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KR20160102172A - Glass laminate body, and method for manufacturing electronic device - Google Patents

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KR20160102172A
KR20160102172A KR1020167015200A KR20167015200A KR20160102172A KR 20160102172 A KR20160102172 A KR 20160102172A KR 1020167015200 A KR1020167015200 A KR 1020167015200A KR 20167015200 A KR20167015200 A KR 20167015200A KR 20160102172 A KR20160102172 A KR 20160102172A
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KR
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resin layer
polyimide resin
glass substrate
glass
substrate
Prior art date
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KR1020167015200A
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Korean (ko)
Inventor
준이치 가쿠타
겐이치 에바타
Original Assignee
아사히 가라스 가부시키가이샤
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Publication date
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Abstract

본 발명은 지지 기재 및 상기 지지 기재 상에서 형성된 폴리이미드 수지의 층(제1 폴리이미드 수지층)을 갖는 수지층을 갖는 지지 기재, 그리고 유리 기판 및 상기 유리 기판 상에서 형성된 폴리이미드 수지의 층(제2 폴리이미드 수지층)을 갖는 수지층을 갖는 유리 기판을 포함하고, 상기 수지층을 갖는 지지 기재 중의 상기 제1 폴리이미드 수지층과, 상기 수지층을 갖는 유리 기판 중의 상기 제2 폴리이미드 수지층이 접촉하도록, 상기 수지층을 갖는 지지 기재와 상기 수지층을 갖는 유리 기판이 적층되어 있으며, 상기 제1 폴리이미드 수지층의 상기 지지 기재측과는 반대측의 표면 및 상기 제2 폴리이미드 수지층의 상기 유리 기판측과는 반대측의 표면 각각의 표면 조도 Ra가 2.0㎚ 이하인, 유리 적층체에 관한 것이다.The present invention relates to a support substrate having a support substrate and a resin layer having a layer of polyimide resin (a first polyimide resin layer) formed on the support substrate, and a layer of a polyimide resin formed on the glass substrate Wherein the first polyimide resin layer in the supporting substrate having the resin layer and the second polyimide resin layer in the glass substrate having the resin layer are provided in the supporting substrate having the resin layer, Wherein a surface of the first polyimide resin layer on the side opposite to the support substrate side and a surface of the second polyimide resin layer on the side of the second polyimide resin layer are in contact with each other, And the surface roughness Ra of each of the surfaces opposite to the glass substrate side is 2.0 nm or less.

Description

유리 적층체 및 전자 디바이스의 제조 방법{GLASS LAMINATE BODY, AND METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRONIC DEVICE}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a glass laminate and a method of manufacturing the same. BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001]

본 발명은 유리 적층체에 관한 것으로, 특히, 폴리이미드 수지층끼리 접촉하도록 적층된 유리 적층체에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a glass laminate, and more particularly to a glass laminate laminated so that polyimide resin layers are in contact with each other.

또한, 본 발명은 해당 유리 적층체를 사용한 전자 디바이스의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention also relates to a method of manufacturing an electronic device using the glass laminate.

최근들어 태양 전지(PV), 액정 패널(LCD), 유기 EL 패널(OLED) 등의 디바이스(전자 기기)의 박형화, 경량화가 진행되고 있으며, 이들 디바이스에 사용하는 유리 기판의 박판화가 진행되고 있다. 박판화에 의해 유리 기판의 강도가 부족하면, 디바이스의 제조 공정에 있어서, 유리 기판의 핸들링성이 저하된다.BACKGROUND ART In recent years, devices (electronic devices) such as a solar cell (PV), a liquid crystal panel (LCD), and an organic EL panel (OLED) have been made thinner and lighter in weight. If the strength of the glass substrate is insufficient due to the thinning, the handling property of the glass substrate is lowered in the manufacturing process of the device.

따라서, 종래부터 최종 두께보다도 두꺼운 유리 기판 위에 전자 디바이스용 부재(예를 들어, 박막 트랜지스터)를 형성한 후, 유리 기판을 화학 에칭 처리에 의해 박판화하는 방법이 널리 채용되고 있다.Therefore, conventionally, a method of forming an electronic device member (for example, a thin film transistor) on a glass substrate thicker than the final thickness and then thinning the glass substrate by chemical etching treatment has been widely adopted.

그러나, 이 방법에서는, 예를 들어 1매의 유리 기판의 두께를 0.7㎜ 내지 0.2㎜나 0.1㎜로 박판화하는 경우, 원래의 유리 기판 재료의 대부분을 에칭액으로 깎아내게 되므로, 생산성이나 원재료의 사용 효율이라는 관점에서는 바람직하지 않다. 또한, 상기한 화학 에칭에 의한 유리 기판의 박판화 방법에 있어서는, 유리 기판 표면에 미세한 흠집이 존재하는 경우, 에칭 처리에 의해 흠집을 기점으로 하여 미세한 패임(에치 피트)이 형성되어, 광학적인 결함이 되는 경우가 있었다.However, in this method, for example, when the thickness of one glass substrate is reduced to 0.7 mm to 0.2 mm or 0.1 mm, most of the original glass substrate material is shaved by the etchant, so productivity and efficiency of use of raw materials It is not preferable. Further, in the method of thinning a glass substrate by chemical etching as described above, when fine scratches are present on the surface of the glass substrate, fine pits (etch pits) are formed starting from scratches by etching, .

최근에는 상기한 과제에 대응하기 위하여, 박판 유리 기판과 보강판을 적층한 유리 적층체를 준비하고, 유리 적층체의 박판 유리 기판 위에 표시 장치 등의 전자 디바이스용 부재를 형성한 후, 박판 유리 기판으로부터 보강판을 분리하는 방법이 제안되고 있다. 예를 들어, 특허문헌 1에 있어서는, 보강판은 지지판과 해당 지지판 위에 고정된 실리콘 수지층을 갖고, 실리콘 수지층과 박판 유리 기판이 박리 가능하게 밀착된다. 유리 적층체의 실리콘 수지층과 박판 유리 기판의 계면이 박리되고, 박판 유리 기판으로부터 분리된 보강판은 새로운 박판 유리 기판과 적층되어, 유리 적층체로서 재이용하는 것이 가능하다.In recent years, in order to cope with the above-mentioned problem, a glass laminate in which a thin plate glass substrate and a reinforcing plate are laminated is prepared, an electronic device member such as a display device is formed on a thin plate glass substrate of the glass laminate, A method of separating the reinforcing plate from the reinforcing plate is proposed. For example, in Patent Document 1, the reinforcing plate has a supporting plate and a silicon resin layer fixed on the supporting plate, and the silicon resin layer and the thin plate glass substrate are brought into close contact with each other in a peelable manner. The interface between the silicon resin layer of the glass laminate and the thin plate glass substrate is peeled off and the reinforcing plate separated from the thin plate glass substrate is laminated with a new thin plate glass substrate and can be reused as a glass laminate.

국제 공개 제2007/018028호International Publication No. 2007/018028

특허문헌 1에 기재된 유리 기판을 포함하는 유리 적층체에 관하여, 최근에 더욱 높은 내열성이 요구되어 왔다. 유리 적층체의 유리 기판 위에 형성되는 전자 디바이스용 부재의 고기능화나 복잡화에 수반하여, 전자 디바이스용 부재를 형성할 때의 온도가 더욱 고온으로 됨과 함께, 그 고온에 노출되는 시간도 장시간을 필요로 하는 경우가 적지 않다.With respect to the glass laminate including the glass substrate described in Patent Document 1, higher heat resistance has been recently demanded. With the increase and complexity of the electronic device member formed on the glass substrate of the glass laminate, the temperature for forming the electronic device member becomes higher and the time for exposure to the high temperature is also required to be long There are a few cases.

특허문헌 1에 기재된 유리 적층체는 대기 중 350℃, 1시간의 처리를 감당할 수 있다. 그러나, 본 발명자들의 검토에 의하면, 특허문헌 1을 참조하여 제작한 유리 적층체에 대하여 400℃, 1시간의 처리를 행한 경우, 유리 기판을 실리콘 수지층 표면으로부터 박리할 때, 유리 기판이 실리콘 수지층 표면으로부터 박리되지 못하고 그 일부가 파괴되거나, 수지층의 수지의 일부가 유리 기판 위에 잔존하거나 하여, 결과적으로 전자 디바이스의 생산성 저하를 초래하는 경우가 있었다.The glass laminate described in Patent Document 1 can be subjected to treatment in air at 350 ° C for 1 hour. However, according to the examination by the inventors of the present invention, when the glass laminate produced according to Patent Document 1 is subjected to the treatment at 400 ° C for 1 hour, when the glass substrate is peeled from the surface of the silicon resin layer, A part of the resin layer may not be peeled off from the surface of the stratum corneum, or a part of the resin of the resin layer may remain on the glass substrate. As a result, the productivity of the electronic device may deteriorate.

또한, 상기 가열 조건에서는, 실리콘 수지층의 분해에 의한 발포나 백화가 발생되어 버린다. 이와 같은 수지층의 분해가 발생하면, 유리 기판 위에 전자 디바이스를 제조할 때에, 전자 디바이스 중에 불순물이 혼입될 우려가 있어, 결과적으로 전자 디바이스의 수율의 저하를 초래할 우려가 있다.Further, under the above-described heating conditions, foaming and whitening due to decomposition of the silicone resin layer occur. If such a decomposition of the resin layer occurs, there is a fear that impurities may be mixed into the electronic device when the electronic device is manufactured on the glass substrate, and as a result, the yield of the electronic device may be deteriorated.

본 발명은, 상기 과제를 감안하여 이루어진 것이며, 고온 가열 처리 전에 있어서는 유리 기판의 밀착성이 우수하고, 고온 가열 처리 후에 있어서 용이하게 유리 기판을 박리할 수 있으면서, 또한 수지층의 분해가 억제된 유리 적층체를 제공하는 것을 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and it is an object of the present invention to provide a glass laminate which is excellent in adhesion of a glass substrate before high temperature heat treatment, easily peeled off a glass substrate after high temperature heat treatment, It is intended to provide a sieve.

또한, 본 발명은 해당 유리 적층체를 사용한 전자 디바이스의 제조 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.It is another object of the present invention to provide a method of manufacturing an electronic device using the glass laminate.

본 발명자들은, 상기 과제를 해결하기 위하여 예의 검토를 행한 결과, 본 발명을 완성했다.Means for Solving the Problems The present inventors have conducted intensive studies to solve the above problems and have completed the present invention.

즉, 본 발명의 제1 형태는, 지지 기재 및 지지 기재 상에서 형성된 폴리이미드 수지의 층(제1 폴리이미드 수지층)을 갖는 수지층을 갖는 지지 기재, 그리고 유리 기판 및 상기 유리 기판 상에서 형성된 폴리이미드 수지의 층(제2 폴리이미드 수지층)을 갖는 수지층을 갖는 유리 기판을 포함하고, 수지층을 갖는 지지 기재 중의 제1 폴리이미드 수지층과, 수지층을 갖는 유리 기판 중의 제2 폴리이미드 수지층이 접촉하도록, 수지층을 갖는 지지 기재와 수지층을 갖는 유리 기판이 적층되어 있으며, 제1 폴리이미드 수지층의 지지 기재측과는 반대측의 표면 및 제2 폴리이미드 수지층의 유리 기판측과는 반대측의 표면 각각의 표면 조도 Ra가 2.0㎚ 이하인, 유리 적층체이다.That is, a first aspect of the present invention is a method of manufacturing a semiconductor device comprising a supporting substrate having a supporting substrate and a resin layer having a layer of polyimide resin (first polyimide resin layer) formed on the supporting substrate, and a supporting substrate having a glass substrate and a polyimide A first polyimide resin layer in a supporting substrate having a resin layer and a glass substrate having a resin layer having a resin layer (second polyimide resin layer), and a second polyimide resin layer in a glass substrate having a resin layer A glass substrate having a resin base layer and a resin base layer having a resin layer is laminated so that the first polyimide resin layer and the second polyimide resin layer are in contact with each other, Is a glass laminate in which the surface roughness Ra of each of the opposite surfaces is 2.0 nm or less.

제1 형태에 있어서, 폴리이미드 수지가, 후술하는 식 (1)로 표현되는, 테트라카르복실산류의 잔기 (X)와 디아민류의 잔기 (A)를 갖는 반복 단위를 포함하면서, 또한 테트라카르복실산류의 잔기 (X)가 후술하는 식 (X1) 내지 (X4)로 표현되는 기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 기를 더 포함하고, 디아민류의 잔기 (A)가 후술하는 식 (A1) 내지 (A8)로 표현되는 기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 기를 포함하는 것이 바람직하다.In the first embodiment, the polyimide resin preferably contains a repeating unit having a residue (X) of a tetracarboxylic acid and a residue (A) of a diamine represented by the following formula (1) (X) of the acid group further comprises at least one group selected from the group consisting of groups represented by the following formulas (X1) to (X4), wherein the residue (A) And at least one group selected from the group consisting of a group represented by the formula (A8).

제1 형태에 있어서, 테트라카르복실산류의 잔기 (X)가 후술하는 식 (X1)로 표현되는 기 및 후술하는 식 (X4)로 표현되는 기의 적어도 한쪽을 포함하고, 디아민류의 잔기 (A)가 후술하는 식 (A1)로 표현되는 기 및 후술하는 식 (A6)으로 표현되는 기의 적어도 한쪽을 포함하는 것이 바람직하다.In the first embodiment, it is preferable that the residue (X) of the tetracarboxylic acid contains at least one of the group represented by the formula (X1) described later and the group represented by the formula (X4) described later, and the residue ) Contains at least one of a group represented by the formula (A1) described later and a group represented by the formula (A6) described later.

제1 형태에 있어서, 지지 기재가 유리판인 것이 바람직하다.In the first aspect, it is preferable that the supporting substrate is a glass plate.

본 발명의 제2 형태는, 상기 제1 형태의 유리 적층체 중의 유리 기판의 표면 위에 전자 디바이스용 부재를 형성하여, 전자 디바이스용 부재를 갖는 적층체를 얻는 부재 형성 공정과,A second aspect of the present invention is a method for manufacturing a semiconductor device, comprising: a member forming step of forming a member for an electronic device on a surface of a glass substrate in a glass laminate of the first aspect,

전자 디바이스용 부재를 갖는 적층체로부터 수지층을 갖는 지지 기재를 제거하여, 제2 폴리이미드 수지층과 유리 기판과 전자 디바이스용 부재를 갖는 전자 디바이스를 얻는 분리 공정을 구비하는, 전자 디바이스의 제조 방법이다.A method for manufacturing an electronic device, comprising: a step of removing a supporting substrate having a resin layer from a laminate having an electronic device member, and a separation step of obtaining an electronic device having a second polyimide resin layer, a glass substrate and a member for an electronic device to be.

본 발명에 따르면, 고온 가열 처리 전에 있어서는 유리 기판의 밀착성이 우수하고, 고온 가열 처리 후에 있어서 용이하게 유리 기판을 박리할 수 있으면서, 또한 수지층의 분해가 억제된 유리 적층체를 제공할 수 있다.According to the present invention, it is possible to provide a glass laminate excellent in adhesion of a glass substrate before a high-temperature heat treatment, capable of easily peeling off a glass substrate after a high-temperature heat treatment, and suppressing decomposition of a resin layer.

또한, 본 발명에 따르면, 해당 유리 적층체를 사용한 전자 디바이스의 제조 방법을 제공할 수 있다.Further, according to the present invention, a method of manufacturing an electronic device using the glass laminate can be provided.

도 1은 본 발명에 관한 유리 적층체의 일 실시 형태의 모식적 단면도이다.
도 2의 (A) 내지 (E)는, 본 발명에 관한 유리 적층체 및 전자 디바이스의 제조 방법의 일 실시 형태를 공정순으로 도시하는 모식적 단면도이다.
도 3은 박리 강도의 측정 장치의 개요도이다.
1 is a schematic cross-sectional view of one embodiment of a glass laminate according to the present invention.
2 (A) to 2 (E) are schematic cross-sectional views showing one embodiment of a glass laminate and an electronic device manufacturing method according to the present invention in the order of process.
3 is a schematic view of a peeling strength measuring apparatus.

이하, 본 발명을 실시하기 위한 형태에 대하여 도면을 참조하여 설명하지만, 본 발명은, 이하의 실시 형태에 제한되지 않고, 본 발명의 범위를 일탈하지 않고, 이하의 실시 형태에 다양한 변형 및 치환을 가할 수 있다.Hereinafter, embodiments for carrying out the present invention will be described with reference to the drawings. However, the present invention is not limited to the following embodiments, and various variations and substitutions may be made without departing from the scope of the present invention. Can be added.

본 발명의 유리 적층체의 특징의 하나로서, 소정의 표면 조도의 표면을 갖는 폴리이미드 수지의 층(이후, 간단히 「수지층」이라고도 칭함)을 지지 기재 및 유리 기판 위에 배치하고, 수지층끼리를 적층하고 있다는 점을 들 수 있다. 이 수지층끼리를 적층하면, 양자의 밀착성이 우수하다. 또한, 이와 같은 수지층은 가열 처리 시의 내열성이 우수함과 함께, 가열 처리 후에 있어서도 수지층간의 박리 강도의 상승 등이 일어나기 어려워, 유리 기판의 박리를 용이하게 실시할 수 있다.As one of the features of the glass laminate of the present invention, a polyimide resin layer (hereinafter simply referred to as a " resin layer ") having a surface with a predetermined surface roughness is disposed on a supporting substrate and a glass substrate, And the like. When these resin layers are laminated, the adhesion between the resin layers is excellent. Further, such a resin layer is excellent in heat resistance at the time of heat treatment, and it is difficult for the peeling strength to rise between the resin layers even after the heat treatment, so that the glass substrate can be easily peeled off.

도 1은 본 발명에 관한 유리 적층체의 일례의 모식적 단면도이다.1 is a schematic cross-sectional view of an example of a glass laminate according to the present invention.

도 1에 도시한 바와 같이, 유리 적층체(10)는 지지 기재(12) 및 유리 기판(16) 및 그들 사이에 존재하는 제1 폴리이미드 수지층(14a)(폴리이미드 수지의 층) 및 제2 폴리이미드 수지층(14b)(폴리이미드 수지의 층)을 포함하는 적층체이다. 제1 폴리이미드 수지층(14a)은, 그 한쪽 면이 지지 기재(12)에 접함과 함께, 그 다른 쪽 면이 제2 폴리이미드 수지층(14b)에 접하고 있다. 또한, 지지 기재(12)와 제1 폴리이미드 수지층(14a)은 수지층을 갖는 지지 기재(18)를 구성한다. 또한, 제2 폴리이미드 수지층(14b)은, 그 한쪽 면이 유리 기판(16)에 접함과 함께, 그 다른 쪽 면이 제1 폴리이미드 수지층(14a)에 접하고 있다. 또한, 유리 기판(16)과 제2 폴리이미드 수지층(14b)은 수지층을 갖는 유리 기판(20)을 구성한다.1, the glass laminate 10 comprises a support substrate 12, a glass substrate 16, a first polyimide resin layer 14a (a polyimide resin layer) and a first polyimide resin layer 14b 2 polyimide resin layer 14b (polyimide resin layer). The first polyimide resin layer 14a has one side thereof contacting the supporting substrate 12 and the other side contacting the second polyimide resin layer 14b. In addition, the supporting substrate 12 and the first polyimide resin layer 14a constitute a supporting substrate 18 having a resin layer. The other surface of the second polyimide resin layer 14b is in contact with the first polyimide resin layer 14a while the other surface of the second polyimide resin layer 14b is in contact with the glass substrate 16. [ The glass substrate 16 and the second polyimide resin layer 14b constitute a glass substrate 20 having a resin layer.

지지 기재(12) 및 제1 폴리이미드 수지층(14a)을 포함하는 2층 부분은 액정 패널 등의 전자 디바이스용 부재를 제조하는 부재 형성 공정에 있어서, 수지층을 갖는 유리 기판(20)을 보강한다.The two-layer portion including the supporting substrate 12 and the first polyimide resin layer 14a is a step of reinforcing the glass substrate 20 having the resin layer in the member forming process for producing the electronic device member such as the liquid crystal panel do.

이 유리 적층체(10)는 후술하는 부재 형성 공정까지 사용된다. 즉, 이 유리 적층체(10)는 그 유리 기판(16)의 제2 주면(16b) 표면 위에 액정 표시 장치 등의 전자 디바이스용 부재가 형성될 때까지 사용된다. 그 후, 전자 디바이스용 부재가 형성된 유리 적층체는, 수지층을 갖는 지지 기재(18)와 전자 디바이스(26)로 분리되며, 수지층을 갖는 지지 기재(18)는 전자 디바이스(26)를 구성하는 부분은 되지 않는다. 수지층을 갖는 지지 기재(18)에는 새로운 수지층을 갖는 유리 기판(20)이 적층되어, 새로운 유리 적층체(10)로서 재이용할 수 있다.This glass laminate 10 is used until the member forming process described later. That is, the glass laminate 10 is used until a member for an electronic device such as a liquid crystal display device is formed on the surface of the second main surface 16b of the glass substrate 16. Thereafter, the glass laminate on which the electronic device member is formed is separated into a supporting substrate 18 having a resin layer and an electronic device 26, and the supporting substrate 18 having a resin layer constitutes the electronic device 26 It is not the part that does. A glass substrate 20 having a new resin layer is laminated on the supporting substrate 18 having a resin layer and can be reused as a new glass laminate 10. [

또한, 제1 폴리이미드 수지층(14a)은 지지 기재(12) 위에 고정되어 있고, 제1 폴리이미드 수지층(14a)은 제2 폴리이미드 수지층(14b)에 박리 가능하게 적층(밀착)된다. 본 발명에 있어서, 해당 고정과 박리 가능한 적층(밀착)에서는 박리 강도(즉, 박리에 필요로 하는 응력)에 차이가 있고, 고정은 밀착에 대하여 박리 강도가 큰 것을 의미한다. 즉, 제1 폴리이미드 수지층(14a)과 지지 기재(12)의 계면의 박리 강도가, 제1 폴리이미드 수지층(14a)과 제2 폴리이미드 수지층(14b)의 계면의 박리 강도보다도 크게 된다. 바꾸어 말하면, 박리 가능한 적층(밀착)이란, 박리 가능함과 동시에, 고정되어 있는 면의 박리를 발생시키지 않고 박리 가능한 것도 의미한다.The first polyimide resin layer 14a is fixed on the supporting substrate 12 and the first polyimide resin layer 14a is peelably laminated (adhered) to the second polyimide resin layer 14b . In the present invention, there is a difference in peel strength (i.e., stress required for peeling) in the laminate (cohesion) that can be fixed and peelable, and fixing means that peeling strength is high in adhesion. That is, the peel strength of the interface between the first polyimide resin layer 14a and the support substrate 12 is larger than the peel strength between the interface of the first polyimide resin layer 14a and the second polyimide resin layer 14b do. In other words, the peelable lamination (close contact) means that peeling is possible, and peeling is possible without causing peeling of the fixed surface.

보다 구체적으로는, 지지 기재(12)와 제1 폴리이미드 수지층(14a)의 계면은 박리 강도 (x)를 갖고, 지지 기재(12)와 제1 폴리이미드 수지층(14a)의 계면에 박리 강도 (x)를 초과하는 박리 방향의 응력이 가해지면, 지지 기재(12)와 제1 폴리이미드 수지층(14a)의 계면이 박리된다. 제1 폴리이미드 수지층(14a)과 제2 폴리이미드 수지층(14b)의 계면은 박리 강도 (y)를 갖고, 제1 폴리이미드 수지층(14a)과 제2 폴리이미드 수지층(14b)의 계면에 박리 강도 (y)를 초과하는 박리 방향의 응력이 가해지면, 제1 폴리이미드 수지층(14a)과 제2 폴리이미드 수지층(14b)의 계면이 박리된다. 상술한 바와 같이, 박리 강도 (x)는 박리 강도 (y)보다도 크다.More specifically, the interface between the support substrate 12 and the first polyimide resin layer 14a has a peel strength x and is peeled off at the interface between the support substrate 12 and the first polyimide resin layer 14a When the stress in the peeling direction exceeding the strength (x) is applied, the interface between the supporting substrate 12 and the first polyimide resin layer 14a is peeled off. The interface between the first polyimide resin layer 14a and the second polyimide resin layer 14b has a peel strength y and the interface between the first polyimide resin layer 14a and the second polyimide resin layer 14b When the stress in the peeling direction exceeding the peeling strength (y) is applied to the interface, the interface between the first polyimide resin layer 14a and the second polyimide resin layer 14b is peeled off. As described above, the peel strength (x) is larger than the peel strength (y).

또한, 제2 폴리이미드 수지층(14b)은 유리 기판(16) 위에 고정되어 있고, 제2 폴리이미드 수지층(14b)은 제1 폴리이미드 수지층(14a)에 박리 가능하게 적층(밀착)된다. 즉, 제2 폴리이미드 수지층(14b)과 유리 기판(16)의 계면의 박리 강도가, 제1 폴리이미드 수지층(14a)과 제2 폴리이미드 수지층(14b)의 계면의 박리 강도보다도 크게 된다.The second polyimide resin layer 14b is fixed on the glass substrate 16 and the second polyimide resin layer 14b is peelably laminated on the first polyimide resin layer 14a . The peel strength of the interface between the second polyimide resin layer 14b and the glass substrate 16 is larger than the peel strength between the interface between the first polyimide resin layer 14a and the second polyimide resin layer 14b do.

