg3, 및 GeRh3Ri3에서 선택되고(여기에서 Ra3, Rb3, Rc3, Rd3, Re3, Rf3, Rg3, Rh3 및 Ri3는 각각 독립적으로 수소, 할로겐, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기 및 치환 또는 비치환된 C6 내지 C10 아릴기에서 선택되고, 선택적으로 Rd3와 Re3는 독립적으로 존재하거나 서로 연결되어 융합링을 형성할 수 있고, n은 1 또는 2임),
    R21, R22, R23 및 R24는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로아릴기, 할로겐, 시아노기(-CN), 시아노 함유기 및 이들의 조합에서 선택된다.
  12. 제1항에서,
    상기 화합물은 박막 상태에서 500 nm 내지 560 nm 에서 최대 흡수 파장(λmax)을 가지는 화합물.
  13. 제1항에서,
    상기 화합물은 박막 상태에서 510 nm 내지 550 nm에서 최대 흡수 파장(λmax)을 가지는 화합물.
  14. 제1항에서,
    상기 화합물은 박막 상태에서 50 nm 내지 120 nm의 반치폭을 가지는 흡광 곡선을 나타내는 화합물.
  15. 제1항에서,
    상기 화합물의 초기 중량의 10 중량%가 손실되는 온도(증착 온도)가 230 ℃이상인 화합물.
  16. 서로 마주하는 제1 전극과 제2 전극, 그리고
    상기 제1 전극과 상기 제2 전극 사이에 위치하는 활성층
    을 포함하고,
    상기 활성층은 하기 화학식 1로 표현되는 화합물을 포함하는 유기 광전 소자:
    [화학식 1]
    Figure pat00062

    상기 화학식 1에서,
    X1은 S, Se, Te, O, S(=O), S(=O)2, NRa1, SiRb1Rc1 및 GeRd1Re1에서 선택되고(여기에서 Ra1, Rb1, Rc1, Rd1 및 Re1는 각각 독립적으로 수소 및 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기에서 선택됨),
    Ar은 N과 X2를 포함하는 방향족 고리기이고(여기에서 X2는 S, Se, Te, O, S(=O), S(=O)2, N, NRa2, CRb2, CRc2Rd2, SiRe2Rf2 및 GeRg2Rh2에서 선택되고, Ra2, Rb2, Rc2, Rd2, Re2, Rf2, Rg2 및 Rh2는 각각 독립적으로 수소 및 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기에서 선택됨),
    R1 내지 R3는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 아실기, 할로겐, 시아노기(-CN), 시아노 함유기, 니트로기, -SiRaRbRc (여기에서 Ra, Rb 및 Rc는 각각 독립적으로 수소 및 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기에서 선택됨) 및 이들의 조합에서 선택되고,
    Y는 하기 화학식 2A 또는 화학식 2B로 표현되는 작용기이고,
    [화학식 2A]
    Figure pat00063

    상기 화학식 2A에서,
    Ar1 및 Ar2는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기 및 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로아릴렌기에서 선택되고,
    [화학식 2B]
    Figure pat00064

    상기 화학식 2B에서,
    Ar3 및 Ar4는 각각 독립적으로 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴렌기 및 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로아릴렌기에서 선택되고,
    G는 단일결합, S, Se, Te, O, NRa3, (CRb3Rc3)n, (C(Rd3)=C(Re3)), SiRf3Rg3, 및 GeRh3Ri3에서 선택된다 (여기에서 Ra3, Rb3, Rc3, Rd3, Re3, Rf3, Rg3, Rh3 및 Ri3는 각각 독립적으로 수소, 할로겐, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기 및 치환 또는 비치환된 C6 내지 C10 아릴기에서 선택되고, 선택적으로 Rd3와 Re3는 독립적으로 존재하거나 서로 연결되어 융합링을 형성할 수 있고, n은 1 또는 2임).
  17. 제16항에서,
    상기 화학식 1에서, Ar은 하기 화학식 3A로 표현되는 유기 광전 소자:
    [화학식 3A]
    Figure pat00065

