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KR20140065119A - Apparatus for purificating exhaust gas - Google Patents

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KR20140065119A
KR20140065119A KR1020120132238A KR20120132238A KR20140065119A KR 20140065119 A KR20140065119 A KR 20140065119A KR 1020120132238 A KR1020120132238 A KR 1020120132238A KR 20120132238 A KR20120132238 A KR 20120132238A KR 20140065119 A KR20140065119 A KR 20140065119A
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한국기계연구원
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Abstract

The present invention relates to an exhaust gas treatment device for treating exhaust gas discharged from an engine of a vessel comprising: a first treating part installed on a path for discharging the exhaust gas to treat nitrogen oxides (NOx) contained in the exhaust gas by spraying a reducing agent; a second treating part connected to the first treating part to remove sulfur oxides (SOx) downwards by contacting sulfur oxides (SOx) contained in the exhaust gas by spraying a cleaning solution; and a third treating part installed in the upper side of the second treating part to collect minute particles contained in the exhaust gas flowing from the second treating part to the upper side. Therefore, according to the present invention, provided is the exhaust gas treatment device for improving the exhaust gas treatment efficiency by converting the sulfur oxides into hydrophile properties, and lowering the reaction temperatures of the nitrogen oxides through plasma treatment.

Description

배기가스 처리장치{APPARATUS FOR PURIFICATING EXHAUST GAS}[0001] APPARATUS FOR PURIFICATING EXHAUST GAS [0002]

본 발명은 배기가스 처리장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 비교적 저온에서도 처리효율이 향상될 수 있는 배기가스 처리장치에 관한 것이다.The present invention relates to an exhaust gas treatment apparatus, and more particularly, to an exhaust gas treatment apparatus capable of improving treatment efficiency even at a relatively low temperature.

2-행정 대형 엔진을 이용하는 선박에서는 대부분 벙커 C유, 등유 등 저급연료를 사용하며 높은 출력이 요구되는 특성상 많은 유해물질을 함유한 채 대기중으로 배기가스가 배출된다. 이러한 배기가스 중 대표적인 유해물질로서는 미세먼지, 질소산화물(NOx), 황산화물(SOx) 등이 있다.In ships using two-stroke large engines, low-grade fuel such as Bunker C oil or kerosene is mostly used, and the exhaust gas is discharged into the atmosphere containing many harmful substances due to the nature of high output. Representative harmful substances among these exhaust gases include fine dust, nitrogen oxides (NOx) and sulfur oxides (SOx).

한편, 이러한 배기가스로 인한 오염을 줄이기 위하여, 선박을 대상으로 하는 배기가스 규제가 날이 갈수록 엄격해지고 있는 추세이다. 이러한, 규제에 대응하여 선박에도 선택적 촉매 환원법(SCR:Selective Catalytic Reduction)을 이용하는 배기가스 처리장치를 장착하고 있다.On the other hand, in order to reduce the pollution caused by such exhaust gas, the regulation of exhaust gas directed to a ship is becoming more and more strict. In response to such regulations, the ship is equipped with an exhaust gas treatment apparatus using selective catalytic reduction (SCR).

도 1은 종래의 배기가스 처리장치의 일례를 개략적으로 도시한 것이다.1 schematically shows an example of a conventional exhaust gas processing apparatus.

도 1에 도시된 바와 같이, 종래의 배기가스 처리장치(10)는 SCR 장치(11)를 통하여 질소산화물(NOx)를 처리하는 동시에 물을 분사하여 황산화물(SOx) 및 그을음을 처리하는 장치(12)를 구비하고 있으며, 최종적으로 발생하는 미스트(백연) 또는 그을음은 데미스터(Demister)(13)를 통하여 제거하는 방식으로 구성된다.1, a conventional exhaust gas processing apparatus 10 is an apparatus (not shown) for processing SOx and soot by spraying water while treating nitrogen oxides (NOx) through an SCR device 11 12), and the finally generated mist (white smoke) or soot is removed through a demister 13.

다만, 이러한 종래의 배기가스 처리장치(10)의 SCR 장치(11)는 저온에서는 질소산화물 처리효율이 저하되는 문제가 있었으며, 이를 해결하기 위해서는 처리조건을 고온으로 유지해주는 별도의 장치가 요구되었다.However, the conventional SCR apparatus 11 of the exhaust gas treatment apparatus 10 has a problem that the nitrogen oxide treatment efficiency is lowered at low temperatures. To solve this problem, a separate apparatus for maintaining the treatment conditions at a high temperature has been required.

또한, 종래의 배기가스 처리장치(10)의 황산화물(SOx) 및 그을음 처리장치(12) 및 데미스터(13)를 통하여도 인체에 실질적으로 유해하게 작용하는 미세입자(PM:Particulate)는 처리되지 못한 상태로 배출되는 문제가 있었다.Particulate matter (PM), which is substantially harmful to the human body through the sulfur oxide (SOx), the soot treatment device 12 and the demister 13 of the conventional exhaust gas treatment device 10, There is a problem that it is discharged in a state in which it is not discharged.

따라서, 본 발명의 목적은 이와 같은 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 플라즈마 처리를 통하여 질소산화물의 반응온도를 낮추고 황산화물을 친수성으로 변환시킴으로써 배기가스 처리효율을 향상시킬 수 있고, 입자상 물질의 처리효율을 향상시킬 수 있는 배기가스 처리장치를 제공함에 있다.SUMMARY OF THE INVENTION It is therefore an object of the present invention to solve such conventional problems, and it is an object of the present invention to improve the exhaust gas treatment efficiency by lowering the reaction temperature of the nitrogen oxide and converting the sulfur oxide into hydrophilicity through the plasma treatment, And an exhaust gas treatment device capable of improving the efficiency.