따라서, 유리 적층체(10)에 지지 기재(12)와 유리 기판(16)을 박리하는 방향의 응력이 가해지면, 유리 적층체(10)는 제1 폴리이미드 수지층(14a)과 제2 폴리이미드 수지층(14b)의 계면에서 박리되어, 수지층을 갖는 지지 기재(18)와 수지층을 갖는 유리 기판(20)으로 분리된다.Therefore, when stress is applied to the glass laminate 10 in the direction in which the supporting substrate 12 and the glass substrate 16 are peeled off, the glass laminate 10 is bonded to the first polyimide resin layer 14a and the second poly Peeled off at the interface of the mid resin layer 14b and separated into the support substrate 18 having the resin layer and the glass substrate 20 having the resin layer.

박리 강도 (x)는 박리 강도 (y)와 비교하여, 충분히 높은 것이 바람직하다. 박리 강도 (x)를 높이는 것은, 지지 기재(12)에 대한 제1 폴리이미드 수지층(14a)의 부착력을 높이면서, 또한 가열 처리 후에 있어서 제2 폴리이미드 수지층(14b)에 대한 것 보다 상대적으로 더 높은 부착력을 유지할 수 있음을 의미한다.The peel strength (x) is preferably sufficiently high as compared with the peel strength (y). The increase in the peel strength x is to increase the adhesion of the first polyimide resin layer 14a to the support substrate 12 and to increase the adhesion strength of the second polyimide resin layer 14b relative to the second polyimide resin layer 14b after the heat treatment Which means that a higher adhesion force can be maintained.

지지 기재(12)에 대한 제1 폴리이미드 수지층(14a)의 부착력을 높이기 위해서는, 예를 들어 후술하는 바와 같이, 지지 기재(12) 위에서 제1 폴리이미드 수지층(14a)을 형성하는 방법(바람직하게는, 열 경화에 의해 식 (1)로 표현되는 반복 단위를 포함하는 폴리이미드 수지가 되는 경화성 수지를 지지 기재(12) 위에서 경화시켜, 소정의 제1 폴리이미드 수지층(14a)을 형성하는 방법)에 의해 이루어진다. 경화 시의 접착력으로, 지지 기재(12)에 대하여 높은 결합력으로 결합한 제1 폴리이미드 수지층(14a)을 형성할 수 있다.In order to increase the adhesion of the first polyimide resin layer 14a to the supporting substrate 12, a method of forming the first polyimide resin layer 14a on the supporting substrate 12 Preferably, a curable resin to be a polyimide resin containing a repeating unit represented by formula (1) is cured on the supporting substrate 12 by thermal curing to form a predetermined first polyimide resin layer 14a . The first polyimide resin layer 14a bonded to the supporting substrate 12 with high bonding force can be formed by the adhesive force at the time of curing.

또한, 유리 기판(16)에 대한 제2 폴리이미드 수지층(14b)의 부착력을 높이는 방법으로서는, 예를 들어 후술하는 바와 같이, 유리 기판(16) 위에서 제2 폴리이미드 수지층(14b)을 형성하는 방법(바람직하게는, 열 경화에 의해 식 (1)로 표현되는 반복 단위를 포함하는 폴리이미드 수지가 되는 경화성 수지를 유리 기판(16) 위에서 경화시켜, 소정의 제2 폴리이미드 수지층(14b)을 형성하는 방법)에 의해 이루어진다.As a method for increasing the adhesion of the second polyimide resin layer 14b to the glass substrate 16, for example, as described later, the second polyimide resin layer 14b is formed on the glass substrate 16 (Preferably, a curable resin which is a polyimide resin containing a repeating unit represented by the formula (1) by thermal curing is cured on the glass substrate 16 to form a predetermined second polyimide resin layer 14b )).

한편, 경화 후의 제1 폴리이미드 수지층(14a)의 제2 폴리이미드 수지층(14b)에 대한 결합력은, 상기 경화 시에 발생하는 결합력보다도 낮은 것이 통례이다. 따라서, 수지층을 갖는 지지 기재(18)와, 수지층을 갖는 유리 기판(20)을 제조하고, 그 후, 제1 폴리이미드 수지층(14a)과 제2 폴리이미드 수지층(14b)이 접촉하도록 양자를 적층함으로써, 원하는 박리 강도 관계를 만족하는 유리 적층체(10)를 제조할 수 있다.On the other hand, it is usual that the bonding force of the first polyimide resin layer 14a after curing to the second polyimide resin layer 14b is lower than the bonding force generated at the time of curing. The first polyimide resin layer 14a and the second polyimide resin layer 14b are in contact with each other to form the support substrate 18 having the resin layer and the glass substrate 20 having the resin layer, The glass laminate 10 satisfying the desired peel strength relationship can be manufactured.

이하에서는, 우선, 유리 적층체(10)를 구성하는 각 층(지지 기재(12), 유리 기판(16), 제1 폴리이미드 수지층(14a) 및 제2 폴리이미드 수지층(14b))에 대하여 상세하게 설명하고, 그 후, 유리 적층체 및 전자 디바이스의 제조 방법에 대하여 상세하게 설명한다.In the following description, first, a description will be given of the case where each layer (supporting substrate 12, glass substrate 16, first polyimide resin layer 14a and second polyimide resin layer 14b) constituting the glass laminate 10 And a method of manufacturing the glass laminate and the electronic device will be described in detail below.

[지지 기재] [Supporting substrate]

지지 기재(12)는 유리 기판(16)을 지지하고 보강하여, 후술하는 부재 형성 공정(전자 디바이스용 부재를 갖는 적층체를 얻는 공정)에 있어서 전자 디바이스용 부재의 형성 시에 유리 기판(16)의 변형, 흠집 발생, 파손 등을 방지한다.The supporting substrate 12 supports and reinforces the glass substrate 16 to form the glass substrate 16 at the time of forming the electronic device member in the member forming step (the step of obtaining the laminate having the electronic device member) Thereby preventing deformation, scratches, breakage, and the like.

지지 기재(12)로서는, 예를 들어 유리판, 플라스틱판, SUS판 등의 금속판 등이 사용된다. 통상, 부재 형성 공정이 열처리를 수반하기 때문에, 지지 기재(12)는 유리 기판(16)과의 선팽창 계수의 차가 작은 재료로 형성되는 것이 바람직하고, 유리 기판(16)과 동일 재료로 형성되는 것이 보다 바람직하다. 즉, 지지 기재(12)는 유리판인 것이 바람직하다. 특히, 지지 기재(12)는 유리 기판(16)과 동일한 유리 재료를 포함하는 유리판인 것이 바람직하다.As the supporting substrate 12, for example, a metal plate such as a glass plate, a plastic plate, an SUS plate, or the like is used. It is preferable that the supporting substrate 12 is formed of a material having a smaller coefficient of linear expansion than that of the glass substrate 16 and that the supporting substrate 12 is formed of the same material as the glass substrate 16 More preferable. That is, the supporting substrate 12 is preferably a glass plate. In particular, the supporting substrate 12 is preferably a glass plate containing the same glass material as the glass substrate 16.

지지 기재(12)의 두께는, 유리 기판(16)보다도 두꺼워도 되고, 얇아도 된다. 바람직하게는, 유리 기판(16)의 두께, 제1 폴리이미드 수지층(14a)의 두께, 제2 폴리이미드 수지층(14b)의 두께 및 유리 적층체(10)의 두께에 기초하여, 지지 기재(12)의 두께가 선택된다. 예를 들어, 현행의 부재 형성 공정이 두께 0.5㎜의 기판을 처리하도록 설계된 것이며, 유리 기판(16)의 두께와 제1 폴리이미드 수지층(14a)의 두께와 제2 폴리이미드 수지층(14b)의 두께의 합이 0.1㎜인 경우, 지지 기재(12)의 두께를 0.4㎜로 한다. 지지 기재(12)의 두께는, 통상의 경우 0.2 내지 0.5㎜인 것이 바람직하고, 유리 기판(16)보다도 두꺼운 것이 바람직하다.The thickness of the supporting substrate 12 may be thicker or thinner than that of the glass substrate 16. Preferably, based on the thickness of the glass substrate 16, the thickness of the first polyimide resin layer 14a, the thickness of the second polyimide resin layer 14b, and the thickness of the glass laminate 10, (12) is selected. For example, the current member forming process is designed to process a substrate having a thickness of 0.5 mm, and the thickness of the glass substrate 16, the thickness of the first polyimide resin layer 14a, and the thickness of the second polyimide resin layer 14b, Is 0.1 mm, the thickness of the supporting substrate 12 is 0.4 mm. The thickness of the supporting substrate 12 is preferably 0.2 to 0.5 mm in general, and is preferably thicker than that of the glass substrate 16.

지지 기재(12)가 유리판인 경우, 유리판의 두께는 취급하기 쉽고, 깨지기 어려운 등의 이유로 인하여, 0.08㎜ 이상인 것이 바람직하다. 또한, 유리판의 두께는, 전자 디바이스용 부재 형성 후에 박리할 때에, 깨지지 않고 적절하게 휘는 강성이 요망되는 이유로 인하여, 1.0㎜ 이하인 것이 바람직하다.When the supporting substrate 12 is a glass plate, the thickness of the glass plate is preferably 0.08 mm or more because of easy handling and difficulty in breaking. Further, the thickness of the glass plate is preferably 1.0 mm or less because of the reason that the rigidity required to bend properly and not break when peeling after formation of the electronic device member is desired.

지지 기재(12)와 유리 기판(16)의 25 내지 300℃에서의 평균 선팽창 계수의 차는, 바람직하게는 500×10-7/℃ 이하이고, 보다 바람직하게는 300×10-7/℃ 이하이고, 더욱 바람직하게는 200×10-7/℃ 이하이다. 차가 지나치게 크면, 부재 형성 공정에 있어서의 가열 냉각 시에 유리 적층체(10)가 격렬하게 휘거나, 지지 기재(12)와 유리 기판(16)이 박리되거나 할 가능성이 있다. 지지 기재(12)의 재료가 유리 기판(16)의 재료와 동일한 경우, 이와 같은 문제가 발생하는 것을 억제할 수 있다.The difference in average coefficient of linear expansion between the support substrate 12 and the glass substrate 16 at 25 to 300 ° C is preferably 500 × 10 -7 / ° C or less, more preferably 300 × 10 -7 / ° C or less , More preferably 200 x 10 < -7 > / DEG C or less. If the car is excessively large, there is a possibility that the glass laminate 10 is vigorously bent or the support substrate 12 and the glass substrate 16 are peeled off during heating and cooling in the member forming process. When the material of the supporting substrate 12 is the same as the material of the glass substrate 16, occurrence of such a problem can be suppressed.

[유리 기판] [Glass Substrate]

유리 기판(16)은 제1 주면(16a) 위에 제2 폴리이미드 수지층(14b)이 배치되고, 제2 폴리이미드 수지층(14b)측과는 반대측의 제2 주면(16b)에 전자 디바이스용 부재가 설치된다. 즉, 유리 기판(16)은, 후술하는 전자 디바이스를 형성하기 위하여 사용되는 기판이다.The glass substrate 16 is provided with a second polyimide resin layer 14b on the first main surface 16a and a second main surface 16b on the opposite side of the second polyimide resin layer 14b, Member is installed. That is, the glass substrate 16 is a substrate used for forming an electronic device to be described later.

유리 기판(16)의 종류는, 일반적인 것이어도 되며, 예를 들어 LCD, OLED와 같은 표시 장치용 유리 기판 등을 들 수 있다. 유리 기판(16)은 내약품성, 내투습성이 우수하면서, 또한 열 수축률이 낮다. 열 수축률의 지표로서는 JIS R 3102(1995년 개정)에 규정되어 있는 선팽창 계수가 사용된다.The type of the glass substrate 16 may be a general one, and examples thereof include glass substrates for display devices such as LCDs and OLEDs. The glass substrate 16 is excellent in chemical resistance and moisture permeability, and has a low heat shrinkage rate. The coefficient of linear expansion specified in JIS R 3102 (revised in 1995) is used as an index of the heat shrinkage ratio.

또한, JIS R 3102(1995년 개정)의 내용은, 여기에 참조로서 도입된다.The contents of JIS R 3102 (revised in 1995) are also incorporated herein by reference.

유리 기판(16)의 선팽창 계수가 크면, 부재 형성 공정은 가열 처리를 수반하는 경우가 많으므로, 다양한 문제가 발생하기 쉽다. 예를 들어, 유리 기판(16) 위에 박막 트랜지스터(TFT)를 형성하는 경우, 가열 하에서 TFT가 형성된 유리 기판(16)을 냉각하면, 유리 기판(16)의 열 수축에 의해 TFT의 위치 어긋남이 과대해질 우려가 있다.If the coefficient of linear expansion of the glass substrate 16 is large, the member forming process often involves heat treatment, and various problems are likely to occur. For example, when the thin film transistor (TFT) is formed on the glass substrate 16, if the glass substrate 16 on which the TFT is formed under cooling is cooled, the positional deviation of the TFT due to heat shrinkage of the glass substrate 16 becomes excessive There is a risk of it becoming dangerous.

유리 기판(16)은, 유리 원료를 용융하고, 용융 유리를 판상으로 성형하여 얻어진다. 이와 같은 성형 방법은, 일반적인 것이어도 되며, 예를 들어 플로트법, 퓨전법, 슬롯 다운드로우법, 푸르콜법, 러버스법 등이 사용된다. 또한, 특히 두께가 얇은 유리 기판(16)은, 일단 판상으로 성형한 유리를 성형 가능 온도로 가열하고, 연신 등의 수단으로 잡아늘여 얇게 하는 방법(리드로우법)으로 성형하여 얻어진다.The glass substrate 16 is obtained by melting a glass raw material and molding the molten glass into a plate. Such a forming method may be a general method, and for example, a float method, a fusion method, a slot down draw method, a pull call method, a lubrication method, or the like is used. In particular, the glass substrate 16 having a small thickness can be obtained by heating the glass molded into a plate shape at a moldable temperature and thinning it by means of drawing or the like (lead-through method).

유리 기판(16)의 유리 종류는 특별히 한정되지 않지만, 무알칼리 붕규산 유리, 붕규산 유리, 소다석회 유리, 고실리카 유리, 그 밖의 산화규소를 주된 성분으로 하는 산화물계 유리가 바람직하다. 산화물계 유리로서는, 산화물 환산에 의한 산화규소의 함유량이 40 내지 90질량%인 유리가 바람직하다.The kind of glass of the glass substrate 16 is not particularly limited, but is preferably an alkali-free borosilicate glass, borosilicate glass, soda lime glass, high silica glass, or other oxide-based glass mainly containing silicon oxide. As the oxide-based glass, a glass having a silicon oxide content of 40 to 90 mass% in terms of an oxide is preferable.

유리 기판(16)의 유리로서는, 전자 디바이스용 부재의 종류나 그 제조 공정에 적합한 유리가 채용된다. 예를 들어, 액정 패널용 유리 기판은, 알칼리 금속 성분의 용출이 액정에 영향을 주기 쉬운 점에서, 알칼리 금속 성분을 실질적으로 포함하지 않는 유리(무알칼리 유리)를 포함한다(단, 통상 알칼리 토금속 성분은 포함됨). 이와 같이, 유리 기판(16)의 유리는 적용되는 디바이스의 종류 및 그의 제조 공정에 기초하여 적절히 선택된다.As the glass of the glass substrate 16, glass suitable for the kind of the electronic device member and the manufacturing process thereof is employed. For example, the glass substrate for a liquid crystal panel includes a glass (alkali-free glass) substantially free of an alkali metal component from the viewpoint that elution of the alkali metal component tends to affect the liquid crystal (however, Ingredients are included). Thus, the glass of the glass substrate 16 is appropriately selected based on the kind of the applied device and the manufacturing process thereof.

유리 기판(16)의 두께는, 유리 기판(16)의 박형화 및/또는 경량화의 관점에서, 0.3㎜ 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.15㎜ 이하이고, 더욱 바람직하게는 0.10㎜ 이하이다. 0.3㎜ 이하의 경우, 유리 기판(16)에 양호한 가요성을 부여하는 것이 가능하다. 0.15㎜ 이하의 경우, 유리 기판(16)을 롤 형상으로 권취하는 것이 가능하다.The thickness of the glass substrate 16 is preferably 0.3 mm or less, more preferably 0.15 mm or less, and further preferably 0.10 mm or less from the viewpoints of reducing the thickness and / or weight of the glass substrate 16. [ When the thickness is 0.3 mm or less, it is possible to impart good flexibility to the glass substrate 16. When the thickness is 0.15 mm or less, the glass substrate 16 can be rolled up.

또한, 유리 기판(16)의 두께는 유리 기판(16)의 제조가 용이한 점, 유리 기판(16)의 취급이 용이한 점 등의 이유로 인하여, 0.01㎜ 이상인 것이 바람직하다.The thickness of the glass substrate 16 is preferably 0.01 mm or more, because the glass substrate 16 can be easily manufactured and the glass substrate 16 can be easily handled.

또한, 유리 기판(16)은 2층 이상으로 이루어져 있어도 되고, 이 경우, 각각의 층을 형성하는 재료는 동종 재료여도 되고, 이종 재료여도 된다. 또한, 이 경우, 「유리 기판(16)의 두께」는 모든 층의 합계의 두께를 의미하는 것으로 한다.Further, the glass substrate 16 may be composed of two or more layers, and in this case, the material forming each layer may be the same kind of material or a different material. In this case, the "thickness of the glass substrate 16" means the total thickness of all the layers.

[수지층(제1 폴리이미드 수지층 및 제2 폴리이미드 수지층)] [Resin layer (first polyimide resin layer and second polyimide resin layer)] [

제1 폴리이미드 수지층(14a) 및 제2 폴리이미드 수지층(14b)은, 유리 기판(16)과 지지 기재(12)를 분리하는 조작이 행하여질 때까지 유리 기판(16)의 위치 어긋남을 방지함과 함께, 유리 기판(16) 등이 분리 조작에 의해 파손되는 것을 방지한다. 제1 폴리이미드 수지층(14a)과 제2 폴리이미드 수지층(14b)은, 박리 가능하게 적층(밀착)된다. 상술한 바와 같이, 제1 폴리이미드 수지층(14a)과 제2 폴리이미드 수지층(14b)은 약한 결합력으로 결합되어 있어, 그 계면의 박리 강도는 제1 폴리이미드 수지층(14a)과 지지 기재(12) 사이의 계면의 박리 강도 및 제2 폴리이미드 수지층(14b)과 유리 기판(16) 사이의 계면의 박리 강도보다도 낮다.The first polyimide resin layer 14a and the second polyimide resin layer 14b are formed so that the positional deviation of the glass substrate 16 until the operation of separating the glass substrate 16 and the supporting substrate 12 is performed And prevents the glass substrate 16 and the like from being broken by the separating operation. The first polyimide resin layer 14a and the second polyimide resin layer 14b are laminated (adhered) so as to be peelable. As described above, the first polyimide resin layer 14a and the second polyimide resin layer 14b are bonded with a weak bonding force, and the peel strength of the interface between the first polyimide resin layer 14a and the second polyimide resin layer 14b, The peel strength of the interface between the second polyimide resin layer 14b and the glass substrate 16 is lower than the peel strength of the interface between the second polyimide resin layer 14b and the glass substrate 16. [

즉, 유리 기판(16)과 지지 기재(12)를 분리할 때에는, 제1 폴리이미드 수지층(14a)과 제2 폴리이미드 수지층(14b)의 계면에서 박리하고, 지지 기재(12)와 제1 폴리이미드 수지층(14a)의 계면 및 유리 기판(16)과 제2 폴리이미드 수지층(14b)의 계면에서는 박리하기 어렵다. 이로 인해, 제1 폴리이미드 수지층(14a)과 제2 폴리이미드 수지층(14b)은 밀착되지만, 용이하게 박리할 수 있는 표면 특성을 갖는다. 즉, 제1 폴리이미드 수지층(14a)과 제2 폴리이미드 수지층(14b)은, 어느 정도의 결합력으로 결합하여 유리 기판(16)의 위치 어긋남 등을 방지하고 있는 동시에, 유리 기판(16)을 박리할 때에는 유리 기판(16)을 파괴하지 않고, 용이하게 박리할 수 있을 정도의 결합력으로 결합되어 있다. 본 발명에서는, 이 표면의 용이하게 박리할 수 있는 성질을 박리성이라고 한다. 한편, 지지 기재(12)와 제1 폴리이미드 수지층(14a) 및 유리 기판(16)과 제2 폴리이미드 수지층(14b)은 상대적으로 박리하기 어려운 결합력으로 결합되어 있다.That is, when the glass substrate 16 and the supporting substrate 12 are separated from each other, they are peeled from the interface between the first polyimide resin layer 14a and the second polyimide resin layer 14b, It is difficult to peel off the interface between the first polyimide resin layer 14a and the interface between the glass substrate 16 and the second polyimide resin layer 14b. As a result, the first polyimide resin layer 14a and the second polyimide resin layer 14b are in close contact with each other, but have a surface property capable of being readily peeled off. That is, the first polyimide resin layer 14a and the second polyimide resin layer 14b are bonded to each other to a certain degree of bonding force to prevent displacement of the glass substrate 16, The glass substrate 16 is bonded to the glass substrate 16 with a bonding force so that the glass substrate 16 can be easily peeled off. In the present invention, the property that the surface can easily be peeled off is referred to as peelability. On the other hand, the supporting substrate 12, the first polyimide resin layer 14a, the glass substrate 16, and the second polyimide resin layer 14b are bonded with a bonding force that is relatively difficult to peel off.

제1 폴리이미드 수지층(14a)과 제2 폴리이미드 수지층(14b)은, 약한 접착력이나 반데발스 힘에 기인하는 결합력으로 결합되어 있다고 생각된다.It is considered that the first polyimide resin layer 14a and the second polyimide resin layer 14b are bonded with a bonding force due to a weak adhesive force or a van der Waals force.

경우에 따라, 적층 전의 제1 폴리이미드 수지층(14a)의 표면이나 제2 폴리이미드 수지층(14b)의 표면에 양자간의 결합력을 약화시키는 처리를 행하여 적층할 수도 있다.In some cases, the surface of the first polyimide resin layer 14a and the surface of the second polyimide resin layer 14b before lamination may be laminated by performing a treatment for weakening the bonding force therebetween.

또한, 제1 폴리이미드 수지층(14a)은, 접착력이나 점착력 등의 강한 결합력으로 지지 기재(12) 표면에 결합되어 있다. 제1 폴리이미드 수지층(14a)과 지지 기재(12)의 부착력의 향상은, 지지 기재(12) 위에서 제1 폴리이미드 수지층(14a)을 형성함으로써 달성된다. 예를 들어, 후술하는 바와 같이 열 경화에 의해 식 (1)로 표현되는 반복 단위를 포함하는 폴리이미드 수지가 되는 경화성 수지를 지지 기재(12) 표면에서 경화시킴으로써, 가열 경화된 폴리이미드 수지를 지지 기재(12) 표면에 접착하여, 높은 결합력을 얻을 수 있다. 또한, 폴리이미드 수지를 포함하는 조성물을 지지 기재(12) 표면 위에 접촉시키고, 필요에 따라 가열 처리를 실시하여, 제1 폴리이미드 수지층(14a)을 형성함으로써, 높은 결합력을 얻을 수도 있다. 또한, 지지 기재(12)의 표면과 제1 폴리이미드 수지층(14a) 사이에 강한 결합력을 발생시키는 처리(예를 들어, 커플링제를 사용한 처리)를 실시하여 지지 기재(12)의 표면과 제1 폴리이미드 수지층(14a) 사이의 결합력을 높일 수도 있다.The first polyimide resin layer 14a is bonded to the surface of the supporting substrate 12 with strong bonding force such as an adhesive force or an adhesive force. The improvement in the adhesion between the first polyimide resin layer 14a and the supporting substrate 12 is achieved by forming the first polyimide resin layer 14a on the supporting substrate 12. [ For example, as described later, a curable resin serving as a polyimide resin containing a repeating unit represented by the formula (1) by thermal curing is cured on the surface of the supporting substrate 12 to support the thermally cured polyimide resin And adheres to the surface of the substrate 12 to obtain a high bonding force. Further, a high bonding force can be obtained by bringing the composition containing the polyimide resin into contact with the surface of the supporting substrate 12 and, if necessary, performing the heat treatment to form the first polyimide resin layer 14a. The surface of the supporting substrate 12 and the first polyimide resin layer 14a are subjected to a treatment (for example, a treatment using a coupling agent) that generates a strong bonding force between the surface of the supporting substrate 12 and the first polyimide resin layer 14a, 1 bonding strength between the polyimide resin layers 14a.

또한, 제2 폴리이미드 수지층(14b)도 제1 폴리이미드 수지층(14a)과 마찬가지로 유리 기판(16) 표면에 접착력이나 점착력 등의 강한 결합력으로 결합되어 있다.The second polyimide resin layer 14b is also bonded to the surface of the glass substrate 16 with strong bonding force such as adhesive force or adhesive force, like the first polyimide resin layer 14a.