    상기 화학식 3A에서,
    X2a는 S, Se, Te, O, S(=O), S(=O)2, NRa2, CRc2Rd2, SiRe2Rf2 및 GeRg2Rh2에서 선택되고(여기에서, Ra2, Rc2, Rd2, Re2, Rf2, Rg2 및 Rh2는 각각 독립적으로 수소 및 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기에서 선택됨),
    R11 내지 R16는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 아실기, 할로겐, 시아노기(-CN), 시아노 함유기, 니트로기, -SiRaRbRc (여기에서 Ra, Rb 및 Rc는 각각 독립적으로 수소 및 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기에서 선택됨) 및 이들의 조합에서 선택되고, 또는 R11 내지 R16중 인접하는 두 개는 독립적으로 존재하거나 서로 연결되어 융합링을 형성한다.
  18. 제16항에서,
    상기 화학식 1에서, Ar은 하기 화학식 3B로 표현되는 유기 광전 소자:
    [화학식 3B]
    Figure pat00066

    상기 화학식 3B에서,
    X2b는 N 및 CRb2에서 선택되고(여기에서, Rb2는 수소 및 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기에서 선택됨),
    R11 내지 R17는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 아실기, 할로겐, 시아노기(-CN), 시아노 함유기, 니트로기, -SiRaRbRc (여기에서 Ra, Rb 및 Rc는 각각 독립적으로 수소 및 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기에서 선택됨) 및 이들의 조합에서 선택되고, 또는 R11 내지 R17중 인접하는 두 개는 독립적으로 존재하거나 서로 연결되어 융합링을 형성한다.
  19. 제16항에서,
    상기 화학식 1에서, Ar은 하기 화학식 3C로 표현되는 유기 광전 소자:
    [화학식 3C]
    Figure pat00067

    상기 화학식 3C에서,
    X2b는 N이고,
    R11 내지 R17는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 아실기, 할로겐, 시아노기(-CN), 시아노 함유기, 니트로기, -SiRaRbRc (여기에서 Ra, Rb 및 Rc는 각각 독립적으로 수소 및 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기에서 선택됨) 및 이들의 조합에서 선택되고, 또는 R11 내지 R17중 인접하는 두 개는 독립적으로 존재하거나 서로 연결되어 융합링을 형성한다.
  20. 제16항에서,
    상기 화학식 1에서, Ar은 하기 화학식 3D로 표현되는 유기 광전 소자:
    [화학식 3D]
    Figure pat00068

    상기 화학식 3D에서,
    X2b는 N이고,
    R11 내지 R17는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 아실기, 할로겐, 시아노기(-CN), 시아노 함유기, 니트로기, -SiRaRbRc (여기에서 Ra, Rb 및 Rc는 각각 독립적으로 수소 및 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기에서 선택됨) 및 이들의 조합에서 선택되고, 또는 R11 내지 R17중 인접하는 두 개는 독립적으로 존재하거나 서로 연결되어 융합링을 형성한다.
  21. 제16항에서,
    상기 화학식 1에서, Ar은 하기 화학식 3E로 표현되는 유기 광전 소자:
    [화학식 3E]
    Figure pat00069

    상기 화학식 3E에서,
    R11 및 R12는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 아실기, 할로겐, 시아노기(-CN), 시아노 함유기, 니트로기, -SiRaRbRc (여기에서 Ra, Rb 및 Rc는 각각 독립적으로 수소 및 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기에서 선택됨) 및 이들의 조합에서 선택된다.
  22. 제16항에서,
    상기 화학식 2A에서, Ar1 및 Ar2중 적어도 하나는 질소(N), 황(S) 및 셀레늄(Se)에서 선택되는 헤테로 원자를 포함하는 유기 광전 소자.
  23. 제16항에서,
    상기 화학식 2B에서, Ar3 및 Ar4중 적어도 하나는 질소(N), 황(S) 및 셀레늄(Se)에서 선택되는 헤테로 원자를 포함하는 유기 광전 소자.
  24. 제16항에서,
    상기 화학식 1에서, Y는 하기 화학식 2A-1 또는 화학식 2A-2로 표현되는 유기 광전 소자:
    [화학식 2A-1]
    Figure pat00070