상기 목적은, 본 발명에 따라, 선박의 엔진으로부터 배출되는 배기가스를 처리하는 배기가스 처리장치에 있어서, 상기 배기가스가 배출되는 경로 상에 설치되며, 환원제를 분사하여 배기가스에 포함되는 질소산화물(NOx)을 처리하는 제1처리부; 상기 제1처리부와 연결되며, 세정액을 분사하여 배기가스에 포함되는 황산화물(SOx)과 접촉시켜 하방으로 제거하는 제2처리부; 상기 제2처리부의 상측에 설치되며, 상기 제2처리부로부터 상측으로 유동하는 배기가스에 포함되는 미세입자를 집진하는 제3처리부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 배기가스 처리장치에 의해 달성된다.According to the present invention, there is provided an exhaust gas treatment apparatus for treating an exhaust gas discharged from an engine of a ship, the exhaust gas treatment apparatus being provided on a path through which the exhaust gas is discharged, spraying a reducing agent, (NOx) contained in the exhaust gas; A second processing unit connected to the first processing unit, for spraying a cleaning liquid and contacting the SOx contained in the exhaust gas and removing the SOx downward; And a third processing unit disposed above the second processing unit and configured to collect fine particles contained in the exhaust gas flowing upward from the second processing unit.

또한, 상기 제1처리부는 유동하는 배기가스에 펄스전압을 인가하는 플라즈마화 하는 펄스인가부; 상기 배기가스 측으로 환원제를 분사하는 환원제 분사부; 플라즈마화된 배기가스에 포함되는 질소산화물과 상기 환원제 간의 반응속도를 증가시키는 촉매부;를 포함할 수 있다.The first processing unit may further include: a pulse applying unit for applying a pulse voltage to the exhaust gas flowing; A reducing agent spraying unit for spraying a reducing agent toward the exhaust gas; And a catalyst part for increasing the reaction rate between the nitrogen oxide contained in the plasmaized exhaust gas and the reducing agent.

또한, 상기 펄스인가부는 상기 배기가스의 유동방향을 따라 길게 형성되는 펄스봉; 상기 펄스봉에 펄스전원을 공급하는 전원공급부;를 포함하고, 상기 환원제 분사부는 상기 펄스봉의 외면을 둘러싸며 상기 전원공급부로부터 공급되는 전원을 상기 펄스봉에 인가하되, 상기 배기가스의 유동방향과 수직한 방향으로 환원제가 분사되도록 외주면에는 분사구가 형성될 수 있다.The pulse applying unit may include a pulse bar formed along the flow direction of the exhaust gas. And a power supply unit for supplying a pulse power to the pulse bar, wherein the reducing agent jet unit surrounds the outer surface of the pulse bar and applies a power from the power supply unit to the pulse bar, An injection port may be formed on the outer circumferential surface so that the reducing agent is injected in one direction.

상기 제1처리부는 내부에 설치되는 펄스봉과의 사이에서 플라즈마를 발생하도록 전기적으로 접지되는 챔버부를 더 포함하고, 상기 환원제 분사부는 상기 펄스봉과 상기 챔버부 사이의 전기적인 누설이 방지되도록 절연소재로 마련될 수 있다.The first processing unit may further include a chamber part electrically grounded to generate a plasma between the pulse bar provided in the first processing part and the reductant injecting part is formed of an insulating material so as to prevent electrical leakage between the pulse bar and the chamber part .

또한, 상기 제2처리부는 배기가스가 유입되도록 유입구가 형성되는 케이싱; 상기 케이싱 내부의 상단에 설치되어 하측으로 세정액을 분사하는 복수개의 세정액 분사 노즐; 세정액이 하전되도록 상기 세정액 분사 노즐로부터 분사되는 세정액의 유동경로를 둘러싸며 고전압을 인가하는 유도전극;을 포함할 수 있다.The second processing unit may include: a casing having an inlet port through which the exhaust gas flows; A plurality of cleaning liquid spray nozzles provided at an upper end of the casing and spraying a cleaning liquid downward; And an induction electrode surrounding the flow path of the cleaning liquid sprayed from the cleaning liquid spray nozzle to apply a high voltage so that the cleaning liquid is charged.

또한, 상기 세정액 분사 노즐로부터 분사되는 세정액 입자는 상기 유도전극으로부터 인가되는 고전압에 의하여 미세화될 수 있다.In addition, the cleaning liquid particles injected from the cleaning liquid injection nozzle may be refined by a high voltage applied from the induction electrode.

또한, 상기 제3처리부는 상기 세정액 분사 노즐로부터 상측으로 이격되는 위치에 상호 이격되게 배치되는 복수개의 집진판; 상기 집진판 상에 수막이 형성되도록 세정액을 분사하는 수막 형성 유도부; 이웃하는 집진판 사이에 위치하여 방전을 일으키는 방전부; 상기 방전부에 고전압을 인가하는 고전압 인가부;를 포함할 수 있다.The third processing unit may include a plurality of dust collecting plates spaced upward from the cleaning liquid spraying nozzles so as to be spaced apart from each other; A water film formation inducing unit for injecting a cleaning liquid to form a water film on the dust collecting plate; A discharging part positioned between neighboring collecting plates to cause a discharge; And a high voltage application unit for applying a high voltage to the discharge unit.

본 발명에 따르면, 배기가스를 플라즈마화 함으로써 질소산화물이 저온에서도 환원제와 반응하여 처리 수율을 향상시킬 수 있는 배기가스 처리장치가 제공된다.According to the present invention, there is provided an exhaust gas processing apparatus capable of reacting nitrogen oxides with a reducing agent even at a low temperature, by making the exhaust gas plasma.

또한, 배기가스를 플라즈마화하여 소수성 특성의 황산화물을 친수성으로 특성 변환함으로써, 세정수와의 결합으로 인한 황산화물의 처리효율이 향상될 수 있다.In addition, the treatment efficiency of sulfur oxides due to bonding with the washing water can be improved by transforming the sulfur oxide of the hydrophobic characteristic into hydrophilicity by converting the exhaust gas into plasma.