제1 폴리이미드 수지층(14a)의 두께 및 제2 폴리이미드 수지층(14b)의 두께의 적어도 한쪽은 박리 시에 제1 폴리이미드 수지층(14a)과 제2 폴리이미드 수지층(14b) 사이에 칼날을 침입시켜 박리 기점을 발생시키기 쉬운 점에서, 1㎛ 이상인 것이 바람직하고, 박리성의 관점에서, 2㎛ 이상이 보다 바람직하고, 4㎛ 이상이 더욱 바람직하다. 또한, 상한은 특별히 제한되지 않지만, 통상 100㎛ 이하가 바람직하다.At least one of the thickness of the first polyimide resin layer 14a and the thickness of the second polyimide resin layer 14b is set such that at least one of the first polyimide resin layer 14a and the second polyimide resin layer 14b It is preferably 1 占 퐉 or more from the viewpoint of allowing the blade to penetrate the blade to generate a peeling starting point, and more preferably 2 占 퐉 or more and more preferably 4 占 퐉 or more from the viewpoint of releasability. The upper limit is not particularly limited, but is preferably 100 mu m or less.

또한, 제1 폴리이미드 수지층(14a) 및 제2 폴리이미드 수지층(14b) 중 한쪽 두께가 상기 범위인 경우, 다른 쪽 두께는 특별히 제한되지 않고, 예를 들어 0.1 내지 100㎛인 것이 바람직하고, 0.5 내지 50㎛인 것이 보다 바람직하고, 1 내지 20㎛인 것이 더욱 바람직하다. 제1 폴리이미드 수지층(14a) 및 제2 폴리이미드 수지층(14b)의 두께가 이와 같은 범위이면, 제1 폴리이미드 수지층(14a)과 제2 폴리이미드 수지층(14b) 사이에 기포나 이물이 개재하는 경우가 있어도, 유리 기판(16)의 왜곡 결함의 발생을 억제할 수 있다.When the thickness of one of the first polyimide resin layer 14a and the second polyimide resin layer 14b is within the above range, the thickness of the other polyimide resin layer 14a and the second polyimide resin layer 14b is not particularly limited and is preferably 0.1 to 100 占 퐉, for example More preferably 0.5 to 50 占 퐉, and still more preferably 1 to 20 占 퐉. When the thicknesses of the first polyimide resin layer 14a and the second polyimide resin layer 14b are in this range, air bubbles are formed between the first polyimide resin layer 14a and the second polyimide resin layer 14b The occurrence of distortion defects in the glass substrate 16 can be suppressed even when foreign objects are present.

또한, 상기 두께는 평균 두께를 의도하며, 제1 폴리이미드 수지층(14a)(또는 제2 폴리이미드 수지층(14b))의 임의의 5점의 두께를 측정하여, 그들을 산술 평균한 것이다.The thickness is intended to mean the average thickness, and the thickness of any five points of the first polyimide resin layer 14a (or the second polyimide resin layer 14b) is measured and arithmetically averaged.

제1 폴리이미드 수지층(14a)의 지지 기재(12)측과는 반대측의 표면(114a) 및 제2 폴리이미드 수지층(14b)의 유리 기판(16)측과는 반대측의 표면(114b)의 표면 조도 Ra는 2.0㎚ 이하이고, 수지층을 갖는 지지 기재(18)와 수지층을 갖는 유리 기판(20)의 밀착성이 보다 우수하다는 점에서, 1.5㎚ 이하가 바람직하고, 1.0㎚ 이하가 보다 바람직하다. 하한은 특별히 제한되지 않지만, 0㎚인 것이 바람직하다.The surface 114a of the first polyimide resin layer 14a opposite to the side of the supporting substrate 12 and the side 114b of the surface 114b of the second polyimide resin layer 14b opposite to the side of the glass substrate 16 The surface roughness Ra is 2.0 nm or less and preferably 1.5 nm or less and more preferably 1.0 nm or less in view of better adhesion between the support substrate 18 having the resin layer and the glass substrate 20 having the resin layer Do. The lower limit is not particularly limited, but is preferably 0 nm.

표면 조도 Ra가 2.0㎚ 초과인 경우, 제1 폴리이미드 수지층(14a)과 제2 폴리이미드 수지층(14b)의 밀착성이 떨어진다.When the surface roughness Ra is larger than 2.0 nm, adhesion between the first polyimide resin layer 14a and the second polyimide resin layer 14b is deteriorated.

일반적으로 폴리이미드 수지를 층상으로 성형하는 방법에는, 열가소성의 폴리이미드 수지를 제조한 후에 압출 성형하는 방법이나, 열 경화에 의해 폴리이미드 수지가 되는 경화성 수지를 포함한 용액을 기재 위에 도포 시공한 후에 기판 표면에서 경화시키는 방법이 있다. 본 발명에 있어서는 후자의 방법으로 수지층을 성형함으로써, 표면 조도 Ra가 상기 범위인 수지층이 얻어지기 쉽다.In general, a method of forming a polyimide resin into a layer includes a method of producing a thermoplastic polyimide resin followed by extrusion molding or a method of applying a solution containing a curable resin to be a polyimide resin by thermosetting onto a substrate, There is a method of curing on the surface. In the present invention, by forming the resin layer by the latter method, a resin layer having a surface roughness Ra within the above range is easily obtained.

여기서, 표면 조도 Ra는, 원자간력 현미경(Pacific Nanotechnology사제, Nano Scope IIIa; Scan Rate 1.0Hz, Sample Lines256, Off-line Modify Flatten order-2, Planefit order-2)에 의해 측정한다(원자간력 현미경에 의한 파인세라믹스 박막의 표면 조도 측정 방법 JIS R 1683:2007 준거).Here, the surface roughness Ra is measured by an atomic force microscope (manufactured by Pacific Nanotechnology, Nano Scope IIIa; Scan Rate 1.0 Hz, Sample Lines 256, Off-line Modified Flatten order-2, Planefit order-2) Measurement method of surface roughness of fine ceramics thin film by microscope JIS R 1683: 2007 reference).

또한, JIS R 1683:2007의 내용은, 여기에 참조로서 도입된다.The contents of JIS R 1683: 2007 are also incorporated herein by reference.

Ra가 커지는 이유로서는, (1) 내재형 기인(첨가물), (2) 발포에 의한 막면 거칠어짐, (3) 환경 요인(이물)을 생각할 수 있다. (1)의 대책으로서는, 전제 조건으로서 평활한 표면을 갖는 유리 기판을 사용하고, 도포액에는 활제나 필러를 사용하지 않는 것이 바람직하다. 도포 방법은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어 다이 코터를 사용하여 도포하는 것이 바람직하다. 용제 건조가 지나치게 급속하게 되면 발포가 발생하기 때문에, (2)의 문제가 발생한다. 그 대책으로서, 건조 온도와 시간을 최적화함으로써 표면 평활한 막이 얻어진다. 후술하는 실시예에서는, 핫 플레이트 위에서 80℃ 30분, 120℃ 30분의 예비 건조를 행한 후, 열풍 건조로에서 350℃에서 1시간 가열했다. 또한, 가열 조건은 상기 프로세스에 한정되지 않는다. 또한, 이물이 표면 조도의 원인이 되는 경우도 있기 때문에, (3)의 대책으로서는, 클린 룸에서의 제조가 적합하다.The reasons for the increase in Ra are (1) inherent type (additive), (2) surface roughening due to foaming, and (3) environmental factors (foreign matter). As a countermeasure to the method (1), it is preferable to use a glass substrate having a smooth surface as a prerequisite, and not to use an actinic agent or filler for the coating liquid. The coating method is not particularly limited, but it is preferable to coat it using a die coater, for example. When the drying of the solvent becomes excessively rapid, foaming occurs, and the problem (2) arises. As a countermeasure therefor, a surface smooth film is obtained by optimizing the drying temperature and time. In the examples described below, pre-drying was performed on a hot plate at 80 DEG C for 30 minutes and at 120 DEG C for 30 minutes, and then heated at 350 DEG C for 1 hour in a hot-air drying furnace. Further, the heating conditions are not limited to the above process. In addition, since the foreign object may cause surface roughness, manufacturing in a clean room is suitable as a measure against (3).

제1 폴리이미드 수지층(14a) 및 제2 폴리이미드 수지층(14b) 중의 폴리이미드 수지의 구조는 특별히 제한되지 않지만, 하기 식 (1)로 표현되는, 테트라카르복실산류의 잔기 (X)와 디아민류의 잔기 (A)를 갖는 반복 단위를 포함하는 것이 바람직하다. 또한, 폴리이미드 수지는, 식 (1)로 표현되는 반복 단위를 주성분(전체 반복 단위에 대하여 95몰% 이상이 바람직함)으로서 함유하는 것이 바람직하지만, 그 이외의 다른 반복 단위(예를 들어, 후술하는 식 (2-1) 또는 (2-2)로 표현되는 반복 단위)를 포함하고 있어도 된다.The structure of the polyimide resin in the first polyimide resin layer 14a and the second polyimide resin layer 14b is not particularly limited, but may be a structure in which the residues X of the tetracarboxylic acids represented by the following formula (1) And a repeating unit having a residue (A) of a diamine. The polyimide resin preferably contains the repeating unit represented by the formula (1) as a main component (preferably 95 mol% or more based on the total repeating units), but other repeating units (for example, Or a repeating unit represented by the following formula (2-1) or (2-2)).

또한, 테트라카르복실산류의 잔기 (X)란, 테트라카르복실산류로부터 카르복시기를 제외한 테트라카르복실산 잔기를 의도하고, 디아민류의 잔기 (A)란 디아민류로부터 아미노기를 제외한 디아민 잔기를 의도한다.Further, the residue (X) of the tetracarboxylic acid is intended to mean a tetracarboxylic acid residue excluding the carboxyl group from the tetracarboxylic acid, and the residue (A) of the diamine is intended to be a diamine residue excluding the amino group from the diamine.

Figure pct00001
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식 (1) 중 X는 테트라카르복실산류로부터 카르복시기를 제외한 테트라카르복실산 잔기를, A는 디아민류로부터 아미노기를 제외한 디아민 잔기를 나타낸다.In the formula (1), X represents a tetracarboxylic acid residue excluding a carboxy group from a tetracarboxylic acid, and A represents a diamine residue excluding an amino group from a diamine.

식 (1) 중 X는 테트라카르복실산류로부터 카르복시기를 제외한 테트라카르복실산 잔기를 나타내고, 이하의 식 (X1) 내지 (X4)로 표현되는 기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 기를 포함하는 것이 바람직하다. 그 중에서도, 제1 폴리이미드 수지층(14a)과 제2 폴리이미드 수지층(14b)의 박리성 또는 제1 폴리이미드 수지층(14a) 및 제2 폴리이미드 수지층(14b)의 내열성이 보다 우수하다는 점(이후, 간단히 「본 발명의 효과가 보다 우수하다는 점」이라고도 칭함)에서, X의 총 수의 50몰% 이상(바람직하게는, 80 내지 100몰%)이 이하의 식 (X1) 내지 (X4)로 표현되는 기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 기를 포함하는 것이 보다 바람직하다. X의 총 수의 실질적으로 전체 수(100몰%)가 이하의 식 (X1) 내지 (X4)로 표현되는 기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 기를 포함하는 것이 더욱 바람직하다.X in the formula (1) represents a tetracarboxylic acid residue excluding a carboxyl group from a tetracarboxylic acid and includes at least one kind of group selected from the group consisting of the following formulas (X1) to (X4) desirable. Among them, the peelability of the first polyimide resin layer 14a and the second polyimide resin layer 14b or the heat resistance of the first polyimide resin layer 14a and the second polyimide resin layer 14b are more excellent (Preferably 80 to 100 mol%) of the total number of X in the formulas (X1) to (X1) to (X1) to And at least one group selected from the group consisting of a group represented by the following formula (X4). It is more preferable that the substantially total number (100 mol%) of the total number of X includes at least one group selected from the group consisting of the groups represented by the following formulas (X1) to (X4).

또한, A는 디아민류로부터 아미노기를 제외한 디아민 잔기를 나타내고, 이하의 식 (A1) 내지 (A8)로 표현되는 기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 기를 포함하는 것이 바람직하다. 그 중에서도, 본 발명의 효과가 보다 우수하다는 점에서, A의 총 수의 50몰% 이상(바람직하게는, 80 내지 100몰%)이 이하의 식 (A1) 내지 (A8)로 표현되는 기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 기를 포함하는 것이 보다 바람직하다. A의 총 수의 실질적으로 전체 수(100몰%)가 이하의 식 (A1) 내지 (A8)로 표현되는 기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 기를 포함하는 것이 더욱 바람직하다.It is preferable that A represents a diamine residue other than the amino group from the diamines and includes at least one group selected from the group consisting of the following groups represented by the following formulas (A1) to (A8). Among them, it is preferable that 50 mol% or more (preferably 80 to 100 mol%) of the total number of A is the group represented by the following formulas (A1) to (A8) And at least one group selected from the group consisting of It is more preferable that the substantially total number (100 mol%) of the total number of A includes at least one group selected from the group consisting of the groups represented by the following formulas (A1) to (A8).

또한, 본 발명의 효과가 보다 우수하다는 점에서, X의 총 수의 80 내지 100몰%가 이하의 식 (X1) 내지 (X4)로 표현되는 기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 기를 포함하면서, 또한 A의 총 수의 80 내지 100몰%가 이하의 식 (A1) 내지 (A8)로 표현되는 기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 기를 포함하는 것이 바람직하고, X의 총 수의 실질적으로 전체 수(100몰%)가 이하의 식 (X1) 내지 (X4)로 표현되는 기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 기를 포함하면서, 또한 A의 총 수의 실질적으로 전체 수(100몰%)가 이하의 식 (A1) 내지 (A8)로 표현되는 기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 기를 포함하는 것이 보다 바람직하다.It is preferable that 80 to 100 mol% of the total number of X include at least one kind of group selected from the group consisting of the groups represented by the following formulas (X1) to (X4) in view of better effects of the present invention , And it is also preferred that 80 to 100 mol% of the total number of A contains at least one group selected from the group consisting of the following groups represented by the following formulas (A1) to (A8) (100 mol%) of the total number of A atoms and at least one group selected from the group consisting of the groups represented by the following formulas (X1) to (X4) More preferably at least one group selected from the group consisting of the groups represented by the following formulas (A1) to (A8).

Figure pct00002
Figure pct00002

그 중에서도, 본 발명의 효과가 보다 우수하다는 점에서, X로서는, 식 (X1)로 표현되는 기 및 식 (X4)로 표현되는 기가 바람직하고, 식 (X1)로 표현되는 기가 보다 바람직하다.Among them, a group represented by the formula (X1) and a group represented by the formula (X4) are preferable, and a group represented by the formula (X1) is more preferable for X from the viewpoint that the effect of the present invention is better.

또한, 본 발명의 효과가 보다 우수하다는 점에서, A로서는, 식 (A1)로 표현되는 기 및 식 (A6)으로 표현되는 기가 바람직하고, 식 (A1)로 표현되는 기가 보다 바람직하다.The group represented by the formula (A1) and the group represented by the formula (A6) are preferable, and the group represented by the formula (A1) is more preferable for the A from the viewpoint of the better effect of the present invention.

식 (X1) 내지 (X4)로 표현되는 기와 식 (A1) 내지 (A8)로 표현되는 기의 적합한 조합을 포함하는 폴리이미드 수지로서는, X가 식 (X1)로 표현되는 기이며, A가 식 (A1)로 표현되는 기인 폴리이미드 수지 1, 및 X가 식 (X4)로 표현되는 기이며, A가 식 (A6)으로 표현되는 기인 폴리이미드 수지 2를 바람직하게 들 수 있다. 폴리이미드 수지 1의 경우, 내열성이 보다 우수하다. 또한, 폴리이미드 수지 2의 경우, 무색 투명성의 관점에서 바람직하다.As a polyimide resin containing a suitable combination of a group represented by the formulas (X1) to (X4) and a group represented by the formulas (A1) to (A8), X is a group represented by the formula (X1) And polyimide resin 2 in which X is a group represented by the formula (X4) and A is a group represented by the formula (A6). In the case of polyimide resin 1, heat resistance is better. In the case of polyimide resin 2, it is preferable from the viewpoint of colorless transparency.

폴리이미드 수지 중에 있어서의 상기 식 (1)로 표현되는 반복 단위의 반복수 (n)은 특별히 제한되지 않지만, 2 이상의 정수인 것이 바람직하고, 제1 폴리이미드 수지층(14a) 및 제2 폴리이미드 수지층(14b)의 내열성 및 도막의 성막성의 관점에서, 10 내지 10000이 바람직하고, 15 내지 1000이 보다 바람직하다.The repeating number (n) of the repeating unit represented by the formula (1) in the polyimide resin is not particularly limited, but is preferably an integer of 2 or more, and the number of the first polyimide resin layer 14a and the number of the second polyimide From the viewpoint of the heat resistance of the paper layer 14b and the film formability of the coating film, 10 to 10000 is preferable, and 15 to 1000 is more preferable.

상기 폴리이미드 수지는, 내열성을 손상시키지 않는 범위에서, 테트라카르복실산류의 잔기 (X)로서, 하기에 예시되는 기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하고 있어도 된다. 또한, 하기에 예시되는 기를 2종 이상 포함하고 있어도 된다.The polyimide resin may contain at least one member selected from the group consisting of the following groups as the residue (X) of the tetracarboxylic acid within a range that does not impair the heat resistance. In addition, two or more of the groups illustrated below may be included.

Figure pct00003
Figure pct00003

또한, 상기 폴리이미드 수지는 내열성을 손상시키지 않는 범위에서, 디아민류의 잔기 (A)로서, 하기에 예시되는 기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상을 포함하고 있어도 된다. 또한, 하기에 예시되는 기를 2종 이상 포함하고 있어도 된다.The polyimide resin may contain at least one member selected from the group consisting of the groups shown below as residues (A) of the diamines within a range that does not impair the heat resistance. In addition, two or more of the groups illustrated below may be included.

Figure pct00004
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제1 폴리이미드 수지층(14a) 및 제2 폴리이미드 수지층(14b) 중에 있어서의 폴리이미드 수지의 함유량은 특별히 제한되지 않지만, 본 발명의 효과가 보다 우수하다는 점에서, 수지층 전체 질량에 대하여, 50 내지 100질량%가 바람직하고, 75 내지 100질량%가 보다 바람직하고, 90 내지 100질량%가 더욱 바람직하다.The content of the polyimide resin in the first polyimide resin layer 14a and the second polyimide resin layer 14b is not particularly limited, but from the viewpoint of the effect of the present invention being more excellent, , Preferably 50 to 100 mass%, more preferably 75 to 100 mass%, still more preferably 90 to 100 mass%.

제1 폴리이미드 수지층(14a) 및 제2 폴리이미드 수지층(14b) 중에는 필요에 따라 상기 폴리이미드 수지 이외의 다른 성분(예를 들어, 내열성을 저해하지 않는 필러 등)이 포함되어 있어도 된다.The first polyimide resin layer 14a and the second polyimide resin layer 14b may contain components other than the polyimide resin (for example, a filler that does not hinder heat resistance) if necessary.

내열성을 저해하지 않는 필러로서는, 섬유 형상의 충전제 및 판상, 인편상, 입상, 부정 형상 및 파쇄품 등 비섬유 형상의 충전제를 들 수 있고, 구체적으로는 예를 들어, 유리 섬유, PAN계나 피치계의 탄소 섬유, 스테인리스 섬유, 알루미늄 섬유나 황동 섬유 등의 금속 섬유, 석고 섬유, 세라믹 섬유, 아스베스트 섬유, 지르코니아 섬유, 알루미나 섬유, 실리카 섬유, 산화티타늄 섬유, 탄화규소 섬유, 암면, 티타늄산칼륨 위스커, 티타늄산바륨 위스커, 붕산알루미늄 위스커, 질화규소 위스커, 마이카, 탈크, 카올린, 실리카, 탄산칼슘, 유리 비즈, 유리 플레이크, 유리 마이크로벌룬, 클레이, 이황화몰리브덴, 규회석, 산화티타늄, 산화아연, 폴리인산칼슘, 그래파이트, 금속분, 금속 플레이크, 금속 리본, 금속 산화물, 카본 분말, 흑연, 카본 플레이크, 인편상 카본 및 카본 나노튜브 등을 들 수 있다. 금속분, 금속 플레이크, 금속 리본 및 금속 산화물의 금속종의 구체예로서는, 은, 니켈, 구리, 아연, 알루미늄, 스테인리스, 철, 황동, 크롬 및 주석 등을 예시할 수 있다.Examples of the filler that does not inhibit heat resistance include fibrous fillers and fibrous fillers such as flake, scaly, granular, irregular, and crushed products. Specific examples thereof include glass fibers, PAN fibers, Carbon fiber, stainless steel fiber, metal fiber such as aluminum fiber or brass fiber, gypsum fiber, ceramic fiber, asbestos fiber, zirconia fiber, alumina fiber, silica fiber, titanium oxide fiber, silicon carbide fiber, rock wool, potassium titanate whisker , Calcium carbonate, glass beads, glass flakes, glass microballoons, clay, molybdenum disulfide, wollastonite, titanium oxide, zinc oxide, calcium polyphosphate , Graphite, metal powder, metal flake, metal ribbon, metal oxide, carbon powder, graphite, carbon flake, scaly car And the like, and carbon nanotubes. Specific examples of metal species of metal powder, metal flake, metal ribbon and metal oxide include silver, nickel, copper, zinc, aluminum, stainless steel, iron, brass, chrome and tin.

또한, 제1 폴리이미드 수지층(14a) 및 제2 폴리이미드 수지층(14b)은 열 경화에 의해 폴리이미드 수지가 되는 경화성 수지의 층에 가열 처리를 실시함으로써 형성된 폴리이미드 수지의 층인 것이 바람직하고, 나아가 열 경화에 의해 상기 식 (1)로 표현되는 테트라카르복실산류의 잔기 (X)와 디아민류의 잔기 (A)를 갖는 반복 단위를 포함하는 폴리이미드 수지가 되는 경화성 수지의 층에 가열 처리를 실시함으로써 형성된 폴리이미드 수지의 층인 것이 보다 바람직하다. 또한, 가열 처리는, 온도를 바꾸어 단계적으로 실시해도 된다.The first polyimide resin layer 14a and the second polyimide resin layer 14b are preferably polyimide resin layers formed by heat-treating a layer of a curable resin that becomes a polyimide resin by thermal curing , And further a layer of a curable resin which is a polyimide resin containing a repeating unit having a residue (X) of a tetracarboxylic acid and a residue (A) of a diamine represented by the formula (1) Is more preferably a layer of a polyimide resin formed by performing the above-mentioned process. The heat treatment may be performed stepwise by changing the temperature.

제1 폴리이미드 수지층(14a) 및 제2 폴리이미드 수지층(14b)의 제조 방법에 관해서는, 후단의 유리 적층체의 제조 방법에 있어서 상세하게 설명한다.The production method of the first polyimide resin layer 14a and the second polyimide resin layer 14b will be described in detail in the production method of the later-described glass laminate.

[유리 적층체의 제조 방법][Production method of glass laminate]

본 발명의 유리 적층체(10)의 제조 방법으로서는, 예를 들어 후술하는 경화성 수지를 사용하여 지지 기재(12) 위에 제1 폴리이미드 수지층(14a)을 형성하면서, 또한 후술하는 경화성 수지를 사용하여 유리 기판(16) 위에 제2 폴리이미드 수지층(14b)을 형성하고, 그 후, 제1 폴리이미드 수지층(14a)과 제2 폴리이미드 수지층(14b)이 접촉하도록, 수지층을 갖는 지지 기재(18)와, 수지층을 갖는 유리 기판(20)을 적층하여, 유리 적층체(10)를 제조한다.As a method for producing the glass laminate 10 of the present invention, for example, a curable resin to be described later is used while a first polyimide resin layer 14a is formed on a supporting substrate 12 by using a curable resin to be described later A second polyimide resin layer 14b is formed on the glass substrate 16 and thereafter the first polyimide resin layer 14a and the second polyimide resin layer 14b are brought into contact with each other to form a resin layer A supporting substrate 18 and a glass substrate 20 having a resin layer are laminated to produce a glass laminate 10. [

경화성 수지를 지지 기재(12) 표면에서 경화시키면, 경화 반응 시의 지지 기재(12) 표면과의 상호 작용에 의해 제1 폴리이미드 수지층(14a)과 지지 기재(12)가 접착되어, 제1 폴리이미드 수지층(14a)과 지지 기재(12) 표면의 박리 강도는 높아진다고 생각된다. 또한, 경화성 수지를 유리 기판(16) 표면에서 경화시키는 경우도 마찬가지이다.When the curable resin is cured on the surface of the supporting substrate 12, the first polyimide resin layer 14a and the supporting substrate 12 are bonded to each other by the interaction with the surface of the supporting substrate 12 during the curing reaction, The peel strength between the polyimide resin layer 14a and the surface of the supporting substrate 12 is considered to be high. This also applies to the case where the curable resin is cured on the surface of the glass substrate 16.

이하, 후술하는 경화성 수지를 사용하여 지지 기재(12) 위에 제1 폴리이미드 수지층(14a)을 형성하는 공정을 제1 수지층 형성 공정, 후술하는 경화성 수지층을 사용하여 유리 기판(16) 위에 제2 폴리이미드 수지층(14b)을 형성하는 공정을 제2 수지층 형성 공정, 수지층을 갖는 지지 기재(18)와 수지층을 갖는 유리 기판(20)을 적층하여 유리 적층체(10)를 얻는 공정을 적층 공정이라고 하며, 각 공정의 수순에 대하여 상세하게 설명한다.Hereinafter, the step of forming the first polyimide resin layer 14a on the supporting substrate 12 by using the curable resin to be described later is performed on the glass substrate 16 using the first resin layer forming step and the curable resin layer described later The second polyimide resin layer 14b is formed by a second resin layer forming step, a glass substrate 20 having a supporting substrate 18 having a resin layer and a resin layer is laminated to form the glass laminate 10 The step of obtaining is called a laminating step, and the procedure of each step will be described in detail.