    상기 화학식 2A-1에서,
    X3a, X3b, X3c, X4a, X4b 및 X4c는 각각 독립적으로 N 및 CRa에서 선택되고(여기에서 Ra는 수소 및 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기에서 선택됨),
    R21, R22, R23 및 R24는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로아릴기, 할로겐, 시아노기(-CN), 시아노 함유기 및 이들의 조합에서 선택되고,
    a 및 b는 각각 독립적으로 0 또는 1의 정수이다.
    [화학식 2A-2]
    Figure pat00071

    상기 화학식 2A-2에서,
    X3a, X3b, X4a 및 X4b는 각각 독립적으로 N 및 CRa에서 선택되고(여기에서 Ra는 수소 및 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기에서 선택됨),
    R21, R22, R23, R24 및 R25는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로아릴기, 할로겐, 시아노기(-CN), 시아노 함유기 및 이들의 조합에서 선택되고,
    a 및 b는 각각 독립적으로 0 또는 1의 정수이다.
  25. 제16항에서,
    상기 화학식 1에서, Y는 하기 화학식 2B-1 또는 화학식 2B-2로 표현되는 유기 광전 소자:
    [화학식 2B-1]
    Figure pat00072

    상기 화학식 2B-1에서,
    X3a, X3b, X4a 및 X4b는 각각 독립적으로 N 및 CRa에서 선택되고(여기에서 Ra는 수소 및 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기에서 선택됨),
    R21, R22, R23 및 R24는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로아릴기, 할로겐, 시아노기(-CN), 시아노 함유기 및 이들의 조합에서 선택되고,
    a 및 b는 각각 독립적으로 0 또는 1의 정수이고,
    G는 단일결합, S, Se, Te, O, NRa3, (CRb3Rc3)n, (C(Rd3)=C(Re3)), SiRf3Rg3, 및 GeRh3Ri3에서 선택된다 (여기에서 Ra3, Rb3, Rc3, Rd3, Re3, Rf3, Rg3, Rh3 및 Ri3는 각각 독립적으로 수소, 할로겐, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기 및 치환 또는 비치환된 C6 내지 C10 아릴기에서 선택되고, 선택적으로 Rd3와 Re3는 독립적으로 존재하거나 서로 연결되어 융합링을 형성할 수 있고, n은 1 또는 2임),
    [화학식 2B-2]
    Figure pat00073

    상기 화학식 2B-2에서,
    X3a, X3b, X4a 및 X4b는 각각 독립적으로 N 및 CRa에서 선택되고(여기에서 Ra는 수소 및 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기에서 선택됨),
    R21, R22, R23 및 R24는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로아릴기, 할로겐, 시아노기(-CN), 시아노 함유기 및 이들의 조합에서 선택되고,
    a 및 b는 각각 독립적으로 0 또는 1의 정수이고,
    G는 단일결합, S, Se, Te, O, NRa3, (CRb3Rc3)n, (C(Rd3)=C(Re3)), SiRf3Rg3, 및 GeRh3Ri3에서 선택된다 (여기에서 Ra3, Rb3, Rc3, Rd3, Re3, Rf3, Rg3, Rh3 및 Ri3는 각각 독립적으로 수소, 할로겐, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기 및 치환 또는 비치환된 C6 내지 C10 아릴기에서 선택되고, 선택적으로 Rd3와 Re3는 독립적으로 존재하거나 서로 연결되어 융합링을 형성할 수 있고, n은 1 또는 2임).
  26. 제16항에서,
    상기 활성층은 하기 화학식 4-1로 표현되는 화합물 중 하나를 포함하는 유기 광전 소자:
    [화학식 4-1]
    Figure pat00074