또한, 세정수를 하전시킴으로써 황산화물 입자와의 결합강도를 향상시킬 수 있다.In addition, the binding strength with the sulfuric acid particles can be improved by charging the cleansing water.

또한, 코로나 방전을 통하여 집진판 상에 미세입자를 집진함으로써, 인체에 유해한 미세입자 처리가 가능하다.Further, by collecting the fine particles on the dust collecting plate through the corona discharge, it is possible to treat fine particles harmful to the human body.

또한, 세정수 분사를 통하여 황산화물을 처리하는 제2처리부의 상측에 제3처리부를 설치하여, 제3처리부에서의 수막형성용 세정수가 제2처리부에 유입되어 황산화물을 처리함으로써 처리 성능을 향상시킬 수 있다.Further, the third treatment section is provided above the second treatment section for treating the sulfuric acid through the cleansing water spray, the wash water for forming a water film in the third treatment section flows into the second treatment section, and sulfuric acid is treated to improve the treatment performance .

도 1은 종래의 배기가스 처리장치의 일례를 개략적으로 도시한 것이고,
도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 배기가스 처리장치를 개략적으로 도시한 것이고,
도 3은 도 2의 배기가스 처리장치의 제1처리부를 개략적으로 도시한 것이고,
도 4는 도 2의 배기가스 처리장치의 제2처리부를 개략적으로 도시한 것이고,
도 5는 도 2의 배기가스 처리장치의 세정액 분사노즐과 유도전극의 구조를 개략적으로 도시한 것이고,
도 6은 도 2의 배기가스 처리장치의 세정액 분사노즐과 유도전극의 구조의 변형례를 개략적으로 도시한 것이고,
도 7은 도 2의 배기가스 처리장치의 제3처리부를 개략적으로 도시한 것이다.
Fig. 1 schematically shows an example of a conventional exhaust gas treating apparatus,
FIG. 2 is a schematic view of an exhaust gas treating apparatus according to an embodiment of the present invention,
Fig. 3 schematically shows a first treatment section of the exhaust gas treatment apparatus of Fig. 2,
Fig. 4 schematically shows a second treatment section of the exhaust gas treatment apparatus of Fig. 2,
5 schematically shows the structure of the cleaning liquid injection nozzle and the induction electrode of the exhaust gas processing apparatus of FIG. 2,
Fig. 6 is a schematic view showing a modification of the structure of the cleaning liquid injection nozzle and the induction electrode of the exhaust gas processing apparatus of Fig. 2,
Fig. 7 schematically shows a third processing section of the exhaust gas processing apparatus of Fig. 2;

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 일실시예에 따른 배기가스 처리장치에 대하여 상세하게 설명한다.DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, an exhaust gas processing apparatus according to an embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.

도 2는 본 발명의 일실시예에 따른 배기가스 처리장치를 개략적으로 도시한 것이다.2 schematically shows an exhaust gas treating apparatus according to an embodiment of the present invention.

도 2를 참조하면, 본 발명의 일실시예에 따른 배기가스 처리장치(100)는 선박에 사용되는 엔진(E)으로부터 배출되는 배기가스를 처리하기 위한 장치로서, 제1처리부(110)와 제2처리부(120)와 제3처리부(130)를 포함한다.Referring to FIG. 2, an exhaust gas treating apparatus 100 according to an embodiment of the present invention is an apparatus for treating exhaust gas discharged from an engine E used in a ship. The exhaust gas treating apparatus 100 includes a first treating unit 110, 2 processing unit 120 and a third processing unit 130. [

도 3은 도 2의 배기가스 처리장치의 제1처리부를 개략적으로 도시한 것이다.Fig. 3 schematically shows a first treatment section of the exhaust gas treatment apparatus of Fig. 2; Fig.

도 3을 참조하면, 상기 제1처리부(110)는 배기가스가 배출되는 경로 상에 설치되어 질소산화물(NOx)를 처리하기 위한 것으로서, 펄스인가부(111)와 환원제 분사부(115)와 촉매부(117)를 포함한다.Referring to FIG. 3, the first processing unit 110 is disposed on a path through which exhaust gas is exhausted and processes nitrogen oxides (NOx). The first processing unit 110 includes a pulse applying unit 111, a reducing agent spraying unit 115, (117).

상기 펄스인가부(111)는 배기가스가 플라즈마화 되도록 유동하는 배기가스에 펄스를 인가하는 것으로서, 챔버부(112)와 펄스봉(113)과 전원공급부(114)를 포함한다.The pulse application unit 111 includes a chamber unit 112, a pulse bar 113, and a power supply unit 114 for applying pulses to an exhaust gas flowing through the exhaust gas to be plasmaized.

상기 챔버부(112)는 배기가스의 외부 누설을 방지한 상태로 내부에서 유동하는 배기가스에 포함되는 질소산화물(NOx)를 1차적으로 처리한 후에, 배기가스의 유동경로를 후술하는 제2처리부(120) 측으로 안내하기 위한 것이다. 챔버부(112)의 내부는 다수의 격벽으로 구획되어, 구획된 챔버부(112) 내부의 공간을 통하여 배기가스가 유동한다.The chamber part 112 primarily treats nitrogen oxides (NOx) contained in the exhaust gas flowing therein while preventing external leakage of the exhaust gas, and thereafter flows the exhaust gas flow path through a second processing part (120). The interior of the chamber part 112 is partitioned into a plurality of partitions, through which the exhaust gas flows.

한편, 챔버부(112)는 펄스봉(113)과의 사이에서 플라즈마를 발생시키기 위하여 전기적으로 접지된 상태를 유지한다.On the other hand, the chamber part 112 maintains an electrically grounded state in order to generate a plasma with the pulse bar 113.