또한, 이하에서는, 경화성 수지를 사용한 형태에 대하여 상세하게 설명하지만, 이것에 한정되지 않고, 소정의 폴리이미드 수지를 지지 기재(12)(또는 유리 기판(16)) 위에 접촉시키고, 필요에 따라 가열 처리를 실시함으로써, 제1 폴리이미드 수지층(14a)(또는 제2 폴리이미드 수지층(14b))을 형성해도 된다. 특히, 폴리이미드 수지를 용매에 용해시킨 용액을 사용하는 경우는 용매를 휘발시키기 위하여, 가열 처리를 실시하는 것이 바람직하다. 해당 처리에 의해 얻어진 수지층을 갖는 지지 기재와 수지층을 갖는 유리 기판을 사용하여, 후술하는 적층 공정을 실시해도 된다.In the following, the mode of using the curable resin is described in detail, but the present invention is not limited thereto. A predetermined polyimide resin may be brought into contact with the support substrate 12 (or the glass substrate 16) The first polyimide resin layer 14a (or the second polyimide resin layer 14b) may be formed. Particularly, in the case of using a solution in which a polyimide resin is dissolved in a solvent, it is preferable to conduct a heat treatment in order to volatilize the solvent. A laminating step to be described later may be performed using a glass substrate having a resin substrate and a resin substrate having a resin layer obtained by the above process.

(제1 수지층 형성 공정) (First resin layer forming step)

제1 수지층 형성 공정은, 지지 기재 위에 형성된, 열 경화에 의해 폴리이미드 수지가 되는 경화성 수지의 층에 가열 처리를 실시함으로써, 폴리이미드 수지의 층을 얻는 공정이다. 또한, 상술한 바와 같이 폴리이미드 수지가, 식 (1)로 표현되는, 테트라카르복실산류의 잔기 (X)와 디아민류의 잔기 (A)를 갖는 반복 단위를 포함하는 것이 바람직하고, 테트라카르복실산류의 잔기 (X)가 상기 식 (X1) 내지 (X4)로 표현되는 기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 기를 포함하는 것이 바람직하고, 디아민류의 잔기 (A)가 상기 식 (A1) 내지 (A8)로 표현되는 기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 기를 포함하는 것이 바람직하다. 도 2의 (A)에 도시한 바와 같이, 해당 공정에서는 지지 기재(12)의 적어도 편면의 표면 위에 제1 폴리이미드 수지층(14a)이 형성된다.The first resin layer forming step is a step of obtaining a polyimide resin layer by applying heat treatment to a layer of a curable resin which is formed on a supporting substrate and becomes a polyimide resin by thermal curing. In addition, as described above, the polyimide resin preferably contains a repeating unit having a residue (X) of a tetracarboxylic acid and a residue (A) of a diamine represented by the formula (1) It is preferable that the residue (X) of the acid includes at least one group selected from the group consisting of the groups represented by the above formulas (X1) to (X4), and the residue (A) And at least one group selected from the group consisting of a group represented by the formula (A8). As shown in Fig. 2A, the first polyimide resin layer 14a is formed on at least one surface of the supporting substrate 12 in the process.

이하, 수지층 형성 공정을, 이하의 2개의 공정으로 나누어 설명한다.Hereinafter, the resin layer forming step will be described by dividing it into the following two steps.

공정 (1): 열 경화에 의해, 상기 식 (1)로 표현되는 반복 단위를 포함하는 폴리이미드 수지가 되는 경화성 수지를 지지 기재(12) 위에 도포하여, 도막을 얻는 공정Step (1): A step of applying a curable resin, which is a polyimide resin containing the repeating unit represented by the above formula (1), onto the supporting substrate 12 by thermal curing to obtain a coated film

공정 (2): 도막에 가열 처리를 실시하여, 제1 폴리이미드 수지층(14a)을 형성하는 공정Step (2): Step of forming a first polyimide resin layer 14a by applying a heat treatment to the coated film

이하, 각각의 공정의 수순에 대하여 상세하게 설명한다.Hereinafter, the procedure of each step will be described in detail.

(공정 (1): 도막 형성 공정) (Step (1): Coating film forming step)

공정 (1)은, 열 경화에 의해 상기 식 (1)로 표현되는 반복 단위를 갖는 폴리이미드 수지가 되는 경화성 수지를 지지 기재(12) 위에 도포하여, 도막을 얻는 공정이다.The step (1) is a step of applying a curable resin, which is a polyimide resin having a repeating unit represented by the above formula (1), to the supporting substrate 12 by thermosetting to obtain a coated film.

또한, 경화성 수지는 테트라카르복실산 이무수물과 디아민류를 반응시켜 얻어지는 폴리아미드산을 포함하는 것이 바람직하고, 테트라카르복실산 이무수물의 적어도 일부가 하기 식 (Y1) 내지 (Y4)로 표현되는 화합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 테트라카르복실산 이무수물인 것이 바람직하고, 디아민류의 적어도 일부가 하기 식 (B1) 내지 (B8)로 표현되는 화합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 디아민류인 것이 바람직하다.The curable resin preferably contains a polyamic acid obtained by reacting a tetracarboxylic acid dianhydride with a diamine, and it is preferable that at least a part of the tetracarboxylic acid dianhydride is a compound represented by the following formulas (Y1) to (Y4) , And at least one kind of diamines selected from the group consisting of at least one kind of diamine selected from the group consisting of compounds represented by the following formulas (B1) to (B8) .

Figure pct00005
Figure pct00005

Figure pct00006
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또한, 폴리아미드산은, 통상 이하 식 (2-1) 및/또는 식 (2-2)로 표현되는 반복 단위를 포함하는 구조식으로서 표현된다. 또한, 식 (2-1) 및 식 (2-2) 중 X 및 A의 정의는 상술한 바와 같다.In addition, the polyamic acid is usually represented by a structural formula containing a repeating unit represented by the following formula (2-1) and / or formula (2-2). The definitions of X and A in the formulas (2-1) and (2-2) are as described above.

Figure pct00007
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테트라카르복실산 이무수물과 디아민류의 반응 조건은 특별히 제한되지 않고, 폴리아미드산을 효율적으로 합성할 수 있다는 점에서, -30 내지 70℃에서 반응시키는 것이 바람직하고, -20 내지 40℃에서 반응시키는 것이 보다 바람직하다.The reaction conditions of the tetracarboxylic dianhydride and the diamines are not particularly limited and the reaction is preferably carried out at -30 to 70 ° C in view of the efficient synthesis of the polyamic acid, .

테트라카르복실산 이무수물과 디아민류의 혼합 비율은 특별히 제한되지 않지만, 디아민류 1몰에 대하여, 테트라카르복실산 이무수물을 바람직하게는 0.66 내지 1.5몰, 보다 바람직하게는 0.9 내지 1.1몰, 더욱 바람직하게는 0.97 내지 1.03몰 반응시킨다.The mixing ratio of the tetracarboxylic dianhydride and the diamine is not particularly limited, but it is preferable that the tetracarboxylic dianhydride is used in an amount of 0.66 to 1.5 moles, more preferably 0.9 to 1.1 moles, Preferably 0.97 to 1.03 mol, per mole of the reaction product.

테트라카르복실산 이무수물과 디아민류의 반응 시에는, 필요에 따라 유기 용매를 사용해도 된다. 사용되는 유기 용매의 종류는 특별히 제한되지 않지만, 예를 들어 N-메틸-2-피롤리돈, N,N-디메틸아세트아미드, N,N-디에틸아세트아미드, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디에틸포름아미드, N-메틸카프로락탐, 헥사메틸포스포르아미드, 테트라메틸렌술폰, 디메틸술폭시드, m-크레졸, 페놀, p-클로로페놀, 2-클로로-4-히드록시톨루엔, 디글라임, 트리글라임, 테트라글라임, 디옥산, γ-부티로락톤, 디옥솔란, 시클로헥사논, 시클로펜타논 등이 사용 가능하고, 2종 이상을 병용해도 된다.In the reaction of the tetracarboxylic dianhydride and the diamine, an organic solvent may be used if necessary. The kind of the organic solvent to be used is not particularly limited, and examples thereof include N, N-dimethylacetamide, N, N, N-diethylformamide, N-methylcaprolactam, hexamethylphosphoramide, tetramethylene sulfone, dimethyl sulfoxide, m-cresol, phenol, p- chlorophenol, Diglyme, triglyme, tetraglyme, dioxane, gamma -butyrolactone, dioxolane, cyclohexanone, cyclopentanone, and the like may be used, and two or more of them may be used in combination.

상기 반응 시에는, 필요에 따라 상기 식 (Y1) 내지 (Y4)로 표현되는 화합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 테트라카르복실산 이무수물 이외의 다른 테트라카르복실산 이무수물을 함께 사용해도 된다.In the above reaction, tetracarboxylic acid dianhydride other than the tetracarboxylic acid dianhydride selected from the group consisting of the compounds represented by the above-mentioned formulas (Y1) to (Y4) may be used together if necessary.

또한, 상기 반응 시에는, 필요에 따라 상기 식 (B1) 내지 (B8)로 표현되는 화합물로 이루어지는 군으로부터 선택되는 디아민류 이외의 다른 디아민류를 함께 사용해도 된다.In the above reaction, diamines other than the diamines selected from the group consisting of the compounds represented by the above-mentioned formulas (B1) to (B8) may be used together if necessary.

또한, 본 공정에 있어서 사용되는 경화성 수지는, 상기 테트라카르복실산 이무수물과 디아민류를 반응시켜 얻어지는 폴리아미드산 이외에, 폴리아미드산과 반응할 수 있는 테트라카르복실산 이무수물 또는 디아민류를 포함하고 있어도 된다. 폴리아미드산 이외에, 테트라카르복실산 이무수물 또는 디아민류를 첨가하면, 식 (2-1) 또는 식 (2-2)로 표현되는 반복 단위를 갖는 2 이상의 폴리아미드산 분자를 테트라카르복실산 이무수물 또는 디아민류를 개재하여 결합시킬 수 있다.The curable resin to be used in the present step may contain a tetracarboxylic acid dianhydride or a diamine which can react with a polyamic acid in addition to the polyamic acid obtained by reacting the tetracarboxylic dianhydride with a diamine . It is possible to add a tetracarboxylic acid dianhydride or a diamine in addition to the polyamic acid to convert at least two polyamic acid molecules having a repeating unit represented by the formula (2-1) or (2-2) into a tetracarboxylic acid dianhydride Water or a diamine.

폴리아미드산의 말단에 아미노기를 갖는 경우는, 테트라카르복실산 이무수물을 첨가해도 되고, 폴리아미드산의 1몰에 대하여, 카르복실기가 0.9 내지 1.1몰이 되도록 첨가해도 된다. 폴리아미드산의 말단에 카르복실기를 갖는 경우는 디아민류를 첨가해도 되고, 폴리아미드산의 1몰에 대하여, 아미노기가 0.9 내지 1.1몰이 되도록 첨가해도 된다. 또한, 폴리아미드산의 말단에 카르복실기를 갖는 경우, 산 말단은 물 또는 임의의 알코올을 첨가하여 말단의 산 무수물기를 개환시킨 것을 사용해도 된다.When an amino group is present at the terminal of the polyamic acid, a tetracarboxylic acid dianhydride may be added, or may be added so that the carboxyl group is 0.9 to 1.1 moles per mole of the polyamic acid. When a carboxyl group is present at the terminal of the polyamic acid, a diamine may be added, or the amino group may be added in an amount of 0.9 to 1.1 moles per mole of the polyamic acid. When the polyamide acid has a carboxyl group at the terminal thereof, the acid terminal may be obtained by ring opening the terminal acid anhydride group by adding water or an optional alcohol.

후에 첨가하는 테트라카르복실산 이무수물은, 식 (Y1) 내지 (Y4)로 표현되는 화합물인 것이 보다 바람직하다. 후에 첨가하는 디아민류는 방향환을 갖는 디아민류가 바람직하고, 식 (B1) 내지 (B8)로 표현되는 화합물인 것이 보다 바람직하다.The tetracarboxylic dianhydride to be added later is more preferably a compound represented by the formula (Y1) to (Y4). The diamines to be added afterward are preferably diamines having aromatic rings, more preferably compounds represented by the formulas (B1) to (B8).

테트라카르복실산 이무수물류 또는 디아민류를 후에 첨가하는 경우, 식 (2-1) 또는 식 (2-2)로 표현되는 반복 단위를 갖는 폴리아미드산의 중합도 (n)은 1 내지 20이 바람직하다. 중합도 (n)이 이 범위이면, 경화성 수지의 용액 중 폴리아미드산 농도를 30질량% 이상으로 해도 경화성 수지의 용액을 저점도로 할 수 있다.When the tetracarboxylic acid dianhydrides or diamines are added later, the polymerization degree (n) of the polyamic acid having the repeating unit represented by the formula (2-1) or (2-2) is preferably 1 to 20 . When the degree of polymerization (n) is within this range, the solution of the curable resin can be made to have a low viscosity even if the polyamic acid concentration in the solution of the curable resin is 30 mass% or more.

본 공정에서는, 경화성 수지 이외의 성분을 사용해도 된다.In this step, components other than the curable resin may be used.

예를 들어, 용매를 사용해도 된다. 보다 구체적으로는, 경화성 수지를 용매에 용해시켜, 경화성 수지의 용액(경화성 수지 용액)으로서 사용해도 된다. 용매로서는, 특히 폴리아미드산의 용해성의 관점에서, 유기 용매가 바람직하다. 사용되는 유기 용매로서는, 상술한 반응 시에 사용되는 유기 용매를 들 수 있다.For example, a solvent may be used. More specifically, the curable resin may be dissolved in a solvent and used as a curable resin solution (curable resin solution). As the solvent, an organic solvent is particularly preferable in view of the solubility of the polyamic acid. As the organic solvent to be used, an organic solvent used in the above-mentioned reaction can be mentioned.

또한, 경화성 수지 용액 중에 유기 용매가 포함되는 경우, 도막의 두께의 조정, 도포성을 양호하게 할 수 있는 양이면, 유기 용매의 함유량은 특별히 제한되지 않지만, 일반적으로 경화성 수지 용액 전체 질량에 대하여, 5 내지 95질량%가 바람직하고, 10 내지 90질량%가 보다 바람직하다.When the organic solvent is contained in the curable resin solution, the content of the organic solvent is not particularly limited as long as the thickness of the coating film can be adjusted and the coating property can be improved. Generally, Is preferably 5 to 95 mass%, more preferably 10 to 90 mass%.

또한, 필요에 따라 폴리아미드산의 탈수 폐환을 촉진하기 위한 탈수제 또는 탈수 폐환 촉매를 함께 사용해도 된다. 탈수제로서는, 예를 들어 무수 아세트산, 무수 프로피온산, 무수 트리플루오로아세트산 등의 산 무수물을 사용할 수 있다. 또한, 탈수 폐환 촉매로서는, 예를 들어 피리딘, 콜리딘, 루티딘, 트리에틸아민 등의 3급 아민을 사용할 수 있다.If necessary, a dehydrating agent or a dehydrating ring-closing catalyst may be used together to promote dehydration ring closure of the polyamic acid. As the dehydrating agent, for example, acid anhydrides such as acetic anhydride, propionic anhydride, and trifluoroacetic anhydride can be used. As the dehydration cyclization catalyst, for example, tertiary amines such as pyridine, collidine, lutidine and triethylamine can be used.

또한, 상술한 내열성을 저해하지 않는 필러를 포함시켜도 된다.In addition, a filler that does not impair the above-described heat resistance may be included.

지지 기재(12) 표면 위에 경화성 수지(또는 경화성 수지 용액)를 도포하는 방법은 특별히 한정되지 않고 공지의 방법을 사용할 수 있다. 예를 들어, 스프레이 코팅법, 다이 코팅법, 스핀 코팅법, 딥 코팅법, 롤 코팅법, 바 코팅법, 스크린 인쇄법, 그라비아 코팅법 등을 들 수 있다.The method of applying the curable resin (or the curable resin solution) on the surface of the support substrate 12 is not particularly limited and a known method can be used. Examples of the coating method include a spray coating method, a die coating method, a spin coating method, a dip coating method, a roll coating method, a bar coating method, a screen printing method and a gravure coating method.

상기 처리에 의해 얻어지는 도막의 두께는 특별히 제한되지 않고, 상술한 원하는 두께의 제1 폴리이미드 수지층(14a)이 얻어지도록 적절히 조정된다.The thickness of the coating film obtained by the above treatment is not particularly limited and is appropriately adjusted so that the first polyimide resin layer 14a having the above-described desired thickness can be obtained.

(공정 (2): 가열 처리 공정) (Process (2): heat treatment process)

공정 (2)는 도막에 가열 처리를 실시하여, 제1 폴리이미드 수지층(14a)을 형성하는 공정이다. 본 공정을 실시함으로써, 예를 들어 경화성 수지에 포함되는 폴리아미드산의 폐환반응이 진행되어, 원하는 수지층이 형성된다.Step (2) is a step of forming a first polyimide resin layer 14a by applying a heat treatment to the coated film. By carrying out this step, for example, the cyclization reaction of the polyamic acid contained in the curable resin proceeds to form a desired resin layer.

가열 처리의 방법은 특별히 제한되지 않고, 공지의 방법(예를 들어, 도막을 갖는 지지 기재를 가열 오븐 내에 정치하여 가열하는 방법)이 적절히 사용된다.The method of the heat treatment is not particularly limited, and a well-known method (for example, a method of heating and heating a supporting substrate having a coating film in a heating oven) is suitably used.

가열 온도는 특별히 제한되지 않지만, 250℃ 이상 500℃ 이하인 것이 바람직하고, 잔류 용매율이 낮아짐과 함께, 이미드화율이 보다 상승되어, 본 발명의 효과가 보다 우수하다는 점에서, 300 내지 450℃가 보다 바람직하다.Although the heating temperature is not particularly limited, it is preferably 250 deg. C or more and 500 deg. C or less, more preferably 300 deg. C to 450 deg. C from the standpoint of lowering the residual solvent ratio and further increasing the imidization rate, More preferable.

가열 시간은 특별히 제한되지 않고, 사용되는 경화성 수지의 구조에 의해 적절히 최적의 시간이 선택되지만, 잔류 용매율이 낮아짐과 함께, 이미드화율이 보다 상승되어, 본 발명의 효과가 보다 우수하다는 점에서, 15 내지 120분이 바람직하고, 30 내지 60분이 보다 바람직하다.The heating time is not particularly limited, and the optimum time is appropriately selected depending on the structure of the curable resin used. However, since the residual solvent ratio is lowered and the imidization rate is further increased, the effect of the present invention is more excellent , Preferably 15 to 120 minutes, and more preferably 30 to 60 minutes.

가열의 분위기는 특별히 제한되지 않고, 예를 들어 대기 중 하에서, 진공 하 또는 불활성 가스 하에서 실시된다.The atmosphere of heating is not particularly limited, and is carried out, for example, under the atmosphere, under vacuum, or under an inert gas.

또한, 가열 처리는, 상이한 온도에서 단계적으로 실시해도 된다.Further, the heat treatment may be carried out stepwise at different temperatures.

또한, 상기 가열 온도에서의 처리 전에, 필요에 따라 도막 중의 휘발 성분(용매)을 제거하기 위한 건조 가열 처리를 실시해도 된다. 건조 가열 처리의 온도 조건은 특별히 제한되지 않지만, 본 발명의 효과가 보다 우수하다는 점에서, 40℃ 내지 200℃에서의 가열 처리가 바람직하다. 또한, 건조 시간은 특별히 제한되지 않고, 본 발명의 효과가 보다 우수하다는 점에서, 15 내지 120분이 바람직하고, 30 내지 60분이 보다 바람직하다. 또한, 건조 가열 처리는, 상이한 온도에서 단계적으로 실시해도 된다.Also, before the treatment at the heating temperature, a drying heat treatment for removing the volatile component (solvent) in the coating film may be carried out if necessary. The temperature condition of the dry heat treatment is not particularly limited, but heat treatment at 40 캜 to 200 캜 is preferable in that the effect of the present invention is better. The drying time is not particularly limited and is preferably 15 to 120 minutes, and more preferably 30 to 60 minutes, in that the effect of the present invention is better. Further, the dry heat treatment may be carried out stepwise at different temperatures.

따라서, 본 공정 (2)의 적합 형태의 하나로서는, 상기 온도에서의 건조 가열 처리를 실시한 후, 상기 250℃ 이상 500℃ 이하에서의 가열 처리를 재차 실시하는 형태를 들 수 있다.Therefore, one of the preferable forms of the present step (2) is a method in which after the drying heat treatment at the temperature is performed, the heat treatment at 250 DEG C or higher and 500 DEG C or lower is carried out again.

상기 공정 (2)를 거침으로써, 폴리이미드 수지를 포함하는 제1 폴리이미드 수지층(14a)이 형성된다.By going through the above step (2), the first polyimide resin layer 14a including the polyimide resin is formed.

폴리이미드 수지의 이미드화율은 특별히 제한되지 않지만, 본 발명의 효과가 보다 우수하다는 점에서, 99.0% 이상이 바람직하고, 99.5% 이상이 보다 바람직하다.The imidization rate of the polyimide resin is not particularly limited, but is preferably 99.0% or more, and more preferably 99.5% or more, from the viewpoint of the effect of the present invention being more excellent.

이미드화율의 측정 방법은, 이하와 같다. 경화성 수지를 질소 분위기 하에서 350℃에서 2시간 가열한 경우를 100%의 이미드화율로 하여, 경화성 수지의 IR에 의한 스펙트럼에 있어서 가열 처리 전후에 불변의 피크 강도(예를 들어, 벤젠환 유래의 피크: 약 1500㎝-1)에 대한, 이미드카르보닐기 유래의 피크: 약 1780㎝-1의 피크 강도의 강도비에 의해 이미드화율을 구한다.The measurement method of the imidization rate is as follows. When the curable resin is heated at 350 DEG C for 2 hours in a nitrogen atmosphere, the imidization rate is set to 100%, and the peak intensity before and after the heat treatment in the IR spectrum of the curable resin (for example, Peak: about 1500 cm -1 ), the imidation rate is obtained by the intensity ratio of the peak intensity from the imidecarbonyl group: about 1780 cm -1 .

(제2 수지층 형성 공정) (Second resin layer forming step)

제2 수지층 형성 공정은, 유리 기판 위에 형성된, 열 경화에 의해 폴리이미드 수지가 되는 경화성 수지의 층에, 가열 처리를 실시함으로써, 제2 폴리이미드 수지의 층을 얻는 공정이다. 또한, 상술한 바와 같이 폴리이미드 수지가, 식 (1)로 표현되는, 테트라카르복실산류의 잔기 (X)와 디아민류의 잔기 (A)를 갖는 반복 단위를 포함하는 것이 바람직하다. 본 공정에 있어서는, 상술한 제1 수지층 형성 공정과 마찬가지의 수순(도막 형성 공정 및 가열 처리 공정)을 실시함으로써, 도 2의 (B)에 도시한 바와 같이, 유리 기판(16)의 적어도 편면 위에 제2 폴리이미드 수지층(14b)이 형성된다.The second resin layer forming step is a step of forming a layer of the second polyimide resin on the glass substrate by applying heat treatment to the layer of the curable resin that becomes the polyimide resin by thermal curing. As described above, it is preferable that the polyimide resin contains a repeating unit having a residue (X) of a tetracarboxylic acid and a residue (A) of a diamine represented by the formula (1). In this step, by performing the same procedure (coating film forming step and heat treatment step) as the above-mentioned first resin layer forming step, as shown in FIG. 2 (B) The second polyimide resin layer 14b is formed.

(적층 공정) (Lamination step)

적층 공정은, 상기한 제1 수지층 형성 공정에서 얻어진 수지층을 갖는 지지 기재(18)와, 제2 수지층 형성 공정에서 얻어진 수지층을 갖는 유리 기판(20)을 적층하고, 지지 기재(12), 제1 폴리이미드 수지층(14a), 제2 폴리이미드 수지층(14b) 및 유리 기판(16)을 이 순으로 구비하는 유리 적층체(10)를 얻는 공정이다. 보다 구체적으로는, 도 2의 (C)에 도시한 바와 같이, 제1 폴리이미드 수지층(14a)의 지지 기재(12)측과는 반대측의 표면(114a)과, 제2 폴리이미드 수지층(14b)의 유리 기판(16)측과는 반대측의 표면(114b)을 적층면으로 하여, 제1 폴리이미드 수지층(14a)과 제2 폴리이미드 수지층(14b)을 적층하여, 유리 적층체(10)를 얻는다.In the laminating step, the supporting substrate 18 having the resin layer obtained in the above-mentioned first resin layer forming step and the glass substrate 20 having the resin layer obtained in the second resin layer forming step are laminated and the supporting substrate 12 ), A first polyimide resin layer 14a, a second polyimide resin layer 14b, and a glass substrate 16 in this order. More specifically, as shown in Fig. 2C, the surface 114a of the first polyimide resin layer 14a opposite to the side of the supporting substrate 12 and the surface 114a of the second polyimide resin layer The first polyimide resin layer 14a and the second polyimide resin layer 14b are laminated with the surface 114b on the opposite side of the glass substrate 16 side of the first polyimide resin layer 14a and the second polyimide resin layer 14b as the lamination surface, 10).