    상기 화학식 4-1에서,
    X1은 S, Se, Te, O, S(=O), S(=O)2, NRa1, SiRb1Rc1 및 GeRd1Re1에서 선택되고(여기에서 Ra1, Rb1, Rc1, Rd1 및 Re1는 각각 독립적으로 수소 및 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기에서 선택됨),
    X2는 S, Se, Te, O, S(=O), S(=O)2, N, NRa2, CRb2, CRc2Rd2, SiRe2Rf2 및 GeRg2Rh2에서 선택되고(여기에서 Ra2, Rb2, Rc2, Rd2, Re2, Rf2, Rg2 및 Rh2는 각각 독립적으로 수소 및 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기에서 선택됨),
    R1 내지 R3는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 아실기, 할로겐, 시아노기(-CN), 시아노 함유기, 니트로기, -SiRaRbRc (여기에서 Ra, Rb 및 Rc는 각각 독립적으로 수소 및 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기에서 선택됨) 및 이들의 조합에서 선택되고,
    R11 내지 R16는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30 아실기, 할로겐, 시아노기(-CN), 시아노 함유기, 니트로기, -SiRaRbRc (여기에서 Ra, Rb 및 Rc는 각각 독립적으로 수소 및 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기에서 선택됨) 및 이들의 조합에서 선택되고, 또는 R11 내지 R16중 인접하는 두 개는 독립적으로 존재하거나 서로 연결되어 융합링을 형성하고,
    G는 단일결합, S, Se, Te, O, NRa3, (CRb3Rc3)n, (C(Rd3)=C(Re3)), SiRf3Rg3, 및 GeRh3Ri3에서 선택된다 (여기에서 Ra3, Rb3, Rc3, Rd3, Re3, Rf3, Rg3, Rh3 및 Ri3는 각각 독립적으로 수소, 할로겐, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C10 알킬기 및 치환 또는 비치환된 C6 내지 C10 아릴기에서 선택되고, 선택적으로 Rd3와 Re3는 독립적으로 존재하거나 서로 연결되어 융합링을 형성할 수 있고, n은 1 또는 2임),
    R21, R22, R23 및 R24는 각각 독립적으로 수소, 중수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알콕시기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30 아릴기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30 헤테로아릴기, 할로겐, 시아노기(-CN), 시아노 함유기 및 이들의 조합에서 선택된다.
  27. 제16항에서,
    상기 활성층은 500 nm 내지 560 nm에서 최대 흡수 파장(λmax)을 가지는 유기 광전 소자.
  28. 제16항에서,
    상기 활성층은 510 nm 내지 550 nm 에서 최대 흡수 파장(λmax)을 가지는 유기 광전 소자.
  29. 제16항에서,
    상기 활성층은 50 nm 내지 120 nm의 반치폭을 가지는 흡광 곡선을 나타내는 유기 광전 소자.
  30. 제16항 내지 제29항 중 어느 한 항에 따른 유기 광전 소자를 포함하는 이미지 센서.
  31. 제30항에서,
    청색 파장 영역의 광을 감지하는 복수의 제1 광 감지 소자 및 적색 파장 영역의 광을 감지하는 복수의 제2 광 감지 소자가 집적되어 있는 반도체 기판, 그리고
    상기 반도체 기판의 상부에 위치하고 녹색 파장 영역의 광을 선택적으로 감지하는 상기 유기 광전 소자
    를 포함하는 이미지 센서.
  32. 제31항에서,
    상기 반도체 기판과 상기 유기 광전 소자의 사이에 위치하고 청색 파장 영역의 광을 선택적으로 투과하는 청색 필터와 적색 파장 영역의 광을 선택적으로 투과하는 적색 필터를 포함하는 색 필터 층을 더 포함하는 이미지 센서.
  33. 제31항에서,
    상기 제1 광 감지 소자와 상기 제2 광 감지 소자는 반도체 기판에서 수직 방향으로 적층되어 있는 이미지 센서.
  34. 제30항에서,
    녹색 파장 영역의 광을 감지하는 녹색 광전 소자, 청색 파장 영역의 광을 감지하는 청색 광전 소자 및 적색 파장 영역의 광을 감지하는 적색 광전 소자가 적층되어 있고, 상기 녹색 광전 소자는 상기 유기 광전 소자인 이미지 센서.
  35. 제30항에 따른 이미지 센서를 포함하는 전자 장치.
KR1020180093953A 2017-08-10 2018-08-10 화합물, 및 이를 포함하는 유기 광전 소자, 이미지 센서 및 전자 장치 KR102639296B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20170101869 2017-08-10
KR1020170101869 2017-08-10

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190017706A true KR20190017706A (ko) 2019-02-20
KR102639296B1 KR102639296B1 (ko) 2024-02-21

Family

ID=63209270

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180093953A KR102639296B1 (ko) 2017-08-10 2018-08-10 화합물, 및 이를 포함하는 유기 광전 소자, 이미지 센서 및 전자 장치

Country Status (3)