상기 펄스봉(113)은 배기가스 내에 포함되는 일산화질소(NO)를 이산화질소(NO2)로 변환시키는 동시에, 소수성(hydrophobic)의 황산화물(SOx)을 친수성(hydrophilic)의 황산화물로 개질시키기 위하여 배기가스를 플라즈마화 하는 것으로서, 챔버부(112)의 구획된 각 공간 내에 길이방향을 따라 장착된다.The pulse rod 113 converts nitrogen monoxide NO contained in the exhaust gas into nitrogen dioxide NO 2 and converts the hydrophobic SOx to a hydrophilic sulfur oxide And is mounted along the longitudinal direction in each of the partitioned spaces of the chamber portion 112, as the exhaust gas is plasmaized.

상기 전원공급부(114)는 각 펄스봉(113)과 전기적으로 연결되어 펄스전압을 인가하기 위한 것이다. The power supply unit 114 is electrically connected to each pulse bar 113 to apply a pulse voltage.

상기 환원제 분사부(115)는 배기가스에 포함되는 질소산화물의 처리를 위하여 배기가스 측으로 환원제를 분사하기 위한 것이다. 배기가스가 유입되는 쪽의 환원제 분사부(115)는 펄스봉(113) 단부의 외면에 장착되며, 환원제가 챔버부(112)의 구획된 공간 측으로 환원제를 분사할 수 있도록 환원제 분사부(115)의 외주면에는 복수개의 분사구(116)가 형성된다.The reducing agent spraying part 115 is for spraying the reducing agent toward the exhaust gas for the treatment of the nitrogen oxide contained in the exhaust gas. The reducing agent spraying part 115 on the side to which the exhaust gas flows is mounted on the outer surface of the end of the pulse rod 113 and the reducing agent spraying part 115 is provided so that the reducing agent can spray the reducing agent toward the partitioned space side of the chamber part 112. [ A plurality of jetting openings 116 are formed on the outer circumferential surface of the ink jet head.

또한, 환원제의 분사방향이 배기가스의 유동방향과 수직을 이룰 수 있는 구조로 분사구(116)가 형성되나, 분사구(116)의 형태, 위치, 개수 등은 이에 제한되지 않고, 배기가스의 유량, 유속 등을 종합적으로 고려하여 결정하는 것이 바람직하다.The injection port 116 is formed in a structure in which the injection direction of the reducing agent is perpendicular to the flow direction of the exhaust gas. The shape, position, number, and the like of the injection port 116 are not limited to the above, It is preferable to determine the flow rate and the like in consideration of the total.

한편, 본 실시예에서 분사되는 환원제는 암모니아(NH3) 또는 탄화수소(HC, hydrocarbon) 중 하나가 이용되나, 이에 제한되는 것은 아니다.Meanwhile, the reducing agent injected in this embodiment is one of ammonia (NH 3 ) or hydrocarbon (HC), but is not limited thereto.

또한, 환원제 분사부(115)는 절연성 소재로 마련되어, 고전압이 인가되는 펄스봉(113)과 접지가 되는 챔버부(112) 사이의 전기적 누설이 발생하지 않도록 절연부의 역할을 수행한다. 본 실시예에서 환원제 분사부(115)는 절연소재인 세라믹으로 마련되나, 우수한 절연성을 가지는 소재라면 이에 제한되는 것은 아니다.The reducing agent spraying part 115 is made of an insulating material and serves as an insulating part to prevent electrical leakage between the pulse rod 113 to which a high voltage is applied and the chamber part 112 to be grounded. In the present embodiment, the reducing agent spraying unit 115 is made of ceramic as an insulating material, but is not limited thereto.

상기 촉매부(117)는 배기가스에 포함되는 질소산화물과 환원제 간의 반응을 촉진시키기 위한 것으로서, 제한되지는 않으나, 백금(Pt), 바나듐(V), 제올라이트(zeolite) 등이 이용될 수 있다.The catalytic part 117 is for promoting the reaction between the nitrogen oxide contained in the exhaust gas and the reducing agent, but is not limited thereto. For example, platinum (Pt), vanadium (V), zeolite and the like may be used.

즉, 상술한 바와 같이, 본 실시예에서 제1처리부(110)는 환원제 분사부(115)와 촉매부(117)로 구성되는 선택적 촉매 환원법(SCR:Selective Catalytic Reduction)을 이용하는 후처리 장치와 펄스인가부(111)로 구성되어 배기가스를 플라즈마화 하는 전저리 장치가 병합된 복합 장치이다.That is, as described above, in the present embodiment, the first processing unit 110 includes a post-processing apparatus using a selective catalytic reduction (SCR) composed of a reducing agent spraying unit 115 and a catalytic unit 117, And an application unit 111, which is a combined apparatus in which an exhaust system for converting exhaust gas into plasma is incorporated.

도 4는 도 2의 배기가스 처리장치의 제2처리부를 개략적으로 도시한 것이다.Fig. 4 schematically shows a second processing section of the exhaust gas processing apparatus of Fig. 2; Fig.

도 4에 도시된 바와 같이, 상기 제2처리부(120)는 제1처리부(110)의 후단에 장착되어 제1처리부(110)에서 1차적으로 처리된 후에 배기되는 가스를 2차적으로 처리하기 위한 것으로서, 케이싱(121)과 세정액 분사 노즐(123)과 유도전극(124)과 패킹부(125)를 포함한다.As shown in FIG. 4, the second processing unit 120 is installed at the rear end of the first processing unit 110 and is used for secondarily processing the gas exhausted after being primarily processed in the first processing unit 110 And includes a casing 121, a cleaning liquid injection nozzle 123, an induction electrode 124, and a packing unit 125.

상기 케이싱(121)은 제1처리부(110)로부터 처리된 후에 배출되는 배기가스를 공급받은 상태에서 이를 재처리하기 위한 공간을 제공하는 것으로서, 내부에 공간이 형성되고, 하단 측면에는 제1처리부(110)와 연통되어 배기가스를 공급받는 유입구(122)가 형성된다.The casing 121 is provided with a space for reprocessing the exhaust gas supplied from the first processing unit 110 after the exhaust gas is supplied thereto. The casing 121 is provided with a space therein, and a first processing unit 110, and an inlet 122 for receiving the exhaust gas is formed.