수지층을 갖는 지지 기재(18)와 수지층을 갖는 유리 기판(20)을 적층하는 방법은 특별히 제한되지 않고, 공지의 방법을 채용할 수 있다.The method of laminating the supporting substrate 18 having a resin layer and the glass substrate 20 having a resin layer is not particularly limited and a known method can be employed.

예를 들어, 상압 환경 하에서 수지층을 갖는 지지 기재(18) 중의 제1 폴리이미드 수지층(14a)의 표면 위에 수지층을 갖는 유리 기판(20) 중의 제2 폴리이미드 수지층(14b)을 포개는 방법을 들 수 있다. 또한, 필요에 따라 수지층을 갖는 지지 기재(18)와 수지층을 갖는 유리 기판(20)을 포갠 후, 롤이나 프레스를 사용하여 제1 폴리이미드 수지층(14a)과 제2 폴리이미드 수지층(14b)을 압착시켜도 된다. 롤 또는 프레스에 의한 압착에 의해 제1 폴리이미드 수지층(14a)과 제2 폴리이미드 수지층(14b) 사이에 혼입되어 있는 기포가 비교적 용이하게 제거되므로 바람직하다.For example, the second polyimide resin layer 14b in the glass substrate 20 having the resin layer on the surface of the first polyimide resin layer 14a in the supporting substrate 18 having the resin layer under an atmospheric pressure environment is superposed . After the support substrate 18 having the resin layer and the glass substrate 20 having the resin layer are stacked as required, the first polyimide resin layer 14a and the second polyimide resin layer 14b are formed using a roll or a press, (14b) may be pressed. It is preferable that bubbles mixed in between the first polyimide resin layer 14a and the second polyimide resin layer 14b are relatively easily removed by pressing by roll or press.

진공 라미네이트법이나 진공 프레스법에 의해 제1 폴리이미드 수지층(14a)과 제2 폴리이미드 수지층(14b)을 압착하면, 기포의 혼입 억제나 양호한 밀착의 확보가 행하여지므로 보다 바람직하다. 진공 하에서 압착함으로써, 미소한 기포가 잔존한 경우에도 가열에 의해 기포가 성장하지 않아, 유리 기판(16)의 왜곡 결함으로 이어지기 어렵다는 이점도 있다. 또한, 진공 가열 하에서 압착함으로써, 보다 기포가 잔존하기 어렵다.The first polyimide resin layer 14a and the second polyimide resin layer 14b are pressed together by a vacuum laminating method or a vacuum press method so that mixing of bubbles is suppressed and good adhesion is ensured. Even when minute bubbles remain, the bubbles do not grow due to heating, which makes it difficult to cause distortion defects in the glass substrate 16. Further, by pressing under vacuum heating, bubbles are less likely to remain.

수지층을 갖는 지지 기재(18)와 수지층을 갖는 유리 기판(20)을 적층할 때에는, 제1 폴리이미드 수지층(14a)의 표면(114a) 및 제2 폴리이미드 수지층(14b)의 표면(114b)을 충분히 세정하여, 클린도가 높은 환경에서 적층하는 것이 바람직하다. 클린도가 높을수록, 유리 기판(16)의 평탄성은 양호해지므로 바람직하다.The surface 114a of the first polyimide resin layer 14a and the surface of the second polyimide resin layer 14b on the surface of the second polyimide resin layer 14b are laminated on the support substrate 18 having the resin layer and the glass substrate 20 having the resin layer, It is preferable to thoroughly clean the resin layer 114b and laminate it in an environment with high cleanliness. The higher the cleanliness, the better the flatness of the glass substrate 16 is.

또한, 수지층을 갖는 지지 기재(18)와 수지층을 갖는 유리 기판(20)을 적층한 후, 필요에 따라 프리어닐 처리(가열 처리)를 행해도 된다. 해당 프리어닐 처리를 행함으로써, 적층된 수지층을 갖는 지지 기재(18)와 수지층을 갖는 유리 기판(20)의 밀착성이 향상되고, 적절한 박리 강도로 할 수 있어, 후술하는 부재 형성 공정 시에 전자 디바이스용 부재의 위치 어긋남 등이 발생하기 어려워져, 전자 디바이스의 생산성이 향상된다.Further, after the support substrate 18 having a resin layer and the glass substrate 20 having a resin layer are laminated, a pre-annealing treatment (heat treatment) may be carried out if necessary. By performing the pre-annealing process, adhesion between the support substrate 18 having a laminated resin layer and the glass substrate 20 having a resin layer can be improved, and an appropriate peel strength can be obtained. In the member forming process The positional deviation and the like of the electronic device member are less likely to occur, and the productivity of the electronic device is improved.

프리어닐 처리의 조건은 사용되는 제1 폴리이미드 수지층(14a) 및 제2 폴리이미드 수지층(14b)의 재료의 종류에 따라 적절히 최적의 조건이 선택되지만, 200℃ 이상(바람직하게는, 200 내지 400℃)에서 5분간 이상(바람직하게는, 5 내지 30분간) 가열 처리를 행하는 것이 바람직하다.The conditions of the pre-annealing treatment are appropriately selected in accordance with the kind of the materials of the first polyimide resin layer 14a and the second polyimide resin layer 14b to be used, Deg.] C to 400 [deg.] C) for 5 minutes or longer (preferably 5 to 30 minutes).

(유리 적층체) (Glass laminate)

본 발명의 유리 적층체(10)는 다양한 용도로 사용할 수 있고, 예를 들어 후술하는 표시 장치용 패널, PV, 박막 2차 전지, 표면에 회로가 형성된 반도체 웨이퍼 등의 전자 부품을 제조하는 용도 등을 들 수 있다. 또한, 해당 용도에서는, 유리 적층체(10)가 고온 조건(예를 들어, 400℃ 이상)에 노출되는(예를 들어, 1시간 이상) 경우가 많다.The glass laminate 10 of the present invention can be used for various purposes, for example, for the purpose of producing electronic components such as display panel, PV, thin-film secondary battery, semiconductor wafer with a circuit formed on the surface, etc. . Further, in the intended use, the glass laminate 10 is often exposed to high temperature conditions (for example, 400 DEG C or more) (for example, 1 hour or more).

여기서, 표시 장치용 패널이란, LCD, OLED, 전자 페이퍼, 플라즈마 디스플레이 패널, 필드 에미션 패널, 양자 도트 LED 패널, MEMS(Micro Electro Mechanical Systems) 셔터 패널 등이 포함된다.Here, the display device panel includes an LCD, an OLED, an electronic paper, a plasma display panel, a field emission panel, a quantum dot LED panel, a MEMS (Micro Electro Mechanical Systems) shutter panel, and the like.

[전자 디바이스 및 그의 제조 방법][Electronic device and manufacturing method thereof]

본 발명에 있어서는, 상술한 적층체를 사용하여, 제2 폴리이미드 수지층과 유리 기판과 전자 디바이스용 부재를 포함하는 부재를 갖는 유리 기판(전자 디바이스)이 제조된다.In the present invention, a glass substrate (electronic device) having a second polyimide resin layer, a glass substrate, and a member including a member for an electronic device is manufactured using the above-described laminate.

해당 전자 디바이스의 제조 방법은 특별히 한정되지 않지만, 전자 디바이스의 생산성이 우수하다는 점에서, 상기 유리 적층체 중의 유리 기판 위에 전자 디바이스용 부재를 형성하여 전자 디바이스용 부재를 갖는 적층체를 제조하고, 얻어진 전자 디바이스용 부재를 갖는 적층체를, 제1 폴리이미드 수지층과 제2 폴리이미드 수지층의 계면을 박리면으로 하여, 전자 디바이스와 수지층을 갖는 지지 기재로 분리되는 방법이 바람직하다.The production method of the electronic device is not particularly limited, but from the viewpoint of excellent productivity of the electronic device, the electronic device member is formed on the glass substrate in the glass laminate to produce a laminate having the electronic device member, It is preferable that the laminate having a member for an electronic device is separated into a supporting substrate having an electronic device and a resin layer with the interface between the first polyimide resin layer and the second polyimide resin layer being peeled off.

이하, 상기 유리 적층체 중의 유리 기판 위에 전자 디바이스용 부재를 형성하여 전자 디바이스용 부재를 갖는 적층체를 제조하는 공정을 부재 형성 공정, 전자 디바이스용 부재를 갖는 적층체를 제1 폴리이미드 수지층과 제2 폴리이미드 수지층의 계면을 박리면으로 하여 전자 디바이스와 수지층을 갖는 지지 기재로 분리하는 공정을 분리 공정이라고 한다.Hereinafter, a step of forming a member for an electronic device on a glass substrate in the glass laminate to produce a laminate having an electronic device member is referred to as a member forming step, a step of forming a laminate having a member for an electronic device on the first polyimide resin layer The step of separating the second polyimide resin layer into a supporting substrate having an electronic device and a resin layer as a peeled interface is referred to as a separation step.

이하에, 각 공정에서 사용되는 재료 및 수순에 대하여 상세하게 설명한다.Hereinafter, materials and procedures used in each step will be described in detail.

(부재 형성 공정) (Member forming process)

부재 형성 공정은, 상기 적층 공정에 있어서 얻어진 유리 적층체(10) 중의 유리 기판(16) 위에 전자 디바이스용 부재를 형성하는 공정이다. 보다 구체적으로는, 도 2의 (D)에 도시한 바와 같이 유리 기판(16)의 제2 주면(16b)(노출 표면) 위에 전자 디바이스용 부재(22)를 형성하여, 전자 디바이스용 부재를 갖는 적층체(24)를 얻는다.The member forming step is a step of forming an electronic device member on the glass substrate 16 in the glass laminate 10 obtained in the laminating step. More specifically, the electronic device member 22 is formed on the second main surface 16b (exposed surface) of the glass substrate 16 as shown in Fig. 2 (D) To obtain a layered product (24).

우선, 본 공정에서 사용되는 전자 디바이스용 부재(22)에 대하여 상세하게 설명하고, 그 후속 공정의 수순에 대하여 상세하게 설명한다.First, the electronic device member 22 used in this process will be described in detail and the procedure of the subsequent process will be described in detail.

(전자 디바이스용 부재(기능성 소자)) (Member for electronic device (functional element))

전자 디바이스용 부재(22)는 유리 적층체(10) 중의 유리 기판(16) 위에 형성되어 전자 디바이스의 적어도 일부를 구성하는 부재이다. 보다 구체적으로는, 전자 디바이스용 부재(22)로서는, 표시 장치용 패널, 태양 전지, 박막 2차 전지 또는 표면에 회로가 형성된 반도체 웨이퍼 등의 전자 부품 등에 사용되는 부재(예를 들어, 표시 장치용 부재, 태양 전지용 부재, 박막 2차 전지용 부재, 전자 부품용 회로)를 들 수 있다.The member 22 for the electronic device is a member formed on the glass substrate 16 in the glass laminate 10 and constituting at least a part of the electronic device. More specifically, as the member 22 for the electronic device, a member used for a display device panel, a solar cell, a thin-film secondary battery, or an electronic part such as a semiconductor wafer on which a circuit is formed (for example, Members for solar cells, members for thin film secondary batteries, circuits for electronic parts).

예를 들어, 태양 전지용 부재로서는, 실리콘형에서는 정극의 산화주석 등 투명 전극, p층/i층/n층으로 표현되는 실리콘층 및 부극의 금속 등을 들 수 있고, 그밖에 화합물형, 색소 증감형, 양자 도트형 등에 대응하는 각종 부재 등을 들 수 있다.For example, as a member for a solar cell, a transparent electrode such as tin oxide of a positive electrode in a silicon type, a silicon layer and a metal of a negative electrode represented by a p layer / an i layer / an n layer, , A quantum dot type, and the like.

또한, 박막 2차 전지용 부재로서는, 리튬 이온형에서는, 정극 및 부극의 금속 또는 금속 산화물 등의 투명 전극, 전해질층의 리튬 화합물, 집전층의 금속, 밀봉층으로서의 수지 등을 들 수 있고, 그 밖에 니켈수소형, 중합체형, 세라믹스 전해질형 등에 대응하는 각종 부재 등을 들 수 있다.Examples of members for a thin film secondary battery include a transparent electrode such as a metal or a metal oxide of a positive electrode and a negative electrode, a lithium compound of an electrolyte layer, a metal of a current collecting layer, a resin as a sealing layer, and the like in the lithium ion type. Various members corresponding to nickel-nickel-plated, polymer-type, ceramics-electrolyte-type, and the like.

또한, 전자 부품용 회로로서는, CCD나 CMOS에서는, 도전부의 금속, 절연부의 산화규소나 질화규소 등을 들 수 있고, 그밖에 압력 센서·가속도 센서 등 각종 센서나 리지드 프린트 기판, 플렉시블 프린트 기판, 리지드 플렉시블 프린트 기판 등에 대응하는 각종 부재 등을 들 수 있다.Examples of the circuit for electronic parts include a metal of a conductive portion, silicon oxide of silicon and silicon nitride in a CCD or a CMOS, and various sensors such as a pressure sensor and an acceleration sensor, a rigid printed substrate, a flexible printed substrate, Various members corresponding to substrates and the like.

(공정의 수순) (Process procedure)

상술한 전자 디바이스용 부재를 갖는 적층체(24)의 제조 방법은 특별히 한정되지 않고 전자 디바이스용 부재의 구성 부재의 종류에 따라 종래 공지의 방법에 의해, 유리 적층체(10)의 유리 기판(16)의 제2 주면(16b) 위에 전자 디바이스용 부재(22)를 형성한다.The method of manufacturing the laminate 24 having the above-described electronic device member is not particularly limited, and the glass substrate 16 of the glass laminate 10 may be formed by a conventionally known method depending on the type of the constituent member of the electronic device member The electronic device member 22 is formed on the second main surface 16b of the electronic device.

또한, 전자 디바이스용 부재(22)는 유리 기판(16)의 제2 주면(16b)에 최종적으로 형성되는 부재의 전부(이하, 「전체 부재」라고 함)가 아니라, 전체 부재의 일부(이하, 「부분 부재」라고 함)이어도 된다. 또한, 부분 부재를 갖는 유리 기판을, 그 후의 공정에서 전체 부재를 갖는 유리 기판(후술하는 전자 디바이스에 상당)으로 할 수도 있다.It should be noted that the electronic device member 22 is not a whole of a member finally formed on the second main surface 16b of the glass substrate 16 Quot; partial member "). Further, the glass substrate having the partial members may be a glass substrate (corresponding to an electronic device described later) having an entire member in a subsequent step.

또한, 전체 부재를 갖는 적층체를 조립하고, 그 후, 전체 부재를 갖는 적층체로부터 수지층을 갖는 지지 기재(18)를 박리하여, 전자 디바이스를 제조할 수도 있다. 또한, 전체 부재를 갖는 적층체를 2매 사용하여 전자 디바이스를 조립하고, 그 후, 전체 부재를 갖는 적층체로부터 2매의 수지층을 갖는 지지 기재(18)를 박리하여, 2매의 유리 기판을 갖는 전자 디바이스를 제조할 수도 있다.Further, an electronic device may be manufactured by assembling a laminate having an entire member, and thereafter peeling the support base material 18 having a resin layer from the laminate having the entire member. Further, the electronic device is assembled by using two laminated members having the entire member, and then the supporting substrate 18 having two resin layers is peeled from the laminated member having the entire member, May be manufactured.

예를 들어, OLED를 제조하는 경우를 예로 들면, 유리 적층체(10)의 유리 기판(16)의 제2 폴리이미드 수지층(14b)측과는 반대측의 표면 위(유리 기판(16)의 제2 주면(16b)에 해당)에 유기 EL 구조체를 형성하기 위하여, 투명 전극을 형성하고, 또한 투명 전극을 형성한 면 위에 홀 주입층·홀 수송층·발광층·전자 수송층 등을 증착하고, 이면 전극을 형성하고, 밀봉판을 사용하여 밀봉하는 등의 각종 층의 형성이나 처리가 행하여진다. 이들 층 형성이나 처리로서, 구체적으로는, 예를 들어 성막 처리, 증착 처리, 밀봉판의 접착 처리 등을 들 수 있다.For example, in the case of manufacturing an OLED, the surface of the glass substrate 16 of the glass laminate 10 on the side opposite to the second polyimide resin layer 14b side (the surface of the glass substrate 16 A hole injection layer, a hole transporting layer, a light emitting layer, an electron transporting layer, and the like are deposited on the surface on which the transparent electrode is formed to form the organic EL structure on the second main surface 16b) And the formation and treatment of various layers such as sealing with a sealing plate are performed. Specific examples of such layer formation and treatment include film forming treatment, vapor deposition treatment, adhesion treatment of a sealing plate, and the like.

또한, 예를 들어 TFT-LCD를 제조하는 경우는 유리 적층체(10)의 유리 기판(16)의 제2 주면(16b) 위에 레지스트액을 사용하여, CVD법 및 스퍼터법 등 일반적인 성막법에 의해 형성되는 금속막 및 금속 산화막 등에 패턴 형성하여 박막 트랜지스터(TFT)를 형성하는 TFT 형성 공정과, 다른 유리 적층체(10)의 유리 기판(16)의 제2 주면(16b) 위에 레지스트액을 패턴 형성에 사용하여 컬러 필터(CF)를 형성하는 CF 형성 공정과, TFT 형성 공정에서 얻어진 TFT를 갖는 적층체와 CF 형성 공정에서 얻어진 CF를 갖는 적층체를 적층하는 접합 공정 등의 각종 공정을 갖는다.For example, in the case of manufacturing a TFT-LCD, a resist solution is used on the second main surface 16b of the glass substrate 16 of the glass laminate 10 by a general film formation method such as a CVD method and a sputtering method A TFT forming step of forming a thin film transistor (TFT) by forming a pattern on a metal film and a metal oxide film to be formed on the first main surface 16b of the glass laminate 10; And a bonding step of laminating a laminate having CF obtained in the laminate having the TFT obtained in the TFT forming step and CF obtained in the TFT forming step.

TFT 형성 공정이나 CF 형성 공정에서는, 주지의 포토리소그래피 기술이나 에칭 기술 등을 사용하여, 유리 기판(16)의 제2 주면(16b)에 TFT나 CF를 형성한다. 이때, 패턴 형성용 코팅액으로서 레지스트액이 사용된다.In the TFT forming step and the CF forming step, a TFT or CF is formed on the second main surface 16b of the glass substrate 16 by using a well-known photolithography technique or an etching technique. At this time, a resist solution is used as a coating liquid for pattern formation.

또한, TFT나 CF를 형성하기 전에, 필요에 따라 유리 기판(16)의 제2 주면(16b)을 세정해도 된다. 세정 방법으로서는, 주지의 드라이 세정이나 웨트 세정을 사용할 수 있다.Further, the second main surface 16b of the glass substrate 16 may be cleaned before forming the TFT or the CF, if necessary. As the cleaning method, well-known dry cleaning or wet cleaning can be used.

접합 공정에서는, TFT 갖는 적층체의 박막 트랜지스터 형성면과, CF 부착 적층체의 컬러 필터 형성면을 대향시켜, 밀봉제(예를 들어, 셀 형성용 자외선 경화형 밀봉제)를 사용하여 접합한다. 그 후, TFT 갖는 적층체와 CF 부착 적층체로 형성된 셀 내에 액정재를 주입한다. 액정재를 주입하는 방법으로서는, 예를 들어 감압 주입법, 적하 주입법이 있다.In the bonding step, the thin film transistor formation surface of the laminate having the TFT and the color filter formation surface of the CF laminate are opposed to each other and are bonded together using a sealing agent (for example, a UV-curable sealing agent for forming a cell). Thereafter, the liquid crystal material is injected into the cell formed of the laminate having the TFT and the CF laminate. As a method of injecting the liquid crystal material, for example, there are a reduced pressure injection method and a dropping injection method.

(분리 공정) (Separation step)

분리 공정은, 도 2의 (E)에 도시한 바와 같이 상기 부재 형성 공정에서 얻어진 전자 디바이스용 부재를 갖는 적층체(24)를, 제1 폴리이미드 수지층(14a)과 제2 폴리이미드 수지층(14b)의 계면을 박리면으로 하여, 전자 디바이스용 부재(22)가 적층된 수지층을 갖는 유리 기판(20)(전자 디바이스(26))과, 수지층을 갖는 지지 기재(18)로 분리하여, 제2 폴리이미드 수지층(14b), 유리 기판(16) 및 전자 디바이스용 부재(22)를 포함하는 부재를 갖는 유리 기판(전자 디바이스(26))을 얻는 공정이다.2 (E), the laminate 24 having the electronic device member obtained in the member forming step is laminated on the first polyimide resin layer 14a and the second polyimide resin layer 14a, (Electronic device 26) having a resin layer in which the electronic device member 22 is laminated and the supporting substrate 18 having the resin layer are separated (Electronic device 26) having a member including the second polyimide resin layer 14b, the glass substrate 16, and the electronic device member 22 is obtained.

박리 시의 유리 기판(16) 위의 전자 디바이스용 부재(22)가 필요한 전체 구성 부재의 일부인 경우에는 분리 후, 나머지 구성 부재를 유리 기판(16) 위에 형성할 수도 있다.When the electronic device member 22 on the glass substrate 16 at the time of peeling is a part of all necessary constituent members, the remaining constituent members may be formed on the glass substrate 16 after the detachment.

전자 디바이스(26)와 수지층을 갖는 지지 기재(18)를 박리하는 방법은, 특별히 한정되지 않는다. 구체적으로는, 예를 들어 제1 폴리이미드 수지층(14a)과 제2 폴리이미드 수지층(14b)의 계면에 예리한 칼날 형상의 것(손톱)을 삽입하고, 박리의 계기를 부여한 후, 물과 압축 공기의 혼합 유체를 분사하거나 하여 박리할 수 있다. 바람직하게는, 전자 디바이스용 부재를 갖는 적층체(24)의 지지 기재(12)가 상측, 전자 디바이스용 부재(22)측이 하측이 되도록 정반 위에 설치하고, 전자 디바이스용 부재(22)측을 정반 위에 진공 흡착하고, 이 상태에서 먼저 칼날을 제1 폴리이미드 수지층(14a)과 제2 폴리이미드 수지층(14b)의 계면에 침입시킨다. 그리고, 그 후에 지지 기재(12)측을 복수의 진공 흡착 패드로 흡착하여, 칼날을 삽입한 개소 부근부터 순서대로 진공 흡착 패드를 상승시킨다. 그렇게 하면 제1 폴리이미드 수지층(14a)과 제2 폴리이미드 수지층(14b)의 계면에 공기층이 형성되고, 그 공기층이 계면 전체면에 확대되어, 수지층을 갖는 지지 기재(18)를 용이하게 박리할 수 있다. 또한, 양면에 지지 기재가 적층되어 있는 경우는 순차 박리를 행한다.The method for peeling the electronic device 26 and the support base material 18 having the resin layer is not particularly limited. Concretely, for example, a sharp knife-like nail (nail) is inserted into the interface between the first polyimide resin layer 14a and the second polyimide resin layer 14b to give a moment of peeling, The mixed fluid of compressed air can be injected or separated. Preferably, the support member 12 of the layered product 24 having the electronic device member is disposed on the upper surface side and the electronic device member 22 side is disposed on the lower surface side, and the electronic device member 22 side In this state, the blade is first introduced into the interface between the first polyimide resin layer 14a and the second polyimide resin layer 14b. Thereafter, the support substrate 12 side is adsorbed by a plurality of vacuum adsorption pads, and the vacuum adsorption pads are raised in order from the vicinity of the position where the blade is inserted. An air layer is formed on the interface between the first polyimide resin layer 14a and the second polyimide resin layer 14b and the air layer is expanded on the entire surface of the interface so that the supporting substrate 18 having the resin layer can be easily . In the case where the supporting base material is laminated on both surfaces, the peeling is carried out successively.

또한, 수지층을 갖는 지지 기재(18)는 새로운 유리 기판과 적층하여, 본 발명의 유리 적층체(10)를 제조할 수 있다.Further, the supporting substrate 18 having a resin layer can be laminated with a new glass substrate to produce the glass laminate 10 of the present invention.

또한, 전자 디바이스(26)와 수지층을 갖는 지지 기재(18)를 박리할 때에는 제1 폴리이미드 수지층(14a)과 제2 폴리이미드 수지층(14b)의 계면에 박리 보조제를 분사하면서 박리하는 것이 바람직하다. 박리 보조제란, 상술한 물 등의 용매를 의도한다. 사용되는 박리 보조제로서는, 물이나 유기 용매(예를 들어, 에탄올) 등또는 그들의 혼합물 등을 들 수 있다. 또한, 박리된 전자 디바이스(26) 이면에 형성된 제2 폴리이미드 수지층은, 수세 등의 처리에 의해 제거하는 것이 가능하다. LCD 등 높은 광선 투과율이 필요한 경우에는 박리 후에 제2 폴리이미드 수지층을 제거하는 것이 바람직하다.When the electronic device 26 and the supporting substrate 18 having the resin layer are peeled off, the peeling aid is sprayed onto the interface between the first polyimide resin layer 14a and the second polyimide resin layer 14b . The release aid means a solvent such as the above-mentioned water. Examples of the release agent to be used include water, an organic solvent (for example, ethanol), etc., or a mixture thereof. In addition, the second polyimide resin layer formed on the back surface of the peeled electronic device 26 can be removed by a process such as washing with water. When a high light transmittance such as an LCD is required, it is preferable to remove the second polyimide resin layer after peeling off.