Country Link
US (2) US10944055B2 (ko)
EP (1) EP3442022B1 (ko)
KR (1) KR102639296B1 (ko)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA3045802A1 (en) 2016-12-02 2018-06-07 The Research Foundation For The State University Of New York Fabrication method for fused multi-layer amorphous selenium sensor
KR20210012837A (ko) * 2019-07-26 2021-02-03 삼성전자주식회사 화합물, 및 이를 포함하는 광전 소자, 이미지 센서 및 전자 장치
US11793007B2 (en) 2019-11-05 2023-10-17 Samsung Electronics Co., Ltd. Photoelectric conversion devices and sensors and electronic devices
KR20210054468A (ko) * 2019-11-05 2021-05-13 삼성전자주식회사 광전 변환 소자, 센서 및 전자 장치

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000351965A (ja) * 1999-03-31 2000-12-19 Fuji Photo Film Co Ltd 発光素子材料、アミン化合物、およびそれを用いた発光素子
KR20100001274A (ko) * 2008-06-26 2010-01-06 제일모직주식회사 유기 화합물, 및 이를 포함하는 유기 광전 소자
JP2012031143A (ja) * 2010-06-30 2012-02-16 Adeka Corp 新規化合物、光電変換材料及び光電変換素子
KR20160062708A (ko) * 2014-11-25 2016-06-02 삼성전자주식회사 유기 광전 소자용 화합물, 및 이를 포함하는 유기 광전 소자, 이미지 센서 및 전자 장치
KR20170037390A (ko) * 2015-09-25 2017-04-04 삼성전자주식회사 유기 광전 소자용 화합물 및 이를 포함하는 유기 광전 소자 및 이미지 센서

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH03205477A (ja) * 1990-01-05 1991-09-06 Ricoh Co Ltd 電界発光素子
JPH05148214A (ja) 1991-08-30 1993-06-15 Ricoh Co Ltd α−シアノスチルベン化合物、及びそれを含有する電子写真感光体
US6537687B1 (en) * 1999-03-31 2003-03-25 Fuji Photo Film Co., Ltd. Light emitting element material
JP2002543570A (ja) * 1999-04-23 2002-12-17 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ エレクトロルミネッセントデバイス
WO2002079343A1 (fr) * 2001-03-30 2002-10-10 Fuji Photo Film Co., Ltd. Element luminescent
JP5087207B2 (ja) * 2004-09-29 2012-12-05 富士フイルム株式会社 光電変換素子および撮像素子
BRPI0609420A2 (pt) * 2005-03-30 2010-03-30 Yakult Honsha Kk inibidor de bcrp/abcg2
JP5520560B2 (ja) 2009-09-29 2014-06-11 富士フイルム株式会社 光電変換素子、光電変換素子材料、光センサ、及び撮像素子
KR101930848B1 (ko) * 2011-08-11 2018-12-20 삼성디스플레이 주식회사 헤테로고리 화합물 및 이를 포함하는 유기 전계 발광 소자
KR102107106B1 (ko) * 2013-05-09 2020-05-07 삼성디스플레이 주식회사 스티릴계 화합물 및 이를 포함한 유기 발광 소자
DE102013106639B4 (de) 2013-06-25 2024-09-26 Heliatek Gmbh Organisches, halbleitendes Bauelement
JP6777983B2 (ja) 2014-11-04 2020-10-28 三星電子株式会社Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ． 有機光電素子用化合物及びこれを含む有機光電素子並びにイメージセンサー及び電子装置
KR102455528B1 (ko) 2015-11-24 2022-10-14 삼성전자주식회사 유기 광전 소자용 화합물 및 이를 포함하는 유기 광전 소자, 이미지 센서 및 전자 장치
KR102557864B1 (ko) * 2016-04-06 2023-07-19 삼성전자주식회사 화합물, 및 이를 포함하는 유기 광전 소자, 이미지 센서 및 전자 장치
KR102569965B1 (ko) 2016-05-31 2023-08-22 삼성전자주식회사 화합물, 및 이를 포함하는 유기 광전 소자, 이미지 센서 및 전자 장치