따라서, 케이싱(121) 하단의 유입구(122)로 유입되는 배기가스는 케이싱(121)의 내부공간을 따라 상측으로 이동하나, 케이싱(121)의 유입구(122)의 위치는 이에 제한되지는 않는다.The exhaust gas flowing into the inlet 122 at the lower end of the casing 121 moves upward along the inner space of the casing 121 but the position of the inlet 122 of the casing 121 is not limited thereto.

도 5는 도 2의 배기가스 처리장치의 세정액 분사노즐과 유도전극의 구조를 개략적으로 도시한 것이다.5 schematically shows a structure of a cleaning liquid injection nozzle and an induction electrode of the exhaust gas processing apparatus of FIG.

도 5에 도시된 바와 같이, 상기 세정액 분사 노즐(123)은 복수개가 케이싱(121) 내부에 설치되어 케이싱(121) 내에 유입된 배기가스의 황산화물(SOx)을 처리하기 위한 세정액을 하방으로 분사하기 위한 부재이다. 세정액 분사 노즐(123)은 실린더형으로 형성되어 중력방향을 따라 길게 형성된다.5, a plurality of the cleaning liquid spray nozzles 123 are installed in the casing 121 to spray the cleaning liquid for treating the sulfur oxides (SOx) of the exhaust gas flowing into the casing 121 downward . The cleaning liquid jetting nozzle 123 is formed in a cylindrical shape and is formed long along the gravity direction.

상기 유도전극(124)은 세정액 분사 노즐(123)로부터 분사되는 세정액 입자를 하전시키기 위한 것으로서, 링 형상으로 형성되어 복수개의 세정액 분사 노즐(123) 각각을 둘러싸는 형태로 배치된다.The induction electrode 124 is for ringing the cleaning fluid sprayed from the cleaning fluid spray nozzle 123 and is disposed in a ring shape to surround each of the plurality of the cleaning fluid spray nozzles 123.

도 6은 도 2의 배기가스 처리장치의 세정액 분사노즐과 유도전극의 구조의 변형례를 개략적으로 도시한 것이다.Fig. 6 schematically shows a modification of the structure of the cleaning liquid injection nozzle and the induction electrode of the exhaust gas processing apparatus of Fig. 2;

또한, 도 6에 도시된 바와 같이, 본 실시예의 변형례에서는 유도전극(124')은 한 쌍의 상호 이격되는 판 형태로 마련되며, 세정액 분사 노즐(123')을 가운데 두고 양측에 각각 배치되는 구조로 마련되어, 세정액 입자를 하전시킬 수도 있다.6, in the modification of the present embodiment, the induction electrodes 124 'are provided in the form of a pair of mutually spaced plates, and are disposed on both sides of the cleaning liquid injection nozzle 123' So that the cleaning liquid particles can be charged.

상기 패킹부(125)는 분사되는 세정액과 유입되는 배기가스 간의 접촉면적을 증가시키기 위한 것으로서, 복수개가 구 형상으로 케이싱(121) 내부의 세정액이 유동하는 경로 상에 설치되며, 세정액이 흘러내릴 수 있도록 소정의 공극을 형성한다. 이때, 패킹부(125)의 공극은 세정액이 충분히 흘러 내릴 수 있을 정도로 마련되는 것이 바람직하다.The packing part 125 is provided to increase the contact area between the cleaning liquid to be injected and the exhaust gas to be introduced. The packing part 125 is installed on a path through which the cleaning liquid flows in the casing 121 in a plurality of spherical shapes, A predetermined gap is formed. At this time, it is preferable that the gap of the packing part 125 is provided to such a degree that the cleaning liquid can sufficiently flow down.

도 7은 도 2의 배기가스 처리장치의 제3처리부를 개략적으로 도시한 것이다.Fig. 7 schematically shows a third processing section of the exhaust gas processing apparatus of Fig. 2;

도 7을 참조하면, 상기 제3처리부(130)는 상술한 제2처리부(120)에서 처리되지 못한 미세입자를 처리하기 위한 것으로서, 집진판(131)과 방전부(132)와 수막 형성 유도부(133)와 고전압 인가부(134)를 포함한다.7, the third processing unit 130 is for processing the fine particles that have not been processed in the second processing unit 120. The third processing unit 130 includes a dust collecting plate 131, a discharge unit 132, And a high-voltage applying unit 134. The high-

상기 집진판(131)은 제1처리부(110) 및 제2처리부(120)에서는 처리하지 못한 입자상 물질(PM:Particulate Matter), 즉, 미세입자를 집진하기 위한 판형태의 부재로서, 복수개가 상호 대향하는 상태에 이격되게 배치된다.The dust collecting plate 131 is a plate-shaped member for collecting PM (Particulate Matter), that is, fine particles that can not be processed by the first processing unit 110 and the second processing unit 120, As shown in FIG.

상기 방전부(132)는 이웃하는 집진판(131)의 사이에 배치되어, 후술하는 고전압 인가부(134)로부터 고전압을 인가받아 집진판(131)과의 사이에서 코로나 방전을 일으키도록 하는 것으로서, 코로나 방전에 의하여 배기가스 내의 입자상 물질(PM:Particulate Matter)는 집진판(131)에 집진된다.The discharge unit 132 is disposed between neighboring dust collecting plates 131 to apply a high voltage from a high voltage applying unit 134 to cause a corona discharge with the dust collecting plate 131, Particulate matter (PM) in the exhaust gas is collected by the dust collecting plate 131.

상기 수막 형성 유도부(133)는 집진판(131) 측으로 세정액을 분사하여 전면(全面)에 수막이 형성되도록 함으로 집진판(131)이 노출되는 것을 방지하는 동시에, 집진판(131)으로부터 이탈되어 하방으로 낙하하는 세정액이 제2처리부(120)에서 황산화물을 처리하는 세정액으로서의 역할을 수행하도록 하는 부재이다.The water film formation induction unit 133 injects the cleaning liquid into the dust collecting plate 131 to form a water film on the entire surface thereof to prevent the dust collecting plate 131 from being exposed and to allow the water film forming guide unit 133 to be detached from the dust collecting plate 131, And the cleaning liquid is a member for causing the second processing unit 120 to function as a cleaning liquid for treating sulfur oxides.