또한, 전자 디바이스용 부재를 갖는 적층체(24)로부터 전자 디바이스(26)를 분리할 때에 있어서는, 이오나이저에 의한 분사나 습도를 제어함으로써, 제1 폴리이미드 수지층(14a) 및 제2 폴리이미드 수지층(14b)의 조각이 전자 디바이스(26)에 정전 흡착되는 것을 보다 억제할 수 있다.When the electronic device 26 is separated from the laminate 24 having the electronic device member, the first polyimide resin layer 14a and the second polyimide It is possible to further suppress the electrostatic adsorption of the pieces of the resin layer 14b to the electronic device 26. [

상술한 전자 디바이스(26)의 제조 방법은, 휴대 전화나 PDA와 같은 모바일 단말기에 사용되는 소형의 표시 장치의 제조에 적합하다. 표시 장치는 주로 LCD 또는 OLED이며, LCD로서는, TN형, STN형, FE형, TFT형, MIM형, IPS형, VA형 등을 포함한다. 기본적으로 패시브 구동형, 액티브 구동형의 어느 표시 장치의 경우에서든 적용할 수 있다.The above-described manufacturing method of the electronic device 26 is suitable for manufacturing a small-sized display device used in a mobile terminal such as a cellular phone or a PDA. The display device is mainly an LCD or an OLED, and examples of the LCD include TN type, STN type, FE type, TFT type, MIM type, IPS type, VA type and the like. It can basically be applied to any of passive drive type and active drive type display devices.

상기 방법으로 제조된 전자 디바이스(26)로서는, 유리 기판과 표시 장치용 부재를 갖는 표시 장치용 패널, 유리 기판과 태양 전지용 부재를 갖는 태양 전지, 유리 기판과 박막 2차 전지용 부재를 갖는 박막 2차 전지, 유리 기판과 전자 디바이스용 부재를 갖는 전자 부품 등을 들 수 있다. 표시 장치용 패널로서는, 액정 패널, 유기 EL 패널, 플라즈마 디스플레이 패널, 필드 에미션 패널 등을 포함한다.As the electronic device 26 manufactured by the above method, there can be used a display panel having a glass substrate and a display device member, a solar cell having a glass substrate and a solar cell member, a thin film secondary member having a glass substrate and a member for a thin film secondary battery A battery, an electronic part having a glass substrate and a member for an electronic device, and the like. The display panel includes a liquid crystal panel, an organic EL panel, a plasma display panel, a field emission panel, and the like.

실시예Example

이하에, 실시예 등에 의해 본 발명을 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이들의 예에 의하여 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in detail by way of examples and the like, but the present invention is not limited by these examples.

이하의 실시예 및 비교예에서는, 유리 기판으로서, 무알칼리 붕규산 유리를 포함하는 유리판(세로 200㎜, 가로 200㎜, 판 두께 0.1㎜, 선팽창 계수 38×10-7/℃, 아사히 가라스사제 상품명 「AN100」)을 사용했다. 또한, 지지 기재로서는, 동일하게 무알칼리 붕규산 유리를 포함하는 유리판(세로 200㎜, 가로 200㎜, 판 두께 0.5㎜, 선팽창 계수 38×10-7/℃, 아사히 가라스사제 상품명 「AN100」)을 사용했다.In the following Examples and Comparative Examples, a glass plate (200 mm in length, 200 mm in width, 0.1 mm in plate thickness, and a linear expansion coefficient of 38 x 10 < -7 > / deg. &Quot; AN100 "). As a supporting substrate, a glass plate (200 mm in length, 200 mm in width, 0.5 mm in plate thickness, and a linear expansion coefficient of 38 x 10 < -7 > / ° C, trade name "AN100" manufactured by Asahi Glass Co., Used.

<제조예 1>&Lt; Preparation Example 1 &

파라페닐렌디아민(10.8g, 0.1몰)을 N,N-디메틸아세트아미드(198.6g)에 용해시켜, 실온 하에서 교반했다. 이것에 3,3',4,4'-비페닐테트라카르복실산 이무수물(BPDA)(29.4g, 0.1밀리몰)을 1분간에 걸쳐 첨가하고, 실온 하에서 2시간 교반하여, 상기 식 (2-1) 및/또는 식 (2-2)로 표현되는 반복 단위를 갖는 폴리아미드산을 포함하는 고형분 농도 20질량%의 폴리아미드산 용액 (P1)을 얻었다. 이 용액의 점도를 측정한 바, 20℃에서 3000포아즈였다.Para-phenylenediamine (10.8 g, 0.1 mole) was dissolved in N, N-dimethylacetamide (198.6 g), and the mixture was stirred at room temperature. To this solution, 3,3 ', 4,4'-biphenyltetracarboxylic dianhydride (BPDA) (29.4 g, 0.1 mmol) was added over 1 minute, and the mixture was stirred at room temperature for 2 hours, A polyamic acid solution (P1) having a solid content concentration of 20 mass% comprising a polyamic acid having a repeating unit represented by the formula (1) and / or the formula (2-2) was obtained. The viscosity of this solution was measured and found to be 3000 poises at 20 ° C.

점도는, (주) 토키멕사제, DVL-BII형 디지털 점도계(B형 점도계)를 사용하여, 20℃에서의 회전 점도를 측정한 것이다.The viscosity was measured using a DVL-BII type viscometer (B-type viscometer) manufactured by Tokimec Co., Ltd., and the rotational viscosity at 20 캜 was measured.

또한, 폴리아미드산 중에 포함되는 식 (2-1) 및/또는 식 (2-2)로 표현되는 반복 단위 중의 X는 (X1)로 표현되는 기, A는 식 (A1)로 표현되는 기였다.X in the repeating unit represented by the formula (2-1) and / or the formula (2-2) contained in the polyamic acid is a group represented by (X1) and A is a group represented by the formula (A1) .

<제조예 2>&Lt; Preparation Example 2 &

9,9-비스(4-아미노페닐)플루오렌(35g, 0.1몰), 용제로서 γ-부티로락톤(69.3g) 및 N,N-디메틸아세트아미드(140g)를 혼합하여 용해시켜, 실온 하에서 교반했다. 여기에 1,2,4,5-시클로헥산테트라카르복실산 이무수물(22.5g, 0.1몰)을 1분간에 걸쳐 첨가하고, 실온 하에서 2시간 교반하여, 고형분 농도 20질량%의 폴리아미드산 용액 Y를 얻었다. 이 용액의 점도를 측정한 바, 20℃에서 3300포아즈였다.(35 g, 0.1 mol) of 9,9-bis (4-aminophenyl) fluorene, 69.3 g of γ-butyrolactone as a solvent and 140 g of N, N-dimethylacetamide were mixed and dissolved, Lt; / RTI &gt; Cyclohexanetetracarboxylic dianhydride (22.5 g, 0.1 mole) was added thereto over 1 minute, and the mixture was stirred at room temperature for 2 hours to obtain a polyamic acid solution having a solid concentration of 20% by mass Y was obtained. The viscosity of this solution was measured and found to be 3300 poise at 20 占 폚.

또한, 폴리아미드산 중에 포함되는 식 (2-1) 및/또는 식 (2-2)로 표현되는 반복 단위 중의 X는 식 (X4)로 표현되는 기, A는 식 (A6)으로 표현되는 기였다.X in the repeating unit represented by formula (2-1) and / or formula (2-2) contained in the polyamic acid is a group represented by formula (X4), A is a group represented by formula (A6) Respectively.

이어서, 폴리아미드산 용액 Y에, 이미드화 촉매로서 트리에틸아민(0.51g, 0.005몰)을 일괄적으로 첨가했다. 적하 종료 후, 180℃로 승온하고, 수시로 유출액을 증류 제거시키면서 5시간 환류를 행하여 반응 종료로 하고, 내온이 120℃가 될 때까지 공냉한 후, 희석 용제로서 N,N-디메틸아세트아미드(130.7g)를 첨가하고, 교반하면서 냉각하여, 고형분 농도 20질량%의 지환식 폴리이미드 수지 용액 (P2)를 얻었다.Then, triethylamine (0.51 g, 0.005 mol) as an imidation catalyst was added to the polyamic acid solution Y all at once. After completion of the dropwise addition, the temperature was raised to 180 ° C and the reaction was terminated by refluxing for 5 hours while distilling off the effluent from time to time. After cooling to room temperature to 120 ° C, N, N-dimethylacetamide g) was added and cooled with stirring to obtain an alicyclic polyimide resin solution (P2) having a solid content concentration of 20 mass%.

<제조예 3: 실리콘 용액 (P3)의 제조>Preparation Example 3: Preparation of silicon solution (P3)

1,1,3,3-테트라메틸디실록산(5.4g), 테트라메틸시클로테트라실록산(96.2g), 옥타메틸시클로테트라실록산(118.6g)의 혼합물을 5℃로 냉각하고, 교반하면서 농황산(11.0g)을 천천히 첨가한 후, 또한 물(3.3g)을 1시간에 걸쳐 적하했다. 온도를 10 내지 20℃로 유지하면서 8시간 교반한 후 톨루엔을 첨가하고, 실록산층이 중성이 될 때까지 수세 및 폐산 분리를 행했다. 중성이 된 실록산층을 감압 가열 농축하여 톨루엔 등의 저비점 유분을 제거하여, 하기 식 (3)에 있어서, k=40, l=40의 오르가노 히드로겐실록산 A를 얻었다.A mixture of 1,1,3,3-tetramethyldisiloxane (5.4 g), tetramethylcyclotetrasiloxane (96.2 g) and octamethylcyclotetrasiloxane (118.6 g) was cooled to 5 占 폚 and stirred with concentrated sulfuric acid g) was added slowly, and then water (3.3 g) was added dropwise over 1 hour. The mixture was stirred for 8 hours while maintaining the temperature at 10 to 20 占 폚, and then toluene was added thereto. Then, washing with water and separation of waste acid were carried out until the siloxane layer became neutral. The neutralized siloxane layer was heated and concentrated under reduced pressure to remove low boiling point fractions such as toluene to obtain organohydrogen siloxane A having k = 40 and l = 40 in the following formula (3).

Figure pct00008
Figure pct00008

1,3-디비닐-1,1,3,3-테트라메틸디실록산(3.7g), 1,3,5,7-테트라메틸-1,3,5,7-테트라비닐시클로테트라실록산(41.4g), 옥타메틸시클로테트라실록산(355.9g)에 수산화칼륨의 실리코네이트를 Si/K=20000/1(몰비)량 첨가하고, 질소 분위기 하에서 150℃, 6시간 평형화 반응시킨 후, 에틸렌클로로히드린을 K에 대하여 2몰량 첨가하여, 120℃, 2시간 중화했다. 그 후, 160℃, 666Pa로 6시간 가열 버블링 처리하여 휘발분을 커트하여, 100g당 알케닐 당량수 La=0.9, Mw: 26,000의 알케닐기 함유 실록산 D를 얻었다.1,3-divinyl-1,1,3,3-tetramethyldisiloxane (3.7 g), 1,3,5,7-tetramethyl-1,3,5,7-tetravinylcyclotetrasiloxane (41.4 g) and octamethylcyclotetrasiloxane (355.9 g) were added a silicate of potassium hydroxide in an amount of Si / K = 20,000 / 1 (molar ratio) and equilibrated in a nitrogen atmosphere at 150 DEG C for 6 hours. Ethylenechlorohydrin Was added in an amount of 2 moles per K, and neutralized at 120 DEG C for 2 hours. Thereafter, the resultant was subjected to heat bubbling treatment at 160 占 폚 and 666 Pa for 6 hours to cut off volatile components to obtain an alkenyl group-containing siloxane D having an alkenyl equivalent number La = 0.9 and Mw: 26,000 per 100 g.

오르가노 히드로겐실록산 A와 알케닐기 함유 실록산 D를, 전체 알케닐기와 규소 원자에 결합한 전체 수소 원자의 몰비(수소 원자/알케닐기)가 0.9가 되도록 혼합했다. 이 실록산 혼합물 100질량부에, 하기 식 (4)로 표현되는 아세틸렌계 불포화기를 갖는 규소 화합물 1질량부를 혼합하여, 백금 금속 농도가 100ppm이 되도록 백금계 촉매를 첨가하고, 수지분 100질량부에 대하여 5질량부의 헵탄을 첨가하여, 가교성 오르가노폴리실록산을 포함하는 실리콘 용액 (P3)을 얻었다.The organohydrogensiloxane A and the alkenyl group-containing siloxane D were mixed so that the molar ratio of the total alkenyl groups and the total hydrogen atoms bonded to the silicon atoms (hydrogen atom / alkenyl group) was 0.9. 100 parts by mass of the siloxane mixture was mixed with 1 part by mass of a silicon compound having an acetylenic unsaturated group represented by the following formula (4) to obtain a platinum metal concentration of 100 ppm, and a platinum catalyst was added to 100 parts by mass of the resin component 5 parts by mass of heptane was added to obtain a silicone solution (P3) containing a crosslinkable organopolysiloxane.

Figure pct00009
Figure pct00009

<실시예 1>&Lt; Example 1 >

우선, 판 두께 0.5㎜의 지지 기재를 순수 세정한 후, 재차 UV 세정하여 청정화했다.First, the supporting substrate having a thickness of 0.5 mm was cleaned by pure water, and then UV-cleaned again.

이어서, 폴리아미드산 용액 (P1)에 N,N-디메틸아세트아미드를 첨가하고, 폴리아미드산의 고형분 농도를 5질량%로 희석하여, 용액 X를 얻었다. 용액 X를 스핀 코터(회전수: 2000rpm, 15초)로 지지 기재의 제1 주면 위에 도포하여, 폴리아미드산을 포함하는 도막을 지지 기재 위에 형성했다(도포 시공량 2.0g/㎡). 또한, 도포 시공량이란, 지지 기재 위에 잔존하는 폴리아미드산량을 의도한다.Next, N, N-dimethylacetamide was added to the polyamic acid solution (P1), and the solid content concentration of the polyamic acid was diluted to 5 mass% to obtain Solution X. [ Solution X was coated on the first main surface of the supporting substrate with a spin coater (rotation speed: 2000 rpm, 15 seconds) to form a coating film containing polyamic acid on the supporting substrate (coating amount 2.0 g / m 2). In addition, the application amount of coating means the amount of polyamide acid remaining on the supporting substrate.

또한, 상기 폴리아미드산은, 상기 식 (Y1)로 표현되는 화합물과, 식 (B1)로 표현되는 화합물을 반응시켜 얻어지는 수지이다.The polyamic acid is a resin obtained by reacting a compound represented by the formula (Y1) and a compound represented by the formula (B1).

이어서, 대기 중, 60℃에서 30분간, 계속하여 120℃에서 30분간 도막을 가열한 후, 재차 350℃에서 60분간 도막을 가열하여, 제1 폴리이미드 수지층(두께: 0.1㎛)을 형성했다. 형성된 제1 폴리이미드 수지층 중에는 이하의 식으로 표현되는 반복 단위를 갖는 폴리이미드 수지(식 (1) 중의 X가 (X1)로 표현되는 기, A가 식 (A1)로 표현되는 기를 포함함)가 포함되어 있었다.Subsequently, the coating film was heated in the air at 60 占 폚 for 30 minutes and subsequently at 120 占 폚 for 30 minutes, and then the coating film was heated again at 350 占 폚 for 60 minutes to form a first polyimide resin layer (thickness: 0.1 占 퐉) . A polyimide resin having a repeating unit represented by the following formula (wherein X in formula (1) is a group represented by (X1), and A is a group represented by formula (A1) .

Figure pct00010
Figure pct00010

또한, 제1 폴리이미드 수지층 중의 폴리이미드 수지의 이미드화율은 99.7%였다. 또한, 형성된 제1 폴리이미드 수지층 표면의 표면 조도 Ra는 0.8㎚이었다.The imidization ratio of the polyimide resin in the first polyimide resin layer was 99.7%. The surface roughness Ra of the surface of the formed first polyimide resin layer was 0.8 nm.

또한, 이미드화율의 측정 및 표면 조도 Ra의 측정은, 상술한 방법으로 실시했다.Measurement of the imidization ratio and measurement of the surface roughness Ra were carried out by the above-mentioned method.

이어서, 유리 기판을 순수 세정한 후, 재차 UV 세정하여 청정화했다.Subsequently, the glass substrate was washed with pure water and then UV-cleaned again.

그 후, 제1 폴리이미드 수지층의 형성 방법과 마찬가지의 수순에 따라, 폴리아미드산 용액 (P1)을 스핀 코터(회전수: 2000rpm, 15초)로 유리 기판의 제1 주면 위에 도포하고, 가열 처리를 실시하여, 제2 폴리이미드 수지층(두께: 5.0㎛, Ra: 1.0㎛)을 형성했다.Thereafter, the polyamic acid solution (P1) was coated on the first main surface of the glass substrate with a spin coater (rotation speed: 2000 rpm, 15 seconds) according to the same procedure as the method of forming the first polyimide resin layer, (Thickness: 5.0 占 퐉, Ra: 1.0 占 퐉) was formed on the second polyimide resin layer.

또한, 제2 폴리이미드 수지층 중의 폴리이미드 수지의 이미드화율은 99.7%였다.The imidization ratio of the polyimide resin in the second polyimide resin layer was 99.7%.

그 후, 제1 폴리이미드 수지층과 제2 폴리이미드 수지층이 접촉하도록, 지지 기재 및 제1 폴리이미드 수지층을 포함하는 수지층을 갖는 지지 기재와, 유리 기판 및 제2 폴리이미드 수지층을 포함하는 수지층을 갖는 유리 기판을 실온 하에서 대기압 하에서 롤 접합에 의해 접합하여, 유리 적층체 S1을 얻었다.Thereafter, a supporting substrate having a resin layer including a supporting substrate and a first polyimide resin layer and a supporting substrate having a glass substrate and a second polyimide resin layer so as to contact the first polyimide resin layer and the second polyimide resin layer Were bonded to each other by roll bonding under atmospheric pressure at room temperature to obtain a glass laminate S1.

얻어진 유리 적층체 S1에 있어서는, 제1 폴리이미드 수지층과 제2 폴리이미드 수지층은 기포를 발생하지 않고 밀착되어 있으며, 왜곡 결함도 없고, 평활성도 양호했다. 또한, 유리 적층체 S1에 있어서, 제1 폴리이미드 수지층과 제2 폴리이미드 수지층의 계면의 박리 강도는, 지지 기재와 제1 폴리이미드 수지층의 계면의 박리 강도 및 유리 기판과 제2 폴리이미드 수지층의 계면의 박리 강도보다도 작았다.In the obtained glass laminate S1, the first polyimide resin layer and the second polyimide resin layer were in close contact with each other without generating air bubbles, no distortion defects, and good smoothness. The peel strength of the interface between the first polyimide resin layer and the second polyimide resin layer in the glass laminate S1 is determined by the peeling strength between the interface between the supporting substrate and the first polyimide resin layer, Was smaller than the peel strength at the interface of the mid resin layer.

이어서, 유리 적층체 S1에 대하여 대기 하에서 400℃에서 60분간 가열 처리를 행하여, 실온까지 냉각한 바, 유리 적층체 S1의 지지 기재와 유리 기판의 분리나, 제1 폴리이미드 수지층 및 제2 폴리이미드 수지층의 발포나 백화 등 외관 상의 변화는 보이지 않았다.Subsequently, the glass laminate S1 was subjected to heat treatment at 400 DEG C for 60 minutes in the atmosphere and then cooled to room temperature. As a result, separation of the supporting substrate of the glass laminate S1 and the glass substrate and separation of the first polyimide resin layer and the second poly The appearance of the mid resin layer such as foaming and whitening was not observed.

그리고, 유리 적층체 S1의 4개소의 코너부 중 1개소에 있어서의 제1 폴리이미드 수지층과 제2 폴리이미드 수지층의 계면에 두께 0.1㎜의 스테인리스제 칼날을 삽입시켜 박리의 절결부를 형성하면서, 유리 기판과 지지 기재 각각의 박리면이 아닌 면에 진공 흡착 패드를 흡착시켜, 제1 폴리이미드 수지층과 제2 폴리이미드 수지층의 계면에 물을 분사하면서, 유리 기판과 지지 기재가 서로 분리하는 방향으로 외력을 가하여, 유리 기판과 지지 기재를 파손시키지 않고 분리하였다. 여기서 칼날의 삽입은 이오나이저(키엔스사제)로부터 제전성 유체를 당해 계면에 분사하면서 행했다.Then, a stainless steel blade having a thickness of 0.1 mm was inserted into the interface between the first polyimide resin layer and the second polyimide resin layer at one of the four corner portions of the glass laminate S1 to form a notch portion of the peeling The vacuum adsorption pad is adsorbed to the surface of each of the glass substrate and the support substrate other than the release surface and water is sprayed to the interface between the first polyimide resin layer and the second polyimide resin layer, An external force was applied in a separating direction to separate the glass substrate and the supporting substrate without damaging them. Here, the insertion of the blade was carried out while spraying an antistatic fluid from an ionizer (manufactured by KEITH) to the interface.

또한, 제1 폴리이미드 수지층은 지지 기재와 함께, 제2 폴리이미드 수지층은 유리 기판과 함께 분리되었다. 상기 결과로부터도, 제1 폴리이미드 수지층과 제2 폴리이미드 수지층의 계면의 박리 강도는, 지지 기재와 제1 폴리이미드 수지층의 계면의 박리 강도 및 유리 기판과 제2 폴리이미드 수지층의 계면의 박리 강도보다도 작음이 확인되었다.Further, the first polyimide resin layer was separated with the supporting substrate, and the second polyimide resin layer was separated together with the glass substrate. From the above results, the peel strength of the interface between the first polyimide resin layer and the second polyimide resin layer was found to be higher than the peel strength of the interface between the supporting substrate and the first polyimide resin layer and the peeling strength between the glass substrate and the second polyimide resin layer It was confirmed that the peeling strength of the interface was smaller than that of the interface.

(박리 강도의 측정) (Measurement of peel strength)

일본 특허 제5200538호 공보의 단락 0050에 기재된 지그를 사용하여, 박리 시험을 행했다. 사용한 지그를 도 3에 도시한다. 도 3 중 유리 적층체 S1은 지지 기재(12), 제1 폴리이미드 수지층(14a), 제2 폴리이미드 수지층(14b) 및 유리 기판(16)을 갖는다.A peel test was conducted using the jig described in paragraph 0050 of Japanese Patent No. 5200538. The used jig is shown in Fig. The glass laminate S1 in Fig. 3 has a supporting substrate 12, a first polyimide resin layer 14a, a second polyimide resin layer 14b, and a glass substrate 16.

유리 적층체 S1을 세로 50㎜×가로 50㎜의 크기로 절단하고, 유리 적층체 S1의 양측 유리(지지 기재(12) 및 유리 기판(16))의 표면에, 세로 50㎜×가로 50㎜×두께 5㎜의 폴리카르보네이트(60)를 에폭시 2액 유리용 접착제로 각각 접합했다. 또한, 양쪽의 접합된 폴리카르보네이트(60)의 표면에 세로 50㎜×가로 50㎜×두께 5㎜의 폴리카르보네이트(70)를 각각 재차 수직으로 접합했다. 폴리카르보네이트(70)를 접합한 장소는, 도 3과 같이, 세로 방향은 폴리카르보네이트(60)의 가장 끝의 위치, 가로 방향은 폴리카르보네이트(60)의 변과 평행한 위치로 했다.The glass laminate S1 was cut into a size of 50 mm in length x 50 mm in width and was laminated on both surfaces of the glass laminate S1 (supporting substrate 12 and glass substrate 16) And polycarbonate (60) having a thickness of 5 mm were bonded to each other with an epoxy two-liquid glass adhesive. Polycarbonate 70 having a length of 50 mm, a width of 50 mm, and a thickness of 5 mm was vertically joined again to the surfaces of the bonded polycarbonate 60 on both sides. As shown in Fig. 3, the position where the polycarbonate 70 is bonded is the position at the end of the polycarbonate 60 in the longitudinal direction and the position at the end of the polycarbonate 60 parallel to the side of the polycarbonate 60 .

폴리카르보네이트(60 및 70)를 접합한 유리 적층체 S1을 지지 기재(12)가 하측이 되도록 설치했다. 유리 기판(16)측에 부착한 폴리카르보네이트(70)를 지그로 고정하고, 지지 기재(12)측에 부착한 폴리카르보네이트(70)를 수직 하방으로 300㎜/min의 속도로 분리한 바, 0.29kg/㎠의 힘이 가했을 때에 제1 폴리이미드 수지층(14a)과 제2 폴리이미드 수지층(14b)이 박리되었다.The glass laminate S1 to which the polycarbonates 60 and 70 are bonded is provided so that the supporting substrate 12 is located on the lower side. The polycarbonate 70 adhered to the glass substrate 16 side was fixed with a jig and the polycarbonate 70 adhered to the supporting substrate 12 side was separated vertically down at a rate of 300 mm / On the other hand, when a force of 0.29 kg / cm 2 was applied, the first polyimide resin layer 14a and the second polyimide resin layer 14b were peeled off.