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000351965A (ja) * 1999-03-31 2000-12-19 Fuji Photo Film Co Ltd 発光素子材料、アミン化合物、およびそれを用いた発光素子
KR20100001274A (ko) * 2008-06-26 2010-01-06 제일모직주식회사 유기 화합물, 및 이를 포함하는 유기 광전 소자
JP2012031143A (ja) * 2010-06-30 2012-02-16 Adeka Corp 新規化合物、光電変換材料及び光電変換素子
KR20160062708A (ko) * 2014-11-25 2016-06-02 삼성전자주식회사 유기 광전 소자용 화합물, 및 이를 포함하는 유기 광전 소자, 이미지 센서 및 전자 장치
KR20170037390A (ko) * 2015-09-25 2017-04-04 삼성전자주식회사 유기 광전 소자용 화합물 및 이를 포함하는 유기 광전 소자 및 이미지 센서

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Physical Chemistry Chemical Physics, Vol. 6(3), pp. 495-502(2004.) *

Also Published As

Publication number Publication date
EP3442022B1 (en) 2019-12-25
EP3442022A1 (en) 2019-02-13
US11476423B2 (en) 2022-10-18
US10944055B2 (en) 2021-03-09
KR102639296B1 (ko) 2024-02-21
US20190051833A1 (en) 2019-02-14
US20210151686A1 (en) 2021-05-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN107459516B (zh) 化合物以及包括其的光电器件、图像传感器和电子设备
KR102601055B1 (ko) 화합물, 및 이를 포함하는 유기 광전 소자, 이미지 센서 및 전자 장치
KR102557864B1 (ko) 화합물, 및 이를 포함하는 유기 광전 소자, 이미지 센서 및 전자 장치
KR102540846B1 (ko) 유기 광전 소자용 화합물, 및 이를 포함하는 유기 광전 소자, 이미지 센서 및 전자 장치
KR102455528B1 (ko) 유기 광전 소자용 화합물 및 이를 포함하는 유기 광전 소자, 이미지 센서 및 전자 장치
KR102491493B1 (ko) 유기 광전 소자용 화합물 및 이를 포함하는 유기 광전 소자, 이미지 센서 및 전자장치
KR102569965B1 (ko) 화합물, 및 이를 포함하는 유기 광전 소자, 이미지 센서 및 전자 장치
KR102433314B1 (ko) 화합물, 및 이를 포함하는 광전 소자, 이미지 센서 및 전자 장치
US11476423B2 (en) Compound and organic photoelectric device, image sensor and electronic device including the same
KR20220028957A (ko) 광전 소자용 조성물 및 이를 포함하는 이미지 센서 및 전자 장치
JP2016119471A (ja) 有機光電素子用化合物及びこれを含む有機光電素子、並びにイメージセンサー及びこれを備える電子装置
KR20210012837A (ko) 화합물, 및 이를 포함하는 광전 소자, 이미지 센서 및 전자 장치
US10937970B2 (en) Compound and photoelectric device, image sensor and electronic device including the same
KR20190064868A (ko) 유기 광전 소자, 이미지 센서 및 전자 장치
JP2020072270A (ja) 有機化合物とそれを含む有機光電素子、イメージセンサ、及び電子素子
KR20220091870A (ko) 화합물 및 이를 포함하는 광전 소자, 이미지 센서 및 전자 장치
US11401289B2 (en) Compound and photoelectric device, image sensor and electronic device including the same
KR20200116363A (ko) 화합물, 및 이를 포함하는 광전 소자, 이미지 센서 및 전자 장치
KR20190049600A (ko) 화합물, 및 이를 포함하는 광전 소자, 이미지 센서 및 전자 장치
KR20200127530A (ko) 화합물, 및 이를 포함하는 광전 소자, 이미지 센서 및 전자 장치
KR102558974B1 (ko) 유기 광전 소자, 이미지 센서 및 전자장치
KR102718272B1 (ko) 화합물, 및 이를 포함하는 광전 소자, 이미지 센서 및 전자 장치
KR20190044555A (ko) 화합물, 및 이를 포함하는 광전 소자, 이미지 센서 및 전자 장치
KR20210098127A (ko) 화합물, 및 이를 포함하는 광전 소자, 이미지 센서 및 전자 장치
KR20210042689A (ko) 화합물 및 이를 포함하는 광전 소자, 이미지 센서 및 전자 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right