상기 고전압 인가부(134)는 상술한 방전부(132)와 전기적으로 연결되어, 고전압을 인가한다.
The high-voltage applying unit 134 is electrically connected to the discharging unit 132 to apply a high voltage.

지금부터는 상술한 배기가스 처리장치(100)의 일실시예의 작동에 대하여 설명한다.Hereinafter, the operation of one embodiment of the exhaust gas treating apparatus 100 will be described.

먼저, 엔진 내에서 연소를 통하여 배출되는 배기가스가 제1처리부(110)의 챔버부(112) 내에 진입한다. 배기가스가 챔버부(112)의 복수개로 구획된 영역 내로 진입하면, 전원공급부(114)로부터 펄스전원을 공급받는 펄스봉(113)은 배기가스를 플라즈마화 한다. 이와 동시에, 환원제 분사부(115)는 분사구(116)를 통하여 배기가스의 유동방향과 수직방향으로 환원제를 분사한다.First, the exhaust gas discharged through combustion in the engine enters the chamber part 112 of the first processing part 110. When the exhaust gas enters into a region divided into a plurality of chambers of the chamber portion 112, the pulse rod 113 supplied with the pulse power from the power supply portion 114 converts the exhaust gas into a plasma. At the same time, the reducing agent spraying part 115 injects the reducing agent in the direction perpendicular to the flow direction of the exhaust gas through the injection port 116.

이때, 플라즈마화되는 배기가스 내부에 포함되는 질소산화물(NOx)은 하기의 [반응식]과 같은 반응을 일으킴으로써, 일산화질소(NO)와 이산화질소(NO2)의 비율을 50:50에 가까워지도록 하나, 이러한 하기의 [반응식]은 이론적인 반응이므로, 일산화질소와 이산화질소의 비율이 50:50에 완벽히 일치하는 것은 아니다.At this time, the nitrogen oxide (NOx) contained in the exhaust gas to be converted into plasma is caused to react in the same manner as the following reaction formula so that the ratio of the nitrogen monoxide NO and the nitrogen dioxide NO 2 becomes close to 50:50 , The following reaction is the theoretical reaction, so that the ratio of nitrogen monoxide to nitrogen dioxide does not perfectly match 50:50.

[반응식] 9NO + NO2 + 2O2 -> 5NO + 5NO2 [Reaction] 9NO + NO 2 + 2O 2 -> 5NO + 5NO 2

한편, 이러한 반응과 동시에, 플라즈마화 되는 배기가스 내부에 포함되는 황산화물(SOX)의 특성이 소수성(hydrophobic) 특성에서 친수성(hydrophilic)으로 특성개질된다.On the other hand, at the same time as this reaction, the nature of the sulfur oxides (SO X) contained in the exhaust gas inside the plasma screen is modified to a hydrophilic property (hydrophilic) in hydrophobicity (hydrophobic) properties.

다시 설명하면, 펄스인가부(111)에 의하여 플라즈마화 되는 배기가스 내에 포함되는 질소산화물의 일산화질소(NO)와 이산화질소(NO2)의 비율이 동일해지는 동시에, 황산화물의 특성이 친수성으로 개질된다.In other words, the nitrogen oxide (NO) and the nitrogen dioxide (NO 2 ) of the nitrogen oxide contained in the exhaust gas that is plasmaized by the pulse applying unit 111 become the same ratio and the characteristic of the sulfur oxide is modified to be hydrophilic .

플라즈마화 처리된 배기가스는 촉매부(117)를 통과하면서 환원제와 반응하며 질소산화물이 처리된다. 한편, 일반적으로 100℃ 내지 200℃ 의 낮은 온도에서 환원제와 반응율은 일산화질소보다 이산화질소가 높다. The exhaust gas that has undergone the plasma treatment reacts with the reducing agent while passing through the catalytic portion 117 and is treated with nitrogen oxide. On the other hand, the reaction rate with a reducing agent is generally higher than that of nitrogen monoxide at a low temperature of 100 ° C to 200 ° C.

즉, 본 실시예에서는 플라즈마 처리로 인하여 이산화질소의 비율이 최초 배기가스에서 보다 높아진 상태로 촉매부(117)를 통과함에 따라, 환원제와는 더욱 쉽게 반응하며 전체적인 질소산화물의 처리 성능이 높아진다. 따라서, 제1처리부(110)를 고온 상태로 유지하기 위한 별도의 장치 없이도 용이한 질소산화물 처리가 가능하다.That is, in this embodiment, as the ratio of nitrogen dioxide is higher than that of the initial exhaust gas due to the plasma treatment, the nitrogen oxide is more easily reacted with the reducing agent as it passes through the catalytic portion 117 and the overall nitrogen oxide treatment performance is enhanced. Therefore, it is possible to easily process the nitrogen oxide without a separate apparatus for maintaining the first processing unit 110 at a high temperature.

제1처리부(110)를 통과하여 질소산화물이 처리된 배기가스는 유입구(122)를 통과하여 제2처리부(120)의 케이싱(121) 내로 유입되어 세정액 분사 노즐(123)이 위치한 케이싱(121)의 상부로 유동한다. The exhaust gas having passed through the first processing unit 110 and treated with nitrogen oxides flows into the casing 121 of the second processing unit 120 through the inlet 122 and flows into the casing 121 in which the cleaning liquid injection nozzle 123 is located, As shown in FIG.