<실시예 2>&Lt; Example 2 >

제1 폴리이미드 수지층의 형성 시에, 용액 X 대신 폴리아미드산 용액 (P1)을 사용하고, 제1 폴리이미드 수지층의 두께를 0.1㎛로부터 5.0㎛로 변경하고, 제2 폴리이미드 수지층의 형성 시에 폴리아미드산 용액 (P1) 대신 용액 X를 사용하고, 제2 폴리이미드 수지층의 두께를 5.0㎛로부터 0.1㎛로 변경한 것 이외는, 실시예 1과 마찬가지의 방법으로 유리 적층체 S2를 얻었다.In the formation of the first polyimide resin layer, the polyamic acid solution (P1) was used in place of the solution X, the thickness of the first polyimide resin layer was changed from 0.1 탆 to 5.0 탆, and the thickness of the second polyimide resin layer Except that the solution X was used in place of the polyamic acid solution (P1) and the thickness of the second polyimide resin layer was changed from 5.0 m to 0.1 m in the formation of the glass laminate S2 .

또한, 제1 폴리이미드 수지층 및 제2 폴리이미드 수지층 중의 폴리이미드 수지의 이미드화율은 모두 99.5%였다. 또한, 제1 폴리이미드 수지층 및 제2 폴리이미드 수지층의 표면 조도 Ra는, 후술하는 표 1에 나타낸다.The imidization rates of the polyimide resin in the first polyimide resin layer and the second polyimide resin layer were all 99.5%. The surface roughness Ra of the first polyimide resin layer and the second polyimide resin layer is shown in Table 1 described later.

얻어진 유리 적층체 S2에 있어서는, 제1 폴리이미드 수지층 및 제2 폴리이미드 수지층은 기포를 발생하지 않고 밀착되어 있어, 왜곡 결함도 없고, 평활성도 양호했다. 또한, 유리 적층체 S2에 있어서, 제1 폴리이미드 수지층과 제2 폴리이미드 수지층의 계면의 박리 강도는, 지지 기재와 제1 폴리이미드 수지층의 계면의 박리 강도 및 유리 기판과 제2 폴리이미드 수지층의 계면의 박리 강도보다도 작았다.In the obtained glass laminate S2, the first polyimide resin layer and the second polyimide resin layer were in close contact with each other without generating air bubbles, no distortion defects, and good smoothness. The peel strength of the interface between the first polyimide resin layer and the second polyimide resin layer in the glass laminate S2 is preferably such that the peel strength of the interface between the support substrate and the first polyimide resin layer, Was smaller than the peel strength at the interface of the mid resin layer.

이어서, 유리 적층체 S2를 실시예 1과 마찬가지의 가열 처리를 행한 바, 유리 적층체 S2의 지지 기재와 유리 기판의 분리나, 제1 폴리이미드 수지층 및 제2 폴리이미드 수지층의 발포나 백화 등 외관상의 변화는 보이지 않았다.Subsequently, the glass laminate S2 was subjected to the same heat treatment as in Example 1, whereby the separation of the supporting substrate of the glass laminate S2 and the glass substrate and the separation of the first polyimide resin layer and the second polyimide resin layer, There was no change in appearance.

그리고, 유리 적층체 S2에 대하여, 실시예 1과 마찬가지의 방법으로 지지 기재와 유리 기판의 분리를 행한 바, 유리 기판과 지지 기재가 파손되지 않고 분리되었다.Then, with respect to the glass laminate S2, the supporting substrate and the glass substrate were separated in the same manner as in Example 1, and the glass substrate and the supporting substrate were separated without breakage.

또한, 제1 폴리이미드 수지층은 지지 기재와 함께, 제2 폴리이미드 수지층은 유리 기판과 함께 분리되었다. 상기 결과로부터도, 제1 폴리이미드 수지층과 제2 폴리이미드 수지층의 계면의 박리 강도는, 지지 기재와 제1 폴리이미드 수지층의 계면의 박리 강도 및 유리 기판과 제2 폴리이미드 수지층의 계면의 박리 강도보다도 작음이 확인되었다. 또한, 얻어진 유리 적층체 S2를 사용하여, 상기 (박리 강도의 측정)을 실시했다. 그 결과를 표 1에 나타낸다.Further, the first polyimide resin layer was separated with the supporting substrate, and the second polyimide resin layer was separated together with the glass substrate. From the above results, the peel strength of the interface between the first polyimide resin layer and the second polyimide resin layer was found to be higher than the peel strength of the interface between the supporting substrate and the first polyimide resin layer and the peeling strength between the glass substrate and the second polyimide resin layer It was confirmed that the peeling strength of the interface was smaller than that of the interface. Using the obtained glass laminate S2, the above (measurement of peel strength) was carried out. The results are shown in Table 1.

<실시예 3>&Lt; Example 3 >

제2 폴리이미드 수지층의 형성 시에, 폴리아미드산 용액 (P1) 대신에 지환식 폴리이미드 수지 용액 (P2)를 사용한 것 이외는, 실시예 1과 마찬가지의 방법으로 유리 적층체 S3을 얻었다.A glass laminate S3 was obtained in the same manner as in Example 1, except that the alicyclic polyimide resin solution (P2) was used instead of the polyamide acid solution (P1) at the time of forming the second polyimide resin layer.

또한, 형성된 제2 폴리이미드 수지층 중에는 식 (1) 중의 X가 상기 식 (X4)로 표현되는 기를 포함하고, A가 상기 식 (A6)으로 표현되는 기를 포함하는 폴리이미드 수지가 포함되어 있었다.Further, the second polyimide resin layer formed contains a polyimide resin in which X in the formula (1) contains a group represented by the formula (X4) and A contains a group represented by the formula (A6).

또한, 제1 폴리이미드 수지층 및 제2 폴리이미드 수지층 중의 폴리이미드 수지의 이미드화율은 모두 99.5%였다. 또한, 제1 폴리이미드 수지층 및 제2 폴리이미드 수지층의 표면 조도 Ra는, 후술하는 표 1에 나타낸다.The imidization rates of the polyimide resin in the first polyimide resin layer and the second polyimide resin layer were all 99.5%. The surface roughness Ra of the first polyimide resin layer and the second polyimide resin layer is shown in Table 1 described later.

얻어진 유리 적층체 S3에 있어서는, 제1 폴리이미드 수지층 및 제2 폴리이미드 수지층은 기포를 발생하지 않고 밀착되어 있어, 왜곡 결함도 없고, 평활성도 양호했다. 또한, 유리 적층체 S3에 있어서, 제1 폴리이미드 수지층과 제2 폴리이미드 수지층의 계면의 박리 강도는, 지지 기재와 제1 폴리이미드 수지층의 계면의 박리 강도 및 유리 기판과 제2 폴리이미드 수지층의 계면의 박리 강도보다도 작았다.In the obtained glass laminate S3, the first polyimide resin layer and the second polyimide resin layer were in close contact with each other without generating bubbles, no distortion defects, and good smoothness. In the glass laminate S3, the peel strength of the interface between the first polyimide resin layer and the second polyimide resin layer is determined by the peel strength of the interface between the supporting substrate and the first polyimide resin layer, Was smaller than the peel strength at the interface of the mid resin layer.

이어서, 유리 적층체 S3을 실시예 1과 마찬가지의 가열 처리를 행한 바, 유리 적층체 S3의 지지 기재와 유리 기판의 분리나, 제1 폴리이미드 수지층 및 제2 폴리이미드 수지층의 발포나 백화 등 외관 상의 변화는 확인되지 않았다.Subsequently, the glass laminate S3 was subjected to the same heat treatment as in Example 1, whereby the separation of the supporting substrate of the glass laminate S3 and the glass substrate and the separation of the first polyimide resin layer and the second polyimide resin layer, And the like.

그리고, 유리 적층체 S3을 실시예 1과 마찬가지의 방법으로 지지 기재와 유리 기판의 분리를 행한 바, 유리 기판과 지지 기재가 파손되지 않고 분리되었다.Then, the glass laminate S3 was separated from the glass substrate and the supporting substrate by the same method as in Example 1. As a result, the glass substrate and the supporting substrate were separated without breakage.

또한, 제1 폴리이미드 수지층은 지지 기재와 함께, 제2 폴리이미드 수지층은 유리 기판과 함께 분리되었다. 상기 결과로부터도, 제1 폴리이미드 수지층과 제2 폴리이미드 수지층의 계면의 박리 강도는, 지지 기재와 제1 폴리이미드 수지층의 계면의 박리 강도 및 유리 기판과 제2 폴리이미드 수지층의 계면의 박리 강도보다도 작음이 확인되었다. 또한, 얻어진 유리 적층체 S3을 사용하여, 상기 (박리 강도의 측정)을 실시했다. 그 결과를 표 1에 나타낸다.Further, the first polyimide resin layer was separated with the supporting substrate, and the second polyimide resin layer was separated together with the glass substrate. From the above results, the peel strength of the interface between the first polyimide resin layer and the second polyimide resin layer was found to be higher than the peel strength of the interface between the supporting substrate and the first polyimide resin layer and the peeling strength between the glass substrate and the second polyimide resin layer It was confirmed that the peeling strength of the interface was smaller than that of the interface. Using the obtained glass laminate S3, the above (measurement of peel strength) was carried out. The results are shown in Table 1.

<비교예 1>&Lt; Comparative Example 1 &

제1 폴리이미드 수지층의 형성 시에, 용액 X 대신 이하의 폴리아미드산 용액 (P4)를 사용하고, 제1 폴리이미드 수지층의 두께를 0.1㎛로부터 5.0㎛로 변경하고, 제2 폴리이미드 수지층의 형성 시에 폴리아미드산 용액 (P1) 대신 용액 X를 사용하고, 제2 폴리이미드 수지층의 두께를 5.0㎛로부터 0.1㎛로 변경한 것 이외는, 실시예 1과 마찬가지의 방법으로 유리 적층체 C1의 제조를 시도했다.The following polyamic acid solution (P4) was used in place of the solution X at the time of forming the first polyimide resin layer, the thickness of the first polyimide resin layer was changed from 0.1 mu m to 5.0 mu m, The procedure of Example 1 was repeated except that the solution X was used instead of the polyamide acid solution (P1) and the thickness of the second polyimide resin layer was changed from 5.0 占 퐉 to 0.1 占 퐉. An attempt was made to prepare the sieve C1.

얻어진 제1 폴리이미드 수지층의 표면 조도 Ra는 10.2㎚이었다.The surface roughness Ra of the obtained first polyimide resin layer was 10.2 nm.

또한, 상기 표면 조도 Ra를 조정하는 방법으로서, 이하의 처리를 실시했다.Further, as the method of adjusting the surface roughness Ra, the following treatment was carried out.

그러나, 대기압 하에서 롤 접합에 의해 접합을 행했을 때에 제1 폴리이미드 수지층과 제2 폴리이미드 수지층의 밀착성이 떨어져, 원하는 유리 적층체 C1을 얻지 못했다.However, when bonding was performed by roll bonding under atmospheric pressure, the adhesion between the first polyimide resin layer and the second polyimide resin layer was deteriorated, and desired glass laminate C1 could not be obtained.

(폴리아미드산 용액 (P4)) (Polyamic acid solution (P4))

제조예 1에서 얻어진 폴리아미드산 용액 (P1)에, 콜로이달 실리카를 디메틸아세트아미드에 분산하여 이루어지는 스노우텍(DMAC-ST30, 닛산 가가쿠 고교제, 평균 입자 직경 80㎚)을 콜로이드 실리카의 함유량이 용액 전체 질량에 대하여 1질량%가 되도록 가하여, 폴리아미드산 용액 (P4)를 얻었다.(DMAC-ST30, manufactured by Nissan Kagaku Kogyo Co., Ltd., average particle diameter 80 nm) in which colloidal silica was dispersed in dimethylacetamide was added to the polyamide acid solution (P1) obtained in Production Example 1, 1% by mass with respect to the total mass of the solution to obtain a polyamic acid solution (P4).

<비교예 2>&Lt; Comparative Example 2 &

제2 폴리이미드 수지층을 형성하지 않고, 실시예 2와 마찬가지의 수순에 따라 제1 폴리이미드 수지층과 유리 기판을 적층하여, 지지 기재, 제1 폴리이미드 수지층 및 유리 기판을 이 순으로 갖는 유리 적층체 C2를 제조했다.The first polyimide resin layer and the glass substrate were laminated in the same manner as in Example 2 without forming the second polyimide resin layer to form the supporting substrate, the first polyimide resin layer, and the glass substrate in this order To thereby produce a glass laminate C2.

얻어진 유리 적층체 C2에 대하여 실시예 1과 마찬가지의 방법으로 지지 기재와 유리 기판의 분리를 행한 바, 제1 폴리이미드 수지층과 유리 기판이 박리되기 어려웠다. 또한, 얻어진 유리 적층체 C2를 사용하여, 상기 (박리 강도의 측정)을 실시했다. 그 결과를 표 1에 나타낸다.When the supporting substrate and the glass substrate were separated from each other in the same manner as in Example 1 with respect to the obtained glass laminate C2, the first polyimide resin layer and the glass substrate were hardly peeled off. Using the obtained glass laminate C2, the above (measurement of peel strength) was carried out. The results are shown in Table 1.

<비교예 3>&Lt; Comparative Example 3 &

제1 폴리이미드 수지층을 형성하지 않고, 실시예 1과 마찬가지의 수순에 따라 지지 기재와 제2 폴리이미드 수지층을 적층하여, 지지 기재, 제2 폴리이미드 수지층 및 유리 기판을 이 순으로 갖는 유리 적층체 C3을 제조했다.The support substrate and the second polyimide resin layer were laminated in the same manner as in Example 1 without forming the first polyimide resin layer to form the support substrate, the second polyimide resin layer, and the glass substrate in this order To thereby produce a glass laminate C3.

얻어진 유리 적층체 C3에 대하여 실시예 1과 마찬가지의 방법으로 지지 기재와 유리 기판의 분리를 행한 바, 제2 폴리이미드 수지층과 지지 기재가 박리되기 어려웠다. 또한, 얻어진 유리 적층체 C3을 사용하여, 상기 (박리 강도의 측정)을 실시했다. 그 결과를 표 1에 나타낸다.When the supporting substrate and the glass substrate were separated from each other in the same manner as in Example 1 with respect to the obtained glass laminate C3, the second polyimide resin layer and the supporting substrate were hardly peeled off. Using the obtained glass laminate C3, the above (measurement of peel strength) was carried out. The results are shown in Table 1.

<비교예 4>&Lt; Comparative Example 4 &

제1 폴리이미드 수지층의 형성 시에, 폴리아미드산 용액 (P1) 대신에 실리콘 용액 (P3)을 사용하여, 제2 폴리이미드 수지층을 형성하지 않은 것 이외는, 실시예 1과 마찬가지의 방법으로 지지 기재, 실리콘 수지층 및 유리 기판을 이 순으로 갖는 유리 적층체 C4를 얻었다. 또한, 본 형태는, 특허문헌 1에 기재된 바와 같은 수지층으로서 실리콘 수지층을 사용한 형태에 해당한다.Except that the second polyimide resin layer was not formed using the silicon solution (P3) instead of the polyamic acid solution (P1) at the time of forming the first polyimide resin layer, a method similar to that of Example 1 To obtain a glass laminate C4 having a supporting substrate, a silicone resin layer and a glass substrate in this order. This embodiment corresponds to a mode using a silicone resin layer as a resin layer as described in Patent Document 1. [

얻어진 유리 적층체 C4에 대하여, 실시예 1과 마찬가지의 방법으로 지지 기재와 유리 기판의 분리를 행한 바, 실리콘 수지층과 유리 기판이 박리되기 어려워, 실리콘 수지층이 응집 파괴되어 유리 기판 위에 부착됨과 함께, 유리 기판이 깨져버렸다. 또한, 얻어진 유리 적층체 C4를 사용하여, 상기 (박리 강도의 측정)을 실시했다. 그 결과를 표 1에 나타낸다.The obtained glass laminate C4 was separated from the supporting substrate and the glass substrate by the same method as in Example 1. As a result, the silicon resin layer and the glass substrate were difficult to peel off and the silicon resin layer was cohesively broken and adhered to the glass substrate Together, the glass substrate broke. Using the obtained glass laminate C4, the above (measurement of peel strength) was carried out. The results are shown in Table 1.

또한, 유리 적층체 C4를 대기 하에서 400℃에서 60분간 가열 처리한 바, 실리콘 수지층의 발포나 백화가 보였다.Further, when the glass laminate C4 was heat-treated at 400 DEG C for 60 minutes in the atmosphere, the silicone resin layer was foamed or whitened.

상기 실시예 1 내지 3 및 비교예 1 내지 4의 결과를, 이하의 표 1에 통합하여 나타낸다.The results of Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 to 4 are collectively shown in Table 1 below.

또한, 표 1 중의 「수지종」란에 있어서, P1은 제조예 1의 용액 P1로부터 얻어지는 수지를, P2는 제조예 2의 용액 P2로부터 얻어지는 수지를 의도한다.In the column "resin species" in Table 1, P1 is a resin obtained from Solution P1 of Production Example 1, and P2 is a resin obtained from Solution P2 of Production Example 2.

Figure pct00011
Figure pct00011

표 1에 나타낸 바와 같이, 소정의 수지층을 사용한 실시예 1 내지 3에 있어서는, 적층 시의 밀착성이 우수함과 함께, 400℃, 1시간의 가열 처리 후에도 수지층의 분해가 보이지 않아, 유리 기판의 박리도 용이하게 진행되었다.As shown in Table 1, in Examples 1 to 3 in which a predetermined resin layer was used, the adhesion at the time of lamination was excellent, and the decomposition of the resin layer was not observed even after the heat treatment at 400 DEG C for 1 hour. The peeling also proceeded easily.

한편, 특허문헌 1에 기재된 실리콘 수지층을 사용한 비교예 4에서는, 원하는 효과를 얻지 못했다.On the other hand, in Comparative Example 4 using the silicone resin layer described in Patent Document 1, a desired effect was not obtained.

<실시예 4><Example 4>

본 예에서는 실시예 1에서 얻은 유리 적층체 S1을 사용하여 OLED를 제조한다.In this example, an OLED is manufactured using the glass laminate S1 obtained in the first embodiment.

우선, 유리 적층체 S1에 있어서의 유리 기판의 제2 주면 위에, 플라즈마 CVD법에 의해 질화 실리콘, 산화 실리콘, 아몰퍼스 실리콘의 순서대로 성막한다. 이어서, 이온 도핑 장치에 의해 저농도의 붕소를 아몰퍼스 실리콘층에 주입하여, 질소 분위기 하에서 탈수소 처리를 행한다. 이어서, 레이저 어닐 장치에 의해 아몰퍼스 실리콘층의 결정화 처리를 행한다. 이어서, 포토리소그래피법을 사용한 에칭 및 이온 도핑 장치로부터, 저농도의 인을 아몰퍼스 실리콘층에 주입하여, N형 및 P형의 TFT 에리어를 형성한다. 이어서, 유리 기판의 제2 주면측에, 플라즈마 CVD법에 의해 산화 실리콘막을 성막하여 게이트 절연막을 형성한 후에, 스퍼터링법에 의해 몰리브덴을 성막하여, 포토리소그래피법을 사용한 에칭에 의해 게이트 전극을 형성한다. 이어서, 포토리소그래피법과 이온 도핑 장치에 의해, 고농도의 붕소와 인을 N형, P형 각각의 원하는 에리어에 주입하여, 소스 에리어 및 드레인 에리어를 형성한다. 이어서, 유리 기판의 제2 주면측에, 플라즈마 CVD법에 의한 산화 실리콘의 성막으로 층간 절연막을, 스퍼터링법에 의해 알루미늄의 성막 및 포토리소그래피법을 사용한 에칭에 의해 TFT 전극을 형성한다. 이어서, 수소 분위기 하에서 수소화 처리를 행한 후에, 플라즈마 CVD법에 의한 질소 실리콘의 성막으로, 패시베이션층을 형성한다. 이어서, 유리 기판의 제2 주면측에, 자외선 경화성 수지를 도포하고, 포토리소그래피법에 의해 평탄화층 및 콘택트 홀을 형성한다. 이어서, 스퍼터링법에 의해 산화인듐주석을 성막하여, 포토리소그래피법을 사용한 에칭에 의해 화소 전극을 형성한다.First, a silicon nitride film, a silicon oxide film, and an amorphous silicon film are formed in this order on the second main surface of the glass substrate in the glass laminate S1 by the plasma CVD method. Subsequently, low concentration boron is implanted into the amorphous silicon layer by an ion doping apparatus, and dehydrogenation treatment is performed in a nitrogen atmosphere. Then, the amorphous silicon layer is crystallized by a laser annealing apparatus. Then, low-concentration phosphorus is injected into the amorphous silicon layer from an etching and ion-doping apparatus using a photolithography method to form N-type and P-type TFT areas. Subsequently, a silicon oxide film is formed on the second main surface side of the glass substrate by a plasma CVD method to form a gate insulating film, and then molybdenum is formed by a sputtering method, and a gate electrode is formed by etching using a photolithography method . Then, a high concentration of boron and phosphorus are implanted into each of the N-type and P-type desired areas by a photolithography method and an ion doping apparatus to form a source area and a drain area. Subsequently, a TFT electrode is formed on the second main surface side of the glass substrate by the film formation of silicon oxide by the plasma CVD method, the interlayer insulating film by the sputtering method, and the aluminum film formation and the etching by the photolithography method. Subsequently, a hydrogenation treatment is performed in a hydrogen atmosphere, and then a passivation layer is formed by the film formation of nitrogen silicon by the plasma CVD method. Subsequently, a UV-curable resin is applied to the second main surface side of the glass substrate, and a planarization layer and a contact hole are formed by photolithography. Subsequently, indium tin oxide is formed by a sputtering method, and a pixel electrode is formed by etching using a photolithography method.

계속해서, 증착법에 의해, 유리 기판의 제2 주면측에, 정공 주입층으로서 4, 4',4"-트리스(3-메틸페닐페닐아미노)트리페닐아민, 정공 수송층으로서 비스[(N-나프틸)-N-페닐]벤지딘, 발광층으로서 8-퀴놀리놀알루미늄 착체(Alq3)에 2,6-비스[4-[N-(4-메톡시페닐)-N-페닐]아미노스티릴]나프탈렌-1,5-디카르보니트릴(BSN-BCN)을 40체적% 혼합한 것, 전자 수송층으로서 Alq3을 이 순서대로 성막한다. 이어서, 스퍼터링법에 의해 알루미늄을 성막하여, 포토리소그래피법을 사용한 에칭에 의해 대향 전극을 형성한다. 이어서, 유리 기판의 제2 주면측에 자외선 경화형의 접착층을 개재하여 유리 기판을 1매 더 접합하고 밀봉한다. 상기 수순에 의해, 유리 기판 위에 유기 EL 구조체를 형성한다. 유리 기판 위에 유기 EL 구조체를 갖는 유리 적층체 S1(이하, 패널 A라고 함)이, 본 발명의 전자 디바이스용 부재를 갖는 적층체이다.Subsequently, 4, 4 ', 4 "-tris (3-methylphenylphenylamino) triphenylamine was used as a hole injecting layer, and bis [(N-naphthyl (4-methoxyphenyl) -N-phenyl] aminostyryl] naphthalene as a light emitting layer was added to an 8-quinolinol aluminum complex (Alq 3 ) (BSN-BCN), and Alq 3 as an electron transporting layer were formed in this order. [0100] Subsequently, aluminum was deposited by a sputtering method, and an aluminum film was formed by etching using photolithography Next, one glass substrate is further bonded and sealed on the second main surface side of the glass substrate via an adhesive layer of ultraviolet curing type, and the organic EL structure is formed on the glass substrate by the above procedure . A glass laminate S1 having an organic EL structure on a glass substrate (hereinafter referred to as panel A) Member for an electronic device.

계속해서, 패널 A의 밀봉체측을 정반에 진공 흡착시킨 후, 패널 A의 코너부의 제1 폴리이미드 수지층과 제2 폴리이미드 수지층의 계면에 두께 0.1㎜의 스테인리스제 칼날을 삽입하여, 제1 폴리이미드 수지층과 제2 폴리이미드 수지층의 계면에 박리의 계기를 부여한다. 그리고, 패널 A의 지지 기재 표면을 진공 흡착 패드로 흡착한 뒤, 흡착 패드를 상승시킨다. 여기서 칼날의 삽입은 이오나이저(키엔스사제)로부터 제전성 유체를 당해 계면에 분사하면서 행한다. 이어서, 형성한 공극을 향하여 이오나이저로부터는 계속하여 제전성 유체를 분사하면서, 또한 물을 박리 전선(前線)에 끼얹으면서 진공 흡착 패드를 인상한다. 그 결과, 정반 위에 유기 EL 구조체가 형성된 유리 기판만을 남기고, 수지층을 갖는 지지 기재를 박리할 수 있다.Subsequently, a stainless steel blade having a thickness of 0.1 mm was inserted into the interface between the first polyimide resin layer and the second polyimide resin layer at the corners of the panel A after the sealing member side of the panel A was vacuum- And the interface between the polyimide resin layer and the second polyimide resin layer is imparted with a peeling moment. After the surface of the supporting substrate of the panel A is adsorbed by the vacuum adsorption pad, the adsorption pad is raised. Here, the insertion of the blade is carried out while spraying an antistatic fluid from the ionizer (manufactured by KYENS) onto the interface. Then, the vacuum adsorption pad is pulled up while water is sprayed on the peeling wire (front) while spraying the antistatic fluid continuously from the ionizer toward the formed voids. As a result, the supporting substrate having the resin layer can be peeled off, leaving only the glass substrate on which the organic EL structure is formed.