이때, 세정액 분사 노즐(123)에서는 하방으로 세정액을 분사함으로써 황산화물이 세정액과 결합하여 처리되도록 한다. 또한, 케이싱(121) 내에 충진된 패킹부(125)는 황산화물과 세정액 간의 접촉면적을 더욱 높이므로, 황산화물 처리성능이 증가할 수 있다.At this time, the cleaning liquid injecting nozzle 123 injects the cleaning liquid downward so that the sulfur oxide is combined with the cleaning liquid to be processed. Further, since the packing portion 125 filled in the casing 121 further increases the contact area between the sulfuric acid and the cleaning liquid, the sulfuric acid treatment performance can be increased.

한편, 상술한 과정과 동시에 유도전극(124)을 통하여 전압을 인가하여 분사된 세정액을 하전시킨다. 유도전극(124)에 의하여 하전된 상태의 세정수 입자와 황산화물 간의 결합 효율은 더욱 커지게 된다. 이와 동시에, 배기가스 내에 포함되는 황산화물(SOx)은 제1처리부(110) 내에서 친수성을 갖도록 개질되어 제2처리부(120)를 통과하므로, 친수성으로 개질된 황산화물은 세정액 입자와 더욱 쉽게 결합하여 처리된다.At the same time, a voltage is applied through the induction electrode 124 to charge the injected cleaning liquid. The coupling efficiency between the washing water particles and the sulfur oxide in the charged state by the induction electrode 124 is further increased. At the same time, the sulfur oxides (SOx) contained in the exhaust gas are reformed to have hydrophilicity in the first processing section 110 and pass through the second processing section 120, so that the hydrophilically modified sulfur oxides are more easily combined with the cleaning liquid particles .

즉, 제2처리부(120)에서 황산화물의 개선된 처리성능에 대해서 다시 설명하면, 유도전극(124)에 의하여 세정수 입자는 하전됨으로써 황산화물과의 결합력은 커지고, 이와 동시에 제1처리부(110) 내에서 황산화물은 친수성으로 개질되어 세정수 입자와의 결합확률이 더욱 높아지므로, 제2처리부(120)에서의 전체적인 황산화물의 처리 성능이 향상된다.In other words, the improved processing performance of the sulfur oxides in the second processing unit 120 will be described again. When the cleaning water particles are charged by the induction electrode 124, the binding force with sulfur oxides increases. At the same time, ), The sulfur oxide is reformed to be hydrophilic and the probability of bonding with the washing water particles becomes higher, so that the treatment performance of the overall sulfur oxide in the second treatment section 120 is improved.

제2처리부(120)에서 황산화물 처리가 완료된 상태의 배기가스는 상측으로 이동하며 제3처리부(130)에 진입한다. 이때, 제3처리부(130)의 고전압 인가부(134)는 방전부(132)에 고전압을 인가하여 집진판(131)과의 사이에서 코로나 방전이 발생되도록 한다.The exhaust gas in the state where the sulfuric acid treatment is completed in the second processing unit 120 moves upward and enters the third processing unit 130. The high voltage application unit 134 of the third processing unit 130 applies a high voltage to the discharge unit 132 to generate a corona discharge with the dust collecting plate 131.

집진판(131) 사이의 공간을 통과하는 배기가스 내에 포함되는 입자상 물질(PM), 즉, 미세입자는 코로나 방전에 의하여 집진판(131) 상에 집진된다. 한편, 이러한 미세입자의 집진과 동시에, 수막 형성 유도부(133)는 집진판(131) 측으로 세정수를 분사하여 집진판(131)의 전면(全面)에 수막이 형성되도록 한다. 따라서, 집진판(131)에 형성되는 수막에 의하여 미세입자는 집진판(131)과 직접적으로 접촉되지 못하고, 흘러내리는 수막과 함께 하방으로 낙하하여 처리된다.Particulate matter (PM), that is, fine particles contained in the exhaust gas passing through the space between the dust collecting plates 131 is collected on the dust collecting plate 131 by the corona discharge. Simultaneously with the collection of the fine particles, the water film formation inducing unit 133 injects the washing water toward the dust collecting plate 131 to form a water film on the entire surface of the collecting plate 131. Therefore, the fine particles can not be directly contacted with the dust collecting plate 131 by the water film formed on the dust collecting plate 131, and are dropped downward together with the water film flowing down.

한편, 수막을 형성한 후에 집진판(131)으로부터 이탈하는 세정액은 제2처리부(120)에 유입되어, 황산화물과 결합함으로써, 황산화물의 처리 효율을 더욱 향상시키는 역할을 하게 된다.On the other hand, the cleaning liquid, which is separated from the dust collecting plate 131 after the formation of the water film, flows into the second processing unit 120 and binds to the sulfur oxide, thereby further improving the treatment efficiency of the sulfur oxide.

따라서, 본 실시예의 배기가스 처리장치에 의하면, 향상된 성능으로 질소산화물 및 황산화물을 처리하는 동시에, 입자상 물질까지 제거하여 정화가스를 외부로 배출시킬 수 있다.
Therefore, according to the exhaust gas processing apparatus of this embodiment, nitrogen oxide and sulfur oxide can be treated with improved performance, particulate matter can be removed, and the purified gas can be discharged to the outside.

본 발명의 권리범위는 상술한 실시예에 한정되는 것이 아니라 첨부된 특허청구범위 내에서 다양한 형태의 실시예로 구현될 수 있다. 특허청구범위에서 청구하는 본 발명의 요지를 벗어남이 없이 당해 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 누구든지 변형 가능한 다양한 범위까지 본 발명의 청구범위 기재의 범위 내에 있는 것으로 본다.The scope of the present invention is not limited to the above-described embodiments, but may be embodied in various forms of embodiments within the scope of the appended claims. It will be understood by those skilled in the art that various changes in form and details may be made therein without departing from the spirit and scope of the present invention as defined by the appended claims.