계속해서, 분리된 유리 기판을 레이저 커터 또는 스크라이브-브레이크법을 사용하여 절단하고, 복수의 셀로 분단한 후, 유기 EL 구조체가 형성된 유리 기판과 대향 기판을 조립하고, 모듈 형성 공정을 실시하여 OLED를 제작한다. 이와 같이 하여 얻어지는 OLED는, 특성 상 문제는 발생하지 않는다.Subsequently, the separated glass substrate is cut using a laser cutter or a scribe-break method, and is divided into a plurality of cells. Thereafter, the glass substrate on which the organic EL structure is formed and the counter substrate are assembled, And make them. The OLED thus obtained does not cause any problems in terms of characteristics.

<실시예 5>&Lt; Example 5 >

본 예에서는, 실시예 1에서 얻은 유리 적층체 S1을 사용하여 LCD를 제조한다.In this example, an LCD is manufactured using the glass laminate S1 obtained in the first embodiment.

먼저, 2매의 유리 적층체 S1-1 및 S1-2를 준비하고, 한쪽 유리 적층체 S1-1에 있어서의 유리 기판의 제2 주면 위에 플라즈마 CVD법에 의해 질화 실리콘, 산화 실리콘, 아몰퍼스 실리콘의 순서대로 성막한다. 이어서, 이온 도핑 장치에 의해 저농도의 붕소를 아몰퍼스 실리콘층에 주입하고, 질소 분위기 하에서 가열 처리하여 탈수소 처리를 행한다. 이어서, 레이저 어닐 장치에 의해 아몰퍼스 실리콘층의 결정화 처리를 행한다. 이어서, 포토리소그래피법을 사용한 에칭 및 이온 도핑 장치로부터, 저농도의 인을 아몰퍼스 실리콘층에 주입하여, N형 및 P형의 TFT 에리어를 형성한다. 이어서, 유리 기판의 제2 주면측에, 플라즈마 CVD법에 의해 산화 실리콘막을 성막하여 게이트 절연막을 형성한 후에, 스퍼터링법에 의해 몰리브덴을 성막하고, 포토리소그래피법을 사용한 에칭에 의해 게이트 전극을 형성한다. 이어서, 포토리소그래피법과 이온 도핑 장치에 의해 고농도의 붕소와 인을 N형, P형 각각의 원하는 에리어에 주입하여, 소스 에리어 및 드레인 에리어를 형성한다. 이어서, 유리 기판의 제2 주면측에 플라즈마 CVD법에 의한 산화 실리콘의 성막으로 층간 절연막을, 스퍼터링법에 의해 알루미늄의 성막 및 포토리소그래피법을 사용한 에칭에 의해 TFT 전극을 형성한다. 이어서, 수소 분위기 하에서 가열 처리하여 수소화 처리를 행한 후에, 플라즈마 CVD법에 의한 질소 실리콘의 성막으로 패시베이션층을 형성한다. 이어서, 유리 기판의 제2 주면측에 자외선 경화성 수지를 도포하고, 포토리소그래피법에 의해 평탄화층 및 콘택트 홀을 형성한다. 이어서, 스퍼터링법에 의해 산화인듐주석을 성막하여, 포토리소그래피법을 사용한 에칭에 의해 화소 전극을 형성한다.First, two pieces of glass laminate S1-1 and S1-2 were prepared, and on the second main surface of the glass substrate in one glass laminate S1-1, silicon nitride, silicon oxide, amorphous silicon The order is made in order. Subsequently, low-concentration boron is implanted into the amorphous silicon layer by an ion doping apparatus, and heat treatment is performed in a nitrogen atmosphere to perform dehydrogenation treatment. Then, the amorphous silicon layer is crystallized by a laser annealing apparatus. Then, low-concentration phosphorus is injected into the amorphous silicon layer from an etching and ion-doping apparatus using a photolithography method to form N-type and P-type TFT areas. Subsequently, a silicon oxide film is formed on the second main surface side of the glass substrate by a plasma CVD method to form a gate insulating film, and then molybdenum is formed by a sputtering method, and a gate electrode is formed by etching using a photolithography method . Subsequently, boron and phosphorous of high concentration are implanted into desired areas of N type and P type respectively by photolithography and ion doping apparatus to form a source area and a drain area. Next, on the second main surface side of the glass substrate, an interlayer insulating film is formed by the silicon oxide film formation by the plasma CVD method, and a TFT electrode is formed by sputtering by aluminum film formation and etching by photolithography. Subsequently, a heat treatment is performed in a hydrogen atmosphere to perform a hydrogenation treatment, and then a passivation layer is formed by film formation of nitrogen silicon by a plasma CVD method. Subsequently, an ultraviolet curing resin is applied to the second main surface side of the glass substrate, and a planarization layer and a contact hole are formed by photolithography. Subsequently, indium tin oxide is formed by a sputtering method, and a pixel electrode is formed by etching using a photolithography method.

이어서, 다른 한쪽의 유리 적층체 S1-2를 대기 분위기 하에서 가열 처리한다. 이어서, 유리 적층체 S1-2에 있어서의 유리 기판의 제2 주면 위에 스퍼터링법에 의해 크롬을 성막하고, 포토리소그래피법을 사용한 에칭에 의해 차광층을 형성한다. 이어서, 유리 기판의 제2 주면측에 다이 코팅법에 의해 컬러 레지스트를 도포하고, 포토리소그래피법 및 열 경화에 의해 컬러 필터층을 형성한다. 이어서, 스퍼터링법에 의해 산화인듐주석을 성막하여, 대향 전극을 형성한다. 이어서, 유리 기판의 제2 주면측에 다이 코팅법에 의해 자외선 경화 수지액을 도포하고, 포토리소그래피법 및 열 경화에 의해 기둥 형상 스페이서를 형성한다. 이어서, 롤 코팅법에 의해 폴리이미드 수지액을 도포하고, 열 경화에 의해 배향층을 형성하고, 러빙을 행한다.Subsequently, the other glass laminate S1-2 is heat-treated in an atmospheric environment. Subsequently, chromium is deposited on the second main surface of the glass substrate in the glass laminate S1-2 by sputtering, and the light shielding layer is formed by etching using photolithography. Then, a color resist is coated on the second main surface side of the glass substrate by a die coating method, and a color filter layer is formed by photolithography and thermal curing. Subsequently, indium tin oxide is formed by sputtering to form counter electrodes. Subsequently, an ultraviolet curable resin liquid is coated on the second main surface side of the glass substrate by a die coating method, and a columnar spacer is formed by photolithography and thermal curing. Then, a polyimide resin solution is applied by a roll coating method, an orientation layer is formed by thermal curing, and rubbing is performed.

이어서, 디스펜서법에 의해 시일용 수지액을 프레임 형상으로 묘화하고, 프레임 내에 디스펜서법에 의해 액정을 적하한 후에, 상기에서 화소 전극이 형성된 유리 적층체 S1-1을 사용하여, 2매의 유리 적층체 S1의 유리 기판의 제2 주면측끼리를 접합하고, 자외선 경화 및 열 경화에 의해 LCD 패널을 얻는다.Subsequently, the sealing resin liquid was drawn in a frame shape by the dispenser method, liquid crystal was dropped by the dispenser method in the frame, and then the glass laminate S1-1 on which the pixel electrode was formed was used to form two glass laminate The second main surface side of the glass substrate of the sieve S1 is bonded, and an LCD panel is obtained by ultraviolet curing and thermal curing.

계속해서, 유리 적층체 S1-1의 지지 기재의 제1 폴리이미드 수지층측과는 반대측의 표면을 정반에 진공 흡착시켜, 유리 적층체 S1-2의 코너부의 제1 폴리이미드 수지층과 제2 폴리이미드 수지층의 계면에, 두께 0.1㎜의 스테인리스제 칼날을 삽입하여, 제1 폴리이미드 수지층과 제2 폴리이미드 수지층의 계면에 박리의 계기를 부여한다. 여기서 칼날의 삽입은, 이오나이저(키엔스사제)로부터 제전성 유체를 당해 계면에 분사하면서 행한다. 이어서, 형성된 공극을 향하여 이오나이저로부터는 계속하여 제전성 유체를 분사하면서, 물을 박리 전선에 끼얹으면서 진공 흡착 패드를 인상한다. 그리고, 유리 적층체 S1-2의 지지 기재의 제2 주면을 진공 흡착 패드로 흡착한 후, 흡착 패드를 상승시킨다. 그 결과, 정반 위에 유리 적층체 S1-1의 지지 기재가 부착된 LCD의 빈 셀만을 남기고, 수지층을 갖는 지지 기재를 박리할 수 있다.Subsequently, the surface of the supporting substrate of the glass laminate S1-1 on the side opposite to the first polyimide resin layer side is vacuum-adsorbed on the surface of the base plate, so that the first polyimide resin layer at the corner of the glass laminate S1-2 and the second polyimide resin layer A stainless steel blade having a thickness of 0.1 mm is inserted into the interface of the polyimide resin layer to give a peeling moment to the interface between the first polyimide resin layer and the second polyimide resin layer. Here, the insertion of the blade is carried out while spraying an antistatic fluid from the ionizer (manufactured by KYENS) onto the interface. Subsequently, the vacuum adsorption pad is pulled up while water is being stuck in the peeling wire while the antistatic fluid is continuously sprayed from the ionizer toward the formed voids. After the second main surface of the supporting substrate of the glass laminate S1-2 is adsorbed by the vacuum adsorption pad, the adsorption pad is raised. As a result, the supporting substrate having the resin layer can be peeled off, leaving only empty cells of the LCD on which the supporting substrate of the glass laminate S1-1 is adhered.

이어서, 제1 주면에 컬러 필터가 형성된 유리 기판의 제2 주면을 정반에 진공 흡착시켜, 유리 적층체 S1-1의 코너부의 제1 폴리이미드 수지층과 제2 폴리이미드 수지층의 계면에 두께 0.1㎜의 스테인리스제 칼날을 삽입하여, 제1 폴리이미드 수지층과 제2 폴리이미드 수지층의 계면에 박리의 계기를 부여한다. 그리고, 유리 적층체 S1-1의 지지 기재의 제1 폴리이미드 수지층측과는 반대측의 표면을 진공 흡착 패드로 흡착한 후, 유리 기판과 수지층 사이에 물을 분사하면서, 흡착 패드를 상승시킨다. 그 결과, 정반 위에 LCD 셀만을 남기고, 수지층을 갖는 지지 기재를 박리할 수 있다. 이와 같이 하여, 두께 0.1㎜의 유리 기판으로 구성되는 복수의 LCD의 셀이 얻어진다.Subsequently, a second main surface of the glass substrate on which the color filter was formed on the first main surface was vacuum-adsorbed on the surface of the base plate, and a thickness of 0.1 mm was formed at the interface between the first polyimide resin layer and the second polyimide resin layer at the corner of the glass laminate S1-1 Mm is inserted into the first polyimide resin layer and the second polyimide resin layer to give a moment of peeling to the interface between the first polyimide resin layer and the second polyimide resin layer. Then, the surface of the supporting substrate of the glass laminate S1-1 on the side opposite to the first polyimide resin layer side is adsorbed by the vacuum adsorption pad, and then the adsorption pad is raised while spraying water between the glass substrate and the resin layer . As a result, the supporting substrate having the resin layer can be separated while leaving only the LCD cell on the surface plate. In this manner, a plurality of LCD cells constituted by a glass substrate having a thickness of 0.1 mm are obtained.

계속해서, 절단하는 공정에 의해 복수의 LCD의 셀로 분단한다. 완성된 각각의 LCD 셀에 편광판을 부착하는 공정을 실시하고, 계속하여 모듈 형성 공정을 실시하여 LCD를 얻는다. 이와 같이 하여 얻어지는 LCD는, 특성 상 문제는 발생하지 않는다.Subsequently, the cells are divided into a plurality of LCD cells by a cutting process. A process of attaching a polarizing plate to each completed LCD cell is performed, and then a module forming process is performed to obtain an LCD. The LCD thus obtained does not cause a problem in terms of characteristics.

<실시예 6>&Lt; Example 6 >

본 예에서는, 실시예 1에서 얻은 유리 적층체 S1을 사용하여 OLED를 제조한다.In this example, an OLED is manufactured by using the glass laminate S1 obtained in the first embodiment.

우선, 유리 적층체 S1에 있어서의 유리 기판의 제2 주면 위에 스퍼터링법에 의해 몰리브덴을 성막하고, 포토리소그래피법을 사용한 에칭에 의해 게이트 전극을 형성한다. 이어서, 스퍼터링법에 의해, 유리 기판의 제2 주면측에 산화알루미늄을 성막하여 게이트 절연막을 더 형성하고, 계속하여 스퍼터링법에 의해 산화인듐갈륨아연을 성막하고 포토리소그래피법을 사용한 에칭에 의해 산화물 반도체층을 형성한다. 이어서, 스퍼터링법에 의해 유리 기판의 제2 주면측에 산화 알루미늄을 성막하여 채널 보호층을 더 형성하고, 계속하여 스퍼터링법에 의해 몰리브덴을 성막하고 포토리소그래피법을 사용한 에칭에 의해 소스 전극 및 드레인 전극을 형성한다.First, molybdenum is deposited on the second main surface of the glass substrate in the glass laminate S1 by the sputtering method, and the gate electrode is formed by etching using photolithography. Subsequently, aluminum oxide is formed on the second main surface side of the glass substrate by sputtering to further form a gate insulating film. Subsequently, indium gallium zinc oxide is formed by the sputtering method and the oxide semiconductor is etched by photolithography Layer. Subsequently, aluminum oxide is deposited on the second main surface side of the glass substrate by the sputtering method to further form a channel protective layer. Subsequently, molybdenum is deposited by sputtering and is etched by photolithography to form a source electrode and a drain electrode .

이어서, 대기 중에서, 가열 처리를 행한다. 이어서, 유리 기판의 제2 주면측에 스퍼터링법에 의해 산화 알루미늄을 성막하여 패시베이션층을 더 형성하고, 계속하여 스퍼터링법에 의해 산화인듐주석을 성막하고 포토리소그래피법을 사용한 에칭에 의해 화소 전극을 형성한다.Subsequently, heat treatment is performed in the air. Subsequently, aluminum oxide is formed on the second main surface side of the glass substrate by sputtering to further form a passivation layer. Subsequently, indium tin oxide is formed by a sputtering method and a pixel electrode is formed by etching using a photolithography method do.

계속해서, 증착법에 의해 유리 기판의 제2 주면측에 정공 주입층으로서 4,4',4"-트리스(3-메틸페닐페닐아미노)트리페닐아민, 정공 수송층으로서 비스[(N-나프틸)-N-페닐]벤지딘, 발광층으로서 8-퀴놀리놀알루미늄 착체(Alq3)에 2,6-비스[4-[N-(4-메톡시페닐)-N-페닐]아미노스티릴]나프탈렌-1,5-디카르보니트릴(BSN-BCN)을 40체적% 혼합한 것, 전자 수송층으로서 Alq3을 이 순서대로 성막한다. 이어서, 스퍼터링법에 의해 알루미늄을 성막하고, 포토리소그래피법을 사용한 에칭에 의해 대향 전극을 형성한다. 이어서, 유리 기판의 제2 주면측에 자외선 경화형의 접착층을 개재하여 유리 기판을 1매 더 접합하고 밀봉한다. 상기 수순에 의해, 유리 기판 위에 유기 EL 구조체를 형성한다. 유리 기판 위에 유기 EL 구조체를 갖는 유리 적층체 S1(이하, 패널 B라고 함)이, 본 발명의 전자 디바이스용 부재를 갖는 적층체(지지 기재를 갖는 표시 장치용 패널)이다.Subsequently, 4,4 ', 4 "-tris (3-methylphenylphenylamino) triphenylamine was used as a hole injection layer on the second main surface side of the glass substrate by vapor deposition, and bis [(N-naphthyl) (4-methoxyphenyl) -N-phenyl] aminostyryl] naphthalene-1-carboxylate was added to 8-quinolinol aluminum complex (Alq 3 ) , And 5-dicarbononitrile (BSN-BCN) in an amount of 40% by volume, and Alq 3 as an electron transporting layer were formed in this order. Subsequently, aluminum was deposited by a sputtering method and was subjected to etching by photolithography Next, one glass substrate is further bonded and sealed on the second main surface side of the glass substrate via an adhesive layer of ultraviolet curing type. [0053] By the above procedure, the organic EL structure is formed on the glass substrate. A glass laminate S1 having an organic EL structure on a substrate (hereinafter referred to as panel B) (A panel for a display device having a supporting substrate).

계속해서, 패널 B의 밀봉체측을 정반에 진공 흡착시킨 다음, 패널 B의 코너부의 제1 폴리이미드 수지층과 제2 폴리이미드 수지층의 계면에 두께 0.1㎜의 스테인리스제 칼날을 삽입하여, 제1 폴리이미드 수지층과 제2 폴리이미드 수지층의 계면에 박리의 계기를 부여한다. 그리고, 패널 B의 지지 기재 표면을 진공 흡착 패드로 흡착한 후, 흡착 패드를 상승시킨다. 여기서 칼날의 삽입은, 이오나이저(키엔스사제)로부터 제전성 유체를 당해 계면에 분사하면서 행한다. 이어서, 형성된 공극을 향하여 이오나이저로부터는 계속하여 제전성 유체를 분사하면서, 또한, 물을 박리 전선에 끼얹으면서 진공 흡착 패드를 인상한다. 그 결과, 정반 위에 유기 EL 구조체가 형성된 유리 기판만을 남기고, 수지층을 갖는 지지 기재를 박리할 수 있다.Subsequently, a stainless steel blade having a thickness of 0.1 mm was inserted into the interface between the first polyimide resin layer and the second polyimide resin layer at the corners of the panel B after the sealing member side of the panel B was vacuum- And the interface between the polyimide resin layer and the second polyimide resin layer is imparted with a peeling moment. After the surface of the supporting substrate of the panel B is adsorbed by the vacuum adsorption pad, the adsorption pad is raised. Here, the insertion of the blade is carried out while spraying an antistatic fluid from the ionizer (manufactured by KYENS) onto the interface. Subsequently, the vacuum adsorption pad is pulled up while water is sprayed on the peeling wire while spraying the antistatic fluid continuously from the ionizer toward the formed voids. As a result, the supporting substrate having the resin layer can be peeled off, leaving only the glass substrate on which the organic EL structure is formed.

계속해서, 분리된 유리 기판을 레이저 커터 또는 스크라이브-브레이크법을 사용하여 절단하고, 복수의 셀로 분단한 후, 유기 EL 구조체가 형성된 유리 기판과 대향 기판을 조립하고, 모듈 형성 공정을 실시하여 OLED를 제작한다. 이와 같이 하여 얻어지는 OLED는, 특성 상 문제는 발생하지 않는다.Subsequently, the separated glass substrate is cut using a laser cutter or a scribe-break method, and is divided into a plurality of cells. Thereafter, the glass substrate on which the organic EL structure is formed and the counter substrate are assembled, And make them. The OLED thus obtained does not cause any problems in terms of characteristics.

본 발명을 상세하게 또한 특정한 실시 형태를 참조하여 설명했지만, 본 발명의 정신과 범위를 일탈하지 않고 다양한 변경이나 수정을 가할 수 있음은 당업자에 있어서 명확하다.Although the present invention has been described in detail with reference to specific embodiments, it is apparent to those skilled in the art that various changes and modifications can be made without departing from the spirit and scope of the present invention.

본 출원은 2013년 12월 26일에 출원된 일본 특허 출원 2013-269304에 기초하는 것이고, 그 내용은 여기에 참조로서 도입된다.The present application is based on Japanese Patent Application No. 2013-269304 filed on December 26, 2013, the contents of which are incorporated herein by reference.

10: 유리 적층체
12: 지지 기재
14a: 제1 폴리이미드 수지층
14b: 제2 폴리이미드 수지층
16: 유리 기판
18: 수지층을 갖는 지지 기재
20: 수지층을 갖는 유리 기판
22: 전자 디바이스용 부재
24: 전자 디바이스용 부재를 갖는 적층체
26: 전자 디바이스
10: Glass laminate
12: support substrate
14a: a first polyimide resin layer
14b: a second polyimide resin layer
16: glass substrate
18: Supporting substrate having a resin layer
20: glass substrate having a resin layer
22: member for electronic device
24: laminate having member for electronic device
26: Electronic device

Claims (5)

지지 기재 및 상기 지지 기재 상에서 형성된 폴리이미드 수지의 층(제1 폴리이미드 수지층)을 갖는 수지층을 갖는 지지 기재, 그리고 유리 기판 및 상기 유리 기판 상에서 형성된 폴리이미드 수지의 층(제2 폴리이미드 수지층)을 갖는 수지층을 갖는 유리 기판을 포함하고,
상기 수지층을 갖는 지지 기재 중의 상기 제1 폴리이미드 수지층과, 상기 수지층을 갖는 유리 기판 중의 상기 제2 폴리이미드 수지층이 접촉하도록, 상기 수지층을 갖는 지지 기재와 상기 수지층을 갖는 유리 기판이 적층되어 있으며,
상기 제1 폴리이미드 수지층의 상기 지지 기재측과는 반대측의 표면 및 상기 제2 폴리이미드 수지층의 상기 유리 기판측과는 반대측의 표면 각각의 표면 조도 Ra가 2.0㎚ 이하인, 유리 적층체.
A support substrate having a support substrate and a resin layer having a layer of polyimide resin (first polyimide resin layer) formed on the support substrate, and a layer of a polyimide resin formed on the glass substrate and a second polyimide resin layer And a glass substrate having a resin layer having a surface layer
Wherein the first polyimide resin layer in the supporting substrate having the resin layer and the second polyimide resin layer in the glass substrate having the resin layer are in contact with each other so that the supporting substrate having the resin layer and the glass having the resin layer A substrate is stacked,
Wherein the surface roughness Ra of the surface of the first polyimide resin layer opposite to the side of the support substrate and the surface of the second polyimide resin layer opposite to the glass substrate side is 2.0 nm or less.
제1항에 있어서, 상기 폴리이미드 수지가, 하기 식 (1)로 표현되는, 테트라카르복실산류의 잔기 (X)와 디아민류의 잔기 (A)를 갖는 반복 단위를 포함하면서, 또한 상기 테트라카르복실산류의 잔기 (X)가 하기 식 (X1) 내지 (X4)로 표현되는 기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 기를 포함하고, 상기 디아민류의 잔기 (A)가 하기 식 (A1) 내지 (A8)로 표현되는 기로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종의 기를 포함하는, 유리 적층체.
Figure pct00012

(식 (1) 중 X는 테트라카르복실산류로부터 카르복시기를 제외한 테트라카르복실산 잔기를, A는 디아민류로부터 아미노기를 제외한 디아민 잔기를 나타냄)
Figure pct00013
The polyimide resin according to claim 1, wherein the polyimide resin comprises a repeating unit having a residue (X) of a tetracarboxylic acid and a residue (A) of a diamine represented by the following formula (1) The residue (A) of the diamine has at least one group selected from the group consisting of the following formulas (A1) to (X4), and the residue (X) A8). &Lt; / RTI &gt;
Figure pct00012

(Wherein X in the formula (1) represents a tetracarboxylic acid residue excluding a carboxyl group from a tetracarboxylic acid and A represents a diamine residue excluding an amino group from a diamine)
Figure pct00013
제2항에 있어서, 상기 테트라카르복실산류의 잔기 (X)가 식 (X1)로 표현되는 기 및 식 (X4)로 표현되는 기의 적어도 한쪽을 포함하고, 상기 디아민류의 잔기 (A)가 식 (A1)로 표현되는 기 및 식 (A6)으로 표현되는 기의 적어도 한쪽을 포함하는, 유리 적층체.The method according to claim 2, wherein the residue (X) of the tetracarboxylic acid comprises at least one of a group represented by the formula (X1) and a group represented by the formula (X4) A group represented by the formula (A1) and a group represented by the formula (A6). 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 지지 기재가 유리판인, 유리 적층체.The glass laminate according to any one of claims 1 to 3, wherein the supporting substrate is a glass plate. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 기재된 유리 적층체 중의 상기 유리 기판의 표면 위에 전자 디바이스용 부재를 형성하여, 전자 디바이스용 부재를 갖는 적층체를 얻는 부재 형성 공정과,
상기 전자 디바이스용 부재를 갖는 적층체로부터 상기 수지층을 갖는 지지 기재를 제거하여, 상기 제2 폴리이미드 수지층과 상기 유리 기판과 상기 전자 디바이스용 부재를 갖는 전자 디바이스를 얻는 분리 공정을 구비하는, 전자 디바이스의 제조 방법.
A member forming step of forming a member for an electronic device on a surface of the glass substrate in the glass laminate according to any one of claims 1 to 4 to obtain a laminate having an electronic device member,
And a separation step of removing the supporting substrate having the resin layer from the laminate having the electronic device member to obtain the electronic device having the second polyimide resin layer, the glass substrate, and the electronic device member, A method of manufacturing an electronic device.
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