100 : 본 발명의 일실시예에 따른 배기가스 처리장치
110 : 제1처리부 111 : 펄스인가부
115 : 환원제 분사부 117 : 촉매부
120 : 제2처리부 130 : 제3처리부
100: An exhaust gas treating apparatus according to an embodiment of the present invention
110: first processing section 111: pulse applying section
115: Reducing agent dispensing part 117:
120: second processing unit 130: third processing unit

Claims (7)

선박의 엔진으로부터 배출되는 배기가스를 처리하는 배기가스 처리장치에 있어서,
상기 배기가스가 배출되는 경로 상에 설치되며, 환원제를 분사하여 배기가스에 포함되는 질소산화물(NOx)을 처리하는 제1처리부;
상기 제1처리부와 연결되며, 세정액을 분사하여 배기가스에 포함되는 황산화물(SOx)과 접촉시켜 하방으로 제거하는 제2처리부;
상기 제2처리부의 상측에 설치되며, 상기 제2처리부로부터 상측으로 유동하는 배기가스에 포함되는 미세입자를 집진하는 제3처리부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 배기가스 처리장치.
1. An exhaust gas processing apparatus for processing exhaust gas discharged from an engine of a ship,
A first processing unit installed on a path through which the exhaust gas is exhausted and processing nitrogen oxide (NOx) contained in the exhaust gas by injecting a reducing agent;
A second processing unit connected to the first processing unit, for spraying a cleaning liquid and contacting the SOx contained in the exhaust gas and removing the SOx downward;
And a third processing unit disposed above the second processing unit for collecting fine particles contained in the exhaust gas flowing upward from the second processing unit.
제1항에 있어서,
상기 제1처리부는 유동하는 배기가스에 펄스전압을 인가하는 플라즈마화 하는 펄스인가부; 상기 배기가스 측으로 환원제를 분사하는 환원제 분사부; 플라즈마화된 배기가스에 포함되는 질소산화물과 상기 환원제 간의 반응속도를 증가시키는 촉매부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 배기가스 처리장치.
The method according to claim 1,
Wherein the first processing unit includes: a pulse applying unit for applying a pulse voltage to the exhaust gas flowing; A reducing agent spraying unit for spraying a reducing agent toward the exhaust gas; And a catalytic part for increasing the reaction rate between the nitrogen oxide contained in the plasmaized exhaust gas and the reducing agent.
제2항에 있어서,
상기 펄스인가부는 상기 배기가스의 유동방향을 따라 길게 형성되는 펄스봉; 상기 펄스봉에 펄스전원을 공급하는 전원공급부;를 포함하고,
상기 환원제 분사부는 상기 펄스봉의 외면을 둘러싸며 상기 전원공급부로부터 공급되는 전원을 상기 펄스봉에 인가하되, 상기 배기가스의 유동방향과 수직한 방향으로 환원제가 분사되도록 외주면에는 분사구가 형성되는 것을 특징으로 하는 배기가스 처리장치.
3. The method of claim 2,
Wherein the pulse applying unit comprises: a pulse bar formed to be long along the flow direction of the exhaust gas; And a power supply unit for supplying a pulse power to the pulse bar,
Wherein the reducing agent jetting unit surrounds the outer surface of the pulse rod and applies a power source supplied from the power supply unit to the pulse bar so that a jetting port is formed on the outer circumferential surface so that the reducing agent is jetted in a direction perpendicular to the flow direction of the exhaust gas. The exhaust gas processing apparatus comprising:
제3항에 있어서,
상기 제1처리부는 내부에 설치되는 펄스봉과의 사이에서 플라즈마를 발생하도록 전기적으로 접지되는 챔버부를 더 포함하고,
상기 환원제 분사부는 상기 펄스봉과 상기 챔버부 사이의 전기적인 누설이 방지되도록 절연소재로 마련되는 것을 특징으로 하는 배기가스 처리장치.
The method of claim 3,
Wherein the first processing unit further includes a chamber part electrically grounded to generate plasma between the pulse rods provided therein,
Wherein the reducing agent injecting unit is provided as an insulating material so as to prevent electrical leakage between the pulse bar and the chamber part.
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제2처리부는 배기가스가 유입되도록 유입구가 형성되는 케이싱; 상기 케이싱 내부의 상단에 설치되어 하측으로 세정액을 분사하는 복수개의 세정액 분사 노즐; 세정액이 하전되도록 상기 세정액 분사 노즐로부터 분사되는 세정액의 유동경로를 둘러싸며 고전압을 인가하는 유도전극;을 포함하는 것을 특징으로 하는 배기가스 처리장치.
5. The method according to any one of claims 1 to 4,
Wherein the second processing unit comprises: a casing having an inlet formed therein for introducing exhaust gas; A plurality of cleaning liquid spray nozzles provided at an upper end of the casing and spraying a cleaning liquid downward; And an induction electrode surrounding the flow path of the cleaning liquid sprayed from the cleaning liquid spray nozzle to apply a high voltage so that the cleaning liquid is charged.
제5항에 있어서,
상기 세정액 분사 노즐로부터 분사되는 세정액 입자는 상기 유도전극으로부터 인가되는 고전압에 의하여 미세화되는 것을 특징으로 하는 배기가스 처리장치.
6. The method of claim 5,
Wherein the cleaning liquid particle injected from the cleaning liquid injection nozzle is refined by a high voltage applied from the induction electrode.
제5항에 있어서,
상기 제3처리부는 상기 세정액 분사 노즐로부터 상측으로 이격되는 위치에 상호 이격되게 배치되는 복수개의 집진판; 상기 집진판 상에 수막이 형성되도록 세정액을 분사하는 수막 형성 유도부; 이웃하는 집진판 사이에 위치하여 방전을 일으키는 방전부; 상기 방전부에 고전압을 인가하는 고전압 인가부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 배기가스 처리장치.
6. The method of claim 5,
The third processing unit includes a plurality of dust collecting plates spaced apart from each other at a position spaced upward from the cleaning liquid spraying nozzle; A water film formation inducing unit for injecting a cleaning liquid to form a water film on the dust collecting plate; A discharging part positioned between neighboring collecting plates to cause a discharge; And a high voltage application unit for applying a high voltage to the discharge unit.
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